JP2016170934A - Organic light emission device and electronic equipment - Google Patents

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章夫 深瀬
Akio Fukase
章夫 深瀬
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セイコーエプソン株式会社
Seiko Epson Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic light emission device and electronic equipment that can suppress light emission in an unintended area in the case of a micro-display.SOLUTION: An organic light emission device includes a substrate 10A, a pixel electrode 16, an organic functional layer 19, an insulating layer 22 covering an end portion of the pixel electrode 16, and a reflective layer 14 disposed between the substrate 10A and the pixel electrode 16. The pixel electrode 16 has a first portion A1 that does not overlap with the insulating layer 22, and a second portion A2 which overlaps with the insulating layer 22. In a first region overlapping with the first portion A1, a first resonant structure is formed by the reflective layer 14 and a counter electrode 18. In a second region overlapping with the second portion A2, a second resonance structure is formed by the reflective layer 14 and the counter electrode 18. A refractive index variable layer 24 which is different in refractive index between the portion corresponding to the first region and the portion corresponding to the second region is provided between the pixel electrode 16 and the reflective layer 14 such that the first optical distance L1 of the first resonant structure and the second optical distance L2 of the second resonator structure are equal to each other.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、有機発光装置、及び電子機器に関する。   The present invention relates to an organic light emitting device and an electronic device.
近年、基板上に有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を発光素子として形成し、発光素子の発光光を基板として反対側に取り出すトップエミッション方式の有機EL装置が電子機器の表示装置などとして多用されている。トップエミッション方式は、発光素子(有機EL素子)を挟み基板側に形成された一方の電極(例えば、画素電極)と基板との間に反射層を形成し、発光素子を挟む他方の電極(例えば、対向電極)側から光を取り出す方式であって、光の利用効率が高い方式である。このような有機EL素子は、薄型・軽量といった特徴を有し、直視型ディスプレイや各種の照明用途としての応用が提案されている。   2. Description of the Related Art In recent years, a top emission type organic EL device in which an organic EL (electroluminescence) element is formed on a substrate as a light emitting element and light emitted from the light emitting element is extracted to the opposite side as a substrate has been widely used as a display device for electronic devices. . In the top emission method, a reflective layer is formed between one electrode (for example, a pixel electrode) formed on the substrate side with the light emitting element (organic EL element) interposed therebetween and the other electrode (for example, the light emitting element is sandwiched). This is a method of extracting light from the counter electrode) side, and is a method with high light utilization efficiency. Such an organic EL element has features such as thinness and light weight, and has been proposed for application as a direct-view display or various lighting applications.
現在、対角1インチ未満のマイクロディスプレイが提案されている。例えば、デジタルカメラ向けの電子ビューファインダーの用途として、有機EL装置のマイクロディスプレイを応用する場合、精細度の制約上からRGBに対応する発光層を形成する際に、各色の発光材料の塗り分けが難しい。微細なマスクの製造が困難であったり、有機EL装置の製造プロセスにおける位置合わせ等が困難であったりするなど、実現が難しい。   Currently, microdisplays with less than 1 inch diagonal have been proposed. For example, when applying a micro display of an organic EL device as an application for an electronic viewfinder for a digital camera, when forming a light emitting layer corresponding to RGB due to definition restrictions, the light emitting materials of each color are separately applied. difficult. It is difficult to realize, for example, it is difficult to manufacture a fine mask or alignment in the manufacturing process of the organic EL device is difficult.
そこで、白色の光を発する発光層を各色の画素に形成し、その上方にRGBのカラーフィルターを重ねることによってフルカラー表示を行う構成が知られている。また、キャビティ構造を用いて光路長をRGB毎に変えることにより各画素で異なる波長の光を射出する構成が知られている。これらの構成を組み合わせることによりRGBの各スペクトルを持つ光を生成することができるとともに、カラーフィルターを光が通過することでさらにスペクトルピークが高められた光が射出されることになる。   Therefore, a configuration is known in which a light emitting layer that emits white light is formed on each color pixel, and an RGB color filter is superimposed thereon to perform full color display. Also, a configuration is known in which light of different wavelengths is emitted from each pixel by changing the optical path length for each RGB using a cavity structure. By combining these configurations, light having RGB spectra can be generated, and light having a further enhanced spectral peak is emitted when the light passes through the color filter.
ところで、有機EL装置において、複数の画素電極間、あるいは画素電極と対向電極間の短絡を防止するために、画素電極の周囲を絶縁膜で覆う構成が一般的に知られている。このような有機EL装置において、ディスプレイのサイズが数インチ以上の場合、各画素を形成するための基板側の画素電極のサイズが数10μm〜100μm程度のオーダーであり、それに対して100〜300nmの膜厚を有する有機EL素子を形成していたため、基板側の画素電極の直上の発光層のみが発光するのが通常であった。
しかしながら、マイクロディスプレイの場合には、各画素を形成するための画素電極のサイズが数μmのオーダーであり、このような画素電極上に100〜300nmの膜厚を有する発光層を形成することになる。このような場合、特に、低電圧を画素電極に印加した場合、その直上の発光層だけでなく、横方向へもキャリアが移動してしまい、絶縁層に隔てられて画素電極と接していない領域の発光層も発光してしまうことがある。
By the way, in an organic EL device, in order to prevent a short circuit between a plurality of pixel electrodes or between a pixel electrode and a counter electrode, a configuration in which the periphery of the pixel electrode is covered with an insulating film is generally known. In such an organic EL device, when the size of the display is several inches or more, the size of the pixel electrode on the substrate side for forming each pixel is on the order of several tens of μm to 100 μm. Since an organic EL element having a film thickness was formed, it was normal that only the light emitting layer directly above the pixel electrode on the substrate side emitted light.
However, in the case of a micro display, the size of a pixel electrode for forming each pixel is on the order of several μm, and a light emitting layer having a film thickness of 100 to 300 nm is formed on such a pixel electrode. Become. In such a case, in particular, when a low voltage is applied to the pixel electrode, the carrier moves not only in the light emitting layer directly above but also in the lateral direction, and is not in contact with the pixel electrode separated by the insulating layer. The light emitting layer may also emit light.
そこで、特許文献1に記載のように、画素電極の開口の下側の反射層と、画素電極の周縁部の下の反射層とを、異なる層に配置されるようにパターニングして形成し、画素電極の開口と重なる領域の光路長と、画素電極の周縁部と重なる領域の光路長とが同じ光路長になるようにして、等しい色を発光するようにしている技術が開示されている。   Therefore, as described in Patent Document 1, the reflective layer below the opening of the pixel electrode and the reflective layer below the peripheral edge of the pixel electrode are formed by patterning so as to be arranged in different layers, A technique is disclosed in which light of the same color is emitted so that the optical path length of the region overlapping the opening of the pixel electrode and the optical path length of the region overlapping the peripheral edge of the pixel electrode have the same optical path length.
特開2013−10996号公報JP 2013-10996 A
しかしながら、画素電極の開口の下側の反射層と、画素電極の周縁部の下側の反射層と、を異なる層にパターニングするため、製造する際に用いるマスクが増えるなど、プロセスが複雑になり、コストがかかるという課題がある。   However, since the reflective layer below the pixel electrode opening and the reflective layer below the peripheral edge of the pixel electrode are patterned into different layers, the process becomes complicated, such as an increase in the number of masks used in manufacturing. There is a problem that it is costly.
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   An aspect of the present invention has been made to solve at least a part of the above problems, and can be realized as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例に係る有機発光装置は、基板と、前記基板上に配置され、光透過性を有する第1電極と、前記第1電極と対向して配置され、半透過半反射性を有する第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された有機発光層と、前記第1電極の端部を覆う絶縁層と、前記基板と前記第1電極との間に配置された反射層と、を備え、前記第1電極は、前記基板に垂直な方向から見て前記絶縁層と重ならない第1部分と、前記基板に垂直な方向から見て前記絶縁層と重なる第2部分とを有し、前記基板に垂直な方向から見て前記第1部分と重なる第1領域では、前記反射層と前記第2電極とで第1共振構造が形成され、前記基板に垂直な方向から見て前記第2部分と重なる第2領域では、前記反射層と前記第2電極とで第2共振構造が形成され、前記第1電極と前記反射層との間に、前記第1共振構造の光学的距離と前記第2共振構造の光学的距離とが等しくなるように、前記第1領域に対応する部分と、前記第2領域に対応する部分と、で屈折率が異なる屈折率可変層を備えることを特徴とする。   Application Example 1 An organic light-emitting device according to this application example is provided with a substrate, a first electrode that is disposed on the substrate and has light transmittance, and is disposed to face the first electrode, and is semi-transmissive and semi-reflective. A second electrode having conductivity, an organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode, an insulating layer covering an end of the first electrode, the substrate, the first electrode, The first electrode includes a first portion that does not overlap the insulating layer when viewed from a direction perpendicular to the substrate, and the insulating layer when viewed from a direction perpendicular to the substrate. A first portion that overlaps with the first portion when viewed from a direction perpendicular to the substrate, a first resonant structure is formed by the reflective layer and the second electrode, In the second region overlapping the second portion when viewed from the direction perpendicular to the substrate, the second layer is formed by the reflective layer and the second electrode. A vibration structure is formed, and the first region has an optical distance between the first electrode and the reflective layer so that an optical distance of the first resonant structure is equal to an optical distance of the second resonant structure. A refractive index variable layer having a different refractive index is provided between a corresponding portion and a portion corresponding to the second region.
本適用例によれば、反射層の上に、第1領域と第2領域とにおいて屈折率が異なる屈折率可変層が配置されているので、第1領域と比較して、第2領域の絶縁層の膜厚分だけ膜厚が異なった場合でも、第1領域の光学的距離と、第2領域の光学的距離と、を等しくすることができる。よって、例えば、微小なサイズの第1電極を備えた有機発光装置において、横方向(基板面と平行な方向)のキャリアの移動により絶縁層上の有機発光層(第2領域)が発光したとしても、その光は、絶縁層上にない有機発光層、すなわち、第1領域の有機発光層から発せられた光と同様の共振を生じる。その結果、横方向へのキャリア移動に起因する、意図しない波長の発光を抑えることができる。   According to this application example, since the refractive index variable layer having different refractive indexes in the first region and the second region is disposed on the reflective layer, the second region is insulated compared to the first region. Even when the film thicknesses differ by the film thickness of the layers, the optical distance of the first region and the optical distance of the second region can be made equal. Therefore, for example, in an organic light emitting device including a first electrode having a minute size, it is assumed that the organic light emitting layer (second region) on the insulating layer emits light due to the movement of carriers in the lateral direction (direction parallel to the substrate surface). However, the light causes resonance similar to light emitted from the organic light emitting layer that is not on the insulating layer, that is, the organic light emitting layer in the first region. As a result, it is possible to suppress light emission of an unintended wavelength caused by carrier movement in the lateral direction.
また、第1領域の光学的距離と第2領域の光学的距離とを等しくすることにより、第1領域での発光スペクトルと、第2領域での発光スペクトルと、を等しくすることができる。これにより、第2領域の有機発光層が発光した場合においても、その光の色を第1領域の有機発光層からの光の色と合わせることができる。その結果、色純度の低下や色ずれの虞の少ない有機発光装置を提供することができる。   In addition, by making the optical distance of the first region equal to the optical distance of the second region, the emission spectrum in the first region and the emission spectrum in the second region can be made equal. Thereby, even when the organic light emitting layer in the second region emits light, the color of the light can be matched with the color of light from the organic light emitting layer in the first region. As a result, it is possible to provide an organic light-emitting device that is less likely to cause a decrease in color purity or a color shift.
[適用例2]上記適用例に係る有機発光装置において、前記屈折率可変層は、前記第1領域に対応する第1屈折率可変層と、前記第2領域に対応する前記第1屈折率可変層の屈折率より低い第2屈折率可変層と、を有することが好ましい。   Application Example 2 In the organic light emitting device according to the application example, the refractive index variable layer includes a first refractive index variable layer corresponding to the first region and the first refractive index variable corresponding to the second region. It is preferable to have a 2nd refractive index variable layer lower than the refractive index of a layer.
本適用例によれば、共振構造の総厚みが厚い第2屈折率可変層の屈折率を、第1屈折率可変層の屈折率より低くするので、第1共振構造と第2共振構造との光学的距離を近づけることが可能となる。よって、第1領域における発光色と、第2領域における発光色とを略等しくすることができる。   According to this application example, since the refractive index of the second refractive index variable layer having the thick total thickness of the resonant structure is made lower than the refractive index of the first refractive index variable layer, the first resonant structure and the second resonant structure It is possible to reduce the optical distance. Therefore, the emission color in the first region and the emission color in the second region can be made substantially equal.
[適用例3]上記適用例に係る有機発光装置において、前記有機発光層は、複数の前記第1電極上に亘って繋がって形成されており、白色発光することが好ましい。   Application Example 3 In the organic light-emitting device according to the application example, the organic light-emitting layer is formed to be connected over the plurality of first electrodes, and preferably emits white light.
本適用例によれば、複数の第1電極上に亘って繋がって形成されている、言い換えれば、基板の上にベタ状(一様)に有機発光層が形成されているので、有機発光層をパターニングすることなく形成することができる。よって、比較的簡単に形成することができる。   According to this application example, the organic light emitting layer is formed so as to be connected over the plurality of first electrodes, in other words, the organic light emitting layer is formed in a solid (uniform) shape on the substrate. Can be formed without patterning. Therefore, it can be formed relatively easily.
[適用例4]本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機発光装置を備えたことを特徴とする。   Application Example 4 An electronic apparatus according to this application example includes the organic light-emitting device described above.
本適用例によれば、上記の有機発光装置を備えているので、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を提供することができる。   According to this application example, since the organic light emitting device described above is provided, an electronic apparatus including a display unit with excellent display quality can be provided.
有機発光装置の全体構成を示す平面図。The top view which shows the whole structure of an organic light-emitting device. 有機発光装置の全体構成を示す回路図。The circuit diagram which shows the whole structure of an organic light-emitting device. 表示単位画素の構造を示す平面図。The top view which shows the structure of a display unit pixel. 有機発光装置の構成を示す部分断面図。The fragmentary sectional view which shows the structure of an organic light-emitting device. 画素電極の第1部分および第2部分に対応する各領域における光路長(光学的距離)を、それぞれ説明するための図。The figure for demonstrating each the optical path length (optical distance) in each area | region corresponding to the 1st part and 2nd part of a pixel electrode. 有機発光装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows a one part manufacturing method among the manufacturing methods of an organic light-emitting device. (a)は携帯電話の一例を示した斜視図、(b)は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図、(c)はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図。(A) is a perspective view showing an example of a mobile phone, (b) is a perspective view showing an example of a wristwatch-type electronic device, and (c) is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. Figure.
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.
<有機発光装置>
図1は、本発明の実施形態である有機発光装置の全体構成を示す平面図である。
図1に示すように、本実施形態の有機発光装置100は、アクティブマトリクス基板10上の表示領域4には、R,G,Bに対応して設けられた複数のサブ画素3R,3G,3Bがマトリクス状に規則的に配置されている。このとき、各サブ画素3R,3G,3Bの配列は、一方向にR,G,Bが繰り返し並ぶように配列されている。
<Organic light emitting device>
FIG. 1 is a plan view showing an overall configuration of an organic light-emitting device according to an embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the organic light emitting device 100 according to the present embodiment includes a plurality of subpixels 3R, 3G, 3B provided in the display region 4 on the active matrix substrate 10 corresponding to R, G, B. Are regularly arranged in a matrix. At this time, the sub-pixels 3R, 3G, and 3B are arranged so that R, G, and B are repeatedly arranged in one direction.
図2は、本実施形態における有機発光装置の全体構成を示す回路図である。
図2に示すように、本実施形態の有機発光装置100は、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に平行して延在する複数の電源供給線103とがそれぞれ配列された回路構成を有するとともに、走査線101および信号線102の各交点付近に、R,G,Bに対応するサブ画素3R,3G,3Bが設けられている。これら3つのサブ画素3R,3G,3Bは、走査線101の延在方向に沿ってこの順番に設けられる。
FIG. 2 is a circuit diagram showing the overall configuration of the organic light-emitting device in the present embodiment.
As shown in FIG. 2, the organic light emitting device 100 of this embodiment includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction intersecting the scanning lines 101, and extending in parallel with the signal lines 102. A plurality of existing power supply lines 103 are arranged, and sub-pixels 3R, 3G, and 3B corresponding to R, G, and B are provided near intersections of the scanning lines 101 and the signal lines 102. It has been. These three sub-pixels 3R, 3G, and 3B are provided in this order along the extending direction of the scanning line 101.
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタおよびアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路90が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタおよびレベルシフタ等を備える走査側駆動回路80が接続されている。   A data side driving circuit 90 including a shift register, a level shifter, an analog switch, and the like is connected to the signal line 102. Further, a scanning side driving circuit 80 including a shift register, a level shifter, and the like is connected to the scanning line 101.
サブ画素3R,3G,3Bの各々には、走査線101を介して走査線信号がゲート電極に供給されるスイッチングトランジスター112と、このスイッチングトランジスター112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量113と、この保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動トランジスター123と、この駆動トランジスター123を介して電源供給線103に電気的に接続したときに当該電源供給線103から駆動電流が与えられる画素電極(第1電極)16と、この画素電極16と対向電極18(第2電極)との間に有機機能層19(有機発光層)が挟み込まれてなる有機EL素子7と、が設けられている。   In each of the sub-pixels 3R, 3G, and 3B, a switching transistor 112 to which a scanning line signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101, and a pixel signal supplied from the signal line 102 via the switching transistor 112 are received. A holding capacitor 113 to be held, a driving transistor 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to the gate electrode, and the power source when electrically connected to the power supply line 103 via the driving transistor 123 An organic functional layer 19 (organic light emitting layer) is sandwiched between the pixel electrode (first electrode) 16 to which a drive current is applied from the supply line 103 and the pixel electrode 16 and the counter electrode 18 (second electrode). An organic EL element 7 is provided.
図3は、表示単位画素の構造を示す平面図であり、図4は、有機発光装置の構成を示す部分断面図である。
図3、図4に示すように、R,G,Bに対応する3つのサブ画素3R,3G,3Bが一つの基本単位となって表示単位画素3を構成しており、これによって、表示単位画素3は、RGBの光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。表示単位画素3を構成するサブ画素3R,3G,3Bはそれぞれ、赤色の光を射出すべき領域、緑色の光を射出すべき領域、青色の光を射出すべき領域である。
FIG. 3 is a plan view showing the structure of the display unit pixel, and FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the organic light emitting device.
As shown in FIG. 3 and FIG. 4, three sub-pixels 3R, 3G, and 3B corresponding to R, G, and B constitute one basic unit to form a display unit pixel 3, and thereby display unit The pixel 3 performs full color display by mixing RGB light. The sub-pixels 3R, 3G, and 3B constituting the display unit pixel 3 are a region where red light should be emitted, a region where green light should be emitted, and a region where blue light should be emitted, respectively.
画素電極16R,16G,16Bは、平面視でほぼ等しい大きさを有する。そして、サブ画素3R,3G,3Bに対応して設けられた画素電極16R,16G,16B上には、その表面161の一部を露出させる開口22Aが設けられた絶縁層22が形成されている。本実施形態の画素電極16R,16G,16Bは、特許請求の範囲における「第1電極」に対応する。   The pixel electrodes 16R, 16G, and 16B have substantially the same size in plan view. On the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B provided corresponding to the sub-pixels 3R, 3G, and 3B, an insulating layer 22 provided with an opening 22A that exposes a part of the surface 161 is formed. . The pixel electrodes 16R, 16G, and 16B of the present embodiment correspond to “first electrodes” in the claims.
光路長調整層13は、対向電極18との間で所定の波長の光を共振させるための反射層14を備えている。光路長調整層13の膜厚は、各サブ画素3R,3G,3Bにおいて所定の波長の光が効率よく共振し得る光路長となるように調整される。本実施形態の対向電極18は、特許請求の範囲における「第2電極」に対応する。   The optical path length adjusting layer 13 includes a reflective layer 14 for resonating light having a predetermined wavelength with the counter electrode 18. The film thickness of the optical path length adjusting layer 13 is adjusted so that the light having a predetermined wavelength can be efficiently resonated in each of the sub-pixels 3R, 3G, and 3B. The counter electrode 18 of the present embodiment corresponds to a “second electrode” in the claims.
図4は、有機発光装置の構成を示す部分断面図である。
本実施形態の有機発光装置100は、トップエミッション構造であって、基板10A上の表示領域4(図1)内におけるサブ画素3R,3G,3Bごとに、図4に示すように、有機EL素子7とこの有機EL素子7を発光駆動させる駆動回路8とが設けられたアクティブマトリクス基板10と、アクティブマトリクス基板10上に対向配置されたカラーフィルター基板20とを備えている。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the organic light emitting device.
The organic light emitting device 100 of the present embodiment has a top emission structure, and each of the sub-pixels 3R, 3G, 3B in the display region 4 (FIG. 1) on the substrate 10A has an organic EL element as shown in FIG. 7 and a drive circuit 8 for driving the organic EL element 7 to emit light, and a color filter substrate 20 disposed on the active matrix substrate 10 so as to face each other.
以下、各構成要素について具体的に述べる。
図4に示すように、基板10A上に形成されたデバイス層12は、スイッチングトランジスター(不図示)、駆動トランジスター123、保持容量113等を含む層で、駆動回路8はこのデバイス層12の内部に形成されている。
Each component will be specifically described below.
As shown in FIG. 4, the device layer 12 formed on the substrate 10 </ b> A is a layer including a switching transistor (not shown), a driving transistor 123, a storage capacitor 113 and the like, and the driving circuit 8 is disposed inside the device layer 12. Is formed.
駆動トランジスター123は、基板10A上に形成された半導体層41aのドレイン領域に接続されたドレイン電極41dと、半導体層41aのソース領域と接続されたソース電極41cと、半導体層41aを覆うゲート絶縁層41bと、ゲート絶縁層41b上に形成されたゲート電極41eと、で構成されている。そして、ソース電極41cは、電源供給線103に接続され、ドレイン電極41dは、ソース電極41cおよびドレイン電極41dを覆うように形成されたカバー層44、平坦化層45、光路長調整層13を貫通して形成された各コンタクトホールHを介して対応する各画素電極16R,16G,16Bと接続されている。   The driving transistor 123 includes a drain electrode 41d connected to the drain region of the semiconductor layer 41a formed on the substrate 10A, a source electrode 41c connected to the source region of the semiconductor layer 41a, and a gate insulating layer covering the semiconductor layer 41a. 41b and a gate electrode 41e formed on the gate insulating layer 41b. The source electrode 41c is connected to the power supply line 103, and the drain electrode 41d penetrates the cover layer 44, the planarization layer 45, and the optical path length adjustment layer 13 formed so as to cover the source electrode 41c and the drain electrode 41d. The corresponding pixel electrodes 16R, 16G, and 16B are connected through the contact holes H formed in this manner.
本実施形態の有機発光装置100はトップエミッション構造を有していることから、有機EL素子7の発光光が対向電極18側から射出するように、画素電極16R,16G,16Bと基板10Aとの間には各サブ画素3R,3G,3Bに対応して反射層14が複数形成されている。   Since the organic light emitting device 100 of this embodiment has a top emission structure, the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B and the substrate 10A are arranged so that the light emitted from the organic EL element 7 is emitted from the counter electrode 18 side. A plurality of reflective layers 14 are formed between the sub-pixels 3R, 3G, and 3B.
本実施形態のデバイス層12は、反射層14及び屈折率可変層24を有する。   The device layer 12 of this embodiment includes a reflective layer 14 and a refractive index variable layer 24.
反射層14は、平坦化層45の表面上にサブ画素3R,3G,3Bごとに設けられる。反射層14は、光反射率の高い材料より所定の膜厚で形成されている。反射層14の形成材料として、例えば、アルミニウム、銀、あるいは銀の合金などが挙げられる。反射層14は、有機EL素子7の発光光のうち、画素電極16R,16G,16Bを通過して基板10Aに射出される光を反射して対向電極18側へと射出させる。   The reflection layer 14 is provided on the surface of the planarization layer 45 for each of the subpixels 3R, 3G, and 3B. The reflective layer 14 is formed with a predetermined film thickness from a material having a high light reflectance. Examples of the material for forming the reflective layer 14 include aluminum, silver, or a silver alloy. The reflection layer 14 reflects light emitted from the organic EL element 7 through the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B and emitted to the substrate 10A and emits the light toward the counter electrode 18 side.
屈折率可変層24は、反射層14の上に設けられており、基板10Aに垂直な方向から見て、後述する画素電極16R,16G,16Bの開口している部分(第1部分)と重なる第1領域に形成された第1屈折率可変層24aと、画素電極の開口していない部分(第2部分)と重なる第2領域に形成された第2屈折率可変層24bと、を有する。   The refractive index variable layer 24 is provided on the reflective layer 14 and overlaps with the opening portions (first portions) of pixel electrodes 16R, 16G, and 16B, which will be described later, when viewed from the direction perpendicular to the substrate 10A. It has the 1st refractive index variable layer 24a formed in the 1st area | region, and the 2nd refractive index variable layer 24b formed in the 2nd area | region which overlaps the part (2nd part) which the pixel electrode has not opened.
屈折率可変層24は、例えば、スチレン系重合体であり、繰り返し単位中に、アントラセンに由来の光反応性基を有する。よって、例えば、紫外線を受けることによって屈折率が変化する特性を有し、かつ、屈折率の変化量が大きい。   The refractive index variable layer 24 is, for example, a styrene polymer, and has a photoreactive group derived from anthracene in the repeating unit. Therefore, for example, the refractive index changes by receiving ultraviolet rays, and the amount of change in the refractive index is large.
また、スチレン系重合体は、光エネルギーを熱エネルギーに変換して蓄積する特性を有し、かつ、蓄熱量が大きいものである。しかも、スチレン重合体自体の有する優れた成形性が得られることから、容易に成膜することができる。スチレン系重合体は、例えば、スピンコート法を用いて形成することができる。   The styrene polymer has a property of converting light energy into heat energy and storing it, and has a large amount of heat storage. And since the outstanding moldability which styrene polymer itself has is obtained, it can form into a film easily. The styrenic polymer can be formed using, for example, a spin coating method.
屈折率の変化としては、例えば、スチレン系重合体を0.3μm成膜し、一部の領域に、紫外線を照射して、紫外線が照射されていない部分と、紫外線を照射した部分と、の屈折率の差を比べてみた。紫外線を照射していない部分の屈折率は、1.680である。紫外線を照射した部分の屈折率は、1.605である。屈折率の差は、0.075である。つまり、紫外線を照射することにより、屈折率が低下する。このような材料を用いる。   As a change in refractive index, for example, a styrenic polymer film is formed to a thickness of 0.3 μm, and a part of a region is irradiated with ultraviolet rays, and a portion not irradiated with ultraviolet rays and a portion irradiated with ultraviolet rays are I compared the difference in refractive index. The refractive index of the portion not irradiated with ultraviolet rays is 1.680. The refractive index of the portion irradiated with ultraviolet rays is 1.605. The difference in refractive index is 0.075. That is, the refractive index is lowered by irradiating with ultraviolet rays. Such a material is used.
なお、屈折率可変層24として、スチレン系重合体を用いることに限定されず、処理を加えることによって屈折率が大きく変化するような材料であれば、成膜量も少なくてよいので用いることが好ましい。また、樹脂材料に限定されず、無機材料などを用いるようにしてもよい。   The refractive index variable layer 24 is not limited to using a styrene-based polymer, and any material whose refractive index changes greatly by applying treatment can be used because the amount of film formation may be small. preferable. Further, the material is not limited to the resin material, and an inorganic material or the like may be used.
第1屈折率可変層24aの屈折率と、第2屈折率可変層24bの屈折率と、は異なっている。具体的には、第1領域の第1共振構造の第1光学的距離L1と、第2領域の第2共振構造の第2光学的距離L2とが等しくなるように、第1屈折率可変層24aの屈折率と、第2屈折率可変層24bの屈折率と、が定められている。   The refractive index of the first refractive index variable layer 24a is different from the refractive index of the second refractive index variable layer 24b. Specifically, the first refractive index variable layer so that the first optical distance L1 of the first resonance structure in the first region is equal to the second optical distance L2 of the second resonance structure in the second region. The refractive index of 24a and the refractive index of the second refractive index variable layer 24b are determined.
このように、第1領域と第2領域とにおいて屈折率が異なる屈折率可変層24が配置されているので、第1領域と比較して、第2領域の絶縁層22の膜厚分だけ厚みが異なった場合でも、第1領域の第1光学的距離L1と、第2領域の第2光学的距離L2と、を等しくすることができる。よって、例えば、微小なサイズの画素電極16を備えた有機発光装置100において、横方向(基板面と平行な方向)のキャリアの移動により絶縁層22上の有機機能層19(第2領域)が発光したとしても、その光は、絶縁層22上にない有機機能層19、すなわち、第1領域の有機機能層19から発せられた光と同様の共振を生じる。その結果、横方向へのキャリア移動に起因する、意図しない波長の発光を抑えることができる。   As described above, since the refractive index variable layer 24 having a different refractive index is disposed in the first region and the second region, the thickness is equal to the thickness of the insulating layer 22 in the second region compared to the first region. Even if they are different, the first optical distance L1 of the first region and the second optical distance L2 of the second region can be made equal. Therefore, for example, in the organic light emitting device 100 including the pixel electrode 16 with a small size, the organic functional layer 19 (second region) on the insulating layer 22 is moved by the movement of carriers in the lateral direction (direction parallel to the substrate surface). Even if the light is emitted, the light causes resonance similar to light emitted from the organic functional layer 19 that is not on the insulating layer 22, that is, the organic functional layer 19 in the first region. As a result, it is possible to suppress light emission of an unintended wavelength caused by carrier movement in the lateral direction.
第1屈折率可変層24a及び第2屈折率可変層24bの厚みは、例えば、100nmである。なお、第2屈折率可変層24bに紫外線を照射することにより、第1屈折率可変層24aの屈折率より、第2屈折率可変層24bの屈折率を低下させている。具体的な膜厚(100nm)の計算方法は後述する。   The thicknesses of the first refractive index variable layer 24a and the second refractive index variable layer 24b are, for example, 100 nm. Note that, by irradiating the second refractive index variable layer 24b with ultraviolet rays, the refractive index of the second refractive index variable layer 24b is made lower than the refractive index of the first refractive index variable layer 24a. A specific method for calculating the film thickness (100 nm) will be described later.
このようなデバイス層12の表面上には、サブ画素3R,3G,3Bごとに膜厚の異なる画素電極16R,16G,16Bが形成されている。この画素電極16R,16G,16BはITOなどの透明電極膜からなる。   On the surface of the device layer 12, pixel electrodes 16R, 16G, and 16B having different thicknesses are formed for the sub-pixels 3R, 3G, and 3B. The pixel electrodes 16R, 16G, and 16B are made of a transparent electrode film such as ITO.
各画素電極16R,16G,16Bにおける膜厚Tr,Tg,Tbの関係は、膜厚Tb<膜厚Tg<膜厚Trとなっている。具体的に、サブ画素3Rに対応する画素電極16Rの膜厚Trは100nm、サブ画素3Gに対応する画素電極16Gの膜厚Tgは60nm、サブ画素3Bに対応する画素電極16Bの膜厚Tbは20nmである。なお、平面視矩形状を呈する画素電極16R,16G,16Bの大きさ(表面積)は互いに等しい。   The relationship between the film thicknesses Tr, Tg, and Tb in the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B is as follows: film thickness Tb <film thickness Tg <film thickness Tr. Specifically, the film thickness Tr of the pixel electrode 16R corresponding to the sub-pixel 3R is 100 nm, the film thickness Tg of the pixel electrode 16G corresponding to the sub-pixel 3G is 60 nm, and the film thickness Tb of the pixel electrode 16B corresponding to the sub-pixel 3B is 20 nm. Note that the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B having a rectangular shape in plan view have the same size (surface area).
ここで、デバイス層12の表面12aと各画素電極16R,16G,16Bの表面161との間には、画素電極16R,16G,16Bの膜厚に応じた段差が生じることになる。この段差を覆うとともに、画素電極16R,16G,16Bの対向電極18側の表面161の一部を露出させる開口22Aを有する絶縁層22が設けられている。   Here, a step corresponding to the film thickness of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B is generated between the surface 12a of the device layer 12 and the surface 161 of each of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B. An insulating layer 22 is provided that covers the step and has an opening 22A that exposes part of the surface 161 of the pixel electrode 16R, 16G, 16B on the counter electrode 18 side.
絶縁層22は、デバイス層12の表面12a(露出した部分)を覆うとともに表面12aから画素電極16R,16G,16Bの各表面161上に一部乗り上げるようにして形成され、画素電極16R,16G,16Bの周縁部163を覆っている。   The insulating layer 22 is formed so as to cover the surface 12a (exposed portion) of the device layer 12 and partially run on the surface 161 of each of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B from the surface 12a. The peripheral edge 163 of 16B is covered.
隣り合う画素電極16R,16G,16Bどうしの膜厚は異なるものの、隣り合うサブ画素3R,3G,3B間に形成される絶縁層22の厚さは一定とされ、本実施形態における絶縁層22の膜厚は20nmである。なお、これに限定されることなく、絶縁層22の膜厚は、1nm以上20nm以下の範囲内で設定される。   Although the adjacent pixel electrodes 16R, 16G, and 16B have different film thicknesses, the thickness of the insulating layer 22 formed between the adjacent sub-pixels 3R, 3G, and 3B is constant. The film thickness is 20 nm. Without being limited thereto, the thickness of the insulating layer 22 is set within a range of 1 nm to 20 nm.
また、絶縁層22は、画素電極16R,16G,16Bの周縁部163(第2部分A2)を覆うようにして形成されるとともに、画素電極16R,16G,16Bの各表面161の中央部162(第1部分A1)を部分的に露出させる開口22Aを有している。絶縁層22のうち、平面視において画素電極16R,16G,16Bの周縁部163と重なる重畳部220は、画素電極16R,16G,16Bのエッジ部分を確実に被覆可能な膜厚を有する。絶縁層22は無機材料を用いて形成され、例えばSiO2,SiN,SiONのいずれかからなる。 The insulating layer 22 is formed so as to cover the peripheral edge portion 163 (second portion A2) of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B, and at the center portion 162 ( It has an opening 22A that partially exposes the first portion A1). Of the insulating layer 22, the overlapping portion 220 that overlaps with the peripheral edge portion 163 of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B in a plan view has a film thickness that can reliably cover the edge portions of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B. The insulating layer 22 is formed using an inorganic material, and is made of, for example, any one of SiO 2 , SiN, and SiON.
屈折率可変層24の厚みは、上記したように、例えば、100nmである。100nmに設定する計算方法を、以下に説明する。   The thickness of the refractive index variable layer 24 is, for example, 100 nm as described above. A calculation method for setting to 100 nm will be described below.
第1領域と第2領域とは、画素電極16の周縁部163(第2部分A2)を覆う絶縁層22の厚み分が異なる。絶縁層22の厚みを、例えば、5nmとする。よって、5nm増えた分、屈折率を下げる必要がある。   The first region and the second region differ in the thickness of the insulating layer 22 that covers the peripheral portion 163 (second portion A2) of the pixel electrode 16. The thickness of the insulating layer 22 is 5 nm, for example. Therefore, it is necessary to lower the refractive index by the amount increased by 5 nm.
絶縁層22の材質は、酸化シリコン(SiO2)である。酸化シリコンの屈折率を、例えば、1.5とする。絶縁層22の光路長は、1.5(n)×5nm(d)=7.5(nd)である。つまり、光路長を7.5減らすように屈折率を求めればよい。 The material of the insulating layer 22 is silicon oxide (SiO 2 ). The refractive index of silicon oxide is, for example, 1.5. The optical path length of the insulating layer 22 is 1.5 (n) × 5 nm (d) = 7.5 (nd). That is, the refractive index may be obtained so as to reduce the optical path length by 7.5.
第1屈折率可変層24aの光学的距離は、スチレン系重合体の屈折率が1.680であり、厚みを100nmとするので、1.680(n)×100nm(d)=168.0(nd)となる。   The optical distance of the first refractive index variable layer 24a is 1.680 (n) × 100 nm (d) = 168.0 (since the refractive index of the styrene polymer is 1.680 and the thickness is 100 nm. nd).
一方、第2屈折率可変層24bの光学的距離は、スチレン系重合体に紫外線を照射した後の屈折率が1.605であり、厚みを100nmとするので、1.605(n)×100nm(d)=160.5(nd)となる。   On the other hand, the optical distance of the second refractive index variable layer 24b is 1.605 (n) × 100 nm because the refractive index after the styrene polymer is irradiated with ultraviolet rays is 1.605 and the thickness is 100 nm. (D) = 160.5 (nd).
第1屈折率可変層24aの光学的距離(168.0(nd))から第2屈折率可変層24bの光学的距離(160.5(nd))を引くと、7.5(nd)となる。つまり、絶縁層22の膜厚分だけ厚くなった第2屈折率可変層24bの光学的距離を7.5(nd)減らすことができる。   When the optical distance (160.5 (nd)) of the second refractive index variable layer 24b is subtracted from the optical distance (168.0 (nd)) of the first refractive index variable layer 24a, 7.5 (nd) is obtained. Become. That is, it is possible to reduce the optical distance of the second refractive index variable layer 24b, which is thickened by the thickness of the insulating layer 22, by 7.5 (nd).
なお、屈折率可変層24は、第1光学的距離L1と第2光学的距離L2との関係が、
第1光学的距離L1=第2光学的距離L2±5(nm)
の範囲内となるように、第1屈折率可変層24aおよび第2屈折率可変層24bの屈折率を調整する。
The refractive index variable layer 24 has a relationship between the first optical distance L1 and the second optical distance L2.
First optical distance L1 = second optical distance L2 ± 5 (nm)
The refractive indexes of the first refractive index variable layer 24a and the second refractive index variable layer 24b are adjusted so as to be within the range of.
よって、第1領域の第1光学的距離L1と、第2領域の第2光学的距離L2と、を等しくすることができる。画素電極16の開口する部分から発光する発光色と、画素電極16の周縁部から発光する発光色と、を同じ色にすることができる。   Therefore, the first optical distance L1 of the first region and the second optical distance L2 of the second region can be made equal. The emission color emitted from the opening portion of the pixel electrode 16 and the emission color emitted from the peripheral portion of the pixel electrode 16 can be the same color.
言い換えれば、第1光学的距離L1と第2光学的距離L2とが等しくなるようにしており、画素電極16R,16G,16B上で発光している有機機能層19の発光スペクトルと、画素電極16R,16G,16Bからのリーク電流によって絶縁層22上の有機機能層19の一部も発光した場合の発光スペクトルとを同じにすることができる。これにより、マイクロオーダーの画素電極16R,16G,16Bを形成した際に、横方向のキャリアの移動によって絶縁層22上の有機機能層19が発光した場合において、その光をディスプレイの発光として使用することができる。   In other words, the first optical distance L1 and the second optical distance L2 are made equal, and the emission spectrum of the organic functional layer 19 that emits light on the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B, and the pixel electrode 16R. , 16G, and 16B can have the same emission spectrum when a part of the organic functional layer 19 on the insulating layer 22 also emits light due to the leakage currents. As a result, when the organic functional layer 19 on the insulating layer 22 emits light due to the movement of carriers in the horizontal direction when the micro-order pixel electrodes 16R, 16G, and 16B are formed, the light is used as light emission of the display. be able to.
このような絶縁層22と、その各開口22Aから露出する画素電極16R,16G,16Bの表面161と、を覆うようにして有機機能層19が形成されている。   An organic functional layer 19 is formed so as to cover the insulating layer 22 and the surface 161 of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B exposed from the openings 22A.
上記した構成において、画素電極16R,16G,16Bと駆動回路8とをコンタクトさせるための接続領域には反射層14を形成することができないため共振構造とすることができない。そのため、この接続領域上に存在する有機機能層19の一部が発光しないように絶縁層22でカバーする。   In the above configuration, since the reflective layer 14 cannot be formed in the connection region for contacting the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B and the drive circuit 8, a resonance structure cannot be obtained. Therefore, the insulating layer 22 covers the organic functional layer 19 on the connection region so that a part of the organic functional layer 19 does not emit light.
有機機能層19は、有機発光層を含む1層以上の有機層からなり、例えば、画素電極16R,16G,16B側から、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、赤色発光層(R−EML)、キャリア輸送層(CTL)、青色発光層(B−EML)、緑色発光層(G−EML)、電子注入層(EIL)が順に積層されてなり、発光領域から白色光を射出するように構成されている。積層された複数の機能層の層厚は、RGBの各サブ画素3R,3G,3Bにおいて同じ厚さである。本実施形態では、有機機能層19の総膜厚が100nmとなっている。   The organic functional layer 19 includes one or more organic layers including an organic light emitting layer. For example, from the pixel electrode 16R, 16G, 16B side, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), red light emission. A layer (R-EML), a carrier transport layer (CTL), a blue light emitting layer (B-EML), a green light emitting layer (G-EML), and an electron injection layer (EIL) are laminated in order, and the white light is emitted from the light emitting region. Is configured to inject. The layer thicknesses of the plurality of stacked functional layers are the same in the RGB sub-pixels 3R, 3G, and 3B. In the present embodiment, the total thickness of the organic functional layer 19 is 100 nm.
なお、有機機能層19を構成する各機能層はこれに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが同一層とされた構成や、有機機能層19の全ての機能層を兼ねた構成など、他の構成であっても良い。   In addition, each functional layer which comprises the organic functional layer 19 is not limited to this, The structure which the hole injection layer and the hole transport layer were made into the same layer, and all the functional layers of the organic functional layer 19 were combined. Other configurations such as a configuration may be used.
対向電極18は、半透過半反射性を有し、複数のサブ画素3R,3G,3Bに共通して形成されている。すなわち、少なくとも表示領域4全体を覆って形成されている。上記した画素電極16は、導電性を有するとともに光透過性を有する材料で形成されているが、光路中に存在する対向電極18は、例えば光が透過する程度に薄く形成された金属材料や、光透過性と光反射性とを両方備えた材料(半透過半反射性を有する材料)で形成されている。   The counter electrode 18 has transflective properties and is formed in common to the plurality of sub-pixels 3R, 3G, and 3B. That is, it is formed so as to cover at least the entire display region 4. The above-described pixel electrode 16 is formed of a material having conductivity and light transmission, but the counter electrode 18 existing in the optical path is formed of, for example, a metal material thin enough to transmit light, It is made of a material having both light transmittance and light reflectivity (a material having transflective and semi-reflective properties).
なお、本明細書で言う「半透過半反射性」は、光透過性と光反射性の両方を備えていることを意味するのであり、透過光と反射光の割合が半分ずつであることを意味するのではない。これにより、反射層14において反射された光は画素電極16を透過して対向電極18へと入射し、その一部が画素電極16側へ反射され、再び反射層14で反射されることになる。   In this specification, “semi-transmissive / semi-reflective” means that both light transmissive and light reflective are provided, and that the ratio of transmitted light and reflected light is half each. It doesn't mean. As a result, the light reflected by the reflective layer 14 passes through the pixel electrode 16 and enters the counter electrode 18, and a part of the light is reflected toward the pixel electrode 16 and is reflected by the reflective layer 14 again. .
この結果、反射層14と対向電極18との間の光路長(第1光学的距離:L1(r),L1(g),L1(b))に応じた波長を有するRGB光が反射層14と対向電極18との間で共振し、この共振した光が対向電極18側から射出されることになる。本実施形態の対向電極18は、マグネシウムと銀の共蒸着薄膜により、膜厚10〜15nmで構成されている。   As a result, RGB light having a wavelength corresponding to the optical path length (first optical distance: L1 (r), L1 (g), L1 (b)) between the reflective layer 14 and the counter electrode 18 is reflected by the reflective layer 14. And the counter electrode 18, and the resonated light is emitted from the counter electrode 18 side. The counter electrode 18 of the present embodiment is configured with a film thickness of 10 to 15 nm by a co-deposited thin film of magnesium and silver.
アクティブマトリクス基板10上に対向配置されるカラーフィルター基板20は、ガラス基板などの透明基板20A上に遮光膜21によって区画された赤色の光を透過するRフィルター2R、緑色の光を透過するGフィルター2G、青色の光を透過するBフィルター2Bが各色に対応するサブ画素3R,3G,3Bの配列に合わせて形成されたものである。各フィルター2R,2G,2Bは、各サブ画素3R,3G,3Bの発光領域と重なるように配置されている。各フィルター2R,2G,2Bは、平面視で第1部分A1および第2部分A2と重なるように設けられている。   The color filter substrate 20 disposed opposite to the active matrix substrate 10 includes an R filter 2R that transmits red light and a G filter that transmits green light, which are partitioned by a light shielding film 21 on a transparent substrate 20A such as a glass substrate. A B filter 2B that transmits 2G and blue light is formed in accordance with the arrangement of sub-pixels 3R, 3G, and 3B corresponding to each color. The filters 2R, 2G, and 2B are arranged so as to overlap the light emitting areas of the sub-pixels 3R, 3G, and 3B. Each filter 2R, 2G, 2B is provided so as to overlap the first portion A1 and the second portion A2 in plan view.
そして、サブ画素3R,3G,3Bの各発光領域から射出された各発光は、各フィルター2R,2G,2Bによってそれぞれさらに最適化されたR光,G光,B光に変換される。よって、各発光領域の波長に応じた色の光が各フィルター2R,2G,2Bから射出されることによって、それぞれ各サブ画素3R,3G,3Bを形成してカラー画像が表示される。   The light emitted from the light emitting regions of the sub-pixels 3R, 3G, and 3B is converted into R light, G light, and B light that are further optimized by the filters 2R, 2G, and 2B, respectively. Therefore, when light of a color corresponding to the wavelength of each light emitting region is emitted from each filter 2R, 2G, 2B, each sub pixel 3R, 3G, 3B is formed, and a color image is displayed.
本実施形態の有機発光装置100において、複数の波長の光が合成されて白色の光を発する有機機能層19が形成される基板10A側には、光の三原色であるR,G,Bに対応する各サブ画素3R,3G,3B内にそれぞれ膜厚の異なる画素電極16R,16G,16Bが形成されている。このように、サブ画素3R,3G,3Bごとに膜厚の異なる画素電極16R,16G,16Bを形成することで、反射層14と対向電極18との間にそれぞれ異なる光共振器構造を形成することができる。   In the organic light emitting device 100 of the present embodiment, the substrate 10A side on which the organic functional layer 19 that emits white light by combining light of a plurality of wavelengths is formed corresponds to the three primary colors R, G, and B. Pixel electrodes 16R, 16G, and 16B having different film thicknesses are formed in the sub-pixels 3R, 3G, and 3B. Thus, by forming the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B having different thicknesses for the sub-pixels 3R, 3G, and 3B, different optical resonator structures are formed between the reflective layer 14 and the counter electrode 18, respectively. be able to.
これにより、第1部分A1における反射層14と対向電極18との間の第1光学的距離L1(r)、L1(g)、L1(b)に対応して、それぞれ赤、緑、青に対応する波長の光が反射層14と対向電極18との間で共振し、この共振した光が半透過半反射性を有する対向電極18側から射出されることになる。このようにして、白色の光を発する有機機能層19からRGBに対応した3種類の異なる発光スペクトルが得られる構成になっている。   As a result, corresponding to the first optical distances L1 (r), L1 (g), and L1 (b) between the reflective layer 14 and the counter electrode 18 in the first portion A1, red, green, and blue respectively. Corresponding wavelength light resonates between the reflective layer 14 and the counter electrode 18, and the resonated light is emitted from the counter electrode 18 side having transflective properties. In this way, three different emission spectra corresponding to RGB are obtained from the organic functional layer 19 that emits white light.
本実施形態では、サブ画素3R,3G,3Bごとに膜厚の異なる画素電極16R,16G,16Bを有し、これら画素電極16R,16G,16Bの各表面161とデバイス層12の表面12aとの間には、画素電極16R,16G,16Bの膜厚に応じた段差が生じる。このような段差が存在している基板10A上に一様に有機機能層19を成膜した場合、上記段差が陰となってその部分の有機機能層19の膜厚が他の部分に比べて薄い膜厚になってしまう場合がある。   In the present embodiment, the sub-pixels 3R, 3G, and 3B have pixel electrodes 16R, 16G, and 16B having different film thicknesses, and the surface 161 of each of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B and the surface 12a of the device layer 12 are provided. In the meantime, steps corresponding to the film thicknesses of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B are generated. When the organic functional layer 19 is uniformly formed on the substrate 10A where such a step exists, the thickness of the organic functional layer 19 in that portion is less than that in the other portion due to the step. There may be a thin film thickness.
この場合、画素電極16と対向電極18との間に電界をかけた際に有機機能層19の膜厚の薄い部分に優先的に電流が流れる。これが所謂リーク成分になって表示に必要な発光に寄与しない電流になるため、電流効率が低下する。このリーク電流(リーク成分)は、特に画素電極16R,16G,16Bと対向電極18との間に低電圧を印加した際に生じやすい。   In this case, when an electric field is applied between the pixel electrode 16 and the counter electrode 18, current flows preferentially through the thin portion of the organic functional layer 19. Since this becomes a so-called leak component and becomes a current that does not contribute to light emission necessary for display, current efficiency is lowered. This leakage current (leak component) tends to occur particularly when a low voltage is applied between the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B and the counter electrode 18.
さらに、サブ画素3R,3G,3Bには、各画素電極16R,16G,16Bと、駆動回路8(駆動トランジスター123)とを接続させるためのコンタクトホールHが形成されている。ところが、このようなコンタクトホールHに対応する領域には反射層14を形成することができないため、共振器構造を形成することができない。   Further, in the sub-pixels 3R, 3G, and 3B, contact holes H for connecting the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B and the drive circuit 8 (drive transistor 123) are formed. However, since the reflective layer 14 cannot be formed in a region corresponding to such a contact hole H, a resonator structure cannot be formed.
そのため、画素電極16R,16G,16Bの周縁部分に形成される段差とコンタクトホールHとを覆うようにして絶縁層22を形成する。絶縁層22が少なくとも画素電極16R,16G,16Bの端部を覆うことで、段差の影響が緩和される。これによって有機機能層19と画素電極16R,16G,16Bとが接する部分が平坦になるので、有機機能層19のうち膜厚が薄くなった部分に優先的に電流が流れることが防止されるため、電流効率を高めることができる。   Therefore, the insulating layer 22 is formed so as to cover the step formed on the peripheral portion of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B and the contact hole H. Since the insulating layer 22 covers at least the ends of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B, the influence of the step is mitigated. As a result, the portions where the organic functional layer 19 and the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B are in contact with each other are flattened, so that current is prevented from preferentially flowing through the thinned portion of the organic functional layer 19. , Current efficiency can be increased.
ただし、上述したように画素電極16R,16G,16Bの周縁部分に生じる段差を覆うように絶縁層22を設けた場合、絶縁層22の開口22A側にも、画素電極16R,16G,16Bと絶縁層22との間に、絶縁層22の膜厚に応じた段差が形成されてしまう。そのため、このような段差が存在している状態で一様に有機機能層19を成膜した場合、上記段差が陰となってその部分の有機機能層19の膜厚が他の部分に比べて薄い膜厚になってしまう。   However, as described above, when the insulating layer 22 is provided so as to cover the steps generated at the peripheral portions of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B, the insulating layer 22 is also insulated from the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B on the opening 22A side. A step corresponding to the thickness of the insulating layer 22 is formed between the layer 22 and the layer 22. Therefore, when the organic functional layer 19 is uniformly formed in a state where such a level difference exists, the thickness of the organic functional layer 19 in that part is less than that in the other part due to the above level difference. It becomes a thin film thickness.
この問題は、通常の大きさのディスプレイに比べて画素ピッチ(サブ画素間距離、表示単位画素間距離)の狭いマイクロディスプレイにおいて特に顕著になる。この場合も、上記したように薄膜化した有機機能層19の一部に優先的に電流が流れて絶縁層22上の有機機能層19が発光してしまうという問題が生じる。   This problem is particularly noticeable in a micro display having a smaller pixel pitch (distance between sub-pixels, distance between display unit pixels) than a normal size display. Also in this case, there arises a problem that current flows preferentially through a part of the organic functional layer 19 that has been thinned as described above, and the organic functional layer 19 on the insulating layer 22 emits light.
従来のように画素ごとに反射層14が設けられた共振器構造の場合、絶縁層22上の有機機能層19から射出された発光は、その上に形成される対向電極18と反射層14との間の距離(光路長)が他の部分と異なり、意図しないスペクトルの光がサブ画素3R,3G,3Bの周辺で射出されて純粋な色の光が得られない。通常の大きさのディスプレイに比べてサブ画素の面積が小さいマイクロディスプレイは、上記のようなサブ画素の周縁で射出される本来意図した発光とは異なる色の発光が、サブ画素全体から射出される発光で占める割合が大きい。これが色ずれの原因となる。   In the case of a resonator structure in which a reflective layer 14 is provided for each pixel as in the prior art, light emitted from the organic functional layer 19 on the insulating layer 22 is emitted from the counter electrode 18 and the reflective layer 14 formed thereon. Unlike the other portions, the distance (optical path length) between them is unintentional spectrum light is emitted around the sub-pixels 3R, 3G and 3B, and pure color light cannot be obtained. A micro display having a sub-pixel area smaller than a normal size display emits light of a different color from the originally intended light emitted from the periphery of the sub-pixel as described above. A large proportion of light emission. This causes color misregistration.
このため、本実施形態では、画素電極16B,16G,16Bから横方向へキャリアが流れて絶縁層22上の有機機能層19が発光した場合でも、その場合の発光スペクトルが、画素電極16B,16G,16B上で発光している有機機能層19の発光スペクトルと同等になるように、画素電極16B,16G,16Bのうち、絶縁層22の開口22Aから露出している部分と、絶縁層22によって覆われている部分との光路長(光学的距離)を等しくする構成とした。   For this reason, in this embodiment, even when carriers flow from the pixel electrodes 16B, 16G, and 16B in the horizontal direction and the organic functional layer 19 on the insulating layer 22 emits light, the emission spectrum in that case has the pixel electrodes 16B, 16G. , 16B, the portion of the pixel electrodes 16B, 16G, 16B exposed from the opening 22A of the insulating layer 22 and the insulating layer 22 so as to be equivalent to the emission spectrum of the organic functional layer 19 emitting light on the insulating layer 22. The optical path length (optical distance) with the covered part was made equal.
図5は、画素電極の第1領域および第2領域に対応する各部分おける光路長(光学的距離)を、それぞれ説明するための図である。   FIG. 5 is a diagram for explaining the optical path length (optical distance) in each portion corresponding to the first region and the second region of the pixel electrode.
図5に示すように、本実施形態では、反射層14の上に、画素電極16R,16G,16Bの第1領域(開口する部分)と重なる部分に形成された第1屈折率可変層24a、及び画素電極16R,16G,16Bの第2領域(開口していない部分:周縁部)に形成された第2屈折率可変層24b、を有する屈折率可変層24を配置した。   As shown in FIG. 5, in this embodiment, the first refractive index variable layer 24a formed on the reflective layer 14 in a portion overlapping the first region (opening portion) of the pixel electrodes 16R, 16G, and 16B. And the refractive index variable layer 24 which has the 2nd refractive index variable layer 24b formed in the 2nd area | region (part which is not opened: peripheral part) of pixel electrode 16R, 16G, 16B was arrange | positioned.
このような屈折率可変層24を備えた構成とすることにより、第1領域の第1共振構造の第1光学的距離L1と、第2領域の第2共振構造の第2光学的距離L2とを等しくすることができる。具体的には、第1屈折率可変層24aと第2屈折率可変層24bとの屈折率を異ならせることによって、光学的距離L1,L2が決定される。   With such a configuration including the refractive index variable layer 24, the first optical distance L1 of the first resonance structure in the first region and the second optical distance L2 of the second resonance structure in the second region Can be made equal. Specifically, the optical distances L1 and L2 are determined by making the refractive indexes of the first refractive index variable layer 24a and the second refractive index variable layer 24b different.
第1部分A1に対応する積層構造は、基板10A側から順に、反射層14、第1屈折率可変層24a、画素電極16(第1部分A1)、有機機能層19および対向電極18が積層されている。そして、反射層14の表面(対向電極18に対向する面)から対向電極18の裏面(画素電極16に対向する面)までの距離を第1光学的距離L1としている。反射層14と対向電極18とで構成される共振構造は、特許請求の範囲における「第1共振構造」に対応する。   In the laminated structure corresponding to the first portion A1, the reflective layer 14, the first refractive index variable layer 24a, the pixel electrode 16 (first portion A1), the organic functional layer 19 and the counter electrode 18 are laminated in order from the substrate 10A side. ing. The distance from the surface of the reflective layer 14 (the surface facing the counter electrode 18) to the back surface of the counter electrode 18 (the surface facing the pixel electrode 16) is defined as a first optical distance L1. The resonance structure composed of the reflective layer 14 and the counter electrode 18 corresponds to the “first resonance structure” in the claims.
また、第2部分A2に対応する積層構造は、基板10Aから順に、反射層14、第2屈折率可変層24b、画素電極16(第2部分A2)、絶縁層22、有機機能層19および対向電極18が形成されている。そして、反射層14の表面(対向電極18に対向する面)から対向電極18の裏面(画素電極16に対向する面)までの距離を第2光学的距離L2としている。反射層14と対向電極18とで構成される共振構造は、特許請求の範囲における「第2共振構造」に対応する。   Further, the laminated structure corresponding to the second portion A2 includes, in order from the substrate 10A, the reflective layer 14, the second refractive index variable layer 24b, the pixel electrode 16 (second portion A2), the insulating layer 22, the organic functional layer 19, and the counter layer. An electrode 18 is formed. The distance from the surface of the reflective layer 14 (the surface facing the counter electrode 18) to the back surface of the counter electrode 18 (the surface facing the pixel electrode 16) is defined as a second optical distance L2. The resonance structure composed of the reflective layer 14 and the counter electrode 18 corresponds to the “second resonance structure” in the claims.
第1屈折率可変層24a及び第2屈折率可変層24bは、第1光学的距離L1と第2光学的距離L2との関係が、
第1光学的距離L1=第2光学的距離L2±5(nm)
の範囲内となるように、屈折率nが調整される。ここでいう、光学的距離Lとは、L=n(屈折率)×d(厚み)で定義される。
The first refractive index variable layer 24a and the second refractive index variable layer 24b have a relationship between the first optical distance L1 and the second optical distance L2.
First optical distance L1 = second optical distance L2 ± 5 (nm)
The refractive index n is adjusted so as to be within the range of. Here, the optical distance L is defined by L = n (refractive index) × d (thickness).
第1光学的距離L1は、第1屈折率可変層24a、画素電極16、および有機機能層19における各層の厚さdと屈折率nとの積の和から得られる。第2光学的距離L2は、第2屈折率可変層24b、画素電極16、絶縁層22、および有機機能層19における各層の厚さdと屈折率nとの積の和から得られる。   The first optical distance L1 is obtained from the sum of the products of the thickness d and the refractive index n of each layer in the first refractive index variable layer 24a, the pixel electrode 16, and the organic functional layer 19. The second optical distance L2 is obtained from the sum of the products of the thickness d and the refractive index n of each layer in the second refractive index variable layer 24b, the pixel electrode 16, the insulating layer 22, and the organic functional layer 19.
上述したように、屈折率可変層24(第1屈折率可変層24a、第2屈折率可変層24b)を設けることで、第1光学的距離L1と第2光学的距離L2とが等しくなるようにしてあるので、画素電極16R,16G,16B上で発光している有機機能層19の発光スペクトルと、画素電極16R,16G,16Bからのリーク電流によって絶縁層22上の有機機能層19の一部も発光した場合の発光スペクトルとを同じにすることができる。これにより、マイクロオーダーの画素電極16R,16G,16Bを形成した際に、横方向のキャリアの移動によって絶縁層22上の有機機能層19が発光した場合において、その光をディスプレイの発光として使用することができる。   As described above, by providing the refractive index variable layer 24 (the first refractive index variable layer 24a and the second refractive index variable layer 24b), the first optical distance L1 and the second optical distance L2 are made equal. Therefore, the emission spectrum of the organic functional layer 19 emitting light on the pixel electrodes 16R, 16G, 16B and the leakage current from the pixel electrodes 16R, 16G, 16B The emission spectrum when the part also emits light can be made the same. As a result, when the organic functional layer 19 on the insulating layer 22 emits light due to the movement of carriers in the horizontal direction when the micro-order pixel electrodes 16R, 16G, and 16B are formed, the light is used as light emission of the display. be able to.
また、本実施形態の構成によれば、屈折率可変層24に紫外線を照射することによって、第1光学的距離L1と第2光学的距離L2とを調整できる。そのため、反射層14を異なる層にパターニングして配置するような場合と比較して、製造工程を簡単にすることが可能となり、かかるコストを抑えることができる。   Further, according to the configuration of the present embodiment, the first optical distance L1 and the second optical distance L2 can be adjusted by irradiating the refractive index variable layer 24 with ultraviolet rays. Therefore, compared with the case where the reflective layer 14 is patterned and arranged in a different layer, the manufacturing process can be simplified and the cost can be suppressed.
<有機発光装置の製造方法>
図6は、発光装置の製造方法のうち一部の製造方法を工程順に示す概略断面図である。なお、図6では、駆動回路8から平坦化層45までの図示を省略し、基板10A上に反射層14が設けられているものとする。
<Method for manufacturing organic light-emitting device>
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a part of the manufacturing method of the light emitting device in the order of steps. In FIG. 6, the illustration from the drive circuit 8 to the planarization layer 45 is omitted, and the reflection layer 14 is provided on the substrate 10A.
図6(a)に示す工程では、基板10A上に、反射層14及び屈折率可変層24を形成する。具体的には、まず、基板10A上に反射層14を成膜する。反射層14は、上記したように、例えば、アルミニウムなどである。反射層14の製造方法としては、例えば、CVD法などを挙げることができる。   In the step shown in FIG. 6A, the reflective layer 14 and the refractive index variable layer 24 are formed on the substrate 10A. Specifically, first, the reflective layer 14 is formed on the substrate 10A. As described above, the reflective layer 14 is, for example, aluminum. Examples of the method for producing the reflective layer 14 include a CVD method.
次に、反射層14の上に屈折率可変層24を形成する。具体的には、まず、反射層14の上に、屈折率可変層24の材料である、スチレン系重合体を形成する。スチレン系重合体の製造方法としては、例えば、スピンコート法を挙げることができる。屈折率可変層24の厚みは、例えば、100nmである。   Next, the refractive index variable layer 24 is formed on the reflective layer 14. Specifically, first, a styrene polymer that is a material of the refractive index variable layer 24 is formed on the reflective layer 14. Examples of the method for producing the styrene polymer include a spin coating method. The thickness of the refractive index variable layer 24 is, for example, 100 nm.
図6(b)に示す工程では、屈折率可変層24の第2領域に紫外線を照射する。具体的には、まず、画素電極16のうち第2領域に開口孔を有するレジストパターン51を形成する。その後、レジストパターン51をマスクとして、屈折率可変層24に紫外線(UV)を照射する。これにより、屈折率可変層24のうち第2領域に対応する領域に紫外線が照射される。   In the step shown in FIG. 6B, the second region of the refractive index variable layer 24 is irradiated with ultraviolet rays. Specifically, first, a resist pattern 51 having an opening hole in the second region of the pixel electrode 16 is formed. Thereafter, the refractive index variable layer 24 is irradiated with ultraviolet rays (UV) using the resist pattern 51 as a mask. Thereby, ultraviolet rays are irradiated to the region corresponding to the second region in the refractive index variable layer 24.
これにより、第1領域に対応する領域に紫外線が照射されていない第1屈折率可変層24aが形成され、第2領域に対応する領域に紫外線が照射された第2屈折率可変層24bが形成される。第1屈折率可変層24aの屈折率は、1.68である。第2屈折率可変層24bの屈折率は、1.605である。   As a result, the first refractive index variable layer 24a not irradiated with ultraviolet rays is formed in the region corresponding to the first region, and the second refractive index variable layer 24b irradiated with ultraviolet rays is formed in the region corresponding to the second region. Is done. The refractive index of the first refractive index variable layer 24a is 1.68. The refractive index of the second refractive index variable layer 24b is 1.605.
このように屈折率を設定することにより、第1領域の第1共振構造の第1光学的距離L1と、第2領域の第2共振構造の第2光学的距離L2と、を等しくすることができる。よって、画素電極16における第2部分A2に形成された重畳部220上の有機機能層19が発光したとしても、画素電極16上の有機機能層19の発光色と等しくすることができる。   By setting the refractive index in this way, the first optical distance L1 of the first resonance structure in the first region can be made equal to the second optical distance L2 of the second resonance structure in the second region. it can. Therefore, even if the organic functional layer 19 on the overlapping portion 220 formed in the second portion A2 of the pixel electrode 16 emits light, the emission color of the organic functional layer 19 on the pixel electrode 16 can be made equal.
図6(c)に示す工程では、屈折率可変層24の上に画素電極及び絶縁層22を形成する。具体的には、まず、屈折率可変層24の上に画素電極16をパターニングして形成する。画素電極16は、上記したように、ITOなどの透明導電膜である。画素電極16の製造方法としては、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いることにより形成することができる。   In the step shown in FIG. 6C, the pixel electrode and the insulating layer 22 are formed on the refractive index variable layer 24. Specifically, first, the pixel electrode 16 is formed by patterning on the refractive index variable layer 24. As described above, the pixel electrode 16 is a transparent conductive film such as ITO. As a manufacturing method of the pixel electrode 16, it can be formed by using a known film forming technique, photolithography technique, and etching technique.
その後、画素電極における開口領域が開口する絶縁層22を形成する。絶縁層22は、例えば、酸化シリコン(SiO2)である。絶縁層22の厚みは、例えば、5nmである。 Thereafter, an insulating layer 22 having an opening region in the pixel electrode is formed. The insulating layer 22 is, for example, silicon oxide (SiO 2 ). The insulating layer 22 has a thickness of 5 nm, for example.
図6(d)に示す工程では、画素電極16及び絶縁層22を覆うように有機機能層19、及び対向電極18を形成する。具体的には、まず、上記したように、白色光を射出することができるように、複数の発光層を含む有機層を形成する。その後、半透過半反射性を有する、例えば、マグネシウムと銀との共蒸着薄膜からなる対向電極18を形成する。   In the step shown in FIG. 6D, the organic functional layer 19 and the counter electrode 18 are formed so as to cover the pixel electrode 16 and the insulating layer 22. Specifically, first, as described above, an organic layer including a plurality of light emitting layers is formed so that white light can be emitted. Thereafter, the counter electrode 18 having a semi-transmissive and semi-reflective property, for example, made of a co-evaporated thin film of magnesium and silver is formed.
<電子機器>
次に、前記実施形態の有機発光装置を備えた電子機器の例について説明する。
<Electronic equipment>
Next, an example of an electronic apparatus provided with the organic light emitting device of the embodiment will be described.
図7(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図7(a)において、符号1000は携帯電話本体(電子機器)を示し、符号1001は有機発光装置を備えた表示部を示している。   FIG. 7A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 7A, reference numeral 1000 denotes a mobile phone main body (electronic device), and reference numeral 1001 denotes a display unit including an organic light emitting device.
図7(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図7(b)において、符号1100は時計本体(電子機器)を示し、符号1101は有機発光装置を備えた表示部を示している。   FIG. 7B is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 7B, reference numeral 1100 denotes a watch body (electronic device), and reference numeral 1101 denotes a display unit including an organic light emitting device.
図7(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図7(c)において、符号1200は情報処理装置(電子機器)、符号1202はキーボードなどの入力部、符号1204は情報処理本体、符号1206は有機発光装置を備えた表示部を示している。   FIG. 7C is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 7C, reference numeral 1200 denotes an information processing device (electronic device), reference numeral 1202 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 denotes an information processing body, and reference numeral 1206 denotes a display unit including an organic light emitting device.
図7(a)〜(c)に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機発光装置が備えられたものであるので、表示特性が良好な電子機器となる。   The electronic devices shown in FIGS. 7A to 7C are provided with the organic light-emitting device described in the previous embodiment, so that the electronic devices have good display characteristics.
なお、電子機器としては、上記以外にも、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネル、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)などを挙げることができる。   In addition to the above, the electronic devices include engineering workstations (EWS), pagers, TVs, viewfinder type or monitor direct view type video tape recorders, electronic notebooks, electronic desk calculators, car navigation devices, POS terminals, A touch panel, a head mounted display (HMD), etc. can be mentioned.
以上詳述したように、本実施形態の有機発光装置100によれば、以下に示す効果が得られる。   As described above in detail, according to the organic light emitting device 100 of the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1)本実施形態の有機発光装置100によれば、反射層14の上に、第1領域と第2領域とにおいて屈折率が異なる屈折率可変層24が配置されているので、第1領域と比較して、第2領域の絶縁層22の膜厚分だけ膜厚が異なった場合でも、第1領域の第1光学的距離L1と、第2領域の第2光学的距離L2と、を等しくすることができる。よって、例えば、微小なサイズの画素電極16を備えた有機発光装置100において、横方向(基板10A面と平行な方向)のキャリアの移動により絶縁層22上の有機機能層19(第2領域)が発光したとしても、その光は、絶縁層22上にない有機機能層19、すなわち、第1領域の有機機能層19から発せられた光と同様の共振を生じる。その結果、横方向へのキャリア移動に起因する、意図しない波長の発光を抑えることができる。また、第1屈折率可変層24aと第2屈折率可変層24bとを紫外線の照射の有無で屈折率が異なるように形成できるので、比較的簡単に製造することが可能となり、かかるコストを抑えることができる。   (1) According to the organic light emitting device 100 of the present embodiment, since the refractive index variable layer 24 having different refractive indexes in the first region and the second region is disposed on the reflective layer 14, the first region Even if the film thickness differs by the film thickness of the insulating layer 22 in the second region, the first optical distance L1 in the first region and the second optical distance L2 in the second region are Can be equal. Therefore, for example, in the organic light emitting device 100 including the pixel electrode 16 having a minute size, the organic functional layer 19 (second region) on the insulating layer 22 by the movement of the carrier in the lateral direction (direction parallel to the surface of the substrate 10A). Even if light is emitted, the light resonates in the same manner as light emitted from the organic functional layer 19 that is not on the insulating layer 22, that is, the organic functional layer 19 in the first region. As a result, it is possible to suppress light emission of an unintended wavelength caused by carrier movement in the lateral direction. In addition, since the first refractive index variable layer 24a and the second refractive index variable layer 24b can be formed so as to have different refractive indexes depending on whether or not the ultraviolet rays are irradiated, it is possible to manufacture relatively easily and reduce the cost. be able to.
また、第1領域の第1光学的距離L1と第2領域の第2光学的距離L2とを等しくすることにより、第1領域での発光スペクトルと、第2領域での発光スペクトルと、を等しくすることができる。これにより、第2領域の有機機能層19が発光した場合においても、その光の色を第1領域の有機機能層19からの光の色と合わせることができる。その結果、色純度の低下や色ずれの虞の少ない有機発光装置100を提供することができる。   In addition, by making the first optical distance L1 of the first region equal to the second optical distance L2 of the second region, the emission spectrum in the first region and the emission spectrum in the second region are equal. can do. Thereby, even when the organic functional layer 19 in the second region emits light, the color of the light can be matched with the color of the light from the organic functional layer 19 in the first region. As a result, it is possible to provide the organic light emitting device 100 with less risk of color purity degradation and color misregistration.
(2)本実施形態の電子機器によれば、上記の有機発光装置100を備えているので、表示品位に優れた表示部を備えた電子機器を提供することができる。   (2) According to the electronic device of the present embodiment, since the organic light emitting device 100 is provided, an electronic device including a display unit with excellent display quality can be provided.
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   As described above, the preferred embodiments according to the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the examples. It is obvious for those skilled in the art that various changes or modifications can be conceived within the scope of the technical idea described in the claims. It is understood that it belongs to.
上記実施形態によれば、第1部分A1のみにおける発光スペクトルと、第1部分A1および第2部分A2における発光スペクトルを等しくすることができるので、例えば、カラーフィルター基板20の各フィルター2R,2G,2Bの表面積は、必ずしも絶縁層22の開口22Aの開口面積に等しくなくてもよく、開口面積よりも若干大きく設定してもよい。   According to the above embodiment, the emission spectrum of only the first part A1 and the emission spectrum of the first part A1 and the second part A2 can be made equal. For example, each filter 2R, 2G, The surface area of 2B does not necessarily have to be equal to the opening area of the opening 22A of the insulating layer 22, and may be set slightly larger than the opening area.
上記したように、絶縁層22の屈折率を各色1.5に統一して計算することに限定されず、屈折率も波長依存性を有することから、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のそれぞれの周辺で屈折率を異ならせて計算することが好ましい。   As described above, the calculation is not limited to the calculation of the refractive index of the insulating layer 22 for each color of 1.5, and the refractive index also has wavelength dependence. Therefore, red (R), green (G), blue It is preferable to calculate with different refractive indexes around each of (B).
A1…第1部分、A2…第2部分、3…表示単位画素、3B,3G,3R…サブ画素、4…表示領域、7…有機EL素子、8…駆動回路、10…アクティブマトリクス基板、10A…基板、12…デバイス層、12a…表面、13…光路長調整層、14…反射層、16,16B,16G,16R…第1電極としての画素電極、18…第2電極としての対向電極、19…有機発光層としての有機機能層、20…カラーフィルター基板、20A…透明基板、21…遮光膜、22…絶縁層、22A…開口、24…屈折率可変層、24a…第1屈折率可変層、24b…第2屈折率可変層、41a…半導体層、41b…ゲート絶縁層、41c…ソース電極、41d…ドレイン電極、41e…ゲート電極、44…カバー層、45…平坦化層、51…レジストパターン、80…走査側駆動回路、90…データ側駆動回路、100…有機発光装置、101…走査線、102…信号線、103…電源供給線、112…スイッチングトランジスター、113…保持容量、123…駆動トランジスター、161…表面、162…中央部、163…周縁部、220…重畳部、1000…携帯電話本体、1001…表示部、1100…時計本体、1101…表示部、1200…情報処理装置、1202…入力部、1204…情報処理本体、1206…表示部。   A1 ... first part, A2 ... second part, 3 ... display unit pixel, 3B, 3G, 3R ... sub-pixel, 4 ... display area, 7 ... organic EL element, 8 ... drive circuit, 10 ... active matrix substrate, 10A DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Board | substrate, 12 ... Device layer, 12a ... Surface, 13 ... Optical path length adjustment layer, 14 ... Reflection layer, 16, 16B, 16G, 16R ... Pixel electrode as 1st electrode, 18 ... Counter electrode as 2nd electrode, DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 ... Organic functional layer as an organic light emitting layer, 20 ... Color filter substrate, 20A ... Transparent substrate, 21 ... Light shielding film, 22 ... Insulating layer, 22A ... Opening, 24 ... Refractive index variable layer, 24a ... First refractive index variable Layer 24b second variable refractive index layer 41a semiconductor layer 41b gate insulating layer 41c source electrode 41d drain electrode 41e gate electrode 44 cover layer 45 flattening layer 51 Regis Pattern: 80 ... Scanning side drive circuit, 90 ... Data side drive circuit, 100 ... Organic light emitting device, 101 ... Scanning line, 102 ... Signal line, 103 ... Power supply line, 112 ... Switching transistor, 113 ... Retention capacitor, 123 ... Driving transistor 161... Surface 162 162 center portion 163 peripheral edge 220 superposition portion 1000 mobile phone main body 1001 display portion 1100 watch main body 1101 display portion 1200 information processing device 1202 ... Input unit 1204 ... Information processing body 1206 ... Display unit.

Claims (4)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置され、光透過性を有する第1電極と、
    前記第1電極と対向して配置され、半透過半反射性を有する第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に配置された有機発光層と、
    前記第1電極の端部を覆う絶縁層と、
    前記基板と前記第1電極との間に配置された反射層と、
    を備え、
    前記第1電極は、前記基板に垂直な方向から見て前記絶縁層と重ならない第1部分と、前記基板に垂直な方向から見て前記絶縁層と重なる第2部分とを有し、
    前記基板に垂直な方向から見て前記第1部分と重なる第1領域では、前記反射層と前記第2電極とで第1共振構造が形成され、
    前記基板に垂直な方向から見て前記第2部分と重なる第2領域では、前記反射層と前記第2電極とで第2共振構造が形成され、
    前記第1電極と前記反射層との間に、前記第1共振構造の光学的距離と前記第2共振構造の光学的距離とが等しくなるように、前記第1領域に対応する部分と、前記第2領域に対応する部分と、で屈折率が異なる屈折率可変層を備えることを特徴とする有機発光装置。
    A substrate,
    A first electrode disposed on the substrate and having optical transparency;
    A second electrode disposed opposite to the first electrode and having transflective properties;
    An organic light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode;
    An insulating layer covering an end of the first electrode;
    A reflective layer disposed between the substrate and the first electrode;
    With
    The first electrode includes a first portion that does not overlap the insulating layer when viewed from a direction perpendicular to the substrate, and a second portion that overlaps the insulating layer when viewed from a direction perpendicular to the substrate;
    In the first region overlapping the first portion when viewed from the direction perpendicular to the substrate, a first resonance structure is formed by the reflective layer and the second electrode,
    In the second region overlapping the second portion when viewed from the direction perpendicular to the substrate, a second resonant structure is formed by the reflective layer and the second electrode,
    A portion corresponding to the first region so that an optical distance of the first resonant structure and an optical distance of the second resonant structure are equal between the first electrode and the reflective layer; An organic light emitting device comprising: a refractive index variable layer having a refractive index different from that of a portion corresponding to the second region.
  2. 請求項1に記載の有機発光装置であって、
    前記屈折率可変層は、前記第1領域に対応する第1屈折率可変層と、前記第2領域に対応する前記第1屈折率可変層の屈折率より低い第2屈折率可変層と、を有することを有機発光装置。
    The organic light-emitting device according to claim 1,
    The refractive index variable layer includes a first refractive index variable layer corresponding to the first region, and a second refractive index variable layer lower than a refractive index of the first refractive index variable layer corresponding to the second region. Having an organic light emitting device.
  3. 請求項1又は請求項2に記載の有機発光装置であって、
    前記有機発光層は、複数の前記第1電極上に亘って繋がって形成されており、白色発光することを特徴とする有機発光装置。
    The organic light-emitting device according to claim 1 or 2,
    The organic light emitting layer is formed to be connected over the plurality of first electrodes and emits white light.
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の有機発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic light emitting device according to any one of claims 1 to 3.
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