JP2016122751A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される多層反射膜付き基板であって、
   前記多層反射膜付き基板が、マスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の表面に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを備え、
   前記多層反射膜の外周領域に改質領域を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
2. 前記多層反射膜が、高屈折率材料からなる高屈折率層と、低屈折率材料からなる低屈折率層との積層膜からなり、
   前記改質領域が、前記高屈折率材料と、前記低屈折率材料とを含む化合物であることを特徴とする請求項１に記載の多層反射膜付き基板。
3. 前記改質領域は、前記多層反射膜の外周領域の端部から１〜２０ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
4. 前記多層反射膜の表面に保護膜を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の多層反射膜付き基板。
5. 請求項１乃至４の何れか一項に記載の多層反射膜付き基板の前記多層反射膜又は前記保護膜の表面に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜を有することを特徴とする反射型マスクブランク。
6. 前記吸収体膜上にエッチングマスク膜を有することを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランク。
7. 前記多層反射膜上の吸収体膜の外周領域、多層反射膜上の保護膜及び吸収体膜の外周領域、又は多層反射膜上の保護膜、吸収体膜及びエッチングマスク膜の外周領域に、改質領域を有することを特徴とする請求項５又は６に記載の反射型マスクブランク。
8. 請求項５乃至７の何れか一項に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングして、前記多層反射膜の表面に吸収体パターンを有することを特徴とする反射型マスク。
9. ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される多層反射膜付き基板の製造方法であって、
   前記多層反射膜付き基板が、マスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の表面に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを備え、
   製造方法が、前記多層反射膜の外周領域に改質領域を形成することを含むことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
10. 前記多層反射膜が、高屈折率材料からなる高屈折率層と、低屈折率材料からなる低屈折率層との積層膜からなり、
    前記多層反射膜の前記改質領域が、前記高屈折率材料と、前記低屈折率材料とを含む化合物であることを特徴とする請求項９に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
11. 前記多層反射膜の外周領域にレーザ光を照射することによって、前記改質領域を形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
12. 前記多層反射膜の表面に保護膜を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項９乃至１１の何れか一項に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
13. マスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の表面上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜の表面に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とを備えた反射型マスクブランクの製造方法であって、
    製造方法が、前記多層反射膜及び前記吸収体膜の外周領域にレーザ光を照射することによって、前記多層反射膜の外周領域に改質領域を形成することを含むことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
14. 前記吸収体膜の外周領域に改質領域を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
15. 請求項８に記載の反射型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィプロセスを行い、被転写体に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。