JP2016148016A - Electric insulator and high voltage device - Google Patents
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title abstract description 10
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 74
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 7
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 6
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 abstract description 41
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 36
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 32
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 32
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 18
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 16
- -1 silicate compound Chemical class 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 12
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 12
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 9
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 3-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1 CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GGNQRNBDZQJCCN-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,4-triol Chemical compound OC1=CC=C(O)C(O)=C1 GGNQRNBDZQJCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOOMNEFVDUTJPP-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,3-diol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC(O)=C21 XOOMNEFVDUTJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUVBIBLYOCVYJU-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,7-diol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=CC(O)=CC=C21 ZUVBIBLYOCVYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OENHRRVNRZBNNS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,8-diol Chemical compound C1=CC(O)=C2C(O)=CC=CC2=C1 OENHRRVNRZBNNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 1
- KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N (3ar,4s,7r,7as)-rel-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methanoisobenzofuran-1,3-dione Chemical compound O=C1OC(=O)[C@@H]2[C@H]1[C@]1([H])C=C[C@@]2([H])C1 KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene Natural products C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSVSGGXCQRQNTE-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n',1-n"-trimethylhexane-1,1,1-triamine Chemical compound CCCCCC(NC)(NC)NC OSVSGGXCQRQNTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAHPQISAXRFLCL-UHFFFAOYSA-N 2,4-Diaminoanisole Chemical compound COC1=CC=C(N)C=C1N BAHPQISAXRFLCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 2,4-diaminotoluene Chemical compound CC1=CC=C(N)C=C1N VOZKAJLKRJDJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound NCC(C)CCC(C)CN YXOKJIRTNWHPFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVJMEJIBMNDQGE-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenyl)phenol 2-(6-oxobenzo[c][2,1]benzoxaphosphinin-6-yl)benzene-1,4-diol Chemical compound OC1=C(C=C(C=C1)O)P1(OC2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC12)=O.OC1=C(C=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)O QVJMEJIBMNDQGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUIQBJHUESBZNU-UHFFFAOYSA-N 2-[(dimethylazaniumyl)methyl]phenolate Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1O FUIQBJHUESBZNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJBWJFWNFUKAGS-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C(C=1C(=CC=CC=1)O)C1=CC=CC=C1O LJBWJFWNFUKAGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJXPGCTYMKCLTR-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-9,9-diethylfluorene Chemical compound C1=C(Br)C=C2C(CC)(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 HJXPGCTYMKCLTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHPBKUJGDFXDRM-UHFFFAOYSA-N 3,4-diethyl-5-(2-phenylpropan-2-yl)benzene-1,2-diamine Chemical compound CCC1=C(N)C(N)=CC(C(C)(C)C=2C=CC=CC=2)=C1CC OHPBKUJGDFXDRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBWYRMCXWROJMP-UHFFFAOYSA-N 3-(1-aminoethyl)aniline Chemical compound CC(N)C1=CC=CC(N)=C1 MBWYRMCXWROJMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDWCEEQVTZURSU-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecan-5-yl)propan-1-amine Chemical compound NCCCC1OCOCC11COCOC1 MDWCEEQVTZURSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDBWYUOUYNQZBM-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)aniline Chemical compound NCC1=CC=CC(N)=C1 ZDBWYUOUYNQZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940018563 3-aminophenol Drugs 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAXXOCZAXKLLCV-UHFFFAOYSA-N 3-dodecyloxolane-2,5-dione Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1CC(=O)OC1=O YAXXOCZAXKLLCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLBSJBOFNFNGLV-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-oxacyclononadecane-2,19-dione Chemical compound CCC1CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC1=O BLBSJBOFNFNGLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYUINKARGUCCQJ-UHFFFAOYSA-N 3-imino-n-propylpropan-1-amine Chemical compound CCCNCCC=N XYUINKARGUCCQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDNPPYMJRALIIH-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohex-3-ene-1,1,2,2-tetracarboxylic acid Chemical compound CC1=CCCC(C(O)=O)(C(O)=O)C1(C(O)=O)C(O)=O RDNPPYMJRALIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTBGPYSCCALXIA-UHFFFAOYSA-N 3-phenyl-oxacycloheptadecane-2,17-dione Chemical compound O=C1OC(=O)CCCCCCCCCCCCCC1C1=CC=CC=C1 XTBGPYSCCALXIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Dihydroxybenzophenone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 4,4'-thiodiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1SC1=CC=C(O)C=C1 VWGKEVWFBOUAND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRYUIOMVOKUIHL-UHFFFAOYSA-N 4,5-dichloro-3-(dichloromethyl)-6-methylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=C(N)C(N)=C(C(Cl)Cl)C(Cl)=C1Cl WRYUIOMVOKUIHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDSPOZXUDJUBEZ-UHFFFAOYSA-N 4-(1-aminoethyl)aniline Chemical compound CC(N)C1=CC=C(N)C=C1 CDSPOZXUDJUBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 NZGQHKSLKRFZFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFGDOQVDCBRDDP-UHFFFAOYSA-N 4-(benzenesulfonyl)benzene-1,3-diamine Chemical compound NC1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 XFGDOQVDCBRDDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXEPRLUGFAULQX-UHFFFAOYSA-N 4-[2,5-di(propan-2-yl)phenyl]aniline Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C(C)C)C(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 KXEPRLUGFAULQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHNUHZHQLCGZDA-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)ethyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CCC1=CC=C(N)C=C1 UHNUHZHQLCGZDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJLPIPXJJJUBIV-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-hydroxyphenoxy)phenoxy]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(O)=CC=2)=C1 CJLPIPXJJJUBIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLSMYIFSFZLJQZ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-hydroxyphenoxy)phenoxy]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(O)C=C1 RLSMYIFSFZLJQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHJJWDAZSZQBT-UHFFFAOYSA-N 7a-methyl-4,5-dihydro-3ah-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CCCC2C(=O)OC(=O)C21C CSHJJWDAZSZQBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFDQFIRIOSRIFC-UHFFFAOYSA-N OC1=CC2=CC=C(C=C2C=C1)O.OC1=CC=CC2=CC(=CC=C12)O Chemical compound OC1=CC2=CC=C(C=C2C=C1)O.OC1=CC=CC2=CC(=CC=C12)O SFDQFIRIOSRIFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000005700 Putrescine Substances 0.000 description 1
- BGNXCDMCOKJUMV-UHFFFAOYSA-N Tert-Butylhydroquinone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(O)=CC=C1O BGNXCDMCOKJUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZAHJRZBUWYCBM-UHFFFAOYSA-N [1-(aminomethyl)cyclohexyl]methanamine Chemical compound NCC1(CN)CCCCC1 XZAHJRZBUWYCBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=CC(CN)=C1 FDLQZKYLHJJBHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNZSTMRDWRNNR-UHFFFAOYSA-N bis(hexamethylene)triamine Chemical compound NCCCCCCNCCCCCCN MRNZSTMRDWRNNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KEIQPMUPONZJJH-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethanediamine Chemical compound C1CCCCC1C(N)(N)C1CCCCC1 KEIQPMUPONZJJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMBPCQSCMCEPMU-UHFFFAOYSA-N n'-(3-aminopropyl)-n'-methylpropane-1,3-diamine Chemical compound NCCCN(C)CCCN KMBPCQSCMCEPMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCNCCN LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N n-methyl-1-phenylmethanamine Chemical compound CNCC1=CC=CC=C1 RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCILLCXFKWDRMK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-diol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=C(O)C2=C1 PCILLCXFKWDRMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRNGUTKWMSBIBF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3-diol Chemical compound C1=CC=C2C=C(O)C(O)=CC2=C1 JRNGUTKWMSBIBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,7-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC2=CC(O)=CC=C21 DFQICHCWIIJABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920005586 poly(adipic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005591 trimellitate group Chemical group 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002256 xylenyl group Chemical class C1(C(C=CC=C1)C)(C)* 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明の実施形態は、電気絶縁体および高電圧機器に関する。 Embodiments of the invention relate to electrical insulators and high voltage equipment.
高電圧機器においては、金属導体等を絶縁するために電気絶縁体が用いられている。高電圧機器は数十年間といった長期にわたって使用されることから、これに用いられる電気絶縁体にも長期にわたって使用できることが求められる。 In high voltage equipment, an electrical insulator is used to insulate metal conductors and the like. Since high-voltage equipment is used for a long period of time such as several decades, it is required that the electrical insulator used for the high-voltage equipment can also be used for a long period of time.
電気絶縁体の劣化原因として、電気トリーが知られている。電気トリーは、電気絶縁体への課電により、その内部において炭化が樹枝状に伸展するものである。炭化した部分は導電率が低下することから、電気絶縁体を貫通するように炭化が伸展したときに電気絶縁体の寿命となる。 An electrical tree is known as a cause of deterioration of an electrical insulator. An electric tree is a tree in which carbonization extends in a dendritic shape by applying electric power to an electric insulator. Since the conductivity of the carbonized portion decreases, the lifetime of the electrical insulator is reached when the carbonization extends so as to penetrate the electrical insulator.
炭化の伸展を抑制する方法として、電気絶縁体中に無機粒子を含有させる方法が知られている。無機粒子として、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、アルミナ水和物、窒化アルミニウム等が用いられる。このような方法によれば、炭化が伸展するときの先端部分における電界が緩和されることから炭化の伸展が抑制される。 As a method for suppressing the extension of carbonization, a method in which inorganic particles are contained in an electrical insulator is known. As the inorganic particles, silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, alumina hydrate, aluminum nitride, or the like is used. According to such a method, the extension of carbonization is suppressed because the electric field at the tip portion when the carbonization extends is relaxed.
また、炭化の伸展を抑制する別の方法として、電気絶縁体中にナノ粒子を含有させる方法が知られている。ナノ粒子として、層状シリケート化合物、酸化物系化合物、窒化物系化合物等が用いられる。このような方法によれば、炭化が伸展するときの先端部分における分岐が多くなり、炭化が伸展するときの経路が増加することから炭化の伸展が抑制される。 As another method for suppressing the extension of carbonization, a method in which nanoparticles are contained in an electrical insulator is known. As the nanoparticles, a layered silicate compound, an oxide compound, a nitride compound, or the like is used. According to such a method, branching at the tip portion when carbonization extends increases, and a path when carbonization extends increases, so that carbonization is suppressed.
従来、炭化の伸展を抑制する方法として、電気絶縁体中に無機粒子等を含有させる方法が知られている。しかし、上記方法の場合、炭化の伸展を効果的に抑制するには、電気絶縁体における無機粒子等の含有割合を高くする必要がある。このように電気絶縁体における無機粒子等の含有割合を高くした場合、電気絶縁体の製造に用いられる原料混合物である電気絶縁体用材料の粘度が増加し、また電気絶縁体の加工性や靭性が低下するおそれがある。 Conventionally, as a method for suppressing the extension of carbonization, a method in which inorganic particles or the like are contained in an electrical insulator is known. However, in the case of the above method, in order to effectively suppress the extension of carbonization, it is necessary to increase the content ratio of inorganic particles and the like in the electrical insulator. Thus, when the content ratio of the inorganic particles or the like in the electrical insulator is increased, the viscosity of the material for the electrical insulator, which is a raw material mixture used for manufacturing the electrical insulator, increases, and the workability and toughness of the electrical insulator are increased. May decrease.
本発明が解決しようとする課題は、炭化の伸展が抑制された電気絶縁体を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide an electrical insulator in which the extension of carbonization is suppressed.
実施形態の電気絶縁体用組成物は、誘電体と、該誘電体中に分散され、外部からのエネルギーを受けて発光する発光体と、を含有することを特徴とする。 The composition for an electrical insulator according to the embodiment includes a dielectric and a light-emitting body that is dispersed in the dielectric and emits light upon receiving external energy.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。
図１は、実施形態の電気絶縁体を示す断面図である。
Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an electrical insulator according to an embodiment.
電気絶縁体１０は、誘電体１１と、該誘電体１１中に粒子状に分散された発光体１２とを有する。このような電気絶縁体１０によれば、例えば、一方の主面側（図中、上側）から他方の主面側（図中、下側）に向けて炭化経路２１が伸展するとき、この炭化経路２１を伸展させるエネルギーが発光体１２により光２２に変換され、電気絶縁体１０の外部に放出される。
The
これにより、炭化経路２１を伸展させるエネルギーが低減され、炭化経路２１の伸展が効果的に抑制される。また、炭化経路２１の伸展が効果的に抑制されることから、発光体１２の含有量を少なくでき、電気絶縁体１０の加工性や靭性が良好になるとともに、その製造に用いられる原料混合物である電気絶縁体用材料の粘度も低下する。
Thereby, the energy for extending the
なお、従来の電気絶縁体は、発光しない無機粒子が誘電体中に分散されたものであり、炭化経路を伸展させるエネルギーが電気絶縁体の内部で分散され、該エネルギーは電気絶縁体の外部には放出されない。このように、従来の電気絶縁体については、炭化経路を伸展させるエネルギーが外部に放出されないことから、炭化経路の伸展を抑制する効果は必ずしも高くない。また、従来の電気絶縁体については、炭化経路の伸展を十分に抑制するためには無機粒子の含有量を多くすることが必要であり、電気絶縁体の加工性や靭性が低下しやすいとともに、その製造に用いられる原料混合物である電気絶縁体用材料の粘度も増加しやすい。 The conventional electrical insulator is a dispersion of inorganic particles that do not emit light, and the energy for extending the carbonization path is dispersed inside the electrical insulator, and the energy is external to the electrical insulator. Is not released. Thus, since the energy for extending the carbonization path is not released to the outside in the conventional electrical insulator, the effect of suppressing the extension of the carbonization path is not necessarily high. In addition, for conventional electrical insulators, it is necessary to increase the content of inorganic particles in order to sufficiently suppress the extension of the carbonization path, and the workability and toughness of the electrical insulator are likely to be reduced, The viscosity of the material for an electrical insulator, which is a raw material mixture used for the production, tends to increase.
誘電体１１の構成材料としては、通常、樹脂材料が好適に用いられる。樹脂材料としては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂のいずれでもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニール樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、尿素樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。 As a constituent material of the dielectric 11, a resin material is usually preferably used. The resin material may be either a thermoplastic resin or a thermosetting resin. Examples of the thermoplastic resin include polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, and vinyl chloride resin. Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin, a polyester resin, a urea resin, and a polyimide resin.
樹脂材料の中でも、熱硬化性樹脂が好ましく、特にエポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂としては、炭素原子２個と酸素原子１個からなる三員環を１分子中に２個以上有するエポキシ化合物と、これを硬化させる化合物（硬化剤）との組み合わせが好ましい。 Among the resin materials, a thermosetting resin is preferable, and an epoxy resin is particularly preferable. As the epoxy resin, a combination of an epoxy compound having two or more three-membered rings composed of two carbon atoms and one oxygen atom in one molecule and a compound (curing agent) for curing the epoxy compound is preferable.
エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリジジルエステル型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂のような複素環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。 Epoxy compounds include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, brominated bisphenol A type epoxy resins, hydrogenated bisphenol A type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, Glycidyl ether type such as naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin, tris (hydroxyphenyl) methane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin Examples include epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, and heterocyclic epoxy resins such as hydantoin type epoxy resins. These may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for them.
硬化剤としては、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、ポリメルカプタン系硬化剤、ポリアミノアミド系硬化剤、イソシアネート系硬化剤、ブロックイソシアネート系硬化剤等が挙げられる。これらの硬化剤の配合量は、硬化剤の種類、電気絶縁体の物性等を考慮して、適宜設定することができる。 Examples of the curing agent include an amine curing agent, an acid anhydride curing agent, a phenol curing agent, a polymercaptan curing agent, a polyaminoamide curing agent, an isocyanate curing agent, and a blocked isocyanate curing agent. The blending amount of these curing agents can be appropriately set in consideration of the type of the curing agent, the physical properties of the electrical insulator, and the like.
アミン系硬化剤としては、脂肪族アミン類、ポリエーテルポリアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられる。脂肪族アミン類としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、イミノビスプロピルアミン、ビス（ヘクサメチレン）トリアミン、ペンタエチレンヘキサミン、Ｎ−ヒドロキシエチルエチレンジアミン、トリ（メチルアミノ）ヘキサン、ジメチルアミノプロピルアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、テトラ（ヒドロキシエチル）エチレンジアミン等が挙げられる。ポリエーテルポリアミン類としては、トリエチレングリコールジアミン、テトラエチレングリコールジアミン、ジエチレングリコールビス（プロピルアミン）、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン類等が挙げられる。脂環式アミン類としては、メタセンジアミン、イソホロンジアミン、ビス（４−アミノ−３−メチルジシクロヘキシル）メタン、ジアミノジシクロヘキシルメタン、ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン、ノルボルネンジアミン等が挙げられる。芳香族アミン類としては、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、２，４−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジエチルジメチルジフェニルメタン、テトラクロロ−ｐ−キシレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−キシレンジアミン、２，４−ジアミノアニソール、２，４−トルエンジアミン、ｍ−アミノフェノール、ｍ−アミノベンジルアミン、ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、トリエタノールアミン、メチルベンジルアミン、α−（ｍ−アミノフェニル）エチルアミン、α−（ｐ−アミノフェニル）エチルアミン、α，α′−ビス（４−アミノフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン等が挙げられる。 Examples of the amine curing agent include aliphatic amines, polyether polyamines, alicyclic amines, aromatic amines and the like. Aliphatic amines include ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, hexamethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 2,5-dimethylhexamethylenediamine, and trimethylhexamethylene. Diamine, iminobispropylamine, bis (hexamethylene) triamine, pentaethylenehexamine, N-hydroxyethylethylenediamine, tri (methylamino) hexane, dimethylaminopropylamine, diethylaminopropylamine, methyliminobispropylamine, tetra (hydroxyethyl) ) Ethylenediamine and the like. Examples of polyether polyamines include triethylene glycol diamine, tetraethylene glycol diamine, diethylene glycol bis (propylamine), polyoxypropylene diamine, and polyoxypropylene triamines. Alicyclic amines include metacenediamine, isophoronediamine, bis (4-amino-3-methyldicyclohexyl) methane, diaminodicyclohexylmethane, bis (aminomethyl) cyclohexane, N-aminoethylpiperazine, 3,9-bis. (3-aminopropyl) 2,4,8,10-tetraoxaspiro (5,5) undecane, norbornenediamine and the like. Aromatic amines include m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,4-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diamino-1,2-diphenylethane 2,4-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, diaminodiethyldimethyldiphenylmethane, tetrachloro-p-xylenediamine, m-xylenediamine, p-xylenediamine, 2,4-diaminoanisole, 2, 4-toluenediamine, m-aminophenol, m-aminobenzylamine, benzyldimethylamine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol, triethanolamine, methylbenzylamine, α- (m-aminophenyl) ethylamine, α- ( p- Aminophenyl) ethylamine, α, α′-bis (4-aminophenyl) -p-diisopropylbenzene, and the like.
酸無水物系硬化剤としては、ドデシル無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物、ポリ（エチルオクタデカン二酸）無水物、ポリ（フェニルヘキサデカン二酸）無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート、無水ヘット酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、５−（２，５−ジオクソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸無水物、３，４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸二無水物、１−メチル−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸二無水物等が挙げられる。 Examples of acid anhydride curing agents include dodecyl succinic anhydride, polyadipic acid anhydride, polyazeline acid anhydride, polysebacic acid anhydride, poly (ethyloctadecanedioic acid) anhydride, poly (phenylhexadecanedioic acid) anhydride, Methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhymic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, methylcyclohexenedicarboxylic anhydride, phthalic anhydride, trimellitic anhydride Acid, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, ethylene glycol bistrimellitate, glycerol tris trimellitate, anhydrous het acid, methylcyclohexene tetracarboxylic acid anhydride, nadic acid anhydride, methyl nadic anhydride Acid, 5- (2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl) -3-methyl-3-cyclohexane-1,2-dicarboxylic anhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4- Examples include tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride and 1-methyl-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride.
フェノール系硬化剤としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、４，４′−ジヒドロキシジフェニルメタン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルエーテル、１，４−ビス（４−ヒドロキシフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェノキシ）ベンゼン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４′−ジヒドロキシジフェニルケトン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビフェニルノボラック、４，４′−ジヒドロキシビフェニル、２，２′−ジヒドロキシビフェニル、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド、フェノールノボラック、ビスフェノールＡノボラック、ｏ−クレゾールノボラック、ｍ−クレゾールノボラック、ｐ−クレゾールノボラック、キシレノールノボラック、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン、ヒドロキノン、レゾルシン、カテコール、ｔ−ブチルカテコール、ｔ−ブチルヒドロキノン、フルオログリシノール、ピロガロール、ｔ−ブチルピロガロール、アリル化ピロガロール、ポリアリル化ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、１，２−ジヒドロキシナフタレン、１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，４−ジヒドロキシナフタレン、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレン、１，８−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，４−ジヒドロキシナフタレン、２，５−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、２，８−ジヒドロキシナフタレン、前記ジヒドロキシナフタレンのアリル化物またはポリアリル化物、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化フェノールノボラック、アリル化ピロガロール、トリフェニルメタンノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック等が挙げられる。 Examples of phenolic curing agents include bisphenol A, bisphenol F, 4,4′-dihydroxydiphenylmethane, 4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-bis (4-hydroxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (4- Hydroxyphenoxy) benzene, 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfide, 4,4'-dihydroxydiphenyl ketone, 4,4'-dihydroxydiphenyl sulfone, biphenyl novolak, 4,4'-dihydroxybiphenyl, 2,2'-dihydroxybiphenyl 10- (2,5-dihydroxyphenyl) -10H-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide, phenol novolak, bisphenol A novolak, o-cresol novolak, m-cresol novola P-cresol novolak, xylenol novolak, poly-p-hydroxystyrene, hydroquinone, resorcin, catechol, t-butylcatechol, t-butylhydroquinone, fluoroglycinol, pyrogallol, t-butyl pyrogallol, allylated pyrogallol, polyallylated Pyrogallol, 1,2,4-benzenetriol, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 1,2-dihydroxynaphthalene, 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,4-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1, , 6-Dihydroxynaphthalene, 1,7-dihydroxynaphthalene, 1,8-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene, 2,4-dihydroxynaphthalene, 2,5-dihydroxynaphthalene 2,6-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 2,8-dihydroxynaphthalene, allylated or polyallylated dihydroxynaphthalene, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated phenol novolak, allylated Examples include pyrogallol, triphenylmethane novolak, and dicyclopentadienephenol novolak.
発光体１２は、自身（発光体１２）の外部からのエネルギーを受けて発光するものが用いられる。エネルギーとしては、炭化経路２１を伸展させる各種のエネルギーが挙げられる。このようなものとしては、例えば、電子の運動エネルギー、放電エネルギー等が挙げられるが、必ずしもこれらのものに限定されない。
As the light emitter 12, a light emitter that emits light upon receiving energy from outside the
発光体１２は、可視光を発光することが好ましい。可視光のエネルギーは炭化経路２１を伸展させるエネルギーよりも小さいことから、発光体１２が炭化経路２１を伸展させるエネルギーを吸収して発光しやすくなる。
The light emitter 12 preferably emits visible light. Since the energy of visible light is smaller than the energy for extending the
なお、発光体１２は、可視光を発光するとともに、可視光以外の光を発光してもよい。例えば、発光体１２は、可視光と紫外光とを同時に発光するものでもよい。発光の少なくとも一部に可視光が含まれていれば、炭化経路２１を伸展させるエネルギーを吸収して発光しやすくなる。
The
また、発光には、可視光領域（波長３８０〜７８０ｎｍ）の全体が含まれる必要はなく、可視光領域の少なくとも一部が含まれていればよい。可視光領域の一部が含まれていれば、炭化経路２１を伸展させるエネルギーを吸収して発光しやすくなる。
Further, the light emission need not include the entire visible light region (wavelength 380 to 780 nm), but may include at least a part of the visible light region. If a part of the visible light region is included, it is easy to emit light by absorbing energy for extending the
発光体１２としては、公知の蛍光体が好適に用いられる。このような蛍光体としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ等が好適に用いられる。なお、蛍光体の記載において、「：」の前は母体を示し、後は付活剤を示す。蛍光体の中でも、付活剤を含有するものが好適に用いられる。
As the
蛍光体は、結晶化していることが好ましい。蛍光体の発光効率は、結晶構造の乱れにより低下する。特に、蛍光体の表面付近については、結晶構造の乱れが発生しやすく、発光効率が低下しやすい。このため、発光効率の低下を抑制して炭化の伸展を効果的に抑制する観点から、蛍光体は結晶化していることが好ましい。 The phosphor is preferably crystallized. The luminous efficiency of the phosphor decreases due to disorder of the crystal structure. In particular, near the surface of the phosphor, the crystal structure is likely to be disturbed, and the light emission efficiency is likely to decrease. For this reason, it is preferable that the phosphor is crystallized from the viewpoint of suppressing the decrease in luminous efficiency and effectively suppressing the extension of carbonization.
発光体１２の平均粒径は、０．１μｍ以上が好ましい。平均粒径が０．１μｍ以上になると、発光特性が良好になるために好ましい。発光特性の観点から、平均粒径は、０．５μｍ以上がより好ましく、１μｍ以上がさらに好ましい。また、発光体１２の平均粒径は、５０μｍ以下が好ましい。５０μｍ以下になると、電気絶縁体１０の全体が均一に発光するために好ましい。均一に発光させる観点から、平均粒径は、３０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。なお、平均粒径は、球相当体積を基準とした粒度分布を測定し、累積分布をパーセント（％）で表した時の５０％に相当する粒子径（メジアン径）である。
The average particle size of the
発光体１２の含有量は、誘電体１１と発光体１２との合計中、０．１体積％以上が好ましい。発光体１２の含有量が０．１体積％以上である場合、発光体１２の含有量が十分に多くなるために、炭化経路２１を伸展させるエネルギーが効果的に低減される。発光体１２の含有量は、炭化経路２１を伸展させるエネルギーを低減する観点から、０．２体積％以上がより好ましく、０．３体積％以上がさらに好ましい。
The content of the
一方、発光体１２の含有量が９０体積％以下である場合、電気絶縁体１０の製造に用いられる原料混合物である電気絶縁体用材料の粘度が低くなり、また電気絶縁体１０の加工性や靭性が良好になる。発光体１２の含有量は、電気絶縁体用材料の粘度、電気絶縁体１０の加工性や靭性等の観点から、５０体積％以下がより好ましく、１０体積％以下がさらに好ましい。
On the other hand, when the content of the
電気絶縁体１０は、必要に応じて、かつ本発明の趣旨に反しない限度において、誘電体１１および発光体１２に加えて、これら以外の成分を含有できる。このような成分として、発光体１２以外の無機粒子、誘電体１１と発光体１２との密着性を向上させる表面処理剤等が挙げられる。
The
発光体１２以外の無機粒子として、マイカ、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、酸化カルシウム、酸化チタン、三酸化ビスマス、二酸化セリウム、一酸化コバルト、酸化銅、三酸化鉄、酸化ホルミウム、酸化インジウム、酸化マンガン、酸化錫、酸化イットリウム、酸化亜鉛等の無機粒子が挙げられる。発光体１２以外の無機粒子の含有量は、電気絶縁体１０の全体中、３０体積％以下が好ましく、２０体積％以下がより好ましく、１０体積％以下がさらに好ましい。
As inorganic particles other than the
表面処理剤としては、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等のカップリング剤が挙げられる。 As the surface treatment agent, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ -Aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, Silane coupling agents such as γ-chloropropyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, titanate coupling agents, aluminum coupling agents, etc. Coupling agent, and the like.
電気絶縁体１０は、高電圧機器に好適に用いられる。高電圧機器として、真空遮断器、真空断路器、回転電機等が挙げられる。電気絶縁体１０は、真空遮断器、真空断路器等における開閉機構、金属導体等の電気的絶縁性を確保するために好適に用いられる。また、電気絶縁体１０は、回転電機におけるコイル等の電気的絶縁性を確保するために好適に用いられる。
The
電気絶縁体１０は、例えば、誘電体１１の構成材料と発光体１２とを少なくとも含有する原料混合物である電気絶縁体用材料を製造した後、この電気絶縁体用材料を所定の形状に成形することにより、または所定の部分に含浸させることにより、製造することができる。
For example, after the
電気絶縁体用材料は、誘電体１１の構成材料の全成分と発光体１２とを一度に混合して製造してもよいし、誘電体１１の構成材料の一部の成分と発光体１２と混合した後、これに誘電体１１の構成材料の残りの成分を混合して製造してもよい。例えば、誘電体１１の構成材料がエポキシ化合物と硬化剤とからなる場合、エポキシ化合物と発光体１２と混合した後、硬化剤を混合することにより、発光体１２が均一に分散されるために好ましい。
The material for the electrical insulator may be manufactured by mixing all components of the constituent material of the dielectric 11 and the
電気絶縁体用材料の成形は、一般注型法、加圧ゲル化法等により行われる。 The material for the electrical insulator is formed by a general casting method, a pressure gelation method, or the like.
一般注型法の場合、まず加熱した金型内に注型対象物を設置する。注型対象物として、真空遮断器、真空断路器等の高電圧機器における開閉機構、金属導体等が挙げられる。この金型内に、電気絶縁体用材料を金型温度と同程度の温度まで加熱して注入する。この金型を加熱・真空炉の中に入れ、金型に電気絶縁体用材料を注入するときに巻き込まれた気泡を取り除く。その後、金型から注型対象物を取り外し、必要に応じて加熱により電気絶縁体用材料を完全に硬化させる。これにより、注型対象物の表面が電気絶縁体により覆われた注型物が得られる。 In the case of the general casting method, a casting object is first placed in a heated mold. Examples of casting objects include opening / closing mechanisms and metal conductors in high voltage devices such as vacuum circuit breakers and vacuum disconnectors. Into this mold, the material for the electrical insulator is heated to a temperature similar to the mold temperature and injected. The mold is placed in a heating / vacuum furnace to remove bubbles entrained when the electric insulator material is injected into the mold. Thereafter, the casting object is removed from the mold, and the electrical insulator material is completely cured by heating as necessary. Thereby, the casting object in which the surface of the casting object is covered with the electrical insulator is obtained.
加圧ゲル化法の場合、まず加熱した金型内に注型対象物を設置する。注型対象物として、真空遮断器、真空断路器等の高電圧機器における開閉機構、金属導体等が挙げられる。この金型の内部を減圧した後、電気絶縁体用材料を金型温度と同程度の温度まで加熱して注入する。注入後、金型の注入口から圧力を加える。その後、金型から注型対象物を取り外し、必要に応じて加熱により電気絶縁体用材料を完全に硬化させる。これにより、注型対象物の表面が電気絶縁体により覆われた注型物が得られる。 In the case of the pressure gelation method, a casting object is first placed in a heated mold. Examples of casting objects include opening / closing mechanisms and metal conductors in high voltage devices such as vacuum circuit breakers and vacuum disconnectors. After the pressure inside the mold is reduced, the electric insulator material is heated to a temperature similar to the mold temperature and injected. After the injection, pressure is applied from the injection port of the mold. Thereafter, the casting object is removed from the mold, and the electrical insulator material is completely cured by heating as necessary. Thereby, the casting object in which the surface of the casting object is covered with the electrical insulator is obtained.
また、高圧回転電機向けとして、含浸方式による電気絶縁体用材料と、プリプレグ方式による電気絶縁体用材料の製造方法がある。高圧回転電機の製造は、例えば、以下のようにして行われる。まず、複数の素線を束ねた導体の外周に集成マイカテープ等の絶縁テープを巻き回して固定子コイルとする。その後、この固定子コイルを固定子鉄心のスロットに挿入する。含浸方式では真空加圧含浸により電気絶縁体用材料を含浸させて硬化させるなどの手段がある。一方、プリプレグ方式では、絶縁テープ中に電気絶縁用材料が半硬化の状態で存在するので、含浸せず加熱液圧方式によって成形・硬化させるなどの手段がある。 For high-voltage rotating electrical machines, there are a method for producing an electrical insulator material by an impregnation method and an electrical insulator material by a prepreg method. Manufacture of a high voltage | pressure rotary electric machine is performed as follows, for example. First, an insulating tape such as a laminated mica tape is wound around the outer periphery of a conductor in which a plurality of strands are bundled to form a stator coil. Thereafter, the stator coil is inserted into a slot of the stator core. In the impregnation method, there are means such as impregnating a material for an electrical insulator by vacuum pressure impregnation and curing. On the other hand, in the prepreg method, since the electrical insulating material is present in a semi-cured state in the insulating tape, there are means such as molding and curing by a heating hydraulic method without impregnation.
（結合層）
実施形態の電気絶縁体１０においては、さらに炭化経路の伸展を抑制するために、誘電体１１と発光体１２との間に、これらに化学的に結合する結合層を設けることが好ましい。通常、このような結合層は発光体１２の表面を覆うように設けられ、外側が誘電体１１に結合するとともに、内側が発光体１２に結合する。結合層の構成は、以下に示すように発光体１２の表面状態や組成に応じて決定されることが好ましい。
(Bonding layer)
In the
（発光体１２の表面にヒドロキシル基がある場合、または発光体１２が酸素原子を有する場合）
発光体１２の表面にヒドロキシル基がある場合、または発光体１２が酸素原子を有する場合、図２に示すようにアミノ基およびアルコキシル基を末端に有する化合物からなる結合層１３を設けることが好ましい。
(When there is a hydroxyl group on the surface of the
When there is a hydroxyl group on the surface of the
表面にヒドロキシル基が形成される発光体１２としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ等が挙げられる。また、表面にヒドロキシル基が形成されやすい発光体１２として、酸素原子を有するものが挙げられ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ等が挙げられる。
As the
アミノ基およびアルコキシル基を末端に有する化合物としては、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。以下、アミノ基およびアルコキシル基を末端に有する化合物を結合層用化合物と記して説明する。 Examples of the compound having an amino group and an alkoxyl group at the terminal include N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, and γ-aminopropyltriethoxysilane. And silane coupling agents such as Hereinafter, a compound having an amino group and an alkoxyl group at the end will be described as a bonding layer compound.
通常、発光体１２においては、その組成にかかわらず、酸化により表面にヒドロキシル基が形成される。特に、酸素原子を有する発光体１２においては、表面にヒドロキシル基が形成されやすい。発光体１２の表面にヒドロキシル基が形成されている場合、結合層用化合物を被覆したとき、発光体１２のヒドロキシル基と結合層用化合物のアルコキシル基とが反応して、アミノ基が外側となるように発光体１２に結合層用化合物が結合する。
In general, in the light-emitting
一般に、アミノ基は誘電体１１を形成するエポキシ樹脂等と反応しやすい。従って、上記したようにアミノ基が外側となるように配置されることで、発光体１２どうしの間にエポキシ樹脂等からなる誘電体１１が入り込みやすくなる。このようにして誘電体１１と発光体１２との親和性が向上することにより、誘電体１１における発光体１２の分散性が向上する。これにより、炭化経路２１が発光体１２に接触する確率が高くなり、さらに炭化経路２１を伸展させるエネルギーが低減されて炭化経路２１の伸展が抑制される。
In general, an amino group is likely to react with an epoxy resin or the like that forms the dielectric 11. Therefore, the dielectric 11 made of an epoxy resin or the like can easily enter between the
このような結合層１３は、以下のようにして形成することができる。
Such a
まず、発光体１２の表面を結合層用化合物により被覆する。このような被覆は、以下のようにして行われる。まず、結合層用化合物を溶媒に溶解させた被覆液に発光体１２を加えて、必要に応じて加熱を行いながら混合する。そして、濾過等の方法により、被覆液から発光体１２を分離して乾燥させる。
First, the surface of the
その後、このようにして被覆された発光体１２と誘電体１１の構成材料とを混合して電気絶縁体用材料を製造する。さらに、この電気絶縁体用材料を所定の形状に成形する。これにより、誘電体１１と発光体１２との間にこれらに化学的に結合する結合層１３を形成することができる。
Thereafter, the light-emitting
（発光体１２が硫黄原子を有する場合）
発光体１２が硫黄原子を有する場合、酸素原子の有無にかかわらず、図３に示すように、メルカプト基およびアルコキシル基を末端に有する化合物からなる第１の層１４ならびにアミノ基およびアルコキシル基を末端に有する化合物からなる第２の層１５からなる結合層１６を設けることが好ましい。
(When
When the
硫黄原子を有する発光体１２としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ等が挙げられる。
Examples of the
第１の層１４を構成するメルカプト基およびアルコキシル基を末端に有する化合物としては、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。以下、メルカプト基およびアルコキシル基を末端に有する化合物を第１の層用化合物と記して説明する。
Examples of the compound having a mercapto group and an alkoxyl group at the end constituting the
第２の層１５を構成するアミノ基およびアルコキシル基を末端に有する化合物としては、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。以下、メルカプト基およびアルコキシル基を末端に有する化合物を第２の層用化合物と記して説明する。
Examples of the compound having an amino group and an alkoxyl group constituting the
発光体１２が硫黄原子を有する場合、第１の層用化合物により被覆したとき、発光体１２の硫黄原子と第１の層用化合物のメルカプト基とが反応して、アルコキシル基が外側となるように発光体１２に第１の層用化合物が結合する。このような結合について、発光体の硫黄原子と第１の層用化合物のメルカプト基とが置換するという報告がある（Ｙ．−ｑ．Ｗａｎｇ，Ｗ．−ｓ．Ｚｏｕ／Ｔａｌａｎｔａ８５（２０１１）４６９−４７５）。
When the
その後、第１の層用化合物が被覆された発光体１２に第２の層用化合物を被覆すると、第１の層用化合物のアルコキシル基と第２の層用化合物のアルコキシル基とが反応して、アミノ基が外側となるように第１の層用化合物に第２の層用化合物が結合する。
Thereafter, when the
一般に、アミノ基は誘電体１１を形成するエポキシ樹脂等と反応しやすい。従って、上記したようにアミノ基が外側となるように配置されることで、発光体１２どうしの間にエポキシ樹脂等からなる誘電体１１が入り込みやすくなる。このようにして誘電体１１と発光体１２との親和性が向上することにより、誘電体１１における発光体１２の分散性が向上する。これにより、炭化経路２１が発光体１２に接触する確率が高くなり、さらに炭化経路２１を伸展させるエネルギーが低減されて炭化経路２１の伸展が抑制される。
In general, an amino group is likely to react with an epoxy resin or the like that forms the dielectric 11. Therefore, the dielectric 11 made of an epoxy resin or the like can easily enter between the
このような結合層１６については、既に説明した結合層１３に比べて、炭化経路を伸展させるエネルギーが低減されて炭化経路の伸展が抑制される。この理由については必ずしも明らかではないが、以下のように考えられる。すなわち、発光体１２を構成する硫黄原子との結合を利用することにより、発光体１２と結合層１６との結合確率が高まり、結果として誘電体１１と発光体１２とが強固に結合しやすくなる。これにより、発光体１２どうしの間に誘電体１１が入り込むことによる発光体１２の分散性が向上することから、炭化経路を伸展させるエネルギーが低減して炭化経路の伸展が抑制されると考えられる。
In such a
このような結合層１６は、以下のようにして形成することができる。
Such a
まず、発光体１２の表面を第１の層用化合物および第２の層用化合物の順に被覆する。このような被覆は、以下のようにして行われる。まず、第１の層用化合物を溶媒に溶解させた第１の被覆液に発光体１２を加えて、必要に応じて加熱を行いながら混合する。さらに、第２の層用化合物を溶媒に溶解させた第２の被覆液を加えて、必要に応じて加熱を行いながら混合する。そして、濾過等の方法により、第１の被覆液および第２の被覆液から発光体１２を分離して乾燥させる。
First, the surface of the
その後、このようにして被覆された発光体１２と誘電体１１の構成材料とを混合して電気絶縁体用材料を製造する。さらに、この電気絶縁体用材料を所定の形状に成形する。これにより、誘電体１１と発光体１２との間にこれらに化学的に結合する結合層１６を形成することができる。
Thereafter, the light-emitting
以下、本発明の実施形態を実施例に基づいて詳細に説明する。 なお、本発明の実施形態はこれらの実施例に限定されない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on examples. In addition, embodiment of this invention is not limited to these Examples.
（実施例１）
エポキシ化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主成分とする樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名：ＣＹ２２１）と、発光体として結晶化したＺｎＳ粒子（堺化学工業社製、平均粒径７μｍ）とを混合して、エポキシ化合物および発光体の混合物を得た。混合としては、自転・公転ミキサー（シンキー社製、商品名：ＡＲ−２５０）を用いて、２０分間の混合を行った後、１０秒間の脱泡を行った。なお、上記発光体は、近紫外発光以上のエネルギーを吸収して、約５００ｎｍ付近にブロードな発光ピークを有する緑色光を発光するものである。
Example 1
A resin mainly composed of a bisphenol A type epoxy resin as an epoxy compound (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name: CY221) and a crystallized ZnS particle as an illuminant (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter: 7 μm) Mixing to obtain a mixture of epoxy compound and phosphor. As mixing, a rotating / revolving mixer (trade name: AR-250, manufactured by Sinky Corporation) was used for 20 minutes, followed by defoaming for 10 seconds. In addition, the said light-emitting body absorbs energy more than near-ultraviolet light emission, and light-emits green light which has a broad light emission peak at about 500 nm vicinity.
次に、上記したエポキシ化合物および発光体の混合物に、硬化剤として変性ポリアミンを主成分とする硬化剤（ナガセケムテックス社製、商品名：ＨＹ２９６７）を混合して、試験材料を製造した。混合としては、自転・公転ミキサー（シンキー社製、商品名：ＡＲ−２５０）を用いて、５分間の混合を行った後、１分間の脱泡を行った。 Next, a hardener (manufactured by Nagase ChemteX Corp., trade name: HY2967) containing a modified polyamine as a main component as a hardener was mixed with the mixture of the epoxy compound and the luminous body described above to produce a test material. As mixing, a rotating / revolving mixer (trade name: AR-250, manufactured by Sinky Corporation) was used for 5 minutes, and then defoaming was performed for 1 minute.
なお、本実施例の試験材料については、エポキシ化合物１００質量部に対して硬化剤を３５質量部とした。また、発光体の含有量は、エポキシ化合物および硬化剤からなる誘電体と発光体との合計中、０．８体積％となるようにした。 In addition, about the test material of a present Example, the hardening | curing agent was 35 mass parts with respect to 100 mass parts of epoxy compounds. In addition, the content of the luminescent material was set to 0.8% by volume in the total of the dielectric and the luminescent material composed of the epoxy compound and the curing agent.
（実施例２）
結晶化したＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ（堺化学工業社製、平均粒径７μｍ）に発光体を変更するとともに、発光体の含有量をエポキシ化合物および硬化剤からなる誘電体と発光体との合計中０．３体積％に変更したこと以外は、実施例１と同様にして試験材料を製造した。
(Example 2)
While changing the illuminant to crystallized ZnS: Cu, Al (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., average particle size 7 μm), the content of the illuminant is the sum of the dielectric and illuminant composed of an epoxy compound and a curing agent. A test material was produced in the same manner as in Example 1 except that the content was changed to 0.3% by volume.
（実施例３）
結晶化したＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ（堺化学工業社製、平均粒径７μｍ）に発光体を変更するとともに、発光体の含有量をエポキシ化合物および硬化剤からなる誘電体と発光体との合計中０．８体積％に変更したこと以外は、実施例１と同様にして試験材料を製造した。
(Example 3)
While changing the illuminant to crystallized ZnS: Cu, Al (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., average particle size 7 μm), the content of the illuminant is the sum of the dielectric and illuminant composed of an epoxy compound and a curing agent. A test material was produced in the same manner as in Example 1 except that the content was changed to 0.8% by volume.
（比較例１）
発光体を含有させないこと以外は、実施例１と同様にして試験材料を製造した。
(Comparative Example 1)
A test material was produced in the same manner as in Example 1 except that no luminescent material was contained.
次に、実施例および比較例の試験材料について、図４に示すような試験片３０および測定装置４０を用いて絶縁破壊時間を測定した。
Next, with respect to the test materials of the examples and comparative examples, the dielectric breakdown time was measured using a
試験片３０は、以下のようにして製造した。
スライドガラス３１上に、絶縁性のスペーサ３２、３３を対向して配置した。スペーサ３２、３３の厚さは、それぞれ０．３ｍｍとした。一方のスペーサ３２上には、接地電極３４として厚さが１１μｍのアルミ箔を配置した。他方のスペーサ３３上には、対向電極３５として先端曲率を５μｍ以下とした直径５０μｍのタングステン線（ニラコ社製、商品名：Ｗ−４６１１０７）を配置した。
The
Insulating
その後、スペーサ３２とスペーサ３３との間に試験材料３６を流し込んだ。この際、気泡を巻き込まないように、試験材料３６を慎重に流し込んだ。また、観察が容易になるように、試験材料３６上にカバーガラス３７を配置した。スライドガラス３１とカバーガラス３７との間隔は、間隔を調整するための図示しないスペーサにより、０．６ｍｍに調整した。
Thereafter, the
最後に、顕微鏡で観察しながら対向電極３５であるタングステン線を操作して、接地電極３４であるアルミ箔と対向電極３５であるタングステン線との間隔を０．４ｍｍに調整した。調整後、２４時間放置して試験材料３６を硬化させた。これにより、試験片３０を製造した。
Finally, the tungsten wire as the
測定装置４０は、試験片３０を撮影するためのマイクロスコープ４１（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、商品名：ＶＨ−Ｚ７５）と、この試験片３０を撮影した動画を保存する制御装置４２（ＫＥＹＥＮＣＥ社製、商品名：ＶＨＸ−５００）とを有するものとした。
The measuring
絶縁破壊時間の測定は、以下のようにして行った。
まず、表面における放電を防ぐために、試験片３０をフロリナート（住友３Ｍ社製、商品名：ＦＣ−３２８３）中に配置した。そして、対向電極３５であるタングステン線側に商用交流電圧を印加するとともに、接地電極３４であるアルミ箔側を接地した。その後、電圧を０．６ｋＶ／ｓｅｃの条件で上昇させ、電圧が６ｋＶに到達したところでその状態を維持した。
The dielectric breakdown time was measured as follows.
First, in order to prevent discharge on the surface, the
そして、接地電極３４であるアルミ箔と対向電極３５であるタングステン線との間の様子をマイクロスコープ４１により撮影して、これを制御装置４２により動画として保存した。この保存された動画において、対向電極３５であるタングステン線側に電気トリーが発生してから、この電気トリーが接地電極３４であるアルミ箔側に達するまでの時間を測定して絶縁破壊時間とした。
Then, the state between the aluminum foil as the
図５に、このようにして測定された絶縁破壊時間の結果を示す。なお、図５に示す絶縁破壊時間は、測定された絶縁破壊時間をワイブルプロット整理したときに得られる９０％破壊確率での信頼区間９５％の下限値を比較したものであり、比較例１の絶縁破壊時間を基準にして示したものである。 FIG. 5 shows the result of the dielectric breakdown time measured in this way. The dielectric breakdown time shown in FIG. 5 is a comparison of the lower limit value of the 95% confidence interval at the 90% breakdown probability obtained when the measured dielectric breakdown times are arranged in a Weibull plot. This is based on the dielectric breakdown time.
図５から明らかなように、発光体を含有する場合、発光体を含有しないものに比べて絶縁破壊時間が長くなる。また、付活剤を含有する場合、付活剤を含有しないものに比べて絶縁破壊時間が長くなる。また、発光体の含有量が多くなるほど、絶縁破壊時間が長くなる。 As is apparent from FIG. 5, when the light emitter is contained, the dielectric breakdown time becomes longer than that of the light emitter not contained. Moreover, when an activator is contained, the dielectric breakdown time becomes longer than that without the activator. Moreover, the dielectric breakdown time becomes longer as the content of the light emitter increases.
具体的には、実施例１のように発光体としてＺｎＳを０．８体積％含有する場合、比較例１に比べて絶縁破壊時間が３％長くなる。また、実施例２のように発光体としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを０．３体積％含有する場合、比較例１に比べて絶縁破壊時間が２３％長くなる。さらに、実施例３のように発光体としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを０．８体積％含有する場合、比較例１に比べて絶縁破壊時間が８６％長くなる。 Specifically, when 0.8 vol% ZnS is contained as the light emitter as in Example 1, the dielectric breakdown time is 3% longer than that in Comparative Example 1. Further, when 0.3 vol% ZnS: Cu, Al is contained as a light emitter as in the second embodiment, the dielectric breakdown time is 23% longer than that in the first comparative example. Furthermore, when 0.8% by volume of ZnS: Cu, Al is contained as a light emitter as in Example 3, the dielectric breakdown time is 86% longer than that in Comparative Example 1.
（実施例４）
エポキシ化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主成分とする樹脂（京セラケミカル社製、商品名：ＴＶＢ２６２３）と、硬化剤としてアミン系硬化剤（京セラケミカル社製、商品名：ＴＶＢ２６２４）とを、質量比で２：１となるように混合して、樹脂組成物を得た。この樹脂組成物に発光体として結晶化したＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ（堺化学工業社製、平均粒径３．６μｍ）を混合して試験材料を製造した。混合としては、自転・公転ミキサー（シンキー社製、商品名：ＡＲ−２５０）を用いて、２０分間の攪拌を行った後、１０秒間の脱泡を行った。なお、発光体の含有量は、エポキシ化合物および硬化剤からなる誘電体と発光体との合計中、０．８体積％となるようにした。
Example 4
Mass ratio of a resin mainly composed of a bisphenol A type epoxy resin as an epoxy compound (trade name: TVB2623, manufactured by Kyocera Chemical Co.) and an amine curing agent (trade name: TVB2624, manufactured by Kyocera Chemical Co., Ltd.) as a curing agent To obtain a resin composition. A test material was produced by mixing the resin composition with crystallized ZnS: Cu, Al (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., average particle size: 3.6 μm) as a light emitter. As the mixing, the mixture was stirred for 20 minutes using a rotation / revolution mixer (trade name: AR-250, manufactured by Shinky Corporation), and then defoamed for 10 seconds. In addition, the content of the light emitter was set to 0.8% by volume in the total of the dielectric and the light emitter made of the epoxy compound and the curing agent.
（実施例５）
常温中、エタノール、純水、および結合層用化合物を三角フラスコ中において混合して、結合層を形成するための被覆液を得た。結合層用化合物には、アルコキシル基とアミノ基を有する３−アミノプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業社製、商品名：ＫＢＥ−９０３）を用いた。
(Example 5)
At room temperature, ethanol, pure water, and a compound for a bonding layer were mixed in an Erlenmeyer flask to obtain a coating solution for forming a bonding layer. As the bonding layer compound, 3-aminopropyltriethoxysilane having an alkoxyl group and an amino group (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name: KBE-903) was used.
次に、この被覆液中に実施例４と同様の発光体を加えて、７０℃で１時間混合した。その後、被覆液を濾過して発光体を分離した。さらに、この分離された発光体を８０℃で１〜２時間乾燥させて、結合層用化合物により被覆された発光体を得た。 Next, the same light emitter as in Example 4 was added to the coating solution, and mixed at 70 ° C. for 1 hour. Thereafter, the coating solution was filtered to separate the light emitter. Further, the separated phosphor was dried at 80 ° C. for 1 to 2 hours to obtain a phosphor coated with the binding layer compound.
別途、エポキシ化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主成分とする樹脂（京セラケミカル社製、商品名：ＴＶＢ２６２３）と、硬化剤としてアミン系硬化剤（京セラケミカル社製、商品名：ＴＶＢ２６２４）とを質量比で２：１となるように混合して樹脂組成物を得た。 Separately, a resin having a bisphenol A type epoxy resin as a main component as an epoxy compound (trade name: TVB2623, manufactured by Kyocera Chemical Co.) and an amine-based curing agent (product name: TVB2624, manufactured by Kyocera Chemical Co., Ltd.) as a curing agent are massed. The resin composition was obtained by mixing at a ratio of 2: 1.
その後、被覆が行われた発光体と樹脂組成物とを混合して試験材料を製造した。発光体の含有量は、エポキシ化合物および硬化剤からなる誘電体と発光体との合計中、０．８体積％となるようにした。また、混合としては、自転・公転ミキサー（シンキー社製、商品名：ＡＲ−２５０）を用いて、２０分間の混合を行った後、１０秒間の脱泡を行った。 Thereafter, the light-emitting body on which the coating was performed and the resin composition were mixed to produce a test material. The content of the illuminant was 0.8% by volume in the total of the dielectric and the illuminant composed of the epoxy compound and the curing agent. Moreover, as mixing, after carrying out mixing for 20 minutes using the autorotation / revolution mixer (Sinky company make, brand name: AR-250), defoaming for 10 seconds was performed.
（実施例６）
常温中、エタノール、純水、および第１の層用化合物を三角フラスコ中において混合して、結合層における第１の層を形成するための第１の被覆液を得た。第１の層用化合物には、アルコキシル基とメルカプト基を有する（３−メルカプトプロピル）トリメトキシシラン（東レダウコーニング社製、商品名：ＳＨ−６０６２）を用いた。
(Example 6)
At room temperature, ethanol, pure water, and the first layer compound were mixed in an Erlenmeyer flask to obtain a first coating liquid for forming the first layer in the bonding layer. As the first layer compound, (3-mercaptopropyl) trimethoxysilane having an alkoxyl group and a mercapto group (trade name: SH-6062, manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) was used.
別途、常温中、エタノールおよび第２の層用化合物を三角フラスコ中において混合して、結合層における第２の層を形成するための第２の被覆液を得た。第２の層用化合物には、アルコキシル基とアミノ基を有する３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン（東京化成工業社製、商品名：Ａ０７７４）を用いた。 Separately, ethanol and the second layer compound were mixed in an Erlenmeyer flask at room temperature to obtain a second coating liquid for forming the second layer in the bonding layer. As the second layer compound, 3- (2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane (trade name: A0774, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) having an alkoxyl group and an amino group was used.
次に、第１の被覆液中に実施例４と同様の発光体を加えて、７０℃で１時間混合した。さらに、この発光体が加えられた第１の被覆液に第２の被覆液を加えて、７０℃で１時間混合した。その後、第１の被覆液および第２の被覆液を濾過して発光体を分離した。さらに、この分離された発光体を８０℃で１〜２時間乾燥させて、第１の層用化合物および第２の層用化合物により被覆された発光体を得た。 Next, the same light emitter as in Example 4 was added to the first coating solution, and mixed at 70 ° C. for 1 hour. Further, the second coating solution was added to the first coating solution to which the luminous body was added, and mixed at 70 ° C. for 1 hour. Thereafter, the first coating liquid and the second coating liquid were filtered to separate the luminous body. Further, the separated luminescent material was dried at 80 ° C. for 1 to 2 hours to obtain a luminescent material coated with the first layer compound and the second layer compound.
別途、エポキシ化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主成分とする樹脂（京セラケミカル社製、商品名：ＴＶＢ２６２３）と、硬化剤としてアミン系硬化剤（京セラケミカル社製、商品名：ＴＶＢ２６２４）とを質量比で２：１となるように混合して樹脂組成物を得た。 Separately, a resin having a bisphenol A type epoxy resin as a main component as an epoxy compound (trade name: TVB2623, manufactured by Kyocera Chemical Co.) and an amine-based curing agent (product name: TVB2624, manufactured by Kyocera Chemical Co., Ltd.) as a curing agent are massed. The resin composition was obtained by mixing at a ratio of 2: 1.
その後、被覆が行われた発光体と樹脂組成物とを混合して試験材料を製造した。発光体の含有量は、エポキシ化合物および硬化剤からなる誘電体と発光体との合計中、０．８体積％となるようにした。また、混合としては、自転・公転ミキサー（シンキー社製、商品名：ＡＲ−２５０）を用いて、２０分間の混合を行った後、１０秒間の脱泡を行った。 Thereafter, the light-emitting body on which the coating was performed and the resin composition were mixed to produce a test material. The content of the illuminant was 0.8% by volume in the total of the dielectric and the illuminant composed of the epoxy compound and the curing agent. Moreover, as mixing, after carrying out mixing for 20 minutes using the autorotation / revolution mixer (Sinky company make, brand name: AR-250), defoaming for 10 seconds was performed.
次に、実施例４〜６の試験材料を厚さ２ｍｍの板状に硬化させて試験片とした。
なお、実施例５の試験片については、発光体と誘電体との間に、３−アミノプロピルトリエトキシシランからなり、発光体および誘電体に結合する結合層が形成されている。また、実施例６の試験片については、発光体と誘電体との間に、発光体側から順に（３−メルカプトプロピル）トリメトキシシランからなる第１の層および３−（２アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシランからなる第２の層を有し、発光体および誘電体に結合する結合層が形成されている。
Next, the test materials of Examples 4 to 6 were cured into a plate having a thickness of 2 mm to obtain test pieces.
In addition, about the test piece of Example 5, the coupling layer which consists of 3-aminopropyl triethoxysilane and couple | bonds with a light-emitting body and a dielectric material is formed between the light-emitting body and a dielectric material. For the test piece of Example 6, a first layer made of (3-mercaptopropyl) trimethoxysilane and 3- (2 aminoethylamino) propyl are arranged between the light emitter and the dielectric in order from the light emitter side. A second layer made of trimethoxysilane is formed, and a bonding layer bonded to the light emitter and the dielectric is formed.
これらの試験片について、切断後、この切断面にＡｒイオン加工を行った。Ａｒイオン加工には、日本電子社製のクロスセクションポリッシャ（ＩＢ−０９０２０）を用いた。その後、Ａｒイオン加工が行われた切断面についてＳＥＭ観察を行った。 About these test pieces, Ar ion processing was performed on this cut surface after cutting. A cross section polisher (IB-09020) manufactured by JEOL Ltd. was used for Ar ion processing. Then, SEM observation was performed about the cut surface in which Ar ion processing was performed.
観察像は、発光体と誘電体との二値画像とした。そして、この二値画像を用いて発光体の分散を求めた。発光体の分散は、二値画像上で発光体の重心間の二等分線によってできる面積分布によって評価した（ボロノイ分割法）。 The observation image was a binary image of a light emitter and a dielectric. And the dispersion | distribution of the light-emitting body was calculated | required using this binary image. The dispersion of the illuminant was evaluated by an area distribution formed by a bisector between the centroids of the illuminant on the binary image (Voronoi division method).
図６に、面積分布の変動係数（標準偏差／平均値）を示す。変動係数は、ばらつきの指標となるものであり、その値が小さいほど分散性が高いことを表す。結合層を有する実施例５、６の試験片については、結合層を有しない実施例４の試験片に比べて変動係数が小さく、分散性に優れることがわかる。 FIG. 6 shows the coefficient of variation (standard deviation / average value) of the area distribution. The coefficient of variation is an index of variation, and the smaller the value, the higher the dispersibility. About the test piece of Example 5 and 6 which has a coupling layer, it turns out that a coefficient of variation is small compared with the test piece of Example 4 which does not have a coupling layer, and it is excellent in a dispersibility.
ここで、実施例５の試験片については、酸素原子を有する発光体に形成されるヒドロキシル基と結合層用化合物のアルコキシル基とが反応することにより、アミノ基が外側となるように発光体に結合層用化合物が結合している。また、この結合層用化合物のアミノ基が誘電体を構成するエポキシ樹脂と反応して結合している。このようにして発光体と誘電体との間にこれらに結合する結合層が形成されることにより、発光体どうしの間に誘電体が入り込みやすくなり、発光体の分散性が向上していると考えられる。 Here, for the test piece of Example 5, the hydroxyl group formed on the phosphor having an oxygen atom reacts with the alkoxyl group of the compound for the bonding layer so that the amino group is on the outer side. The bonding layer compound is bonded. In addition, the amino group of the bonding layer compound reacts and bonds with the epoxy resin constituting the dielectric. In this way, the formation of a bonding layer that couples between the illuminant and the dielectric facilitates the entry of the dielectric between the illuminants and improves the dispersibility of the illuminant. Conceivable.
実施例６の試験片については、発光体の硫黄原子と第１の層用化合物のメルカプト基とが反応することにより、アルコキシル基が外側となるように発光体に第１の層用化合物が結合している。また、第１の層用化合物のアルコキシル基と第２の層用化合物のアルコキシル基とが反応することにより、アミノ基が外側となるように第１の層用化合物に第２の層用化合物が結合している。さらに、この第２の層用化合物のアミノ基が誘電体を構成するエポキシ樹脂と反応して結合している。 For the test piece of Example 6, the first layer compound is bonded to the phosphor so that the alkoxyl group is on the outside by the reaction of the sulfur atom of the phosphor with the mercapto group of the first layer compound. doing. Further, the second layer compound is added to the first layer compound so that the amino group is on the outside by the reaction between the alkoxyl group of the first layer compound and the alkoxyl group of the second layer compound. Are connected. Further, the amino group of the second layer compound reacts with and bonds with the epoxy resin constituting the dielectric.
このようにして発光体と誘電体との間にこれらに結合する結合層が形成されることにより、発光体どうしの間にエポキシ樹脂からなる誘電体が入り込みやすくなり、発光体の分散性が向上していると考えられる。特に、実施例６の試験片については、発光体を構成する硫黄原子との結合を利用することから、実施例５の試験片に比べて、発光体の分散性が向上していると考えられる。 By forming a bonding layer that bonds to the phosphor and the dielectric in this manner, it becomes easier for the dielectric made of epoxy resin to enter between the phosphors, and the dispersibility of the phosphor is improved. it seems to do. In particular, with respect to the test piece of Example 6, it is considered that the dispersibility of the light emitter is improved as compared with the test piece of Example 5 because the bond with the sulfur atom constituting the light emitter is used. .
次に、実施例４、５の試験材料について、既出の方法により絶縁破壊時間を測定した。図７に、このようにして測定された絶縁破壊時間の結果を示す。なお、図７では、測定された絶縁破壊時間をワイブルプロット整理したときに得られる１％破壊確率での信頼区間９５％の下限値を比較した。また、図７では、実施例４の試験材料の結果を基準にして示した。 Next, the dielectric breakdown time of the test materials of Examples 4 and 5 was measured by the above-described method. FIG. 7 shows the result of the dielectric breakdown time measured in this way. In FIG. 7, the lower limit value of the 95% confidence interval at the 1% breakdown probability obtained when the measured breakdown times are arranged in the Weibull plot is compared. Moreover, in FIG. 7, it showed on the basis of the result of the test material of Example 4. FIG.
図７に示されるように、実施例５の試験材料については、実施例４の試験材料に比べて、絶縁破壊時間が長くなることがわかる。 As shown in FIG. 7, it can be seen that the dielectric breakdown time of the test material of Example 5 is longer than that of the test material of Example 4.
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
１０…電気絶縁体、１１…誘電体、１２…発光体、１３…結合層、１４…第１の層、１５…第２の層、１６…結合層、３０…試験片、３１…スライドガラス、３２，３３…スペーサ、３４…接地電極、３５…対向電極、３６…試験材料、３７…カバーガラス、４０…測定装置、４１…マイクロスコープ、４２…制御装置。
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記誘電体中に分散され、外部からのエネルギーを受けて発光する発光体と、
を含有することを特徴とする電気絶縁体。 A dielectric,
A phosphor that is dispersed in the dielectric and emits light by receiving external energy;
An electrical insulator comprising:
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015024084 | 2015-02-10 | ||
| JP2015024084 | 2015-02-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016148016A true JP2016148016A (en) | 2016-08-18 |
| JP6585438B2 JP6585438B2 (en) | 2019-10-02 |
Family
ID=56691066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015177376A Expired - Fee Related JP6585438B2 (en) | 2015-02-10 | 2015-09-09 | Electrical insulators and high voltage equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6585438B2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003526202A (en) * | 2000-02-22 | 2003-09-02 | ピーピージー インダストリーズ オハイオ， インコーポレイテッド | Electronic support and method and apparatus for forming openings in electronic support |
| JP2012199089A (en) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Kuraray Co Ltd | Dispersion type inorganic el element and method for manufacturing the same |
| JP2014179417A (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Hitachi Chemical Co Ltd | Evaluation method of wavelength conversion material for solar battery use, and wavelength conversion material for solar battery use |
-
2015
- 2015-09-09 JP JP2015177376A patent/JP6585438B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6585438B2 (en) | 2019-10-02 |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
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