JP2015161836A - liquid crystal display device - Google Patents

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隆行 岩佐
Takayuki Iwasa
隆行 岩佐
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve smaller pixels than pixels each including two SRAMs.SOLUTION: A pixel 12 comprises, a DRAM 121 including a switch SW11 and a capacitor C11, an SRAM 122 including a switch SW12 and a memory MEM2, and a liquid crystal display element LC. After data to be outputted to a column data line d is written into a capacitor C11 in every pixel 12 composing an image display part, the switch SW12 of every pixel 12 is turned on, data of the capacitor C11 are all at once transferred to and held by the MEM2 including two inverters INV11 and INV12 in the SRAM 122, and is applied to a reflective electrode PE1. The pixel 12 composed of eight transistors and the one capacitor C11 allows a pixel to be configured with the small number of constituent elements, and the DRAM 121, the SRAM 122 and the reflective electrode PE are effectively arranged in an element height direction, thereby reducing the size of the pixel.

Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に複数ビットで表される複数の階調レベルに応じて、複数のサブフレームの組み合わせによって階調表示を行う液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device that performs gradation display by combining a plurality of subframes according to a plurality of gradation levels represented by a plurality of bits.

従来より、液晶表示装置における中間調表示方式の1つとして、サブフレーム駆動方式が知られている。時間軸変調方式の一種であるサブフレーム駆動方式では、所定の期間(例えば、動画の場合には1画像の表示単位である1フレーム)を複数のサブフレームに分割し、表示すべき階調に応じたサブフレームの組み合わせで画素を駆動する。表示される階調は、所定の期間に占める画素の駆動期間の割合によって決まり、この割合は、サブフレームの組み合わせによって特定される。   Conventionally, a sub-frame driving method is known as one of halftone display methods in a liquid crystal display device. In the sub-frame driving method, which is a type of time-axis modulation method, a predetermined period (for example, one frame, which is a display unit of one image in the case of a moving image) is divided into a plurality of sub-frames to obtain gradations to be displayed. The pixel is driven by a combination of the corresponding subframes. The gradation to be displayed is determined by the ratio of the pixel driving period in a predetermined period, and this ratio is specified by a combination of subframes.

このサブフレーム駆動方式の液晶表示装置において、各画素が、マスターラッチ及びスレーブラッチと、液晶表示素子と、第1〜第3の計3つのスイッチングトランジスタとから構成されるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。この画素では、マスターラッチは2つの入力端子のうち一方の入力端子に1ビットの第1のデータが第1のスイッチングトランジスタを通して印加されると共に、他方の入力端子に第1のデータとは相補的な関係にある第2のデータが第2のスイッチングトランジスタを通して印加され、行走査線を介して印加される行選択信号によりその画素が選択されたときに、上記の第1及び第2のスイッチングトランジスタをオン状態として第1のデータを書き込む。例えば、第1のデータが論理値「1」で、第2のデータが論理値「0」のとき、その画素が表示を行う。   In this sub-frame driving type liquid crystal display device, each pixel is known to be composed of a master latch and a slave latch, a liquid crystal display element, and a total of three switching transistors (first to third) ( For example, see Patent Document 1). In this pixel, the master latch applies 1-bit first data to one of the two input terminals through the first switching transistor and is complementary to the first data on the other input terminal. When the second data having the same relationship is applied through the second switching transistor and the pixel is selected by the row selection signal applied through the row scanning line, the first and second switching transistors described above are used. Is turned on to write the first data. For example, when the first data has a logical value “1” and the second data has a logical value “0”, the pixel performs display.

全ての画素に対して上記と同様の動作により各データの書き込み後、そのサブフレーム期間内で全画素の第3のスイッチングトランジスタをオン状態としてマスターラッチに書き込んだデータを同時に読み出してスレーブラッチへ読み出しスレーブラッチから液晶表示素子の画素電極にそのスレーブラッチでラッチしたデータを印加する。以下、各サブフレーム毎に上記の動作を繰り返し、1フレーム期間内の全てのサブフレームの組み合わせによって所望の階調表示を行う。   After each data is written to all the pixels by the same operation as described above, the third switching transistors of all the pixels are turned on within the subframe period, and the data written to the master latch is simultaneously read and read to the slave latch. The data latched by the slave latch is applied from the slave latch to the pixel electrode of the liquid crystal display element. Thereafter, the above operation is repeated for each subframe, and a desired gradation display is performed by combining all subframes within one frame period.

すなわち、サブフレーム駆動方式の液晶表示装置においては、1フレーム期間内の全てのサブフレームは、その表示期間が同一又は異なる所定の期間に予め割り当てられており、各画素において最大階調表示時は全てのサブフレームにおいて表示を行い、最小階調表示時は全てのサブフレームにおいて非表示とし、それ以外の階調の場合は表示する階調に応じて表示するサブフレームを選択する。この従来の液晶表示装置は、入力されるデータが階調を示すデジタルデータであり、2段ラッチ構成のデジタル駆動方式でもある。   That is, in the sub-frame driving type liquid crystal display device, all the sub-frames in one frame period are assigned in advance to the same period or different predetermined periods, and at the time of maximum gradation display in each pixel. Display is performed in all subframes. In the case of the minimum gradation display, no display is performed in all subframes. In the case of other gradations, the subframe to be displayed is selected according to the display gradation. In this conventional liquid crystal display device, the input data is digital data indicating a gradation, and it is also a digital driving system having a two-stage latch configuration.

特表2001−523847号公報JP-T-2001-523847

しかしながら、上記の従来の液晶表示装置では、各画素内の2つのラッチはそれぞれ、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)で構成されるため、トランジスタ数が多くなり、画素小型化が困難である。   However, in the above-described conventional liquid crystal display device, since the two latches in each pixel are each composed of a static random access memory (SRAM), the number of transistors is large and it is difficult to reduce the size of the pixel. .

本発明は以上の点に鑑みなされたもので、画素内に2つのSRAMを用いた画素に比べて画素小型化を可能にした液晶表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of downsizing the pixel as compared with a pixel using two SRAMs in the pixel.

本発明は上記の目的を達成するため、複数本の列データ線と複数本の行走査線とがそれぞれ交差する交差部に設けられた複数の画素からなる画像表示部と、画像表示部を構成する複数の画素を制御する画素制御手段とを有し、
複数の画素のそれぞれは、
対向する画素電極と共通電極との間に液晶が充填封入された表示素子と、映像信号の各フレームを映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数のサブフレームで表示するための各サブフレームデータを、列データ線を介してサンプリングする第1のスイッチング手段と、第1のスイッチング手段と共にランダム・アクセス・メモリを構成しており、第1のスイッチング手段によりサンプリングされたサブフレームデータを更新記憶する第1の信号保持手段と、第1の信号保持手段に記憶されたサブフレームデータを出力させる第2のスイッチング手段と、第2のスイッチング手段と共にスタティック・ランダム・アクセス・メモリを構成しており、第2のスイッチング手段を通して供給される第1の信号保持手段に記憶されたサブフレームデータで記憶内容が書き換えられ、出力データを画素電極に印加する第2の信号保持手段とを備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention comprises an image display unit composed of a plurality of pixels provided at intersections where a plurality of column data lines and a plurality of row scanning lines respectively intersect, and an image display unit Pixel control means for controlling a plurality of pixels
Each of the plurality of pixels
A display element in which liquid crystal is filled and sealed between the opposing pixel electrode and the common electrode, and each sub for displaying each frame of the video signal in a plurality of sub-frames having a display period shorter than one frame period of the video signal A random access memory is configured together with a first switching means for sampling frame data via a column data line and the first switching means, and the subframe data sampled by the first switching means is updated. A static random access memory is configured with the first signal holding means for storing, the second switching means for outputting the subframe data stored in the first signal holding means, and the second switching means. Sub-stored in the first signal holding means supplied through the second switching means Memory content is rewritten with frame data, characterized in that it comprises a second signal holding means for applying the output data to the pixel electrodes.

本発明によれば、画素内に2つのSRAMを用いた画素に比べて画素小型化を実現できる。   According to the present invention, pixel miniaturization can be realized as compared with a pixel using two SRAMs in the pixel.

本発明の液晶表示装置の一実施の形態の全体構成図である。1 is an overall configuration diagram of an embodiment of a liquid crystal display device of the present invention. 本発明の要部である画素の第1の実施の形態の回路図である。1 is a circuit diagram of a first embodiment of a pixel which is a main part of the present invention. インバータの一例の回路図である。It is a circuit diagram of an example of an inverter. 図2に示す一画素の一例の断面構造図である。FIG. 3 is a cross-sectional structure diagram of an example of one pixel shown in FIG. 2. 本発明の液晶表示装置における画素の動作説明用タイミングチャートである。3 is a timing chart for explaining the operation of a pixel in the liquid crystal display device of the present invention. 液晶表示装置の液晶の飽和電圧および液晶の閾値電圧を、2値重みつきパルス幅変調データとして多重化する説明図である。It is explanatory drawing which multiplexes the saturation voltage of the liquid crystal of a liquid crystal display device, and the threshold voltage of a liquid crystal as binary weighted pulse width modulation data.

以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明になる液晶表示装置の一実施の形態のブロック図を示す。同図において、本実施の形態の液晶表示装置10は、複数の画素12が規則的に配置された画像表示部11と、タイミングジェネレータ13と、垂直シフトレジスタ14と、データラッチ回路15と、水平ドライバ16とから構成される。更に、水平ドライバ16は、水平シフトレジスタ161と、ラッチ回路162と、レベルシフタ/画素ドライバ163とから構成される。   FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention. In the figure, a liquid crystal display device 10 according to the present embodiment includes an image display unit 11 in which a plurality of pixels 12 are regularly arranged, a timing generator 13, a vertical shift register 14, a data latch circuit 15, a horizontal And a driver 16. Further, the horizontal driver 16 includes a horizontal shift register 161, a latch circuit 162, and a level shifter / pixel driver 163.

画像表示部11は、垂直シフトレジスタ14に一端が接続されて行方向(X方向)に延在する2本で一組を構成する計m組(mは2以上の自然数)の正転行走査線g1〜gm及び反転行走査線gb1〜gbmと、レベルシフタ/画素ドライバ163に一端が接続されて列方向(Y方向)に延在するn本(nは2以上の自然数)の列データ線d1〜dnとが交差する各交差部に設けられ、二次元マトリクス状に配置された、全部でm×n個の画素12を有する。i番目(i=1〜m)の正転行走査線giと反転行走査線gbiとは、i番目の2本で一組の行走査線を構成している。本発明は画素12の回路構成に特徴があり、その実施の形態については後述する。画像表示部11内の全ての画素12は、一端がタイミングジェネレータ13に接続された、正転トリガパルス用トリガ線trig及び反転トリガパルス用トリガ線trigbにそれぞれ共通接続されている。   The image display unit 11 has a total of m sets (m is a natural number of 2 or more) of normal rotation scanning, one set connected to the vertical shift register 14 and extending in the row direction (X direction). Lines g1 to gm and inverted row scanning lines gb1 to gbm, and n (n is a natural number of 2 or more) column data lines d1 having one end connected to the level shifter / pixel driver 163 and extending in the column direction (Y direction) Are provided at each intersection where .about.dn intersects, and have a total of m.times.n pixels 12 arranged in a two-dimensional matrix. The i-th (i = 1 to m) normal row scanning line gi and the inverted row scanning line gbi constitute a set of row scanning lines with the i-th two. The present invention is characterized by the circuit configuration of the pixel 12, and an embodiment thereof will be described later. All the pixels 12 in the image display unit 11 are commonly connected to a forward trigger pulse trigger line trig and an inverted trigger pulse trigger line trigb, one end of which is connected to the timing generator 13.

正転行走査線g1〜gmが伝送する正転行走査パルスと、反転行走査線gb1〜gbmが伝送する反転行走査パルスとは、常に逆論理値の関係(相補的な関係)にある。また、正転トリガパルス用トリガ線trigが伝送する正転トリガパルスと、反転トリガパルス用トリガ線trigbが伝送する反転トリガパルスとは、常に逆論理値の関係(相補的な関係)にある。   The normal row scanning pulses transmitted by the normal row scanning lines g1 to gm and the inverted row scanning pulses transmitted by the inverted row scanning lines gb1 to gbm are always in an inverse logical value relationship (complementary relationship). Further, the normal trigger pulse transmitted by the normal trigger pulse trigger line trig and the reverse trigger pulse transmitted by the reverse trigger pulse trigger line trigb are always in an inverse logical value relationship (complementary relationship).

タイミングジェネレータ13は、上位装置20から垂直同期信号Vst、水平同期信号Hst、基本クロックCLKといった外部信号を入力信号として受け、これらの外部信号に基づいて、交流化信号FR、VスタートパルスVST、HスタートパルスHST、クロック信号VCK及びHCK、ラッチパルスLT、トリガパルスtrig/trigbなどの各種の内部信号を生成する。   The timing generator 13 receives external signals such as a vertical synchronization signal Vst, a horizontal synchronization signal Hst, and a basic clock CLK from the host device 20 as input signals, and based on these external signals, the AC signal FR, V start pulses VST, H Various internal signals such as a start pulse HST, clock signals VCK and HCK, a latch pulse LT, and a trigger pulse trig / trigb are generated.

上記の内部信号のうち、交流化信号FRは、1サブフレーム毎に極性反転する信号であり、画像表示部11を構成する画素12内の液晶表示素子の共通電極に、後述する共通電極電圧Vcomとして供給される。スタートパルスVSTは、後述する各サブフレームの開始タイミングに出力されるパルス信号であり、このスタートパルスVSTによって、サブフレームの切替わりが制御される。スタートパルスHSTは、水平シフトレジスタ161に入力する開始タイミングに出力されるパルス信号である。クロック信号VCKは、垂直シフトレジスタ14における1水平走査期間(1H)を規定するシフトクロックであり、VCKのタイミングで垂直シフトレジスタ14がシフト動作を行う。クロック信号HCKは、水平シフトレジスタ161におけるシフトクロックであり、例えば32ビット幅のデータをシフトしていくための信号である。   Among the above internal signals, the alternating signal FR is a signal whose polarity is inverted every subframe, and a common electrode voltage Vcom described later is applied to the common electrode of the liquid crystal display element in the pixel 12 constituting the image display unit 11. Supplied as The start pulse VST is a pulse signal output at the start timing of each subframe to be described later, and switching of subframes is controlled by the start pulse VST. The start pulse HST is a pulse signal output at the start timing input to the horizontal shift register 161. The clock signal VCK is a shift clock that defines one horizontal scanning period (1H) in the vertical shift register 14, and the vertical shift register 14 performs a shift operation at the timing of VCK. The clock signal HCK is a shift clock in the horizontal shift register 161, and is a signal for shifting, for example, 32-bit data.

ラッチパルスLTは、水平シフトレジスタ161が水平方向の1行の画素数分のデータをシフトし終わったタイミングで出力されるパルス信号である。タイミングジェネレータ13は、正転トリガパルスをトリガ線trigを通して、また反転トリガパルスをトリガ線trigbを通して画像表示部11を構成する全ての画素12に供給する。正転トリガパルス及び反転トリガパルスは、サブフレーム期間内で画像表示部11内の各画素12内の第1の信号保持手段に順次データを書き込み終わった直後に出力され、そのサブフレーム期間内で画像表示部11内の全ての画素12の第1の信号保持手段のデータを同じ画素内の第2の信号保持手段に一度に転送する。   The latch pulse LT is a pulse signal that is output at a timing when the horizontal shift register 161 has shifted the data for the number of pixels in one row in the horizontal direction. The timing generator 13 supplies a normal rotation trigger pulse to the all pixels 12 constituting the image display unit 11 through the trigger line trig and an inversion trigger pulse through the trigger line trigb. The normal trigger pulse and the reverse trigger pulse are output immediately after the data is sequentially written to the first signal holding means in each pixel 12 in the image display unit 11 within the subframe period, and within the subframe period. The data of the first signal holding means of all the pixels 12 in the image display unit 11 is transferred at a time to the second signal holding means in the same pixel.

垂直シフトレジスタ14は、それぞれのサブフレームの最初に供給されるVスタートパルスVSTを、クロック信号VCKに従って転送し、正転行走査線g1〜gmと反転行走査線gb1〜gbmに対して正転行走査パルスと反転行走査パルスをそれぞれ1H単位で順次排他的に供給する。また、垂直シフトレジスタ14は、1フレーム期間ではすべての正転行走査線g1〜gmと反転行走査線gb1〜gbmに正転行走査パルスと反転行走査パルスを供給する。すなわち、垂直シフトレジスタ14は、1フレーム期間において、i番目(ただし、i=1〜m)の一組の正転行走査線gi及び反転行走査線gbiに対し、画像表示部11おいて最も上にある一組目の行走査線g1及びgb1から最も下にあるm組目の行走査線gm及びgbmに向って、それぞれ一組ずつ順次1H単位で排他的に正転行走査パルス及び反転行走査パルスを供給していき、1フレーム期間では全てのm組に正転行走査パルス及び反転行走査パルスを供給する。   The vertical shift register 14 transfers the V start pulse VST supplied at the beginning of each subframe in accordance with the clock signal VCK, and performs normal rotation with respect to the normal row scanning lines g1 to gm and the inverted row scanning lines gb1 to gbm. A row scanning pulse and an inverted row scanning pulse are sequentially and exclusively supplied in units of 1H. The vertical shift register 14 supplies the normal row scanning pulse and the reverse row scanning pulse to all the normal row scanning lines g1 to gm and the reverse row scanning lines gb1 to gbm in one frame period. That is, the vertical shift register 14 is the most in the image display unit 11 with respect to the i-th (however, i = 1 to m) pair of normal row scanning lines gi and inverted row scanning lines gbi in one frame period. From the first set of row scanning lines g1 and gb1 to the m-th row scanning line gm and gbm at the bottom, one set is sequentially rotated in normal 1H increments and inverted. The row scanning pulse is supplied, and the normal rotation scanning pulse and the inversion row scanning pulse are supplied to all m sets in one frame period.

データラッチ回路15は、図示しない外部回路から供給される1サブフレーム毎に分割された32ビット幅のデータを、上位装置20からの基本信号CLKに基づいてラッチした後、基本信号CLKに同期して水平シフトレジスタ161へ出力する。ここで、映像信号の1フレームを、その映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数のサブフレームに分割してサブフレームの組み合わせによって階調表示を行う本実施の形態では、上記の外部回路は映像信号の各画素毎の階調を示す階調データを、上記複数のサブフレーム全体で各画素の階調を表示するための各サブフレーム単位の1ビットのサブフレームデータに変換する。そして、上記外部回路は、更に同じサブフレームにおける32画素分の上記サブフレームデータをまとめて上記32ビット幅のデータとしてデータラッチ回路15に供給している。   The data latch circuit 15 latches 32-bit width data divided for each subframe supplied from an external circuit (not shown) based on the basic signal CLK from the host device 20, and then synchronizes with the basic signal CLK. To the horizontal shift register 161. Here, in this embodiment in which one frame of a video signal is divided into a plurality of subframes having a display period shorter than one frame period of the video signal and gradation display is performed by a combination of subframes, The circuit converts the gradation data indicating the gradation for each pixel of the video signal into 1-bit subframe data for each subframe for displaying the gradation of each pixel in the entire plurality of subframes. The external circuit further supplies the sub-frame data for 32 pixels in the same sub-frame together to the data latch circuit 15 as the 32-bit width data.

水平シフトレジスタ161は、1ビットシリアルデータの処理系でみた場合、タイミングジェネレータ13から1Hの最初に供給されるHスタートパルスHSTによりシフトを開始し、データラッチ回路15から供給される32ビット幅のデータをクロック信号HCKに同期してシフトする。ラッチ回路162は、水平シフトレジスタ161が32ビット幅のデータを画像表示部11の1行分の画素数nと同じnビット分シフトし終わった時点でタイミングジェネレータ13から供給されるラッチパルスLTに従って、水平シフトレジスタ161から並列に供給されるnビット分のデータ(すなわち、同じ行のn画素分のn個のサブフレームデータ)をラッチし、レベルシフタ/画素ドライバ163のレベルシフタへ出力する。ラッチ回路162へのデータ転送が終了すると、タイミングジェネレータ13からHスタートパルスが再び出力され、水平シフトレジスタ161はクロック信号HCKに従ってデータラッチ回路15からの32ビット幅のデータのシフトを再開する。   When viewed in the processing system of 1-bit serial data, the horizontal shift register 161 starts shifting by the H start pulse HST supplied from the timing generator 13 at the beginning of 1H, and has a 32-bit width supplied from the data latch circuit 15. Data is shifted in synchronization with the clock signal HCK. The latch circuit 162 follows the latch pulse LT supplied from the timing generator 13 when the horizontal shift register 161 has shifted the 32-bit width data by the same n bits as the number of pixels n for one row of the image display unit 11. The n-bit data (that is, n subframe data for n pixels in the same row) supplied in parallel from the horizontal shift register 161 are latched and output to the level shifter of the level shifter / pixel driver 163. When the data transfer to the latch circuit 162 is completed, the H start pulse is output again from the timing generator 13, and the horizontal shift register 161 resumes shifting the 32-bit width data from the data latch circuit 15 in accordance with the clock signal HCK.

レベルシフタ/画素ドライバ163のレベルシフタは、ラッチ回路162によりラッチされて供給される1行のn画素に対応したn個のサブフレームデータの信号レベルを液晶駆動電圧までレベルシフトする。レベルシフタ/画素ドライバ163の画素ドライバは、レベルシフト後の1行のn画素に対応したn個のサブフレームデータの極性を反転する機能を有し、極性反転サブフレームデータをn本のデータ線d1〜dnに並列に出力する。この極性反転サブフレームデータは後述する第2の信号保持手段MEM2により極性が再び反転されて出力されるため、サブフレームデータはラッチ回路162でラッチされたときの元の極性に戻されて第2の信号保持手段MEM2から出力されて反射電極PE1に印加される。   The level shifter of the level shifter / pixel driver 163 shifts the signal level of n subframe data corresponding to n pixels in one row supplied by being latched by the latch circuit 162 to the liquid crystal drive voltage. The pixel driver of the level shifter / pixel driver 163 has a function of inverting the polarity of n subframe data corresponding to n pixels in one row after the level shift, and the polarity inversion subframe data is transferred to n data lines d1. Output in parallel to ~ dn. Since the polarity-inverted subframe data is output with the polarity reversed again by the second signal holding means MEM2 described later, the subframe data is returned to the original polarity when latched by the latch circuit 162, and the second The signal holding means MEM2 is applied to the reflective electrode PE1.

水平ドライバ16を構成する水平シフトレジスタ161、ラッチ回路162及びレベルシフタ/画素ドライバ163は、1H内において今回データを書き込む画素行に対するデータの出力と、次の1H内でデータを書き込む画素行に関するデータのシフトとを並行して行う。ある水平走査期間において、ラッチされた1行のn画素分のn個のサブフレームデータが、データ信号としてそれぞれn本のデータ線d1〜dnに並列に、かつ、一斉に出力される。   The horizontal shift register 161, the latch circuit 162, and the level shifter / pixel driver 163 constituting the horizontal driver 16 output data for a pixel row to which data is written this time in 1H, and data for a pixel row to which data is written in the next 1H. Shift in parallel. In a certain horizontal scanning period, n subframe data corresponding to n pixels in one row latched are simultaneously output in parallel to the n data lines d1 to dn as data signals.

画像表示部11を構成する複数の画素12のうち、垂直シフトレジスタ14からの行走査パルス及び反転行走査パルスにより選択された1行のn個の画素12は、レベルシフタ/画素ドライバ163から一斉に出力された1行分のn個のサブフレームデータをn本のデータ線d1〜dnを介して各々サンプリングして各画素12内の後述する第1の信号保持手段にそれぞれ書き込む。   Among the plurality of pixels 12 constituting the image display unit 11, n pixels 12 in one row selected by the row scanning pulse and the inverted row scanning pulse from the vertical shift register 14 are simultaneously transmitted from the level shifter / pixel driver 163. The output n subframe data for one row is sampled via n data lines d1 to dn, and written in first signal holding means (to be described later) in each pixel 12.

次に、本発明の液晶表示装置における画素12の一実施の形態について詳細に説明する。   Next, an embodiment of the pixel 12 in the liquid crystal display device of the present invention will be described in detail.

図2は、本発明の要部である画素の一実施の形態の等価回路図を示す。同図において、画素12は、図1中の任意の1本の列データ線dと2本で一組の任意の一組の正転行走査線g及び反転行走査線gbとの交差部に設けられている。画素12は、第1のスイッチング手段であるスイッチSW11と第1の信号保持手段MEM1である容量C11とから構成されるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)121と、第2のスイッチング手段であるスイッチSW12と第2の信号保持手段MEM2である2つのインバータINV11及びINV12とから構成されるスタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)122と、液晶表示素子LCとを有している。液晶表示素子LCは、離間対向配置された光反射特性を有する画素電極である反射電極PE1と、光透過特性を有する共通電極CEとの間の空間に、液晶LCMが充填封入された公知の構造である。   FIG. 2 shows an equivalent circuit diagram of an embodiment of a pixel which is a main part of the present invention. In the figure, a pixel 12 is located at the intersection of one arbitrary column data line d and two arbitrary sets of normal row scanning lines g and inverted row scanning lines gb in FIG. Is provided. The pixel 12 is a dynamic random access memory (DRAM) 121 composed of a switch SW11 as a first switching means and a capacitor C11 as a first signal holding means MEM1, and a second switching means. It has a static random access memory (SRAM) 122 composed of a switch SW12 and two inverters INV11 and INV12 which are the second signal holding means MEM2, and a liquid crystal display element LC. The liquid crystal display element LC has a known structure in which a liquid crystal LCM is filled and enclosed in a space between a reflective electrode PE1 which is a pixel electrode having light reflection characteristics arranged in a spaced-apart relationship and a common electrode CE having light transmission characteristics. It is.

スイッチSW11は、それぞれ互いのドレイン同士が接続され、かつ、互いのソース同士が接続されたNチャネルMOS型電界効果トランジスタ(以下、NMOSトランジスタという)及びPチャネルMOS型電界効果トランジスタ(以下、PMOSトランジスタという)からなる公知のトランスミッションゲートの構成とされている。NMOSトランジスタのゲートは正転行走査線gに接続され、PMOSトランジスタのゲートは反転行走査線gbに接続されている。また、スイッチSW11を構成するNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタは、それぞれのドレインが列データ線dに接続され、ソースが容量C11の非接地側端子及びスイッチSW12に接続されている。   The switch SW11 has an N-channel MOS field effect transistor (hereinafter referred to as NMOS transistor) and a P-channel MOS field effect transistor (hereinafter referred to as PMOS transistor) in which the drains are connected to each other and the sources are connected to each other. And a known transmission gate structure. The gate of the NMOS transistor is connected to the normal row scanning line g, and the gate of the PMOS transistor is connected to the inverted row scanning line gb. Further, the NMOS transistor and the PMOS transistor constituting the switch SW11 have their drains connected to the column data line d and their sources connected to the non-ground side terminal of the capacitor C11 and the switch SW12.

前述したように、第1の信号保持手段である容量C11はスイッチSW11と共にDRAM121を構成している。容量C11の容量値は液晶LCMの容量値よりも大に設定されている。ここで、列データ線dを介して供給される新しく書き込もうとするデータと容量C11の保持データとが異なっていた場合、スイッチSW11がオンとされ、容量C11の保持データは充電、または放電によって新しく書き込もうとするデータに書き換わる。   As described above, the capacitor C11 serving as the first signal holding means constitutes the DRAM 121 together with the switch SW11. The capacitance value of the capacitor C11 is set larger than the capacitance value of the liquid crystal LCM. If the data to be newly written supplied via the column data line d is different from the data held in the capacitor C11, the switch SW11 is turned on, and the data held in the capacitor C11 is newly recharged or discharged. The data to be written is rewritten.

スイッチSW11は、正転行走査線gを介して供給される正転行走査パルスが“H”レベル(このときは、反転行走査線gbを介して供給される反転行走査パルスは“L”レベル)のときはオンとされ、列データ線dを介して供給されるデータを容量C11へ転送する。一方、スイッチSW11は、正転行走査線gを介して供給される正転行走査パルスが“L”レベル(このときは、反転行走査線gbを介して供給される反転行走査パルスは“H”レベル)のときはオフとされ、列データ線dを介して供給されるデータの容量C11への転送を遮断し、容量C11への書き込みは行わない。   The switch SW11 indicates that the normal row scanning pulse supplied via the normal row scanning line g is at “H” level (in this case, the inverted row scanning pulse supplied via the inverted row scanning line gb is “L”. Level), the data supplied via the column data line d is transferred to the capacitor C11. On the other hand, the switch SW11 indicates that the normal row scanning pulse supplied via the normal row scanning line g is at the “L” level (in this case, the inverted row scanning pulse supplied via the inverted row scanning line gb is “ H ”level), it is turned off, transfer of data supplied via the column data line d to the capacitor C11 is cut off, and writing to the capacitor C11 is not performed.

スイッチSW11は、公知のトランスミッションゲートの構成とされているため、GNDからVDDまでの範囲の入力信号電圧をオン、オフすることができる。つまり、トランスミッションゲートを構成するNMOSトランジスタとPMOSトランジスタの各ドレインに印加される入力信号がGND側の電位(“L”レベル)のときは、PMOSトランジスタが導通することができない代わりに、NMOSトランジスタが低抵抗で導通することができる。一方、上記NMOSトランジスタとPMOSトランジスタの各ドレインに印加される入力信号がVDD側の電位(“H”レベル)のときは、NMOSトランジスタが導通することができない代わりに、PMOSトランジスタが低抵抗で導通することができる。従って、正転行走査線gを介して供給される正転行走査パルスと反転行走査線gbを介して供給される反転行走査パルスとにより、スイッチSW11を構成するトランスミッションゲートをオン、オフすることによって、GNDからVDDまでの入力信号電圧範囲を低抵抗、高抵抗でスイッチングすることができる。   Since the switch SW11 has a known transmission gate configuration, the input signal voltage in the range from GND to VDD can be turned on and off. In other words, when the input signal applied to the drains of the NMOS transistor and the PMOS transistor constituting the transmission gate is at the GND side potential ("L" level), the PMOS transistor cannot be turned on. It can conduct with low resistance. On the other hand, when the input signal applied to each drain of the NMOS transistor and the PMOS transistor is at the VDD side potential ("H" level), the NMOS transistor cannot be turned on, but the PMOS transistor is turned on with a low resistance. can do. Therefore, the transmission gate constituting the switch SW11 is turned on / off by the normal row scanning pulse supplied via the normal row scanning line g and the reverse row scanning pulse supplied via the reverse row scanning line gb. Thus, the input signal voltage range from GND to VDD can be switched with low resistance and high resistance.

第2のスイッチング手段を構成するスイッチSW12は、それぞれ互いのドレイン同士が接続され、かつ、互いのソース同士が接続されたNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタからなる公知のトランスミッションゲートの構成とされている。NMOSトランジスタのゲートは正転トリガパルス用トリガ線trigに接続され、PMOSトランジスタのゲートは反転トリガパルス用トリガ線trigbに接続されている。   The switch SW12 constituting the second switching means has a known transmission gate configuration composed of an NMOS transistor and a PMOS transistor in which the drains are connected to each other and the sources are connected to each other. The gate of the NMOS transistor is connected to the trigger line for normal trigger pulse trig, and the gate of the PMOS transistor is connected to the trigger line for inverted trigger pulse trigb.

また、スイッチSW12を構成するNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタは、それぞれのドレインが容量C11の非接地側端子に接続され、ソースが第2の信号保持手段MEM2の入力端子にそれぞれ接続されている。従って、スイッチSW12はトリガ線trigを介して供給される正転トリガパルスが“H”レベル(このときは、トリガ線trigbを介して供給される反転トリガパルスは“L”レベル)のときはオンとされ、容量C11に保持されている電荷を読み出して第2の信号保持手段MEM2へ転送する。一方、スイッチSW12は、正転トリガ線trigを介して供給される正転トリガパルスが“L”レベル(このときは、反転トリガ線trigbを介して供給される反転トリガパルスは“H”レベル)のときはオフとされ、容量C11に保持されている電荷の第2の信号保持手段MEM2への転送を遮断し、MEM2への書き込みは行わない。   The NMOS transistor and the PMOS transistor constituting the switch SW12 have their drains connected to the non-ground side terminal of the capacitor C11 and their sources connected to the input terminal of the second signal holding means MEM2. Therefore, the switch SW12 is turned on when the normal rotation trigger pulse supplied via the trigger line trig is at “H” level (in this case, the inverted trigger pulse supplied via the trigger line trigb is “L” level). The charge held in the capacitor C11 is read out and transferred to the second signal holding means MEM2. On the other hand, in the switch SW12, the normal rotation trigger pulse supplied via the normal rotation trigger line trig is “L” level (in this case, the reverse trigger pulse supplied via the reverse trigger line trigb is “H” level). Is turned off, the transfer of the charge held in the capacitor C11 to the second signal holding means MEM2 is interrupted, and writing to MEM2 is not performed.

スイッチSW12は、公知のトランスミッションゲートの構成とされているため、GNDからVDDまでの範囲の入力信号電圧をオン、オフすることができる。つまり、トランスミッションゲートを構成するNMOSトランジスタとPMOSトランジスタの各ドレインに印加される入力信号がGND側の電位(“L”レベル)のときは、PMOSトランジスタが導通することができない代わりに、NMOSトランジスタが低抵抗で導通することができる。一方、上記NMOSトランジスタとPMOSトランジスタの各ドレインに印加される入力信号がVDD側の電位(“H”レベル)のときは、NMOSトランジスタが導通することができない代わりに、PMOSトランジスタが低抵抗で導通することができる。従って、トリガ線trigを介して供給される正転トリガパルスと反転トリガ線trigbを介して供給される反転トリガパルスとにより、スイッチSW12を構成するトランスミッションゲートをオン、オフすることによって、GNDからVDDまでの電圧範囲を低抵抗、高抵抗でスイッチングすることができる。   Since the switch SW12 has a known transmission gate configuration, the input signal voltage in the range from GND to VDD can be turned on and off. In other words, when the input signal applied to the drains of the NMOS transistor and the PMOS transistor constituting the transmission gate is at the GND side potential ("L" level), the PMOS transistor cannot be turned on. It can conduct with low resistance. On the other hand, when the input signal applied to each drain of the NMOS transistor and the PMOS transistor is at the VDD side potential ("H" level), the NMOS transistor cannot be turned on, but the PMOS transistor is turned on with a low resistance. can do. Therefore, by turning on and off the transmission gate constituting the switch SW12 by the normal trigger pulse supplied via the trigger line trig and the reverse trigger pulse supplied via the reverse trigger line trigb, the GND to VDD The voltage range up to can be switched with low resistance and high resistance.

第2の信号保持手段MEM2は、一方の出力端子が他方の入力端子に接続された2つのインバータINV11及びINV12からなる自己保持メモリである。インバータINV11は、その入力端子がインバータINV12の出力端子とSW12を構成するNMOSトランジスタとPMOSトランジスタの各ソースとに接続されている。インバータINV12は、その入力端子が反射電極PE1とインバータINV11の出力端子とに接続されている。インバータINV11及びINV12は、いずれも図3に示すような、互いのゲート同士及びドレイン同士が接続された、PMOSトランジスタPTr及びNMOSトランジスタNTrとからなる公知のCMOSインバータの構成である。しかし、第2の信号保持手段MEM2を構成する2つのインバータINV11及びINV12は、それぞれの駆動力が異なる。   The second signal holding means MEM2 is a self-holding memory including two inverters INV11 and INV12 having one output terminal connected to the other input terminal. The input terminal of the inverter INV11 is connected to the output terminal of the inverter INV12 and the sources of the NMOS transistor and the PMOS transistor constituting the SW12. The input terminal of the inverter INV12 is connected to the reflective electrode PE1 and the output terminal of the inverter INV11. Each of the inverters INV11 and INV12 has a configuration of a known CMOS inverter including a PMOS transistor PTr and an NMOS transistor NTr in which gates and drains are connected to each other as shown in FIG. However, the two inverters INV11 and INV12 constituting the second signal holding means MEM2 have different driving forces.

すなわち、スイッチSW12から見てMEM2を構成している入力側のインバータINV11内のトランジスタは、スイッチSW12から見てMEM2を構成している出力側のインバータINV12内のトランジスタに比較して、駆動力の大きいトランジスタを用いている。これは、第2の信号保持手段MEM2が画素12において、スイッチSW12を介した容量C11からはデータ入力がされ易く、反射電極PE1を介した液晶LCMの容量からはデータ入力がされ難い、という特徴を持っていることを意味する。   That is, the transistor in the inverter INV11 on the input side that constitutes MEM2 as viewed from the switch SW12 has a driving force that is higher than the transistor in the inverter INV12 on the output side that constitutes MEM2 as viewed from the switch SW12. A large transistor is used. This is because, in the pixel 12, the second signal holding means MEM2 is easy to input data from the capacitor C11 via the switch SW12 and is difficult to input data from the capacitor of the liquid crystal LCM via the reflective electrode PE1. Means having.

スイッチSW12をオンにすると、容量C11に保持された電荷はインバータINV11の入力ゲートを駆動し、MEM2の保持データを書き換える。インバータINV12の出力は容量C11にも影響を与えるが、インバータINV12の入力はINV12を構成するゲート容量と液晶LCMの液晶容量しかなく、インバータINV11の入力を構成するゲート容量及び容量C11と比較して格段に容量値が少ないことと、インバータINV12に対してインバータINV11の駆動力を大きく設定していることにより、インバータINV12のデータ出力よりも容量C11によるインバータINV11の駆動が優先され、容量C11の保持データを書き換えてしまうことがないように設計されている。   When the switch SW12 is turned on, the charge held in the capacitor C11 drives the input gate of the inverter INV11 and rewrites the data held in the MEM2. Although the output of the inverter INV12 also affects the capacitor C11, the input of the inverter INV12 has only the gate capacitor constituting the INV12 and the liquid crystal capacitor of the liquid crystal LCM, compared with the gate capacitor and the capacitor C11 constituting the input of the inverter INV11. Since the capacity value is remarkably small and the driving force of the inverter INV11 is set larger than that of the inverter INV12, the driving of the inverter INV11 by the capacity C11 is prioritized over the data output of the inverter INV12, and the capacity C11 is retained. It is designed not to rewrite data.

また、容量C11に書き込まれたデータは列データ線dから充放電された電荷であることや、スイッチSW11を構成するNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタがオフになるタイミングで発生するゲートフィードスルーなどの影響が発生するため、容量C11の端子電圧は電位変動を伴って電位が確定し、NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの負側の電源電位GNDや正側の電源電位VDDとはダイナミックレンジが少なくなる方向にずれた電圧になる。しかし、反射電極PE1に最終的に印加される電圧は、第2の信号保持手段MEM2を構成するインバータINV11及びINV12を構成するトランジスタのオン、オフにより整形されて電位変動のない正確なGNDやVDDの電圧が印加されるようになるため、ダイナミックレンジを大きくとることができる。   In addition, the data written in the capacitor C11 is an electric charge charged / discharged from the column data line d, and there is an influence such as gate feedthrough generated at the timing when the NMOS transistor and the PMOS transistor constituting the switch SW11 are turned off. As a result, the potential of the terminal voltage of the capacitor C11 is determined with potential fluctuations, and deviates from the negative power supply potential GND and the positive power supply potential VDD of the NMOS transistor and the PMOS transistor in a direction of decreasing the dynamic range. Become a voltage. However, the voltage finally applied to the reflective electrode PE1 is shaped by turning on and off the transistors constituting the inverters INV11 and INV12 constituting the second signal holding means MEM2, and is accurate GND or VDD without potential fluctuation. Therefore, the dynamic range can be increased.

また、容量C11に接続されたスイッチSW11及びSW12を構成する各トランジスタの拡散電極部に光が当たると、リーク電流が発生して容量C11に保持された電荷が減少して容量C11の端子電圧の電位変動が発生する。しかし、容量C11に保持された電荷は第2の信号保持手段MEM2を駆動するためのものであり、容量C11の端子電圧の電位変動がMEM2に対して“L”レベルまたは“H”レベルとみなされる閾値を超えて変動しなければ、多少の電位変動分は反射電極PE1には影響しない。   In addition, when light hits the diffusion electrode portion of each transistor that constitutes the switches SW11 and SW12 connected to the capacitor C11, a leakage current is generated and the charge held in the capacitor C11 is reduced to reduce the terminal voltage of the capacitor C11. Potential fluctuation occurs. However, the charge held in the capacitor C11 is for driving the second signal holding means MEM2, and the potential fluctuation of the terminal voltage of the capacitor C11 is regarded as “L” level or “H” level with respect to MEM2. If there is no fluctuation exceeding the threshold value, some potential fluctuation does not affect the reflective electrode PE1.

このとき、液晶LCMにかかる反射電極PE1の電圧はMEM2から供給される。反射電極PE1の印加電圧が“H”レベルのときはMEM2を構成するインバータINV11のPMOSトランジスタ(図3のPtr)がオンしており電源電圧VDDが印加される。一方、反射電極PE1の印加電圧が“L”レベルのときはMEM2を構成するインバータINV11のNMOSトランジスタ(図3のNtr)がオンしており接地電圧GNDが印加される。このため、本実施形態の画素12によれば、光によるリーク電流の影響を受けず、安定した電圧を液晶LCMに印加することが可能である。   At this time, the voltage of the reflective electrode PE1 applied to the liquid crystal LCM is supplied from the MEM2. When the applied voltage of the reflective electrode PE1 is at “H” level, the PMOS transistor (Ptr in FIG. 3) of the inverter INV11 constituting the MEM2 is turned on and the power supply voltage VDD is applied. On the other hand, when the applied voltage of the reflective electrode PE1 is at the “L” level, the NMOS transistor (Ntr in FIG. 3) of the inverter INV11 constituting the MEM2 is turned on and the ground voltage GND is applied. For this reason, according to the pixel 12 of the present embodiment, it is possible to apply a stable voltage to the liquid crystal LCM without being affected by the leakage current due to light.

なお、上記に説明したように、電荷転送やゲートフィードスルー、光によるリーク電流などにより容量C11の端子電圧は、第2の信号保持手段MEM2の保持データを書き換えることができれば、多少変動しても差し支えない。つまり、本実施形態の液晶表示装置10によれば、画素12が列データ線dを介して印加されるサブフレームデータをDRAM121内の容量C11に書き込み、その後に容量C11に書き込んだサブフレームデータをSRAM122に書き込む構成であるため、SRAM122はトランジスタのオン、オフを実現できればよいので、容量C11の端子電圧が多少変動しても構わない。このため、スイッチSW11やSW12は図2に示したようなトランスミッションゲートでなくてもよい。   As described above, the terminal voltage of the capacitor C11 may be slightly changed if the data held in the second signal holding means MEM2 can be rewritten due to charge transfer, gate feedthrough, light leakage current, or the like. There is no problem. That is, according to the liquid crystal display device 10 of the present embodiment, the subframe data applied by the pixel 12 via the column data line d is written to the capacitor C11 in the DRAM 121, and then the subframe data written to the capacitor C11 is written. Since the SRAM 122 is configured to write data, the SRAM 122 only needs to be able to turn on and off the transistor, and thus the terminal voltage of the capacitor C11 may slightly vary. Therefore, the switches SW11 and SW12 do not have to be transmission gates as shown in FIG.

例えば、スイッチSW11及びSW12がそれぞれNMOSトランジスタのみである場合を考えると、入力信号の“H”電圧は、基板効果を含めた「VDD−Vth」までしか通すことができない(ただし、Vthはトランジスタの閾値電圧)。つまり、列データ線dにVDDと同じ3.3Vの電圧を書き込もうとしても、スイッチSW11がNMOSトランジスタのみのスイッチであった場合、スイッチSW11と容量C11との接続点であるa点は「VDD−Vth」以下の2.5Vとなり、容量C11には2.5Vの電圧が蓄積される。次に、スイッチSW12をオンしてMEM2の保持データを容量C11の保持データに書き換えるが、SW12もNMOSトランジスタのみであった場合、SW12とMEM2との接続点であるb点にはa点と同様に2.5Vしか印加されない。   For example, considering the case where each of the switches SW11 and SW12 is only an NMOS transistor, the “H” voltage of the input signal can only pass up to “VDD−Vth” including the substrate effect (however, Vth is the transistor voltage). Threshold voltage). That is, even if an attempt is made to write the same 3.3 V voltage as VDD to the column data line d, if the switch SW11 is a switch having only an NMOS transistor, the point a which is a connection point between the switch SW11 and the capacitor C11 is “VDD”. −Vth ”or less is 2.5V, and a voltage of 2.5V is accumulated in the capacitor C11. Next, the switch SW12 is turned on to rewrite the data held in the MEM2 to the data held in the capacitor C11. When the SW12 is also only an NMOS transistor, the point b that is a connection point between the SW12 and the MEM2 is the same as the point a. Only 2.5V is applied.

しかしながら、MEM2の入力点でもあるb点の電圧は「VDD/2」である1.65V以上あれば、MEM2を構成するインバータINV11及びINV12には“H”データとして書き込むこと(出力の反射電極PE1には“L”データを書き込むこと)ができ、“H”データ及び“L”データの両方を書き込むことができる。スイッチSW11及びSW12がそれぞれPMOSトランジスタの場合は、入力されない電圧範囲が上記の逆になるだけで、MEM2には、“H”データ及び“L”データの両方を書き込むことができる。   However, if the voltage at the point b which is also the input point of the MEM2 is 1.VDD which is “VDD / 2” or more, it is written as “H” data in the inverters INV11 and INV12 constituting the MEM2 (the output reflection electrode PE1) "L" data can be written to the memory, and both "H" data and "L" data can be written. When the switches SW11 and SW12 are PMOS transistors, both “H” data and “L” data can be written in the MEM2 only by reversing the voltage range that is not input.

このように、スイッチSW11及びSW12は、図2に示したトランスミッションゲートではなく、1つのMOSトランジスタを使用したスイッチでもよい。この場合は、1画素を構成するトランジスタ数が図2の画素構成よりも少なくなるため、更なる画素小型化が行えるというメリットを有する。   Thus, the switches SW11 and SW12 may be switches using one MOS transistor instead of the transmission gate shown in FIG. In this case, since the number of transistors constituting one pixel is smaller than that of the pixel configuration of FIG. 2, there is an advantage that further pixel size reduction can be achieved.

なお、SRAM122は容量C11から入力されるサブフレームデータを極性反転したサブフレームデータを出力して反射電極PE1に印加する。しかし、前述したように、データラッチ回路15、水平シフトレジスタ161及びラッチ回路162を経由してレベルシフタ/画素ドライバ163に供給される入力サブフレームデータは、画素ドライバにより極性反転されて出力されるため、容量C11からSRAM122を通して反射電極PE1に印加されるサブフレームデータは入力サブフレームデータと同一極性(同一論理値)のサブフレームデータである。   Note that the SRAM 122 outputs subframe data obtained by inverting the polarity of the subframe data input from the capacitor C11 and applies the subframe data to the reflective electrode PE1. However, as described above, the input subframe data supplied to the level shifter / pixel driver 163 via the data latch circuit 15, the horizontal shift register 161, and the latch circuit 162 is output with the polarity inverted by the pixel driver. The subframe data applied from the capacitor C11 to the reflective electrode PE1 through the SRAM 122 is subframe data having the same polarity (same logical value) as the input subframe data.

このように、図2に示した本実施形態の画素12によれば、液晶表示素子LCの印加電圧を高く設定することができ、ダイナミックレンジを大きくとることが可能になるという効果だけではなく、画素の小型化が可能であるという大なる効果が得られる。この画素12の小型化は、図2に示したように計8個のトランジスタと1つの容量C11とから構成され、従来の画素内に2つのSRAMを用いた画素に比べて少ない構成素子により画素を構成できるからという理由に加えて、以下に説明するように、DRAM121、SRAM122、反射電極PE1を、素子の高さ方向に有効に配置することができるという理由による。   As described above, according to the pixel 12 of the present embodiment shown in FIG. 2, not only the effect that the applied voltage of the liquid crystal display element LC can be set high and the dynamic range can be increased, The great effect that the pixel can be miniaturized is obtained. The downsizing of the pixel 12 is made up of a total of eight transistors and one capacitor C11 as shown in FIG. 2, and the number of constituent elements is smaller than that of a pixel using two SRAMs in a conventional pixel. This is because the DRAM 121, the SRAM 122, and the reflective electrode PE1 can be effectively arranged in the height direction of the element as described below.

図4は、本発明になる液晶表示装置の要部の画素の一実施の形態の断面構成図を示す。図2に示した容量C11には、配線間で容量を形成するMIM(Metal−Insulator−Metal)容量や、基板-ポリシリコン間で容量を形成するDiffusion容量、2層ポリシリコン間で容量を形成するPIP(Poly−Insulator−Poly)容量などを用いることができる。図4は、このうちMIMにより容量C11を構成した場合の液晶表示装置の断面構成図を示す。なお、図4は、画素12の一部の構成断面図を示している。   FIG. 4 shows a cross-sectional configuration diagram of an embodiment of a pixel of a main part of a liquid crystal display device according to the present invention. In the capacitor C11 shown in FIG. 2, a MIM (Metal-Insulator-Metal) capacitor that forms a capacitor between wirings, a diffusion capacitor that forms a capacitor between a substrate and polysilicon, and a capacitor between two layers of polysilicon are formed. PIP (Poly-Insulator-Poly) capacity can be used. FIG. 4 shows a cross-sectional configuration diagram of the liquid crystal display device when the capacitor C11 is configured by the MIM. FIG. 4 is a partial cross-sectional view of the pixel 12.

図4において、シリコン基板100に形成されたNウェル101上に、ドレインとなる拡散層を共通化することでドレイン同士が接続されたインバータINV12のPMOSトランジスタPTr11とスイッチSW12のPMOSトランジスタTr2とが形成されている。また、シリコン基板100に形成されたPウェル102上に、ドレインとなる拡散層を共通化することでドレイン同士が接続されたインバータINV12のNMOSトランジスタNTr12とスイッチSW12のNMOSトランジスタTr1とが形成されている。なお、図4にはインバータINV11を構成するNMOSトランジスタとPMOSトランジスタ、及びスイッチSW11は図示されていない。   In FIG. 4, the PMOS transistor PTr11 of the inverter INV12 and the PMOS transistor Tr2 of the switch SW12, in which the drains are connected, are formed on the N well 101 formed in the silicon substrate 100 by sharing the diffusion layer as the drain. Has been. Further, on the P-well 102 formed on the silicon substrate 100, an NMOS transistor NTr12 of the inverter INV12 and an NMOS transistor Tr1 of the switch SW12, in which the drains are connected by sharing a diffusion layer serving as a drain, are formed. Yes. Note that FIG. 4 does not show the NMOS transistor, the PMOS transistor, and the switch SW11 that constitute the inverter INV11.

また、上記の各トランジスタPTr11、Tr2、Tr1、NTr12の上方には、層間絶縁膜105をメタル間に介在させて第1メタル106、第2メタル108、第3メタル110、電極112、第4メタル114、第5メタル116が積層されている。第5メタル116は画素毎に形成される反射電極PE1を構成している。スイッチSW12のNMOSトランジスタTr1のソースはコンタクト118aを介して第1メタル106に電気的に接続され、スイッチSW12のPMOSトランジスタTr2のソースはコンタクト118bを介して第1メタル106に電気的に接続されている。更に、第1メタル106はスルーホール119a及び119bを介して第3メタル110に電気的に接続されると共に、スルーホール119a及び119cを介して第3メタル110に電気的に接続されている。第3メタル110は後述するように容量C11の一方の電極を形成している。   Further, above each of the transistors PTr11, Tr2, Tr1, and NTr12, an interlayer insulating film 105 is interposed between the metals, and the first metal 106, the second metal 108, the third metal 110, the electrode 112, and the fourth metal. 114 and the fifth metal 116 are laminated. The fifth metal 116 constitutes a reflective electrode PE1 formed for each pixel. The source of the NMOS transistor Tr1 of the switch SW12 is electrically connected to the first metal 106 via the contact 118a, and the source of the PMOS transistor Tr2 of the switch SW12 is electrically connected to the first metal 106 via the contact 118b. Yes. Further, the first metal 106 is electrically connected to the third metal 110 via the through holes 119a and 119b, and is also electrically connected to the third metal 110 via the through holes 119a and 119c. The third metal 110 forms one electrode of the capacitor C11 as will be described later.

図示しないインバータINV11を構成するNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの各ドレインを構成する各拡散層と、インバータINV12を構成するNMOSトランジスタNTr12及びPMOSトランジスタPTr11の各ゲート電極とは、図示しないコンタクトにより第1メタル106に電気的に接続され、更に、スルーホール119a、119c、119e、119hをそれぞれ通して第2メタル108、第3メタル110、第4メタル114、第5メタル116に電気的に接続されている。すなわち、図示しないインバータINV11を構成するNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタの各ドレインと、インバータINV12を構成するNMOSトランジスタNTr12及びPMOSトランジスタPTr11の各ゲート電極とは、第5メタル116による反射電極PE1に電気的に接続されている。   The diffusion layers constituting the drains of the NMOS transistor and PMOS transistor constituting the inverter INV11 (not shown) and the gate electrodes of the NMOS transistor NTr12 and PMOS transistor PTr11 constituting the inverter INV12 are connected to the first metal 106 by a contact (not shown). Are further electrically connected to the second metal 108, the third metal 110, the fourth metal 114, and the fifth metal 116 through the through holes 119a, 119c, 119e, and 119h, respectively. That is, the drains of the NMOS transistor and the PMOS transistor constituting the inverter INV11 (not shown) and the gate electrodes of the NMOS transistor NTr12 and the PMOS transistor PTr11 constituting the inverter INV12 are electrically connected to the reflective electrode PE1 made of the fifth metal 116. It is connected.

更に、反射電極PE1(第5メタル116)上には保護膜としてパッシベーション膜(PSV)117が形成され、ガラス上に透明電極(ITO膜)が形成された構造の共通電極CEに離間対向配置されている。それら反射電極PE1と共通電極CEとの間に液晶LCMが充填封止されて、液晶表示素子LCを構成している。共通電極CEは、液晶LCM側に透明電極が形成されている。   Further, a passivation film (PSV) 117 is formed as a protective film on the reflective electrode PE1 (fifth metal 116), and is disposed so as to face the common electrode CE having a structure in which a transparent electrode (ITO film) is formed on glass. ing. A liquid crystal LCM is filled and sealed between the reflective electrode PE1 and the common electrode CE to form a liquid crystal display element LC. The common electrode CE has a transparent electrode formed on the liquid crystal LCM side.

ここで、第3メタル110上には層間絶縁膜105を介してMIM電極112が形成されている。このMIM電極112は、第3メタル110及び第3メタル110との間の層間絶縁膜105と共に容量C11を構成している。スイッチSW11とMEM2、スイッチSW12はトランジスタと第1メタル106及び第2メタル108の1,2層配線にて形成することが可能になる。MIM電極112は、スルーホール119f、119gを介して第4メタル114に電気的に接続され、図示しない場所でスイッチSW11とSW12に電気的に接続されている。   Here, the MIM electrode 112 is formed on the third metal 110 via the interlayer insulating film 105. The MIM electrode 112 constitutes a capacitor C 11 together with the third metal 110 and the interlayer insulating film 105 between the third metal 110. The switches SW11 and MEM2 and the switch SW12 can be formed of a transistor and a first and second layer wiring of the first metal 106 and the second metal 108. The MIM electrode 112 is electrically connected to the fourth metal 114 through the through holes 119f and 119g, and is electrically connected to the switches SW11 and SW12 at a place not shown.

図示しない光源からの光は、共通電極CE及び液晶LCMを透過して反射電極PE1(第5メタル116)に入射して反射され、元の入射経路を逆進して共通電極CEを通して出射される。このとき、入射光は液晶LCMの印加電圧の絶対値に応じた反射率で反射されて出射される。   Light from a light source (not shown) passes through the common electrode CE and the liquid crystal LCM, is incident on the reflective electrode PE1 (fifth metal 116), is reflected, and travels backward through the original incident path and is emitted through the common electrode CE. . At this time, the incident light is reflected and emitted with a reflectance corresponding to the absolute value of the voltage applied to the liquid crystal LCM.

本実施の形態によれば、図4に示すように、5層配線である第5メタル116を反射電極PE1に割り当てることにより、容量C11であるMEM1と、MEM2と、反射電極PE1とを高さ方向に有効に配置することが可能になり、画素小型化が実現できる。これにより、例えば3μm以下のピッチの画素を電源電圧3.3Vのトランジスタで構成できる。この3μmピッチの画素では対角の長さ0.55インチの横方向4000画素、縦方向2000画素の液晶表示パネルを実現できる。   According to the present embodiment, as shown in FIG. 4, by assigning the fifth metal 116, which is a five-layer wiring, to the reflective electrode PE1, the MEM1, the MEM2, and the reflective electrode PE1 that are the capacitors C11 are raised. It becomes possible to arrange them effectively in the direction, and pixel miniaturization can be realized. Thus, for example, pixels with a pitch of 3 μm or less can be configured with transistors having a power supply voltage of 3.3V. With this pixel of 3 μm pitch, a liquid crystal display panel having a diagonal length of 0.55 inches and a horizontal direction of 4000 pixels and a vertical direction of 2000 pixels can be realized.

次に、本実施の形態の画素12を用いた図1の液晶表示装置10の動作について、図5のタイミングチャートを併せ参照して説明する。   Next, the operation of the liquid crystal display device 10 of FIG. 1 using the pixel 12 of the present embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG.

前述したように、図1の液晶表示装置10において、垂直シフトレジスタ14からの正転行走査パルス及び反転行走査パルスが、画像表示部11おいて最も上にある一組目の行走査線g1及びgb1から最も下にあるm組目の行走査線gm及びgbmに向って、それぞれ一組ずつ順次1H単位で排他的に供給されていくため、画像表示部11を構成するm行n列の画素12は、一組の行走査線に共通に接続された1行のn個の画素の単位で選択されて1行目からm行目までの各画素12にデータの書き込みが行われる。そして、画像表示部11を構成する複数の画素12の全てに書き込みが終わった後、正転用トリガパルス及び反転用トリガパルスに基づいて全画素一斉に読み出しが行われる。   As described above, in the liquid crystal display device 10 of FIG. 1, the first row scanning line g <b> 1 in which the normal row scanning pulse and the reverse row scanning pulse from the vertical shift register 14 are the uppermost in the image display unit 11. And gb1 toward the m-th row scanning lines gm and gbm at the bottom, one set is sequentially supplied in units of 1H, so that m rows and n columns constituting the image display unit 11 are provided. The pixels 12 are selected in units of n pixels in one row commonly connected to a set of row scanning lines, and data is written to each pixel 12 from the first row to the m-th row. Then, after all of the plurality of pixels 12 constituting the image display unit 11 have been written, all the pixels are simultaneously read based on the forward trigger pulse and the reverse trigger pulse.

図5(A)は、水平ドライバ16から列データ線d(d1〜dn)に出力される1ビットのサブフレームデータの一画素の書き込み期間及び読み出し期間を模式的に示す。右下がりの斜線の水平投影図示期間が書き込み期間を示す。なお、図5(A)中、B0a、B1a、B2aはビットB0、B1、B2の正転サブフレームデータを示し、B0b、B1b、B2bはビットBO、B1、B2の反転サブフレームデータであることを示す。また、図5(B)は、タイミングジェネレータ13から正転トリガパルス用トリガ線trigに出力される正転トリガパルスを示す。この正転トリガパルスは1サブフレーム毎に出力される。なお、反転トリガパルス用トリガ線trigbに出力される反転トリガパルスは正転トリガパルスと常に逆論理値であるのでその図示は省略してある。   FIG. 5A schematically shows a writing period and a reading period of one pixel of 1-bit subframe data output from the horizontal driver 16 to the column data lines d (d1 to dn). A horizontal projection illustrated period with a slanting line to the right indicates a writing period. In FIG. 5A, B0a, B1a, and B2a indicate normal subframe data of bits B0, B1, and B2, and B0b, B1b, and B2b are inverted subframe data of bits BO, B1, and B2. Indicates. FIG. 5B shows a normal trigger pulse output from the timing generator 13 to the normal trigger pulse trigger line trig. This normal rotation trigger pulse is output every subframe. The inversion trigger pulse output to the inversion trigger pulse trigger line trigb is always an inverse logical value with respect to the normal rotation trigger pulse and is not shown.

まず、タイミングジェネレータ13から1行目の正転行走査線g1及び反転行走査線gb1に出力される正転行走査パルス及び反転行走査パルスにより1行目の画素12が選択されると、その1行目のn個の画素12内のスイッチSW11がそれぞれオンとされ、その時列データ線d1〜dnに出力される図5(A)のビットB0の正転サブフレームデータB0aがレベルシフタ/画素ドライバ163の画素ドライバにより極性反転された後スイッチSW11によりサンプリングされて1行目のn個の画素12内の各容量C11に書き込まれる。以下、同様にして、画像表示部11を構成する2行目からm行目までの各画素12の容量C11にもビットB0の正転サブフレームデータB0aを極性反転した反転サブフレームデータB0bの書き込みが行われる。   First, when the pixel 12 in the first row is selected by the normal row scanning pulse and the reverse row scanning pulse output from the timing generator 13 to the first row normal row scanning line g1 and the reverse row scanning line gb1, The switches SW11 in the n pixels 12 in the first row are respectively turned on, and the normal subframe data B0a of the bit B0 in FIG. 5A output to the column data lines d1 to dn at that time is the level shifter / pixel driver. After the polarity is inverted by the pixel driver 163, the signal is sampled by the switch SW11 and written to each capacitor C11 in the n pixels 12 in the first row. Hereinafter, similarly, the inverted subframe data B0b obtained by reversing the polarity of the normal subframe data B0a of the bit B0 is also written to the capacitor C11 of each pixel 12 from the second row to the mth row constituting the image display unit 11. Is done.

このようにして画素表示部11を構成する全ての画素12にビットB0の正転サブフレームデータB0aを極性反転したサブフレームデータB0bが書き込まれると、その書き込み動作が終了した直後の図5に示す時刻T1で、図5(B)に示すように“H”レベルの正転トリガパルスが正転トリガパルス用トリガ線trigを介して画像表示部11を構成する全ての画素12に同時に供給される。これにより、画素表示部11を構成する全ての画素12のスイッチSW12がオンとされるため、全ての画素12の容量C11に保持されているビットB0の反転サブフレームデータB0bがスイッチSW12を通してMEM2に一斉に転送されて保持された後、再び極性反転されて元の極性の正転サブフレームデータB0aに戻されて反射電極PE1に印加される。この容量C11によるビットB0のサブフレームデータの保持期間は、時刻T1から図5(B)に示すように次の“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時刻T2までの1サブフレーム期間である。図5(C)は、反射電極PE1に印加されるサブフレームデータを模式的に示す。   When the subframe data B0b obtained by reversing the polarity of the normal subframe data B0a of the bit B0 is written in all the pixels 12 constituting the pixel display unit 11 in this way, it is shown in FIG. 5 immediately after the writing operation is completed. At time T1, as shown in FIG. 5B, the “H” level normal trigger pulse is simultaneously supplied to all the pixels 12 constituting the image display unit 11 via the normal trigger pulse trigger line trig. . As a result, the switches SW12 of all the pixels 12 constituting the pixel display unit 11 are turned on, so that the inverted subframe data B0b of the bit B0 held in the capacitors C11 of all the pixels 12 is transferred to the MEM2 through the switch SW12. After being transferred and held all at once, the polarity is inverted again to return to the normal rotation normal subframe data B0a and applied to the reflective electrode PE1. The subframe data holding period of bit B0 by the capacitor C11 is one subframe period from time T1 to time T2 when the next “H” normal rotation trigger pulse is input as shown in FIG. 5B. It is. FIG. 5C schematically shows subframe data applied to the reflective electrode PE1.

ここで、サブフレームデータのビット値が「1」、すなわち“H”レベルのときには反射電極PE1には電源電圧VDD(ここでは3.3V)が印加され、ビット値が「0」、すなわち“L”レベルのときには反射電極PE1には0Vが印加される。一方、液晶表示素子LCの共通電極CEには、GND、VDDに制限されることなく、自由な電圧が共通電極電圧Vcomとして印加できるようになっており、“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時と同時タイミングで規定の電圧に切り替わるようにされている。ここでは、共通電極電圧Vcomは、正転サブフレームデータが反射電極PE1に印加されるサブフレーム期間は、図5(D)に示すように0Vよりも液晶の閾値電圧Vttだけ低い電圧に設定される。   Here, when the bit value of the subframe data is “1”, that is, “H” level, the power supply voltage VDD (3.3 V here) is applied to the reflective electrode PE1, and the bit value is “0”, that is, “L”. At the “level”, 0 V is applied to the reflective electrode PE1. On the other hand, a free voltage can be applied to the common electrode CE of the liquid crystal display element LC as the common electrode voltage Vcom without being limited to GND or VDD. The voltage is switched to the specified voltage at the same time as the input. Here, the common electrode voltage Vcom is set to a voltage lower than 0V by the threshold voltage Vtt of the liquid crystal during the subframe period in which the normal rotation subframe data is applied to the reflective electrode PE1, as shown in FIG. The

液晶表示素子LCは、反射電極PE1の印加電圧と共通電極電圧Vcomとの差電圧の絶対値である液晶LCMの印加電圧に応じた階調表示を行う。従って、ビットB0の正転サブフレームデータB0aが反射電極PE1に印加される時刻T1〜T2の1サブフレーム期間では、液晶LCMの印加電圧は、サブフレームデータのビット値が「1」のときは3.3V+Vtt(=3.3V−(−Vtt))となり、サブフレームデータのビット値が「0」のときは+Vtt(=0V−(−Vtt))となる。   The liquid crystal display element LC performs gradation display according to the applied voltage of the liquid crystal LCM, which is the absolute value of the difference voltage between the applied voltage of the reflective electrode PE1 and the common electrode voltage Vcom. Therefore, during one subframe period from time T1 to time T2 when the normal rotation subframe data B0a of the bit B0 is applied to the reflective electrode PE1, the voltage applied to the liquid crystal LCM is when the bit value of the subframe data is “1”. 3.3V + Vtt (= 3.3V − (− Vtt)). When the bit value of the subframe data is “0”, + Vtt (= 0V − (− Vtt)).

図6は、液晶の印加電圧(RMS電圧)と液晶のグレースケール値との関係を示す。図6に示すように、グレースケール値曲線は黒のグレースケール値が液晶の閾値電圧VttのRMS電圧に対応し、白のグレースケール値が液晶の飽和電圧Vsat(=3.3V+Vtt)のRMS電圧に対応するようにシフトされる。グレースケール値を液晶応答曲線の有効部分に一致させることが可能である。従って、液晶表示素子LCは上記のように液晶LCMの印加電圧が(3.3V+Vtt)のときは白を表示し、+Vttのときは黒を表示する。   FIG. 6 shows the relationship between the applied voltage (RMS voltage) of the liquid crystal and the gray scale value of the liquid crystal. As shown in FIG. 6, in the gray scale value curve, the black gray scale value corresponds to the RMS voltage of the liquid crystal threshold voltage Vtt, and the white gray scale value represents the RMS voltage of the liquid crystal saturation voltage Vsat (= 3.3 V + Vtt). Shifted to correspond to. It is possible to match the gray scale value to the effective part of the liquid crystal response curve. Therefore, the liquid crystal display element LC displays white when the applied voltage of the liquid crystal LCM is (3.3 V + Vtt) as described above, and displays black when it is + Vtt.

続いて、上記のビットB0の正転サブフレームデータを表示している時刻T1〜時刻T2のサブフレーム期間内において、図5(A)に右下がりの斜線で模式的に示すようにビットB0の反転サブフレームデータB0bが入力されて画素12への書き込みが順番に開始される。このときは、画素表示部11を構成する全ての画素12にビットB0の反転サブフレームデータB0bを極性反転したサブフレームデータB0aが書き込まれる。   Subsequently, within the subframe period from time T1 to time T2 when the normal subframe data of the bit B0 is displayed, the bit B0 of FIG. The inverted subframe data B0b is input and writing to the pixels 12 is started in order. At this time, the subframe data B0a obtained by reversing the polarity of the inverted subframe data B0b of the bit B0 is written in all the pixels 12 constituting the pixel display unit 11.

その書き込み動作が終了した直後の図5に示す時刻T2で、図5(B)に示すように“H”レベルの正転トリガパルスが正転トリガパルス用トリガ線trigを介して画像表示部11を構成する全ての画素12に同時に供給される。これにより、画素表示部11を構成する全ての画素12のスイッチSW12がオンとされるため、全ての画素12の容量C11に保持されているビットB0の正転サブフレームデータB0aがスイッチSW12を通してMEM2に一斉に転送されて保持された後、再び極性反転されて図5(C)に示すように元の極性の反転サブフレームデータB0bに戻されて反射電極PE1に印加される。この容量C11によるビットB0のサブフレームデータの保持期間は、時刻T2から図5(B)に示すように次の“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時刻T3までの1サブフレーム期間である。   At time T2 shown in FIG. 5 immediately after the end of the writing operation, as shown in FIG. 5B, the normal rotation trigger pulse of “H” level is transmitted through the normal trigger pulse trigger line trig. Are simultaneously supplied to all the pixels 12 constituting the. As a result, the switches SW12 of all the pixels 12 constituting the pixel display unit 11 are turned on, so that the normal subframe data B0a of the bit B0 held in the capacitors C11 of all the pixels 12 is transmitted to the MEM2 through the switch SW12. Then, the polarity is inverted again and returned to the inverted polarity subframe data B0b of the original polarity as shown in FIG. 5C and applied to the reflective electrode PE1. The subframe data holding period of bit B0 by the capacitor C11 is one subframe period from time T2 to time T3 when the next “H” normal rotation trigger pulse is input as shown in FIG. 5B. It is.

前述したようにサブフレームデータのビット値が「1」、すなわち“H”レベルのときには反射電極PE1には電源電圧VDD(ここでは3.3V)が印加され、ビット値が「0」、すなわち“L”レベルのときには反射電極PE1には0Vが印加される。一方、共通電極電圧Vcomは、反転サブフレームデータが反射電極PE1に印加されるサブフレーム期間は、図5(D)に示すように3.3Vよりも液晶の閾値電圧Vttだけ高い電圧に設定される。従って、ビットB0の反転サブフレームデータB0bが反射電極PE1に印加される時刻T2〜T3の1サブフレーム期間では、液晶LCMの印加電圧は、サブフレームデータB0bのビット値が「1」のときは−Vtt(=3.3V−(3.3V+Vtt))となり、サブフレームデータB0bのビット値が「0」のときは−3.3V−Vtt(=0V−(3.3V+Vtt))となる。   As described above, when the bit value of the subframe data is “1”, that is, “H” level, the power supply voltage VDD (3.3 V in this case) is applied to the reflective electrode PE1, and the bit value is “0”, that is, “ At the L ″ level, 0 V is applied to the reflective electrode PE1. On the other hand, the common electrode voltage Vcom is set to a voltage higher than the 3.3V threshold voltage Vtt during the subframe period in which the inverted subframe data is applied to the reflective electrode PE1, as shown in FIG. The Therefore, during one subframe period from time T2 to time T3 when the inverted subframe data B0b of the bit B0 is applied to the reflective electrode PE1, the applied voltage of the liquid crystal LCM is as follows when the bit value of the subframe data B0b is “1”. −Vtt (= 3.3 V− (3.3 V + Vtt)), and −3.3 V−Vtt (= 0 V− (3.3 V + Vtt)) when the bit value of the subframe data B0b is “0”.

ここで、ビットB0の反転サブフレームデータB0bは1サブフレーム前に入力されたビットB0の正転サブフレームデータB0aと常に逆論理値の関係にあるため、1サブフレーム前に入力されたビットB0の正転サブフレームデータB0aが「1」のときは「0」、ビットB0の正転サブフレームデータが「0」のときは「1」である。従って、ビットB0の正転サブフレームデータB0aのビット値が「1」であった時は1サブフレーム期間後に続いて入力されるビットB0の反転サブフレームデータB0bのビット値が「0」であるため、液晶LCMの印加電圧は、−(3.3V+Vtt)となる。   Here, since the inverted subframe data B0b of bit B0 is always in the relationship of the inverse logical value with the normal subframe data B0a of bit B0 inputted one subframe before, the bit B0 inputted one subframe before is used. When the normal rotation subframe data B0a is “1”, it is “0”, and when the normal rotation subframe data B0a is “0”, it is “1”. Therefore, when the bit value of the normal subframe data B0a of the bit B0 is “1”, the bit value of the inverted subframe data B0b of the bit B0 input subsequently after one subframe period is “0”. Therefore, the applied voltage of the liquid crystal LCM is − (3.3 V + Vtt).

すなわち、液晶LCMの印加電圧はビットB0の正転サブフレームデータB0aのビット値が「1」であった時は(3.3V+Vtt)であったのに対し、続いて入力されるビット値「0」のビットB0の反転サブフレームデータB0b印加時は−(3.3V+Vtt)となり、液晶LCMの印加電圧の電位の方向はビットB0の正転サブフレームデータB0aの時とは逆となるが絶対値が同じである。このため、画素12はビットB0の正転サブフレームデータB0a表示時と同じ白を表示する。   That is, the applied voltage of the liquid crystal LCM is (3.3V + Vtt) when the bit value of the normal subframe data B0a of the bit B0 is “1”, whereas the bit value “0” input subsequently is “0”. "-(3.3V + Vtt)" when the inverted subframe data B0b of the bit B0 is applied, and the direction of the potential of the voltage applied to the liquid crystal LCM is opposite to that of the normal subframe data B0a of the bit B0, but the absolute value. Are the same. For this reason, the pixel 12 displays the same white color as that when the normal rotation subframe data B0a of the bit B0 is displayed.

同様に、ビットB0の正転サブフレームデータB0aのビット値が「0」であった時は液晶LCMの印加電圧は+Vttであり、1サブフレーム期間後に続いて入力されるビットB0の反転サブフレームデータB0bのビット値が「1」であるため、液晶LCMの印加電圧は−Vttとなる。従って、この場合も液晶LCMの印加電圧の電位の方向は、正転サブフレームデータB0a印加時と反転サブフレームデータB0b印加時とは互いに逆となるが、絶対値が同じ|Vtt|であるため、画素12は黒を表示する。   Similarly, when the bit value of the normal subframe data B0a of the bit B0 is “0”, the applied voltage of the liquid crystal LCM is + Vtt, and the inverted subframe of the bit B0 input subsequently after one subframe period. Since the bit value of the data B0b is “1”, the applied voltage of the liquid crystal LCM is −Vtt. Therefore, in this case as well, the direction of the potential of the voltage applied to the liquid crystal LCM is opposite between when the forward subframe data B0a is applied and when the reverse subframe data B0b is applied, but the absolute value is the same | Vtt |. The pixel 12 displays black.

従って、画素12は図5(E)にB0で示すように、時刻T1〜時刻T3までの2サブフレーム期間は、ビットB0の正転サブフレームデータB0aと反転サブフレームデータB0bとでビットB0の同じ階調を表示すると共に、液晶LCMの印加電圧の電位方向がサブフレーム毎に反転する交流駆動が行われるため、液晶LCMの焼き付きを防止することができる。   Accordingly, as indicated by B0 in FIG. 5E, the pixel 12 has the bit B0 of the normal subframe data B0a and the inverted subframe data B0b of the bit B0 during the two subframe periods from the time T1 to the time T3. Since the same gradation is displayed and AC driving is performed in which the potential direction of the applied voltage of the liquid crystal LCM is reversed for each subframe, the burn-in of the liquid crystal LCM can be prevented.

続いて、上記のビットB0の反転サブフレームデータB0bを表示している時刻T2〜時刻T3の1サブフレーム期間内において、図5(A)に右下がりの斜線で模式的に示すようにビットB1の正転サブフレームデータB1aが入力されて画素12への書き込みが順番に開始される。このときは、画素表示部11を構成する全ての画素12にビットB1の正転サブフレームデータB1aを極性反転したサブフレームデータB1bが書き込まれる。   Subsequently, within one subframe period from time T2 to time T3 during which the inverted subframe data B0b of the bit B0 is displayed, the bit B1 as schematically shown by the diagonally downward slanting line in FIG. The normal rotation subframe data B1a is input, and writing to the pixels 12 is started in order. At this time, the subframe data B1b obtained by reversing the polarity of the normal subframe data B1a of the bit B1 is written to all the pixels 12 constituting the pixel display unit 11.

その書き込み動作が終了した直後の図5に示す時刻T3で、図5(B)に示すように“H”レベルの正転トリガパルスが正転トリガパルス用トリガ線trigを介して画像表示部11を構成する全ての画素12に同時に供給される。これにより、画素表示部11を構成する全ての画素12のスイッチSW12がオンとされるため、全ての画素12の容量C11に保持されているビットB1の反転サブフレームデータB1bがスイッチSW12を通してMEM2に一斉に転送されて保持された後、再び極性反転されて図5(C)に示すように元の極性の正転サブフレームデータB1aに戻されて反射電極PE1に印加される。この容量C11によるビットB1のサブフレームデータの保持期間は、時刻T3から図5(B)に示すように次の“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時刻T4までの1サブフレーム期間である。   At time T3 shown in FIG. 5 immediately after the end of the writing operation, as shown in FIG. 5B, the normal rotation trigger pulse of “H” level is transferred to the image display section 11 via the normal trigger pulse trigger line trig. Are simultaneously supplied to all the pixels 12 constituting the. As a result, the switches SW12 of all the pixels 12 constituting the pixel display unit 11 are turned on, so that the inverted subframe data B1b of the bit B1 held in the capacitors C11 of all the pixels 12 is transferred to the MEM2 through the switch SW12. After being transferred and held all at once, the polarity is inverted again and returned to normal rotation subframe data B1a of the original polarity as shown in FIG. 5C and applied to the reflective electrode PE1. The subframe data holding period of bit B1 by the capacitor C11 is one subframe period from time T3 to time T4 when the next "H" level normal rotation trigger pulse is input as shown in FIG. 5B. It is.

前述したようにサブフレームデータのビット値が「1」、すなわち“H”レベルのときには反射電極PE1には電源電圧VDD(ここでは3.3V)が印加され、ビット値が「0」、すなわち“L”レベルのときには反射電極PE1には0Vが印加される。一方、共通電極電圧Vcomは、正転サブフレームデータが反射電極PE1に印加されるサブフレーム期間は、図5(D)に示すように0Vよりも液晶の閾値電圧Vttだけ低い電圧に設定される。   As described above, when the bit value of the subframe data is “1”, that is, “H” level, the power supply voltage VDD (3.3 V in this case) is applied to the reflective electrode PE1, and the bit value is “0”, that is, “ At the L ″ level, 0 V is applied to the reflective electrode PE1. On the other hand, the common electrode voltage Vcom is set to a voltage lower than 0V by the threshold voltage Vtt of the liquid crystal as shown in FIG. 5D during the subframe period in which the normal rotation subframe data is applied to the reflective electrode PE1. .

従って、ビットB1の正転サブフレームデータB1aが反射電極PE1に印加される時刻T3〜T4の1サブフレーム期間では、液晶LCMの印加電圧は、サブフレームデータB1aのビット値が「1」のときは液晶LCMの印加電圧は、サブフレームデータのビット値が「1」のときは3.3V+Vtt(=3.3V−(−Vtt))となり、サブフレームデータのビット値が「0」のときは+Vtt(=0V−(−Vtt))となる。   Therefore, during one subframe period from time T3 to time T4 when the normal rotation subframe data B1a of the bit B1 is applied to the reflective electrode PE1, the voltage applied to the liquid crystal LCM is when the bit value of the subframe data B1a is “1”. The voltage applied to the liquid crystal LCM is 3.3 V + Vtt (= 3.3 V − (− Vtt)) when the bit value of the subframe data is “1”, and when the bit value of the subframe data is “0”. + Vtt (= 0 V − (− Vtt)).

続いて、上記のビットB1の正転サブフレームデータを表示している時刻T3〜時刻T4のサブフレーム期間内において、図5(A)に右下がりの斜線で模式的に示すようにビットB1の反転サブフレームデータB1bが入力されて画素12への書き込みが順番に開始される。このときは、画素表示部11を構成する全ての画素12にビットB1の反転サブフレームデータB1bを極性反転したサブフレームデータB1aが書き込まれる。   Subsequently, within the subframe period from time T3 to time T4 when the normal subframe data of bit B1 is displayed, the bit B1 of FIG. The inverted subframe data B1b is input and writing to the pixel 12 is started in order. At this time, the subframe data B1a obtained by reversing the polarity of the inverted subframe data B1b of the bit B1 is written in all the pixels 12 constituting the pixel display unit 11.

その書き込み動作が終了した直後の図5に示す時刻T4で、図5(B)に示すように“H”レベルの正転トリガパルスが正転トリガパルス用トリガ線trigを介して画像表示部11を構成する全ての画素12に同時に供給される。これにより、画素表示部11を構成する全ての画素12のスイッチSW12がオンとされるため、全ての画素12の容量C11に保持されているビットB1の正転サブフレームデータB1aがスイッチSW12を通してMEM2に一斉に転送されて保持された後、再び極性反転されて図5(C)に示すように元の極性の反転サブフレームデータB1bに戻されて反射電極PE1に印加される。この容量C11によるビットB1のサブフレームデータの保持期間は、時刻T4から図5(B)に示すように次の“H”レベルの正転トリガパルスが入力される時刻T5までの1サブフレーム期間である。   At time T4 shown in FIG. 5 immediately after the end of the writing operation, as shown in FIG. 5 (B), the “H” level normal rotation trigger pulse is transmitted via the normal rotation trigger pulse trigger line trig. Are simultaneously supplied to all the pixels 12 constituting the. As a result, the switches SW12 of all the pixels 12 constituting the pixel display unit 11 are turned on, so that the normal subframe data B1a of the bit B1 held in the capacitors C11 of all the pixels 12 passes through the switch SW12 and MEM2 Then, the polarity is inverted again and returned to the original polarity inversion subframe data B1b as shown in FIG. 5C and applied to the reflective electrode PE1. The holding period of the subframe data of bit B1 by the capacitor C11 is one subframe period from time T4 to time T5 when the next “H” normal rotation trigger pulse is input as shown in FIG. 5B. It is.

前述したようにサブフレームデータのビット値が「1」、すなわち“H”レベルのときには反射電極PE1には電源電圧VDD(ここでは3.3V)が印加され、ビット値が「0」、すなわち“L”レベルのときには反射電極PE1には0Vが印加される。一方、共通電極電圧Vcomは、反転サブフレームデータが反射電極PE1に印加されるサブフレーム期間は、図5(D)に示すように3.3Vよりも液晶の閾値電圧Vttだけ高い電圧に設定される。従って、ビットB1の反転サブフレームデータB1bが反射電極PE1に印加される時刻T4〜T5の1サブフレーム期間では、液晶LCMの印加電圧は、サブフレームデータB1bのビット値が「1」のときは−Vtt(=3.3V−(3.3V+Vtt))となり、サブフレームデータB1bのビット値が「0」のときは−3.3V−Vtt(=0V−(3.3V+Vtt))となる。   As described above, when the bit value of the subframe data is “1”, that is, “H” level, the power supply voltage VDD (3.3 V in this case) is applied to the reflective electrode PE1, and the bit value is “0”, that is, “ At the L ″ level, 0 V is applied to the reflective electrode PE1. On the other hand, the common electrode voltage Vcom is set to a voltage higher than the 3.3V threshold voltage Vtt during the subframe period in which the inverted subframe data is applied to the reflective electrode PE1, as shown in FIG. The Accordingly, during one subframe period from time T4 to T5 when the inverted subframe data B1b of the bit B1 is applied to the reflective electrode PE1, the voltage applied to the liquid crystal LCM is when the bit value of the subframe data B1b is “1”. −Vtt (= 3.3V− (3.3V + Vtt)), and when the bit value of the subframe data B1b is “0”, −3.3V−Vtt (= 0V− (3.3V + Vtt)).

ここで、ビットB1の反転サブフレームデータB1bは1サブフレーム前に入力されたビットB1の正転サブフレームデータB1aと常に逆論理値の関係にあるため、1サブフレーム前に入力されたビットB1の正転サブフレームデータB1aが「1」のときは「0」、ビットB1の正転サブフレームデータが「0」のときは「1」である。従って、ビットB1の正転サブフレームデータB1aのビット値が「1」であった時は1サブフレーム期間後に続いて入力されるビットB1の反転サブフレームデータB1bのビット値が「0」であるため、液晶LCMの印加電圧は、−(3.3V+Vtt)となる。   Here, the inverted subframe data B1b of the bit B1 is always in a reverse logical value with the normal subframe data B1a of the bit B1 input one subframe before, so the bit B1 input one subframe before When the normal rotation subframe data B1a is “1”, it is “0”, and when the normal rotation subframe data B1a is “0”, it is “1”. Therefore, when the bit value of the normal subframe data B1a of the bit B1 is “1”, the bit value of the inverted subframe data B1b of the bit B1 that is input subsequently after one subframe period is “0”. Therefore, the applied voltage of the liquid crystal LCM is − (3.3 V + Vtt).

すなわち、液晶LCMの印加電圧はビットB1の正転サブフレームデータB1aのビット値が「1」であった時は(3.3V+Vtt)であったのに対し、続いて入力されるビット値「0」のビットB1の反転サブフレームデータB1b印加時は−(3.3V+Vtt)となり、液晶LCMの印加電圧の電位の方向はビットB1の正転サブフレームデータB1aの時とは逆となるが絶対値が同じである。このため、画素12はビットB1の正転サブフレームデータB1a表示時と同じ白を表示する。   That is, the applied voltage of the liquid crystal LCM is (3.3 V + Vtt) when the bit value of the normal subframe data B1a of the bit B1 is “1”, whereas the bit value “0” that is subsequently input is “0”. When the inverted subframe data B1b of the bit B1 is applied, − (3.3V + Vtt) is applied, and the direction of the potential of the voltage applied to the liquid crystal LCM is opposite to that of the normal subframe data B1a of the bit B1, but the absolute value. Are the same. For this reason, the pixel 12 displays the same white as when the normal rotation subframe data B1a of the bit B1 is displayed.

同様に、ビットB1の正転サブフレームデータB1aのビット値が「0」であった時は液晶LCMの印加電圧は+Vttであり、1サブフレーム期間後に続いて入力されるビットB1の反転サブフレームデータB1bのビット値が「1」であるため、液晶LCMの印加電圧は−Vttとなる。従って、この場合も液晶LCMの印加電圧の電位の方向は、正転サブフレームデータB1a印加時と反転サブフレームデータB1b印加時とは互いに逆となるが、絶対値が同じ|Vtt|であるため、画素12は黒を表示する。   Similarly, when the bit value of the normal subframe data B1a of the bit B1 is “0”, the applied voltage of the liquid crystal LCM is + Vtt, and the inverted subframe of the bit B1 that is subsequently input after one subframe period. Since the bit value of the data B1b is “1”, the applied voltage of the liquid crystal LCM is −Vtt. Accordingly, in this case as well, the direction of the potential of the voltage applied to the liquid crystal LCM is opposite to that when the forward subframe data B1a is applied and when the reverse subframe data B1b is applied, but the absolute value is the same | Vtt |. The pixel 12 displays black.

従って、画素12は図5(E)にB1で示すように、時刻T3〜時刻T5までの2サブフレーム期間は、ビットB1の正転サブフレームデータB1aと反転サブフレームデータB1bとでビットB1の同じ階調を表示すると共に、液晶LCMの印加電圧の電位方向がサブフレーム毎に反転する交流駆動が行われるため、液晶LCMの焼き付きを防止することができる。   Therefore, as indicated by B1 in FIG. 5E, the pixel 12 has the bit B1 in the normal subframe data B1a and the inverted subframe data B1b in the bit B1 during the two subframe periods from the time T3 to the time T5. Since the same gradation is displayed and AC driving is performed in which the potential direction of the applied voltage of the liquid crystal LCM is reversed for each subframe, the burn-in of the liquid crystal LCM can be prevented.

以下、上記と同様の動作が繰り返され、本実施の形態の画素12を有する液晶表示装置10によれば、複数のサブフレームの組み合わせによって階調表示を行うことができる。   Thereafter, the same operation as described above is repeated, and according to the liquid crystal display device 10 having the pixel 12 of the present embodiment, gradation display can be performed by a combination of a plurality of subframes.

なお、ビットB0の正転サブフレームデータB0aと反転サブフレームデータB0bの各表示期間は同じ第1のサブフレーム期間であり、また、ビットBの正転サブフレームデータB1aと反転サブフレームデータB1bの各表示期間は同じ第2のサブフレーム期間であるが、第1のサブフレーム期間と第2のサブフレーム期間とは同一であるとは限らない。ここでは、一例として第2のサブフレーム期間は第1のサブフレーム期間の2倍に設定されている。また、図5(E)に示すように、ビットB2の正転サブフレームデータB2aと反転サブフレームデータB2bの各表示期間である第3のサブフレーム期間は、第2のサブフレーム期間の2倍に設定されている。他のサブフレーム期間についても同様であり、システムに従って各サブフレーム期間の長さが所定の長さに決められ、またサブフレーム数も任意の数に決定される。   The display periods of the normal subframe data B0a and the inverted subframe data B0b of the bit B0 are the same first subframe period, and the normal subframe data B1a and the inverted subframe data B1b of the bit B are the same. Each display period is the same second subframe period, but the first subframe period and the second subframe period are not necessarily the same. Here, as an example, the second subframe period is set to be twice the first subframe period. Further, as shown in FIG. 5E, the third subframe period, which is the display period of each of the normal subframe data B2a and the inverted subframe data B2b of bit B2, is twice the second subframe period. Is set to The same applies to the other subframe periods. The length of each subframe period is determined to be a predetermined length according to the system, and the number of subframes is also determined to be an arbitrary number.

なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、例えば画素電極は反射電極として説明したが、透過電極であってもよい。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the pixel electrode has been described as a reflective electrode, but may be a transmissive electrode.

10 液晶表示装置
11 画像表示部
12 画素
13 タイミングジェネレータ
14 垂直シフトレジスタ
15 データラッチ回路
16 水平ドライバ
121 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)
122 スタティック・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)
161 水平シフトレジスタ
162 ラッチ回路
163 レベルシフタ/画素ドライバ
MEM1 第1の信号保持手段
MEM2 第2の信号保持手段
d、d1〜dn 列データ線
g1a〜gma 正転行走査線
g1b〜g1m 反転行走査線
trig 正転トリガパルス用トリガ線
trigb 反転トリガパルス用トリガ線
LC 液晶表示素子
LCM 液晶
PE1 反射電極
CE 共通電極
C11 容量
INV11、INV12 インバータ
Tr1、NTr、NTr12 NチャネルMOS型トランジスタ(NMOSトランジスタ)
Tr2、PTr、PTr11 PチャネルMOS型トランジスタ(PMOSトランジスタ)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Liquid crystal display device 11 Image display part 12 Pixel 13 Timing generator 14 Vertical shift register 15 Data latch circuit 16 Horizontal driver 121 Dynamic random access memory (DRAM)
122 Static random access memory (SRAM)
161 Horizontal shift register 162 Latch circuit 163 Level shifter / pixel driver MEM1 First signal holding means MEM2 Second signal holding means d, d1 to dn column data lines
g1a to gma Normal rotation scanning line
g1b to g1m Inverted row scanning line
trig Forward trigger pulse trigger line
trigb Inversion trigger pulse trigger line LC Liquid crystal display element LCM Liquid crystal PE1 Reflective electrode CE Common electrode C11 Capacitance INV11, INV12 Inverter Tr1, NTr, NTr12 N-channel MOS transistor (NMOS transistor)
Tr2, PTr, PTr11 P-channel MOS transistor (PMOS transistor)

Claims (5)

複数本の列データ線と複数本の行走査線とがそれぞれ交差する交差部に設けられた複数の画素からなる画像表示部と、
前記画像表示部を構成する前記複数の画素を制御する画素制御手段と
を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、
対向する画素電極と共通電極との間に液晶が充填封入された表示素子と、
映像信号の各フレームを前記映像信号の1フレーム期間より短い表示期間を持つ複数のサブフレームで表示するための各サブフレームデータを、前記列データ線を介してサンプリングする第1のスイッチング手段と、
前記第1のスイッチング手段と共にランダム・アクセス・メモリを構成しており、前記第1のスイッチング手段によりサンプリングされた前記サブフレームデータを更新記憶する第1の信号保持手段と、
前記第1の信号保持手段に記憶された前記サブフレームデータを出力させる第2のスイッチング手段と、
前記第2のスイッチング手段と共にスタティック・ランダム・アクセス・メモリを構成しており、前記第2のスイッチング手段を通して供給される前記第1の信号保持手段に記憶された前記サブフレームデータで記憶内容が書き換えられ、出力データを前記画素電極に印加する第2の信号保持手段と
を備えることを特徴とする液晶表示装置。
An image display unit composed of a plurality of pixels provided at intersections where a plurality of column data lines and a plurality of row scanning lines respectively intersect;
Pixel control means for controlling the plurality of pixels constituting the image display unit,
Each of the plurality of pixels is
A display element in which liquid crystal is filled and sealed between the opposing pixel electrode and the common electrode;
First switching means for sampling each subframe data for displaying each frame of the video signal in a plurality of subframes having a display period shorter than one frame period of the video signal via the column data line;
A first signal holding means for constituting a random access memory together with the first switching means, and for updating and storing the subframe data sampled by the first switching means;
Second switching means for outputting the subframe data stored in the first signal holding means;
A static random access memory is configured together with the second switching means, and the stored contents are rewritten with the subframe data stored in the first signal holding means supplied through the second switching means. And a second signal holding means for applying output data to the pixel electrode.
前記第1の信号保持手段は容量により構成されており、
前記第2の信号保持手段は互いの出力端子が他方の入力端子に接続された第1及び第2のインバータからなる自己保持型メモリにより構成されており、前記第1のインバータの入力端子が前記第2のスイッチング手段と前記第2のインバータの出力端子とに接続され、前記第1のインバータの出力端子が前記第2のインバータの入力端子と前記画素電極とに接続された構成であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
The first signal holding means is constituted by a capacitor,
The second signal holding means is composed of a self-holding memory composed of first and second inverters whose output terminals are connected to the other input terminal, and the input terminal of the first inverter is the The second switching means is connected to the output terminal of the second inverter, and the output terminal of the first inverter is connected to the input terminal of the second inverter and the pixel electrode. The liquid crystal display device according to claim 1.
前記容量はその容量値が前記液晶の容量値に比べて大なる値に設定されていることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。   3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the capacitance value is set to a value larger than the capacitance value of the liquid crystal. 前記第1のインバータを構成する第1のトランジスタは、前記第2のインバータを構成する第2のトランジスタに比べて駆動力が大なる値に設定されていることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。   The first transistor constituting the first inverter is set to have a driving force larger than that of the second transistor constituting the second inverter. Liquid crystal display device. 前記複数のサブフレームで表示するための前記サブフレームデータは、前記複数のサブフレームに対応した複数ビットのサブフレームデータであり、各ビットの前記サブフレームデータは1サブフレーム期間毎に交互に前記列データ線を介して前記第1のスイッチング手段に供給される互いに逆論理値の関係にある正転サブフレームデータと反転サブフレームデータとからなり、
前記画素制御手段は、前記第2の信号保持手段に記憶保持された前記正転サブフレームデータが前記第2の信号保持手段から出力されて前記画素電極に印加される第1のサブフレーム期間は前記液晶の閾値電圧に関連した所定の第1の値で、前記第2の信号保持手段に記憶保持された前記反転サブフレームデータが前記第2の信号保持手段から出力されて前記画素電極に印加される第2のサブフレーム期間は前記第1の値より大なる第2の値となるように、前記正転サブフレームデータ及び前記反転サブフレームデータの前記画素電極への切り替え入力に同期して値が切り替わる共通電圧を前記共通電極に印加することを特徴とする請求項1乃至4記載の液晶表示装置。
The subframe data to be displayed in the plurality of subframes is subframe data of a plurality of bits corresponding to the plurality of subframes, and the subframe data of each bit is alternately changed for each subframe period. It consists of normal subframe data and reverse subframe data which are supplied to the first switching means via column data lines and have a relationship of opposite logical values to each other,
The pixel control means outputs a first subframe period in which the normal subframe data stored and held in the second signal holding means is output from the second signal holding means and applied to the pixel electrode. The inverted subframe data stored and held in the second signal holding means is output from the second signal holding means and applied to the pixel electrode at a predetermined first value related to the threshold voltage of the liquid crystal. The second subframe period is synchronized with the switching input of the normal subframe data and the inverted subframe data to the pixel electrode so that the second subframe period becomes a second value larger than the first value. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a common voltage whose value is switched is applied to the common electrode.
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