JP2015149512A - シリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置 - Google Patents
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図1に示すシリコンウェハ清浄化装置10において、シリコンウェハをウェハホルダに装着して洗浄槽1内に設置した。まず、三方切替弁7の操作により希フッ酸供給装置2から液供給管11への流路を開成し、2%希フッ酸を洗浄槽1に2分間供給し、金属不純物の除去を行うとともに、酸化膜形成の下地を露出させた後、超純水(Fe濃度:1ng/L)を用いて2分間リンス処理を行った。
図1に示すシリコンウェハ清浄化装置10において、シリコンウェハをウェハホルダに装着して洗浄槽1内に設置した。その後、三方切替弁7の操作により希フッ酸供給装置2から液供給管11への流路を開成し、2%希フッ酸を洗浄槽1に2分間供給し、金属不純物の除去を行うとともに、酸化膜形成の下地を露出させた後、超純水(Cu濃度:1ng/L)を用いて2分間リンス処理を行った。
図1に示されるようなシリコンウェハ清浄化装置10において、シリコンウェハをウェハホルダに装着して洗浄槽1内に設置した。まず、三方切替弁7の操作により希フッ酸供給装置2から液供給管11への流路を開成し、2%希フッ酸を洗浄槽1に2分間供給し、金属不純物の除去を行うとともに、酸化膜形成の下地を露出させた。その後、三方切替弁7の操作により超純水供給ライン5から液供給管11への流路を開成し、超純水W(Fe濃度:1ng/L)を用いて2分間リンス処理を行った。
Fe濃度が5ng/Lの超純水を使用する以外は実施例1と同様にしてシリコンウェハの清浄化処理を行い、乾燥後のシリコンウェハにおけるFe付着量を気相分解−ICP/MSにより分析したところ、Fe元素のウェハ上濃度は4.3×1010atoms/cm2であった。
実施例2における金属付着量をフィードバックし、炭酸ガス供給装置7から超純水に供給する炭酸ガスを5ppmとすること以外は実施例2と同様にしてシリコンウェハの清浄化処理を行い、乾燥後のシリコンウェハにおけるFe付着量を気相分解−ICP/MSにより分析したところ、Fe元素のウェハ上濃度は8.9×109atoms/cm2まで減少した。
図1に示されるようなシリコンウェハ清浄化装置10において、シリコンウェハをウェハホルダに装着して洗浄槽1内に設置した。まず、三方切替弁7の操作により希フッ酸供給装置2から液供給管11への流路を開成し、2%希フッ酸を洗浄槽1に2分間供給し、金属不純物の除去を行うとともに、酸化膜形成の下地を露出させた。その後、三方切替弁7の操作により超純水供給ライン5から液供給管11への流路を開成し、バルブ8Aを開成して炭酸ガス供給装置7から超純水W(Cu濃度:1ng/L)に炭酸ガスを1ppm供給することにより、炭酸水を用いて2分間リンス処理を行った。
1…洗浄槽
3…炭酸ガス供給装置
4…オゾンガス供給装置
5…超純水供給ライン
7…三方切替弁
8A,8B…バルブ
Claims (3)
- 洗浄液によりシリコンウェハの洗浄処理を行う清浄槽と、
前記清浄槽に洗浄液としての希フッ酸を供給する希フッ酸供給部と、
炭酸水を前記清浄槽に供給する炭酸水供給部と
を備え、
前記炭酸水供給部から前記清浄槽に供給された炭酸水により、前記洗浄液により洗浄されたシリコンウェハをリンスすることを特徴とするシリコンウェハ清浄化装置。 - 前記炭酸水供給部がオゾンガス供給部を更に備えることにより前記清浄槽に炭酸を含むオゾン水を供給可能に構成されており、
前記炭酸水供給部から前記清浄槽に供給された炭酸を含むオゾン水により、前記洗浄液により洗浄されたシリコンウェハをリンスすることを特徴とする、請求項1に記載のシリコンウェハ清浄化装置。 - 前記炭酸を含むオゾン水におけるオゾン濃度が100ppm以下であることを特徴とする、請求項2に記載のシリコンウェハ清浄化装置。
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CN114864744B (zh) * | 2022-05-05 | 2024-04-02 | 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 | 一种纳米硅浆料的高效清洗方法及系统 |
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