JP2015171004A - High frequency module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency module which can connect the high frequency lines of two high frequency substrates, while suppressing both the deterioration of a transmission characteristic and unnecessary radiation.SOLUTION: The high frequency module includes: a high frequency substrate 11 having a generated microstrip line 110 for propagating a high frequency signal; a high frequency substrate 12 having a generated microstrip line 120 for propagating a high frequency signal; and a waveguide 13 coupled with the high frequency substrates 11, 12, respectively, for propagating the high frequency signal from the high frequency substrate 11 to the high frequency substrate 12. The microstrip lines 110, 120, which are generated on the high frequency substrates 11, 12, have formed probes 110a, 120a for coupling with an electromagnetic field inside the waveguide 13.

Description

本発明は、ミリ波帯などの高周波信号を伝搬する高周波モジュールに関する。   The present invention relates to a high-frequency module that propagates a high-frequency signal such as a millimeter wave band.

特許文献１乃至４に記載されたミリ波帯高周波モジュール（主に送信機）に用いられるパワーアンプには、その出力性能や放熱性からベアチップモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）を用いることが多い。ＭＭＩＣ周辺には、回路の小型化を図るため、回路間接続にワイヤボンディング技術が用いられることが知られている。一方で高周波モジュールを構成する各要素はＱＦＮパッケージに代表されるような表面実装部品で構成することが一般的である。これら表面実装部品は、リフローを行うために低誘電体材料としてテフロン（登録商標）基板等が用いられる。テフロン（登録商標）基板とセラミック基板のように異種基板材料を用いる場合、その硬度やパターンサイズが異なるため、ワイヤボンディングで回路間接続（特に高周波線路）をするには高い実装技術が必要とされる。   A power amplifier used in the millimeter-wave band high-frequency module (mainly a transmitter) described in Patent Documents 1 to 4 often uses a bare chip monolithic microwave integrated circuit (MMIC) because of its output performance and heat dissipation. It is known that wire bonding technology is used for circuit connection in order to reduce the size of the circuit around the MMIC. On the other hand, each element constituting the high-frequency module is generally constituted by a surface mount component represented by a QFN package. These surface mount components use a Teflon (registered trademark) substrate or the like as a low dielectric material for reflow. When using different substrate materials such as Teflon (registered trademark) substrate and ceramic substrate, their hardness and pattern size are different, so high mounting technology is required to connect between circuits (especially high frequency lines) by wire bonding. The

特開２００８−０７９０８５号公報JP 2008-079085 A 特開２００６−１５７１９８号公報JP 2006-157198 A 特開２００５−２６０５７０号公報JP 2005-260570 A 特開平０５−０７５３０８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 05-075308

上述した高周波モジュールを、テフロン（登録商標）基板とセラミック基板のように異種基板材料を用いて実装する場合、その硬度やパターンサイズが異なり、ワイヤボンディングで回路間接続（特に高周波線路）をするには高い実装技術が必要とされる。   When the above-described high-frequency module is mounted using different substrate materials such as a Teflon (registered trademark) substrate and a ceramic substrate, the hardness and pattern size are different, and circuit connection (especially high-frequency line) is made by wire bonding. High mounting technology is required.

また、送信系の高周波モジュールには帯域外不要波に対して法規制が設けられている。例えばアップコンバータで発生する局部発振信号成分のリークに代表される不要波が使用帯域に比較的近い場合、マイクロストリップ線路で構成される平面フィルタでは、４０〜５０ｄＢと高い抑圧量を持つフィルタを実現することは難しいという問題がある。   In addition, the high frequency module of the transmission system is provided with laws and regulations for out-of-band unwanted waves. For example, when an unnecessary wave typified by a leak of a local oscillation signal component generated by an up-converter is relatively close to the use band, a planar filter composed of a microstrip line realizes a filter with a high suppression amount of 40 to 50 dB. There is a problem that it is difficult to do.

本発明の目的は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、２つの高周波基板の高周波線路を、伝送特性劣化と不要輻射との両方を抑制しながら接続することが可能な高周波モジュールを提供することを目的とする。   The object of the present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a high-frequency module capable of connecting high-frequency lines of two high-frequency substrates while suppressing both deterioration of transmission characteristics and unnecessary radiation. The purpose is to do.

本発明に係る高周波モジュールは、高周波信号を伝搬する平面伝送線路が作製された第１の高周波用基板と、高周波信号を伝搬する平面伝送線路が作製された第２の高周波用基板と、前記第１及び第２の高周波基板とそれぞれ結合し、前記第１の高周波基板から前記第２の高周波用基板に高周波信号を伝搬する導波管と、を備え、前記第１及び第２の高周波基板を伝搬する平面伝送線路は、前記導波管内部の電磁界と結合するプローブが形成されたマイクロストリップ線路であることを特徴とする。   A high-frequency module according to the present invention includes a first high-frequency substrate on which a planar transmission line that propagates a high-frequency signal is fabricated, a second high-frequency substrate on which a planar transmission line that propagates a high-frequency signal is fabricated, and the first A waveguide that is coupled to each of the first and second high-frequency substrates and propagates a high-frequency signal from the first high-frequency substrate to the second high-frequency substrate, and the first and second high-frequency substrates are The propagating planar transmission line is a microstrip line in which a probe coupled to an electromagnetic field inside the waveguide is formed.

本態様によれば、第１及び第２の高周波基板が、それぞれプローブを介して導波管と接続することで高周波線路接続を行い、かつ、不要波帯域を抑圧することで、高周波モジュール内部のフィルタに求められる抑圧量を緩和することが可能となる。   According to this aspect, the first and second high-frequency substrates are connected to the waveguide through the probes, respectively, so that the high-frequency line is connected and the unnecessary wave band is suppressed. It is possible to reduce the amount of suppression required for the filter.

本発明の他の態様に係る高周波モジュールは、前記導波管の口径が、当該高周波モジュールのインタフェースに用いられる他の導波管の口径と比べて小さいことを特徴とする。本態様によれば、例えば出力インタフェースに用いられる他の導波管の口径より小さい口径の導波管を、第１及び第２の高周波用基板するのに用いることによって、導波管カットオフを利用した使用帯域より低域側のフィルタ効果を得ることができる。   The high-frequency module according to another aspect of the present invention is characterized in that the diameter of the waveguide is smaller than the diameter of another waveguide used for an interface of the high-frequency module. According to this aspect, for example, a waveguide having a smaller diameter than that of another waveguide used for the output interface is used to form the first and second high-frequency substrates, so that the waveguide cut-off is achieved. It is possible to obtain a filter effect on the lower frequency side than the used band used.

本発明の他の態様に係る高周波モジュールは、前記導波管は、管方向の長さが所定値であることを特徴とする。本態様によれば、導波管の長さを所定の長さに調整することで、抑圧するフィルタ効果を調整することができる。   The high-frequency module according to another aspect of the present invention is characterized in that the waveguide has a predetermined length in the tube direction. According to this aspect, the filter effect to be suppressed can be adjusted by adjusting the length of the waveguide to a predetermined length.

本発明によれば、２つの高周波基板の高周波線路を、伝送特性劣化と不要輻射と抑制しながら接続することが可能な高周波モジュールを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the high frequency module which can connect the high frequency track | line of two high frequency boards, suppressing a transmission characteristic degradation and unnecessary radiation can be provided.

図１（Ａ）は、本発明が適用された高周波モジュール１の概略を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、導波管の断面形状の各寸法について説明するための図である。FIG. 1A is a perspective view showing an outline of a high-frequency module 1 to which the present invention is applied, and FIG. 1B is a diagram for explaining dimensions of a cross-sectional shape of a waveguide. 図２（Ａ）は、導波管の長さＬｗｇについて説明するための図であり、図２（Ｂ）は、導波管の長さＬｗｇに応じた伝送特性Ｓ２１の変化について説明するための図である。2A is a diagram for explaining the waveguide length Lwg, and FIG. 2B is a diagram for explaining the change in the transmission characteristic S21 according to the waveguide length Lwg. FIG. 図３は、送信モジュールの機能ブロック構成を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a functional block configuration of the transmission module. 図４（Ａ）は、本発明が適用された高周波モジュールを説明するための正面図であり、図４（Ｂ）は、本発明が適用された高周波モジュールを説明するための断面図である。FIG. 4A is a front view for explaining a high-frequency module to which the present invention is applied, and FIG. 4B is a cross-sectional view for explaining the high-frequency module to which the present invention is applied.

本発明を実施するための形態（以下、本実施形態という。）について具体例を示して説明する。本実施形態は、ミリ波帯などの高周波信号を伝搬する高周波モジュールに関する。このような高周波モジュールの具体例として、図１に示すような、高周波モジュール１の構成について説明する。   A mode for carrying out the present invention (hereinafter referred to as the present embodiment) will be described with a specific example. The present embodiment relates to a high-frequency module that propagates a high-frequency signal such as a millimeter wave band. As a specific example of such a high-frequency module, a configuration of the high-frequency module 1 as shown in FIG. 1 will be described.

（１）全体構成
図１（Ａ）は高周波モジュール１の概略を示す斜視図である。高周波モジュール１は、図１（Ａ）に示すように、高周波信号を伝搬するマイクロストリップ線路１１０が作製された高周波用基板１１と、高周波信号を伝搬するマイクロストリップ線路１２０が作製された高周波用基板１２と、高周波基板１１から高周波用基板１２に高周波信号を伝搬する導波管１３と、を備える。 (1) Overall Configuration FIG. 1A is a perspective view showing an outline of the high-frequency module 1. As shown in FIG. 1A, the high-frequency module 1 includes a high-frequency substrate 11 on which a microstrip line 110 that propagates a high-frequency signal is fabricated and a high-frequency substrate on which a microstrip line 120 that propagates a high-frequency signal is fabricated. 12 and a waveguide 13 that propagates a high-frequency signal from the high-frequency substrate 11 to the high-frequency substrate 12.

高周波用基板１１は、例えばフッ素樹脂などの可撓性材料からなる基板であって、後述するように中間周波数（ＩＦ）信号と局部発振（ＬＯ）信号とを混合するドライバ（ＤＲＶ）回路１１ａを構成する高周波素子が、リフロー処理により実装された基板である。また、高周波用基板１１に作製されたマイクロストリップ線路１１０は、導波管１３内部の電磁界と結合するプローブ１１０ａが形成されている。   The high frequency substrate 11 is a substrate made of a flexible material such as a fluororesin, for example, and includes a driver (DRV) circuit 11a that mixes an intermediate frequency (IF) signal and a local oscillation (LO) signal as will be described later. The high-frequency element to be configured is a substrate mounted by reflow processing. Further, the microstrip line 110 manufactured on the high frequency substrate 11 has a probe 110 a that is coupled to the electromagnetic field inside the waveguide 13.

高周波用基板１２は、例えばセラミックなどの可塑性材料からなる基板であって、後述するように、例えば金属製キャリアを介してパワーアンプ（ＰＡ）１２ａが実装された基板である。また、高周波用基板１２に作製されたマイクロストリップ線路１２０は、導波管１３内部の電磁界と結合するプローブ１２０ａが形成されている。   The high-frequency substrate 12 is a substrate made of a plastic material such as ceramic, and is a substrate on which a power amplifier (PA) 12a is mounted via a metal carrier, for example, as will be described later. The microstrip line 120 fabricated on the high-frequency substrate 12 has a probe 120 a that is coupled to the electromagnetic field inside the waveguide 13.

導波管１３は、上述したプローブ１１０ａ、１２０ａとそれぞれ結合し、図１（Ａ）の矢印Ｙに示す管方向、すなわち高周波基板１１０から高周波用基板１２０に、高周波信号を伝搬する。また、当該導波管１３の口径は、当該高周波モジュール１のインタフェースに用いられる、つまり高周波基板１２の出力端と接続される他の導波管の口径と比べて小さい。具体的に、導波管１３の管方向に対して垂直な断面を、図１（Ｂ）に示すような長手方向の幅ａと短手方向の幅ｂとで決まる矩形形状とすると、導波管１３は、下記の表１に示すような遮断特性を有するフィルタとして機能する。   The waveguide 13 is coupled to the above-described probes 110a and 120a, respectively, and propagates a high-frequency signal from the high-frequency substrate 110 to the high-frequency substrate 120 in the tube direction indicated by the arrow Y in FIG. The diameter of the waveguide 13 is smaller than the diameter of other waveguides used for the interface of the high-frequency module 1, that is, connected to the output end of the high-frequency substrate 12. Specifically, if the cross section perpendicular to the tube direction of the waveguide 13 is a rectangular shape determined by the width a in the longitudinal direction and the width b in the short direction as shown in FIG. The tube 13 functions as a filter having a cutoff characteristic as shown in Table 1 below.

Figure 2015171004
Figure 2015171004

遮断周波数λｃ［ＧＨｚ］は、λｃ＝２ａで算出される値である。また、表１の具体例では、高次縮退モードを防ぐため、ｂ＝ａ／２とした。   The cutoff frequency λc [GHz] is a value calculated by λc = 2a. In the specific example of Table 1, b = a / 2 is set in order to prevent the higher-order degenerate mode.

後述の具体例で示すように、４２ＧＨｚの高周波信号を出力する送信機の用途として、本実施形態に係る高周波モジュール１を用いる場合には、口径が３．７５９×１．８８０［ｍｍ］の導波管１３を用いることで、導波管カットオフを利用した使用帯域より低域側のフィルタ効果を得ることができる。   As shown in a specific example described later, when the high-frequency module 1 according to the present embodiment is used as a transmitter that outputs a high-frequency signal of 42 GHz, a guide having a diameter of 3.759 × 1.880 [mm] is used. By using the wave tube 13, it is possible to obtain a filter effect on the lower frequency side than the use band using the waveguide cutoff.

また、導波管１３は、図２（Ａ）に示すような導波管１３の長さＬｗｇを所定の長さに調整することで、抑制するフィルタ効果を調整することができる。図２（Ｂ）は、導波管の口径を３．７５９×１．８８０［ｍｍ］とし、１０〜４０ｍｍの範囲で５ｍｍごとに長さＬｗｇを変化させたときの伝送特性Ｓ２１の周波数特性を示した図である。また、下記の表２は、長さＬｗｇの長さに対応した３９．２ＧＨｚ帯のＳ２１の値を示した表である。   Moreover, the waveguide 13 can adjust the filter effect to suppress by adjusting the length Lwg of the waveguide 13 as shown to FIG. 2 (A) to predetermined length. FIG. 2B shows the frequency characteristic of the transmission characteristic S21 when the diameter of the waveguide is 3.759 × 1.880 [mm] and the length Lwg is changed every 5 mm in the range of 10 to 40 mm. FIG. Table 2 below is a table showing the value of S21 in the 39.2 GHz band corresponding to the length Lwg.

Figure 2015171004
Figure 2015171004

図２（Ｂ）及び表２に示す周波数特性から明らかなように、導波管１３の長さＬｗｇを長くすることで、より急峻なカットオフ特性を実現することができる。   As is clear from the frequency characteristics shown in FIG. 2B and Table 2, a steeper cut-off characteristic can be realized by increasing the length Lwg of the waveguide 13.

（２）実施例
次に、以上のような構成からなる高周波モジュール１は、図３に示すような機能ブロック構成からなる送信モジュール３に適用することができる。 (2) Embodiment Next, the high-frequency module 1 having the above configuration can be applied to the transmission module 3 having the functional block configuration as shown in FIG.

送信モジュール３は、例えば４２ＧＨｚの高周波信号を外部に出力するため、図３に示すように、主に、ＩＦ入力端子３１と、ＬＯ入力端子３２と、混合器３３と、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）３４と、パワーアンプ（ＰＡ）３５と、出力インタフェース部３７とを備える。   Since the transmission module 3 outputs a high-frequency signal of 42 GHz, for example, to the outside, as shown in FIG. 3, mainly, an IF input terminal 31, an LO input terminal 32, a mixer 33, and a band pass filter (BPF) 34, a power amplifier (PA) 35, and an output interface unit 37.

送信モジュール３では、まず、１．８〜２．８ＧＨｚ帯のＩＦ信号を、ＩＦ入力端子３１から入力して、増幅器３１１及び温度可変型ＡＴＴ３１２で増幅して混合器３３に入力する。また、送信モジュール３では、局部発振器（ＬＯ）４で発振した９．８ＧＨｚのＬＯ信号をＬＯ入力端子３２から入力し、ｘ２周波数逓倍回路３２１で３９．２ＧＨｚに逓倍し、さらにフィルタ３２２及びＡＴＴ３２４を介して混合器３３に入力する。次に、送信モジュール３では、混合器３３により、ＩＦ入力と逓倍したＬＯ信号とを混合して、ＩＦ信号を４１〜４２ＧＨｚ帯までアップロードし、ＢＰＦ３４及び増幅器３４１で所定の信号処理を施した後にＰＡ３６に入力する。次に、送信モジュール３では、ＰＡ３６で増幅した４１〜４２ＧＨｚ帯の信号を出力インタフェース部３７から外部に出力する。   In the transmission module 3, first, an IF signal in the 1.8 to 2.8 GHz band is input from the IF input terminal 31, amplified by the amplifier 311 and the temperature variable ATT 312, and input to the mixer 33. In the transmission module 3, the 9.8 GHz LO signal oscillated by the local oscillator (LO) 4 is input from the LO input terminal 32, and is multiplied to 39.2 GHz by the x2 frequency multiplication circuit 321. Further, the filter 322 and the ATT 324 are provided. To the mixer 33. Next, in the transmission module 3, the mixer 33 mixes the IF input and the multiplied LO signal, uploads the IF signal to the 41 to 42 GHz band, and performs predetermined signal processing by the BPF 34 and the amplifier 341. Input to PA36. Next, the transmission module 3 outputs the 41 to 42 GHz band signal amplified by the PA 36 to the outside from the output interface unit 37.

例えばスプリアス規定で１００μＷ（=−１０ｄＢｍ）以下になるように法規制されている場合、使用するアップコンバータ、つまり混合器３３のＬＯ信号のリークが−１０ｄＢｍとなることが要求される。このような要求の下、後段の増幅器であるＰＡ３６の利得が約４０ｄＢであると、ＢＰＦ３４は、少なくとも４０ｄＢの抑圧量を実現するＬｏ ｒｅｊｅｃｔｉｏｎフィルタとして機能しなければならない。   For example, when it is regulated by spurious regulations to be 100 μW (= −10 dBm) or less, it is required that the leak of the LO signal of the up-converter to be used, that is, the mixer 33, becomes −10 dBm. Under such a requirement, when the gain of the PA 36, which is a subsequent amplifier, is about 40 dB, the BPF 34 must function as a Lo rejection filter that realizes a suppression amount of at least 40 dB.

そこで、ＢＰＦ３４を、口径が３．７５９×１．８８０［ｍｍ］でＬｗｇが３５ｍｍ以上である導波管１３により実現することで、上記のＬＯ ｒｅｊｅｃｔｉｏｎフィルタとしての機能を満たすことができる。   Therefore, by realizing the BPF 34 with the waveguide 13 having a diameter of 3.759 × 1.880 [mm] and an Lwg of 35 mm or more, the function as the above-described LO rejection filter can be satisfied.

以上のような構成からなる送信モジュール３は、図４（Ａ）に示すような基板構成によって実現することができる。すなわち、図１に示す高周波基板１１に相当するテフロン（登録商標）基板４１に、ＢＰＦ３４前段の高周波素子、つまり、ＩＦ入力端子３１、増幅器３１１、温度可変型ＡＴＴ３１２、ＬＯ入力端子３２、ｘ２周波数逓倍回路３２１、フィルタ３２２、ＡＴＴ３２４、及び混合器３３を実装する。また、図１に示す高周波基板１２に相当するセラミック基板４３に、ＢＰＦ３５前段の高周波素子、つまり、増幅器３４１、ＰＡ３６、及び出力インタフェース部３７を実装する。ＰＡ３６については、金属製キャリア３６ａを介してセラミック基板４３に実装することで、良好な放熱特性を実現することができる。   The transmission module 3 having the above configuration can be realized by a substrate configuration as shown in FIG. That is, a Teflon (registered trademark) substrate 41 corresponding to the high-frequency substrate 11 shown in FIG. The circuit 321, the filter 322, the ATT 324, and the mixer 33 are mounted. In addition, a high-frequency element in front of the BPF 35, that is, an amplifier 341, a PA 36, and an output interface unit 37 are mounted on a ceramic substrate 43 corresponding to the high-frequency substrate 12 shown in FIG. About PA36, a favorable heat dissipation characteristic is realizable by mounting in the ceramic substrate 43 via the metal carriers 36a.

さらに、テフロン（登録商標）基板４１及びセラミック基板４３は、図４（Ｂ）に示すように、基板面が対抗するように平行に配置する。そして、テフロン（登録商標）基板４１及びセラミック基板４３にそれぞれ作製されたプローブ４１ａ、４３ａに結合する位置に、ＢＰＦ３４に相当する導波管４２を配置することで、高周波モジュール４を完成することができる。図４から明らかなように、送信モジュール４は、上述したＢＰＦ３４の機能を導波管４２で実現することで、例えばＢＰＦ３４の機能を平面フィルタにより実現する場合に比べて、小型化を図ることができる。また、ワイヤボンディングなどの接続手法により基板間を接続すると、熱などにより基板が変形することで伝送特性の劣化を招く。一方、送信モジュール４は、プローブ４１ａ、４３ａにより導波管４２と電磁界接続するので、上記のような熱などによって基板が変形しない点で良好な伝送特性を実現することができる。   Further, as shown in FIG. 4B, the Teflon (registered trademark) substrate 41 and the ceramic substrate 43 are arranged in parallel so that the substrate surfaces face each other. Then, the high-frequency module 4 can be completed by disposing the waveguide 42 corresponding to the BPF 34 at the position where it is coupled to the probes 41 a and 43 a respectively formed on the Teflon (registered trademark) substrate 41 and the ceramic substrate 43. it can. As can be seen from FIG. 4, the transmission module 4 can achieve the above-described function of the BPF 34 by the waveguide 42, so that, for example, the transmission module 4 can be reduced in size as compared with the case where the function of the BPF 34 is realized by a planar filter. it can. In addition, when the substrates are connected by a connection method such as wire bonding, the substrates are deformed by heat or the like, thereby deteriorating transmission characteristics. On the other hand, since the transmission module 4 is electromagnetically connected to the waveguide 42 by the probes 41a and 43a, good transmission characteristics can be realized in that the substrate is not deformed by heat as described above.

（３）効果
以上のような本発明が適用された高周波モジュール１及び送信モジュール３（４）は、高周波基板１１、１２を導波管１３で接続することで高周波線路接続を行い、かつ、不要波帯域を抑圧することで、高周波モジュール内部のフィルタに求められる抑圧量を緩和することが可能となる。また、ワイヤボンディングを行うことなく、２つの基板間で高周波信号を伝搬可能なので、ワイヤボンディングによる基板変形で生じるような伝送特性の劣化を防止することができる。 (3) Effects The high-frequency module 1 and the transmission module 3 (4) to which the present invention as described above is applied perform high-frequency line connection by connecting the high-frequency substrates 11 and 12 through the waveguide 13, and are unnecessary. By suppressing the waveband, it is possible to reduce the amount of suppression required for the filter inside the high-frequency module. Further, since a high frequency signal can be propagated between two substrates without performing wire bonding, it is possible to prevent deterioration of transmission characteristics caused by deformation of the substrate due to wire bonding.

また、高周波モジュール１及び送信モジュール３（４）によれば、出力インタフェースに用いられる他の導波管の口径より小さい口径の導波管１２を、高周波用基板を接続するのに用いることによって、導波管カットオフを利用した使用帯域より低域側のフィルタ効果を得ることができる。さらに、導波管１２の長さＬｗｇを所定の長さに調整することで、抑圧するフィルタ効果を調整することができる。   Further, according to the high frequency module 1 and the transmission module 3 (4), by using the waveguide 12 having a smaller diameter than that of other waveguides used for the output interface, to connect the high frequency substrate, It is possible to obtain a filter effect on the lower band side than the use band utilizing the waveguide cutoff. Furthermore, the filter effect to be suppressed can be adjusted by adjusting the length Lwg of the waveguide 12 to a predetermined length.

（４）その他
なお、上記の実施形態では、導波管に接続される２つの基板について、それぞれ異なる基板材を用いたが、これに限らず同種の基板を用いることが可能である。また、本実施形態に係る高周波モジュール１は、通過帯域が上記のような４１．０〜４２．０の周波数帯に限定されることなく、適用例に応じて各部材の寸法を調整すればよい。 (4) Others In the above embodiment, different substrate materials are used for the two substrates connected to the waveguide. However, the present invention is not limited to this, and the same type of substrate can be used. Moreover, the high frequency module 1 which concerns on this embodiment should just adjust the dimension of each member according to an application example, without being limited to a frequency band of 41.0-42.0 as above. .

１ 高周波モジュール
１１、１２ 高周波基板
１１０、１２０ マイクロストリップ線路
１１０ａ、１２０ａ プローブ
１３ 導波管 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 High frequency module 11, 12 High frequency board 110, 120 Microstrip line 110a, 120a Probe 13 Waveguide

Claims (3)

高周波信号を伝搬するマイクロストリップ線路が作製された第１の高周波用基板と、
高周波信号を伝搬するマイクロストリップ線路が作製された第２の高周波用基板と、
前記第１及び第２の高周波基板とそれぞれ結合し、前記第１の高周波基板から前記第２の高周波用基板に高周波信号を伝搬する導波管と、を備え、
前記第１及び第２の高周波基板に作成されたマイクロストリップ線路は、前記導波管内部の電磁界と結合するプローブが形成されていることを特徴とする高周波モジュール。 A first high-frequency substrate on which a microstrip line that propagates a high-frequency signal is fabricated;
A second high-frequency substrate on which a microstrip line that propagates a high-frequency signal is fabricated;
A waveguide that is coupled to each of the first and second high-frequency substrates and propagates a high-frequency signal from the first high-frequency substrate to the second high-frequency substrate,
The microstrip line formed on the first and second high-frequency substrates is provided with a probe that is coupled to an electromagnetic field inside the waveguide. 前記導波管の口径は、当該高周波モジュールのインタフェースに用いられる他の導波管の口径と比べて小さいことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。   2. The high frequency module according to claim 1, wherein a diameter of the waveguide is smaller than a diameter of another waveguide used for an interface of the high frequency module. 前記導波管は、管方向の長さが所定値であることを特徴とする請求項１又は２記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 1, wherein the waveguide has a predetermined length in the tube direction.
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