JP2016111197A - Exposure equipment - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simply and highly accurately detect or confirm a focusing state in an exposure equipment.SOLUTION: By projecting a pattern array PT constructed by a bar shape patterns PL1 to PL4 while moving a stage 12 to a shading part 40 to which slits ST1 to ST6 is formed, a light quantity signal is outputted from a photosensor PD. Thus, it is determined whether or not the focusing state is maintained based on an amplitude ratio M obtained by the light quantity signal.SELECTED DRAWING: Figure 8

Description

本発明は、光変調素子アレイなどを用いてパターンを形成する露光装置に関し、特に、焦点検出に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus that forms a pattern using a light modulation element array or the like, and more particularly to focus detection.

マスクレス露光装置では、基板が搭載されるステージを走査方向に沿って移動させながら、DMD(Digital Micro-mirror Device)などの光変調素子アレイによってパターン光を基板に投影する。そこでは、ステージに載せられた基板上における投影エリア(露光エリア)の位置に応じてパターン光を投影するように、2次元状に配列された光変調素子(マイクロミラーなど)を制御する。   In a maskless exposure apparatus, pattern light is projected onto a substrate by a light modulation element array such as DMD (Digital Micro-mirror Device) while moving a stage on which the substrate is mounted along the scanning direction. In this case, two-dimensionally arranged light modulation elements (such as micromirrors) are controlled so as to project pattern light according to the position of the projection area (exposure area) on the substrate placed on the stage.

感光材料を塗布あるいは貼り付けた基板上面にパターン光の焦点位置を合わせるため、露光前に焦点調整が行われる。例えば、焦点調整時において、フォーカスレンズを光軸方向に移動させながら、投影光学系の解像限界に近い周期によるライン&スペースパターン(L/Sパターン)の光を、DMDによって投影する。投影光学系の下方にはCCDカメラが設けられており、CCDカメラがパターン光を受光すると、画像処理によってL/Sパターンのコントラスト関連値を算出する。そして、ピーク検出位置を合焦位置と定め、基板位置を調整する(特許文献1参照)。   In order to adjust the focus position of the pattern light on the upper surface of the substrate on which the photosensitive material is applied or pasted, focus adjustment is performed before exposure. For example, at the time of focus adjustment, light of a line & space pattern (L / S pattern) having a period close to the resolution limit of the projection optical system is projected by the DMD while moving the focus lens in the optical axis direction. A CCD camera is provided below the projection optical system. When the CCD camera receives pattern light, the contrast-related value of the L / S pattern is calculated by image processing. Then, the peak detection position is set as the in-focus position, and the substrate position is adjusted (see Patent Document 1).

露光装置の光学系の焦点位置は経時変化する場合がある。そのため、一度焦点調整を行っても、焦点位置が合焦位置から外れる恐れがある。特に、近年では、パターンの微細化に伴って焦点深度が浅くなる傾向にあるため、合焦位置から外れやすい。そこで、観察用カメラによって、ダミー基板上に投影されたビームを観察し、コントラストが最大となるフォーカシングレンズの位置を設定するとともに、その位置での基板と光学系との距離(基準距離)を経時変化に合わせて調整するキャリブレーション動作を行う(特許文献2参照)。   The focal position of the optical system of the exposure apparatus may change over time. Therefore, even if the focus adjustment is performed once, the focus position may deviate from the focus position. In particular, in recent years, since the depth of focus tends to become shallower as the pattern becomes finer, it tends to be out of focus. Therefore, the beam projected on the dummy substrate is observed with an observation camera, the position of the focusing lens that maximizes the contrast is set, and the distance (reference distance) between the substrate and the optical system at that position is determined over time. A calibration operation for adjusting according to the change is performed (see Patent Document 2).

特開2009−246165号公報JP 2009-246165 A 特開2013−77677号公報JP 2013-77777 A

露光装置のステージ機構、あるいは投影光学系の配置構造などに何らかの支障(変化)が生じると、露光面の位置が合焦(ピント)範囲から外れてしまう。特に、パターンが微細になるほど焦点深度が浅くなるため、露光装置を長期間使用すると、ピントずれが生じる可能性が高くなる。   If any trouble (change) occurs in the stage mechanism of the exposure apparatus or the arrangement structure of the projection optical system, the position of the exposure surface deviates from the focus range. In particular, since the depth of focus becomes shallower as the pattern becomes finer, the possibility of defocusing increases when the exposure apparatus is used for a long time.

そのため、露光の開始前などのタイミングで、基板の位置が合焦範囲にあることを確認することが望ましい。例えば、試験用の基板にパターンを形成して目視し、あるいはカメラで撮像してパターン精度を確認することが可能である。   Therefore, it is desirable to confirm that the position of the substrate is in the in-focus range at a timing such as before the start of exposure. For example, it is possible to confirm the pattern accuracy by forming a pattern on a test substrate and visually observing it or taking an image with a camera.

しかしながら、光源出力の変動によって光量変化が生じると、パターン像の見え方は変わる。そのため、単に合焦状態から外れていないか確認する作業においても、基板の光軸(z軸)方向の移動あるいは光学系の駆動など、焦点調整と同様の作業を行う必要がある。これは、合焦確認に長い作業時間を伴うことになり、基板製造のスループット向上を妨げる。   However, when the amount of light changes due to fluctuations in the light source output, the appearance of the pattern image changes. For this reason, even in the operation of simply confirming whether or not it is out of focus, it is necessary to perform the same operation as the focus adjustment, such as moving the substrate in the optical axis (z-axis) direction or driving the optical system. This entails a long work time for in-focus confirmation, which hinders improvement in throughput of substrate manufacturing.

したがって、露光装置において、簡易かつ精度よく合焦状態を検出あるいはモニタリングできることが求められる。   Therefore, it is required that the in-focus state can be detected or monitored easily and accurately in the exposure apparatus.

本発明の露光装置は、複数の光変調素子をマトリクス状に配列した光変調素子アレイと、光変調素子アレイによる露光エリアを、被描画体に対し主走査方向に沿って相対移動させる走査部と、露光エリアの相対位置に応じたパターンデータに基づいて、複数の光変調素子を制御する露光制御部と、光変調素子アレイからのパターン光を、被描画体の描画面に結像させる結像光学系と、描画面に沿って少なくとも1つのスリットを形成した遮光部とスリットを透過する光を受光する測光部と、測光部の出力に基づいて、合焦状態を検出する合焦検出部とを備える。   An exposure apparatus according to the present invention includes a light modulation element array in which a plurality of light modulation elements are arranged in a matrix, and a scanning unit that relatively moves an exposure area by the light modulation element array with respect to an object to be drawn along a main scanning direction. Based on pattern data corresponding to the relative position of the exposure area, an exposure control unit that controls a plurality of light modulation elements, and an image that forms pattern light from the light modulation element array on the drawing surface of the drawing object An optical system, a light-shielding portion formed with at least one slit along the drawing surface, a light-measuring portion that receives light transmitted through the slit, and a focus detection portion that detects a focusing state based on an output of the photometry portion; Is provided.

本発明の露光制御部は、遮光部を露光エリアが相対移動する間、ライン&スペース(L/S)パターン光を投影させる。L/Sパターン光が相対移動しながらスリットを通過することによって、波形状光量が測光部の出力に基づいて検出される。ここで、「波形状光量」とは、走査方向に沿った光量変化が周期的で波形状になっている空間的な光量分布を表す。測光部の出力は時系列的に周期性をもった波形出力(時系列的波形状光量という)となるが、時系列的波形状光量と光量変化の特性が相応する空間的な光量分布が得られる。   The exposure control unit of the present invention projects line & space (L / S) pattern light while the exposure area moves relative to the light shielding unit. As the L / S pattern light passes through the slit while relatively moving, the waveform light quantity is detected based on the output of the photometry unit. Here, the “waveform light quantity” represents a spatial light quantity distribution in which the light quantity change along the scanning direction is periodic and wave-shaped. The output of the metering unit is a waveform output with periodicity in time series (referred to as time-series waveform light quantity), but a spatial light distribution corresponding to the characteristics of time-series waveform light quantity and light quantity change is obtained. It is done.

そして合焦検出部は、L/Sパターン光の投影によって検出される波形状光量の振幅(つまり光量変位の幅)と、合焦範囲にあるときの基準振幅とに基づいて、被描画面が合焦範囲にあるか否かを検出する。ここで、「合焦範囲にあるときの基準振幅」とは、焦点深度を踏まえて合焦と判断される状態で検出される波形状光量の振幅を表す。振幅に基づいた合焦判断検出により、基板や光学系を駆動させることなく、合焦状態を確認することができる。また、コントラストではなく、基準振幅に対する振幅の変化を見ることで、より簡易な演算処理で合焦判断することができる。   Then, the focus detection unit determines whether the drawing surface is based on the amplitude of the waveform light quantity detected by the projection of the L / S pattern light (that is, the width of the light quantity displacement) and the reference amplitude when in the focus range. It is detected whether it is in the focus range. Here, the “reference amplitude when in the in-focus range” represents the amplitude of the waveform light quantity detected in a state where it is determined to be in focus based on the depth of focus. By detecting the focus determination based on the amplitude, the in-focus state can be confirmed without driving the substrate or the optical system. In addition, by looking at the change in amplitude with respect to the reference amplitude instead of the contrast, it is possible to determine the in-focus state with simpler arithmetic processing.

例えば合焦検出部は、光量振幅と基準振幅との比である振幅比に基づいて、合焦範囲にあるか否かを判断する。振幅比という容易な演算処理によって、合焦判断することが可能となる。特に、合焦状態と非合焦状態において波形状光量の中心光量(平均光量)が等しい場合、合焦検出部は、L/Sパターン光の平均光量と、L/Sパターン光が投影されていないときのベース光量とに基づいて、基準振幅を算出することができる。波形状光量振幅については、最大光量と最小光量(Peak to Peak)を検出すればよい。   For example, the focus detection unit determines whether or not the lens is in the focus range based on an amplitude ratio that is a ratio between the light amount amplitude and the reference amplitude. In-focus determination can be performed by an easy calculation process called an amplitude ratio. In particular, when the center light amount (average light amount) of the waveform light amount is the same in the focused state and the out-of-focus state, the focus detection unit projects the average light amount of the L / S pattern light and the L / S pattern light. The reference amplitude can be calculated based on the base light amount when there is not. For the waveform light quantity amplitude, the maximum light quantity and the minimum light quantity (Peak to Peak) may be detected.

合焦検出部は、あらかじめ光学系や基板を駆動する焦点調整時において、各焦点位置の振幅比を計測し、焦点検出用データとしてメモリに保存することができる。この場合、データに定められる合焦範囲に基づき、合焦検出部が、合焦範囲にあるか否かを判断することが可能である。合焦範囲は、感光材料の感度特性、要求されるパターン精度の少なくともいずれか一つに基づいて定めればよい。   The focus detection unit can measure the amplitude ratio of each focus position in advance during focus adjustment for driving the optical system and the substrate, and store the focus ratio in the memory as focus detection data. In this case, based on the focus range defined in the data, the focus detection unit can determine whether or not it is in the focus range. The focusing range may be determined based on at least one of sensitivity characteristics of the photosensitive material and required pattern accuracy.

平均光量を算出する場合、専用の開口部および受光部を設けてもよい。例えば、遮光部は、平均光量測定用開口部を有し、測光部は、平均光量測定用開口部を通るL/Sパターン光を受光する平均光量用受光部を有する。   When calculating the average light quantity, a dedicated opening and a light receiving part may be provided. For example, the light shielding unit includes an average light amount measurement opening, and the photometry unit includes an average light amount light receiving unit that receives L / S pattern light passing through the average light amount measurement opening.

オペレータに合焦範囲でないことを迅速に知らせることを考慮すると、合焦範囲から外れる場合、合焦範囲から外れていることを報知する報知部を設けるのがよい。   In consideration of promptly notifying the operator that it is not in the focus range, it is preferable to provide a notification unit that notifies the operator that it is out of the focus range when it is out of the focus range.

露光装置は、遮光部を露光エリアが相対移動する間、露光位置検出用のL/Sパターン光を投影させることによって測光部から出力される光量に基づいて、露光位置を検出する露光位置検出部を設けることが可能である。この場合、露光位置検出と焦点検出の両方を同じ機構によって行うことが可能となる。   An exposure apparatus detects an exposure position based on the amount of light output from the photometry unit by projecting an L / S pattern light for detecting the exposure position while the exposure area moves relative to the light shielding unit. Can be provided. In this case, both exposure position detection and focus detection can be performed by the same mechanism.

本発明の他の態様における露光装置の焦点検出装置は、ライン&スペース(L/S)パターン光を受光する測光部と、L/Sパターン光の投影によって検出される波形状光量の振幅と、合焦範囲に応じた基準振幅とに基づいて、被描画面が合焦範囲にあるか否かを検出する合焦検出部とを備える。また、本発明の他の態様における露光装置の焦点検出方法は、ライン&スペース(L/S)パターン光を受光し、L/Sパターン光の投影によって検出される波形状光量の振幅と、合焦範囲に応じた基準振幅とに基づいて、被描画面が合焦範囲にあるか否かを検出する。   A focus detection device of an exposure apparatus according to another aspect of the present invention includes a photometry unit that receives line & space (L / S) pattern light, an amplitude of a waveform light amount detected by projection of the L / S pattern light, A focus detection unit configured to detect whether or not the drawing surface is in the focus range based on the reference amplitude corresponding to the focus range; In addition, the focus detection method of the exposure apparatus according to another aspect of the present invention receives the line & space (L / S) pattern light and detects the amplitude of the waveform light quantity detected by the projection of the L / S pattern light. Based on the reference amplitude corresponding to the focus range, it is detected whether the drawing surface is in the focus range.

本発明によれば、露光装置において、簡易かつ精度よく合焦状態を検出あるいは確認することができる。   According to the present invention, an in-focus state can be detected or confirmed easily and accurately in an exposure apparatus.

第1の実施形態である露光装置のブロック図である。It is a block diagram of the exposure apparatus which is 1st Embodiment. 遮光部と、焦点調整および焦点検出用のパターン列を示した図である。It is the figure which showed the light-shielding part and the pattern row | line | column for focus adjustment and focus detection. フォトセンサと遮光部の配置を示した概略的側面図である。It is the schematic side view which showed arrangement | positioning of a photo sensor and a light-shielding part. 1つのスリットを1つのバー状パターンの光が通過したときの空間的光量分布および時系列的光量分布を示したグラフを示した図である。It is the figure which showed the graph which showed the spatial light quantity distribution when the light of one bar-shaped pattern passed through one slit, and a time-sequential light quantity distribution. 1つのスリットを1つのバー状パターンの光が通過したときの空間的光量分布を示したグラフを示した図である。It is the figure which showed the graph which showed the spatial light quantity distribution when the light of one bar-shaped pattern passed through one slit. バー状パターン列に応じた空間的光量分布を示した図である。It is the figure which showed the spatial light quantity distribution according to the bar-shaped pattern row | line | column. 異なる振幅比をもつ空間的光量分布のグラフを示した図である。It is the figure which showed the graph of spatial light quantity distribution which has a different amplitude ratio. 焦点移動量と振幅比との相関関係を表すグラフを示した図である。It is the figure which showed the graph showing the correlation of a focal moving amount | distance and amplitude ratio. 合焦状態モニタリング処理のフローを示した図である。It is the figure which showed the flow of the focus state monitoring process. 解像性能を維持した場合の光量分布と解像性能が低下した場合の光量分布とを示した図である。It is the figure which showed light quantity distribution when resolution performance is maintained, and light quantity distribution when resolution performance falls. 解像力と振幅比との関係を表すグラフを示した図である。It is the figure which showed the graph showing the relationship between resolution and an amplitude ratio. 基準となる振幅をもつ空間的光量分布を示した図である。It is the figure which showed the spatial light quantity distribution with the amplitude used as a reference | standard. 解像性能のモニタリング処理のフローを示した図である。It is the figure which showed the flow of the monitoring process of resolution performance.

以下では、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、第1の実施形態である露光装置のブロック図である。   FIG. 1 is a block diagram of an exposure apparatus according to the first embodiment.

露光装置10は、フォトレジストなどの感光材料を塗布、あるいは貼り付けた基板Wへ光を照射することによってパターンを形成するマスクレス露光装置であり、基板Wを搭載するステージ12が走査方向に沿って移動可能に設置されている。ステージ駆動機構15は、主走査方向X、副走査方向Yに沿ってステージ12を移動させることができる。   The exposure apparatus 10 is a maskless exposure apparatus that forms a pattern by irradiating light onto a substrate W to which a photosensitive material such as a photoresist is applied or pasted, and a stage 12 on which the substrate W is mounted extends in the scanning direction. It is installed to be movable. The stage drive mechanism 15 can move the stage 12 along the main scanning direction X and the sub-scanning direction Y.

露光装置10は、パターン光を投影する複数の露光ヘッドを備えており(ここでは1つの露光ヘッド18のみ図示)、露光ヘッド18は、DMD22、照明光学系(図示せず)、結像光学系23を備える。光源20は、例えば放電ランプ(図示せず)によって構成され、光源駆動部21によって駆動される。   The exposure apparatus 10 includes a plurality of exposure heads that project pattern light (only one exposure head 18 is shown here). The exposure head 18 includes a DMD 22, an illumination optical system (not shown), and an imaging optical system. 23. The light source 20 is constituted by a discharge lamp (not shown), for example, and is driven by a light source driving unit 21.

ベクタデータなどで構成されるCAD/CAMデータが露光装置10へ入力されると、ベクタデータがラスタ変換回路26に送られ、ベクタデータがラスタデータに変換される。生成されたラスタデータは、バッファメモリ(図示せず)に一時的に格納された後、DMD駆動回路24へ送られる。   When CAD / CAM data composed of vector data or the like is input to the exposure apparatus 10, the vector data is sent to the raster conversion circuit 26, and the vector data is converted into raster data. The generated raster data is temporarily stored in a buffer memory (not shown) and then sent to the DMD driving circuit 24.

DMD22は、微小マイクロミラーを2次元配列させた光変調素子アレイ(光変調器)であり、各マイクロミラーは、姿勢を変化させることによって光の反射方向を選択的に切り替える。DMD駆動回路24によって各ミラーが姿勢制御されることにより、パターンに応じた光が、結像光学系23を介して基板Wの表面に投影(結像)される。これによって、パターン像が基板Wに形成される。   The DMD 22 is a light modulation element array (light modulator) in which minute micromirrors are two-dimensionally arranged, and each micromirror selectively switches the light reflection direction by changing the posture. By controlling the posture of each mirror by the DMD driving circuit 24, light corresponding to the pattern is projected (imaged) onto the surface of the substrate W via the imaging optical system 23. As a result, a pattern image is formed on the substrate W.

ステージ駆動機構15は、コントローラ30からの制御信号に従い、ステージ12を移動させる。ステージ駆動機構15には不図示のリニアエンコーダが備わっており、ステージ12の位置を測定し、コントローラ30にフィードバックする。コントローラ30は、露光装置10の動作を制御し、ステージ駆動機構15、DMD駆動回路24へ制御信号を出力する。また、図示しないモニタへメニュー画面などを表示するための表示制御処理を実行する。露光動作に関するプログラムは、あらかじめメモリ32に格納されている。   The stage drive mechanism 15 moves the stage 12 in accordance with a control signal from the controller 30. The stage drive mechanism 15 includes a linear encoder (not shown), and measures the position of the stage 12 and feeds it back to the controller 30. The controller 30 controls the operation of the exposure apparatus 10 and outputs a control signal to the stage drive mechanism 15 and the DMD drive circuit 24. Further, display control processing for displaying a menu screen or the like on a monitor (not shown) is executed. A program relating to the exposure operation is stored in the memory 32 in advance.

光検出部28は、ステージ12の端部付近に設置されており、フォトセンサPD、およびパルス信号発生部29を備えている。光検出部28の上方には、部分的に光を通す遮光部40が設けられている。光検出部28は、焦点調整およびアライメント調整時に使用される。演算部27は、光検出部28から送られてくる信号に基づき、合焦状態をモニタリングするためのパラメータとなる光量振幅比を算出する。また演算部27は、露光位置、すなわち露光ヘッドに対する基板W(ステージ12)の位置を算出可能である。   The light detection unit 28 is installed near the end of the stage 12 and includes a photosensor PD and a pulse signal generation unit 29. A light blocking unit 40 that partially transmits light is provided above the light detection unit 28. The light detection unit 28 is used during focus adjustment and alignment adjustment. Based on the signal sent from the light detection unit 28, the calculation unit 27 calculates a light intensity amplitude ratio that is a parameter for monitoring the in-focus state. Further, the calculation unit 27 can calculate the exposure position, that is, the position of the substrate W (stage 12) with respect to the exposure head.

結像光学系23と遮光部40との間の光路上に設けられた焦点調整用プリズム25は、2つの楔型プリズムを互いに斜面で接するように対向配置させた光学系であり、プリズム駆動部33は、光軸方向厚さが変化するように2つのプリズムを互いに相対移動させる。結像光学系23の焦点位置は、プリズム25を駆動することにより、基板鉛直方向(z軸方向)に沿って移動する。   The focus adjustment prism 25 provided on the optical path between the imaging optical system 23 and the light shielding unit 40 is an optical system in which two wedge-shaped prisms are arranged to face each other so as to be in contact with each other at an inclined surface. 33 moves the two prisms relative to each other so that the thickness in the optical axis direction changes. The focal position of the imaging optical system 23 moves along the substrate vertical direction (z-axis direction) by driving the prism 25.

露光動作中、ステージ12は、走査方向Xに沿って一定速度で移動する。DMD22全体による投影エリア(以下、露光エリアという)は、基板Wの移動に伴って基板W上を相対的に移動する。露光動作は所定の露光ピッチに従って行なわれ、露光ピッチに合わせてマイクロミラーがパターン光を投影するように制御される。   During the exposure operation, the stage 12 moves along the scanning direction X at a constant speed. A projection area (hereinafter referred to as an exposure area) by the entire DMD 22 relatively moves on the substrate W as the substrate W moves. The exposure operation is performed according to a predetermined exposure pitch, and the micromirror is controlled to project pattern light in accordance with the exposure pitch.

DMD22の各マイクロミラーの制御タイミングを露光エリアの相対位置に従って調整することにより、露光エリアの位置に描くべきパターンの光が順次投影される。そして、露光ヘッド18を含めた複数の露光ヘッドにより基板W全体を描画することによって、基板W全体にパターンが形成される。   By adjusting the control timing of each micromirror of the DMD 22 according to the relative position of the exposure area, the light of the pattern to be drawn is sequentially projected at the position of the exposure area. Then, a pattern is formed on the entire substrate W by drawing the entire substrate W with a plurality of exposure heads including the exposure head 18.

なお、露光方式としては、一定速度で移動する連続移動方式だけでなく、間欠的に移動するステップ&リピートも可能である。また、マイクロミラーの像を部分的に重ねて露光する多重露光(オーバーラップ露光)も可能である。   As an exposure method, not only a continuous movement method that moves at a constant speed, but also step and repeat movements that move intermittently are possible. Also, multiple exposure (overlap exposure) in which images of micromirrors are partially overlapped and exposed is possible.

基板の種類変更などを行った場合、露光前に焦点調整用プリズム25を用いて焦点調整が行われる。具体的には、基板Wやフォトレジストの厚みの変更に応じて焦点調整量を計算し、焦点調整量に応じて焦点調整用プリズム25を駆動し、結像光学系23の焦点位置を基板Wの描画面と一致させる。   When the substrate type is changed, focus adjustment is performed using the focus adjustment prism 25 before exposure. Specifically, the focus adjustment amount is calculated according to changes in the thickness of the substrate W and the photoresist, the focus adjustment prism 25 is driven according to the focus adjustment amount, and the focus position of the imaging optical system 23 is set to the substrate W. Match the drawing surface of.

焦点調整が行われると、各基板に対する露光動作の開始前、あるいは露光作業時間が所定時間経過する度に、合焦状態が維持されているか否かを検出/モニタリングする。具体的には、ステージ12を一定速度で移動させながら、焦点検出用のパターン光を投影する。コントローラ30は、光検出部28からの出力信号に基づいて、合焦状態にあるか否かを判断する。   When the focus adjustment is performed, it is detected / monitored whether or not the in-focus state is maintained before the start of the exposure operation for each substrate or every time the exposure work time elapses. Specifically, pattern light for focus detection is projected while moving the stage 12 at a constant speed. Based on the output signal from the light detection unit 28, the controller 30 determines whether or not it is in focus.

また、パターンを正確な位置に形成するため、露光開始位置に関する補正処理が露光動作開始前に行われる。具体的には、ステージ12を一定速度で移動させながら、位置検出用のパターンの光を投影する。ここでの位置検出用パターン光は、焦点検出用パターン光とは別のパターン列である。コントローラ30は、演算部27から送られてくる位置情報に基づき、露光開始位置を補正する。   Further, in order to form a pattern at an accurate position, correction processing relating to the exposure start position is performed before the exposure operation is started. Specifically, the light of the pattern for position detection is projected while moving the stage 12 at a constant speed. The position detection pattern light here is a pattern row different from the focus detection pattern light. The controller 30 corrects the exposure start position based on the position information sent from the calculation unit 27.

以下、図2〜6を用いて、合焦状態の検出、モニタリングについて説明する。   Hereinafter, detection and monitoring of the in-focus state will be described with reference to FIGS.

図2は、遮光部と、焦点調整および焦点検出用のパターン列を示した図である。図3は、フォトセンサと遮光部の配置を示した概略的側面図である。   FIG. 2 is a diagram illustrating a light shielding unit and a pattern row for focus adjustment and focus detection. FIG. 3 is a schematic side view showing the arrangement of the photosensor and the light shielding portion.

遮光部40は、フォトセンサPDの光源側上方に配置されており、スリットエリアSTが主走査方向Xに沿って形成されている。ここでは、主走査方向Xに垂直、すなわち副走査方向Yに平行な6つのバー状スリットST1〜ST6が、スリットピッチSPで等間隔に形成されている。遮光部40のサイズは、フォトセンサPD全体のサイズよりも大きく、遮光部40の真下に配置されたフォトセンサPDは、スリットSTを通った光のみ受光する。   The light shielding portion 40 is disposed above the light source side of the photosensor PD, and the slit area ST is formed along the main scanning direction X. Here, six bar-shaped slits ST1 to ST6 perpendicular to the main scanning direction X, that is, parallel to the sub-scanning direction Y are formed at equal intervals with a slit pitch SP. The size of the light-shielding part 40 is larger than the entire size of the photosensor PD, and the photosensor PD arranged directly below the light-shielding part 40 receives only light that has passed through the slit ST.

図3に示すように、光強度/光量を検知するフォトセンサPDは支持機構60によって保持されており、支持機構60は、ステージ12に取り付けられている。支持機構50は、フォトセンサの受光面PSと基板Wの描画面に平行な遮光部40の両端を支持し、支持機構60によって保持されている。   As shown in FIG. 3, the photosensor PD for detecting light intensity / light quantity is held by a support mechanism 60, and the support mechanism 60 is attached to the stage 12. The support mechanism 50 supports both ends of the light shielding unit 40 parallel to the light receiving surface PS of the photosensor and the drawing surface of the substrate W, and is held by the support mechanism 60.

焦点調整および合焦状態を検出するとき、ステージ12の移動に伴って露光エリアが遮光部40を通過する。このとき、図2に示すパターン列PTの光を遮光部40に向けて投影させる。パターン列PTは、いわゆるライン&スペース(L/S)パターンであって、主走査方向Xに垂直、すなわち副走査方向Yに平行なバー状パターンを複数並べたパターン列である。ここでは、パターンピッチPPで等間隔に並ぶ4つのバー状パターンPL1、PL2、PL3、PL4によって構成される。ここでは、パターン列PTのライン幅Kとライン間スペースの幅が等しい。すなわちパターンピッチPPが、ライン幅Kの2倍となる。   When the focus adjustment and the in-focus state are detected, the exposure area passes through the light shielding unit 40 as the stage 12 moves. At this time, the light of the pattern row PT shown in FIG. 2 is projected toward the light shielding unit 40. The pattern row PT is a so-called line & space (L / S) pattern, and is a pattern row in which a plurality of bar-shaped patterns perpendicular to the main scanning direction X, that is, parallel to the sub-scanning direction Y are arranged. Here, it is constituted by four bar-shaped patterns PL1, PL2, PL3, and PL4 arranged at equal intervals with a pattern pitch PP. Here, the line width K of the pattern row PT is equal to the width of the inter-line space. That is, the pattern pitch PP is twice the line width K.

バー状パターンPL1、PL2、PL3、PL4の各パターン幅Kは、遮光部40に形成されたスリットST1〜ST6各々のスリット幅Zよりも広い。また、パターンピッチPPも、スリット幅Zよりも広い。したがって、1つのバー状パターンが所定速度で1つのスリットを完全に通過した後、次のバー状パターンがスリット通過を開始する。また、バー状パターンPL1、PL2、PL3、PL4の各パターン幅Kは、結像光学系23の解像性能の上限に近い幅に定められている。例えば、パターン列PTのパターン幅Kは、2つの隣接する2つのマイクロミラーの像(2セル)の幅に定められる。   Each pattern width K of the bar-shaped patterns PL1, PL2, PL3, PL4 is wider than the slit width Z of each of the slits ST1 to ST6 formed in the light shielding part 40. The pattern pitch PP is also wider than the slit width Z. Therefore, after one bar-shaped pattern has completely passed through one slit at a predetermined speed, the next bar-shaped pattern starts to pass through the slit. Each pattern width K of the bar-shaped patterns PL1, PL2, PL3, and PL4 is set to a width close to the upper limit of the resolution performance of the imaging optical system 23. For example, the pattern width K of the pattern row PT is determined to be the width of two adjacent two micromirror images (2 cells).

図2に示すように、パターン列PTの主走査方向Xに沿った全体幅PWは、スリットピッチSPよりも小さい。このため、パターン列PTの最後尾バー状パターンPL4が1つのスリットを一定速度で通過終了すると、先頭のバー状パターンPL1が次のスリット通過を開始する。   As shown in FIG. 2, the overall width PW of the pattern row PT along the main scanning direction X is smaller than the slit pitch SP. For this reason, when the last bar-shaped pattern PL4 of the pattern row PT finishes passing through one slit at a constant speed, the first bar-shaped pattern PL1 starts passing the next slit.

パターン列PTの光が遮光部40を一定速度で通過するとき、バー状パターンPL1がスリットST6を透過したときにフォトセンサPDから出力される信号(以下、光量信号という)は、時系列的に連続変化する。これは、上述したように、スリット幅Zがバー状パターンPL1のパターン幅Kよりも短いことに起因する。したがって、他のバー状パターンPL2、PL3、PL4が順次スリットSL6を通過するときも時系列的に連続変化する。   When light of the pattern row PT passes through the light shielding unit 40 at a constant speed, a signal (hereinafter referred to as a light amount signal) output from the photosensor PD when the bar-shaped pattern PL1 passes through the slit ST6 is time-sequentially. It changes continuously. As described above, this is because the slit width Z is shorter than the pattern width K of the bar-shaped pattern PL1. Therefore, even when the other bar-shaped patterns PL2, PL3, and PL4 sequentially pass through the slit SL6, they continuously change in time series.

図4、図5は、1つのスリットを1つのバー状パターンの光が通過したときの空間的光量分布および時系列的光量分布を、合焦状態、ピント外れの状態に分けて示したグラフである。ただし、ここでの「空間的光量分布」は、X方向に沿った光量の変化の様子を表しており、Y方向に沿った光量は含まれない。   4 and 5 are graphs showing the spatial light amount distribution and time-series light amount distribution when light of one bar-shaped pattern passes through one slit, divided into an in-focus state and an out-of-focus state. is there. However, the “spatial light amount distribution” here represents a change in the light amount along the X direction, and does not include the light amount along the Y direction.

結像光学系23の解像限界に近いバー状パターンPL1の主走査方向Xに沿った光強度分布/光量分布は、略ガウス分布になっており、ピーク値を中心にして光量が前後に減少していく。その結果、フォトセンサPDによって検出される光量の時系列的分布(以下、光量信号分布という)ALも略ガウス分布となり、時系列的な光量信号分布ALと空間的な光量分布GDが、互いに相似的な相関関係をもつ(図4参照)。ただし、ここでの光量信号分布ALは、スリット幅Zに従って検出される光量信号値をステージ12の移動に対して連続的にプロットした軌跡を表す。   The light intensity distribution / light quantity distribution along the main scanning direction X of the bar-shaped pattern PL1 close to the resolution limit of the imaging optical system 23 is substantially Gaussian, and the light quantity decreases back and forth around the peak value. I will do it. As a result, the time series distribution (hereinafter referred to as the light quantity signal distribution) AL of the light quantity detected by the photosensor PD is also substantially Gaussian, and the time series light quantity signal distribution AL and the spatial light quantity distribution GD are similar to each other. (See FIG. 4). However, the light quantity signal distribution AL here represents a locus obtained by continuously plotting the light quantity signal values detected according to the slit width Z with respect to the movement of the stage 12.

光量信号分布ALと光量分布GDとが相似的関係をもつには、スリット幅Zがバー状パターン幅Kよりも短ければよく、十分短くすることによって光量信号分布ALの山形形状が光量分布GDの山形形状に一層近くなる。ここでは、スリット幅Zが、バー状パターン幅Kに対して0.1〜0.5倍に定められる。このような比率となるように、バー状パターンPL1の光を投影するマイクロミラーの領域設定あるいはスリット幅Zの調整いずれかを調整し、あるいは両方を行う。   In order for the light amount signal distribution AL and the light amount distribution GD to have a similar relationship, the slit width Z needs to be shorter than the bar-shaped pattern width K. By making it sufficiently short, the chevron shape of the light amount signal distribution AL becomes the light amount distribution GD. It becomes closer to the Yamagata shape. Here, the slit width Z is set to 0.1 to 0.5 times the bar-shaped pattern width K. Either the region setting of the micromirror for projecting the light of the bar-shaped pattern PL1 or the adjustment of the slit width Z is adjusted, or both are performed so as to obtain such a ratio.

一方、図5には、ピントが外れている状態における空間的光量分布を示している。この場合でも、光量分布は、徐々に増加しながら光量ピークP’を経て徐々に減少する分布形状になっているが、光量ピークP’は合焦状態の光量ピークPと比べて小さい。これは、焦点位置が遮光部40の表面、すなわち基板Wの表面と一致していないため、光量分布の範囲が拡大し、中心付近の光強度が低下するためである。   On the other hand, FIG. 5 shows a spatial light quantity distribution in a state where the subject is out of focus. Even in this case, the light amount distribution has a distribution shape that gradually increases and gradually decreases through the light amount peak P ′, but the light amount peak P ′ is smaller than the light amount peak P in the focused state. This is because the focal position does not coincide with the surface of the light shielding unit 40, that is, the surface of the substrate W, so that the range of the light amount distribution is expanded and the light intensity near the center is decreased.

図6は、バー状パターン列PTに応じた空間的光量分布を示した図である。   FIG. 6 is a diagram showing a spatial light quantity distribution according to the bar-shaped pattern row PT.

図6では、4つのバー状パターンPT1〜PT4のスリット通過後の空間的光量分布を連ねた光量分布を表している。ただし、この分布は、各バー状パターンの位置に合わせてスリットを形成した場合に得られる光量分布であり、実際には、各バー状パターン通過に合わせて順番に空間的光量分布が得られる。   FIG. 6 shows a light amount distribution obtained by connecting the spatial light amount distributions after passing through the slits of the four bar-shaped patterns PT1 to PT4. However, this distribution is a light amount distribution obtained when a slit is formed in accordance with the position of each bar-shaped pattern. In practice, a spatial light amount distribution is sequentially obtained in accordance with the passage of each bar-shaped pattern.

このように表された一連の光量分布は、周期的な波形(なみがた)によって表されており、中心からの振幅Sをもつ。ピント位置において得られる振幅Sは、ピントが外れているときの振幅S’よりも大きい。しかしながら、上述したように、パターン列PTのライン/スペースの幅が同じ(=K)であることから、ピント位置とピントから外れた位置両方とも、波形の中心が一致する。したがって、空間的光量分布の振幅の大きさが、ピント位置、すなわち合焦位置にあるか否かを表すバロメータとなる。   The series of light quantity distributions represented in this way is represented by a periodic waveform (Nanami) and has an amplitude S from the center. The amplitude S obtained at the focus position is larger than the amplitude S ′ when the focus is out of focus. However, as described above, since the line / space width of the pattern row PT is the same (= K), the center of the waveform coincides with both the focus position and the position out of focus. Therefore, the magnitude of the amplitude of the spatial light quantity distribution is a barometer indicating whether or not it is in the focus position, that is, the in-focus position.

図7は、異なる振幅比をもつ空間的光量分布のグラフを示した図である。   FIG. 7 is a graph showing a spatial light quantity distribution having different amplitude ratios.

図7に示すように、合焦状態にある場合と合焦状態から外れている場合では、波形の振幅に差が生じる。また、焦点深度の範囲に応じて、合焦状態の中でも異なる振幅が得られる。一方、上述したように、振幅が異なっても波形中心位置Cは実質的に変化しない。これは、光量ピーク付近(波形の山部分)の光量減少分が生じると同時に、光量ボトム付近(波形の他に部分)に相補的な光量増加部分が生じるためである。   As shown in FIG. 7, there is a difference in the amplitude of the waveform between the in-focus state and the out-of-focus state. Also, different amplitudes can be obtained in the in-focus state according to the range of the focal depth. On the other hand, as described above, the waveform center position C does not substantially change even if the amplitude is different. This is because a light amount decrease near the light amount peak (the peak portion of the waveform) occurs, and at the same time, a complementary light amount increase portion occurs near the light amount bottom (the portion other than the waveform).

したがって、合焦状態における振幅を基準として設定し、基準となる振幅と、検出される空間的光量分布の振幅とを比較することによって、焦点位置の変動を伴う焦点調整作業を行わなくても、合焦状態にあるか否かをモニタリングすることができる。例えば、基準振幅と検出される振幅との比を求め、合焦状態、すなわち焦点深度の範囲に収まる振幅比を定めることで、合焦状態をモニタリングすることができる。   Therefore, by setting the amplitude in the in-focus state as a reference and comparing the reference amplitude and the amplitude of the detected spatial light amount distribution without performing a focus adjustment operation with a change in the focal position, It is possible to monitor whether or not it is in focus. For example, the in-focus state can be monitored by obtaining a ratio between the reference amplitude and the detected amplitude and determining an in-focus state, that is, an amplitude ratio that falls within the range of the focal depth.

ところで、図4に示したように、空間的光量分布と時系列的光量分布は相似関係にあることから、ステージ12を移動させながら位置検出用のパターン列PTの光を遮光部40に投影することにより、図7と同様の時系列光量分布を得ることができる。また、フォトセンサPDによって検出される時系列的光量分布の振幅の大きさが、空間的光量分布の振幅の大きさに対応していることから、時系列的光量分布の振幅比は、空間的光量分布の振幅比に相当する。したがって、時系列的光量分布における振幅比に基づいて、合焦状態を判断することが可能となる。   As shown in FIG. 4, since the spatial light quantity distribution and the time-series light quantity distribution have a similar relationship, the light of the position detection pattern row PT is projected onto the light shielding unit 40 while moving the stage 12. Thus, a time-series light amount distribution similar to that in FIG. 7 can be obtained. In addition, since the magnitude of the amplitude of the time-series light quantity distribution detected by the photosensor PD corresponds to the magnitude of the amplitude of the spatial light quantity distribution, the amplitude ratio of the time-series light quantity distribution is spatial. This corresponds to the amplitude ratio of the light quantity distribution. Therefore, it is possible to determine the in-focus state based on the amplitude ratio in the time-series light amount distribution.

位置検出用のパターン列PTの光量が一定であるとき、空間的光量分布の中心位置Cは合焦状態、非合焦状態にかかわらず一定であることから、中心位置と最小もしくは最大光量を検出することによって振幅Aを算出することが可能である。中心位置Cは、例えば、空間的光量分布のピーク光量(最大光量)とボトム光量(最小光量)とから算出することができる。   When the light amount of the pattern row PT for position detection is constant, the center position C of the spatial light amount distribution is constant regardless of the in-focus state and the out-of-focus state, so the center position and the minimum or maximum light amount are detected. By doing so, the amplitude A can be calculated. The center position C can be calculated from, for example, the peak light amount (maximum light amount) and the bottom light amount (minimum light amount) of the spatial light amount distribution.

あるいは、中心位置Cがパターン列PTの1周期(1つのラインと1つのスペースのペア)の平均光量に等しいから、中心位置Cを、フォトセンサなどの測光部を設けて光量を測定し、測定されたパターン列PTの光量の平均値を求めてもよい。ここでは、各スリットを透過した光によって得られる時系列的光量値を周期に合わせて積分あるいは平均化することによって、中心位置Cを求める。   Alternatively, since the center position C is equal to the average light amount of one cycle (one line and one space pair) of the pattern row PT, the center position C is measured by measuring the light amount by providing a photometric unit such as a photosensor. You may obtain | require the average value of the light quantity of the made pattern row | line | column PT. Here, the center position C is obtained by integrating or averaging the time-series light quantity values obtained from the light transmitted through each slit in accordance with the period.

一方、結像光学系23の焦点位置が基板Wの表面と一致するときの振幅(基準振幅)Bについては、パターンを投影していないとき検出される光量信号レベル(ベース光量)を検出することにより、中心位置Cと検出された光量信号レベルとの間の振幅Bを、基準振幅として得ることができる。   On the other hand, for the amplitude (reference amplitude) B when the focal position of the imaging optical system 23 coincides with the surface of the substrate W, the light amount signal level (base light amount) detected when the pattern is not projected is detected. Thus, the amplitude B between the center position C and the detected light amount signal level can be obtained as the reference amplitude.

なお、平均光量算出のため測光部を設ける場合、上記遮光部やフォトセンサとは異なる独立した測光部を設けてもよく、あるいは、上記遮光部および/またはフォトセンサによって測光部を兼用する構成してもよい。その場合、遮光部に上述したスリットとは異なる位置に開口部を別途設け、開口部を通過した光の光量を測定するようにするとよい。開口部としては、少なくともパターン列PTのライン幅Kより広く、好ましくはパターン列PT全体の幅PWよりも広い幅の透光部分をもつ開口部をもうければよい。また、光量を測定するためのフォトセンサを別途配置してもよく、あるいは、上述したフォトセンサによって測光してもよい。   When a photometric unit is provided for calculating the average light quantity, an independent photometric unit different from the light shielding unit and the photosensor may be provided, or the photometric unit may be used by the light shielding unit and / or the photosensor. May be. In that case, it is preferable to separately provide an opening at a position different from the above-described slit in the light shielding portion and measure the amount of light that has passed through the opening. As the opening, an opening having a translucent portion that is at least wider than the line width K of the pattern row PT, and preferably wider than the width PW of the entire pattern row PT may be provided. In addition, a photosensor for measuring the amount of light may be separately arranged, or photometry may be performed by the above-described photosensor.

図8は、焦点移動量と振幅比との相関関係を表すグラフを示した図である。   FIG. 8 is a graph showing a correlation between the focus movement amount and the amplitude ratio.

図8では、焦点位置を変えながら検出される光量分布に基づいて算出した振幅比をプロットしたグラフを示している。振幅比A/Bが大きいほど、すなわち検出される振幅Aが最大振幅Bに近いほど合焦位置に近く、焦点位置が結像光学系23の焦点深度が離れていくにつれて、振幅比A/Bが小さくなっていく。   FIG. 8 shows a graph in which the amplitude ratio calculated based on the light amount distribution detected while changing the focal position is plotted. The larger the amplitude ratio A / B, that is, the closer the detected amplitude A is to the maximum amplitude B, the closer to the in-focus position, and the closer the focal position is to the focal depth of the imaging optical system 23, the larger the amplitude ratio A / B. Is getting smaller.

そこで、出荷時などにおいて、あらかじめ焦点移動可能な全範囲における振幅比を算出し、振幅比とその時の結像光学系23の焦点位置とを対応付けたデータ(マスタデータ)を、メモリ32に記憶する。具体的には、ステージ12を一定速度で移動させながら、焦点調整用パターンの光を投影する。そして、焦点調整用プリズム25を駆動して焦点位置を移動可能な距離範囲で変えながら、これを繰り返し行う。   Therefore, at the time of shipment or the like, the amplitude ratio in the entire range in which the focal point can be moved is calculated in advance, and data (master data) in which the amplitude ratio is associated with the focal position of the imaging optical system 23 at that time is stored in the memory 32. To do. Specifically, the focus adjustment pattern light is projected while moving the stage 12 at a constant speed. This is repeated while driving the focus adjustment prism 25 to change the focus position within a movable distance range.

コントローラ30は、光検出部28から出力される信号に基づき振幅比を算出し、マスタデータを作成する。また、基板Wの合焦位置FPがメモリ32に記憶される。そして、合焦位置FPを中心とした合焦範囲ARが定められる。   The controller 30 calculates the amplitude ratio based on the signal output from the light detection unit 28, and creates master data. Further, the focus position FP of the substrate W is stored in the memory 32. Then, an in-focus range AR centered on the in-focus position FP is determined.

合焦位置FPは、振幅比が最も大きい合焦範囲AR0からオフセットした位置に定められる。これは、遮光部40の位置と基板Wの描画面の位置は、基板Wの厚さT(図1参照)だけ差があり、また、遮光部40の光入射面が基板Wの搭載面(ステージ表面)より僅かに低い位置に設置されていることに起因する。合焦範囲ARの幅(上限、下限)は、結像光学系23の焦点深度とともに、基板Wの厚さT、基板Wの表面に形成された感光材料の種類、要求されるパターンオーダーなどに基づいて定められる。   The focus position FP is determined at a position offset from the focus range AR0 having the largest amplitude ratio. This is because the position of the light shielding portion 40 and the position of the drawing surface of the substrate W are different by the thickness T (see FIG. 1) of the substrate W, and the light incident surface of the light shielding portion 40 is the mounting surface of the substrate W ( This is because it is installed at a position slightly lower than the stage surface. The width (upper limit, lower limit) of the focusing range AR depends on the depth of focus of the imaging optical system 23, the thickness T of the substrate W, the type of photosensitive material formed on the surface of the substrate W, the required pattern order, and the like. Determined based on.

図9は、合焦状態モニタリング処理のフローを示した図である。ここでは、使用される基板Wなどに合わせて算出される焦点位置に焦点調整用プリズム25が調整された後、各基板の露光動作開始前、あるいは所定時間経過する度に処理が行われる。   FIG. 9 is a flowchart illustrating the focus state monitoring process. Here, after the focus adjustment prism 25 is adjusted to the focal position calculated in accordance with the substrate W to be used, the process is performed before the exposure operation of each substrate starts or every time a predetermined time elapses.

コントローラ30は、ステージ12を移動させながら、バー状パターン列PTを遮光部40に向けて照射するように、DMD駆動回路24を制御する(S101)。そして、フォトセンサPDから出力される光量信号に基づいて、振幅比Mが算出されると(S102)、メモリ32に記憶されたマスタデータの中から振幅比Mに応じた焦点位置が、合焦範囲Rに含まれるか否かが判断される(S103)。なお、振幅比の演算については、コントローラ30で実行してもよい。   The controller 30 controls the DMD drive circuit 24 to irradiate the bar-shaped pattern row PT toward the light shielding unit 40 while moving the stage 12 (S101). Then, when the amplitude ratio M is calculated based on the light amount signal output from the photosensor PD (S102), the focus position corresponding to the amplitude ratio M is selected from the master data stored in the memory 32. It is determined whether or not it is included in the range R (S103). The calculation of the amplitude ratio may be executed by the controller 30.

検出される振幅比Mに応じた焦点位置が合焦範囲Rから外れる場合、コントローラ30は、モニタへ警告表示するための表示制御処理を実行する(S104)。これによって、ユーザは、焦点位置が合焦範囲Rから外れていることを認識することができる。なお、警告表示以外のブザー音発生など、他の報知手段によってオペレータに知らせることも可能である。   When the focus position corresponding to the detected amplitude ratio M is out of the focus range R, the controller 30 executes display control processing for displaying a warning on the monitor (S104). Accordingly, the user can recognize that the focal position is out of the focusing range R. It is also possible to notify the operator by other notifying means such as generation of a buzzer sound other than the warning display.

このように第1の実施形態によれば、ステージ12を移動させながら、バー状パターンPL1〜PL4から構成されるパターン列PTを、スリットST1〜ST6の形成された遮光部40に投影することにより、フォトセンサPDから光量信号が出力される。そして、光量信号から求められる振幅比Mに基づき、合焦状態が維持されているか否かを判断する。   As described above, according to the first embodiment, by moving the stage 12, the pattern row PT including the bar-shaped patterns PL1 to PL4 is projected onto the light shielding unit 40 in which the slits ST1 to ST6 are formed. A light amount signal is output from the photosensor PD. Then, based on the amplitude ratio M obtained from the light quantity signal, it is determined whether or not the in-focus state is maintained.

画素サイズなどによって分解能が制限されるCCDを使用せず、焦点検出用のパターン光を基板Wに対して走査させることによって結像光学系23の合焦あるいはピンボケを判断しているため、合焦状態を精度よく検出することができる。さらに、メモリに記憶されたマスタデータに対して定められる合焦範囲Rは、振幅比の変化率は単調減少していることから、ピンボケが生じた場合、焦点位置が合焦範囲Rから外れている方向を確実に検出することができる。一方、光検出部28は露光位置検出と兼用して使用されるため、焦点検出のため専用CCDを設置する必要がなく、コストを抑えることができる。   The focus or out-of-focus of the imaging optical system 23 is determined by scanning the substrate W with pattern light for focus detection without using a CCD whose resolution is limited by the pixel size or the like. The state can be detected with high accuracy. In addition, the focus range R determined for the master data stored in the memory has a monotonically decreasing rate of change in the amplitude ratio. Therefore, when a defocus occurs, the focus position deviates from the focus range R. It is possible to reliably detect the direction of being. On the other hand, since the light detection unit 28 is also used for exposure position detection, it is not necessary to install a dedicated CCD for focus detection, and the cost can be reduced.

また、複数のスリットをパターン光が通過し、その相対的移動量に基づいて平均中心値を算出することにより、光源の揺らぎやフォトセンサの感度ムラなどが生じた場合においても、その影響を抑えることができる。さらに、複数のバー状パターンが複数のスリットを通過することにより、平均値の母数が拡大し、振幅比が精度よく計測される。   Moreover, even if pattern light passes through a plurality of slits and the average center value is calculated based on the relative movement amount, fluctuations in the light source and uneven sensitivity of the photosensor occur, the effect is suppressed. be able to. Furthermore, when the plurality of bar-shaped patterns pass through the plurality of slits, the parameter of the average value is expanded, and the amplitude ratio is accurately measured.

焦点検出用パターン列のバー状パターンは、主走査方向に垂直でなくてもよく、スリット形成方向に合わせてパターン形状を定め、上述した連続的光量分布が得られるようにスリットの主走査方向幅、パターン光の主走査方向幅を定めてもよい。フォトセンサについては、各走査バンドに対してフォトセンサを設置することも可能である。   The bar-shaped pattern of the focus detection pattern row does not have to be perpendicular to the main scanning direction. The pattern shape is determined in accordance with the slit forming direction, and the width of the slit in the main scanning direction so as to obtain the above-described continuous light quantity distribution. The main scanning direction width of the pattern light may be determined. As for the photo sensor, it is also possible to install a photo sensor for each scanning band.

次に、図10〜13を用いて、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、結像光学系の解像性能をモニタリングする。それ以外の構成については、第1の実施形態と実質的に同じである。   Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. In the second embodiment, the resolution performance of the imaging optical system is monitored. About another structure, it is substantially the same as 1st Embodiment.

図10は、解像性能を維持した場合の光量分布と解像性能が低下した場合の光量分布とを示した図である。   FIG. 10 is a diagram showing a light amount distribution when the resolution performance is maintained and a light amount distribution when the resolution performance is lowered.

結像光学系23の解像性能が高い(問題ない)場合、第1の実施形態で説明したように、解像性能限界に近いバー状パターンの光を1つのスリットが通過させることで得られる空間的光量分布GDは、そのピークを中心としたガウス分布となり、バー状パターンのエッジ部において光量変化(傾き)が比較的大きい。しかしながら、解像性能が低下すると、空間的光量分布GD1は、バー状パターンのエッジ部における光量変化が緩やかとなり、また、ピーク光量が低下し、平坦な波形状光量分布になる。   When the resolution performance of the imaging optical system 23 is high (no problem), as described in the first embodiment, it is obtained by allowing one slit to pass light of a bar-like pattern close to the resolution performance limit. The spatial light amount distribution GD is a Gaussian distribution centered on the peak, and the light amount change (tilt) is relatively large at the edge of the bar-shaped pattern. However, when the resolution performance deteriorates, the spatial light quantity distribution GD1 has a gentle change in the light quantity at the edge of the bar-shaped pattern, and the peak light quantity decreases, resulting in a flat waveform light quantity distribution.

その結果、パターン列PTによる連続した空間的光量分布では、波形の山(ピーク光量)と谷(ボトム光量)両方の中心位置からの距離は小さくなる。すなわち、空間的光量分布の振幅が小さくなる。したがって、要求される最低限の解像性能に応じた振幅を基準となる振幅と定め、第1の実施形態と同様、空間的光量分布の振幅を検出して振幅比を演算することによって、解像性能をモニタリングすることができる。   As a result, in the continuous spatial light quantity distribution by the pattern row PT, the distance from the center position of both the peak (peak light quantity) and the valley (bottom light quantity) of the waveform becomes small. That is, the amplitude of the spatial light quantity distribution is reduced. Accordingly, the amplitude corresponding to the required minimum resolution performance is determined as a reference amplitude, and the amplitude is calculated by detecting the amplitude of the spatial light quantity distribution and calculating the amplitude ratio, as in the first embodiment. Image performance can be monitored.

図11は、解像力と振幅比との関係を表すグラフを示した図である。図12は、基準となる振幅をもつ空間的光量分布を示した図である。   FIG. 11 is a graph showing a relationship between the resolving power and the amplitude ratio. FIG. 12 is a diagram showing a spatial light quantity distribution having a reference amplitude.

図11には、解像力と振幅比との対応関係を示す曲線CGが描かれている。ただし、図11のグラフ横軸を表す解像力は、結像光学系23に対する単位長さ(1mm)当たりイメージングすることができる直線本数を表す。解像性能が低下すると振幅が減少することから、振幅比の値が小さくなるにつれて解像力は低下する。したがって、測定される振幅比が限度(下限)となる振幅比D0よりも大きければ、要求される解像性能は維持される。   In FIG. 11, a curve CG showing the correspondence between the resolving power and the amplitude ratio is drawn. However, the resolving power representing the horizontal axis of the graph in FIG. 11 represents the number of straight lines that can be imaged per unit length (1 mm) with respect to the imaging optical system 23. Since the amplitude decreases when the resolution performance decreases, the resolution decreases as the amplitude ratio value decreases. Therefore, if the measured amplitude ratio is larger than the limit (lower limit) amplitude ratio D0, the required resolution performance is maintained.

図12に示す空間的光量分布GD’は、要求される解像性能の限度に応じた1つのバー状パターンに対する空間的光量分布GD1、GD2を隣接させたときに得られる光量分布を示している。解像性能限度に応じた空間的光量分布GD1、GD2の波形は、露光装置の仕様、結像光学系23などの光学性能に従って定められる。   A spatial light quantity distribution GD ′ shown in FIG. 12 indicates a light quantity distribution obtained when the spatial light quantity distributions GD1 and GD2 for one bar-shaped pattern are adjacent to each other according to the required resolution performance limit. . The waveforms of the spatial light quantity distributions GD1 and GD2 corresponding to the resolution performance limit are determined according to the specifications of the exposure apparatus and the optical performance of the imaging optical system 23 and the like.

空間的光量分布GD’の振幅A0と解像性能が最も高い場合の最大振幅Bとの比(A0/B)を限度振幅比D0と定めると、検出される振幅Aと基準振幅Bとの比A/BがD0以上であれば、必要な解像性能を満たしていると判断することができる。限度振幅比D0および曲線CGに関するデータは、メモリ32にあらかじめ記憶される。   When the ratio (A0 / B) between the amplitude A0 of the spatial light quantity distribution GD ′ and the maximum amplitude B when the resolution performance is the highest is defined as the limit amplitude ratio D0, the ratio between the detected amplitude A and the reference amplitude B If A / B is D0 or more, it can be determined that the required resolution performance is satisfied. Data relating to the limit amplitude ratio D0 and the curve CG is stored in the memory 32 in advance.

図13は、解像性能のモニタリング処理のフローを示した図である。第1の実施形態と同様、任意のタイミング(ロット生産の開始時、あるいは所定時間経過する度等)に処理が行われる。   FIG. 13 is a diagram illustrating a flow of monitoring processing for resolution performance. As in the first embodiment, the process is performed at an arbitrary timing (at the start of lot production or every time a predetermined time elapses).

コントローラ30は、ステージ12を移動させながら、バー状パターン列PTを遮光部40に向けて照射するように、DMD駆動回路24を制御する(S201)。そして、フォトセンサPDから出力される光量信号に基づいて振幅比Mが算出されると(S202)、振幅比Mが限度振幅比D0以上であるか否かが判断される(S203)。振幅比Mが限度振幅比D0未満である場合、警告音ブザーなどによって解像性能低下をオペレータに知らせる(S204)。   The controller 30 controls the DMD drive circuit 24 so that the bar-shaped pattern row PT is irradiated toward the light shielding unit 40 while moving the stage 12 (S201). When the amplitude ratio M is calculated based on the light amount signal output from the photosensor PD (S202), it is determined whether the amplitude ratio M is equal to or greater than the limit amplitude ratio D0 (S203). When the amplitude ratio M is less than the limit amplitude ratio D0, the operator is informed of a decrease in resolution performance by a warning buzzer or the like (S204).

このように第2の実施形態によれば、ステージ12を移動させながら、バー状パターンPL1〜PL4から構成されるパターン列PTを、スリットST1〜ST6の形成された遮光部40に投影することにより、フォトセンサPDから光量信号が出力される。そして、光量信号から求められる振幅比Mに基づき、解像力が限度となる解像力より低下しているか否かを判断する。   As described above, according to the second embodiment, while moving the stage 12, the pattern row PT composed of the bar-shaped patterns PL1 to PL4 is projected onto the light shielding portion 40 in which the slits ST1 to ST6 are formed. A light amount signal is output from the photosensor PD. Then, based on the amplitude ratio M obtained from the light quantity signal, it is determined whether or not the resolution is lower than the limit resolution.

第1、第2の実施形態では、パターン列のライン/スペース幅が等しいことによって光量振幅の中心位置(平均光量)が一定であるとみなし、合焦状態における基準振幅を平均光量とパターン非投影状態の光量から算出しているが、それ以外の方法で基準振幅を算出してもよく、また、パターン列のライン/スペース幅が等しくない場合においても、振幅比を求めることは可能である。例えば、光学系あるいは基板を移動させながら行う焦点調整において、合焦状態あるいは解像力のある状態における波形状光量の振幅を算出し、光源出力変動などを踏まえながら焦点検出時に基準振幅を定めてもよい。   In the first and second embodiments, it is considered that the center position (average light amount) of the light amount amplitude is constant because the line / space width of the pattern row is equal, and the reference amplitude in the focused state is determined as the average light amount and the pattern non-projection. Although it is calculated from the amount of light in the state, the reference amplitude may be calculated by other methods, and the amplitude ratio can be obtained even when the line / space widths of the pattern rows are not equal. For example, in the focus adjustment performed while moving the optical system or the substrate, the amplitude of the waveform light quantity in the in-focus state or the resolving power may be calculated, and the reference amplitude may be determined at the time of focus detection while taking into account the light source output fluctuation. .

なお、ステージを移動させながらバー状パターン列を投影せず、CCDなどのイメージセンサに対してL/Sパターン光を投影し、その空間的光量分布から合焦状態、あるいは解像性能の状態を判断してもよい。   It should be noted that the L / S pattern light is projected onto an image sensor such as a CCD without projecting the bar-shaped pattern array while moving the stage, and the in-focus state or the resolution performance state is determined from the spatial light quantity distribution. You may judge.

10 露光装置
22 DMD(光変調素子アレイ)
27 演算部
28 光検出部(測光部)
30 コントローラ(露光制御部)
40 遮光部
PD フォトセンサ



10 Exposure Equipment 22 DMD (Light Modulation Element Array)
27 Calculation unit 28 Photodetection unit (photometry unit)
30 controller (exposure controller)
40 Light-shielding part PD Photo sensor



Claims (10)

複数の光変調素子をマトリクス状に配列した光変調素子アレイと、
前記光変調素子アレイによる露光エリアを、被描画体に対し主走査方向に沿って相対移動させる走査部と、
前記露光エリアの相対位置に応じたパターンデータに基づいて、前記複数の光変調素子を制御する露光制御部と、
前記光変調素子アレイからのパターン光を、前記被描画体の描画面に結像させる結像光学系と、
前記描画面に沿って少なくとも1つのスリットを形成した遮光部と、
前記スリットを透過する光を受光する測光部と、
前記測光部の出力に基づいて、合焦状態を検出する合焦検出部とを備え、
前記露光制御部が、前記遮光部を前記露光エリアが相対移動する間、ライン&スペース(L/S)パターン光を投影させ、
前記合焦検出部が、L/Sパターン光の投影によって検出される波形状光量の振幅と、合焦範囲にあるときの基準振幅とに基づいて、前記被描画面が合焦範囲にあるか否かを検出することを特徴とする露光装置。
A light modulation element array in which a plurality of light modulation elements are arranged in a matrix, and
A scanning unit that relatively moves the exposure area by the light modulation element array along the main scanning direction with respect to the drawing object;
An exposure control unit that controls the plurality of light modulation elements based on pattern data according to a relative position of the exposure area;
An imaging optical system that forms an image of the pattern light from the light modulation element array on the drawing surface of the drawing object;
A light shielding portion having at least one slit formed along the drawing surface;
A photometric unit that receives light transmitted through the slit;
A focus detection unit for detecting a focus state based on the output of the photometry unit;
The exposure control unit projects line & space (L / S) pattern light while the exposure area moves relative to the light shielding unit,
Whether the drawing surface is in the focus range based on the amplitude of the waveform light quantity detected by the focus detection unit by the projection of the L / S pattern light and the reference amplitude when in the focus range An exposure apparatus for detecting whether or not.
前記合焦検出部が、光量振幅と基準振幅との比である振幅比に基づいて、合焦範囲にあるか否かを判断することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the focus detection unit determines whether or not the focus range is within a focus range based on an amplitude ratio that is a ratio between a light amount amplitude and a reference amplitude. 前記合焦検出部が、前記振幅比と前記結像光学系の焦点位置との対応関係に基づいて、合焦範囲にあるか否かを判断することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。   3. The exposure according to claim 2, wherein the focus detection unit determines whether the focus range is within a focus range based on a correspondence relationship between the amplitude ratio and a focus position of the imaging optical system. apparatus. 前記合焦検出部が、L/Sパターン光の平均光量と、L/Sパターン光が投影されていないときのベース光量とに基づいて、基準振幅を算出することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の露光装置。   The focus detection unit calculates a reference amplitude based on an average light amount of the L / S pattern light and a base light amount when the L / S pattern light is not projected. The exposure apparatus according to claim 3. 前記遮光部が、平均光量測定用の開口部を有し、
前記測光部が、前記平均光量測定用開口部を通るL/Sパターン光を受光する平均光量用受光部を有することを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
The light-shielding portion has an opening for measuring the average light amount;
5. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the photometry unit includes an average light amount light receiving unit that receives L / S pattern light passing through the average light amount measurement opening.
前記合焦範囲が、感光材料の感度特性、要求されるパターン精度の少なくともいずれか一つに基づいて定められることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の露光装置。   6. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the focus range is determined based on at least one of sensitivity characteristics of a photosensitive material and required pattern accuracy. 合焦範囲から外れる場合、合焦範囲から外れていることを報知する報知部をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a notifying unit that notifies that when out of focus range, it is out of focus range. 前記遮光部を前記露光エリアが相対移動する間、露光位置検出用のL/Sパターン光を投影させることによって前記測光部から出力される光量に基づいて、露光位置を検出する露光位置検出部をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の露光装置。   An exposure position detection unit that detects an exposure position based on the amount of light output from the photometry unit by projecting an L / S pattern light for detecting an exposure position while the exposure area moves relative to the light shielding unit. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising an exposure apparatus. ライン&スペース(L/S)パターン光を受光する測光部と、
L/Sパターン光の投影によって検出される波形状光量の振幅と、合焦範囲に応じた基準振幅とに基づいて、前記被描画面が合焦範囲にあるか否かを検出する合焦検出部と
を備えたことを特徴とする露光装置の焦点検出装置。
A photometric unit that receives line & space (L / S) pattern light;
Focus detection for detecting whether or not the drawing surface is in the focus range based on the amplitude of the waveform light quantity detected by the projection of the L / S pattern light and the reference amplitude corresponding to the focus range And a focus detection device for an exposure apparatus.
ライン&スペース(L/S)パターン光を受光し、
L/Sパターン光の投影によって検出される波形状光量の振幅と、合焦範囲に応じた基準振幅とに基づいて、前記被描画面が合焦範囲にあるか否かを検出することを特徴とする露光装置の焦点検出方法。
Receives line & space (L / S) pattern light,
Whether or not the drawing surface is in the focus range is detected based on the amplitude of the waveform light quantity detected by the projection of the L / S pattern light and the reference amplitude corresponding to the focus range. A focus detection method for an exposure apparatus.
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