JP2016033853A - 抜き型装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象を加熱する加熱デバイスを搭載した抜き型提供する。
【解決手段】
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象を加熱する加熱デバイス1Aは、上定盤ままたは下定盤に搭載される。加熱デバイス1Aは、パーマロイ薄体からなる第1板材111と、第1板材111の上面に積層された導電性の帯状箔からなる帯状配線13と、第1板材111の上面のうち帯状配線13を除く領域に積層されたパーマロイ薄体からなる第2板材112とを備えている。帯状配線13は、第1板材111および第2板材112に対して電気的に絶縁されている。
【選択図】 図1
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象を加熱する加熱デバイスを搭載した抜き型提供する。
【解決手段】
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象を加熱する加熱デバイス1Aは、上定盤ままたは下定盤に搭載される。加熱デバイス1Aは、パーマロイ薄体からなる第1板材111と、第1板材111の上面に積層された導電性の帯状箔からなる帯状配線13と、第1板材111の上面のうち帯状配線13を除く領域に積層されたパーマロイ薄体からなる第2板材112とを備えている。帯状配線13は、第1板材111および第2板材112に対して電気的に絶縁されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、この加熱対象をヒステリシス損により加熱する加熱デバイスを搭載した抜き型装置に関する。
従来、ヒステリシス損を持つ加熱対象を加熱する技術として、図15に示す加熱装置を搭載した抜き型が知られている(特許文献1参照)。
図15(A)は、基盤91の平面図である。図15(B)は図15(A)における基盤91の矢視G-G線の断面図である。
図15(A),(B)に示されるように、基盤91の盤面に形成した溝911に磁束生成回路92が埋設されている。
磁束生成回路92は、複数のフェライトU字溝部材921と、フェライトU字溝部材921の群に収容された高周波用電線922とからなる。
図15(A),(B)に示されるように、基盤91の盤面に形成した溝911に磁束生成回路92が埋設されている。
磁束生成回路92は、複数のフェライトU字溝部材921と、フェライトU字溝部材921の群に収容された高周波用電線922とからなる。
図15(C)は、加熱対象93が取り付けられた基盤91を示している。
基盤91の盤面からは磁束Φが放射される。加熱対象93には、磁束Φによるヒステリシス損(鉄損)が生じ、加熱対象93が加熱される。なお、図15(C)では、基盤91の下に絶縁板912が配置されている。
基盤91の盤面からは磁束Φが放射される。加熱対象93には、磁束Φによるヒステリシス損(鉄損)が生じ、加熱対象93が加熱される。なお、図15(C)では、基盤91の下に絶縁板912が配置されている。
図15(A)〜(C)に示した基盤91は、以下の問題を有する。
(a)
基盤91は、全体の厚みが厚く、重量が重くなる。
(b)
基盤91に溝を形成する等、製造工程が複雑になり、簡単に製造することができない。
(c)
フェライトコアのU字部分の肉厚は厚い。このため、高周波用電線922のピッチ(溝911のピッチ)を小さくすることができない。したがって、発生する総磁束を大きくできない。
(d)
フェライトコアは、打抜対象からの熱により自身が加熱する。このため、高周波用電線922も加熱される。基盤91では、加熱可能な上限温度は、フェライトコアのキュリー点(たとえば、120−250℃程度)に制限される。
(e)
基盤91を曲面に構成することは難しく、実際には平面状にしか構成できない。
(a)
基盤91は、全体の厚みが厚く、重量が重くなる。
(b)
基盤91に溝を形成する等、製造工程が複雑になり、簡単に製造することができない。
(c)
フェライトコアのU字部分の肉厚は厚い。このため、高周波用電線922のピッチ(溝911のピッチ)を小さくすることができない。したがって、発生する総磁束を大きくできない。
(d)
フェライトコアは、打抜対象からの熱により自身が加熱する。このため、高周波用電線922も加熱される。基盤91では、加熱可能な上限温度は、フェライトコアのキュリー点(たとえば、120−250℃程度)に制限される。
(e)
基盤91を曲面に構成することは難しく、実際には平面状にしか構成できない。
本発明は、上記の問題を解決するために提案されたものであって、ヒステリシス損特性を持つ対象を加熱する加熱デバイスを搭載した抜き型装置を提供することを目的とする。
本発明は、以下を要旨とする。
(1)
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスを搭載した抜き型装置であって、
前記加熱デバイスは、
重複を許さずに一筆書きで描かれた開ループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、
または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
抜き型の裏面側に前記加熱デバイスが搭載されていることを特徴とする抜き型装置。
(2)
(1)に記載の抜き型装置であって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする抜き型装置。
(3)
(1)に記載の抜き型装置であって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする抜き型装置。
(4)
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている(1)に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。
(5)
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている(1)に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。
(6)
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスを搭載した抜き型装置であって、
前記加熱デバイスは、
重複を許さずに一筆書きで描かれた閉ループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
抜き型の裏面側に前記加熱デバイスが搭載されていることを特徴とする抜き型装置。
(7)
(6)に記載の抜き型装置であって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする抜き型装置。
(8)
(6)に記載の抜き型装置であって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする抜き型装置。
(9)
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている(6)に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。
(10)
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている(6)に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。
(11)
(6)に記載の抜き型装置であって、
前記帯状配線は、複数巻きのコイルを構成していることを特徴とする抜き型装置。
(1)
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスを搭載した抜き型装置であって、
前記加熱デバイスは、
重複を許さずに一筆書きで描かれた開ループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、
または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
抜き型の裏面側に前記加熱デバイスが搭載されていることを特徴とする抜き型装置。
(2)
(1)に記載の抜き型装置であって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする抜き型装置。
(3)
(1)に記載の抜き型装置であって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする抜き型装置。
(4)
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている(1)に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。
(5)
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている(1)に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。
(6)
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスを搭載した抜き型装置であって、
前記加熱デバイスは、
重複を許さずに一筆書きで描かれた閉ループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
抜き型の裏面側に前記加熱デバイスが搭載されていることを特徴とする抜き型装置。
(7)
(6)に記載の抜き型装置であって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする抜き型装置。
(8)
(6)に記載の抜き型装置であって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする抜き型装置。
(9)
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている(6)に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。
(10)
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている(6)に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。
(11)
(6)に記載の抜き型装置であって、
前記帯状配線は、複数巻きのコイルを構成していることを特徴とする抜き型装置。
本発明における加熱デバイスは、以下のように、抜き型装置への適用には限定されない。
(1A)
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスであって、
重複を許さずに一筆書きで描かれた非ループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、
または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
ていることを特徴とする加熱デバイス。
(2A)
(1A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする加熱デバイス。
(3A)
(1A)に記載の加熱デバイスであって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする加熱デバイス。
(4A)
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている(1A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする加熱デバイス。
(5A)
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている(1A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする加熱デバイス。
(6A)
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスであって、
重複を許さずに一筆書きで描かれたループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
ていることを特徴とする加熱デバイス。
(7A)
(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする加熱デバイス。
(8A)
(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする加熱デバイス。
(9A)
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする加熱デバイス。
(10A)
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする加熱デバイス。
(11A)
(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記帯状配線は、複数巻きのコイルを構成していることを特徴とする加熱デバイス。
(1A)
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスであって、
重複を許さずに一筆書きで描かれた非ループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、
または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
ていることを特徴とする加熱デバイス。
(2A)
(1A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする加熱デバイス。
(3A)
(1A)に記載の加熱デバイスであって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする加熱デバイス。
(4A)
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている(1A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする加熱デバイス。
(5A)
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている(1A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする加熱デバイス。
(6A)
ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスであって、
重複を許さずに一筆書きで描かれたループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
ていることを特徴とする加熱デバイス。
(7A)
(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする加熱デバイス。
(8A)
(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする加熱デバイス。
(9A)
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする加熱デバイス。
(10A)
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする加熱デバイス。
(11A)
(6A)に記載の加熱デバイスであって、
前記帯状配線は、複数巻きのコイルを構成していることを特徴とする加熱デバイス。
本発明において、U字形は、並んだ2本の平行線を有し、2本の平行線の一方側が開放し、他方側が直線(各平行線に垂直または角度を持つ直線)または曲線で連結された形状を意味する。
配線溝は次の(a)から(c)のように表現することもできる。
(a)
前記配線溝は複数の平行な第1から第Nの配線溝要素を含み、
第1配線溝要素の一端が第1端に接続され、
第1配線溝要素の他端に一端が接続された第2配線溝要素と、
第2配線溝要素の他端に一端が接続された第3配線溝要素と、
・・・
第(N−1)配線溝要素の他端に一端が接続された第N配線溝要素と、
第N配線溝要素の他端が第2端に接続されている。
第1から第Nの配線溝要素は、典型的には直線であるが、曲線とすることもできる。
(b)
前記配線溝は平面視形状が矩形波形状であってよい。
(c)
前記配線溝は平行な第1渦巻き要素と第2渦巻き要素を含み、
第1渦巻き要素および第2渦巻き要素の一方が右巻き、他方が左巻きであり、
第1渦巻き要素の外端が第1端に接続され、
第1渦巻き要素の中心端と、第2渦巻き要素の中心端とが接続され、
第2渦巻き要素の外端が第2端に接続されている。
すなわち、前記配線溝は第1渦巻き要素を外側端から中心に向けて描き、中心端に達したときに、第2渦巻き要素を中心端から外側端に向けて描いた形状をなす。
帯状配線は、配線溝に収容されるので、帯状配線の形状は、配線溝の形状と、実質上、同じである。
(a)
前記配線溝は複数の平行な第1から第Nの配線溝要素を含み、
第1配線溝要素の一端が第1端に接続され、
第1配線溝要素の他端に一端が接続された第2配線溝要素と、
第2配線溝要素の他端に一端が接続された第3配線溝要素と、
・・・
第(N−1)配線溝要素の他端に一端が接続された第N配線溝要素と、
第N配線溝要素の他端が第2端に接続されている。
第1から第Nの配線溝要素は、典型的には直線であるが、曲線とすることもできる。
(b)
前記配線溝は平面視形状が矩形波形状であってよい。
(c)
前記配線溝は平行な第1渦巻き要素と第2渦巻き要素を含み、
第1渦巻き要素および第2渦巻き要素の一方が右巻き、他方が左巻きであり、
第1渦巻き要素の外端が第1端に接続され、
第1渦巻き要素の中心端と、第2渦巻き要素の中心端とが接続され、
第2渦巻き要素の外端が第2端に接続されている。
すなわち、前記配線溝は第1渦巻き要素を外側端から中心に向けて描き、中心端に達したときに、第2渦巻き要素を中心端から外側端に向けて描いた形状をなす。
帯状配線は、配線溝に収容されるので、帯状配線の形状は、配線溝の形状と、実質上、同じである。
加熱デバイスを製造する際に三次元形状に形成することができる。
本発明では、配線溝の一部に収容された帯状配線部分を流れる電流がある磁束を生成する。また、配線溝の他の一部に収容された帯状配線部分を流れる電流がある磁束を生成する。スリットまたは前記線状溝が、これらの磁束の干渉を防止する。
本発明によれば、(a)全体の厚みが厚く、かつ重量が軽いヒステリシス損特性を持つ加熱対象を加熱する加熱デバイスを搭載した抜き型装置、(b)製造が簡単なヒステリシス損特性を持つ加熱対象を加熱する加熱デバイスを搭載した抜き型装置、(c)発生する磁力を強くできるヒステリシス損特性を持つ加熱対象を加熱する加熱デバイスを搭載した抜き型装置、(d)耐熱温度(自己加熱温度の上限)を400℃以上にできるヒステリシス損特性を持つ加熱対象を加熱する加熱デバイスを搭載した抜き型装置、(e)加熱対象の平面部分・曲面部分に貼ることができる加熱デバイスを搭載した抜き型装置を提供することができる。
本発明の抜き型装置の実施形態を以下に説明する。
図14に示すように、本発明の抜き型装置100は、上定盤101と、下定盤102と、定盤に搭載された加熱デバイスと、加熱デバイス1(1A,1B,1C,1D,1E,1F,1G,1H)に設けられた抜き型2を示す図である。
図14では加熱デバイス1は下定盤102に設けられるが、上定盤101に設けることもできる。この場合には抜き型2は加熱デバイス1の下面側(下定盤側)に設けられる。
加熱デバイス1(1A,1B,1C,1D,1E,1F,1G,1H)の形態を以下に示す。
なお、以下の形態の加熱デバイスを構成する各部材の形状(たとえば、縦/横の比、サイズ等)は、実際の加熱デバイスの各部材の形状と、同じであるとは限らない。
図14に示すように、本発明の抜き型装置100は、上定盤101と、下定盤102と、定盤に搭載された加熱デバイスと、加熱デバイス1(1A,1B,1C,1D,1E,1F,1G,1H)に設けられた抜き型2を示す図である。
図14では加熱デバイス1は下定盤102に設けられるが、上定盤101に設けることもできる。この場合には抜き型2は加熱デバイス1の下面側(下定盤側)に設けられる。
加熱デバイス1(1A,1B,1C,1D,1E,1F,1G,1H)の形態を以下に示す。
なお、以下の形態の加熱デバイスを構成する各部材の形状(たとえば、縦/横の比、サイズ等)は、実際の加熱デバイスの各部材の形状と、同じであるとは限らない。
図1から図3は、本発明の抜き型装置に搭載される加熱デバイスの第1形態を示す分解図である。
図1(A)は加熱デバイス1Aを構成する帯状配線12を示す図、図1(B)は加熱デバイス1Aを構成する基板11の一部(第1板材111)を示す図、図1(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
図2は加熱デバイス1Aの分解斜視図である。
図3は加熱デバイス1Aの断面説明図(図2におけるX−X断面図)であり、図3(A)は帯状配線12に通電していない状態を示す図、図3(B)は加熱デバイス1Aに加熱対象2が搭載され、帯状配線12に通電された状態を示す図である。
図1(A)は加熱デバイス1Aを構成する帯状配線12を示す図、図1(B)は加熱デバイス1Aを構成する基板11の一部(第1板材111)を示す図、図1(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
図2は加熱デバイス1Aの分解斜視図である。
図3は加熱デバイス1Aの断面説明図(図2におけるX−X断面図)であり、図3(A)は帯状配線12に通電していない状態を示す図、図3(B)は加熱デバイス1Aに加熱対象2が搭載され、帯状配線12に通電された状態を示す図である。
加熱デバイス1Aは、ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束Φ(図3(B)参照)を注入して、その加熱対象を加熱することができる。
上述したように、加熱デバイス1Aは、基板11と帯状配線12とからなる。
基板11は、ソフト磁性体(パーマロイ板)からなる。
基板11は、重複を許さずに一筆書きで描かれた非ループの帯状の配線溝GTが形成されている。
本形態では、配線溝GTは、複数のU字形が連結された形状を含む。
帯状配線12は、配線溝GTに収容される形状をなす。帯状配線12は、基板11に対し絶縁されて配線溝GTに収容される。
絶縁は、通常は、帯状配線12に、耐熱絶縁塗料を塗布することにより行うことができる。
基板11の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部とが隣接する領域の、配線溝GTの一部と配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットSLが形成されている。
本形態では、基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されている。
第1板材111は、配線溝GTに相当する部分(除去部GT’)およびスリットSTに相当する部分ST1が除去されている。
第2板材112は、スリットSTに相当する部分ST2が除去されている。
上述したように、加熱デバイス1Aは、基板11と帯状配線12とからなる。
基板11は、ソフト磁性体(パーマロイ板)からなる。
基板11は、重複を許さずに一筆書きで描かれた非ループの帯状の配線溝GTが形成されている。
本形態では、配線溝GTは、複数のU字形が連結された形状を含む。
帯状配線12は、配線溝GTに収容される形状をなす。帯状配線12は、基板11に対し絶縁されて配線溝GTに収容される。
絶縁は、通常は、帯状配線12に、耐熱絶縁塗料を塗布することにより行うことができる。
基板11の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部とが隣接する領域の、配線溝GTの一部と配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットSLが形成されている。
本形態では、基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されている。
第1板材111は、配線溝GTに相当する部分(除去部GT’)およびスリットSTに相当する部分ST1が除去されている。
第2板材112は、スリットSTに相当する部分ST2が除去されている。
図4から図6は、本発明の抜き型装置に搭載される加熱デバイスの第2形態を示す分解図である。
図4(A)は加熱デバイス1Bを構成する帯状配線12を示す図、図4(B)は加熱デバイス1Bを構成する基板11の一部(第1板材111)を示す図、図4(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
図5は加熱デバイス1Bの分解斜視図である。
図6は加熱デバイス1Bの断面説明図(図5におけるX−X断面図)であり、図6(B)は帯状配線12に通電していない状態を示す図、図6(C)は加熱デバイス1Bに加熱対象2が搭載され、帯状配線12に通電された状態を示す図である。
図4(A)は加熱デバイス1Bを構成する帯状配線12を示す図、図4(B)は加熱デバイス1Bを構成する基板11の一部(第1板材111)を示す図、図4(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
図5は加熱デバイス1Bの分解斜視図である。
図6は加熱デバイス1Bの断面説明図(図5におけるX−X断面図)であり、図6(B)は帯状配線12に通電していない状態を示す図、図6(C)は加熱デバイス1Bに加熱対象2が搭載され、帯状配線12に通電された状態を示す図である。
加熱デバイス1Bは、ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束Φ(図3(B)参照)を注入して、その加熱対象を加熱することができる。
上述したように、加熱デバイス1Bは、基板11と帯状配線12とからなる。
基板11は、ソフト磁性体(パーマロイ板)からなる。
基板11は、重複を許さずに一筆書きで描かれた非ループの帯状の配線溝GTが形成されている。
本形態では、配線溝GTは、複数のU字形が連結された形状を含む。
帯状配線12は、配線溝GTに収容される形状をなす。帯状配線12は、基板11に対し絶縁されて、配線溝GTに収容される。
絶縁は、通常は、帯状配線12に、耐熱絶縁塗料を塗布することにより行うことができる。
基板11の裏面の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部とが隣接する領域の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部との間に、少なくとも配線溝GTに届く深さの線状溝DTが形成されている。
本形態では、基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されている。
第1板材111は、配線溝GT相当する部分(除去部GT’)が除去されている。
第2板材112は、線状溝DTに相当する部分が除去されている。
上述したように、加熱デバイス1Bは、基板11と帯状配線12とからなる。
基板11は、ソフト磁性体(パーマロイ板)からなる。
基板11は、重複を許さずに一筆書きで描かれた非ループの帯状の配線溝GTが形成されている。
本形態では、配線溝GTは、複数のU字形が連結された形状を含む。
帯状配線12は、配線溝GTに収容される形状をなす。帯状配線12は、基板11に対し絶縁されて、配線溝GTに収容される。
絶縁は、通常は、帯状配線12に、耐熱絶縁塗料を塗布することにより行うことができる。
基板11の裏面の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部とが隣接する領域の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部との間に、少なくとも配線溝GTに届く深さの線状溝DTが形成されている。
本形態では、基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されている。
第1板材111は、配線溝GT相当する部分(除去部GT’)が除去されている。
第2板材112は、線状溝DTに相当する部分が除去されている。
図7は、本発明の抜き型装置に搭載される加熱デバイスの第3形態を示す図である。
図7(A)は加熱デバイス1Cを構成する帯状配線12を示す図、図7(B)は加熱デバイス1Cを構成する基板11の一部(第1板材111)を示す図、図7(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
図7(A)は加熱デバイス1Cを構成する帯状配線12を示す図、図7(B)は加熱デバイス1Cを構成する基板11の一部(第1板材111)を示す図、図7(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
加熱デバイス1Cは、基板11と帯状配線12とからなる。
基板11は、ソフト磁性体(パーマロイ板)からなる。
基板11は、重複を許さずに一筆書きで描かれたループの帯状の配線溝GTが形成されている。
本形態では、配線溝GTは、複数のU字形が連結された形状を含む。
本形態では、帯状配線12は、2回巻きのコイルを構成している。
基板11は、ソフト磁性体(パーマロイ板)からなる。
基板11は、重複を許さずに一筆書きで描かれたループの帯状の配線溝GTが形成されている。
本形態では、配線溝GTは、複数のU字形が連結された形状を含む。
本形態では、帯状配線12は、2回巻きのコイルを構成している。
図7(A)に参照されるように、帯状配線要素121の終端c1と、帯状配線要素122の始端c2とが電気接続される。帯状配線要素121の始端b1が帯状配線12の一端子であり、帯状配線要素122の終端b2が帯状配線12の他端子となる。
これにより、帯状配線要素121と帯状配線要素122とは、直列接続される。
なお、帯状配線要素121と帯状配線要素122とは、耐熱絶縁塗料等により絶縁される。
これにより、帯状配線要素121と帯状配線要素122とは、直列接続される。
なお、帯状配線要素121と帯状配線要素122とは、耐熱絶縁塗料等により絶縁される。
このように、帯状配線12は、配線溝GTに収容される形状をなす。帯状配線12は、基板11に対し絶縁されて、配線溝GTに収容される。
絶縁は、通常は、帯状配線12に、耐熱絶縁塗料を塗布することにより行うことができる。
基板11の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部とが隣接する領域の、配線溝GTの一部と配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットSLが形成されている。
本形態では、基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されている。
第1板材111は、配線溝GTに相当する部分(除去部GT’)およびスリットSTに相当する部分ST1が除去されている。
第2板材112は、スリットSTに相当する部分ST2が除去されている。
絶縁は、通常は、帯状配線12に、耐熱絶縁塗料を塗布することにより行うことができる。
基板11の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部とが隣接する領域の、配線溝GTの一部と配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットSLが形成されている。
本形態では、基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されている。
第1板材111は、配線溝GTに相当する部分(除去部GT’)およびスリットSTに相当する部分ST1が除去されている。
第2板材112は、スリットSTに相当する部分ST2が除去されている。
図8は、本発明の抜き型装置に搭載される加熱デバイスの第4形態を示す図である。
図8(A)は加熱デバイス1Dを構成する帯状配線12を示す図、図8(B)は加熱デバイス1Dを構成する基板11の一部(第1板材111)を示す図、図8(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
図8(A)は加熱デバイス1Dを構成する帯状配線12を示す図、図8(B)は加熱デバイス1Dを構成する基板11の一部(第1板材111)を示す図、図8(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
加熱デバイス1Dは、基板11と帯状配線12とからなる。
基板11は、ソフト磁性体(パーマロイ板)からなる。
基板11は、重複を許さずに一筆書きで描かれたループの帯状の配線溝GTが形成されている。
本形態では、配線溝GTは、複数のU字形が連結された形状を含む。
本形態では、帯状配線12は、2回巻きのコイルを構成している。
基板11は、ソフト磁性体(パーマロイ板)からなる。
基板11は、重複を許さずに一筆書きで描かれたループの帯状の配線溝GTが形成されている。
本形態では、配線溝GTは、複数のU字形が連結された形状を含む。
本形態では、帯状配線12は、2回巻きのコイルを構成している。
図8(A)に参照されるように、帯状配線要素121の終端c1と、帯状配線要素122の始端c2とが電気接続される。帯状配線要素121の始端b1が帯状配線12の一端子であり、帯状配線要素122の終端b2が帯状配線12の他端子となる。
これにより、帯状配線要素121と帯状配線要素122とは、直列接続される。
なお、帯状配線要素121と帯状配線要素122とは、耐熱絶縁塗料等により絶縁される。
これにより、帯状配線要素121と帯状配線要素122とは、直列接続される。
なお、帯状配線要素121と帯状配線要素122とは、耐熱絶縁塗料等により絶縁される。
このように、帯状配線12は、配線溝GTに収容される2回巻きのコイルの形状をなす。帯状配線12は、基板11に対し絶縁されて、配線溝GTに収容される。
絶縁は、通常は、帯状配線12に、耐熱絶縁塗料を塗布することにより行うことができる。
基板11の裏面の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部とが隣接する領域の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部との間に、少なくとも配線溝GTに届く深さの線状溝DTが形成されている。
本形態では、基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されている。
第1板材111は、配線溝GTに相当する部分(除去部GT’)が除去されている。
第2板材112は、線状溝DTに相当する部分が除去されている。
絶縁は、通常は、帯状配線12に、耐熱絶縁塗料を塗布することにより行うことができる。
基板11の裏面の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部とが隣接する領域の、配線溝GTの一部と配線溝GTの他の一部との間に、少なくとも配線溝GTに届く深さの線状溝DTが形成されている。
本形態では、基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されている。
第1板材111は、配線溝GTに相当する部分(除去部GT’)が除去されている。
第2板材112は、線状溝DTに相当する部分が除去されている。
図9は、本発明の抜き型装置に搭載される加熱デバイスの第5形態を示す図である。
図9(A)は加熱デバイス1Eの帯状配線12を示す図、図9(B)は加熱デバイス1Eの基板11の一部(第1板材111)を示す図、図9(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
本形態では、配線溝は複数の平行な第1から第Nの配線溝要素からなるが、第1の配線溝要素は最も短く、第2の配線溝要素、第3の配線溝要素、・・・、第7の配線溝要素と順次長くなる。
本形態では、第7の配線溝要素および第8の配線溝要素が最も長い。
そして、第9の配線溝要素、第10の配線要素、・・・、第15の配線要素と順次短くなる。第15の配線要素も、第1の配線溝要素と同様、最も短い。
図9(A)は加熱デバイス1Eの帯状配線12を示す図、図9(B)は加熱デバイス1Eの基板11の一部(第1板材111)を示す図、図9(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
本形態では、配線溝は複数の平行な第1から第Nの配線溝要素からなるが、第1の配線溝要素は最も短く、第2の配線溝要素、第3の配線溝要素、・・・、第7の配線溝要素と順次長くなる。
本形態では、第7の配線溝要素および第8の配線溝要素が最も長い。
そして、第9の配線溝要素、第10の配線要素、・・・、第15の配線要素と順次短くなる。第15の配線要素も、第1の配線溝要素と同様、最も短い。
図10は、本発明の抜き型装置に搭載される加熱デバイスの第6形態を示す図である。
図10(A)は加熱デバイス1Fの帯状配線12を示す図、図10(B)は加熱デバイス1Fの基板11の一部(第1板材111)を示す図、図10(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
本形態では、配線溝は、相互に平行な第1の渦巻き状配線溝要素と第2の渦巻き状配線溝要素からなる。第1の渦巻き状配線溝要素と第2の渦巻き状配線溝要素とは、巻く方向が逆向きであり、第1の渦巻き状配線溝要素の中心と、第2の渦巻き状配線溝要素の中心とが接続されている。
図10(A)は加熱デバイス1Fの帯状配線12を示す図、図10(B)は加熱デバイス1Fの基板11の一部(第1板材111)を示す図、図10(C)は基板11の他の一部(第2板材112)を示す図である。
本形態では、配線溝は、相互に平行な第1の渦巻き状配線溝要素と第2の渦巻き状配線溝要素からなる。第1の渦巻き状配線溝要素と第2の渦巻き状配線溝要素とは、巻く方向が逆向きであり、第1の渦巻き状配線溝要素の中心と、第2の渦巻き状配線溝要素の中心とが接続されている。
図11は、本発明の抜き型装置に搭載される加熱デバイスの第7形態を示す図である。
図11(A)は加熱デバイス1Gの基板11の表面図、図11(B)は加熱デバイス1Gの基板11の裏面図、図11(C)は加熱デバイス1Gの断面説明図(図11(A)におけるX−X断面に対応する図)である。
図11(A)は加熱デバイス1Gの基板11の表面図、図11(B)は加熱デバイス1Gの基板11の裏面図、図11(C)は加熱デバイス1Gの断面説明図(図11(A)におけるX−X断面に対応する図)である。
加熱デバイス1Gは、図1から図3に示した第1形態の加熱デバイス1Aと同様の作用を奏する。
第1形態では、加熱デバイス1Aの基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されているが、本形態では、加熱デバイス1Gの基板11は、一枚のパーマロイ板から構成されている。
第1形態では、加熱デバイス1Aの基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されているが、本形態では、加熱デバイス1Gの基板11は、一枚のパーマロイ板から構成されている。
図12は、本発明の抜き型装置に搭載される加熱デバイスの第8形態を示す図である。
図12(A)は加熱デバイス1Hの基板11の表面図、図12(B)は加熱デバイス1Hの基板11の裏面図、図12(C)は加熱デバイス1Hの断面説明図(図12(A)におけるX−X断面に対応する図)である。
加熱デバイス1Hは、図4から図6に示した第2形態の加熱デバイス1Bと同様の作用を奏する。
第2形態では、加熱デバイス1Bの基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されているが、本形態では、加熱デバイス1Hの基板11は、一枚のパーマロイ板から構成されている。
図12(A)は加熱デバイス1Hの基板11の表面図、図12(B)は加熱デバイス1Hの基板11の裏面図、図12(C)は加熱デバイス1Hの断面説明図(図12(A)におけるX−X断面に対応する図)である。
加熱デバイス1Hは、図4から図6に示した第2形態の加熱デバイス1Bと同様の作用を奏する。
第2形態では、加熱デバイス1Bの基板11は、第1板材111と第2板材112とが接合されて構成されているが、本形態では、加熱デバイス1Hの基板11は、一枚のパーマロイ板から構成されている。
図13は、電源3により、加熱デバイス1Aを駆動するヒーティングシステムを示す図である。
図示はしないがい、電源3は、加熱デバイス1Bから1Hを駆動するための電源3としても使用さできる。
図13において、電源3は、インバータ31と、制御装置32とからなる。
制御装置32は、加熱対象2の温度を測定するセンサTSから温度情報TMPを取得して、所望の高周波信号を、加熱対象2に印加することができる。
図示はしないがい、電源3は、加熱デバイス1Bから1Hを駆動するための電源3としても使用さできる。
図13において、電源3は、インバータ31と、制御装置32とからなる。
制御装置32は、加熱対象2の温度を測定するセンサTSから温度情報TMPを取得して、所望の高周波信号を、加熱対象2に印加することができる。
制御装置32は、センサTSからの温度情報TMPに応じて、帯状配線13に与える電流、周波数、デューティ、パルス幅等(たとえば、これらの少なくとも1つ)を変化させる制御を行うことができる。
たとえば、制御装置32は、帯状配線13に与える信号の周波数および振幅を固定しておき、センサTSからの温度情報TMPに応じて、帯状配線13に与える信号のデューティを変化させる制御(パルス幅制御)を行うこともできる。
また、制御装置32は、帯状配線13に与える信号の振幅およびデューティを固定して、センサTSからの温度情報TMPに応じて、周波数を変化させる制御を行うこともできる。
さらに、制御装置32は、帯状配線13に与える信号の周波数およびデューティを固定して、制御装置32は、センサTSからの温度情報TMPに応じて、電流値を変化させる制御を行うこともできる。
制御装置32は、上記の制御に限らず、温度制御技術において、周知の手法を用いて、加熱対象2の温度を制御することができる。
たとえば、制御装置32は、帯状配線13に与える信号の周波数および振幅を固定しておき、センサTSからの温度情報TMPに応じて、帯状配線13に与える信号のデューティを変化させる制御(パルス幅制御)を行うこともできる。
また、制御装置32は、帯状配線13に与える信号の振幅およびデューティを固定して、センサTSからの温度情報TMPに応じて、周波数を変化させる制御を行うこともできる。
さらに、制御装置32は、帯状配線13に与える信号の周波数およびデューティを固定して、制御装置32は、センサTSからの温度情報TMPに応じて、電流値を変化させる制御を行うこともできる。
制御装置32は、上記の制御に限らず、温度制御技術において、周知の手法を用いて、加熱対象2の温度を制御することができる。
なお、加熱デバイスの表面側、裏面側の少なくとも一方側に、断熱シートを設けることができる。
断熱シートとして、高耐熱性の材料(たとえば、耐熱シリコンゴム等)が使用できる。
断熱シートとして、高耐熱性の材料(たとえば、耐熱シリコンゴム等)が使用できる。
1A,1B,1C,1D,1E,1F,1G,1H 加熱デバイス
2 加熱対象
3 高周波電源
11 基板
12 帯状配線
21 基板
22 刃
31 インバータ
32 制御装置
91 基盤
92 磁束生成回路
93 打抜刃部材
100 抜き型装置
101 上定盤
102 下定盤
111 第1板材
112 第2板材
911 溝
921 フェライトU字溝部材
922 高周波用電線
931 刃
2 加熱対象
3 高周波電源
11 基板
12 帯状配線
21 基板
22 刃
31 インバータ
32 制御装置
91 基盤
92 磁束生成回路
93 打抜刃部材
100 抜き型装置
101 上定盤
102 下定盤
111 第1板材
112 第2板材
911 溝
921 フェライトU字溝部材
922 高周波用電線
931 刃
Claims (11)
- ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスを搭載した抜き型装置であって、
前記加熱デバイスは、
重複を許さずに一筆書きで描かれた開ループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、
または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
抜き型の裏面側に前記加熱デバイスが搭載されていることを特徴とする抜き型装置。 - 請求項1に記載の抜き型装置であって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする抜き型装置。 - 請求項1に記載の抜き型装置であって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする抜き型装置。 - 前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている請求項1に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。 - 前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている請求項1に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。 - ヒステリシス損特性を持つ加熱対象に交流磁束を注入して、前記加熱対象を加熱するための加熱デバイスを搭載した抜き型装置であって、
前記加熱デバイスは、
重複を許さずに一筆書きで描かれた閉ループの帯状の配線溝が形成されたソフト磁性体からなる基板と、
前記配線溝に前記基板に対し絶縁されて収容された帯状配線と、
を備え、
前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成され、または、
前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成され、
抜き型の裏面側に前記加熱デバイスが搭載されていることを特徴とする抜き型装置。 - 請求項6に記載の抜き型装置であって、
前記基板がパーマロイからなることを特徴とする抜き型装置。 - 請求項6に記載の抜き型装置であって、
前記配線溝が、1つのU字形の形状、複数のU字形が連結された形状または渦巻き形状を含むことを特徴とする抜き型装置。 - 前記基板の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、貫通したスリットが形成されている請求項6に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分および前記スリットに相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記スリットに相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。 - 前記基板の裏面の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部とが隣接する領域の、前記配線溝の一部と前記配線溝の他の一部との間に、少なくとも前記配線溝に届く深さの線状溝が形成されている請求項6に記載の抜き型装置であって、
前記基板が、第1板材と第2板材とが接合されて構成され、
前記第1板材は、前記配線溝に相当する部分が除去され、かつ、前記第2板材は、前記線状溝に相当する部分が除去されていることを特徴とする抜き型装置。 - 請求項6に記載の抜き型装置であって、
前記帯状配線は、複数巻きのコイルを構成していることを特徴とする抜き型装置。
Priority Applications (1)
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JP2014155594A JP2016033853A (ja) | 2014-07-30 | 2014-07-30 | 抜き型装置 |
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