JP2016010809A - Laser processing device - Google Patents

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Masaru Nakamura
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Disco Abrasive Systems KK
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser processing device having a function of detecting a degree of contamination of a condensing object lens.SOLUTION: A laser processing device comprises: workpiece holding means for holding a workpiece; laser beam irradiation means for laser-processing the workpiece held by the workpiece holding means; and processing feed means for moving the workpiece holding means and the laser beam irradiation means relatively in a processing feed direction. The laser beam irradiation means includes: laser beam oscillation means for generating a laser beam; and a condenser comprising a condensing object lens for condensing the laser beam generated from the laser beam oscillation means and irradiating the workpiece held by the workpiece holding means with the laser beam. The laser processing device also comprises: condensing object lens contamination detection means for detecting a degree of contamination of the condensing object lens; and alarm means for warning if the degree of contamination of the condensing object lens, which has been detected by the condensing object lens contamination detection means, exceeds an allowable value.

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus that performs laser processing on a workpiece such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。また、サファイヤ基板の表面にフォトダイオード等の受光素子やレーザーダイオード等の発光素子等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々のフォトダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by division lines arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions. . Then, the semiconductor wafer is cut along the planned division line to divide the region where the device is formed to manufacture individual semiconductor devices. In addition, an optical device wafer in which a light receiving element such as a photodiode or a light emitting element such as a laser diode is laminated on the surface of a sapphire substrate is also cut along a planned division line, thereby individual optical devices such as photodiodes and laser diodes And is widely used in electrical equipment.

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ライントに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、ウエーハをレーザー加工溝が形成された分割予定ラインに沿って破断する方法が提案されている。このようなレーザー加工を施すレーザー加工装置は、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物をレーザー加工するレーザー光線照射手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備している。そして、レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光対物レンズを備えた集光器とから構成されている。   As a method of dividing a wafer such as the above-described semiconductor wafer or optical device wafer along the planned division line, laser processing is performed by irradiating the wafer with a laser beam having a wavelength that has absorptivity to the wafer along the planned division line. A method has been proposed in which a groove is formed and the wafer is broken along a predetermined dividing line in which a laser processed groove is formed. A laser processing apparatus for performing such laser processing includes a workpiece holding means for holding a workpiece, a laser beam irradiation means for laser processing the workpiece held by the workpiece holding means, and the workpiece Processing holding means for relatively moving the holding means and the laser beam irradiation means in the processing feeding direction is provided. The laser beam irradiating means includes a laser beam oscillating means for oscillating a laser beam, and a condensing objective lens for condensing the laser beam oscillated from the laser beam oscillating means and irradiating the workpiece held by the workpiece holding means. And a concentrator provided.

しかるに、被加工物であるシリコンやサファイヤ等のウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射すると、シリコンやサファイヤ等が溶融し、融解屑即ちデブリ(debris)が飛散して集光対物レンズを汚染し、被加工物に照射されるレーザー光線の出力が低下して加工品質が安定しないという問題がある。
また、集光対物レンズがデブリによって汚染されると、レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線がデブリによって汚染された集光対物レンズに吸収され集光対物レンズが破損するという問題がある。
However, when a laser beam is irradiated along the planned dividing line of a wafer such as silicon or sapphire, the silicon or sapphire is melted and molten debris or debris is scattered to contaminate the condenser objective lens. However, there is a problem that the output of the laser beam applied to the workpiece is lowered and the processing quality is not stable.
Further, when the condensing objective lens is contaminated by debris, there is a problem in that the laser beam oscillated from the laser beam oscillating means is absorbed by the condensing objective lens contaminated by debris and the condensing objective lens is damaged.

上記問題を解決するために、被加工物にレーザー光線照射手段の集光器からレーザー光線が照射されることによって生成されるデブリ等の粉塵を吸引する吸引手段を備えたレーザー加工装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In order to solve the above-described problem, a laser processing apparatus including a suction unit that sucks dust such as debris generated by irradiating a workpiece with a laser beam from a condenser of the laser beam irradiation unit has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1).

特開2007−69249号公報JP 2007-69249 A

而して、上述したデブリ等の粉塵を吸引する吸引手段を備えたレーザー光線照射手段においても、デブリ等の粉塵による集光対物レンズの汚染を防止することは困難である。
従って、デブリ等の粉塵によって集光対物レンズが汚染されたとき、集光対物レンズを清掃するタイミング、または集光対物レンズを交換するタイミングを検知できることが重要である。
Thus, it is difficult to prevent the condenser objective lens from being contaminated by dust such as debris even in the laser beam irradiation means provided with the suction means for sucking dust such as debris.
Therefore, when the condenser objective lens is contaminated by dust such as debris, it is important that the timing for cleaning the condenser objective lens or the timing for replacing the condenser objective lens can be detected.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、集光対物レンズの汚染の度合いを検出することができる機能を備えたレーザー加工装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is to provide a laser processing apparatus having a function capable of detecting the degree of contamination of a condenser objective lens.

上記主たる技術的課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物をレーザー加工するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光対物レンズを備えた集光器を含んでいるレーザー加工装置であって、
該集光対物レンズの汚染の度合いを検出する集光対物レンズ汚染検出手段と、該集光対物レンズ汚染検出手段によって検出された集光対物レンズの汚染の度合いが許容値を超える場合に警報する警報手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a workpiece holding means for holding a workpiece, and a laser beam irradiation means for laser processing the workpiece held by the workpiece holding means, A workpiece feeding means for moving the workpiece holding means and the laser beam irradiation means relative to the machining feed direction, the laser beam irradiation means comprising: a laser beam oscillation means for oscillating a laser beam; and the laser beam oscillation means. A laser processing apparatus including a condenser having a condenser objective lens that condenses an oscillated laser beam and irradiates the workpiece held by the workpiece holding means,
Condensing objective lens contamination detecting means for detecting the degree of contamination of the condensing objective lens, and an alarm when the degree of contamination of the condensing objective lens detected by the condensing objective lens contamination detecting means exceeds an allowable value Alarm means,
A laser processing apparatus is provided.

上記集光対物レンズ汚染検出手段は、被加工物保持手段に隣接して配設され集光器から照射されるレーザー光線の出力を検出する出力検出器と、該出力検出器が検出した出力が所定値以下か否かを判定し該出力検出器が検出した出力が所定値以下の場合に該警報手段に警報信号を出力する制御手段とを具備している。
また、上記集光対物レンズ汚染検出手段は、検査用レーザー光線を発振する検査用レーザー光線発振器と、被加工物保持手段のレーザー光線発振手段と集光器とを結ぶ経路に作用位置と退避位置に進退可能に配設され作用位置に位置付けられた状態において検査用レーザー光線発振器から発振された検査用レーザー光線を集光器に向けて方向を変換する方向変換手段と、検査用レーザー光線発振器から発振され方向変換手段および集光器を介して被加工物保持手段に照射された検査用レーザー光線の反射光を反射光検出経路に分岐するビームスプリッターと、該ビームスプリッターによって反射光検出経路に分岐された反射光の強度を検出するホトデテクターと、該ホトデテクターが検出した反射光の強度が所定値以下か否かを判定し該ホトデテクターが検出した反射光の強度が所定値以下の場合に警報手段に警報信号を出力する制御手段とを具備している。
The condensing objective lens contamination detecting means includes an output detector that is disposed adjacent to the workpiece holding means and detects an output of a laser beam irradiated from the condenser, and an output detected by the output detector is predetermined. Control means for determining whether or not the value is equal to or less than a value and outputting an alarm signal to the alarm means when the output detected by the output detector is equal to or less than a predetermined value.
Further, the condensing objective lens contamination detection means can be moved back and forth between the working laser beam oscillator for oscillating the inspection laser beam and the path connecting the laser beam oscillating means of the workpiece holding means and the condenser. The direction changing means for changing the direction of the inspection laser beam oscillated from the inspection laser beam oscillator toward the condenser in the state of being disposed at the operating position, the direction changing means oscillated from the inspection laser beam oscillator, and A beam splitter for branching the reflected light of the inspection laser beam irradiated to the workpiece holding means via the condenser to the reflected light detection path, and the intensity of the reflected light branched to the reflected light detection path by the beam splitter. A photo detector to be detected and whether or not the intensity of the reflected light detected by the photo detector is equal to or lower than a predetermined value are determined. Intensity of the reflected light Tekuta is detected and a control means for outputting an alarm signal to the alarm means when the predetermined value or less.

本発明によるレーザー加工装置は、集光対物レンズの汚染の度合いを検出する集光対物レンズ汚染検出手段と、該集光対物レンズ汚染検出手段によって検出された集光対物レンズの汚染の度合いが許容値を超える場合に警報する警報手段とを具備しているので、オペレータは集光対物レンズの清掃または交換するタイミングが判り、被加工物に照射されるレーザー光線の出力が低下して加工品質が安定しないという問題、および集光対物レンズがデブリによって汚染されることにより集光対物レンズが破損するという問題を解消することができる。   According to the laser processing apparatus of the present invention, the condenser objective lens contamination detecting means for detecting the degree of contamination of the condenser objective lens, and the degree of contamination of the condenser objective lens detected by the condenser objective lens contamination detector is acceptable. Since the alarm means for warning when the value is exceeded, the operator knows the timing to clean or replace the condenser objective lens, and the output of the laser beam irradiated to the work piece is reduced to stabilize the processing quality And the problem that the condenser objective lens is damaged when the condenser objective lens is contaminated by debris can be solved.

本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。The perspective view of the laser processing apparatus comprised according to this invention. 図1に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段のブロック構成図。The block block diagram of the laser beam irradiation means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図1に示すレーザー加工装置に装備される制御手段のブロック構成図。The block block diagram of the control means with which the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 集光対物レンズ汚染検出手段の他の実施形態を示すブロック構成図。The block block diagram which shows other embodiment of a condensing objective-lens contamination detection means.

以下、本発明によるウエーハの加工方法およびレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a wafer processing method and a laser processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、基台2上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット4とを具備している。   FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed according to the present invention. A laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2 and a chuck table mechanism 3 that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X and holds a workpiece. And a laser beam irradiation unit 4 as a laser beam irradiation means disposed on the base 2.

上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上にX軸方向に移動可能に配設された第1の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上にX軸方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持された支持テーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361の上面である保持面上に被加工物である例えば円形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、半導体ウエーハ等の被加工物を保護テープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。   The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31 and 31 disposed in parallel along the X-axis direction on the stationary base 2, and is arranged on the guide rails 31 and 31 so as to be movable in the X-axis direction. A first slide block 32 provided, and a second slide arranged on the first slide block 32 so as to be movable in an index feed direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y orthogonal to the X-axis direction. A block 33, a support table 35 supported by a cylindrical member 34 on the second sliding block 33, and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. The chuck table 36 includes a suction chuck 361 made of a porous material, and holds, for example, a circular semiconductor wafer as a workpiece on a holding surface which is the upper surface of the suction chuck 361 by suction means (not shown). It is supposed to be. The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The chuck table 36 is provided with a clamp 362 for fixing an annular frame that supports a workpiece such as a semiconductor wafer via a protective tape.

上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第1の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動せしめられる。   The first sliding block 32 has a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and is parallel to the upper surface along the Y-axis direction. A pair of formed guide rails 322 and 322 are provided. The first sliding block 32 configured in this manner moves in the X-axis direction along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. Configured to be possible. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a processing feed means 37 for moving the first slide block 32 along the pair of guide rails 31, 31 in the X-axis direction. The processing feed means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, the first slide block 32 is moved in the X-axis direction along the guide rails 31 and 31 by driving the male screw rod 371 forward and backward by the pulse motor 372.

上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動させるための割り出し送り手段38を具備している。割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動せしめられる。   The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the Y-axis direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes an index feeding means 38 for moving the second sliding block 33 in the Y-axis direction along a pair of guide rails 322 and 322 provided on the first sliding block 32. It has. The index feeding means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, by driving the male screw rod 381 forward and backward by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the Y-axis direction.

上記レーザー光線照射ユニット4は、上記基台2上に配設された支持部材41と、該支持部材41によって支持され実質上水平に延出するケーシング42と、該ケーシング42に配設されたレーザー光線照射手段5と、ケーシング42の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段6を具備している。なお、撮像手段6は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。   The laser beam irradiation unit 4 includes a support member 41 disposed on the base 2, a casing 42 supported by the support member 41 and extending substantially horizontally, and a laser beam irradiation disposed on the casing 42. Means 5 and imaging means 6 that is disposed at the front end of the casing 42 and detects a processing region to be laser processed are provided. In addition, in the illustrated embodiment, the imaging unit 6 is irradiated with an infrared illumination unit that irradiates a workpiece with infrared rays, in addition to a normal imaging device (CCD) that captures an image with visible light, and the infrared illumination unit. An optical system that captures infrared light and an image sensor (infrared CCD) that outputs an electrical signal corresponding to the infrared light captured by the optical system, and the like, send the captured image signal to a control means described later.

上記レーザー光線照射手段5について、図2を参照して説明する。
図2に示すレーザー光線照射手段5は、パルスレーザー光線発振手段51と、該パルスレーザー光線発振手段51によって発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段52と、該出力調整手段52によって出力が調整されたパルスレーザー光線を集光してチャックテーブル36に保持された被加工物Wに照射する集光器53を具備している。パルスレーザー光線発振手段51は、YAGレーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器511と、これに付設された繰り返し周波数設定手段512とから構成されている。出力調整手段52は、パルスレーザー光線発振手段51によって発振されたパルスレーザー光線LB1の出力を調整する。集光器53は、パルスレーザー光線発振手段51から発振され出力調整手段52によって出力が調整されたパルスレーザー光線LB1をチャックテーブル36の保持面に向けて方向変換する方向変換ミラー531と、該方向変換ミラー531によって方向変換されたパルスレーザー光線LB1を集光してチャックテーブル36に保持された被加工物Wに照射する集光対物レンズ532とからなっている。このように構成された集光器53は、図1に示すようにケーシング42の先端に装着される。
The laser beam irradiation means 5 will be described with reference to FIG.
The laser beam irradiation means 5 shown in FIG. 2 has a pulse laser beam oscillation means 51, an output adjustment means 52 for adjusting the output of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillation means 51, and the output adjusted by the output adjustment means 52. And a condenser 53 for condensing the pulsed laser beam and irradiating the workpiece W held on the chuck table 36. The pulse laser beam oscillating means 51 includes a pulse laser beam oscillator 511 composed of a YAG laser oscillator, and a repetition frequency setting means 512 attached thereto. The output adjustment unit 52 adjusts the output of the pulse laser beam LB1 oscillated by the pulse laser beam oscillation unit 51. The condenser 53 includes a direction changing mirror 531 for changing the direction of the pulse laser beam LB1 oscillated from the pulse laser beam oscillating means 51 and adjusted in output by the output adjusting means 52 toward the holding surface of the chuck table 36, and the direction changing mirror. And a condensing objective lens 532 that condenses the pulsed laser beam LB1 whose direction has been changed by 531 and irradiates the workpiece W held on the chuck table 36. The concentrator 53 thus configured is attached to the tip of the casing 42 as shown in FIG.

図1及び図2を参照して説明を続けると、チャックテーブル機構3を構成する支持テーブル35には、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36に隣接して配設され上記集光対物レンズ532の汚染の度合いを検出するための集光対物レンズ汚染検出手段7を構成する集光器53から照射されるレーザー光線の出力を検出する出力検出器71が配設されている。この出力検出器71は、受光したレーザー光線の出力を後述する制御手段に送る。   1 and 2, the support table 35 constituting the chuck table mechanism 3 is disposed adjacent to the chuck table 36 serving as a workpiece holding means, and the condensing objective lens 532 described above. An output detector 71 for detecting the output of the laser beam emitted from the condenser 53 constituting the condenser objective lens contamination detection means 7 for detecting the degree of contamination is provided. This output detector 71 sends the output of the received laser beam to the control means described later.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、図3に示す制御手段8を具備している。制御手段8はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置(CPU)81と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ(ROM)82と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ(RAM)83と、入力インターフェース84および出力インターフェース85とを備えている。制御手段8の入力インターフェース84には、上記撮像手段6、出力検出器71等からの検出信号が入力される。そして、制御手段6の出力インターフェース85からは、上記加工送り手段37、割り出し送り手段38、パルスレーザー光線発振手段51、出力調整手段52、警報手段としての表示手段80等に制御信号を出力する。   The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes the control means 8 shown in FIG. The control means 8 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 81 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 82 that stores a control program and the like, and a readable and writable memory that stores arithmetic results and the like. A random access memory (RAM) 83, an input interface 84 and an output interface 85 are provided. Detection signals from the imaging means 6, the output detector 71, and the like are input to the input interface 84 of the control means 8. A control signal is output from the output interface 85 of the control means 6 to the processing feed means 37, the index feed means 38, the pulse laser beam oscillation means 51, the output adjustment means 52, the display means 80 as an alarm means, and the like.

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
上述したレーザー光線照射手段5のパルスレーザー光線発振手段51から発振された被加工物に対して吸収性を有する波長(例えば波長が355nm)のパルスレーザー光線LB1を出力調整手段52によって出力を調整して集光器53を介してチャックテーブル36に保持された被加工物Wに照射することにより、被加工物Wにアブレーション加工を施すと、デブリが飛散して集光対物レンズ532を汚染する。また、パルスレーザー光線発振手段51から発振された被加工物に対して透過性を有する波長(例えば波長が1064nm)のパルスレーザー光線LB1を出力調整手段52によって出力を調整して集光器53を介してチャックテーブル36に保持された被加工物Wの内部に集光点を位置付けて照射することにより、被加工物Wの内部に改質層を形成する内部加工を施しても微細な粉塵が飛散して集光対物レンズ532を汚染する。このような集光対物レンズ532の汚染の度合いが許容値を超えると、上述したように被加工物Wに照射されるパルスレーザー光線LB1の出力が低下して加工品質が安定しないという問題がある。また、パルスレーザー光線発振手段51から発振されたパルスレーザー光線LB1がデブリによって汚染された集光対物レンズ532に吸収され集光対物レンズ532が破損するという問題がある。従って、定期的に集光対物レンズ532の汚染の度合いを検出して、現在の集光対物レンズ532の汚染の度合い確認しておくことが重要である。
The laser processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
The output adjusting means 52 adjusts the output of the pulsed laser beam LB1 having a wavelength (for example, the wavelength is 355 nm) having an absorptivity with respect to the workpiece oscillated from the pulse laser beam oscillating means 51 of the laser beam irradiating means 5 described above. By irradiating the workpiece W held on the chuck table 36 via the device 53, when the workpiece W is ablated, debris is scattered and the condenser objective lens 532 is contaminated. Further, the output adjusting means 52 adjusts the output of the pulse laser beam LB1 having a wavelength (for example, the wavelength is 1064 nm) having transparency to the workpiece oscillated from the pulse laser beam oscillating means 51 and adjusts the output through the condenser 53. By irradiating the work piece W held on the chuck table 36 with a condensing point positioned, fine dust is scattered even if an internal process for forming a modified layer is performed inside the work piece W. As a result, the condenser objective lens 532 is contaminated. When the degree of contamination of such a condenser objective lens 532 exceeds an allowable value, there is a problem that the output of the pulse laser beam LB1 irradiated to the workpiece W is lowered and the processing quality is not stabilized as described above. In addition, there is a problem that the pulsed laser beam LB1 oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 51 is absorbed by the condenser objective lens 532 contaminated by debris and the condenser objective lens 532 is damaged. Therefore, it is important to periodically detect the degree of contamination of the condenser objective lens 532 and confirm the degree of contamination of the current condenser objective lens 532 in advance.

以下、集光対物レンズ532の汚染の度合いを検出する手順について説明する。
先ず、制御手段8は、加工送り手段37および割り出し送り手段38を作動して、チャックテーブル機構3を構成する支持テーブル35に配設された出力検出器71を集光対物レンズ532の直下に位置付ける。次に、制御手段8は、パルスレーザー光線発振手段51を作動してパルスレーザー光線LB1を発振するとともに、出力調整手段52を制御してパルスレーザー光線発振手段51から発振されたパルスレーザー光線LB1の出力を例えば2Wに調整する。この結果、2Wに調整されたパルスレーザー光線LB1が集光器53の集光対物レンズ532を介して出力検出器71に照射される。このようにしてパルスレーザー光線LB1が照射された出力検出器71は、受光したパルスレーザー光線LB1の出力に対応した信号を制御手段8に送る。
Hereinafter, a procedure for detecting the degree of contamination of the condenser objective lens 532 will be described.
First, the control means 8 operates the processing feed means 37 and the index feed means 38 to position the output detector 71 disposed on the support table 35 constituting the chuck table mechanism 3 immediately below the condenser objective lens 532. . Next, the control means 8 operates the pulse laser beam oscillation means 51 to oscillate the pulse laser beam LB1, and controls the output adjustment means 52 to output the output of the pulse laser beam LB1 oscillated from the pulse laser beam oscillation means 51, for example, 2W. Adjust to. As a result, the pulsed laser beam LB1 adjusted to 2 W is applied to the output detector 71 via the condenser objective lens 532 of the condenser 53. The output detector 71 irradiated with the pulse laser beam LB1 in this way sends a signal corresponding to the output of the received pulse laser beam LB1 to the control means 8.

制御手段8は、出力検出器71から送られたパルスレーザー光線の出力に対応した信号(A)が集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値(例えば設定された出力の10%)を超えているか否かを判定する。図示の実施形態においては出力検出器7から送られたパルスレーザー光線の出力が2Wであるから、汚染の度合いの許容値は0.2Wとなる。従って制御手段8は、出力検出器71によって検出されたパルスレーザー光線の出力に対応した信号(A)が、設定された出力(2W)から許容値である0.2Wを減算した値(2W−0.2W=1.8W)以上(A≧1.8W)であれは集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値(0.2W)内であり使用可能と判定する。そして制御手段8は、判定結果を出力検出器71によって検出されたパルスレーザー光線LB1の出力に対応した信号(A)値とともに警報手段としての表示手段80に表示する。   The control means 8 indicates that the signal (A) corresponding to the output of the pulse laser beam sent from the output detector 71 exceeds the permissible value of the degree of contamination of the condenser objective lens 532 (for example, 10% of the set output). It is determined whether or not. In the illustrated embodiment, since the output of the pulse laser beam sent from the output detector 7 is 2 W, the allowable value of the degree of contamination is 0.2 W. Therefore, the control means 8 is such that the signal (A) corresponding to the output of the pulse laser beam detected by the output detector 71 is a value obtained by subtracting the allowable value 0.2W from the set output (2W) (2W-0). .. 2 W = 1.8 W) or more (A ≧ 1.8 W), it is within the allowable value (0.2 W) of the degree of contamination of the condenser objective lens 532 and it is determined that it can be used. Then, the control means 8 displays the determination result on the display means 80 as an alarm means together with the signal (A) value corresponding to the output of the pulse laser beam LB1 detected by the output detector 71.

一方、出力検出器71によって検出されたパルスレーザー光線LB1の出力に対応した信号(A)が、設定された出力(2W)から許容値である0.2Wを減算した値(2W−0.2W=1.8W)未満(A<1.8W)の場合には、制御手段8は集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値(0.2W)を超えていると判定し、判定結果を出力検出器71によって検出されたパルスレーザー光線LB1の出力に対応した信号(A)値とともに警報手段としての表示手段80に表示する。このようにして警報手段としての表示手段80に表示された判定結果および出力検出器71によって検出されたパルスレーザー光線LB1の出力に対応した信号(A)値に基づいて、オペレータは集光対物レンズ532の清掃または交換を検討する。なお、集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値(0.2W)を超えていると判定した場合には、警報ブザーまたは警報ランプを作動して警報するようにしてもよい。   On the other hand, the signal (A) corresponding to the output of the pulse laser beam LB1 detected by the output detector 71 is a value obtained by subtracting the allowable value 0.2W from the set output (2W) (2W−0.2W = If it is less than 1.8W) (A <1.8W), the control means 8 determines that the allowable value (0.2W) of the degree of contamination of the condenser objective lens 532 is exceeded and outputs the determination result. A signal (A) value corresponding to the output of the pulse laser beam LB1 detected by the detector 71 is displayed on the display means 80 as an alarm means. Thus, based on the determination result displayed on the display unit 80 as the alarm unit and the signal (A) value corresponding to the output of the pulsed laser beam LB1 detected by the output detector 71, the operator condenses the objective lens 532. Consider cleaning or replacing. In addition, when it determines with exceeding the tolerance | permissible value (0.2W) of the contamination degree of the condensing objective lens 532, you may make it alarm by operating an alarm buzzer or an alarm lamp.

次に、集光対物レンズ532の汚染の度合いを検出するための集光対物レンズ汚染検出手段の他の実施形態について、図4を参照して説明する。
図4に示す集光対物レンズ532の汚染の度合いを検出するための集光対物レンズ汚染検出手段7aは、上記レーザー光線照射手段5内に配設される。即ち、図4に示す集光対物レンズ汚染検出手段7aは、検査用レーザー光線LB2を発振する検査用レーザー光線発振器72と、レーザー光線照射手段5を構成する集光器53の方向変換ミラー531と集光対物レンズ532との間の経路に2点鎖線で示す作用位置と実線で示す退避位置に進退可能に配設され作用位置に位置付けられた状態において検査用レーザー光線発振器72から発振された検査用レーザー光線を集光対物レンズ532に向けて方向を変換する方向変換手段73と、検査用レーザー光線発振器72から発振され方向変換手段73および集光対物レンズ532を介して被加工物照射手段としてのチャックテーブル36に照射された検査用レーザー光線LB2の反射光を反射光検出経路74に分岐するビームスプリッター75と、反射光検出経路74に配設された集光レンズ76と、該ビームスプリッター75によって反射光検出経路74に分岐され集光レンズ76によって集光された反射光の光強度を検出するとホトデテクター77と、を具備している。
Next, another embodiment of the condensing objective lens contamination detection means for detecting the degree of contamination of the condensing objective lens 532 will be described with reference to FIG.
Condensing objective lens contamination detection means 7 a for detecting the degree of contamination of the condenser objective lens 532 shown in FIG. 4 is disposed in the laser beam irradiation means 5. That is, the condensing objective lens contamination detection means 7a shown in FIG. The inspection laser beam oscillated from the inspection laser beam oscillator 72 is collected in a state in which it is disposed in the path between the lens 532 so as to be able to advance and retreat to the retracted position indicated by the two-dot chain line and the retracted position indicated by the solid line. Irradiating to the chuck table 36 as the workpiece irradiating means via the direction changing means 73 and the focusing objective lens 532 oscillated from the inspection laser beam oscillator 72 and the direction changing means 73 for changing the direction toward the optical objective lens 532. A beam splitter 75 for branching the reflected light of the inspection laser beam LB2 to the reflected light detection path 74; A condensing lens 76 disposed in the light detection path 74, and a photo detector 77 when detecting the light intensity of the reflected light branched to the reflected light detection path 74 by the beam splitter 75 and collected by the condensing lens 76, It has.

上記検査用レーザー光線発振器72は、例えば波長が632nmで出力が2mWのHe-Neレーザー、または例えば波長が830nmで出力が3mWのSLDレーザーを出力する。上記方向変換手段73は、方向変換ミラー731と、該方向変換ミラー731を図4において2点鎖線で示す作用位置と実線で示す退避位置に進退可能に移動するアクチュエータ732とからなっている。即ち、方向変換手段73のアクチュエータ732は、上記レーザー光線照射手段5によってレーザー加工作業を実施する際には方向変換ミラー731を実線で示す退避位置に位置付けており、集光対物レンズ532の汚染の度合いを検出する際には方向変換ミラー731を2点鎖線で示す作用位置に位置付ける。上記ビームスプリッター75は、検査用レーザー光線発振器72から発振された検査用レーザー光線LB2を方向変換ミラー731に向けて通過するが、チャックテーブル36に照射された検査用レーザー光線LB2の反射光は反射光検出経路74に向けて分岐する。上記集光レンズ76は、ビームスプリッター75によって反射光検出経路74に分岐され反射光を集光してホトデテクター77に導く。ホトデテクター77は、反射光検出経路74に導かれた反射光を受光し、受光した反射光の光強度に対応した信号(電圧信号)を制御手段に出力する。なお、制御手段は、本実施形態においては上記図3に示す制御手段8を用いることとし、ホトデテクター77からの出力信号は図3に示すように入力インターフェース84に入力される。   The inspection laser beam oscillator 72 outputs, for example, a He-Ne laser having a wavelength of 632 nm and an output of 2 mW, or an SLD laser having a wavelength of 830 nm and an output of 3 mW. The direction changing means 73 includes a direction changing mirror 731 and an actuator 732 that moves the direction changing mirror 731 to move to a retracted position indicated by a solid line and an operating position indicated by a two-dot chain line in FIG. That is, the actuator 732 of the direction changing means 73 positions the direction changing mirror 731 at the retracted position indicated by a solid line when performing the laser processing operation by the laser beam irradiation means 5, and the degree of contamination of the condensing objective lens 532 Is detected, the direction change mirror 731 is positioned at the action position indicated by the two-dot chain line. The beam splitter 75 passes the inspection laser beam LB2 oscillated from the inspection laser beam oscillator 72 toward the direction changing mirror 731. The reflected light of the inspection laser beam LB2 irradiated on the chuck table 36 is reflected light detection path. Branch to 74. The condensing lens 76 is branched to the reflected light detection path 74 by the beam splitter 75 to collect the reflected light and guide it to the photo detector 77. The photo detector 77 receives the reflected light guided to the reflected light detection path 74 and outputs a signal (voltage signal) corresponding to the light intensity of the received reflected light to the control means. In this embodiment, the control means uses the control means 8 shown in FIG. 3, and an output signal from the photodetector 77 is input to the input interface 84 as shown in FIG.

図4に示す集光対物レンズ汚染検出手段7aは以上のように構成されており、以下、集光対物レンズ532の汚染の度合いを検出する手順について説明する。
先ず、制御手段8は、加工送り手段37および割り出し送り手段38を作動して、チャックテーブル機構3を構成するチャックテーブル36を集光対物レンズ532の直下に位置付ける。なお、チャックテーブル36の吸着チャック361上には反射鏡Mを載置することが望ましい。次に、制御手段8は分岐手段73のアクチュエータ732を作動して方向変換ミラー731を2点鎖線で示す作用位置に位置付ける。そして制御手段8は、検査用レーザー光線発振器72を作動して検査用レーザー光線LB2を発振する。検査用レーザー光線発振器72から発振された検査用レーザー光線LB2は、ビームスプリッター75、方向変換手段73の方向変換ミラー731、集光器53の集光対物レンズ532を介してチャックテーブル36上に保持された反射鏡Mに照射される。反射鏡Mに照射された検査用レーザー光線LB2は反射鏡Mで反射し、その反射光が集光対物レンズ532、方向変換ミラー731、ビームスプリッター75を介して反射光検出経路74に導かれ、集光レンズ76によって集光されてホトデテクター77によって受光される。
The condensing objective lens contamination detection means 7a shown in FIG. 4 is configured as described above, and the procedure for detecting the degree of contamination of the condensing objective lens 532 will be described below.
First, the control unit 8 operates the processing feeding unit 37 and the index feeding unit 38 to position the chuck table 36 constituting the chuck table mechanism 3 immediately below the condenser objective lens 532. Note that it is desirable to place the reflecting mirror M on the suction chuck 361 of the chuck table 36. Next, the control means 8 operates the actuator 732 of the branching means 73 to position the direction changing mirror 731 at the operating position indicated by the two-dot chain line. The control means 8 operates the inspection laser beam oscillator 72 to oscillate the inspection laser beam LB2. The inspection laser beam LB2 oscillated from the inspection laser beam oscillator 72 is held on the chuck table 36 via the beam splitter 75, the direction changing mirror 731 of the direction changing means 73, and the condensing objective lens 532 of the condenser 53. The reflecting mirror M is irradiated. The inspection laser beam LB2 irradiated on the reflecting mirror M is reflected by the reflecting mirror M, and the reflected light is guided to the reflected light detection path 74 via the condenser objective lens 532, the direction changing mirror 731 and the beam splitter 75, and collected. The light is collected by the optical lens 76 and received by the photodetector 77.

このようにして、反射鏡Mで反射した検査用レーザー光線LB2の反射光を受光したホトデテクター77は、受光した反射光の光強度に対応した電圧信号(B)を制御手段8に送る。制御手段8は、ホトデテクター77から送られた電圧信号(B)が集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値を超えているか否かを判定する。なお、集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値は、集光対物レンズ532が汚染されていない状態の10%に設定されている。即ち、検査用レーザー光線発振器72から発振された検査用レーザー光線LB2がビームスプリッター75、分岐手段73の方向変換ミラー731、汚染されていない集光対物レンズ532を介してチャックテーブル36上に保持された反射鏡Mに照射されたときの反射光がホトデテクター77によって受光された際の光強度に対応する電圧信号(B)が例えば1Vとすると、集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値は0.1Vに設定される。従って制御手段8は、ホトデテクター77によって検出された検査用レーザー光線LB2の反射光の強度に対応する電圧信号(B)が、汚染されていない集光対物レンズ532の状態における光強度に対応する電圧(1V)から許容値である0.1Vを減算した値(1V−0.1V=0.9V)以上(B≧0.9V)であれは集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値(0.1V)内であり使用可能と判定する。そして制御手段8は、判定結果をホトデテクター77によって検出された検査用レーザー光線LB2の反射光の強度に対応する電圧信号(B)値とともに警報手段としての表示手段80に表示する。   In this way, the photodetector 77 that has received the reflected light of the inspection laser beam LB2 reflected by the reflecting mirror M sends a voltage signal (B) corresponding to the light intensity of the received reflected light to the control means 8. The control means 8 determines whether or not the voltage signal (B) sent from the photodetector 77 exceeds an allowable value of the degree of contamination of the condenser objective lens 532. The allowable value of the degree of contamination of the condensing objective lens 532 is set to 10% of the state where the condensing objective lens 532 is not contaminated. That is, the reflection of the inspection laser beam LB2 oscillated from the inspection laser beam oscillator 72 is held on the chuck table 36 via the beam splitter 75, the direction changing mirror 731 of the branching unit 73, and the uncontaminated condensing objective lens 532. When the voltage signal (B) corresponding to the light intensity when the reflected light when irradiated to the mirror M is received by the photo detector 77 is 1 V, for example, the allowable value of the degree of contamination of the condenser objective lens 532 is 0. Set to 1V. Accordingly, the control means 8 uses a voltage signal (B) corresponding to the intensity of the reflected light of the inspection laser beam LB2 detected by the photodetector 77, corresponding to the light intensity in the state of the condensing objective lens 532 that is not contaminated ( If the value obtained by subtracting the allowable value 0.1V from (1V) (1V−0.1V = 0.9V) or more (B ≧ 0.9V), the allowable value (0 of the degree of contamination of the condenser objective lens 532) .1V) and is determined to be usable. Then, the control unit 8 displays the determination result on the display unit 80 as an alarm unit together with the voltage signal (B) value corresponding to the intensity of the reflected light of the inspection laser beam LB2 detected by the photodetector 77.

一方、ホトデテクター77によって検出された検査用レーザー光線LB2の反射光の強度に対応する電圧信号(B)が、汚染されていない集光対物レンズ532の状態における光強度に対応する電圧(1V)から許容値である0.1Vを減算した値(1V−0.1V=0.9V)未満(B<0.9V)であれは集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値(0.1V)を超えていると判定し、判定結果をホトデテクター77によって検出された検査用レーザー光線LB2の反射光の強度に対応する電圧信号(B)値とともに警報手段としての表示手段80に表示する。このようにして警報手段としての表示手段80に表示された判定結果およびホトデテクター77によって検出された検査用レーザー光線LB2の反射光の強度に対応する電圧信号(B)値に基づいて、オペレータは集光対物レンズ532の清掃または交換を検討する。なお、集光対物レンズ532の汚染の度合いの許容値を超えていると判定した場合には、警報ブザーまたは警報ランプを作動して警報するようにしてもよい。   On the other hand, the voltage signal (B) corresponding to the intensity of the reflected light of the inspection laser beam LB2 detected by the photodetector 77 is allowed from the voltage (1V) corresponding to the light intensity in the uncontaminated condensing objective lens 532 state. If the value is less than 0.1V (1V−0.1V = 0.9V) (B <0.9V), the allowable value (0.1V) of the degree of contamination of the condenser objective lens 532 is used. The determination result is displayed, and the determination result is displayed on the display unit 80 as an alarm unit together with the voltage signal (B) value corresponding to the intensity of the reflected light of the inspection laser beam LB2 detected by the photodetector 77. Thus, based on the determination result displayed on the display unit 80 as the alarm unit and the voltage signal (B) value corresponding to the intensity of the reflected light of the inspection laser beam LB2 detected by the photodetector 77, the operator collects the light. Consider cleaning or replacing the objective lens 532. If it is determined that the allowable value of the degree of contamination of the condensing objective lens 532 is exceeded, an alarm buzzer or an alarm lamp may be activated to give an alarm.

2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット
5:レーザー光線照射手段
51:パルスレーザー光線発振手段
52:出力調整手段
53:集光器
532:集光対物レンズ
6:撮像手段
7、7a:集光対物レンズ汚染検出手段
71:出力検出器
72:検査用レーザー光線発振器
73:方向変換手段
74:反射光検出経路
75:ビームスプリッター
76:集光レンズ
77:ホトデテクター
8:制御手段
W:被加工物
M:反射鏡
2: Stationary base 3: Chuck table mechanism 36: Chuck table 37: Processing feed means 38: Indexing feed means 4: Laser beam irradiation unit 5: Laser beam irradiation means 51: Pulse laser beam oscillation means 52: Output adjustment means 53: Condenser 532: Condensing objective lens 6: Imaging means 7, 7a: Condensing objective lens contamination detection means 71: Output detector 72: Inspection laser beam oscillator 73: Direction changing means 74: Reflected light detection path 75: Beam splitter 76: Collection Optical lens 77: Photodetector 8: Control means W: Workpiece M: Reflector

Claims (3)

被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物をレーザー加工するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して該被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光対物レンズを備えた集光器を含んでいるレーザー加工装置であって、
該集光対物レンズの汚染の度合いを検出する集光対物レンズ汚染検出手段と、該集光対物レンズ汚染検出手段によって検出された集光対物レンズの汚染の度合いが許容値を超える場合に警報する警報手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
Workpiece holding means for holding the workpiece, laser beam irradiation means for laser processing the workpiece held on the workpiece holding means, and the workpiece holding means and the laser beam irradiation means for processing feed direction A laser beam oscillating unit that oscillates the laser beam and condenses the laser beam oscillated from the laser beam oscillating unit to the workpiece holding unit. A laser processing apparatus including a condenser having a condenser objective lens for irradiating a held workpiece,
Condensing objective lens contamination detecting means for detecting the degree of contamination of the condensing objective lens, and an alarm when the degree of contamination of the condensing objective lens detected by the condensing objective lens contamination detecting means exceeds an allowable value Alarm means,
Laser processing equipment characterized by that.
該集光対物レンズ汚染検出手段は、該被加工物保持手段に隣接して配設され該集光器から照射されるレーザー光線の出力を検出する出力検出器と、該出力検出器が検出した出力が所定値以下か否かを判定し該出力検出器が検出した出力が所定値以下の場合に該警報手段に警報信号を出力する制御手段とを具備している、請求項1記載のレーザー加工装置。   The condensing objective lens contamination detection means includes an output detector that is disposed adjacent to the workpiece holding means and detects an output of a laser beam emitted from the condenser, and an output detected by the output detector. 2. The laser processing according to claim 1, further comprising: a control unit that determines whether or not is less than a predetermined value and outputs an alarm signal to the alarm unit when the output detected by the output detector is less than the predetermined value. apparatus. 該集光対物レンズ汚染検出手段は、検査用レーザー光線を発振する検査用レーザー光線発振器と、該被加工物保持手段の該レーザー光線発振手段と該集光器とを結ぶ経路に作用位置と退避位置に進退可能に配設され作用位置に位置付けられた状態において該検査用レーザー光線発振器から発振された検査用レーザー光線を該集光器に向けて方向を変換する方向変換手段と、該検査用レーザー光線発振器から発振され該方向変換手段および該集光器を介して該被加工物保持手段に照射された検査用レーザー光線の反射光を反射光検出経路に分岐するビームスプリッターと、該ビームスプリッターによって該反射光検出経路に分岐された反射光の強度を検出するホトデテクターと、該ホトデテクターが検出した反射光の強度が所定値以下か否かを判定し該ホトデテクターが検出した反射光の強度が所定値以下の場合に該警報手段に警報信号を出力する制御手段とを具備している、請求項1記載のレーザー加工装置。   The condensing objective lens contamination detection means advances and retreats to and from an operating position and a retracted position along a path connecting the laser beam oscillation means of the workpiece holding means and the laser beam oscillation means of the workpiece holding means and the condenser. Direction changing means for changing the direction of the inspection laser beam oscillated from the inspection laser beam oscillator toward the condenser in a state where the inspection laser beam oscillator is disposed in the operable position, and oscillated from the inspection laser beam oscillator A beam splitter for branching the reflected light of the inspection laser beam irradiated to the workpiece holding means via the direction changing means and the condenser to the reflected light detection path, and to the reflected light detection path by the beam splitter A photodetector that detects the intensity of the reflected light that has been branched, and whether or not the intensity of the reflected light that is detected by the photodetector is less than a predetermined value. Constant and the intensity of the reflected light which the Hotodetekuta is detected and a control means for outputting an alarm signal said alarm means when more than a predetermined value, the laser processing apparatus according to claim 1.
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