JP2016021575A - 光検出装置の接続構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体光検出素子10は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードAPDと、各アバランシェフォトダイオードAPDに対して直列に接続されるクエンチング抵抗と、クエンチング抵抗が並列に接続される信号線TLと、を含むフォトダイオードアレイPDAを一つのチャンネルとして、複数のチャンネルを有する。搭載基板20は、チャンネル毎に対応した複数の電極E9が主面20a側に配置されると共に、各チャンネルからの出力信号を処理する信号処理部SPが主面20b側に配置されている。半導体基板1Nには、チャンネル毎に、信号線TLと電気的に接続された貫通電極TEが形成されている。貫通電極TEと電極E9とがバンプ電極BEを介して電気的に接続されている。
【選択図】図2
Description
Claims (3)
- 一つのフォトダイオードアレイを一つのチャンネルとして複数のチャンネルを有し、各前記チャンネルからの出力信号を信号処理部で処理する光検出装置の、前記フォトダイオードアレイと該フォトダイオードアレイが接続される搭載基板との接続構造であって、
前記フォトダイオードアレイは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードと、それぞれの前記アバランシェフォトダイオードに対して直列に接続されると共に前記半導体基板の第一主面側に配置されたクエンチング抵抗と、前記クエンチング抵抗が並列に接続されると共に前記半導体基板の前記第一主面側に配置された信号線と、を含み、
前記半導体基板には、前記フォトダイオードアレイに対応して、前記第一主面側から前記第一主面に対向する第二主面側まで貫通する貫通孔が形成されており、
前記貫通孔には、対応する前記フォトダイオードアレイに含まれる前記信号線と電気的に接続される貫通電極が配置され、
前記搭載基板は、前記半導体基板の前記第二主面と対向する第三主面を有し、
前記貫通電極は、前記搭載基板の前記第三主面側に配置されている第一電極とバンプ電極を介して電気的に接続されている、光検出装置の接続構造。 - 前記フォトダイオードアレイは、前記半導体基板の前記第一主面側に配置され、前記信号線と前記貫通電極とを接続する第二電極を更に含んでいる、請求項1に記載の光検出装置の接続構造。
- 前記貫通電極は、絶縁層を介して前記貫通孔に配置されている、請求項1又は2に記載の光検出装置の接続構造。
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