JP2016121377A - ニッケルめっき液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ニッケルイオンと、スルファミン酸イオンと、1〜4個の炭素原子を有するアルカンスルホン酸および2〜4個の炭素原子を有するアルケンスルホン酸から選択される化合物とを含むニッケルめっき液により、電解めっきする。
【選択図】図1
Description
均一性(%)=((柱の最大高さ−柱の最小高さ)/2×柱の平均高さ)×100
均一性を計算する際の柱の数は、10である。
実施例1〜13
シリコンウエハー(60mm×50mmの大きさで、レジスト層がウエハーの表面上に形成されており、50マイクロメートルの直径を有する10個の空孔がレジスト層を通して形成されたもの)を基板の試験試料として使用した(試験試料)。試験試料をニッケルめっき液(以下に開示される)中に浸し、電気めっきを施した。アノードは、ニッケル金属であった。目標とするめっきの厚さは、30μmであった。その後、試験試料を脱イオン水で洗浄した。その後、レジストをShipley BPRストリッパーを使用して60℃で5分間除去した。10個のニッケル柱を試験試料上に形成した。柱の表面の粗さをSEMで観察した。ニッケル柱の柱中心および柱端の高さを干渉計で分析した。
スルファミン酸ニッケル4水和物:525g/L(ニッケル金属として90g/L)
塩化ニッケル6水和物:20g/L(塩化物イオンとして6g/L)
ホウ酸:20g/L
添加物:(表1に開示されるもの)
残り:蒸留水
pH=4
同一のシリコンウエハー(試験試料)を使用した。試験試料をニッケルめっき液中に浸し、電気めっきを施した。アノードは、ニッケル金属であった。目標とするめっきの厚さは、5μmであった。その後、試験試料を脱イオン水で洗浄した。ニッケルアンダーバンプメタルを試験試料上に形成した。
シリコンウエハー(60mm×50mmの大きさであり、レジスト層がウエハーの表面上に形成されており、75マイクロメートルの直径を有する10個の空孔がレジスト層を通して形成されたもの)を基板の試験試料として使用した(試験試料2)。添加物の量および電流密度を表3に示されるように変化させたことを除いて、実施例14と同一の手順を行った。また一方で、塩化ナトリウム(ナトリウムイオンとして100ppm)、硫酸銅(銅イオンとして100ppm)、およびメタンスルホン酸スズ(スズイオンとして100ppm)を模倣不純物としてニッケルめっき液中に添加した。目標とするめっきの厚さは、3μmであった。図9Aおよび9Bは、実施例23によって得られたUBM表面のSEM写真である(それぞれ、1,500倍および5,000倍の倍率)。図10Aおよび図10Bは、実施例24によって得られたUBM表面のSEM写真である(それぞれ、1,500倍および5,000倍の倍率)。
Claims (9)
- ニッケルイオンと、スルファミン酸イオンと、1〜4個の炭素原子を有するアルカンスルホン酸および2〜4個の炭素原子を有するアルケンスルホン酸から選択される化合物と、を含む、電解ニッケルめっき液。
- 前記化合物がプロペンスルホン酸ナトリウムである、請求項1に記載の電解ニッケルめっき液。
- 基板上にニッケル柱を形成するための方法であって、前記ニッケル柱の直径が1〜150マイクロメートルであり、前記ニッケル柱の高さが2マイクロメートル以上であり、前記ニッケル柱の高さが10個の柱の平均高さの2倍の±5%以内であり、前記方法が、
(i)空孔を有するレジストが表面上に形成された基板を準備するステップと、
(ii)前記基板を請求項1または2に記載の電解ニッケルめっき液と接触させて、前記空孔内にニッケルを析出させるステップと、を含む、方法。 - 以下の式によって計算された前記ニッケル柱の上部のドーム形成比(doming ratio)が5%未満である、請求項3に記載の方法。
ドーム形成比(%)=((柱中心の最大厚さ−柱端の最小厚さ)/前記柱厚さの平均厚さ)×100 - 前記基板がシリコンウエハーである、請求項3または4に記載の方法。
- ニッケル柱および滑らかな表面を有するニッケルアンダーバンプメタルを個別に形成して、前記ニッケル柱と前記アンダーバンプメタルとの間に電気接続を形成するための方法であって、前記ニッケル柱および前記アンダーバンプメタルが請求項1または2に記載された、同一の電解ニッケルめっき液によって形成される、方法。
- (a)50〜130g/Lのニッケルイオン、(b)150〜500g/Lのスルファミン酸イオン、(c)10〜50g/Lのホウ酸、(d)5〜30g/Lの塩化物イオン、および(e)0.5〜25g/Lのプロペンスルホン酸ナトリウムを含む、ニッケルめっき液。
- シリコンウエハー上に形成されたニッケル柱であって、前記ニッケル柱の直径が1〜150マイクロメートルであり、前記ニッケル柱の高さが2マイクロメートル以上であり、前記ニッケル柱の高さが10個の柱の平均高さの2倍の±5%以内であり、前記ニッケル柱が、(a)50〜130g/Lのニッケルイオン、(b)150〜500g/Lのスルファミン酸イオン、(c)10〜50g/Lのホウ酸、(d)5〜30g/Lの塩化物イオン、および(e)2.5〜25g/Lのプロペンスルホン酸ナトリウムを含むニッケルめっき液から作製される、ニッケル柱。
- シリコンウエハー上に形成された滑らかな表面を有するニッケルアンダーバンプメタルであって、前記ニッケルアンダーバンプメタルが、(a)50〜130g/Lのニッケルイオン、(b)150〜500g/Lのスルファミン酸イオン、(c)10〜50g/Lのホウ酸、(d)5〜30g/Lの塩化物イオン、および(e)0.5〜25g/Lのプロペンスルホン酸ナトリウムを含むニッケルめっき液から作製され、走査型電子顕微鏡で観察されたときに、前記ニッケルアンダーバンプメタルの前記表面上でニッケル金属粒子が観察されない、ニッケルアンダーバンプメタル。
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JP7083648B2 (ja) | 2018-01-16 | 2022-06-13 | 株式会社アルバック | 半導体装置の製造方法 |
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