JP2015138885A - substrate processing apparatus, shower plate and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、所定の処理ガスを用いて化学的酸化物除去処理を行う基板処理装置、当該処理装置に用いられるシャワープレート及び前記基板処理装置を用いた基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs chemical oxide removal processing using a predetermined processing gas, a shower plate used in the processing apparatus, and a substrate processing method using the substrate processing apparatus.
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、ドライエッチングやウェットエッチングといった従来のエッチング技術に代えて、化学的酸化物除去処理(Chemical
Oxide Removal:COR)と呼ばれる、より微細化エッチングが可能な手法が注目されている。
In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, instead of conventional etching techniques such as dry etching and wet etching, chemical oxide removal processing (Chemical
A technique called “Oxide Removal (COR)” that enables finer etching is drawing attention.
CORは、真空に例えば被処理体としての半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)表面のシリコン酸化膜(Si02膜)に対して、処理ガスとしてフッ化水素(HF)ガスとアンモニア(NH3)ガスを供給し、これらのガスとシリコン酸化膜とを反応させて生成物を生成する処理である(例えば、特許文献1)。 COR is a semiconductor wafer as a vacuum example workpiece (hereinafter, "wafer" hereinafter) with respect to the silicon oxide film on the surface (Si0 2 film), hydrogen fluoride as a process gas (HF) gas and ammonia (NH3) This is a process for supplying gases and reacting these gases with a silicon oxide film to generate products (for example, Patent Document 1).
CORによりウェハ表面に生成された生成物は、次工程で加熱処理を行うことで昇華し、これによりウェハ表面からシリコン酸化膜が除去される。 The product generated on the wafer surface by the COR is sublimated by performing a heat treatment in the next step, whereby the silicon oxide film is removed from the wafer surface.
上述のようなCOR処理では、真空に保持された処理容器内にウェハを載置し、当該ウェハの上方から処理ガスが供給される。この際、ウェハ面内を均一に処理するために、ウェハの上方に設けられた、厚み方向に貫通する複数の開口が形成されたシャワープレートを介して処理容器内に処理ガスが供給される場合がある。この場合、ウェハ表面に供給される処理ガスの分布がウェハ面内で均一になるように、シャワープレートとウェハとは所定の距離だけ離間して設けられる。特に、シャワープレートの開口からは鉛直下方に向けて直線的に処理ガスが放出されるため、シャワープレートとウェハとの距離が近いと処理ガスが十分に拡散しないうちにウェハに到達し、その結果、ウェハ上に開口が転写したような分布でエッチングが起きるという問題が生じる。 In the COR processing as described above, a wafer is placed in a processing container held in a vacuum, and a processing gas is supplied from above the wafer. At this time, in order to uniformly process the wafer surface, the processing gas is supplied into the processing container through a shower plate provided above the wafer and having a plurality of openings penetrating in the thickness direction. There is. In this case, the shower plate and the wafer are separated from each other by a predetermined distance so that the distribution of the processing gas supplied to the wafer surface is uniform within the wafer surface. In particular, since the processing gas is released linearly downward from the opening of the shower plate, if the distance between the shower plate and the wafer is short, the processing gas reaches the wafer before it diffuses sufficiently, and as a result There arises a problem that etching occurs in a distribution in which openings are transferred onto the wafer.
また、COR処理において、スループットの向上や処理ガスの使用量低減といった要求がある。かかる場合、処理容器の容積を小さくすることで、処理ガスの使用量低減や、真空引き時間の短縮によるスループットの向上を図ることができる。しかしながら、ウェハ処理の均一性を維持するためには上述のようにウェハとシャワープレートとの間に所定の間隔を設ける必要がある。そのため、スループットの向上や処理ガスの使用量といった要求と、ウェハ処理の均一性という要求の双方を満足することが困難であった。 Further, in the COR processing, there is a demand for improvement in throughput and reduction in the amount of processing gas used. In such a case, by reducing the volume of the processing container, it is possible to improve the throughput by reducing the amount of processing gas used and shortening the evacuation time. However, in order to maintain the uniformity of wafer processing, it is necessary to provide a predetermined interval between the wafer and the shower plate as described above. For this reason, it has been difficult to satisfy both of the requirements such as improvement of throughput and the amount of processing gas used and the requirement of uniformity of wafer processing.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基板に対して供給される処理ガスを効率的に拡散させることで、基板処理の均一性を維持しつつ、基板処理のスループット向上及びコスト低減を図ることを目的としている。 The present invention has been made in view of the above points, and by efficiently diffusing a processing gas supplied to the substrate, the substrate processing uniformity is maintained and the substrate processing throughput is improved and the cost is reduced. It aims to plan.
上記目的を達成するため、本発明は、基板を処理する基板処理装置であって、基板を気密に収容する処理容器と、前記処理容器内で基板を載置する載置台と、前記載置台上に載置された基板に対向して配置され、複数の供給ノズルが形成されたシャワープレートと、前記シャワープレートを介して前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給源と、を有し、前記供給ノズルは、前記シャワープレートの上端面から下端面に向けて、当該シャワープレートの厚み方向の所定の位置まで形成されたガス入口孔と、前記ガス入口孔に対して斜め方向に連通し、且つ前記シャワープレートの下端面まで延伸する複数のガス出口孔と、を有することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein the processing container for accommodating the substrate in an airtight manner, a mounting table for mounting the substrate in the processing container, and the above-described mounting table A shower plate disposed opposite to the substrate placed on the substrate and formed with a plurality of supply nozzles; and a processing gas supply source for supplying a processing gas into the processing container via the shower plate. The supply nozzle communicates in an oblique direction with respect to the gas inlet hole and a gas inlet hole formed to a predetermined position in the thickness direction of the shower plate from the upper end surface to the lower end surface of the shower plate. And a plurality of gas outlet holes extending to the lower end surface of the shower plate.
本発明者は、例えばシャワープレートから供給される処理ガスを効率的に拡散させる方法について鋭意検討した。その結果、シャワープレートに形成する開口を当該シャワープレートの厚み方向に貫通させるのではなく、厚み方向の所定の位置まで形成し、その後、斜め下方に延伸する複数の開口に分岐させることで、シャワープレートから鉛直下方に向けて直線的に処理ガスが放出されることを抑制し、効率的に処理ガスを拡散させることができることを見出した。本発明はこの知見に基づくものであり、本発明によれば、シャワープレートが当該シャワープレートの厚み方向の所定の位置まで形成されたガス入口孔と、当該ガス入口孔に対して斜め方向に連通し、且つシャワープレートの下端面まで延伸する複数のガス出口孔と、を有している。そのため、シャワープレートから鉛直下方に向けて直線的に処理ガスが放出されることを抑制し、効率的に処理ガスを拡散させることができる。その結果、従来よりもシャワープレートと基板との距離を短くしてもウェハ処理の均一性を維持することができる。したがって、処理容器の高さを低減することで処理容器の容積を小さくし、処理ガスの使用量低減によるコスト削減や、真空引き時間の短縮によるスループットの向上を図ることができる。 The inventor has intensively studied a method for efficiently diffusing a processing gas supplied from, for example, a shower plate. As a result, instead of penetrating the opening formed in the shower plate in the thickness direction of the shower plate, the shower plate is formed up to a predetermined position in the thickness direction and then branched into a plurality of openings extending obliquely downward. It has been found that the processing gas can be efficiently diffused by suppressing the processing gas from being released linearly downward from the plate. The present invention is based on this finding, and according to the present invention, the shower plate communicates in an oblique direction with respect to the gas inlet hole in which the shower plate is formed up to a predetermined position in the thickness direction of the shower plate. And a plurality of gas outlet holes extending to the lower end surface of the shower plate. Therefore, it is possible to suppress the processing gas from being discharged linearly downward from the shower plate and efficiently diffuse the processing gas. As a result, the uniformity of wafer processing can be maintained even if the distance between the shower plate and the substrate is shorter than in the prior art. Therefore, it is possible to reduce the volume of the processing container by reducing the height of the processing container, reduce the cost by reducing the amount of processing gas used, and improve the throughput by shortening the evacuation time.
前記複数のガス出口孔は、平面視において前記ガス入口孔から放射状に等間隔で配置されていてもよい。 The plurality of gas outlet holes may be arranged radially at equal intervals from the gas inlet hole in plan view.
前記シャワープレートの下端面には、当該シャワープレートの上端面側に向けて窪んだ窪み部が複数設けられ、前記ガス出口孔の前記載置台側の端部は、前記窪み部に連通していてもよい。 The lower end surface of the shower plate is provided with a plurality of recessed portions that are recessed toward the upper end surface side of the shower plate, and the end portion on the mounting table side of the gas outlet hole communicates with the recessed portion. Also good.
前記処理ガス供給源は、第1の処理ガスを供給する第1のガス供給部と、第2の処理ガスを供給する第2のガス供給部を有し、前記シャワープレートのガス入口孔は、前記第1のガス供給部に接続された第1の入口孔と、前記第2のガス供給部に接続された第2の入口孔と、を有していてもよい。 The processing gas supply source includes a first gas supply unit that supplies a first processing gas and a second gas supply unit that supplies a second processing gas, and a gas inlet hole of the shower plate includes: You may have the 1st inlet hole connected to the said 1st gas supply part, and the 2nd inlet hole connected to the said 2nd gas supply part.
別の観点による本発明は、基板処理が行われる基板処理装置の処理容器内に処理ガスを供給するシャワープレートであって、所定の厚みを有する円盤状の本体部と、前記本体部に形成された複数の供給ノズルと、を有し、前記供給ノズルは、前記本体部の上端面から下端面に向けて、当該本体部の厚み方向の所定の位置まで形成されたガス入口孔と、前記ガス入口孔に対して斜め方向に連通し、且つ前記本体部の下端面まで延伸する複数のガス出口孔と、を有することを特徴としている。 Another aspect of the present invention is a shower plate that supplies a processing gas into a processing container of a substrate processing apparatus in which substrate processing is performed, and is formed on a disk-shaped main body having a predetermined thickness and the main body. A plurality of supply nozzles, wherein the supply nozzles are formed from the upper end surface of the main body portion toward the lower end surface to a predetermined position in the thickness direction of the main body portion, and the gas And a plurality of gas outlet holes extending in an oblique direction with respect to the inlet hole and extending to a lower end surface of the main body.
前記複数のガス出口孔は、平面視において前記ガス入口孔から放射状に等間隔で配置されていてもよい。 The plurality of gas outlet holes may be arranged radially at equal intervals from the gas inlet hole in plan view.
前記本体部の下端面には、当該本体部の上端面側に向けて窪んだ窪み部が複数設けられ、前記ガス出口孔の前記載置台側の端部は、前記窪み部に連通していてもよい。 The lower end surface of the main body portion is provided with a plurality of hollow portions that are recessed toward the upper end surface side of the main body portion, and the end portion on the mounting table side of the gas outlet hole communicates with the hollow portion. Also good.
また、別の観点による本発明は、前記の基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記処理ガス供給源から前記シャワープレートのガス入口孔に処理ガスを供給し、前記ガス入口孔に連通する前記ガス出口孔を介して前記処理容器内の基板に対して処理ガスを供給することを特徴としている。 According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method using the substrate processing apparatus, wherein a processing gas is supplied from the processing gas supply source to a gas inlet hole of the shower plate, and the gas inlet hole is supplied with the processing gas. A processing gas is supplied to the substrate in the processing container through the gas outlet hole that communicates.
本発明によれば、基板に対して供給される処理ガスを効率的に拡散させることで、基板処理の均一性を維持しつつ、基板処理のスループット向上及びコスト低減を図ることができる。 According to the present invention, by efficiently diffusing the processing gas supplied to the substrate, it is possible to improve the throughput of the substrate processing and reduce the cost while maintaining the uniformity of the substrate processing.
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図1は、本実施の形態にかかる基板処理装置としてのCOR処理装置を備えた基板処理システム1を概略的に示した縦断面図である。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawing, about the component which has the substantially same function structure, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol. FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing a substrate processing system 1 including a COR processing apparatus as a substrate processing apparatus according to the present embodiment.
基板処理システム1は、ウェハWを搬入出する搬入出部2と、搬入出部2と隣接して設けられた2つのロードロック室3と、各ロードロック室3における搬入出部2の反対側に隣接して設けられた熱処理装置4と、熱処理装置4における各ロードロック室3の反対側に隣接して設けられたCOR処理装置5を有している。
The substrate processing system 1 includes a loading /
搬入出部2は、搬送室10と、複数の搬送アームを有するウェハ搬送機構11と、複数枚のウェハWを収容したカセットCが載置される載置台12を有している。また、搬送室10には、ウェハの位置合わせを行うアライメント装置13が隣接して設けられている。ウェハ搬送機構11は搬送室10の内部に配置されている。ウェハ搬送機構11の搬送アームは例えば水平方向、θ方向及び上下方向に移動自在であり、カセットC、ロードロック室3及びアライメント装置13との間でウェハWを搬送できる。
The carry-in / out
各ロードロック室3と搬送室10との間にはゲートバルブ14が設けられており、図示しない排気機構により所定の圧力までロードロック室3内を減圧可能に構成されている。また、各ロードロック室3の内部には、ウェハ搬送機構15がそれぞれ設けられている。ウェハ搬送機構15は、COR処理装置5の方向に向けて水平に移動自在な搬送アームを備えており、当該搬送アームによりロードロック室3、熱処理装置4及びCOR処理装置5との間でウェハWを搬送できる。
A
熱処理装置4は、例えば図2に示すように、気密に構成された処理容器20と、処理容器20内でウェハWを載置する載置台21を有している。載置台21には例えば抵抗加熱型のヒータ22が内蔵されている。このヒータ22は、図示しない電源から給電されることにより載置台21上のウェハWを加熱できる。載置台21では、COR処理装置5でCOR処理されたウェハWを加熱して、COR処理により生成した反応生成物を気化させるPHT(Post Heat Treatment)と呼ばれる処理が行われる。
For example, as shown in FIG. 2, the
処理容器20のロードロック室3側には、ロードロック室3との間でウェハWの搬入出を行うための搬入出口20aと、この搬入出口20aを開閉するゲートバルブ23が設けられている。また、処理容器20のCOR処理装置5側にも、処理装置5との間でウェハWの搬入出を行うための搬入出口20bと、この搬入出口20bを開閉するゲートバルブ24が設けられている。
On the side of the
処理容器20には、当該処理容器20の内部に例えば窒素などの不活性ガスを供給するガス供給機構25が、ガス供給管26を介して接続されている。ガス供給管26には、窒素ガスの供給量を調整する流量調整機構27が設けられている。また、処理容器20の例えば底面には、当該処理容器20内を排気する排気機構30が排気管31を介して接続されている。排気管31には、排気機構30による排気量を調整する調整弁32が設けられている。
A
COR処理装置5は、例えば図3に示すように、気密に構成された処理容器40と、処理容器20内でウェハWを載置する載置台41を有している。処理容器40は、上方が開口した有底の略円筒形状に形成された容器部42と、容器部42の上面を気密に塞ぐ蓋部43とを有している。容器部42の側面には、熱処理装置4との間でウェハWの搬入出を行う搬入出口42aが設けられている。この搬入出口42aは、既述のゲートバルブ24により開閉される。
For example, as shown in FIG. 3, the
処理容器20の蓋部43の下面には、載置台41に対向してシャワーヘッド50が設けられている。シャワーヘッド50は、例えば下面が開口した略円筒形の支持部材51と、当該支持部材51の内側面に、支持部材51の天井部と所定の距離離間して設けられたシャワープレート52と、シャワープレート52と支持部材51との間にシャワープレート52に対して平行に設けられたプレート53を有している。支持部材51の天井部とプレート53との間には、第1の空間54が形成され、プレート53とシャワープレート52との間には、第2の空間55が形成されている。
A
シャワープレート52は、本体部52aと、載置台41上のウェハWに対して処理ガスを供給する複数の供給ノズル90を有している。プレート53には、当該プレート53を厚み方向に貫通するガス流路60が複数形成されている。ガス流路60は、供給ノズル90の概ね半分程度の数が形成されており、このガス流路60は、プレート53の下方のシャワープレート52の上端面まで延伸して、供給ノズル90の上端部に接続されている。そのため、ガス流路60及び当該ガス流路60と接続された供給ノズル90の内部は、第2の空間55とは隔離されている。シャワープレート52の本体部52a及びプレート53は、例えばアルミニウム等の金属により構成されている。なお、本実施の形態においては、載置台41上のウェハWの表面と、シャワープレート52の下端面との間の距離は、概ね50mm程度になるように設定されている。また、シャワープレート52の厚みは概ね15mm程度に設定されている。
The
第1の空間54には、第1のガス供給管70を介して第1のガス供給源71が接続されている。第1のガス供給源71は、第1の処理ガスとして、反応ガスであるフッ化水素(HF)ガスと希釈ガスであるアルゴン(Ar)ガスとの混合ガスを供給可能に構成されている。第1のガス供給管70には、第1の処理ガスの供給量を調整する流量調整機構72が設けられている。第1のガス供給源71から供給された第1の処理ガスは、第1の空間54、プレート53のガス流路60、シャワープレート52の供給ノズル90を介して処理容器40内に供給される。
A first
第2の空間55には、第2のガス供給管73を介して、第2のガス供給源74が接続されている。第2のガス供給源74は、第2の処理ガスとして、反応ガスであるアンモニア(NH3)ガスと希釈ガスである窒素(N2)ガスとの混合ガスを供給可能に構成されている。第2のガス供給管73には、第2の処理ガスの供給量を調整する流量調整機構75が設けられている。なお、希釈ガスとしては、本実施の形態に限定されず、例えばアルゴンガスのみ用いても、窒素ガスのみ用いてもよいし、他の不活性ガスを用いてもよい。第2のガス供給源74から供給された第2の処理ガスは、第2の空間55、シャワープレート52の供給ノズル90を介して処理容器40内に供給される。そのため、第1の処理ガスと第2の処理ガスとは、処理容器40内におけるシャワープレート52の下方の位置で初めて混合される。
A second gas supply source 74 is connected to the
載置台41は略円筒形状を有しており、容器部42の底面に支持されている。載置台41には、載置台41の温度を調整する温度調整機構41aが内蔵されている。温度調整機構41aは、例えば水などの冷媒を循環させることにより載置台41の温度を調整し、載置台41上のウェハWの温度を制御する。
The mounting table 41 has a substantially cylindrical shape and is supported on the bottom surface of the
処理容器40の容器部42底面であって載置台41の外方には、当該処理容器40内を排気する排気機構80が排気管81を介して接続されている。排気管81には、排気機構80による排気量を調整する調整弁82が設けられている。また、容器部42の側壁には、処理容器40内の圧力を計測するための圧力測定機構83a、83bが設けられている。圧力測定機構83aは高圧力用、圧力測定機構83bは低圧力用に用いられる。なお、圧力測定機構83a、83bとしては、例えばキャパシタンスマノメータなどが用いられる。
An
次に、上述のシャワープレート52の構成について詳述する。シャワープレート52の本体部52aに形成された供給ノズル90は、上述の通り、プレート53のガス流路60に対応する位置に設けられた供給ノズル90aとガス流路60とは異なる位置に設けられた供給ノズル90bを有している。供給ノズル90aと供給ノズル90bは、例えば同心円状に交互に配置されている。
Next, the configuration of the
供給ノズル90は、例えば図4に示すように、シャワープレート52の本体部52a上端面から下端面に向けて、当該本体部52aの厚み方向に所定の深さで形成されたガス入口孔91と、ガス入口孔91の下端近傍に対して所定の角度θで斜め方向に連通し、且つシャワープレート52の下端面まで延伸するガス出口孔92とを有している。ガス出口孔92の直径は、ガス入口孔91の直径よりも小さく、且つ、シャワープレート52から処理容器40内に放出された処理ガスが第1の空間54及び第2の空間55側に逆流しないような値に設定されている。本実施の形態では、ガス入口孔91の直径は例えば3mm、ガス出口孔92の直径は例えば0.5mmに設定されている。なお図4では、ガス流路60に接続された供給ノズル90aのガス入口孔を第1の入口孔91aとして、ガス流路60とは接続されていない、即ち第2の空間55に連通するガス入口孔を第2の入口孔91bとして記載しているが、第1の入口孔91aと第2の入口孔91bとは同一の構成である。また、供給ノズル90aと供給ノズル90bの構成も同一である。
For example, as shown in FIG. 4, the
ガス出口孔92は例えば図5に示すように、ガス入口孔91の下端近傍から、ガス入口孔91を中心として放射状に90度のピッチの等間隔で4つ設けられている。したがって、シャワープレート52を下方から見ると、例え図6に示すように、4つのガス出口孔92の集合が、シャワープレート52の全面に等間隔で配置された状態となる。なお、図6では、供給ノズル90aのガス出口孔92と供給ノズル90bのガス出口孔92を区別するために、供給ノズル90aのガス出口孔92を実線の円で、供給ノズル90bのガス出口孔92を破線の円でそれぞれ囲んで描図している。シャワープレート52にこのような構成を有する供給ノズル90を設けることにより、供給ノズル90から放出される処理ガスを効率的に拡散させ、シャワープレート52から鉛直下方に向けて直線的に処理ガスが放出されることが抑制される。なお、ガス出口孔92をガス入口孔91の下端近傍に対して斜め方向に連通して形成することは、発明者が従来の供給ノズルと本実施の形態にかかる供給ノズルとを用いて行った比較試験の結果に基づくものである。比較試験の結果については後述する。
For example, as shown in FIG. 5, four gas outlet holes 92 are provided from the vicinity of the lower end of the
また、各ガス出口孔92の載置台41側の端部は、例えばシャワープレート52の下端面に形成された窪み部93に連通している。この窪み部93は、当該シャワープレート52の上端面側に向けて例えば略円錐形状に窪んでいる。そのため、各ガス出口孔92の載置台41側端部は、ガス出口孔92のガス入口孔91側の端部よりも拡大した形状となっている。窪み部93を設けることにより、ガス出口孔92から放出される処理ガスは当該窪み部93で例えば乱流を形成する。そのため、処理ガスは窪み部93でさらに拡散され、より効率的に処理容器内で処理ガスを拡散させることができる。
Moreover, the end part by the side of the mounting
基板処理システム1には、図1に示すように制御装置100が設けられている。制御装置100は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、基板処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置100にインストールされたものであってもよい。
The substrate processing system 1 is provided with a
本実施の形態にかかる基板処理システム1は以上のように構成されており、次に、基板処理システム1を用いて行われる処理について説明する。 The substrate processing system 1 according to the present embodiment is configured as described above. Next, processing performed using the substrate processing system 1 will be described.
先ず、表面にシリコン酸化膜を有する複数枚のウェハWを収納したカセットCが搬入出部2の載置台12の所定の位置に載置される。その後、ゲートバルブ14を開いた状態で、ウェハ搬送機構11によりカセットCからロードロック室3内のウェハ搬送機構15にウェハWが受け渡される。
First, a cassette C containing a plurality of wafers W having a silicon oxide film on the surface is placed at a predetermined position on the mounting table 12 of the carry-in / out
次に、ゲートバルブ14を閉じてロードロック室3の内部を排気して所定の圧力に到達後、ゲートバルブ23及びゲートバルブ24を開いてウェハ搬送機構15によりCOR処理装置5の載置台41にウェハWが載置される。次いで、ウェハ搬送機構15がロードロック室3まで退出した後、ゲートバルブ24を閉じて処理容器40内を密閉する。
Next, after closing the
その後、処理容器40内を所定の圧力まで排気すると共に、温度調整機構41aにより載置台41用のウェハWを所定の温度、本実施の形態では例えば20℃〜40℃に調節する。次いで、第1の処理ガスと第2の処理ガスを、第1のガス供給源71と第2のガス供給源74からそれぞれ処理容器40内に供給する。この際、第1の処理ガスと第2の処理ガスは、シャワーヘッド50内で混合されることなく、供給ノズル90a及び供給ノズル90bのガス出口孔92から処理容器40内に供給され、COR処理が行われる。COR処理においては、ウェハW表面のシリコン酸化膜がフッ化水素ガス及びアンモニアガスと化学反応し、反応生成物としてフルオロケイ酸アンモニウム(AFS)や水などが生成されてウェハWの表面に保持された状態となる。この際、供給ノズル90から供給された処理ガスは、処理容器40内で効率的に拡散し、ウェハWの全面に均一に放出されるので、ウェハW面内において均一なCOR処理が行われる。
Thereafter, the
COR処理が行われると、ゲートバルブ23、24を開き、ウェハ搬送機構15により載置台41上のウェハWが熱処理装置4の載置台21上に搬送される。次いで、ウェハ搬送機構15がロードロック室3まで退避した後、ゲートバルブ23、24を閉じ、処理容器20内に窒素ガスを導入する。それと共に、ヒータ22により載置台21上のウェハWが加熱され、COR処理によって生じた反応生成物が気化して除去される。
When the COR processing is performed, the
その後ゲートバルブ14、23を順次開き、ウェハ搬送機構15により載置台21上のウェハWがウェハ搬送機構11に受け渡される。次いで、ウェハWは所定のカセットCに収容され、一連のウェハ処理が終了する。
Thereafter, the
以上の実施の形態によれば、シャワープレート52に形成された供給ノズル90が、当該シャワープレート52の厚み方向の所定の位置まで形成されたガス入口孔91と、当該ガス入口孔91に対して斜め方向に連通し、且つシャワープレート52の下端面まで延伸する複数のガス出口孔92と、を有している。そのため、シャワープレート52から鉛直下方に向けて直線的に処理ガスが放出されることを抑制し、効率的に処理ガスを拡散させることができる。その結果、従来よりもシャワープレートと基板との距離を短くしてもウェハ面内に均一に処理ガスを供給し、ウェハ処理の均一性を維持することができる。したがって、処理容器40の高さを低減することで処理容器40の容積を小さくし、処理ガスの使用量低減によるコスト削減や、真空引き時間の短縮によるスループットの向上を図ることができる。
According to the above embodiment, the
また、シャワープレート52の下端面に窪み部93を設け、ガス出口孔92を窪み部93に連通させているので、ガス出口孔92から放出される処理ガスは当該窪み部93でさらに拡散される。したがって、処理ガスをより効率的に拡散させ、ウェハ処理の均一性をさらに向上させることができる。
Further, since the
なお、以上の実施の形態では、ガス出口孔92はガス入口孔91に対して90度ピッチで放射状に設けられていたが、ガス出口孔92の配置は本実施の形態の内容に限定されない。例えばガス入口孔91を中心として120度ピッチの放射状に3本のガス出口孔92を設けてもよいし、72度ピッチで5本のガス出口孔92を設けてもよい。さらには、処理容器40内に効率的に処理ガスを拡散できれば、ガス出口孔92は必ずしも等間隔に設ける必要はない。
In the above embodiment, the gas outlet holes 92 are provided radially at a pitch of 90 degrees with respect to the gas inlet holes 91, but the arrangement of the gas outlet holes 92 is not limited to the contents of the present embodiment. For example, three gas outlet holes 92 may be provided radially with a pitch of 120 degrees around the gas inlet holes 91, or five gas outlet holes 92 may be provided with a pitch of 72 degrees. Furthermore, the gas outlet holes 92 are not necessarily provided at regular intervals if the processing gas can be efficiently diffused into the
また、ガス出口孔92は必ずしもガス入口孔91の下端近傍に接続される必要はなく、ガス入口孔91の中間部近傍に接続されていてもよい。ただし、供給ノズル90内でガス入口孔91に対するガス出口孔92の接続高さを変えると、ガス入口孔91の上方側に設けられたガス出口孔92ほど処理ガスが流れにくくなるので、ガス出口孔92の高さ方向の配置は、供給ノズル90内で統一することが好ましい。また、ガス出口孔92がガス入口孔91に連通する角度θもガス出口孔92ごとに異なっていてもよいが、角度θが小さすぎるとシャワープレート52で処理ガスが拡散されず、鉛直下方に近い角度で直線的に処理ガスが放出されるので、角度θは30度以上とすることが好ましい。
Further, the
なお、以上の実施の形態では、供給ノズル90aと供給ノズル90bを等間隔に配置していたが、図7に示すように、供給ノズル90aと供給ノズル90bを交互に同心円状に配置してもよく、処理容器40内で第1の処理ガスと第2の処理ガスが適正に混合するような配置であれば任意に設定できる。また、図6では各供給ノズル90a、90bのガス出口孔92は同じ角度で設けられていたが、例えば図8に示すように、供給ノズル90aと供給ノズル90bとでガス出口孔92の角度を変えてもよいし、また、各供給ノズル90ごとにガス出口孔92の角度を変えてもよい。
In the above embodiment, the
また、以上の実施の形態では、ガス出口孔92の載置台41側の先端に窪み部93を設けていたが、この窪み部93は必ずしも設ける必要はない。ただし、後述の比較試験に基づけば、効率的に処理ガスを拡散させる観点からは、窪み部93を設けることが好ましい。なお、本発明者によれば、窪み部93内で処理ガスの乱流を形成できれば、窪み部93の形状は必ずしも円錐形状とする必要はなく、例えば角錐形状や円筒形状、矩形状であってもよい。また、窪み部93としては、例えば図9に示すように、ガス出口孔92の直径が徐々に広がるような形状であてもよいし、図10に示すように、例えば円錐形状の上端部に例えば円筒形状の突起部93aを有する窪み部93を形成し、突起部93aにガス出口孔92を接続するようにしてもよい。
Moreover, in the above embodiment, although the
以上の実施の形態では、シャワーヘッド50がシャワープレート52とプレート53により構成され、第1の処理ガスと第2の処理ガスを供給できるように構成されていたが、本実施の形態にかかる供給ノズル90は、当然ながら一種類のガスのみを供給するシャワーヘッド50やシャワープレート52にも適用できる。
In the above embodiment, the
次に、本実施の形態にかかる供給ノズルと90と従来の供給ノズルとの比較試験の結果について説明する。図11に本比較試験に用いた従来の供給ノズル200の断面図を示す。従来の供給ノズル200は、1つのガス出口孔201がガス入口孔91の下端部に角度θを0(ゼロ)として設けられている点を除いては本実施の形態にかかる供給ノズル90と同様である。
Next, the result of a comparison test between the supply nozzle according to the present embodiment, 90 and a conventional supply nozzle will be described. FIG. 11 shows a cross-sectional view of a
比較試験では、供給ノズル90と供給ノズル200からそれぞれ試験用のガスを放出し、供給ノズル90、200から鉛直下方に所定の距離だけ離れた位置において放出されたガスの圧力を測定した。比較例1、2として、供給ノズル200から50mm及び100mm離れた位置の圧力を、実施例として、供給ノズル90から50mm離れた位置の圧力を、それぞれ直径100mmの円の範囲内でそれぞれ測定した。この際、供給ノズル90において、ガス入口孔91の直径、ガス入口孔91のシャワープレート52の上端面からの深さ、ガス出口孔92の先端の窪み部93の有無、窪み部93へのガス出口孔92の接続位置、略円錐形状の窪み部93の直径、ガス出口孔92がガス入口孔91に連通する角度θ、をそれぞれ変更して試験を行った。また、処理容器40内の圧力は約80Pa(0.6Torr)、処理容器40内の温度は60℃とし、試験用のガスとして窒素ガスを440sccmの流量で供給した。
In the comparative test, a test gas was discharged from the
図12に、ガス入口孔91の長さ、及びガス入口孔91の直径を変化させた場合のガスの圧力についての測定結果を示す。図12に示す比較例においては、ガス入口孔91の直径は3mm、ガス入口孔91の深さは9.5mmで一定とし、実施例においては、ガス入口孔91の直径を2mmから5mmの範囲で1mm間隔で変化させ、ガス入口孔91の深さを5mmから10mmの間で変化させている。なお、図12の測定にあたって、ガス出口孔92の先端に窪み部93を設け、略円錐形状の窪み部93の直径は3mm、窪み部93へのガス出口孔92の接続位置は、図13に示す丸数字の「2」の位置、ガス出口孔92がガス入口孔91に連通する角度θは45度で固定している。また、図12に示す圧力は、上述の直径100mmの円の範囲内で測定した圧力の最大値と最小値の差の値(ΔP)である。したがって、この値が小さいほどガスが面内均一に供給されていると評価できる。
In FIG. 12, the measurement result about the pressure of the gas at the time of changing the length of the
図12に示されるように、ガス入口孔91の直径を2mm、3mm、4mm、5mmとした場合の実施例1〜4においては、いずれの場合も従来の供給ノズル200の50mm下方において圧力を測定した比較例1よりも圧力差ΔPは小さくなっている。このことから、供給ノズル90のように、複数のガス出口孔92をガス入口孔91に対して所定の角度θで連通させることにより、供給ノズルから同一の距離だけ離れた位置で測定したウェハW面内での処理ガスの圧力差ΔPを、供給ノズル200を用いた場合と比較して小さくできる、換言すれば、ウェハW面内に処理ガスをより均一に供給できることが確認できる。特に、ガス入口孔91の直径を3mm、深さを10mmとした場合(実施例2)、従来の供給ノズル200から100mm離れた位置における圧力差ΔPよりも小さくなっている。したがって、実施例2の供給ノズル90を有するシャワープレート52を用いることで、従来の供給ノズル200を備えたシャワープレートを用いる場合と比較して、ウェハWとシャワープレート52との距離を半分程度にできる。その結果、処理容器40の高さを低減することで処理容器40の容積を小さくし、コスト削減及びウェハ処理のスループットの向上を図ることができる。
As shown in FIG. 12, in Examples 1 to 4 where the diameter of the
次に、図13に示す窪み部93の直径D及び窪み部93へのガス出口孔92の接続位置を変化させた場合のガス圧力差ΔPの測定結果について、図14に示す。図14に示す比較例1、2においては、窪み部93は直径3mmの円錐形状で、ガス出口孔92は窪み部93の上端部に接続されている。実施例1〜3においては、窪み部93の直径を2mmから4mmの範囲で1mm間隔で変化させ、窪み部93へのガス出口孔92の接続位置を、窪み部93の上端部近傍(図13に示す丸数字の「1」の位置)、中間部近傍(図13に示す丸数字の「2」の位置)、下端部近傍(図13に示す丸数字の「3」の位置)で変化させている。また、実施例4は、窪み部93を設けずにシャワープレート52の下端面に直接ガス出口孔92を連通させた場合である。なお、図14の測定にあたっては、ガス入口孔91の直径を3mm、ガス入口孔91の深さを9mm、ガス出口孔92がガス入口孔91に連通する角度θは45度で固定している。
Next, FIG. 14 shows the measurement result of the gas pressure difference ΔP when the diameter D of the
図14に示されるように、窪み部93を設けた実施例1〜3は、いずれの場合も窪み部93を設けていない実施例4よりも圧力差Δは小さくなっている。このことから、ガス出口孔92を窪み部93に接続することで効率的に処理ガスを拡散させ、ウェハW面内での処理ガスの均一性を向上させられることが確認できる。また、窪み部93を設けていない実施例4においても、従来の供給ノズル200の50mm下方において圧力を測定した比較例1よりも圧力差ΔPは小さくなっている。このことから、窪み部93を設けていない場合であっても、供給ノズル90を用いることで従来の供給ノズル90よりも効率的に処理ガスを拡散させられることが確認できる。また、実施例3の結果から、ガス出口孔92の窪み部93への接続位置が窪み部93の下方側になるほど圧力差ΔPが小さくなっている。このことから、ガス出口孔92は窪み部93の下端部近傍に設けることが好ましいことが確認できる。
As shown in FIG. 14, the first to third embodiments in which the
次に、ガス出口孔92がガス入口孔91に連通する角度θを変化させた場合のガス圧力差ΔPの測定結果について図15に示す。実施例1は、角度θを45度とした場合、実施例2は角度θを60度とした場合の測定結果である。なお、図15の測定にあたっては、ガス出口孔92の先端に窪み部93を設け、略円錐形状の窪み部93の直径は3mm、窪み部93へのガス出口孔92の接続位置は図13に示す丸数字の「2」の位置、ガス入口孔91の直径は3mm、ガス入口孔91の深さは9mmで固定している。
Next, FIG. 15 shows the measurement result of the gas pressure difference ΔP when the angle θ at which the
図15に示す結果からは、角度θを大きくした実施例2のほうが実施例1より圧力差ΔPが小さくなることが確認できる。また、実施例1、2のいずれも、従来の供給ノズル200の50mm下方において圧力を測定した比較例1よりも圧力差ΔPは小さくなっているので、角度θは90度〜120度の範囲内で任意に設定できるものと推察できる。
From the results shown in FIG. 15, it can be confirmed that the pressure difference ΔP is smaller in the second embodiment in which the angle θ is larger than in the first embodiment. Further, in both Examples 1 and 2, the pressure difference ΔP is smaller than Comparative Example 1 in which the pressure was measured 50 mm below the
また、別の比較試験として、本実施の形態にかかる供給ノズル90と従来の供給ノズル200から所定のガスを放出した場合のガス流れについてシミュレーションを行った。その結果を図16、図17に示す。図16は、本実施の形態にかかる供給ノズル90から所定のガスを放出した場合のガス流れを模式的に表した図であり、図16からは、供給ノズル90の直下でガスが拡散し、概ね平行な流れとなっていることが確認できる。
As another comparative test, a simulation was performed on the gas flow when a predetermined gas was released from the
図17は従来の供給ノズル200から所定のガスを放出した場合のガス流れを模式的に表した図であり、従来の供給ノズル200からは放出されるガスは直線的に放射状に広がる指向性を有していることが確認できる。そのため、供給ノズル200では、ウェハ面内の圧力差ΔPを小さくするには、供給ノズル200とウェハWとの距離を供給ノズル90と比較して大きくする必要があることが、この結果からも確認できる。
FIG. 17 is a diagram schematically showing a gas flow when a predetermined gas is discharged from the
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。上述の実施の形態は、ウェハにCOR処理を行う場合を例にして説明したが、本発明は処理ガスを用いる他のウェハ処理、例えばプラズマ処理などにも適用できる。 The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains can make various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims. Of course, it is understood that these also belong to the technical scope of the present invention. In the above-described embodiment, the case where the COR processing is performed on the wafer has been described as an example. However, the present invention can be applied to other wafer processing using a processing gas, for example, plasma processing.
1 基板処理システム
2 搬入出部
3 ロードロック室
4 熱処理装置
5 COR処理装置
10 搬送室
11 ウェハ搬送機構
12 載置台
13 アライメント装置
14 ゲートバルブ
20 処理容器
21 載置台
30 排気機構
40 処理容器
41 載置台
50 シャワーヘッド
51 支持部材51
52 シャワープレート
53 プレート
71 第1のガス供給源
74 第2のガス供給源
80 排気機構
90 供給ノズル
91 ガス入口孔
92 ガス出口孔
93 窪み部
100 制御装置
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
52
Claims (8)
基板を気密に収容する処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する載置台と、
前記載置台上に載置された基板に対向して配置され、複数の供給ノズルが形成されたシャワープレートと、
前記シャワープレートを介して前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給源と、を有し、
前記供給ノズルは、前記シャワープレートの上端面から下端面に向けて、当該シャワープレートの厚み方向の所定の位置まで形成されたガス入口孔と、前記ガス入口孔に対して斜め方向に連通し、且つ前記シャワープレートの下端面まで延伸する複数のガス出口孔と、を有することを特徴とする、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A processing container for hermetically containing the substrate;
A mounting table for mounting a substrate in the processing container;
A shower plate disposed opposite to the substrate placed on the mounting table, wherein a plurality of supply nozzles are formed;
A processing gas supply source for supplying a processing gas into the processing container through the shower plate,
The supply nozzle communicates in an oblique direction with respect to the gas inlet hole, a gas inlet hole formed up to a predetermined position in the thickness direction of the shower plate from the upper end surface to the lower end surface of the shower plate, And a plurality of gas outlet holes extending to the lower end surface of the shower plate.
前記ガス出口孔の前記載置台側の端部は、前記窪み部に連通していることを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The lower end surface of the shower plate is provided with a plurality of recessed portions that are recessed toward the upper end surface side of the shower plate,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an end of the gas outlet hole on the mounting table side communicates with the recess.
前記シャワープレートのガス入口孔は、前記第1のガス供給部に接続された第1の入口孔と、前記第2のガス供給部に接続された第2の入口孔と、を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The processing gas supply source includes a first gas supply unit that supplies a first processing gas and a second gas supply unit that supplies a second processing gas,
The gas inlet hole of the shower plate has a first inlet hole connected to the first gas supply part and a second inlet hole connected to the second gas supply part. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-3.
所定の厚みを有する円盤状の本体部と、
前記本体部に形成された複数の供給ノズルと、を有し、
前記供給ノズルは、前記本体部の上端面から下端面に向けて、当該本体部の厚み方向の所定の位置まで形成されたガス入口孔と、前記ガス入口孔に対して斜め方向に連通し、且つ前記本体部の下端面まで延伸する複数のガス出口孔と、を有することを特徴とする、シャワープレート。 A shower plate for supplying a processing gas into a processing container of a substrate processing apparatus in which substrate processing is performed,
A disc-shaped main body having a predetermined thickness;
A plurality of supply nozzles formed in the main body,
The supply nozzle communicates in an oblique direction with respect to the gas inlet hole, a gas inlet hole formed up to a predetermined position in the thickness direction of the main body part from the upper end surface to the lower end surface of the main body part, And a plurality of gas outlet holes extending to the lower end surface of the main body.
前記ガス出口孔の前記載置台側の端部は、前記窪み部に連通していることを特徴とする、請求項5または6のいずれか一項に記載のシャワープレート。 The lower end surface of the main body is provided with a plurality of recessed portions that are recessed toward the upper end surface of the main body,
The shower plate according to claim 5, wherein an end of the gas outlet hole on the mounting table side communicates with the recess.
前記処理ガス供給源から前記シャワープレートのガス入口孔に処理ガスを供給し、
前記ガス入口孔に連通する前記ガス出口孔を介して前記処理容器内の基板に対して処理ガスを供給することを特徴とする、基板処理方法。
A substrate processing method using the substrate processing apparatus according to claim 1,
Supplying a processing gas from the processing gas supply source to the gas inlet hole of the shower plate;
A substrate processing method, comprising: supplying a processing gas to a substrate in the processing container through the gas outlet hole communicating with the gas inlet hole.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014009694A JP2015138885A (en) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | substrate processing apparatus, shower plate and substrate processing method |
PCT/JP2014/083210 WO2015111329A1 (en) | 2014-01-22 | 2014-12-16 | Substrate treatment device, shower plate, and substrate treatment method |
TW104101749A TW201535563A (en) | 2014-01-22 | 2015-01-20 | Substrate treatment device, shower plate, and substrate treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014009694A JP2015138885A (en) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | substrate processing apparatus, shower plate and substrate processing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015138885A true JP2015138885A (en) | 2015-07-30 |
Family
ID=53681147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014009694A Pending JP2015138885A (en) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | substrate processing apparatus, shower plate and substrate processing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015138885A (en) |
TW (1) | TW201535563A (en) |
WO (1) | WO2015111329A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019517143A (en) * | 2016-05-20 | 2019-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Gas distribution showerhead for semiconductor processing |
JP2022095672A (en) * | 2016-10-04 | 2022-06-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Dual-channel showerhead with improved profile |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6626800B2 (en) * | 2016-08-19 | 2019-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for inspecting shower plate of plasma processing apparatus |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3986204B2 (en) * | 1999-04-27 | 2007-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus and method |
JP4222707B2 (en) * | 2000-03-24 | 2009-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus and method, gas supply ring and dielectric |
JP4933789B2 (en) * | 2006-02-13 | 2012-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
-
2014
- 2014-01-22 JP JP2014009694A patent/JP2015138885A/en active Pending
- 2014-12-16 WO PCT/JP2014/083210 patent/WO2015111329A1/en active Application Filing
-
2015
- 2015-01-20 TW TW104101749A patent/TW201535563A/en unknown
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019517143A (en) * | 2016-05-20 | 2019-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Gas distribution showerhead for semiconductor processing |
US10829855B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-11-10 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead for semiconductor processing |
JP2022095672A (en) * | 2016-10-04 | 2022-06-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Dual-channel showerhead with improved profile |
KR20220116135A (en) * | 2016-10-04 | 2022-08-22 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Dual-channel showerhead with improved profile |
JP7355872B2 (en) | 2016-10-04 | 2023-10-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Dual channel shower head with improved profile |
KR102589536B1 (en) * | 2016-10-04 | 2023-10-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Dual-channel showerhead with improved profile |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015111329A1 (en) | 2015-07-30 |
TW201535563A (en) | 2015-09-16 |
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