JP2016143742A - 波長変換部材、発光装置、および波長変換部材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】波長変換部材(1)において、シリカガラス(10)の内部には、酸窒化物または窒化物の蛍光体を含んだ複数の蛍光体粒子(11)が分散されている。複数の蛍光体粒子(11)の内には、第1ピーク波長を有する蛍光を発する第1蛍光体粒子(11a)と、第2ピーク波長を有する蛍光を発する第2蛍光体粒子(11b)との少なくとも2種類の蛍光体粒子が含まれている。波長変換部材(1)の密度は、0.8g/cm3以上かつ1.2g/cm3以下である。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態1について、図1〜図5、および図10に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図1は、波長変換部材1の概略的な構造を示す図である。波長変換部材1は、シリカガラス10および蛍光体粒子11を含んでいる。なお、後述するように、波長変換部材1は、シリカガラス10の内部に、窒化物または酸窒化物の蛍光体を含んだ複数の蛍光体粒子11をほぼ均一に分散させることによって製作される。
また、本実施形態では、波長変換部材1に含まれる蛍光体粒子11の含有率v(体積%)が以下の式(2)を満たすように、波長変換部材1が製作される。式(2)における含有率vの数値範囲の根拠についても、後に詳細に説明する。
より具体的には、波長変換部材1の製作時には、シリカガラス10の密度が、真密度である2.2g/cm3の半分程度の値である1g/cm3付近となるように制御され、かつ、波長変換部材1の内部に含まれる蛍光体粒子11の量(含有量)が適切に制御される。これにより、式(1)の密度dと式(2)の含有率vとが実現される。
本実施形態の波長変換部材1は、ゾルゲル法によって製作されてよい。図2は、波長変換部材1をゾルゲル法によって製作する場合の各工程S1〜S7の流れを示す図である。以下、図2を参照し、ゾルゲル法の各工程について説明する。
図2に示されるように、シリカガラスの焼成温度を400℃以上かつ800℃以下としたゾルゲル法によって、波長変換部材1中のシリカガラス10が形成される。
後述の実施例1〜4に示されるように、本実施形態の波長変換部材1には、1種類または2種類以上の蛍光体粒子11が含まれていてよい。但し、光の色の設計自由度を高めるために、波長変換部材1には、2種類以上の蛍光体粒子11が含まれることが好ましい。
(βSiAlON蛍光体):Eu賦活βSiAlON、Ce賦活βSiAlON等、
(CASN系蛍光体) :Eu賦活CaAlSiN3、Eu賦活(Sr,Ca)AlSiN3、Ce腑活CALSON、Ce賦活CaAlSiN3等、
(その他の蛍光体) :Ce賦活JEM蛍光体、Eu賦活(Ca,Ba,Sr)2Si5N8蛍光体、Ce賦活La3Si6N11蛍光体、Mn賦活γ−AlON蛍光体等の従来公知のもの。
0.1≦v≦3 …(3)
を満たすことがさらに好ましい。
図3は、波長変換部材1を備えた発光装置100の構成を示す断面図である。発光装置100は、波長変換部材1と半導体発光素子23(励起光源)とを組み合わせて構成されている。以下、図3を参照し、発光装置100の構成について説明する。
以下、蛍光体粒子11の各製造例である製造例1〜3について説明する。
製造例1は、組成式Si6−zAlzOzN8−zにおいてz=0.06であるβSiAlON蛍光体にEuが0.10at.%賦活された、Eu賦活βSiAlON蛍光体の粒子を得ることを目的とした製造工程である。
製造例2は、組成式Ca0.992Eu0.008SiAlN3として表されるEu賦活CaAlSiN3蛍光体の粒子を得ることを目的とした製造工程である。
製造例3は、組成式組成式(Cax,Euy)(Si12−(m+n)Alm+n)(OnN16−n)において、x=1.8、y=0.075、m=3.75、n=0.05であるEu賦活αSiAlON蛍光体の粒子を得ることを目的とした製造工程である。
以下、波長変換部材1の各製造例としての実施例1〜4について説明する。また、実施例1〜3の比較例としての比較例1〜3についても説明する。なお、図10には、各実施例および各比較例に係る波長変換部材における評価結果のデータが、表として示されている。
本実施形態の波長変換部材によって実現される1つの効果は、励起光変換効率が向上することである。以下、この効果について説明するために、実施例1〜2および比較例1〜2について、はじめに述べる。
実施例1では、焼成温度600℃のシリカガラスに、5wt.%のEu賦活βSiAlON蛍光体粒子を分散させて、波長変換部材が製造される。具体的な製造工程は、以下の通りである。
比較例1では、焼成温度1050℃のシリカガラスに、5wt.%のEu賦活βSiAlON蛍光体粒子を分散させて、波長変換部材が製造される。
実施例2では、焼成温度400℃のシリカガラスに、5wt.%のEu賦活CaAlSiN3蛍光体粒子を分散させて、波長変換部材が製造される。
比較例2では、焼成温度1050℃のシリカガラスに、5wt.%のEu賦活CaAlSiN3蛍光体粒子を分散させて、波長変換部材が製造される。
続いて、分光放射輝度計(大塚電子株式会社製:MCPD−7000)と積分球とを組み合わせた測定系を用いて、実施例1〜2および比較例1〜2の波長変換部材の評価を行った。
本実施形態の波長変換部材によって実現されるもう1つの効果は、波長変換部材から発せられる光の色の設計自由度を高めることである。以下、この効果を実現するための構成である実施例3〜4について述べる。また、実施例3〜4の比較例である比較例3についても述べる。
実施例3では、焼成温度600℃のシリカガラスに、(i)3.5wt.%のEu賦活βSiAlON蛍光体粒子と、(ii)3.5wt.%のEu賦活αSiAlON蛍光体粒子とを分散させて、波長変換部材が製造される。
実施例4では、焼成温度400℃のシリカガラスに、(i)5.6wt.%のEu賦活βSiAlON蛍光体粒子と、(ii)1.4wt.%のEu賦活CaAlSiN3蛍光体粒子とを分散させて、波長変換部材が製造される。
比較例3では、(i)Eu賦活βSiAlON蛍光体粒子と、(ii)Eu賦活αSiAlON蛍光体粒子とを、シリカガラスの薄膜中に分散させて、波長変換部材が製造される。具体的な製造工程は、以下の通りである。
以上のように、波長変換部材1の密度d(g/cm3)が上述の式(1)を満たすように、波長変換部材1を製作することにより、波長変換部材1の励起光変換効率を十分に向上させることが可能となる。
本発明の他の実施形態について、図3、図6〜図7、および図11に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
実施例5では、上述の実施例3において得られた波長変換部材を波長変換部材1として適用し、発光装置100を製作した。
比較例4では、上述の比較例3において得られた波長変換部材を波長変換部材1として適用した点以外は、実施例5と同様にして発光装置100を製作した。そして、実施例5と同様に、発光装置100から発せられる照明光の発光スペクトルを測定した。
以上のように、実施例5の発光装置では、比較例4の発光装置に比べて、特に高い照明光の光束を得ることができた。なお、実施例5の発光装置において、演色性評価指数Raの値は、比較例4の発光装置とほぼ同程度であった。
本発明の他の実施形態について、図8および図11に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
実施例6では、上述の実施例4において得られた波長変換部材を波長変換部材1として適用した点以外は、実施例5と同様にして発光装置100を製作した。そして、実施例5と同様に、発光装置100から発せられる照明光の発光スペクトルを測定した。
以上のように、実施例6の発光装置では、比較例4の発光装置に比べて、特に高い演色性評価指数Raの値を得ることができた。なお、実施例6の発光装置において、光束の値は、比較例4の発光装置とほぼ同程度であった。
本発明の他の実施形態について、図9に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
上述の実施形態1(特に、実施例3および4)では、波長変換部材に、それぞれ異なる色の蛍光を発する2種類の蛍光体粒子が含まれる構成が例示されていた。
本発明の態様1に係る波長変換部材(1)は、シリカガラス(10)の内部に、酸窒化物または窒化物の蛍光体を含んだ複数の蛍光体粒子(11)が分散された波長変換部材であって、上記複数の蛍光体粒子の内には、励起光(26)を受けて第1ピーク波長を有する蛍光(27)を発する第1蛍光体粒子(11a)と、上記励起光を受けて上記第1ピーク波長とは異なる第2ピーク波長を有する蛍光を発する第2蛍光体粒子(11b)と、の少なくとも2種類の蛍光体粒子が含まれており、上記波長変換部材の密度(d)は、0.8g/cm3以上かつ1.2g/cm3以下である。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
10 シリカガラス
11 蛍光体粒子
11a 第1蛍光体粒子
11b 第2蛍光体粒子
23 半導体発光素子(励起光源)
26 励起光
27 蛍光
100 発光装置
d 波長変換部材の密度
v 波長変換部材における蛍光体粒子の含有率
Claims (12)
- シリカガラスの内部に、酸窒化物または窒化物の蛍光体を含んだ複数の蛍光体粒子が分散された波長変換部材であって、
上記複数の蛍光体粒子の内には、
励起光を受けて第1ピーク波長を有する蛍光を発する第1蛍光体粒子と、
上記励起光を受けて上記第1ピーク波長とは異なる第2ピーク波長を有する蛍光を発する第2蛍光体粒子と、の少なくとも2種類の蛍光体粒子が含まれており、
上記波長変換部材の密度は、0.8g/cm3以上かつ1.2g/cm3以下であることを特徴とする波長変換部材。 - 上記波長変換部材における上記蛍光体粒子の含有率は、0.1体積%以上かつ10体積%以下であることを特徴とする請求項1に記載の波長変換部材。
- 上記波長変換部材における上記蛍光体粒子の含有率は、0.1体積%以上かつ3体積%以下であることを特徴とする請求項2に記載の波長変換部材。
- 350nm以上かつ800nm以下の光の波長範囲において、厚さ1mm以上の上記シリカガラスにおける表面反射損失を含む光透過率が90%以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の波長変換部材。
- 上記蛍光体粒子は、βSiAlON蛍光体、αSiAlON蛍光体、またはCASN系蛍光体の少なくともいずれかの蛍光体を含んでいることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の波長変換部材。
- 上記蛍光体粒子の粒径は、1μm以上かつ30μm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の波長変換部材。
- 上記蛍光体粒子の粒径は、5μm以上かつ20μm以下であることを特徴とする請求項6に記載の波長変換部材。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の波長変換部材と、
上記励起光を上記波長変換部材に照射する励起光源と、を備えていることを特徴とする発光装置。 - 上記励起光のピーク波長は、350nm以上かつ480nm以下であることを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
- 上記励起光のピーク波長は、440nm以上かつ460nm以下であることを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
- 上記波長変換部材に照射される上記励起光の単位面積あたりの光強度は、0.5W/mm2以下であることを特徴とする請求項8から10のいずれか1項に記載の発光装置。
- シリカガラスの内部に、酸窒化物蛍光体または窒化物蛍光体から成る複数の蛍光体粒子が分散された波長変換部材の製造方法であって、
励起光を受けて第1ピーク波長を有する蛍光を発する第1蛍光体粒子と、
上記励起光を受けて上記第1ピーク波長とは異なる第2ピーク波長を有する蛍光を発する第2蛍光体粒子と、の少なくとも2種類の蛍光体粒子を、上記シリカガラスの内部に分散させる工程を含んでおり、
上記波長変換部材は、0.8g/cm3以上かつ1.2g/cm3以下の密度を有するように形成されることを特徴とする波長変換部材の製造方法。
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