JP2015130263A - Organic el device manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機ＥＬデバイスの製造装置に用いて好適な技術に関する。 The present invention relates to a technique suitable for use in an organic EL device manufacturing apparatus.
有機ＥＬデバイス等の製造工程においては、被処理体であるフィルムあるいは基板の表面に所定の薄膜を成膜する工程を有することがあり、この成膜工程には、基板等に対して所定のパターンで成膜する等、特定の領域に成膜範囲を制限（限定）して成膜する場合がある。真空蒸着法にて基板に対して所定のパターンで成膜する場合を例に説明すると、処理室内に蒸発源と基板とを配置し、真空下で蒸発源から所定の材料を蒸発させる。このとき、基板の蒸発源側に、成膜範囲を限定するマスクを配置し、マスク越しに成膜することで、特定の領域にのみ成膜される。ここで、基板の特定の領域に精度よく成膜するには、処理室内で相互に対向配置される基板とマスクとの配置を精度よく計測する必要がある。 A manufacturing process of an organic EL device or the like may include a process of forming a predetermined thin film on the surface of a film or substrate that is an object to be processed. In this film forming process, a predetermined pattern is formed on the substrate or the like. In some cases, the film forming range is limited (restricted) to a specific region, such as the film forming process. A case where a film is formed in a predetermined pattern on a substrate by vacuum deposition will be described as an example. An evaporation source and a substrate are arranged in a processing chamber, and a predetermined material is evaporated from the evaporation source under vacuum. At this time, a mask for limiting the film formation range is disposed on the evaporation source side of the substrate, and film formation is performed only over a specific region by forming the film over the mask. Here, in order to form a film on a specific region of the substrate with high accuracy, it is necessary to accurately measure the arrangement of the substrate and the mask that are arranged to face each other in the processing chamber.
特許文献１に示されるように、基板とマスクとが処理チャンバ内で真空雰囲気に保たれるのに対して、センサであるカメラや照明手段等は、真空外であるチャンバ外に配置され、チャンバ壁に設けられた窓部から計測をおこなっている。 As shown in Patent Document 1, the substrate and the mask are kept in a vacuum atmosphere in the processing chamber, whereas the camera, the illumination means, and the like that are sensors are arranged outside the chamber that is outside the vacuum, Measurements are taken from the windows on the wall.
また、有機ＥＬデバイスの製造においては、特許文献２に示されるように、成膜処理終了後に成膜状態を検査することがある。 In manufacturing an organic EL device, as shown in Patent Document 2, the film formation state may be inspected after the film formation process is completed.
しかし、有機ＥＬデバイスの大型化に伴って、被処理体である基板が大型化しチャンバの容量が増えたにもかかわらず、チャンバ内における基板の搬送位置はほぼ変化させられないことにより、チャンバ外に位置するセンサと基板との距離が離間して、必要な精度で適確な測定ができなくなるという問題が生じてきた。特に、基板およびマスクと計測手段であるカメラとの距離は、ＷＤ（Working distance）とも称され、必要な精度を維持するために、これらの距離を極めて厳密に設定することが必要である。 However, with the increase in size of organic EL devices, the substrate transfer position in the chamber remains almost unchanged, despite the fact that the substrate to be processed has increased in size and the capacity of the chamber has increased. A problem has arisen in that the distance between the sensor located on the substrate and the substrate is separated and accurate measurement cannot be performed with the required accuracy. In particular, the distance between the substrate and the mask and the camera as the measurement means is also referred to as WD (Working distance), and it is necessary to set these distances very strictly in order to maintain the required accuracy.
さらに、センサ等の計測デバイスの多くは真空仕様に対応していないため、チャンバ壁部を必要な形状に変形させてセンサの位置が計測可能な配置となるように対応することが考えられるが、基板の大型化に伴いチャンバ壁が複雑な凹凸形状となってしまい、このような場合、蒸着装置のメンテナンス作業性が低下するという問題が起きる可能性があり、また、複雑な凹凸形状となってしまうチャンバ壁部からのリークや真空度の低下が発生するという問題が起きる可能性があり好ましくない。
さらに、これらの問題を解決する際に低コストに対応したいという要求があった。
Furthermore, since many measuring devices such as sensors are not compatible with vacuum specifications, it is conceivable that the chamber wall can be deformed to the required shape and the sensor position can be measured. As the substrate becomes larger, the chamber wall becomes a complicated uneven shape. In such a case, there is a possibility that the maintenance workability of the vapor deposition apparatus is lowered, and there is a complicated uneven shape. This may cause problems such as leakage from the chamber wall and a decrease in the degree of vacuum.
Furthermore, there has been a demand to cope with low costs when solving these problems.
また、有機ＥＬデバイスの製造においては、成膜処理終了後、速やかに成膜状態を検査したいという要求がある。つまり、成膜後、同一チャンバ内で検査をおこないたいという要求がある。しかし、特許文献２に示されたような紫外線等を照射する発光層などの成膜状態検査に必要な装置は極めて大型であり、成膜処理をおこなったチャンバとは別の場所に設定されて、この検査装置まで処理後の基板を移送していたため、成膜雰囲気から一度、チャンバ外を搬送した後、再度検査雰囲気にする必要があった。 Further, in the manufacture of organic EL devices, there is a demand for inspecting the film forming state immediately after the film forming process is completed. That is, there is a demand to perform inspection in the same chamber after film formation. However, the apparatus required for the film formation state inspection such as the light emitting layer that irradiates ultraviolet rays or the like as shown in Patent Document 2 is extremely large and is set in a place different from the chamber where the film formation process is performed. Since the processed substrate was transferred to the inspection apparatus, it was necessary to transfer the outside of the chamber from the film formation atmosphere once and then to make the inspection atmosphere again.
このように成膜雰囲気から、搬送雰囲気、検査雰囲気と切り替えることにより、表面汚染等により歩留まりが低下する可能性がある、さらにまた、チャンバ外で検査を実施すると作業時間を余計に要する、他装置の搬送を待つ必要があるという問題がある。さらに、真空内に設置する事で、リアルタイムに成膜情報をフィードバックすることを可能としたいという要求があった。しかも、蒸着処理において、基板チャック等で保持していた基板（被処理体）を、処理室外に出すために保持を解除し、処理室外での搬送時や検査装置内での検査時に再度保持する必要があり、このように際保持あるいは検査用に載置する際などに、蒸着膜にダメージを与える可能性があるという問題があった。さらに、検査用に再度位置合わせをする必要があり、作業効率が悪くなるためこれを改善したいという要求があった。
さらに、基板の全面においては、成膜状態検査から漏れた領域がないように、しかも、一回の動作で、一度に基板の成膜状態に対する検査を精度よくおこない、製造工程における検査にかかる時間を短縮したいという要求があった。
By switching from the film formation atmosphere to the transfer atmosphere and the inspection atmosphere in this way, there is a possibility that the yield may decrease due to surface contamination, etc. Further, if the inspection is performed outside the chamber, an extra work time is required. There is a problem that it is necessary to wait for the transfer. Furthermore, there has been a demand that it is possible to feed back film formation information in real time by installing it in a vacuum. In addition, in vapor deposition, the substrate (object to be processed) held by the substrate chuck or the like is released in order to take it out of the processing chamber, and is held again during transportation outside the processing chamber or during inspection in the inspection apparatus. Thus, there is a problem in that the deposited film may be damaged when mounted for inspection or inspection. Furthermore, since it is necessary to perform alignment again for inspection, work efficiency has deteriorated, and there has been a demand to improve this.
Furthermore, on the entire surface of the substrate, there is no area leaked from the film formation state inspection, and the inspection for the film formation state of the substrate is accurately performed at a time by one operation, and the time required for the inspection in the manufacturing process. There was a request to shorten.
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．同一チャンバ内で検査をおこない、検査精度を確保すること。
２．処理雰囲気および検査雰囲気におけるリーク発生や真空度の低下を低コストに防止すること。
３．メンテナンス性の低下を安価に防止すること。
４．歩留まりの向上と有機ＥＬデバイスの製造コスト低減とを図ること。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and intends to achieve the following object.
1. Perform inspection in the same chamber to ensure inspection accuracy.
2. Preventing the occurrence of leaks and a decrease in vacuum in the processing atmosphere and inspection atmosphere at low cost.
3. Preventing deterioration of maintainability at low cost.
4). To improve yield and reduce manufacturing cost of organic EL devices.
本発明の有機ＥＬデバイスの製造装置は、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に設けられた、減圧可能な単一の内部空間を有する成膜室を備え、前記処理室Ａから前記成膜室へ搬入された被処理体が、該成膜室の内部空間内に配された複数のゾーンを通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置であって、
前記複数のゾーンとして、
保持手段を用いて前記被処理体の裏面を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面上に蒸着膜を形成する第二ゾーン、
前記保持手段から前記被処理体の保持を解除する第三ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンにおける成膜終了後に前記被処理体の成膜状態を検査する検査手段を有する第三ゾーンが設けられ、
前記検査手段が前記内部空間に対して密閉された大気ボックスに内蔵されるとともに、前記検査手段による検査領域が前記被処理体の幅方向全域をカバーするように前記検査手段が前記被処理体の幅方向に複数設けられることにより上記課題を解決した。
本発明は、前記検査手段が前記被処理体の搬送方向に複数列設けられることが好ましい。
本発明は、前記大気ボックスには、前記計測対象を所定の波長の照射光で照らすための照射手段が搭載されることができる。
The organic EL device manufacturing apparatus of the present invention includes a film forming chamber having a single internal space that can be decompressed, provided between a processing chamber A that performs a preceding process and a processing chamber B that performs a subsequent process. The object to be processed carried into the film forming chamber from the processing chamber A passes through a plurality of zones arranged in the internal space of the film forming chamber, and is then transferred to the processing chamber B to be organic. An apparatus for manufacturing an EL device,
As the plurality of zones,
A first zone for holding the back surface of the object to be processed using a holding means;
A second zone for forming a deposited film on the surface of the object to be processed held by the holding means;
A third zone for releasing the holding of the object to be processed from the holding means;
Are arranged in order,
A third zone having inspection means for inspecting the film formation state of the object to be processed after the film formation in the second zone is completed;
The inspection means is built in an atmospheric box sealed with respect to the internal space, and the inspection means is disposed on the object to be processed so that an inspection region by the inspection means covers the entire width direction of the object to be processed. The above-mentioned problem has been solved by providing a plurality in the width direction.
In the present invention, it is preferable that the inspection means is provided in a plurality of rows in the conveyance direction of the object to be processed.
In the present invention, the atmospheric box may be equipped with an irradiating means for illuminating the measurement object with irradiation light of a predetermined wavelength.
本発明の有機ＥＬデバイスの製造装置は、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に（仕切りバルブを介して）設けられた、減圧可能な単一の内部空間を有する成膜室（チャンバ）Ｓを備え、前記処理室Ａから前記成膜室Ｓへ搬入された（平板状の）被処理体が、該成膜室Ｓの内部空間内に配された複数のゾーンを通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置であって、
前記複数のゾーンとして、
保持手段（基板チャック）を用いて前記被処理体の裏面（一面）を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面（他面）上に（陽極として機能するＩＴＯなどの）第一導電膜を蒸着し、前記第一導電膜上に正孔輸送層を蒸着し、前記正孔輸送層上に発光層を蒸着し、前記発光層上に電子輸送層を蒸着し、前記電子輸送層上に（陰極として機能する）第二導電膜を蒸着する第二ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンンの各蒸着位置のいずれかにおける成膜終了後に前記被処理体の成膜状態を検査する検査手段を有する第三ゾーンが設けられ、
前記検査手段が前記内部空間に対して密閉された大気ボックスに内蔵されるとともに、前記検査手段による検査領域が前記被処理体の幅方向全域をカバーするように前記検査手段が前記被処理体の幅方向に複数設けられることにより、成膜後ただちに同一チャンバ内において、大気圧中でないと動作保証がされていないデバイスを備えた検査装置を用いてその精度を確保して検査をおこなうことが可能となる。同時に、蒸着をおこなった成膜雰囲気から、搬送雰囲気、検査雰囲気と切り替える必要がないので、蒸着した膜への雰囲気切り替えによる影響をなくすことができる。
The organic EL device manufacturing apparatus of the present invention has a single internal pressure-reducible interior (via a partition valve) provided between a processing chamber A that performs a preceding process and a processing chamber B that performs a subsequent process. A film forming chamber (chamber) S having a space is provided, and a (planar) object to be processed carried into the film forming chamber S from the processing chamber A is disposed in the inner space of the film forming chamber S. An apparatus for manufacturing an organic EL device by passing through a plurality of zones and being carried out to the processing chamber B,
As the plurality of zones,
A first zone for holding the back surface (one surface) of the object to be processed using a holding means (substrate chuck);
A first conductive film (such as ITO functioning as an anode) is vapor-deposited on the surface (other surface) of the object held by the holding means, and a hole transport layer is vapor-deposited on the first conductive film. A second zone in which a light emitting layer is deposited on the hole transport layer, an electron transport layer is deposited on the light emitting layer, and a second conductive film (functioning as a cathode) is deposited on the electron transport layer,
Are arranged in order,
A third zone having inspection means for inspecting the film formation state of the object to be processed after film formation at any of the deposition positions of the second zone is provided;
The inspection means is built in an atmospheric box sealed with respect to the internal space, and the inspection means is disposed on the object to be processed so that an inspection region by the inspection means covers the entire width direction of the object to be processed. By providing multiple devices in the width direction, it is possible to perform inspection with high accuracy using an inspection device equipped with a device that is not guaranteed to operate unless it is under atmospheric pressure in the same chamber immediately after film formation. It becomes. At the same time, since it is not necessary to switch from the film forming atmosphere to which the vapor deposition has been performed to the transport atmosphere and the inspection atmosphere, it is possible to eliminate the influence of the atmosphere switching on the vapor deposited film.
本発明は、前記検査手段が前記被処理体の搬送方向に複数列設けられることにより、一回の動作で、一度に基板の成膜状態に対する検査を精度よくおこない、製造工程における検査にかかる時間を短縮することが可能となる。同時に、各ゾーンにおける成膜をおこなう位置での搬送動作と同じ動作により検査ゾーンでの検査動作をおこなうことができるため作業効率を安価により向上することができる。 According to the present invention, the inspection means is provided in a plurality of rows in the conveyance direction of the object to be processed, so that the inspection of the film formation state of the substrate can be accurately performed at a time by one operation, and the time required for the inspection in the manufacturing process. Can be shortened. At the same time, since the inspection operation in the inspection zone can be performed by the same operation as the transport operation at the position where film formation is performed in each zone, work efficiency can be improved at low cost.
本発明は、前記大気ボックスには、前記計測対象を所定の波長の照射光で照らすための照射手段が搭載されることにより、紫外線等を照射する発光層などの成膜状態検査をおこなうことができる。 In the present invention, the atmospheric box is equipped with an irradiation means for illuminating the measurement target with irradiation light of a predetermined wavelength, so that a film formation state inspection of a light emitting layer or the like that irradiates ultraviolet rays or the like can be performed. it can.
本発明によれば、基板サイズの大型化に対応し、成膜処理終了後、成膜雰囲気から、搬送雰囲気、検査雰囲気へと切り替えることなく、同一チャンバ内で速やかに成膜状態検査を可能とすることができる。しかも、蒸着処理において、基板チャック等で保持していた基板（被処理体）を、搬送時や検査時に再度保持あるいは検査用に載置して再度位置合わせをする必要がなく、作業効率を改善することができる。
さらに、基板の全面において漏れがないように、しかも、一回の動作で、一度に基板の成膜状態に対する検査を精度よくおこない、製造工程における検査にかかる時間を短縮することができる。同時に、検査手段（光学系カメラ）におけるＷＤ（Working distance）を所定の範囲内に設定して、成膜室内の真空度の低下やリークを生じることなく、メンテナンスの作業性の低下を防止でき、製品コストの増大を防止することが可能となる、という効果を奏することができる。
According to the present invention, in response to an increase in substrate size, it is possible to quickly perform a film formation state inspection in the same chamber without switching from a film formation atmosphere to a transfer atmosphere and an inspection atmosphere after the film formation process is completed. can do. Moreover, in the vapor deposition process, it is not necessary to hold the substrate (object to be processed) held by the substrate chuck or the like again during transportation or inspection, and to place it again for inspection, thereby improving the work efficiency. can do.
Furthermore, it is possible to accurately inspect the film formation state of the substrate at a time with a single operation so that there is no leakage on the entire surface of the substrate, and to shorten the time required for the inspection in the manufacturing process. At the same time, the WD (Working distance) in the inspection means (optical system camera) is set within a predetermined range, so that the deterioration of the maintenance workability can be prevented without causing a decrease in the degree of vacuum or leakage in the film forming chamber. There is an effect that it is possible to prevent an increase in product cost.
以下、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置を示す模式正面図であり、図において、符号１０は、有機ＥＬデバイスの製造装置である。
Hereinafter, an embodiment of an organic EL device manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic front view showing an organic EL device manufacturing apparatus according to the present embodiment. In the figure,
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０は、図１に示すように、前段のプロセスを行う処理室Ａと後段のプロセスを行う処理室Ｂとの間に、仕切りバルブＡ１、Ｂ１を介して設けられた、減圧可能な単一の内部空間Ｓ１を有する成膜室（チャンバ）Ｓを備え、前記処理室Ａから前記成膜室Ｓへ搬入された平板状の被処理体Ｗが、該成膜室Ｓの内部空間Ｓ１内に配された複数のゾーンＺ１〜Ｚ３を通過して前記処理室Ｂへ搬出されることにより有機ＥＬデバイスを製造する装置である。
As shown in FIG. 1, the organic EL
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０によって製造される有機ＥＬデバイスは、図３にその一例を示すように、ガラスや可撓性材料等とされる透明基板Ｗに、陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１が形成され、前記第一導電膜Ｖ１上に正孔輸送層Ｖ２が形成され、前記正孔輸送層Ｖ２上に発光層Ｖ３が形成され、前記発光層Ｖ３上に電子輸送層Ｖ４が形成され、前記電子輸送層Ｖ４上に陰極として機能する第二導電膜Ｖ５が形成されている。
The organic EL device manufactured by the organic EL
有機ＥＬデバイスの製造装置１０において、図１に示すように、チャンバＳに前記複数のゾーンＺ１〜Ｚ３として、保持手段（基板チャック）Ｔを用いて前記被処理体Ｗの裏面（一面）を保持する第一ゾーンＺ１、前記保持手段Ｔにより保持された前記被処理体Ｗの表面（他面）上に陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１を形成し、前記第一導電膜Ｖ１上に正孔輸送層Ｖ２を形成し、前記正孔輸送層Ｖ２上に発光層Ｖ３を形成し、前記発光層Ｖ３上に電子輸送層Ｖ４を形成し、前記電子輸送層Ｖ４上に陰極として機能する第二導電膜Ｖ５を形成する第二ゾーンＺ２、前記被処理体Ｗの移動方向における前記第二ゾーンＺ２よりも下流側位置で被処理体Ｗの成膜状態を検査するとともに保持手段Ｔから被処理体Ｗの保持を解除する第三ゾーン（検査ゾーン）Ｚ３、が順に並んで構成されている。なおこれらの第二ゾーンＺ２の各蒸着位置における蒸着源Ｅ等は、模式的に示されたものであり、それぞれの蒸着膜Ｖ１〜Ｖ５等に対応して設けられるものであり、また、蒸着源を加熱する加熱手段、温度測定手段、膜厚制御用のシャッター等は図示を省略する。また、有機ＥＬデバイスの製造装置１０における雰囲気ガス制御手段も図示を省略する。
In the organic EL
有機ＥＬデバイスの製造装置１０において、図１に示すように、第一ゾーンＺ１〜第三ゾーンＺ２に亘って、基板Ｗを吸着した基板チャックＴを搬送する基板搬送部（搬送手段）Ｌ１として、基板チャックＴの移動方向と直交する軸線を有するローラＬａが水平方向に多数並設され、図示しない駆動手段により、基板チャックＴを搬送方向Ｈに搬送する。第三ゾーンＺ３の基板搬送部Ｌ１より下側位置には、大気ボックスに収納された検査手段（光学系カメラ）Ｃ３０が設けられる。
In the organic EL
有機ＥＬデバイスの製造装置１０では、検査手段（光学系カメラ）Ｃ３０によって、第二ゾーンＺ２の各蒸着位置において、それぞれ蒸着源Ｅと被処理体（基板）Ｗの表面側との間に所望のマスクＭを設けておこなった所定の成膜状態に対して第三ゾーンＺにおいて検査処理をおこなうように、図１に示すように、第三ゾーンＺ３の基板搬送部Ｌ１より下側位置に設けられ基板チャックＴに保持された基板Ｔを蒸着面側から検査するものとされる。検査手段Ｃ３０は、第二ゾーンＺ２の各蒸着位置のいずれかにおける成膜終了後に基板（被処理体）Ｗの成膜状態を検査するものとされ、図１に示すように、内部空間Ｓ１に対して密閉された大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３に内蔵される。光学系カメラとしては、ＣＣＤカメラやＣＭＯＳセンサなど、発熱の少ないものを採用することが好ましい。
In the organic EL
検査手段（光学系カメラ）Ｃ３０は、基板Ｗの搬送方向Ｈと直交する基板幅方向Ｈｂに複数設けられる。具体的には、図３に示すように、第三ゾーンＺ３においては搬送方向Ｈに沿って順に大気ボックスＢＯ１、大気ボックスＢＯ２、大気ボックスＢＯ３が並べられる。大気ボックスＢＯ１には、撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３６が平面視して基板幅方向Ｈｂに一列となるように収納される。大気ボックスＢＯ２には、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５が平面視して基板幅方向Ｈｂに異なる列となる位置に収納されるとともに、撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａが、撮像装置（カメラ）Ｃ３４と基板幅方向Ｈｂにおいて同じ位置となるように、搬送方向Ｈに２列に設けられる。 A plurality of inspection means (optical system cameras) C30 are provided in the substrate width direction Hb orthogonal to the transport direction H of the substrate W. Specifically, as shown in FIG. 3, in the third zone Z3, an atmospheric box BO1, an atmospheric box BO2, and an atmospheric box BO3 are arranged in order along the transport direction H. In the atmospheric box BO1, an imaging device (camera) C31, an imaging device (camera) C32, an imaging device (camera) C33, and an imaging device (camera) C36 are accommodated in a line in the substrate width direction Hb in plan view. The In the atmospheric box BO2, the imaging device (camera) C34 and the imaging device (camera) C35 are housed in different positions in the substrate width direction Hb in plan view, and the imaging device (camera) C34a includes the imaging device. (Camera) Provided in two rows in the transport direction H so as to be at the same position in the substrate width direction Hb as C34.
大気ボックスＢＯ３には、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａが平面視して基板幅方向Ｈｂに一列となるように収納される。大気ボックスＢＯ３に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａと、は、大気ボックスＢＯ１に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３とは、それぞれ、対応する番号を付したものどうしが基板幅方向Ｈｂにおいて同じ位置となるように配置され、検査手段Ｃ３０として、搬送方向Ｈに２列の撮像装置（カメラ）が設けられている。 In the atmospheric box BO3, an imaging device (camera) C31a, an imaging device (camera) C32a, and an imaging device (camera) C33a are accommodated in a line in the substrate width direction Hb in plan view. The imaging device (camera) C31a, the imaging device (camera) C32a, and the imaging device (camera) C33a accommodated in the atmospheric box BO3 are the imaging device (camera) C31 and imaging device (camera) accommodated in the atmospheric box BO1. C32 and imaging device (camera) C33 are arranged such that corresponding numbers are placed in the same position in the substrate width direction Hb, and two rows of imaging devices in the transport direction H as the inspection means C30 (Camera) is provided.
大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３には、撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５、撮像装置（カメラ）Ｃ３６、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａのレンズに対応する位置に検査窓部Ｂｂが設けられて、この検査窓部Ｂｂを介して基板Ｗの撮像をおこなう。 The atmospheric boxes BO1, BO2, and BO3 include an imaging device (camera) C31, an imaging device (camera) C32, an imaging device (camera) C33, an imaging device (camera) C34, an imaging device (camera) C35, and an imaging device (camera). C36, an imaging device (camera) C31a, an imaging device (camera) C32a, an imaging device (camera) C33a, and an inspection window Bb are provided at positions corresponding to the lenses of the imaging device (camera) C34a. The substrate W is imaged via
また、大気ボックスＢＯ１に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３は、それぞれ、基板幅方向Ｈｂにおいて互いに離間した状態に配置されるが、基板幅方向Ｈｂでこれらの間となる位置には、大気ボックスＢＯ２に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３４と撮像装置（カメラ）Ｃ３５が位置して、撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５により、第三ゾーンＺ３において検査手段Ｃ３０の下側位置を搬送される基板Ｗ２（Ｗ）の基板幅方向Ｈｂにおける全幅をカバーして検査可能なように配置されている。 Further, the imaging device (camera) C31, the imaging device (camera) C32, and the imaging device (camera) C33 housed in the atmospheric box BO1 are arranged in a state of being separated from each other in the board width direction Hb. An imaging device (camera) C34 and an imaging device (camera) C35 housed in the atmospheric box BO2 are located at a position between these in the direction Hb, and the imaging device (camera) C31 and imaging device (camera) C32 are located. In the substrate width direction Hb of the substrate W2 (W) conveyed by the imaging device (camera) C33, the imaging device (camera) C34, and the imaging device (camera) C35 at the lower position of the inspection means C30 in the third zone Z3. It is arranged to cover the entire width and be inspected.
また、大気ボックスＢＯ１に収納された撮像装置（カメラ）Ｃ３６は、第三ゾーンＺ３において検査手段Ｃ３０の下側位置を搬送される基板Ｗ２（Ｗ）の縁部を認識し、被検査基板Ｗ２（Ｗ）の全幅となる全領域が検査されるように、基板Ｗの位置を測定するものとされる。 Further, the imaging device (camera) C36 stored in the atmospheric box BO1 recognizes the edge of the substrate W2 (W) transported in the lower position of the inspection means C30 in the third zone Z3, and the substrate to be inspected W2 ( The position of the substrate W is measured so that the entire area having the full width W) is inspected.
これらの撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５、撮像装置（カメラ）Ｃ３６、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａには、それぞれ、基板幅方向Ｈｂにおいて同じ位置となるように、照射手段Ｌが設けられる。照射手段Ｌはいずれも、各照射手段Ｌに対応した検査窓部Ｂｂを介して所定の波長の照射光で基板Ｗを照らすためのものとされ、蒸着される各層における有機ＥＬ材料の吸光特性により、発光層Ｖ３が吸光する吸光波長を除いて吸光しない波長のみを照射可能となっている。 These imaging device (camera) C31, imaging device (camera) C32, imaging device (camera) C33, imaging device (camera) C34, imaging device (camera) C35, imaging device (camera) C36, imaging device (camera) C31a The imaging device (camera) C32a, the imaging device (camera) C33a, and the imaging device (camera) C34a are each provided with irradiation means L so as to be at the same position in the substrate width direction Hb. All of the irradiation means L are for illuminating the substrate W with irradiation light of a predetermined wavelength through the inspection window portion Bb corresponding to each irradiation means L, and depending on the light absorption characteristics of the organic EL material in each layer to be deposited In addition, it is possible to irradiate only wavelengths that do not absorb light except for the light absorption wavelength at which the light emitting layer V3 absorbs light.
例えば、検査窓部Ｂｂの照射部分にフィルタとしての光学的反射防止膜が設けられて、発光層Ｖ３が吸光する吸光波長を除いて吸光しない波長のみを照射可能とすることができる。また、照射手段Ｌ３６は、撮像装置（カメラ）Ｃ３６によって基板Ｗの位置を測定可能な照明光を照射可能なものとされる。 For example, an optical antireflection film as a filter is provided on the irradiated portion of the inspection window portion Bb, and it is possible to irradiate only the wavelengths that do not absorb light except the light absorbing wavelength that the light emitting layer V3 absorbs. The irradiation unit L36 can irradiate illumination light capable of measuring the position of the substrate W by the imaging device (camera) C36.
検査手段Ｃ３０においては、撮像装置（カメラ）Ｃ３１と撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２と撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３と撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３４と撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａは、基板幅方向Ｈｂで同じ位置、つまり、搬送される基板Ｗの同じ領域を、異なる撮像装置（カメラ）で、２度検査するものとされる。これにより、撮像装置（カメラ）Ｃ３１における検査精度の再現性を撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａにより担保している。同様に、撮像装置（カメラ）Ｃ３２における検査精度の再現性を撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａにより担保し、撮像装置（カメラ）Ｃ３３における検査精度の再現性を撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａにより担保し、撮像装置（カメラ）Ｃ３４における検査精度の再現性を撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａにより担保している。 In the inspection means C30, an imaging device (camera) C31 and an imaging device (camera) C31a, an imaging device (camera) C32 and an imaging device (camera) C32a, an imaging device (camera) C33 and an imaging device (camera) C33a, an imaging device The (camera) C34 and the imaging device (camera) C34a are to inspect the same position in the substrate width direction Hb, that is, the same region of the substrate W to be transported twice with different imaging devices (cameras). Thereby, the reproducibility of the inspection accuracy in the imaging device (camera) C31 is secured by the imaging device (camera) C31a. Similarly, the reproducibility of inspection accuracy in the imaging device (camera) C32 is secured by the imaging device (camera) C32a, and the reproducibility of inspection accuracy in the imaging device (camera) C33 is secured by the imaging device (camera) C33a. The reproducibility of inspection accuracy in the apparatus (camera) C34 is secured by the imaging apparatus (camera) C34a.
大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３には、いずれも真空性能として、収納側となる内部が大気圧、外部が例えば１×１０−５Ｐａ程度の高真空であっても、歪み発生がないという条件を設定することができる。検査手段Ｃ３０は、大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３の内部から図示しない真空対応の端子および真空対応のケーブルによってチャンバＳの外部に設けられた図示しない制御部等に接続されて検査結果を出力する。また、大気ボックスＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３を搬送方向Ｈに３分割された構成としたが、単一の大気ボックス、あるいは、他の個数の大気ボックスとすることもできる。 The atmospheric boxes BO1, BO2 and BO3 all have a vacuum performance such that there is no distortion even if the inside on the storage side is atmospheric pressure and the outside is a high vacuum of about 1 × 10 −5 Pa, for example. Can be set. The inspection means C30 is connected from the inside of the atmospheric boxes BO1, BO2, and BO3 to a control unit (not shown) provided outside the chamber S by a vacuum compatible terminal and a vacuum compatible cable (not shown), and outputs the inspection result. In addition, although the atmospheric boxes BO1, BO2, and BO3 are divided into three in the transport direction H, a single atmospheric box or other number of atmospheric boxes can be used.
次に、本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造装置１０における有機ＥＬデバイスの製造動作について説明する。
Next, an organic EL device manufacturing operation in the organic EL
本実施形態においては、処理室Ａにおいて前段のプロセスを行い、この前処理が終了した基板Ｗを図示しない、搬送手段により仕切りバルブＡ１を介してチャンバＳ内に搬送する。
次いで、第一ゾーンＺ１において、基板チャック（保持手段）Ｔを用いて基板（被処理体）Ｗの裏面（一面）を保持する。
In the present embodiment, the previous process is performed in the processing chamber A, and the substrate W after the preprocessing is transferred into the chamber S via the partition valve A1 by a transfer means (not shown).
Next, in the first zone Z1, the back surface (one surface) of the substrate (object to be processed) W is held using the substrate chuck (holding means) T.
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第二ゾーンＺ２の第一の蒸着位置に移動し、基板Ｗの表面（下面）上に陽極として機能するＩＴＯ等の第一導電膜Ｖ１を形成する。 Next, the substrate chuck T is moved to the first vapor deposition position in the second zone Z2 by the substrate transport unit L1, and the first conductive film V1 such as ITO functioning as an anode is formed on the surface (lower surface) of the substrate W.
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第二の蒸着位置に移動し、同様にして、第一導電膜Ｖ１上にマスクＭのパターンＭａに応じた正孔輸送層Ｖ２を形成する。 Next, the substrate chuck T is moved to the second vapor deposition position by the substrate transport unit L1, and similarly, the hole transport layer V2 corresponding to the pattern Ma of the mask M is formed on the first conductive film V1.
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第三の蒸着位置に移動し、同様にして、正孔輸送層Ｖ２上にマスクＭのパターンＭａに応じた発光層Ｖ３を形成する。 Next, the substrate chuck T is moved to the third vapor deposition position by the substrate transport unit L1, and similarly, the light emitting layer V3 corresponding to the pattern Ma of the mask M is formed on the hole transport layer V2.
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第四の蒸着位置に移動し、同様にして、発光層Ｖ３上にマスクＭのパターンＭａに応じた電子輸送層Ｖ４を形成する。 Next, the substrate chuck T is moved to the fourth deposition position by the substrate transport unit L1, and similarly, the electron transport layer V4 corresponding to the pattern Ma of the mask M is formed on the light emitting layer V3.
次いで、基板チャックＴを基板搬送部Ｌ１によって第五の蒸着位置に移動し、同様にして、電子輸送層Ｖ４上にマスクＭのパターンＭａに応じた第二導電膜Ｖ５を形成する。 Next, the substrate chuck T is moved to the fifth vapor deposition position by the substrate transfer portion L1, and similarly, the second conductive film V5 corresponding to the pattern Ma of the mask M is formed on the electron transport layer V4.
本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造装置１０においては、第二ゾーンＺ２の第五の蒸着位置までの成膜終了後に同一のチャンバＳ内において検査手段Ｃ３０により基板Ｗの成膜状態を検査する。
In the organic EL
具体的には、図３に示すように、蒸着処理（成膜処理）の終了した基板Ｗ１（Ｗ）が基板搬送部Ｌ１により第三ゾーンＺ３に搬送されてくると、基板Ｗ２（Ｗ）として示す位置まできたときに、照射手段Ｌ３６により照明するとともに撮像装置（カメラ）Ｃ３６により、基板Ｗの縁部を撮像して計測し、基板Ｗ２が基板幅方向Ｈｂにおいて所定の場所に位置して、基板幅方向Ｈｂの全域でこの基板Ｗ２が検査可能かどうかを確認する。同時に、照射手段Ｌによって所定の照射光を照射しつつ、撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３によって、基板Ｗを搬送方向Ｈに沿った帯状に連続撮像し、欠陥等の不具合の有無検出および膜厚測定をおこなう。これにより、基板Wの搬送方向Ｈの全長に亘って各カメラＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３３が帯状に検査をおこなう。 Specifically, as shown in FIG. 3, when the substrate W1 (W) after the deposition process (film formation process) is transferred to the third zone Z3 by the substrate transfer unit L1, the substrate W2 (W) is obtained. When the position shown in the figure is reached, the illumination means L36 illuminates and the imaging device (camera) C36 images and measures the edge of the substrate W, and the substrate W2 is positioned at a predetermined location in the substrate width direction Hb. It is confirmed whether or not the substrate W2 can be inspected over the entire region in the substrate width direction Hb. At the same time, the substrate W is continuously imaged in a belt shape along the transport direction H by the imaging device (camera) C31, the imaging device (camera) C32, and the imaging device (camera) C33 while irradiating predetermined irradiation light by the irradiation means L. Then, the presence / absence of defects such as defects is detected and the film thickness is measured. Thereby, each camera C31, C32, C33 inspects in strip shape over the full length of conveyance direction H of substrate W.
さらに、基板Ｗが搬送されると、同様にして、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５によって、基板Ｗを搬送方向Ｈに沿った帯状に連続撮像し、欠陥等の不具合の有無検出および膜厚測定をおこなう。このとき、撮像装置（カメラ）Ｃ３４は、撮像装置（カメラ）Ｃ３１と撮像装置（カメラ）Ｃ３２とで撮像した帯状領域の間の帯状部分を、また、撮像装置（カメラ）Ｃ３５は、撮像装置（カメラ）Ｃ３２と撮像装置（カメラ）Ｃ３３とで撮像した帯状領域の間の帯状部分を撮像する。これにより、第１段となる撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５によって、基板Ｗの全域が検査される。 Further, when the substrate W is transported, similarly, the imaging device (camera) C34 and the imaging device (camera) C35 continuously image the substrate W in a belt shape along the transport direction H, and whether there is a defect such as a defect. Perform detection and film thickness measurement. At this time, the imaging device (camera) C34 uses the imaging device (camera) C31 and the imaging device (camera) C32 to capture the band-like portion between the belt-like regions, and the imaging device (camera) C35 uses the imaging device (camera) C35. The belt-like portion between the belt-like regions imaged by the camera) C32 and the imaging device (camera) C33 is imaged. Accordingly, the entire area of the substrate W is inspected by the imaging device (camera) C31, the imaging device (camera) C32, the imaging device (camera) C33, the imaging device (camera) C34, and the imaging device (camera) C35 as the first stage. Is done.
さらに、基板Ｗが搬送されると、同様にして、第２段となる撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａによって、再度、基板Ｗ３（Ｗ）が検査される。このとき、第１段のカメラと、第２段のカメラで、同様の波長帯の照射光による同じ検査を２度して検査の制限製を担保することもできるし、異なる波長帯の照射光による異なる内容の検査をおこなうように設定することも可能である。 Further, when the substrate W is transported, the image pickup device (camera) C34a, the image pickup device (camera) C31a, the image pickup device (camera) C32a, and the image pickup device (camera) C33a, which are the second stage, are again used. The substrate W3 (W) is inspected. At this time, with the first stage camera and the second stage camera, the same inspection with the irradiation light of the same wavelength band can be performed twice to ensure limited inspection, or the irradiation light of different wavelength bands It is also possible to set to inspect different contents according to.
検査手段Ｃ３０の検査終了後、図３に示すように、基板Ｗ４（Ｗ）は判別工程である第八ゾーンＺ８へと搬送され、検査手段Ｃ３０の検査結果によって、良好と判定された場合には、矢印Ｗ６に示すようにライン上を次工程へ搬送され、不良と判断された場合には、矢印Ｗ５に示すように製造ラインから待避させる。不良と判断された基板Ｗは、一時保管した後、蒸着工程に戻すこともできるし、処理室Ｓ外に取り出すこともできる。 After completion of the inspection by the inspection means C30, as shown in FIG. 3, the substrate W4 (W) is transported to the eighth zone Z8, which is a discrimination process, and if determined to be good by the inspection result of the inspection means C30 If it is determined that the line is conveyed to the next process as indicated by an arrow W6 and is determined to be defective, it is retracted from the production line as indicated by an arrow W5. The substrate W determined to be defective can be temporarily stored and then returned to the vapor deposition process or taken out of the processing chamber S.
次いで、検査・判定工程が終了した基板Ｗは、基板チャックＴによる保持を解除するとともに、このチャンバＳ内における処理が終了した基板Ｗを、図示しない搬送手段により仕切りバルブＢ１を介して処理室Ｂにおける後段のプロセスへと搬送する。 Next, the substrate W that has been inspected / determined is released from being held by the substrate chuck T, and the substrate W that has been processed in the chamber S is transferred to the processing chamber B via the partition valve B1 by a transfer means (not shown). To the subsequent process.
本実施形態における有機ＥＬデバイスの製造装置１０によれば、基板幅方向Ｈｂおよび搬送方向Ｈに複数列・複数段配置された撮像装置（カメラ）Ｃ３１、撮像装置（カメラ）Ｃ３２、撮像装置（カメラ）Ｃ３３、撮像装置（カメラ）Ｃ３４、撮像装置（カメラ）Ｃ３５、撮像装置（カメラ）Ｃ３６、撮像装置（カメラ）Ｃ３１ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３２ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３３ａ、撮像装置（カメラ）Ｃ３４ａを有する検査手段Ｃ３０によって、蒸着成膜後ただちに同一チャンバＳ内において検査をおこなうことにより、蒸着をおこなった成膜雰囲気から、雰囲気を切り替えることなく成膜状態の検査をおこなうことができる。これにより、蒸着した膜への雰囲気切り替えによる影響をなくすことができる。基板サイズが大型化した場合であってもこれに対応して、成膜室Ｓ内の真空度の低下やリークを生じることなく、一度に基板Ｗの成膜状態に対する検査を精度よくおこない、製造工程における検査にかかる時間を短縮することが可能となる。同時に、第二ゾーンＺ２の各蒸着位置における成膜をおこなう位置での搬送動作と同じ動作により検査ゾーンＺ３での検査動作をおこなうことができるため作業効率を安価により向上することができる。
According to the organic EL
さらに、大気ボックスＢＯ１〜ＢＯ３が密閉されていることにより、検査デバイス等の計測手段が良好に動作して精度よく検査することが可能となる。また、計測手段Ｃ３０を大気ボックスＢＯの内部に収納したことにより、計測手段（光学系カメラ）Ｃ３０におけるＷＤ（Working distance）を所定の範囲内に設定して、基板Ｗへの蒸着状態、特に、発光層Ｖ３などの検査を精度よくおこなうことを安価に可能とすることができる。同時に、真空中では正常動作が確実でない計測デバイスを用いても安価にかつ精度よく計測をおこなうことができる。また、チャンバＳの内壁形状を、この計測用に複雑な凹凸形状とする必要がないので、メンテナンス性を確保し、また、リーク発生の可能性を低減して、同時に、製品コストの増大を防止することが可能となる。 Furthermore, since the atmospheric boxes BO1 to BO3 are hermetically sealed, the measuring means such as the inspection device operates favorably and can be inspected with high accuracy. Further, by storing the measuring means C30 in the atmospheric box BO, the WD (Working distance) in the measuring means (optical system camera) C30 is set within a predetermined range, and the deposition state on the substrate W, in particular, It is possible to inexpensively perform the inspection of the light emitting layer V3 and the like with high accuracy. At the same time, measurement can be carried out at low cost and with high accuracy even when using a measurement device whose normal operation is not reliable in vacuum. In addition, since the inner wall shape of the chamber S does not need to be a complicated uneven shape for this measurement, maintenance is ensured, and the possibility of occurrence of leakage is reduced, and at the same time, an increase in product cost is prevented. It becomes possible to do.
１０…有機ＥＬデバイスの製造装置
Ｃ３０…検査手段
Ｃ３１，Ｃ３１ａ，Ｃ３２，Ｃ３２ａ，Ｃ３３，Ｃ３３ａ，Ｃ３４，Ｃ３４ａ，Ｃ３５，Ｃ３６，…撮像手段（カメラ）
Ｚ１〜Ｚ３…ゾーン
Ｌ１…基板搬送部（搬送手段）
ＢＯ１，ＢＯ２，ＢＯ３…大気ボックス
Ｂｂ…検査窓部
Ｈ…搬送方向(進行方向）
Ｈｂ…基板幅方向
Ｍ…マスク
Ｅ…蒸着源
Ｗ…基板（被処理体）
Ｔ…基板チャック（保持手段）
Ｓ…チャンバ（成膜室）
Ｓ１…内部空間
ＸＹ…ＸＹステージ（調整手段）
Ｌ，Ｌ３６…照射手段
Ａ１，Ｂ１…仕切りバルブ
10 ... Organic EL device manufacturing apparatus C30 ... Inspection means C31, C31a, C32, C32a, C33, C33a, C34, C34a, C35, C36, ... Imaging means (camera)
Z1 to Z3 ... Zone L1 ... Substrate transport section (transport means)
BO1, BO2, BO3 ... atmospheric box Bb ... inspection window H ... transport direction (traveling direction)
Hb ... substrate width direction M ... mask E ... evaporation source W ... substrate (object to be processed)
T ... Substrate chuck (holding means)
S ... Chamber (deposition chamber)
S1 ... Internal space XY ... XY stage (adjustment means)
L, L36 ... Irradiation means A1, B1 ... Partition valve
Claims (3)
前記複数のゾーンとして、
保持手段を用いて前記被処理体の裏面を保持する第一ゾーン、
前記保持手段により保持された前記被処理体の表面上に蒸着膜を形成する第二ゾーン、
前記保持手段から前記被処理体の保持を解除する第三ゾーン、
が順に並んで構成されており、
前記第二ゾーンにおける成膜終了後に前記被処理体の成膜状態を検査する検査手段を有する第三ゾーンが設けられ、
前記検査手段が前記内部空間に対して密閉された大気ボックスに内蔵されるとともに、前記検査手段による検査領域が前記被処理体の幅方向全域をカバーするように前記検査手段が前記被処理体の幅方向に複数設けられることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造装置。 A film formation chamber having a single internal space that can be decompressed is provided between a process chamber A that performs a preceding process and a process chamber B that performs a subsequent process. An object for manufacturing an organic EL device by passing an object to be processed to a processing chamber B through a plurality of zones arranged in the internal space of the film forming chamber,
As the plurality of zones,
A first zone for holding the back surface of the object to be processed using a holding means;
A second zone for forming a deposited film on the surface of the object to be processed held by the holding means;
A third zone for releasing the holding of the object to be processed from the holding means;
Are arranged in order,
A third zone having inspection means for inspecting the film formation state of the object to be processed after the film formation in the second zone is completed;
The inspection means is built in an atmospheric box sealed with respect to the internal space, and the inspection means is disposed on the object to be processed so that an inspection region by the inspection means covers the entire width direction of the object to be processed. 2. An organic EL device manufacturing apparatus, comprising a plurality of organic EL devices provided in the width direction.
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005085605A (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Ulvac Japan Ltd | Deposition device |
| JP2005281859A (en) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Deposition thickness measurement method, material layer deposition method, deposition thickness measurement device, and material layer deposition apparatus |
| JP2007265850A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Konica Minolta Holdings Inc | Method and device of manufacturing organic electroluminescent element |
| US20120009332A1 (en) * | 2010-07-12 | 2012-01-12 | Kim Sang-Yeol | Method of manufacturing organic light-emitting display device |
| JP2012502177A (en) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー，リミテッド | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method using the same |
| JP2013189678A (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Hitachi Zosen Corp | Vapor deposition apparatus |
| JP2014515789A (en) * | 2011-04-20 | 2014-07-03 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Measuring apparatus and method for vapor deposition applications |
-
2014
- 2014-01-07 JP JP2014000982A patent/JP6270205B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005085605A (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Ulvac Japan Ltd | Deposition device |
| JP2005281859A (en) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Deposition thickness measurement method, material layer deposition method, deposition thickness measurement device, and material layer deposition apparatus |
| JP2007265850A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Konica Minolta Holdings Inc | Method and device of manufacturing organic electroluminescent element |
| JP2012502177A (en) * | 2008-09-05 | 2012-01-26 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー，リミテッド | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method using the same |
| US20120009332A1 (en) * | 2010-07-12 | 2012-01-12 | Kim Sang-Yeol | Method of manufacturing organic light-emitting display device |
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