JP2016122487A - Polishing liquid composition for glass hard disk substrate - Google Patents

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大樹 多久島
Daiki Takushima
大樹 多久島
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花王株式会社
Kao Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass hard disk substrate polishing liquid composition which, when used in a glass hard disk substrate manufacturing method including steps of polishing a glass substrate with an acidic polishing liquid and cleaning the glass substrate, minimizes deterioration of surface roughness of the glass substrate in the cleaning step while maintaining polishing speed in the polishing step.SOLUTION: A polishing liquid composition contains at least one ingredient selected from a group comprising silica particles, an acid, a compound represented by a formula (I) below and a salt thereof, as well as water. In the formula (I), X and Y are independently selected from a group comprising a hydrogen atom, hydrocarbon group having a carbon atom number of 1-4, inclusive, hydroxyl group, sulfonic acid group, carboxyl group, nitro group, and halogen group, and Z is selected from a group comprising a hydrogen atom, hydroxyl group, and carboxyl group.SELECTED DRAWING: None

Description

本開示は、ガラスハードディスク基板用研磨液組成物、ガラスハードディスク基板の製造方法、及び、ガラス基板の研磨方法に関する。 The present disclosure, the polishing liquid composition for glass hard disk substrate, a manufacturing method of a glass hard disk substrate, and to a method of polishing a glass substrate.

ハードディスクドライブに搭載されるハードディスクは高速で回転するため消費電力が高く、近年では環境への配慮から、低消費電力化が求められている。 Hard disk mounted in the hard disk drive has a high power consumption for rotating at high speed, in recent years due to environmental considerations, and low power consumption is demanded. 消費電力を低減するためには、ハードディスク1枚あたりの記録容量を増大させ、ドライブに搭載されるハードディスクの枚数を減らし、軽量化する方法がある。 To reduce power consumption, increase the recording capacity per one hard disk, reducing the number of hard disk mounted in the drive, there is a method of weight. 基板1枚の重量を軽量化するためには、基板の厚さを薄くする必要があり、この観点から、アルミ基板に比べて機械的強度が高いガラス基板の需要が高まり、近年の伸張は著しい。 To reduce the weight of a single substrate, it is necessary to reduce the thickness of the substrate, this point of view, increases the mechanical strength of high glass substrate demand compared to the aluminum substrate, the significant recent extension . また、基板1枚あたりの記録容量を向上させるためには、単位記録面積を縮小する必要がある。 In order to improve the recording capacity per one substrate, it is necessary to reduce the unit recording area. しかし、単位記録面積を縮小すると磁気信号が弱くなる問題が発生する。 However, the problem of magnetic signal becomes weaker to reduce the unit recording area is generated. そこで磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。 Therefore in order to improve the detection sensitivity of the magnetic signal, technology development to lower the flying height of the magnetic head has been developed. ガラスハードディスク基板の研磨においては、この磁気ヘッドの低浮上化に対応するため、表面粗さや残留物の低減に対する要求が厳しくなっている。 In the polishing of glass hard disk substrate, in order to cope with the low flying height of the magnetic head, a request for reduction of the surface roughness and the residue is becoming stricter. このような要求に対し、酸性の研磨液組成物でガラス基板を研磨する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 For such demand, a technique for polishing a glass substrate with a polishing composition of the acidic have been proposed (e.g., see Patent Document 1).

酸性の研磨液組成物でガラス基板を研磨する方法は、研磨中にガラス基板に含有されるアルカリイオンが溶出するリーチング作用が起こり、基板表面の硬度が低下して研磨速度が向上するという利点がある。 Method of polishing a glass substrate with a polishing composition of the acidic occurs leaching effect of alkaline ions contained in the glass substrate is eluted into the polishing, the advantage that the hardness of the substrate surface is improved polishing rate decreases is there. しかしながら、酸性の研磨液組成物でガラス基板を研磨する方法は、pHが低いとリーチング作用が大きく働くため、脆いリーチング層が深くまで生成し、研磨工程後のアルカリ洗浄工程におけるアルカリエッチングにより表面粗さが著しく悪化するという問題があった。 However, a method of polishing a glass substrate with a polishing composition of the acidic, since the leaching effect of pH is less acts large, fragile leaching layer is produced deep, the surface roughness by alkali etching in the alkali-washing step after the polishing step is there has been a problem that significantly worse.

一方で、銅の金属配線を備える基板のCMP工程においては、キノリン構造を有する化合物を含む研磨液組成物が開示されている(特許文献2〜5参照)。 On the other hand, in the CMP process of the substrate having a metal wiring of copper polishing composition comprising a compound having a quinoline structure is disclosed (see Patent Documents 2-5).

特開2005−138197号公報 JP 2005-138197 JP 特開2005−026606号公報 JP 2005-026606 JP 特開2009−295747号公報 JP 2009-295747 JP 特開2013−042123号公報 JP 2013-042123 JP 特開2014−041850号公報 JP 2014-041850 JP

本開示は、一又は複数の実施形態において、ガラス基板を酸性研磨液で研磨する工程と洗浄する工程を有するガラスハードディスク基板の製造方法において、研磨工程の研磨速度を維持したまま、洗浄工程におけるガラス基板の表面粗さの悪化を抑制できるガラスハードディスク基板用研磨液組成物を提供する。 The present disclosure, in one or more embodiments, the process for producing a glass hard disk substrate comprising a step of cleaning and polishing the glass substrate with an acidic polishing liquid, while maintaining the polishing rate of the polishing step, the glass in the washing process to provide a glass hard disk substrate for a polishing composition capable of suppressing the deterioration of the surface roughness of the substrate.

本開示は、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子、酸、下記式(I)で表される化合物及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である成分(A)、及び水を含有するガラスハードディスク基板用研磨液組成物(以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう)に関する。 The present disclosure, containing in one or more embodiments, the silica particles, the acid component is at least one selected from the group consisting of compounds and their salts represented by the following formula (I) (A), and water glass hard disk substrate polishing liquid composition (hereinafter, also referred to as "polishing composition of the present disclosure") relates.
[式(I)において、X及びYは、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1以上4以下の炭化水素基、水酸基、スルホン酸基、カルボキシ基、ニトロ基、及びハロゲンからなる群から選らばれ、Zは、水素原子、水酸基、及びカルボキシ基からなる群から選ばれる。 [In the formula (I), X and Y are each independently a hydrogen atom, 1 or more carbon atoms having 4 or less of the hydrocarbon group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a carboxy group, a nitro group, and from the group consisting of halogen depending Barre, Z is hydrogen atom, selected from the group consisting of hydroxyl, and carboxy groups. ]

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を使用して被研磨ガラス基板を研磨する工程を含むガラスハードディスク基板の製造方法及び同工程を含むガラス基板の研磨方法に関する。 The present disclosure, in other one or more embodiments, polishing of the glass substrate including the manufacturing method and the same step of the glass hard disk substrate comprising a step of polishing the glass substrate by using the polishing composition of the present disclosure a method for.

本開示によれば、一又は複数の実施形態において、研磨工程において研磨速度を維持しつつ、洗浄工程においてガラス基板の表面粗さの悪化を効果的に抑制できる。 According to the present disclosure, in one or more embodiments, while maintaining the polishing rate in the polishing step, it can be effectively suppressed deterioration of the surface roughness of the glass substrate in the cleaning step. 本開示のその他の一又は複数の実施形態においては、研磨工程において研磨速度を維持しつつ、洗浄工程においてガラス基板の表面粗さの悪化を効果的に抑制できる。 In other one or more embodiments of the present disclosure, while maintaining a polishing rate in the polishing step, it can be effectively suppressed deterioration of the surface roughness of the glass substrate in the cleaning step.

本開示は、一又は複数に実施形態において、ガラス基板を酸性研磨液で研磨した後にアルカリ洗浄をした場合であっても、前記研磨液に式(I)で表される化合物が含まれていると、前記研磨液による研磨速度を維持しつつ、洗浄によるガラス基板の表面粗さの悪化を抑制できる。 The present disclosure, in embodiments one or more, even when the alkali cleaning after polishing the glass substrate with an acidic polishing liquid contains a compound represented by the formula (I) in the polishing liquid If, while maintaining the polishing rate by the polishing liquid, it can suppress deterioration of the surface roughness of the glass substrate by washing.

本開示の研磨液組成物により、研磨工程で研磨速度が維持され、かつ、洗浄によるガラス基板の表面粗さの悪化が抑制される理由の詳細は明らかではないが、以下のように推定される。 The polishing composition of the present disclosure, the polishing rate in the polishing step is maintained, and, Although the detailed reason why the deterioration of the surface roughness of the glass substrate is suppressed by cleaning, is estimated as follows . すなわち、研磨時に研磨液組成物中の式(I)で表される化合物がガラス基板表層に膜を形成してリーチング作用を抑制し、表面粗さの悪化が抑制されると推定される。 That is, the compound of formula (I) of the polishing composition may form a film on the glass substrate surface to suppress the leaching effect, deterioration of the surface roughness is estimated to be suppressed during polishing. 但し、本開示は、これらのメカニズムに限定されて解釈されなくてもよい。 However, the present disclosure may not be construed as being limited to these mechanisms.

[成分(A)] [Component (A)]
本開示に係る研磨液組成物は、研磨速度を維持しつつ表面粗さ悪化を抑制する観点から、下記式(I)で表される化合物及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である成分(A)を含有する。 Polishing composition according to the present disclosure, the polishing rate of the surface roughness deteriorates from the viewpoint of suppressing while maintaining, at least one selected from the group consisting of compounds and their salts represented by the following formula (I) containing component (a).

上記式(I)において、X及びYは、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1以上4以下の炭化水素基、水酸基、スルホン酸基、カルボキシ基、ニトロ基、及びハロゲンからなる群から選ばれる。 In the above formula (I), X and Y are each independently a hydrogen atom, 1 or more carbon atoms having 4 or less of the hydrocarbon group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a carboxy group, a nitro group, and from the group consisting of halogen To be elected. 炭素原子数1以上4以下の炭化水素基としては、一又は複数の実施形態において、炭素原子数1以上4以下、1以上3以下、1以上2以下、又は1のアルキル基が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, in one or more embodiments, 1 to 4 carbon atoms, 1 to 3, 1 to 2, or 1 alkyl group. ハロゲンとしては、一又は複数の実施形態において、フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素が挙げられる。 The halogen, in one or more embodiments, fluorine, chlorine, bromine, or iodine. X及びYは、一又は複数の実施形態において、研磨速度を維持しつつ表面粗さ悪化を抑制する観点から、水素が好ましい。 X and Y are, in one or more embodiments, the surface roughness deteriorates from the viewpoint of suppressing while maintaining a polishing rate, hydrogen is preferred.

上記式(I)において、Zは、水素原子、水酸基、及びカルボキシ基からなる群から選ばれる。 In the above formula (I), Z is a hydrogen atom, selected from the group consisting of hydroxyl, and carboxy groups. Zは、一又は複数の実施形態において、研磨速度を維持しつつ表面粗さ悪化を抑制する観点から、キノリン環の窒素原子とともにガラスから溶出するアルミニウムイオン、ナトリウムなどの第1族元素、及びCa、Mgなどの第2族元素金属をキレートできるものであることが好ましい。 Z, in one or more embodiments, alkali metal from the viewpoint of suppressing surface roughness worsened while maintaining a polishing rate, the aluminum ions eluted from the glass together with the nitrogen atom of the quinoline ring, such as sodium, and Ca it is preferable that it can chelate the second group element metal such as Mg. また、研磨後の洗浄性の観点から、Zは、水酸基又はカルボキシル基がより好ましい。 From the viewpoint of the cleaning property after polishing, Z is a hydroxyl group or a carboxyl group is more preferable.

上記式(I)で表される化合物は、一又は複数の実施形態において、研磨速度を維持しつつ表面粗さ悪化を抑制する観点から、好ましくは8−ヒドロキシキノリン、8−キノリンカルボン酸、2−メチル−8−ヒドロキシキノリンであり、より好ましくは8−ヒドロキシキノリン及び8−キノリンカルボン酸であり、更に好ましくは8−ヒドロキシキノリンである。 The compound represented by formula (I), in one or more embodiments, the surface roughness deteriorates from the viewpoint of suppressing while maintaining a polishing rate, preferably 8-hydroxyquinoline, 8-quinolinecarboxylic acid, 2 - methyl-8-hydroxyquinoline, more preferably 8-hydroxyquinoline and 8-quinolinecarboxylic acid, more preferably from 8-hydroxyquinoline.

成分(A)は塩の形態であってもよい。 Component (A) may be in the form of a salt. 塩を形成させるための対イオンは、特に限定されないが、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン等から選ばれる1種以上を用いることができる。 Counterion for forming the salt is not particularly limited, it is possible to use sodium, alkali metal ions such as potassium, ammonium ions, one or more selected from alkylammonium ion.

本開示の研磨液組成物における成分(A)の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度を維持しつつ表面粗さ悪化を抑制する観点から、好ましくは10ppm以上、より好ましくは50ppm以上、さらに好ましくは100ppm以上である。 The content of the component (A) in the polishing composition of the present disclosure, one or a plurality of embodiments, the polishing rate of the surface roughness deteriorates from the viewpoint of suppressing while maintaining, preferably 10ppm or more, more preferably 50ppm or more, still more preferably 100ppm or more. また、その含有量は、同様の観点から、好ましくは500ppm以下が好ましく、より好ましくは300ppm以下である。 Further, the content thereof, from the same viewpoint, it is preferably preferably 500ppm or less, more preferably 300ppm or less. また、その含有量は、同様の観点から、好ましくは10ppm以上500ppm以下が好ましく、より好ましくは50ppm以上300ppm以下、さらに好ましくは100ppm以上300ppm以下である。 Further, the content thereof, from the same viewpoint, preferably preferably 10ppm or 500ppm or less, more preferably 50ppm or more 300ppm or less, more preferably 100ppm or more 300ppm or less. なお、本開示において「研磨液組成物中における含有成分の含有量」とは、研磨液組成物を研磨に使用する時点での前記成分の含有量をいう(以下同じ)。 In the present disclosure as "content-containing component in the polishing composition" refers to the content of the components at the time of using the polishing composition to the polishing (hereinafter the same). したがって、本開示の研磨液組成物が濃縮物として作製された場合には、前記成分の含有量はその濃縮分だけ高くなりうる。 Therefore, when the polishing composition of the present disclosure is prepared as a concentrate, the content of the component may be higher by a concentrate fraction. また、成分(A)は1種類であってもよく、複数種類であってもよい。 Further, component (A) may be one kind, or may be a plurality of types. 複数種類の場合は、上記含有量は、成分(A)の合計の含有量をいう。 If a plurality of types, the content refers to the total content of component (A).

[シリカ粒子] [Silica particles]
本開示の研磨液組成物は、研磨速度向上の観点から、シリカ粒子を研磨砥粒として含有することが好ましい。 The polishing composition of the present disclosure, from the viewpoint of improving the polishing rate, it is preferable to contain silica particles as abrasive grains. 本開示に使用されるシリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等のシリカが挙げられるが、一又は複数の実施形態において、研磨速度の維持及び洗浄後の表面粗さの悪化抑制の観点から、コロイダルシリカが好ましい。 The silica particles used in the present disclosure, colloidal silica, fumed silica, silica, such as surface-modified silica and the like, in one or more embodiments, the surface roughness after maintenance and cleaning of the polishing rate from the viewpoint of deterioration suppression, colloidal silica is preferred. また、シリカ粒子の使用形態としては、一又は複数の実施形態において、スラリー状であることが好ましい。 Further, as use forms of the silica particles, in one or more embodiments, it is preferable that the slurry.

前記コロイダルシリカは、一又は複数の実施形態において、珪酸ナトリウム等の珪酸アルカリ金属塩を原料とし、水溶液中で縮合反応させて粒子を成長させる水ガラス法で得られる。 The colloidal silica, in one or more embodiments, the alkali metal silicate such as sodium silicate as a raw material, obtained with a water glass method of growing particles by a condensation reaction in an aqueous solution. あるいは、前記コロイダルシリカは、テトラエトキシシラン等のアルコキシシランを原料とし、アルコール等の水溶性有機溶媒を含有する水溶液中で縮合反応させて成長させるアルコキシシラン法で得られる。 Alternatively, the colloidal silica, an alkoxysilane such as tetraethoxysilane as a raw material, obtained by alkoxysilane method for growing by condensation reaction in an aqueous solution containing a water-soluble organic solvent such as alcohol. また、前記ヒュームドシリカは、一又は複数の実施形態において、四塩化珪素等の揮発性珪素化合物を原料とし、酸素水素バーナーによる1000℃以上の高温下で加水分解させて成長させる気相法で得られる。 Also, the fumed silica, one or a plurality of embodiments, a volatile silicon compound such as silicon tetrachloride as raw materials at a high temperature of above 1000 ° C. with an oxygen-hydrogen burner in a gas phase process of growing by hydrolyzing can get.

シリカ粒子の一次粒子の平均粒子径は、一又は複数の実施形態において、研磨速度を維持しつつ表面粗さ悪化を抑制する観点から、5nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは7nm以上100nm以下、さらに好ましくは9nm以上80nm以下、さらにより好ましくは10nm以上50nm以下である。 The average particle diameter of primary particles of silica particles, in one or more embodiments, from the viewpoint of suppressing surface roughness worsened while maintaining the polishing rate is preferably 5nm or more 200nm or less, more preferably 7nm least 100nm or less, more preferably 9nm than 80nm or less, even more preferably 10nm or more 50nm or less. ここで、シリカ粒子の一次粒子の平均粒子径は、実施例に記載の方法により測定される。 Here, the average particle diameter of primary particles of the silica particles is measured by the method described in Examples.

研磨液組成物中におけるシリカ粒子の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度を維持しつつ表面粗さ悪化を抑制する観点から、好ましくは1質量%以上20質量%以下、より好ましくは2質量%以上19質量%以下、さらに好ましくは3質量%以上18質量%以下、さらにより好ましくは5質量%以上16質量%以下である。 The content of the silica particles in the polishing composition is one or a plurality of embodiments, from the viewpoint of suppressing surface roughness worsened while maintaining the polishing rate is preferably 20 mass% or more 1 wt% or less, more preferably 19 mass% or more than 2 mass%, more preferably 3 wt% to 18 wt% or less, even more preferably at most 5 mass% to 16 mass%.

[酸] [acid]
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨速度向上の観点から、酸を含有することが好ましい。 The polishing composition of the present disclosure, in one or more embodiments, from the viewpoint of improving the polishing rate, it is preferable to contain an acid. 使用される酸としては、無機酸及び有機酸の少なくとも一方が挙げられる。 As the acid to be used, at least one of inorganic and organic acids. 無機酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等が挙げられる。 Examples of the inorganic acid, nitric acid, sulfuric acid, sulfurous acid, persulfuric acid, hydrochloric acid, perchloric acid, phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, pyrophosphoric acid, tripolyphosphate, and amide sulfate. 有機酸としては、メタンジスルホン酸、エタンジスルホン酸、フェノールジスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の含硫黄有機酸、2−アミノエチルホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレンホスホン酸)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)、エタン−1,1,−ジホスホン酸、エタン−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1−ジホスホン酸、エタン−1−ヒドロキシ−1,1,2−トリホスホン酸、エタン−1,2−ジカルボキシ−1,2−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2−ホスホノブタン−1,2−ジカルボン酸、1−ホスホノブタン−2,3,4−トリカルボン酸、α− The organic acid, methanedisulfonic acid, ethanedisulfonic acid, phenol disulfonic acid, sulfur-containing organic acids such as naphthalene disulfonic acid, 2-aminoethyl phosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, amino tri (methylene phosphonic acid), ethylenediamine tetra (methylene phosphonic acid), diethylenetriamine penta (methylene phosphonic acid), ethane-1,1, - diphosphonic acid, ethane-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1 diphosphonic acid, ethane-1-hydroxy-1,1,2-triphosphonic acid, ethane-1,2-dicarboxy-1,2-diphosphonic acid, methane hydroxy diphosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2-dicarboxylic acid, 1-phosphonobutane-2,3,4-tricarboxylic acid, α- チルホスホノコハク酸等の含リン有機酸、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、フタル酸、ニトロトリ酢酸、ニトロ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸、グリコール酸等の分子内に水酸基を有する有機カルボン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸等が挙げられる。 Phosphorus-containing organic acids such as chill phosphono succinic acid, oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, phthalic acid, nitrilotriacetic acid, nitro acid, ethylenediaminetetraacetic acid, such as oxaloacetic carboxylic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, isocitric acid, organic carboxylic acid having a hydroxyl group in the molecule such as glycolic acid, glutamic acid, picolinic acid, and amino acids such as aspartic acid. 一方、基板製造における排水による水質汚染の基準であるCOD値低減の観点から、無機酸の使用が好ましく、リン酸、硫酸がより好ましい。 On the other hand, from the viewpoint of the COD value reduction is a measure of the water pollution due to waste water in the substrate preparation, use of inorganic acids are preferred, phosphoric acid, sulfuric acid and more preferred. また循環研磨における研磨液の耐久性向上の観点から、多価カルボン酸、分子内に水酸基を有する有機カルボン酸、含リン無機酸及び含リン有機酸から選ばれる一種以上が好ましく、多価カルボン酸、分子内に水酸基を有する有機カルボン酸、及び含リン有機酸から選ばれる一種以上がより好ましく、さらに好ましくは多価カルボン酸、分子内に水酸基を有する有機カルボン酸である。 From the viewpoint of durability of the polishing solution also in circulating grinding, polycarboxylic acids, organic carboxylic acids having a hydroxyl group in the molecule, preferably one or more kinds selected from phosphorus-containing inorganic acids and phosphorus-containing organic acid, polycarboxylic acid , organic carboxylic acids having a hydroxyl group in the molecule, and more preferably one or more kinds selected from phosphorus-containing organic acid, more preferably an organic carboxylic acid having a hydroxyl group polycarboxylic acid, in the molecule. 具体的には、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、グリコール酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、及びクエン酸から選ばれる一種以上が好ましく、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、グリコール酸、リンゴ酸、及びクエン酸から選ばれる一種以上がより好ましく、入手容易性も考慮すると、グリコール酸、リンゴ酸、及びクエン酸から選ばれる一種以上がさらに好ましい。 Specifically, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid, and is preferably at least one kind selected from citric acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid , glycolic acid, malic acid, and more preferably at least one kind selected from citric acid, considering also easy availability, glycolic acid, malic acid, and one or more is more preferably selected from citric acid. これらの化合物は単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。 These compounds may be used alone or may be used as a mixture.

前記酸は塩の形態であってもよい。 The acid may be in the form of a salt. これらの酸の塩を用いる場合、特に限定はなく、具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等との塩が挙げられる。 When using a salt of these acids is not particularly limited, specifically, an alkali metal, alkaline earth metal, ammonium, and salts with alkyl ammonium and the like. これらの中でも、研磨速度向上、粗さ低減の観点からアルカリ金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。 Among these, improving the polishing rate, a salt with an alkali metal or ammonium are preferable from the viewpoint of roughness reduction.

研磨液組成物における酸の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度向上の観点(及び循環研磨における耐久性向上の観点)から、0.05質量%以上が好ましく、より好ましくは0.1質量%以上、さらに好ましくは0.15質量%以上である。 The content of the acid in the polishing composition is, in one or more embodiments, from the viewpoint of increasing the polishing rate (and aspects of durability in circulating grinding), preferably at least 0.05 wt%, more preferably 0 .1% by weight or more, still more preferably not less than 0.15 mass%. また、前記酸の含有量は、研磨装置の腐食をさらに抑制できるため、10質量%以下が好ましく、より好ましくは7.5質量%以下、さらに好ましくは5.5質量%以下、さらにより好ましくは2質量%以下である。 The content of the acid, it is possible to further suppress the corrosion of the polishing apparatus, preferably 10 wt% or less, 7.5 wt% and more preferably less, more preferably 5.5 wt% or less, even more preferably it is 2 mass% or less. また、研磨液組成物における酸の含有量は、一又は複数の実施形態において、上述の観点から、0.05質量%以上10質量%以下が好ましく、より好ましくは0.1質量%以上7.5質量%以下、さらに好ましくは0.15質量%以上5.5質量%以下、さらにより好ましくは0.15質量%以上2質量%以下である。 The content of the acid in the polishing composition is, in one or more embodiments, in light of the above, preferably 0.05 mass% to 10 mass%, more preferably 0.1 mass% or more 7. 5 wt% or less, more preferably 0.15 mass% or more 5.5 wt% or less, even more preferably at most 2 mass% or more and 0.15 mass%. なお、上述の酸の含有量は、研磨液組成物中の酸が複数種類の場合、全ての酸の合計含有量を示す。 The content of the above acids, if acid polishing composition are a plurality of types, indicates the total amount of all acid.

[アミン化合物] [Amine compound]
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄後の表面粗さの低減の観点(循環研磨における耐久性向上の観点、)及び、ガラス基板の清浄性向上の観点から、アミン化合物を含有することが好ましく、多価アミン化合物を含有することがより好ましい。 The polishing composition of the present disclosure, in one or more embodiments, (in view of the durability in circulating polishing) reduction aspect of the surface roughness after washing and, in view of the increase detergency glass substrate, preferably contains an amine compound, and more preferably contains a polyvalent amine compound. なお、本開示において清浄性とは研磨工程において基板表面に残留する物質を除去する性能を指す。 Note that the cleanliness in the present disclosure refers to a performance of removing material remaining on the substrate surface in the polishing process. 研磨後に基板表面に残留する物質には、例えば砥粒、研磨中に発生する研磨クズ、研磨パッドのカス、ステンレスなどの研磨機に使用される部材などが挙げられる。 The material remaining on the substrate surface after polishing, for example grains, polishing debris generated during polishing, Kas polishing pad, such as members used in the polishing machine, such as stainless steel and the like.

本開示の研磨液組成物に使用される多価アミン化合物中に含まれる窒素原子の数は、研磨速度を維持する観点から、10個以下が好ましく、8個以下がより好ましく、6個以下がさらに好ましく、4個以下がさらにより好ましく、洗浄工程における表面粗さの悪化を抑制する観点から、2個以上である。 The number of nitrogen atoms contained in the polyamine compound used in the polishing composition of the present disclosure, from the viewpoint of maintaining the polishing rate is preferably 10 or less, more preferably 8 or less, 6 or less more preferably, 4 is even more preferably below the deterioration of the surface roughness from the viewpoint of suppressing the washing step, is two or more.

本開示の研磨液組成物に使用される多価アミン化合物中に含まれる窒素原子の数は、清浄性を向上する観点から、2個以上が好ましく、3個以上がより好ましい。 The number of nitrogen atoms contained in the polyamine compound used in the polishing composition of the present disclosure, from the viewpoint of improving the detergency, 2 or more are preferred, three or more is more preferable.

また、前記多価アミン化合物の分子量は、研磨速度を維持する観点から、500以下が好ましく、400以下がより好ましく、300以下がさらに好ましく、200以下がさらにより好ましく、洗浄工程における表面粗さの悪化を抑制し、さらに清浄性を向上させる観点から、40以上が好ましく、60以上がより好ましく、80以上がさらに好ましく、100以上がさらにより好ましい。 The molecular weight of the polyvalent amine compounds, from the viewpoint of maintaining the polishing rate is preferably 500 or less, more preferably 400 or less, more preferably 300 or less, still more preferably 200 or less, the surface roughness in the wash step worse suppression, further from the viewpoint of improving the detergency, preferably 40 or more, more preferably 60 or more, more preferably 80 or more, even more preferably 100 or more. したがって、研磨速度を維持し、洗浄工程における表面粗さの悪化を抑制し、さらに清浄性を向上させる観点から、好ましくは40以上500以下、より好ましくは60以上400以下、さらに好ましくは80以上300以下、さらにより好ましくは100以上200以下である。 Therefore, to maintain a polishing rate to suppress the deterioration of the surface roughness in the washing step, further in view of improving the detergency, preferably 40 or more and 500 or less, more preferably 60 to 400, more preferably 80 to 300 hereinafter, still more preferably 100 to 200. 研磨液組成物に含有される多価アミン化合物は、一種類でもよく、二種類以上でもよい。 Polyvalent amine compound contained in the polishing composition may be one kind, or in two or more kinds. また、前記多価アミン化合物は、塩の形態であってもよく、例えば、塩酸、硫酸、リン酸等の無機酸、有機酸等との塩、アニオン性界面活性剤との塩が挙げられる。 Further, the polyvalent amine compounds may be in the form of a salt, e.g., hydrochloric, sulfuric, inorganic acids such as phosphoric acid, a salt with an organic acid, and salts with anionic surfactants.

前記多価アミン化合物の具体例としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタアミン、ペンタエチレンヘキサアミン、2−[(2−アミノエチル)アミノ]エタノール(A−EA)、2−[メチル[2−(ジメチルアミノ)エチル]アミノ]エタノール、2,2′−(エチレンビスイミノ)ビスエタノール、N−(2−ヒドロキシエチル)−N′−(2−アミノエチル)エチレンジアミン、2,2′−(2−アミノエチルイミノ)ジエタノール、N1,N4−ビス(ヒドロキシエチル)ジエチレントリアミン、N1,N7−ビス(ヒドロキシエチル)ジエチレントリアミン、1,3−ジアミノ−2−プロパノール、ピペラジン、1−メチルピペラジン、3−(1−ピペラジニル)− Specific examples of the polyvalent amine compounds are ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylene tetramine, tetraethylene pentamine, pentaethylene hexamine, 2 - [(2-aminoethyl) amino] ethanol (A-EA), 2- [methyl [2- (dimethylamino) ethyl] amino] ethanol, 2,2 '- (ethylene bis-imino) bis ethanol, N-(2-hydroxyethyl) -N' - (2-aminoethyl) ethylenediamine, 2, 2 '- (2-amino ethyl imino) diethanol, N1, N4-bis (hydroxyethyl) diethylenetriamine, N1, N7-bis (hydroxyethyl) diethylenetriamine, 1,3-diamino-2-propanol, piperazine, 1-methylpiperazine , 3- (1-piperazinyl) - −プロパンアミン、1−(2−アミノエチル)ピペラジン、4−メチルピペラジン−1−アミン、1−ピペラジンメタンアミン、4−エチル−1−ピペラジンアミン、1−メチル−4−(2−アミノエチル)ピペラジン、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジンが挙げられるが、研磨速度を維持し、洗浄工程での表面粗さの悪化を抑制し、清浄性を向上させる観点から、2−[(2−アミノエチル)アミノ]エタノール、1−(2−アミノエチル)ピペラジン、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミンが好ましく、2−[(2−アミノエチル)アミノ]エタノール、1−(2−アミノエチル)ピペラジン、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン、ジエチレントリアミンがより好 - propanamine, 1- (2-aminoethyl) piperazine, 4-methylpiperazine-1-amine, 1-piperazine methanamine, 4-ethyl-1-piperazine amine, 1-methyl-4- (2-aminoethyl) piperazine, from the viewpoint of 1- (2-hydroxyethyl) piperazine and the like, which maintain the polishing rate, the surface roughness of the deterioration in the cleaning process is suppressed, improving cleanability, 2 - [(2-amino ethyl) amino] ethanol, 1- (2-aminoethyl) piperazine, 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, diethylenetriamine, triethylenetetramine are preferred, 2 - [(2-aminoethyl) amino] ethanol, 1 (2-aminoethyl) piperazine, 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, diethylenetriamine and more favorable しく、2−[(2−アミノエチル)アミノ]エタノール、1−(2−アミノエチル)ピペラジン、ジエチレントリアミンがさらに好ましく、ジエチレントリアミンがさらにより好ましい。 Properly, 2 - [(2-aminoethyl) amino] ethanol, 1- (2-aminoethyl) piperazine, diethylenetriamine more preferably, diethylenetriamine even more preferred. 又、特に、研磨速度を維持する観点からは、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン、2−[(2−アミノエチル)アミノ]エタノールが好ましい。 Further, in particular, from the viewpoint of maintaining the polishing rate, 1- (2-hydroxyethyl) piperazine, 2 - [(2-aminoethyl) amino] ethanol is preferred.

研磨液組成物における、多価アミン化合物の含有量は、研磨速度の維持及び基板の清浄性向上の観点から、5質量%以下が好ましく、4質量%以下がより好ましく、3質量%以下がさらに好ましく、1質量%以下がさらにより好ましく、0.5質量%以下がさらにより好ましく、0.1質量%以下がさらにより好ましく、洗浄工程における表面粗さの悪化を抑制する観点、基板の清浄性向上の観点(及び循環研磨における研磨液の耐久性向上の観点)から、研磨液組成物における、多価アミン化合物の含有量は、0.001質量%以上が好ましく、0.005質量%以上がより好ましく、0.01質量%以上がさらに好ましい。 In the polishing composition, the content of the polyvalent amine compounds, from the viewpoint of maintenance and the substrate increase detergency of the polishing rate is preferably 5 mass% or less, more preferably 4 wt% or less, further 3 mass% or less preferably, even more preferably 1 wt% or less, still more preferably 0.5 mass% or less, still more preferably 0.1 mass% or less, to suppress the deterioration of the surface roughness in the washing step standpoint, cleanliness of the substrate from the viewpoint of improving (and aspects of durability of the polishing liquid in the circulation polishing), the polishing composition, the content of the polyvalent amine compound is preferably not less than 0.001 mass%, 0.005 mass% and still more preferably not less than 0.01 mass%. したがって、研磨速度を維持し、洗浄工程における表面粗さ悪化を抑制する観点、基板の清浄性向上の観点及び循環研磨における研磨液の耐久性向上の観点から、0.001質量%以上5質量%以下が好ましく、0.005質量%以上4質量%以下がより好ましく、0.01質量%以上3質量%以下がさらに好ましく、0.01質量%以上1質量%以下がさらにより好ましく、0.01質量%以上0.5質量%以下がさらにより好ましく、0.01質量%以上0.1質量%以下がさらにより好ましい。 Therefore, to maintain a polishing rate to suppress the surface roughness deteriorates the washing process standpoint, from the viewpoint of improving the durability of the polishing liquid in the aspects and circulation polishing of substrates increase detergency, 0.001 mass% to 5 mass% or less, more preferably 0.005 mass% or more and 4 wt% or less, more preferably 3 mass% or more 0.01 wt% or less, still more preferably 1 mass% or less 0.01 mass%, 0.01 even more preferably wt% to 0.5 wt% or less, still more preferably 0.1 mass% or more 0.01% or less. なお、前記含有量は、研磨液組成物中の多価アミン化合物が複数種類の場合、全多価アミン化合物の合計含有量を示す。 Incidentally, the content, if polyvalent amine compound of the polishing composition is a plurality of types, indicates the total amount of all the polyvalent amine compound.

研磨液組成物における多価アミン化合物と酸の質量比(多価アミン化合物の質量/酸の質量)は、研磨速度を維持し、洗浄工程における表面粗さ悪化を抑制する観点、清浄性の向上の観点、並びに循環研磨における耐久性向上の観点から、0.001以上1.0以下が好ましく、より好ましくは0.005以上0.5以下、さらに好ましくは0.01以上0.3以下である。 The mass ratio of the polyvalent amine compound with an acid in the polishing composition (mass of the mass / acid polyvalent amine compound), maintaining the polishing rate to suppress the surface roughness deteriorates in the washing step standpoint, improvement in detergency aspect, and from the viewpoint of durability in circulating the polishing is preferably 0.001 to 1.0, more preferably 0.005 to 0.5, more preferably is 0.01 to 0.3 .

[水溶性高分子] [Water-soluble polymer]
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄工程における表面粗さ悪化を抑制する観点から水溶性高分子を含有することが好ましく、アニオン性基を有する水溶性高分子(以下「アニオン性高分子」とも言う。)を含有することがより好ましい。 The polishing composition of the present disclosure, in one or more embodiments, preferably contains a water-soluble polymer from the viewpoint of suppressing surface roughness deterioration in the washing step, water-soluble polymer having an anionic group ( hereinafter also referred to as "anionic polymer".) it is more preferable to contain.

アニオン性高分子のアニオン性基としては、カルボン酸基、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が挙げられる。 Examples of the anionic groups of the anionic polymer, a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, sulfuric ester group, phosphoric ester group, and a phosphonic acid group. これらのアニオン性基は塩の形態であってもよい。 These anionic groups may be in the form of a salt. アニオン性基が塩を形成する場合、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等との塩が挙げられる。 If the anionic group forms a salt is not particularly limited, specifically, a metal, ammonium, and salts with alkyl ammonium and the like. 金属の具体例としては、周期律表(長周期型)1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属が挙げられる。 Specific examples of the metals of the periodic table (long period) 1A, 1B, 2A, 2B, 3A, 3B, 4A, 6A, include 7A or 8 of the group. アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。 Specific examples of the alkyl ammonium, tetramethylammonium, tetraethylammonium, tetrabutylammonium and the like. 中でも、作業性の観点からナトリウム塩が好ましい。 Among them, preferred is a sodium salt in view of workability.

アニオン性高分子は、例えば、スルホン酸基を有する単量体、カルボン酸基を有する単量体等のアニオン性基を有する単量体を重合することにより得られうる。 Anionic polymer, for example, a monomer having a sulfonic acid group may be obtained by polymerizing a monomer having an anionic group such as monomers having a carboxylic acid group. これら単量体の重合は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよい。 Polymerization of these monomers, random, block, or may be any of a graft.

スルホン酸基を有する単量体の具体例としては、イソプレンスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、イソアミレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。 Specific examples of the monomer having a sulfonic acid group, isoprene sulfonic acid, 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid, styrene sulfonic acid, methallyl sulfonic acid, vinyl sulfonic acid, allyl sulfonic acid, iso amylene sulfonic acid, and naphthalene sulfonic acid. カルボン酸基を有する単量体としては、例えば、イタコン酸、(メタ)アクリル酸、マレイン酸等が挙げられる。 Examples of the monomer having a carboxylic acid group, for example, itaconic acid, (meth) acrylic acid, and maleic acid. リン酸エステル基又はホスホン酸基を有する単量体としては、例えば、ビニルホスホン酸、メタクロイルオキシメチルリン酸、メタクロリルオキシエチルリン酸、メタクロイルオキシブチルリン酸、メタクロリルオキシヘキシルリン酸、メタクロリルオキシオクチルリン酸、メタクロリルオキシデシルリン酸、メタクロリルオキシラウリルリン酸、メタロイルオキシステアリルリン酸、メタクロイルオキシ1、4−ジメチルシクロヘキシルリン酸が挙げられる。 Examples of the monomer having a phosphoric acid ester group or phosphonic acid groups, for example, vinyl phosphonic acid, methacryloyl oxymethyl phosphoric acid, methacrolein Lil oxyethyl phosphate, methacryloyl oxy butyl phosphate, methacrolein Lil oxy hexyl phosphoric acid, methacrolein Lil oxy octyl phosphate, methacrolein Lil acryloxydecyl phosphate, methacrolein Lil oxy lauryl phosphate, metallo-yl oxy stearyl phosphoric acid, methacryloyl oxy 1,4-dimethylcyclohexyl phosphoric acid.

また、アニオン性高分子には、上記以外の単量体を用いることもできる。 Further, the anionic polymer may be used a monomer other than the above. 他の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸オクチル等の(メタ)アクリル酸アルキルエステル類、ブタジエン、イソプレン、2−クロル−1,3−ブタジエン、1−クロル−1,3−ブタジエン等の脂肪族共役ジエン、(メタ)アクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物が挙げられる。 Examples of other monomers, e.g., styrene, alpha-methyl styrene, vinyl toluene, aromatic vinyl compounds such as p- methylstyrene, (meth) acrylate, (meth) acrylate, (meth) acrylic acid (meth) acrylic acid alkyl esters such as octyl, butadiene, isoprene, 2-chloro-1,3-butadiene, 1-chloro-1,3-aliphatic conjugated dienes such as butadiene, (meth) cyanide such as acrylonitrile vinyl compounds.

アニオン性高分子としては、一又は複数の実施形態において、ポリアクリル酸、(メタ)アクリル酸/イソプレンスルホン酸共重合体、(メタ)アクリル酸/2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体(AA−AMPS)、(メタ)アクリル酸/イソプレンスルホン酸/2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体、(メタ)アクリル酸/マレイン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸、アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物、スチ Examples of the anionic polymer, in one or more embodiments, polyacrylic acid, (meth) acrylic acid / isoprene sulfonic acid copolymer, (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid copolymer (AA-AMPS), (meth) acrylic acid / isoprene sulfonic acid / 2- (meth) acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid copolymer, (meth) acrylic acid / maleic acid copolymer, naphthalene acid-formaldehyde condensates, methylnaphthalene sulfonic acid formaldehyde condensate, anthracene sulfonic acid formaldehyde condensates, melamine sulfonate formaldehyde condensate, lignin sulfonic acid, modified lignosulfonate, aminoaryl sulfonic acid - phenol - formaldehyde condensate, steel ン/イソプレンスルホン酸共重合体、スチレン/スチレンスルホン酸共重合体、(メタ)アクリル酸アルキルエステル/スチレンスルホン酸共重合体が挙げられるが、研磨速度の維持及び洗浄後の表面粗さの悪化抑制の観点から、ポリアクリル酸、(メタ)アクリル酸/2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物、スチレン/イソプレンスルホン酸共重合体、及びスチレン/スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる1種以上が好ましく、(メタ)アクリル酸/2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体、及びスチレン/スチレンスルホン酸共重合体から選ばれる1種以上がより好ましい。 On / isoprene sulfonic acid copolymer, styrene / styrene sulfonic acid copolymer, (meth) acrylic acid alkyl ester / styrene sulfonate copolymers, deterioration of the surface roughness after maintenance and cleaning of the polishing rate from the viewpoint of suppression, polyacrylic acid, (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid copolymers, naphthalenesulfonic acid formalin condensate, styrene / isoprene sulfonic acid copolymer, and styrene / 1 or more selected from styrene sulfonic acid copolymer is preferred, selected from (meth) acrylic acid / 2- (meth) acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid copolymers, and styrene / styrene sulfonic acid copolymer 1 or more to be more preferable.

水溶性高分子の重量平均分子量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の維持及び洗浄後の表面粗さの悪化抑制の観点から、500以上12万以下であることが好ましく、1000以上10万以下がより好ましく、1000以上3万以下がさらに好ましく、1000以上1万以下がさらにより好ましく、1500以上8000以下がさらにより好ましい。 The weight average molecular weight of the water soluble polymer in one or more embodiments, from the viewpoint of the deterioration suppression of surface roughness after maintenance and cleaning of the polishing rate, preferably 500 or more 120,000 or less, 1,000 or more 10 thousands more preferably less, more preferably 1000 or more 30,000 or less, still more preferably from 1,000 or more than 10,000, even more preferably 1500 or more 8000 or less. 該重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて実施例に記載の方法により求めることができる。 The weight average molecular weight can be determined by the method described in Example using gel permeation chromatography (GPC).

研磨液組成物における水溶性高分子の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の維持及び洗浄後の表面粗さの悪化抑制の観点から、0.001質量%以上1質量%以下が好ましく、より好ましくは0.005質量%以上0.5質量%以下、さらに好ましくは0.01質量%以上0.2質量%以下、さらにより好ましくは0.01質量%以上0.1質量%以下、さらにより好ましくは0.015質量%以上0.075質量%以下、さらにより好ましくは0.02質量%以上0.075質量%以下である。 The content of the water-soluble polymer in the polishing composition, in one or more embodiments, from the viewpoint of the deterioration suppression of surface roughness after maintenance and cleaning of the polishing rate, less than 1 wt% 0.001 wt% more preferably from 0.005 mass% to 0.5 mass% or less, more preferably 0.2 mass% or more 0.01% by mass or less, still more preferably 0.01 mass% 0.1 mass% or more or less, still more preferably 0.075 mass% or more 0.015 wt% or less, still more preferably 0.075 mass% or less than 0.02 mass%.

[水] [water]
本開示の研磨液組成物は、媒体として水を含有する。 The polishing composition of the present disclosure contains water as a medium. 水は、一又は複数の実施形態において、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。 Water, in one or more embodiments, distilled water, ion exchange water, pure water and ultra-pure water or the like can be used. 本開示の研磨液組成物中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いがさらに容易になるため、55質量%以上が好ましく、より好ましくは70質量%以上、さらに好ましくは80質量%以上、特に好ましくは85質量%以上である。 The content of water in the polishing composition of the present disclosure, since the handling of the polishing composition becomes more easily, preferably at least 55 wt%, more preferably 70 mass% or more, more preferably more than 80 wt% , particularly preferably at least 85 wt%. また、前記水の含有量は、研磨速度向上の観点から、99質量%以下が好ましく、より好ましくは98質量%以下、さらに好ましくは97質量%以下である。 The content of the water, from the viewpoint of improving the polishing rate is preferably 99 mass% or less, more preferably 98 wt% or less, more preferably not more than 97 wt%. したがって、前記媒体の含有量は、55質量%以上99質量%以下が好ましく、より好ましくは70質量%以上98質量%以下、さらに好ましくは80質量%以上97質量%以下、さらにより好ましくは85質量%以上97質量%以下である。 Therefore, the content of the medium is preferably from 55 mass% to 99 mass% or less, more preferably 98 wt% to 70 wt%, more preferably 97 mass% or more and 80 mass% or less, even more preferably 85 mass % or more and 97 mass% or less.

[その他の成分] [Other components]
本開示の研磨液組成物は、さらに、殺菌剤、抗菌剤、増粘剤、分散剤、防錆剤等を含んでもよい。 The polishing composition of the present disclosure further fungicides, antibacterial agents, thickening agents, dispersing agents, may include a rust inhibitor or the like. これらの成分の研磨液組成物中の含有量は、研磨特性の観点から、5質量%以下が好ましく、より好ましくは3質量%以下、さらに好ましくは1質量%以下である。 The content of the polishing composition of these components in terms of polishing characteristics, preferably 5 wt% or less, more preferably 3 wt% or less, more preferably not more than 1 wt%.

[研磨液組成物のpH] [PH of the polishing composition]
本開示の研磨液組成物のpHは、研磨速度向上及び洗浄工程での表面粗さ低減の観点、循環研磨における耐久性向上の観点、研磨機の腐食防止及び作業者の安全性向上の観点から、好ましくは1.0以上4.7以下であり、より好ましくは1.5以上4.3以下、更に好ましくは2.0以上4.1以下である。 pH of the polishing composition of the present disclosure, in view of the surface roughness reduction in the polishing rate increase and washing steps, in view of the durability in circulating grinding, from the viewpoint of improving safety of corrosion and workers polisher , preferably 1.0 or more 4.7 or less, more preferably 1.5 or more 4.3 or less, further preferably 2.0 or more 4.1 or less. 本開示に係る研磨液組成物においては、従来困難とされていた低pHの生産効率のよい条件においても表面粗さの低減が実現できる。 In the polishing composition of the present disclosure, also reduction of the surface roughness in the prior difficulties and once was low pH production efficient conditions can be realized. なお、上記のpHは、25℃における研磨液組成物のpHであり、pHメータを用いて測定できる。 Incidentally, pH of the above are the pH of the polishing composition at 25 ° C., it can be measured using a pH meter.

[研磨液組成物の調製方法] [Method of preparing a polishing composition]
本開示の研磨液組成物は、各成分を公知の方法で混合することにより、調製することができる。 The polishing composition of the present disclosure, by mixing the components in a known manner, can be prepared. 研磨液組成物は、経済性の観点から、通常、濃縮液として製造され、これを使用時に希釈する場合が多い。 Polishing composition, from the viewpoint of economy, usually manufactured as a concentrate, it is often diluted upon use. 研磨液組成物は、そのまま使用してもよいし、濃縮液であれば希釈して使用すればよい。 Polishing composition may be used as is, it may be used by diluting if concentrate. 濃縮液を希釈する場合、その希釈倍率は、特に制限されず、前記濃縮液における各成分の濃度(研磨材の含有量等)や研磨条件等に応じて適宜決定できる。 When diluting the concentrated solution, the dilution ratio is not particularly limited, and can be suitably determined according to the (content of the abrasive, etc.) concentration of each component in the concentrated solution and the polishing conditions.

研磨液組成物のpHは、前記成分の混合後、所定のpHに調整してもよいし、混合前にそれぞれ調整していてもよい。 pH of the polishing composition, after mixing of the components may be adjusted to a predetermined pH, it may be respectively adjusted prior to mixing. pHの調整は、酸、水溶性金属塩、(多価)アミン化合物、及びそれら以外のpH調整剤により行うことができる。 Adjustment of the pH can be done acid, water-soluble metal salts, (polyvalent) amine compound, and the pH adjusting agent other than those.

[被研磨ガラス基板] [Polished glass substrate]
本開示の研磨液組成物の研磨対象である被研磨ガラス基板は、一又は複数の実施形態において、ガラスハードディスク基板の製造工程にあるガラス基板である。 Polished glass substrate is polished in the polishing composition of the present disclosure, in one or more embodiments, a glass substrate in the manufacturing process of the glass hard disk substrate. 前記ガラス基板としては、アルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、化学強化工程でナトリウムがカリウムに置換されたアルミノ珪酸ガラス等のSi以外の金属原子を含有するガラスが挙げられるが、研磨速度向上の観点から、アルミノ珪酸ガラス基板、及び化学強化工程でナトリウムがカリウムに置換されたアルミノ珪酸ガラスが好ましく、アルミノ珪酸ガラス基板がより好ましい。 Examples glass substrate is made of aluminosilicate glass, borosilicate glass, Aruminohou silicate glass, sodium in the chemical strengthening process include glass containing metal atoms other than Si, such as aluminosilicate glass which is substituted in the potassium, the polishing rate from the viewpoint of improvement, aluminosilicate glass substrate, and aluminosilicate glass is preferably sodium is replaced with potassium in the chemical strengthening process, aluminosilicate glass substrate is more preferable. また、本発明に用いられる被研磨ガラスハードディスク基板は、一又は複数の実施形態において、水平磁気記録用基板、垂直磁気記録用基板、熱アシスト記録(HAMR)用基板のいずれにも用いることができる。 Further, the polished glass hard disk substrate used in the present invention can be used in one or more embodiments, the horizontal magnetic recording substrate, perpendicular magnetic recording substrate, either for a substrate thermally-assisted recording (HAMR) .

アルミノ珪酸ガラス基板は、その構成元素としてO(酸素)以外ではSiを最も多く含み、次いでAl(アルミニウム)を多く含む。 Aluminosilicate glass substrate, other than O (oxygen) as its constituent elements includes most of Si, then rich in Al (aluminum). 通常、Siの含有量は15〜40質量%であり、Alの含有量は2〜25質量%であり、他にもNa、K、Ti、Zn、S、Ca、Mg、P、B、Zr、Fe、Sr、Nb、Ba、Niなどを含むことがある。 Usually, the content of Si is 15 to 40 wt%, the content of Al is 2 to 25 wt%, Additional Na, K, Ti, Zn, S, Ca, Mg, P, B, Zr it may include Fe, Sr, Nb, Ba, Ni and the like. ハードディスク用として用いられる場合には、アルミノ珪酸ガラス基板は、研磨速度の向上及び基板の透明性維持の観点から、Alの含有量は、3質量%以上20質量%以下が好ましく、4質量%以上15質量%以下がより好ましい。 When used as a hard disk, the aluminosilicate glass substrate, from the viewpoint of improvement and transparency maintaining the substrate in the polishing rate, the content of Al is preferably from 3 to 20 mass%, 4 mass% or more 15 wt% or less is more preferable. なお、アルミノ珪酸ガラス基板中に含まれるSi及びAlの含有量はESCA等の元素分析装置を用いて求めることができる。 The content of Si and Al contained in the aluminosilicate glass substrate can be determined using elemental analysis device, such as ESCA.

[ガラスハードディスク基板の製造方法] [Method of manufacturing a glass hard disk substrate]
一般に、ガラスハードディスク基板は、溶融ガラスの型枠プレス又はシートガラスから切り出す方法によってガラス基材を得る工程から、形状加工工程、端面研磨工程、粗研削工程、精研削工程、粗研磨工程、仕上げ研磨工程、化学強化工程を経て製造される。 In general, a glass hard disk substrate, the step of obtaining a glass substrate by a method of cutting out from the mold press or a sheet glass of the molten glass, shaping step, an end face polishing process, rough grinding step, fine grinding process, the coarse polishing step, final polishing step is manufactured by the chemical strengthening process. 化学強化工程は仕上げ研磨工程の前に施しても良い。 Chemical strengthening process may be performed before the finish polishing step. また各工程の間には洗浄工程が含まれることがある。 Also sometimes between steps include washing steps. 研磨工程後のガラスハードディスク基板は、磁性膜の形成を含む記録部形成工程を経ることで磁気ディスク化されたガラスハードディスク基板となる。 Glass hard disk substrate after the polishing step, the glass hard disk substrate that is a magnetic disk of by passing through the recording unit forming step includes forming a magnetic film. 本開示の研磨液組成物は、仕上げ研磨工程における研磨に使用されることが好ましい。 The polishing composition of the present disclosure are preferably used for polishing in the finish polishing step.

したがって、本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を使用して被研磨ガラス基板を研磨する工程を含むガラスハードディスク基板の製造方法(以下、「本開示の基板製造方法」ともいう)に関する。 Accordingly, the present disclosure, in other embodiments, a manufacturing method of a glass hard disk substrate comprising a step of polishing the glass substrate by using the polishing composition of the present disclosure (hereinafter, "substrate manufacturing method of the present disclosure" for both say) about.

[ガラス基板の研磨工程] [Polishing of the glass substrate]
本開示の基板製造方法における被研磨ガラス基板を研磨する工程は、一又は複数の実施形態において、被研磨ガラス基板の研磨対象面に本開示の研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、所定の圧力(荷重)をかけながら、研磨パッドや被研磨基板を動かすこと等によって行う工程である。 A step of polishing the glass substrate in the substrate manufacturing method of the present disclosure, in one or more embodiments, by supplying the polishing composition of the present disclosure to the polishing target surface to be polished glass substrate, the surface to be polished the polishing pad is contacted, while applying a predetermined pressure (load) is a step of performing, such as by moving the polishing pad and the substrate to be polished. 上述したとおり、この工程は、ガラスハードディスク基板の研磨工程の最終工程である仕上げ研磨工程であることが好ましい。 As described above, this step is preferably a finish polishing step is a final step of polishing of the glass hard disk substrate. また、仕上げ研磨工程では、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いて循環研磨してもよい。 Further, in the finish polishing step, in one or more embodiments may be circulated polished by using the polishing composition of the present disclosure. 本開示において、循環研磨とは、ガラス基板の研磨工程において、使用した研磨液を再度研磨機に投入し、研磨液を研磨機内で循環させて再利用する手法をいう。 In the present disclosure, the circulation polishing in the polishing process of the glass substrate, was added to the polishing liquid again polishing machine using the polishing liquid is circulated within the polisher means a method for reuse. 研磨後の廃液を一度全量回収してから研磨機に再投入してもよいし、廃液を回収タンクに戻しながら連続的に研磨機に再投入してもよい。 May be turned on again to the polishing machine waste after polishing from the total amount collected once, waste may be re-introduced to the continuous polisher while returning to the recovery tank.

[研磨機] [Polishing machine]
ガラス基板の研磨に用いられる研磨機としては、特に制限はなく、被研磨基板を保持する冶具(キャリア:アラミド製等)と研磨布(研磨パッド)とを備える研磨機を用いることができる。 The polishing machine used in polishing of a glass substrate, particularly limited but, jig for holding a substrate to be polished: it is possible to use a grinding machine and a (carrier aramid, etc.) and the polishing pad (polishing pad). 中でも、両面研磨機が好適に用いられる。 Among them, the double-side polishing machine is preferably used.

[研磨パッド] [Polishing pad]
研磨パッドの材質としては、有機高分子等が挙げられ、前記有機高分子としては、ポリウレタン等が挙げられる。 The material of the polishing pad, the organic polymer and the like, examples of the organic polymer, polyurethane or the like. 前記研磨パッドの形状は、不織布状が好ましい。 The shape of the polishing pad, nonwoven fabric is preferred. 例えば、粗研磨工程ではスウェード調のウレタン製硬質パッド、仕上げ研磨工程ではスウェード調のウレタン製軟質パッドが好適に用いられる。 For example, in a rough-urethane hard pad suede, it is preferably used urethane soft pad suede in finish polishing step.

研磨機を用いる研磨は、一又は複数の実施形態において、被研磨ガラス基板をキャリアで保持し研磨パッドを貼り付けた1対の研磨定盤で挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨パッドと被研磨基板との間に供給し、所定の圧力の下で研磨定盤及び/又は被研磨基板を動かすことにより、本開示の研磨液組成物を被研磨ガラス基板に接触させながら被研磨基板を研磨する方法が挙げられる。 Polishing, in one or more embodiments, sandwiched between the polishing surface plate of a pair of which a polishing pad holds the polished glass substrate with a carrier, the polishing composition of the present disclosure and the polishing pad using a polishing machine was supplied between the substrate to be polished by moving the polishing table and / or substrate to be polished under a predetermined pressure, the substrate to be polished while the polishing composition of the present disclosure is contacted on the polished glass substrate method of polishing and the like.

被研磨ガラス基板を研磨する工程における研磨荷重は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは3kPa以上、4kPa以上がより好ましく、5kPa以上がさらに好ましく、6kPa以上がさらにより好ましい。 Polishing load in the step of polishing the glass substrate, from the viewpoint of improving the polishing rate, preferably 3kPa or more, more preferably at least 4 kPa, more preferably at least 5 kPa, even more preferably more than 6 kPa. 研磨中に研磨機に振動が発生しないように安定に研磨できるという観点から、好ましくは40kPa以下、30kPa以下がより好ましく、20kPa以下がさらに好ましく、15kPa以下がさらにより好ましい。 From the viewpoint of the vibration to the polishing machine during polishing can be polished so as not stably generated, preferably 40kPa or less, more preferably 30 kPa, more preferably less 20 kPa, even more preferably less 15 kPa. 従って、研磨速度を維持し、安定に研磨できるという観点から、好ましくは3kPa以上40kPa以下、より好ましくは4kPa以上30kPa以下、さらに好ましくは5kPa以上20kPa以下、さらにより好ましくは6kPa以上15kPa以下である。 Therefore, maintaining the polishing rate, from the viewpoint that can be polished stably, preferably 3kPa than 40kPa or less, more preferably 4kPa than 30kPa or less, still more preferably 5kPa or 20kPa or less, still more preferably not more than 15kPa least 6 kPa. ここで、「研磨荷重」とは、研磨時に被研磨基板を挟み込む定盤から被研磨ガラス基板の研磨対象面に加えられる圧力をいう。 Here, the "polishing load" refers to a pressure applied from the platen to sandwich the substrate to be polished during polishing a polishing target surface to be polished glass substrate.

本開示の研磨液組成物の供給方法は、予め本開示の研磨液組成物の構成成分が十分に混合された状態で研磨パッドとガラス基板の間にポンプ等で供給する方法、研磨の直前の供給ライン内等で構成成分を混合して供給する方法、シリカ粒子スラリーと両性金属の水溶性金属塩を含有する水溶液とを別々に研磨装置に供給する方法等を用いることができる。 The method of supplying the polishing composition of the present disclosure, a method of supplying between the polishing pad and the glass substrate in a state where the components of the pre-polishing composition of the present disclosure have been sufficiently mixed in a pump or the like, immediately before the polishing a method of supplying a mixture of components in the supply line the like, and an aqueous solution containing a water-soluble metal salts of the silica particle slurry and amphoteric metal may be used a method or the like is supplied to the polishing apparatus separately.

本開示の研磨液組成物の供給速度は、コスト低減の観点及び研磨速度の向上の観点から、被研磨基板1cm 2あたり0.01mL/分以上1.0mL/分以下が好ましく、より好ましくは0.025mL/分以上0.6mL/分以下、さらに好ましくは0.05mL/分以上0.4mL/分以下、さらにより好ましくは0.1mL/分以上0.4mL/分以下である。 The feed rate of the polishing composition of the present disclosure, from the viewpoint of improving aspects and the polishing rate of the cost reduction, preferably less 1.0 mL / min 0.01 mL / min or more per 2 to be polished substrate 1 cm, more preferably 0 .025ML / min or more 0.6 mL / min or less, more preferably 0.05 mL / min or more 0.4 mL / min or less, still more preferably 0.1 mL / min or more 0.4 mL / min. また循環研磨をする場合であれば研磨液組成物を再利用できるので供給流量は上記記載の流量よりも多くなってもよい。 The supply flow rate so can reuse the polishing composition in the case of the circulating abrasive may become larger than the flow rate described above.

[ガラス基板の洗浄工程] Washing process of the glass substrate]
本開示の基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を用いた研磨が施されたガラス基板(被洗浄基板)を、上述の洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程を含む。 Substrate manufacturing method of the present disclosure, washed in one or more embodiments, the glass substrate polishing using the polishing composition of the present disclosure has been applied (to be cleaned substrate), using the above detergent composition comprising the step of. 洗浄工程における被洗浄基板には、本開示の研磨液組成物を使用した研磨工程の直後のガラス基板や、研磨工程後に乾燥を防ぐための水等への浸漬工程、予備洗浄として水洗浄工程や酸洗浄工程等を経たガラス基板が含まれる。 The substrate to be cleaned in the wash step, a glass substrate and immediately after the polishing step using the polishing composition of the present disclosure, the immersion step in water or the like to prevent drying after the polishing step, the water washing step Ya as prewash It includes a glass substrate after the acid washing step. この洗浄工程は、一又は複数の実施形態において、(a)被洗浄基板を洗浄剤組成物に浸漬するか、及び/又は、(b)洗浄剤組成物を射出して被洗浄基板の表面上に洗浄剤組成物を供給することにより行われる。 This washing step, in one or more embodiments, (a) either immersing the substrate to be cleaned in detergent compositions, and / or, (b) detergent composition injection to be cleaned substrate surface It carried out by feeding the detergent composition.

前記方法(a)において、被洗浄基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、例えば、洗浄剤組成物の温度は、安全性及び操業性の観点から20℃以上100℃以下であると好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性と生産効率の観点から10秒以上30分以内であると好ましい。 In the above method (a), as the immersion conditions of the detergent composition of the substrate to be cleaned is not particularly limited, for example, the temperature of the detergent composition, 20 ° C. or higher from the viewpoint of safety and operability 100 ℃ preferable to be less, immersion time, the cleaning due to detergent compositions If it is within 30 minutes or 10 seconds from the viewpoint of production efficiency preferable. また、残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。 Further, from the viewpoint of enhancing the dispersibility of the removability and residues of residue, the cleaning composition when the ultrasonic vibration is applied. 超音波の周波数としては、好ましくは20kHz以上2000kHz以下であり、より好ましくは40kHz以上2000kHz以下であり、さらに好ましくは40kHz以上1500kHz以下である。 The frequency of the ultrasonic wave, preferably at 20kHz or more 2000kHz or less, more preferably 40kHz or more 2000kHz or less, more preferably 40kHz or more 1500kHz less.

前記方法(b)では、残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、被洗浄基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。 In the method (b), from the viewpoint of accelerating the solubility of the cleaning property and oil residue, it is injected cleaning compositions ultrasonic vibration is given, the detergent composition to the surface of the substrate to be cleaned are contacted to wash the surface, or, a detergent composition was supplied by injection onto the surface of the substrate to be cleaned, washed by rubbing the detergent composition is fed the surface with cleaning brushes it is preferable to. さらには、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。 Still more, the detergent composition ultrasonic vibration is given is supplied to the surface to be cleaned by injection, and detergent composition is washed by rubbing with cleaning brush supplied the surface It is preferred.

洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の公知の手段を用いることができる。 The detergent composition as a means for supplying to the surface of the cleaned substrate, it is possible to use a known means such as a spray nozzle. また、洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやPVA(ポリビニルアルコール)スポンジブラシ等の公知のものを使用することができる。 As the cleaning brush, is not particularly limited and includes, for example, can be used nylon brush and PVA known such (polyvinyl alcohol) sponge brush ones. 超音波の周波数としては、前記方法(a)で好ましく採用される値と同様であればよい。 The frequency of the ultrasonic wave may be the same as the value which is preferably employed in the method (a).

洗浄工程では、前記方法(a)及び/又は前記方法(b)に加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を1つ以上含んでもよい。 In the washing step, in addition to the methods (a) and / or the method (b), the oscillating washing, cleaning utilizing rotation of the spinner or the like, also comprise one or more steps using a known cleaning paddle cleaning, etc. good.

[洗浄剤組成物] [Detergent composition]
洗浄剤組成物は、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。 Detergent composition, an alkali agent, water, and those containing various additives as needed can be used.

[アルカリ剤] [Alkali agent]
前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のうちのいずれであってもよい。 Alkali agent used in the detergent composition may be any of the inorganic alkali agents and organic alkali agents. 無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。 Examples of the inorganic alkali agent, for example, ammonia, potassium hydroxide, and sodium hydroxide. 有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。 As the organic alkali agent, for example, hydroxyalkyl amines, tetramethylammonium hydroxide, and one or more can be mentioned selected from the group consisting of choline. これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。 These alkali agents may be used alone or may be used in combination of two or more.

ヒドロキシアルキルアミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、モノプロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン、メチルプロパノールアミン、メチルジプロパノールアミン、アミノエチルエタノールアミン等が挙げられる。 The hydroxyalkyl amines, e.g., monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, methylethanolamine, methyldiethanolamine, monopropanolamine, dipropanolamine, tripropanolamine, methyl propanolamine, methyl dipropanolamine, aminoethylethanolamine etc. the. なかでも、製品安定性及び環境保全性を向上させる観点から、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン及びアミノエチルエタノールアミンが好ましく、モノエタノールアミン及びアミノエチルエタノールアミンがより好ましい。 Among them, from the viewpoint of improving the product stability and environmental integrity, monoethanolamine, methyldiethanolamine and aminoethyl ethanolamine are preferred, monoethanolamine and aminoethylethanolamine are more preferred. これらのヒドロキシアルキルアミンは単独で用いても良く、二種以上を混合して用いても良い。 These hydroxyalkylamine may be used alone, it may be used as a mixture of two or more.

前記アルカリ剤のうち、洗浄剤組成物の基板上の残留物の分散性の向上、保存安定性の向上、及び特にガラスに対するエッチング制御の容易化の観点から、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、及びアミノエチルエタノールアミンからなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましく、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群から選ばれる少なくとも1種がより好ましい。 Among the alkali agents, from the viewpoint of potassium hydroxide ease of improving dispersibility, improve storage stability, and particularly the etching control for glass of the residue on the substrate of the detergent composition, sodium hydroxide, mono ethanolamine, methyl diethanolamine, and is preferably at least one selected from the group consisting of aminoethylethanolamine, at least one selected from the group consisting of potassium hydroxide and sodium hydroxide is more preferable.

洗浄剤組成物中におけるアルカリ剤の含有量は、洗浄剤組成物の基板上の残留物に対する洗浄性を発現させ、かつ、取扱時の安全性を高める観点から、0.1質量%以上10質量%以下であると好ましく、0.3質量%以上3質量%以下であるとより好ましい。 The content of the alkali agent in the detergent composition, expressed cleanability for residues on the substrate of the detergent composition, and, from the viewpoint of enhancing safety when handling, 10 mass 0.1 mass% % preferably by mass or less, more preferably a 3 wt% or less than 0.3 wt%.

洗浄剤組成物のpHは、基板上の残留物の分散性を向上させる観点から、8.0以上13.0以下であり、好ましくは9.0以上13.0以下、より好ましくは10.0以上13.0以下、さらに好ましくは11.0以上13.0以下である。 pH of the detergent composition, from the viewpoint of improving the dispersibility of the residue on the substrate is 8.0 to 13.0 inclusive, preferably 9.0 to 13.0 inclusive, and more preferably 10.0 or 13.0 or less, more preferably 11.0 to 13.0 inclusive. なお、上記のpHは、25℃における洗浄剤組成物のpHであり、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM−30G)を用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後3分後の数値である。 Incidentally, pH of the above are the pH of the detergent composition at 25 ° C., pH meter (DKK-TOA Corporation, HM-30G) can be measured using a dip after 3 minutes to the detergent composition of the electrode it is a numerical value after.

[各種添加剤] [Various additives]
前記洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレート、脂肪酸、アニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤(成分に該当する界面活性剤は除く。)、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていても良い。 Wherein the detergent composition, in addition to the alkali agent, nonionic surface active agents, chelating agents, ether carboxylates, fatty acids, anionic surfactants, water-soluble polymer, surfactant corresponding to the antifoaming agent (component excluding.), alcohols, preservatives may be included, such as antioxidants.

前記洗浄剤組成物に含まれる水以外の成分の含有量は、コスト低減や各種添加剤の充分な効果が発現される濃縮度である事と保存安定性向上との両立の観点から、水の含有量と水以外の成分の含有量の合計を100質量%とすると、好ましくは10質量%以上60質量%以下であり、より好ましくは15質量%以上50質量%以下であり、さらに好ましくは15質量%以上40質量%以下である。 The content of components other than water contained in the detergent composition, from the viewpoint of compatibility between storage stability improved to be an enrichment sufficient effect of cost reduction and various additives are expressed, the water When the total content of components other than water to 100 wt%, preferably not more than 60 wt% to 10 wt%, more preferably 50 wt% or less than 15 wt%, more preferably 15 mass% or more is 40 wt% or less.

前記洗浄剤組成物は、希釈して用いられる。 The detergent composition is used in diluted. 希釈倍率は、洗浄効率を考慮すると、好ましくは10倍以上500倍以下、より好ましくは20倍以上200倍以下、更に好ましくは50倍以上100倍以下である。 Dilution factor, considering the cleaning efficiency, preferably 500 times 10 times or less, more preferably 20 times or more 200 times or less, more preferably 100 times or less than 50 times. 希釈用の水は、下記と同様のものでよい。 Water for dilution may be similar to the following.

[水] [water]
前記洗浄剤組成物に含まれる水は、溶媒としての役割を果たすことができるものであれば特に制限はなく、例えば、超純水、純水、イオン交換水、又は蒸留水等を挙げることができるが、超純水、純水、又はイオン交換水が好ましく、超純水がより好ましい。 Water contained in the detergent composition is not particularly limited as long as it can serve as a solvent, for example, ultrapure water, pure water, ion exchange water, or be mentioned distilled water possible, ultrapure water, pure water, or preferably deionized water, ultra-pure water is more preferable. 尚、純水及び超純水は、例えば、水道水を活性炭に通し、イオン交換処理し、さらに蒸留したものを、必要に応じて所定の紫外線殺菌灯を照射、又はフィルターに通すことにより得ることができる。 Note that pure water and ultra pure water, for example, the tap water passed through activated carbon, ion exchange treatment, obtained by further distilled what, passing if necessary irradiated with predetermined ultraviolet germicidal lamp, or a filter can. 尚、洗浄剤組成物は、溶媒として上記水に加えて水系溶媒(例えば、エタノール等のアルコール)をさらに含んでいてもよいが、洗浄剤組成物に含まれる溶媒は水のみからなると好ましい。 The cleaning agent composition, an aqueous solvent in addition to the water as a solvent (e.g., alcohols such as ethanol) may further comprise, but the solvent contained in the detergent composition preferably consists of water alone.

[磁性膜の形成工程] [Process of forming the magnetic film]
本開示の基板製造方法は、一又は複数の実施形態において、被研磨ガラス基板の研磨工程及び洗浄工程後のガラス基板上に磁性膜を形成する工程、或いは、磁性膜の形成を含む記録部形成工程を有してもよい。 Substrate manufacturing method of the present disclosure, in one or more embodiments, the step of forming a magnetic film on a glass substrate after the polishing step and the cleaning step of the polished glass substrate, or the recording unit form including the formation of the magnetic film process may have.

[ガラス基板の研磨方法] [Method of polishing a glass substrate]
本開示は、その他の態様において、被研磨ガラス基板の研磨対象面に本開示の研磨液組成物を供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することを含むガラス基板の研磨方法に関する。 The present disclosure, in other embodiments, by supplying the polishing composition of the present disclosure to the polishing target surface to be polished glass substrate is brought into contact with the polishing pad to the polishing target surface, at least of the polishing pad and the substrate to be polished a polishing method for a glass substrate comprising polishing by moving one. 本開示の研磨方法における、研磨液組成物の供給方法、研磨条件、実施形態は、上述の研磨工程における研磨と同様とすることができる。 In the polishing method of the present disclosure, the method of supplying the polishing composition, the polishing conditions, embodiments can be the same as the polishing in the above-described polishing process.

上述した実施形態に関し、本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態にかかる組成物、製造方法、或いは用途を開示する。 It relates embodiment described above, the compositions present disclosure according to the following additional one or more embodiments, discloses a manufacturing method, or applications.

<1> シリカ粒子、酸、下記式(I)で表される化合物及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である成分(A)、及び水を含有する、ガラスハードディスク基板用研磨液組成物。 <1> silica particles, acid, at least one kind of component selected from the group consisting of compounds and their salts represented by the following formula (I) (A), and contains water, the polishing liquid composition for glass hard disk substrate Stuff.
[式(I)において、X及びYは、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1以上4以下の炭化水素基、水酸基、スルホン酸基、カルボキシ基、ニトロ基、及びハロゲンからなる群から選らばれ、Zは、水素原子、水酸基、及びカルボキシ基からなる群から選ばれる。 [In the formula (I), X and Y are each independently a hydrogen atom, 1 or more carbon atoms having 4 or less of the hydrocarbon group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a carboxy group, a nitro group, and from the group consisting of halogen depending Barre, Z is hydrogen atom, selected from the group consisting of hydroxyl, and carboxy groups. ]

<2> 式(I)で表される化合物が、8−ヒドロキシキノリン、8−キノリンカルボン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種である、<1>に記載の研磨液組成物。 <2> The compound represented by formula (I) are 8-hydroxyquinoline, 8-quinoline carboxylic acid, and is at least one selected from the group consisting of, polishing composition according to <1> Stuff.
<3> 成分(A)の含有量が、好ましくは10ppm以上、より好ましくは50ppm以上、さらに好ましくは100ppm以上である、<1>又は<2>に記載の研磨液組成物。 <3> The content of the component (A) is preferably 10ppm or more, more preferably 50ppm or more, still more preferably 100ppm or more, <1> or polishing composition according to <2>.
<4> 成分(A)の含有量が、好ましくは500ppm以下が好ましく、より好ましくは300ppm以下である、<1>から<3>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <4> The content of the component (A) is preferably is preferably 500ppm or less, more preferably 300ppm or less, the polishing liquid composition according to any one of <3> <1>.
<5> 成分(A)の含有量が、好ましくは10ppm以上500ppm以下が好ましく、より好ましくは50ppm以上300ppm以下、さらに好ましくは100ppm以上300ppm以下である、<1>から<4>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <5> The content of the component (A) is preferably is preferably 10ppm or 500ppm or less, more preferably 50ppm or more 300ppm or less, further preferably 100ppm or 300ppm or less, in any one of <4> <1> the polishing composition according.
<6> シリカ粒子の一次粒子の平均粒子径が、好ましくは5nm以上200nm以下、より好ましくは7nm以上100nm以下、さらに好ましくは9nm以上80nm以下、さらにより好ましくは10nm以上50nm以下である、<1>から<5>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <6> The average particle diameter of primary particles of the silica particles is preferably 5nm or more 200nm or less, more preferably 7nm least 100nm or less, more preferably 9nm than 80nm or less, even more preferably 10nm or more 50 nm, <1 the polishing composition according to any one of <5> to>.
<7> シリカ粒子の含有量が、好ましくは1質量%以上20質量%以下、より好ましくは2質量%以上19質量%以下、さらに好ましくは3質量%以上18質量%以下、さらにより好ましくは5質量%以上16質量%以下である、<1>から<6>のいずれかに記載の研磨液組成物。 The content of <7> silica particles is preferably 20 mass% or more 1 wt% or less, more preferably 19 wt% or more than 2 mass%, more preferably 3 wt% to 18 wt% or less, still more preferably 5 or less mass% to 16 mass%, the polishing liquid composition according to any one of <6> <1>.
<8> 酸の含有量が、0.05質量%以上が好ましく、より好ましくは0.1質量%以上、さらに好ましくは0.15質量%以上である、<1>から<7>のいずれかに記載の研磨液組成物。 The content of <8> acid is preferably at least 0.05 wt%, more preferably 0.1 mass% or more, still more preferably not less than 0.15 wt%, or <7> from <1> the polishing composition according to.
<9> 酸の含有量が、10質量%以下が好ましく、より好ましくは7.5質量%以下、さらに好ましくは5.5質量%以下、さらにより好ましくは2質量%以下である、<1>から<8>のいずれかに記載の研磨液組成物。 The content of <9> acid, preferably 10 wt% or less, more preferably 7.5 wt% or less, more preferably 5.5 wt% or less, still more preferably not more than 2 wt%, <1> the polishing composition according to any one of <8> from.
<10> 酸の含有量が、0.05質量%以上10質量%以下が好ましく、より好ましくは0.1質量%以上7.5質量%以下、さらに好ましくは0.15質量%以上5.5質量%以下、さらにより好ましくは0.15質量%以上2質量%以下である、<1>から<9>のいずれかに記載の研磨液組成物。 The content of <10> acid, preferably at least 0.05 wt% 10 wt% or less, more preferably 0.1 mass% or more 7.5 wt% or less, still more preferably at least 0.15 wt% 5.5 mass%, even more preferably at most 2 mass% or more and 0.15 mass%, the polishing liquid composition according to any one of <9> to <1>.
<11> さらにアミン化合物を含有する、<1>から<10>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <11> further contains an amine compound, the polishing liquid composition according to any one of <10> to <1>.
<12> アミン化合物中に含まれる窒素原子の数が、好ましくは10個以下、より好ましくは8個以下、更に好ましくは6個以下、更により好ましくは4個以下である、<11>に記載の研磨液組成物。 <12> The number of nitrogen atoms contained in the amine compound is preferably 10 or less, more preferably 8 or less, more preferably 6 or less, still more preferably 4 or less, according to <11> polishing composition.
<13> アミン化合物中に含まれる窒素原子の数が、好ましくは2個以上、より好ましくは3個以上である、<11>又は<12>に記載の研磨液組成物。 <13> The number of nitrogen atoms contained in the amine compound is preferably 2 or more, more preferably 3 or more, <11> or polishing composition according to <12>.
<14> アミン化合物の分子量が、好ましくは500以下、より好ましくは400以下、更に好ましくは300以下、更により好ましくは200以下である、<11>から<13>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <14> The molecular weight of the amine compound is preferably 500 or less, more preferably 400 or less, more preferably 300 or less, still more preferably 200 or less, the polishing liquid according to any one of <13> to <11> Composition.
<15> アミン化合物の分子量が、好ましくは40以上、より好ましくは60以上、更に好ましくは80以上、更により好ましくは100以上である、<11>から<14>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <15> The molecular weight of the amine compound is preferably 40 or more, more preferably 60 or more, more preferably 80 or more, even more preferably 100 or more, the polishing slurry according to any one of <14> to <11> Composition.
<16> アミン化合物の分子量が、好ましくは40以上500以下、より好ましくは60以上400以下、さらに好ましくは80以上300以下、さらにより好ましくは100以上200以下である、<11>から<15>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <16> The molecular weight of the amine compound is preferably 40 or more and 500 or less, more preferably 60 to 400, more preferably 80 to 300, still more preferably 100 to 200, from <11> <15> the polishing composition according to any one of.
<17> アミン化合物の含有量が、好ましくは5質量%以下、より好ましくは4質量%以下、更に好ましくは3質量%以下、更により好ましくは1質量%以下、更により好ましくは0.5質量%以下、更により好ましくは0.1質量%以下である、<11>から<16>のいずれかに記載の研磨液組成物。 The content of <17> amine compound is preferably 5 mass% or less, 4% by weight and more preferably less, more preferably 3 wt% or less, even more preferably 1 wt% or less, even more preferably 0.5 mass % or less, still more preferably not more than 0.1 mass%, the polishing liquid composition according to any one of <16> to <11>.
<18> アミン化合物の含有量が、好ましくは0.001質量%以上、より好ましくは0.005質量%以上、更により好ましくは0.01質量%以上である、<11>から<17>のいずれかに記載の研磨液組成物。 The content of <18> amine compound is preferably 0.001 mass% or more, more preferably 0.005 mass% or more, still more preferably at least 0.01 wt%, from <11> to <17> the polishing composition according to any one.
<19> アミン化合物の含有量が、好ましくは0.001質量%以上5質量%以下、より好ましくは0.005質量%以上4質量%以下、更に好ましくは0.01質量%以上3質量%以下、更により好ましくは0.01質量%以上1質量%以下、更により好ましくは0.01質量%以上0.5質量%以下、更により好ましくは0.01質量%以上0.1質量%以下である、<11>から<18>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <19> The content of the amine compound is preferably 5 wt% 0.001 wt% or less, more preferably 4 mass% or more 0.005 wt% or less, more preferably 3 mass% or more 0.01 wt% or less , even more preferably 1 wt% or more 0.01% by mass or less, even more preferably 0.5 mass% or more 0.01% by mass or less, even more preferably less than 0.1 wt% 0.01 wt% there, the polishing liquid composition according to any one of <18> to <11>.
<20> アミン化合物と酸の質量比(多価アミン化合物の質量/酸の質量)が、好ましくは0.001以上1.0以下、より好ましくは0.005以上0.5以下、さらに好ましくは0.01以上0.3以下である、<11>から<19>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <20> The weight ratio of amine compound and an acid (mass of the mass / acid polyvalent amine compound) is preferably 0.001 to 1.0, more preferably 0.005 to 0.5, more preferably is 0.01 to 0.3, the polishing liquid composition according to any one of <19> to <11>.
<21> さらに水溶性高分子を含有する、<1>から<20>のいずれかに記載の研磨液組成物。 <21> further containing a water-soluble polymer, the polishing liquid composition according to any one of <20> to <1>.
<22> 水溶性高分子の分子量が、好ましくは500以上12万以下、より好ましくは1000以上10万以下、更に好ましくは1000以上3万以下、更により好ましくは1000以上1万以下、更により好ましくは1500以上8000以下である、<21>に記載の研磨液組成物。 <22> molecular weight of the water-soluble polymer is preferably 500 or more 120,000 or less, more preferably 1000 to 100,000, more preferably 1,000 or more 30,000 or less, even more preferably 1,000 or more than 10,000, preferably even more is 1500 or more 8000 or less, the polishing liquid composition according to <21>.
<23> 水溶性高分子の含有量が、好ましくは0.001質量%以上1質量%以下、より好ましくは0.005質量%以上0.5質量%以下、更に好ましくは0.01質量%以上0.2質量%以下、更により好ましくは0.01質量%以上0.1質量%以下、更により好ましくは0.015質量%以上0.075質量%以下、更により好ましくは0.02質量%以上0.075質量%以下である、<21>又は<22>に記載の研磨液組成物。 <23> content of the water-soluble polymer is preferably 1 wt% or more 0.001 wt% or less, more preferably 0.5 mass% or more 0.005 wt% or less, more preferably 0.01 wt% 0.2 wt% or less, even more preferably 0.1 mass% or more 0.01 wt% or less, still more preferably 0.075 mass% or more 0.015 wt% or less, still more preferably 0.02 mass% or more and 0.075 mass% or less, <21> or polishing composition according to <22>.
<24> アルミノ珪酸ガラス基板を研磨するための、<1>から<23>のいずれかにに記載の研磨液組成物。 <24> for polishing aluminosilicate glass substrate, the polishing liquid composition according to any crab <23> <1>.
<25> pHが、好ましくは1.0以上4.7以下、より好ましくは1.5以上4.3以下、更に好ましくは2.0以上4.1以下である、<1>から<24>のいずれかにに記載の研磨液組成物。 <25> pH is preferably 1.0 or more 4.7 or less, more preferably 1.5 or more 4.3 or less, further preferably 2.0 or more 4.1 or less, from the <1> <24> the polishing composition according to any crab.
<26> <1>から<25>のいずれかに記載の研磨液組成物を使用して被研磨ガラス基板を研磨する工程を含む、ガラスハードディスク基板の製造方法。 <26> comprising the step of polishing the glass substrate by using the polishing composition according to any one of <1> to <25> The method of manufacturing a glass hard disk substrate.
<27> さらに、前記研磨工程の後のガラス基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程を含む、<26>記載のガラスハードディスク基板の製造方法。 <27> Further, the glass substrate after the polishing process, comprising the step of washing with detergent compositions, <26> process for producing a glass hard disk substrate according.
<28> さらに、ガラス基板上に磁性膜を形成する工程を含む、<26>又は<27>に記載のガラスハードディスク基板の製造方法。 <28> further comprising the step of forming a magnetic film on a glass substrate, a glass hard disk substrate manufacturing method according to <26> or <27>.
<29> <1>から<25>のいずれかに記載の研磨液組成物を使用して被研磨ガラス基板を研磨する工程を含む、ガラス基板の研磨方法。 <29> comprising the step of polishing the glass substrate by using the polishing composition according to any one of <1> to <25>, the polishing method of the glass substrate.

[実施例1〜15、比較例1〜7] [Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 7]
1. 1. 被研磨ガラス基板の調製 セリア砥粒を含有する研磨液組成物であらかじめ粗研磨したアルミノ珪酸ガラス基板を被研磨ガラス基板として用意した。 The aluminosilicate glass substrate in advance rough polished with the polishing composition containing preparation ceria abrasive grains to be polished glass substrate was prepared as the polishing glass substrate. 基板中に含まれる構成元素は、Siの含有量は20質量%、Alの含有量は5質量%であった。 Configuration element contained in the substrate, the content of Si is 20 mass%, the content of Al was 5 wt%. 構成元素は、ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)法を用い以下の測定条件で測定した。 Constituent element, were measured by the following measurement conditions using the ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) method.

〔ESCA測定条件〕 [ESCA measurement conditions]
・試料作製 アルミノ珪酸ガラス基板を1cm×1cmに切断し、カーボン製両面テープ上に乗せ固定した。 - The sample preparation aluminosilicate glass substrate was cut into 1 cm × 1 cm, and fixed placed on a carbon-made double-sided tape. 表面のゴミ等を除くためにArスパッタを加速電圧2kVで6分間かけ、ESCA測定を実施した。 Over 6 minutes Ar sputtering at an accelerating voltage 2kV to remove dust on the surface was carried out ESCA measurement.
・測定機器:アルバックファイ製 PHI Quantera SXM Measuring Equipment: ULVAC-PHI made by PHI Quantera SXM
X線源:単色化AlKα線、1486.6eV、25W、15kV X-ray source: monochromatic AlKα line, 1486.6eV, 25W, 15kV
ビーム径:100μm Beam diameter: 100μm
X線入射角:45° X-ray incidence angle: 45 °
測定範囲:500×500(μm 2 Measurement range: 500 × 500 (μm 2)
Pass energy:280.0(survey)、140.0eV(narrow) Pass energy: 280.0 (survey), 140.0eV (narrow)
Step size:1.00(survey)、0.250eV(narrow) Step size: 1.00 (survey), 0.250eV (narrow)
測定元素:C,N,O,Na,Mg,Al,Si,S,K,Ti,Zr,Nb Measurement element: C, N, O, Na, Mg, Al, Si, S, K, Ti, Zr, Nb
帯電補正:Neutralizer及びAr +照射 Electrostatic correction: Neutralizer and Ar + irradiation

2. 2. 研磨液組成物の調製 イオン交換水に下記表1の助剤を同様の濃度となるように添加し、さらにコロイダルシリカ(一次粒子平均粒子径:25nm)を研磨液組成物中8質量%になるよう添加し、酸(クエン酸、又はクエン酸+硫酸)を用いてpHを調整し、実施例1〜15及び比較例1〜7の研磨液組成物を得た。 It was added at the same concentration auxiliaries in the following Table 1 to prepare an ion-exchanged water of the polishing composition, more colloidal silica (primary particle average particle diameter: 25 nm) of 8 wt% in the polishing solution composition It was added as to adjust the pH with an acid (citric acid or citric acid + sulfuric), to obtain a polishing composition of examples 1 to 15 and Comparative examples 1 to 7. なお、pHは、pHメータ(東亜電波工業株式会社、HM−30G)を用い、電極を25℃の研磨液組成物への3分間浸漬した後の数値である。 Incidentally, pH is using a pH meter (DKK-TOA Corporation, HM-30G), a numerical value after immersion for 3 minutes in the electrode to the polishing composition of 25 ° C..

〔助剤〕 [Aid]
実施例1〜5:8−ヒドロキシキノリン Examples 1-5: 8-hydroxyquinoline
実施例6:キナルジン酸 Example 6: quinaldine acid
実施例7:2メチル−8−ヒドロキシキノリン Example 7: 2-methyl-8-hydroxyquinoline
実施例8:8−キノリンカルボン酸 Example 8: 8- quinolinecarboxylic acid
実施例9:8−ヒドロキシキノリン−7−カルボン酸 Example 9: 8-hydroxyquinoline-7-carboxylic acid
実施例10:キサンツレン酸 Example 10: xanthurenic acid
実施例11:5−ブロモ−8−ヒドロキシキノリン Example 11: 5-Bromo-8-hydroxyquinoline
実施例12:2,8−ジヒドロキシキノリン Example 12: 2,8-dihydroxy-quinoline
実施例13:7−プロピル8−ヒドロキシキノリン Example 13: 7-propyl- 8-hydroxyquinoline
実施例14:8−ヒドロコキシキノリン及びヒドロキシエチルピペラジン実施例15:8−ヒドロコキシキノリン及びAA/AMPS Example 14: 8- tetrahydroisoquinoline Koki quinoline and hydroxyethyl piperazine Example 15: 8- tetrahydroisoquinoline Koki quinoline and AA / AMPS
AA/AMPS=アクリル酸/アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸共重合体ナトリウム塩(モル比90mol%/10mol%、重量平均分子量 18000(PEG換算)、東亞合成社製) AA / AMPS = acrylic acid / acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid copolymer sodium salt (molar ratio 90 mol% / 10 mol%, weight average molecular weight 18000 (PEG basis), manufactured by Toagosei Co., Ltd.)
比較例1、7:なし比較例2:ベンゾトリアゾール比較例3:キノリン Comparative Example 7: None Comparative Example 2: benzotriazole Comparative Example 3: quinoline
比較例4:8−ヒドロキシキノリン N−オキシド Comparative Example 4: 8-hydroxyquinoline N- oxide
比較例5:8−アミノキシキノリン N−オキシド Comparative Example 5: 8-aminoxy quinoline N- oxide
比較例6:8−メルカプトキノリン Comparative Example 6: 8-mercaptopurine quinoline

〔シリカ粒子の一次粒子平均粒子径の測定方法〕 [Average primary particle measuring method of the particle diameter of silica particles]
コロイダルシリカを含む試料を、透過型電子顕微鏡「JEM−2000FX」(80kV、1〜5万倍、日本電子社製)により当該製造業者が添付した説明書に従って試料を観察し、TEM(Transmission Electron Microscope)像を写真撮影した。 Samples containing colloidal silica, a transmission electron microscope "JEM-2000FX," (80 kV, 1 to 5 thousand times, manufactured by JEOL Ltd.) Samples were observed according to the instructions the manufacturer is attached by, TEM (Transmission Electron Microscope ) image was photographed. この写真をスキャナで画像データとしてパソコンに取り込み、解析ソフト「WinROOF ver.3.6」(販売元:三谷商事)を用いて、個々のシリカ粒子の円相当径を計測し、粒子径を求めた。 Uptake this picture to a personal computer as image data by the scanner, analysis software "WinROOF Ver.3.6" (Publisher: Mitani Corporation) was used to measure the equivalent circle diameter of each of the silica particles was determined particle size . このようにして、1000個のシリカ粒子の粒子径を求めた後、これらの平均値を算出し、この平均値を一次粒子の平均粒子径とした。 In this way, after determining a particle size of 1000 silica particles, it calculates an average value thereof, the average value was defined as the average particle size of the primary particles.

〈重合平均分子量の測定〉 <Measurement of weight average molecular weight>
水溶性高分子化合物の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づき算出した。 The weight average molecular weight of the water-soluble polymer compound, was calculated on the basis of gel permeation chromatography (GPC) method to the peak in the chromatogram obtained by applying under the following conditions.
装置:HLC−8320 GPC(東ソー株式会社製、検出器一体型) Apparatus: HLC-8320 GPC (manufactured by Tosoh Corporation, detector integrated)
カラム:TSKgel α−M+TSKgel α−M(カチオン、東ソー株式会社製) Column: TSKgel α-M + TSKgel α-M (cation, manufactured by Tosoh Corporation)
溶離液:エタノール/水(=3/7)に対して、LiBr(50mmol/L(0.43質量%))、CH 3 COOH(166.7mmol/L(1.0質量%))を添加流量:0.6mL/min Eluent: against ethanol / water (= 3/7), LiBr (50mmol / L (0.43 wt%)), the addition rate of CH 3 COOH (166.7mmol / L ( 1.0 wt%)) : 0.6mL / min
カラム温度:40℃ Column temperature: 40 ℃
検出器:RI Detector: RI
標準物質:分子量既知の単分散ポリエチレングリコール Standard materials: known molecular weight monodisperse polyethylene glycol

3. 3. 研磨方法 実施例1〜15、及び比較例1〜7の研磨液組成物を用いた研磨は、下記の標準研磨試験の条件で行った。 Polishing using the polishing composition of the polishing method Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 7 were carried out under the conditions of standard grinding test described below.
〔研磨条件〕 Polishing conditions]
研磨試験機:スピードファム社製「両面9B研磨機」 Polishing testing machine: SpeedFam "double-sided 9B polishing machine"
研磨パッド:スウェードタイプ(厚さ0.9mm、平均開孔径30μm、材質:発泡ウレタン) Polishing pad: suede type (thickness 0.9 mm, average pore diameter 30 [mu] m, material: urethane foam)
研磨液組成物供給量:100mL/分(被研磨基板1cm 2あたりの供給速度:約0.3mL/分) The polishing composition supply rate: 100 mL / min (supply rate per 2 to be polished substrate 1 cm: about 0.3 mL / min)
下定盤回転数:32.5rpm The lower platen rotation speed: 32.5rpm
研磨荷重:8.4kPa Polishing load: 8.4kPa
キャリア:アラミド製、厚さ0.45mm Carrier: aramid, thickness 0.45mm
研磨時間:20分被研磨基板:アルミノ珪酸ガラス基板(外径65mm、内径20mm、厚さ0.635mm) Polishing time: 20 minutes substrate to be polished: aluminosilicate glass substrate (outer diameter 65 mm, inner diameter 20 mm, thickness 0.635 mm)
投入基板枚数:10枚リンス条件:荷重=2.0kPa、時間=2分、イオン交換水供給量=約2L/分研磨後の基板を下記洗浄条件で洗浄し評価を実施した。 Put the number of substrates: 10 sheets Rinse Conditions: load = 2.0 kPa, time = 2 min, was evaluated washed ion-exchanged water supply amount = the substrate of approximately 2L / min polishing after the following washing conditions.

4. 4. 洗浄方法 研磨したアルミノ珪酸ガラス基板を、洗浄装置にて以下の条件で洗浄した。 The cleaning method polished aluminosilicate glass substrate was washed under the following conditions in the cleaning device.
(1)洗浄−1:KOH水溶液からなるpH12.0のアルカリ性洗浄剤組成物を入れた樹脂槽(40℃)に被洗浄基板を浸漬し、超音波を照射しながら120秒間洗浄する。 (1) Wash-1: resin bath containing an alkaline detergent composition pH12.0 consisting KOH aqueous solution to be cleaned substrate was immersed in (40 ° C.), washed for 120 seconds while applying ultrasonic waves.
(2)すすぎ−1:被洗浄基板を、超純水を入れた樹脂槽(40℃)に移し、超音波(120kHz)を照射しながら120秒間すすぎを行う。 (2) Rinse -1: a substrate to be cleaned, transferred to the resin bath containing ultra pure water (40 ° C.), performing rinsing for 120 seconds while applying ultrasonic waves (120 kHz).
(3)再度(1)と(2)を繰り返す。 (3) Repeat again (1) and (2).
(4)洗浄−2:樹脂槽内から被洗浄基板を、洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移し、洗浄ブラシに常温の洗浄剤組成物を射出し、該洗浄剤組成物の存在下で洗浄ブラシを該基板の両面に400rpmで回転させながら押し当てることにより、洗浄を5秒間行う。 (4) washing -2: a substrate to be cleaned from the resin bath, the cleaning brush is transferred to the set scrubbing unit, injecting a cold detergent composition to the wash brush, in the presence of the detergent composition by pressing while rotating at 400rpm washing brush on both surfaces of the substrate, for cleaning for 5 seconds. 洗浄剤組成物には、「(1)洗浄−1」で用いた洗浄剤組成物と同組成のものを用いる。 The detergent composition, using a detergent composition as the same composition as used in "(1) Washing -1".
(5)すすぎ−2:次のスクラブ洗浄ユニットに被洗浄基板を移し、常温の超純水を射出し、洗浄ブラシを該基板の両面に400rpmで回転させながら押し当てることにより、すすぎを5秒間行う。 (5) Rinsing -2: transferred substrate to be cleaned for the next scrubbing unit, injecting a room temperature of ultrapure water, a cleaning brush on both surfaces of the substrate by pressing while rotating at 400 rpm, rinsing 5 seconds do.
(6)再度(4)と(5)を繰り返す。 Repeat (6) again (4) and (5).
(7)すすぎ−3:超純水を入れた樹脂槽に移し、10分間すすぎを行う。 (7) Rinsing -3: transferred to the resin bath containing ultra pure water, and rinse for 10 minutes.
(8)乾燥:温純水(60℃)を入れた樹脂槽に移し、60秒間浸漬した後、250mm/分の速度で被洗浄基板を引き上げ、420秒間放置し、完全に基板表面を乾燥させる。 (8) Drying: hot pure water (60 ° C.) was transferred to a resin bath containing, was immersed for 60 seconds, raising the substrate to be cleaned with 250 mm / min, and allowed to stand for 420 seconds, thereby completely dry the substrate surface.

5. 5. 評価方法 研磨速度、及び表面粗さの評価は、以下のように行った。 Evaluation method The polishing rate, and evaluation of the surface roughness was carried out as follows.

〔研磨速度の測定方法〕 [Method of measuring the polishing speed]
研磨前後の基板の質量差(g)を該基板の密度(2.46g/cm 3 )、基板の表面積(30.04cm 2 )、及び研磨時間(分)で除した単位時間当たりの研磨量を計算し、研磨速度(μm/分)を算出した。 The density of abrasive mass difference before and after the substrate (g) the substrate (2.46 g / cm 3), the surface area of the substrate (30.04cm 2), and the polishing amount per unit obtained by dividing time polishing time (min) calculated, to calculate the polishing rate ([mu] m / min). その結果を下記表1に比較例4を100とした相対値として示す。 The results as relative values ​​to 100 Comparative Example 4 in Table 1 below.

〔表面粗さの測定方法〕 [Surface Roughness Measurement Method]
前述の研磨方法により得られた同じ研磨処理を施した基板10枚のうち、無作為に3枚選択し、洗浄剤組成物を用いた洗浄を行い、それぞれの表面粗さを測定した。 Of the substrate 10 sheets subjected to the same polishing process obtained by the polishing method described above, select three randomly, washed with detergent compositions, were measured respectively of the surface roughness. 表面粗さは、各々の基板の両面を、以下に示す条件にて、AFM(Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM)を用いて測定し、平均値を算出した。 Surface roughness, the surfaces of each substrate, under the conditions shown below, measured using an AFM (Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM), the mean value was calculated. 表面粗さ(AFM−Ra)の結果を下記表1に比較例4を100とした相対値として示す。 Surface roughness (AFM-Ra) of results of Comparative Example 4 in Table 1 shown as a relative value of 100.
(AFMの測定条件) (AFM measurement conditions)
Mode: Tapping mode Mode: Tapping mode
Area: 1×1μm Area: 1 × 1μm
Scan rate: 1.0Hz Scan rate: 1.0Hz
Cantilever: NCH−10V Cantilever: NCH-10V
Line: 512×512 Line: 512 × 512

〔清浄性の測定方法〕 [Cleanliness of the measurement method]
10000rpmで回転している洗浄された基板に、光学式微細欠陥検査装置( Candela6100、KLATencor社製)のMODE Q−Scatterでレーザーを照射して、欠陥数(基板上の異物数)の測定を実施した。 A substrate that has been cleaned is rotating at 10000 rpm, by irradiating laser with MODE Q-Scatter optical microscopic defect inspection apparatus (Candela6100, KLATencor Co.), perform measurements of the number of defects (of foreign matter on the substrate) did. 実施例1〜15及び比較例1〜7の洗浄剤組成物それぞれにつき10枚ずつの基板について前記測定を行い、平均値を得た。 It performs the measurement for the substrate of ten sheets per each cleaning composition of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 7, to obtain a mean value. 欠陥数が少ないほど洗浄性が高いことを示す。 It indicates a higher detergency smaller the number of defects. 洗浄性の結果を、比較例1を100とした相対値で表1に示す。 The detergency results are shown in Table 1 as a relative value taken as 100 Comparative Example 1.

上記表1に示すとおり、実施例1の研磨液組成物は、比較例1と比べて研磨速度が維持され、かつ、洗浄後の基板表面の表面粗さの悪化が抑制された。 As shown in Table 1, the polishing liquid composition of Example 1, the polishing rate is maintained as compared with Comparative Example 1, and the deterioration of the surface roughness of the substrate surface after the cleaning is suppressed. また、8ヒドロキシキノリン(実施例1と2参照)等は更に清浄性が高いことがわかる。 Also, 8-hydroxyquinoline (see Example 1 and 2) or the like it can be seen that further high cleanliness.

Claims (10)

  1. シリカ粒子、酸、下記式(I)で表される化合物及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも1種である成分(A)、及び水を含有する、ガラスハードディスク基板用研磨液組成物。 Silica particles, acid, component is at least one selected from the group consisting of compounds and their salts represented by the following formula (I) (A), and contains water, the polishing liquid composition for glass hard disk substrate.
    [式(I)において、X及びYは、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数1以上4以下の炭化水素基、水酸基、スルホン酸基、カルボキシ基、ニトロ基、及びハロゲンからなる群から選らばれ、Zは、水素原子、水酸基、及びカルボキシ基からなる群から選ばれる。 [In the formula (I), X and Y are each independently a hydrogen atom, 1 or more carbon atoms having 4 or less of the hydrocarbon group, a hydroxyl group, a sulfonic acid group, a carboxy group, a nitro group, and from the group consisting of halogen depending Barre, Z is hydrogen atom, selected from the group consisting of hydroxyl, and carboxy groups. ]
  2. 式(I)で表される化合物が、8−ヒドロキシキノリン、8−キノリンカルボン酸、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1に記載の研磨液組成物。 Compounds of the formula (I) are 8-hydroxyquinoline, 8-quinoline carboxylic acid, and is at least one selected from the group consisting of, the polishing liquid composition according to claim 1.
  3. さらにアミン化合物を含有する、請求項1又は2に記載の研磨液組成物。 Further contains an amine compound, the polishing liquid composition according to claim 1 or 2.
  4. さらに水溶性高分子を含有する、請求項1又は2に記載の研磨液組成物。 Further containing a water-soluble polymer, the polishing liquid composition according to claim 1 or 2.
  5. アルミノ珪酸ガラス基板を研磨するための、請求項1から4のいずれかに記載の研磨液組成物。 For polishing aluminosilicate glass substrate, the polishing liquid composition according to any one of claims 1 to 4.
  6. pHが1.0以上4.7以下である、請求項1から5のいずれかに記載の研磨液組成物。 pH is 1.0 or more than 4.7, the polishing liquid composition according to any one of claims 1 to 5.
  7. 請求項1から6のいずれかに記載の研磨液組成物を使用して被研磨ガラス基板を研磨する工程を含む、ガラスハードディスク基板の製造方法。 Use polishing liquid composition according to any one of claims 1 to 6 comprising the step of polishing the glass substrate, process for producing a glass hard disk substrate.
  8. さらに、前記研磨工程の後のガラス基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程を含む、請求項7記載のガラスハードディスク基板の製造方法。 Further, the glass substrate after the polishing process, comprising the step of washing with detergent compositions, method for producing a glass hard disk substrate according to claim 7 wherein.
  9. さらに、ガラス基板上に磁性膜を形成する工程を含む、請求項7又は8に記載のガラスハードディスク基板の製造方法。 Further comprising the step of forming a magnetic film on a glass substrate, a manufacturing method of a glass hard disk substrate according to claim 7 or 8.
  10. 請求項1から6のいずれかに記載の研磨液組成物を使用して被研磨ガラス基板を研磨する工程を含む、ガラス基板の研磨方法。 Use polishing liquid composition according to any one of claims 1 to 6 comprising the step of polishing the glass substrate, a polishing process of the glass substrate.
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