JP2015099870A - Surface-emitting type semiconductor laser, surface-emitting type semiconductor laser array, method for manufacturing surface-emitting type semiconductor laser, surface-emitting type semiconductor laser device, optical transmission device and information processor - Google Patents
Surface-emitting type semiconductor laser, surface-emitting type semiconductor laser array, method for manufacturing surface-emitting type semiconductor laser, surface-emitting type semiconductor laser device, optical transmission device and information processor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015099870A JP2015099870A JP2013239756A JP2013239756A JP2015099870A JP 2015099870 A JP2015099870 A JP 2015099870A JP 2013239756 A JP2013239756 A JP 2013239756A JP 2013239756 A JP2013239756 A JP 2013239756A JP 2015099870 A JP2015099870 A JP 2015099870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- semiconductor
- type semiconductor
- semiconductor layer
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置に関する。 The present invention relates to a surface emitting semiconductor laser, a surface emitting semiconductor laser array, a method for manufacturing a surface emitting semiconductor laser, a surface emitting semiconductor laser device, an optical transmission device, and an information processing device.
面発光型半導体レーザは、通信や画像形成用の光源に利用されている。このような面発光型半導体レーザには、高速動作および低消費電力化が求められている。面発光型半導体レーザの高速動作を実現させるために、活性層上にトンネル接合層を形成したり(特許文献1)、配線およびボンディングパッドとn側電極との間に低誘電率の絶縁性誘電体の厚さを厚くしている(特許文献2)。 Surface emitting semiconductor lasers are used as light sources for communication and image formation. Such a surface emitting semiconductor laser is required to operate at high speed and reduce power consumption. In order to realize a high-speed operation of the surface emitting semiconductor laser, a tunnel junction layer is formed on the active layer (Patent Document 1), or an insulating dielectric having a low dielectric constant between the wiring and the bonding pad and the n-side electrode. The thickness of the body is increased (Patent Document 2).
本発明は、配線の寄生容量を低減した面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置を提供することを目的とする。 The present invention provides a surface-emitting semiconductor laser, a surface-emitting semiconductor laser array, a surface-emitting semiconductor laser manufacturing method, a surface-emitting semiconductor laser device, an optical transmission device, and an information processing device with reduced parasitic capacitance of wiring. For the purpose.
請求項1は、半絶縁性の半導体基板上に形成された、第1導電型の半導体層、第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域および第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を含む柱状構造と、第1導電型の半導体層に電気的に接続される第1の電極と、第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される第2の電極と、第1の電極に接続された第1の金属配線と、第2の電極に接続された第2の金属配線とを有し、前記第1導電型の半導体層は、前記柱状構造の側面から延在した接続領域を含み、当該接続領域に第1の電極が接続され、第1の金属配線および第2の金属配線と前記半導体基板との間には前記第1導電型の半導体層が存在しない、面発光型半導体レーザ。
請求項2は、面発光型半導体レーザはさらに、第1の金属配線に接続された第1の電極パッドと、第2の金属配線に接続された第2の電極パッドとを含み、第1の電極パッドおよび第2の電極パッドと前記半導体基板との間には前記第1導電型の半導体層が存在しない、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項3は、前記柱状構造は、前記半絶縁性の半導体基板を露出させる溝内に形成され、前記溝が絶縁材料によって充填され、当該絶縁材料の表面に第1および第2の金属配線が形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項4は、前記絶縁材料には、前記半導体層を露出させる接続孔が形成され、第1の電極は前記接続孔内に形成される、請求項3に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項5は、前記半導体層の接続領域は、延在部分を介して前記柱状構造内の半導体層と接続され、前記延在部分の膜厚は前記接続領域の膜厚よりも厚い、請求項1ないし4いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ。
請求項6は、第1および第2の金属配線は、前記柱状構造の底部に形成される、請求項1または2に記載の面発光型半導体レーザ。
請求項7は、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザが複数形成された面発光型半導体レーザアレイ。
請求項8は、半絶縁性の半導体基板上に、第1導電型の半導体層、第1導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、活性領域および第2導電型の第2の半導体多層膜反射鏡を形成する工程と、第2の半導体多層膜反射鏡から前記半導体層に至るまでエッチングして溝内に柱状構造を形成する工程と、前記柱状構造の側面の一部から前記半導体層が延在されるように前記半導体層をエッチングして前記半導体基板を露出させる工程と、前記溝内に絶縁材料を充填する工程と、前記半導体層を露出させる接続孔を前記絶縁材料に形成する工程と、前記接続孔を介して前記半導体層に接続する第1の電極、および前記柱状構造の頂部の第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される第2の電極を形成する工程とを有する面発光型半導体レーザの製造方法。
請求項9は、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。
請求項10は、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。
請求項11は、請求項1ないし6いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。
According to a first aspect of the present invention, a first conductive type semiconductor layer, a first conductive type first semiconductor multilayer reflector, an active region, and a second conductive type second layer are formed on a semi-insulating semiconductor substrate. A columnar structure including a semiconductor multilayer reflector, a first electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor multilayer reflector And a first metal wiring connected to the first electrode and a second metal wiring connected to the second electrode, wherein the first conductivity type semiconductor layer is a side surface of the columnar structure. A first electrode is connected to the connection region, and the semiconductor layer of the first conductivity type is provided between the first metal wiring and the second metal wiring and the semiconductor substrate. A surface emitting semiconductor laser that does not exist.
According to a second aspect of the present invention, the surface emitting semiconductor laser further includes a first electrode pad connected to the first metal wiring, and a second electrode pad connected to the second metal wiring, 2. The surface-emitting type semiconductor laser according to claim 1, wherein the semiconductor layer of the first conductivity type does not exist between the electrode pad and the second electrode pad and the semiconductor substrate.
According to a third aspect of the present invention, the columnar structure is formed in a groove that exposes the semi-insulating semiconductor substrate, the groove is filled with an insulating material, and first and second metal wirings are formed on the surface of the insulating material. The surface emitting semiconductor laser according to claim 1, wherein the surface emitting semiconductor laser is formed.
According to a fourth aspect of the present invention, in the surface emitting semiconductor laser according to the third aspect, the connection hole for exposing the semiconductor layer is formed in the insulating material, and the first electrode is formed in the connection hole.
According to a fifth aspect of the present invention, the connection region of the semiconductor layer is connected to the semiconductor layer in the columnar structure through an extending portion, and the film thickness of the extending portion is thicker than the film thickness of the connection region. 5. The surface emitting semiconductor laser according to any one of 1 to 4.
The surface emitting semiconductor laser according to claim 1, wherein the first and second metal wirings are formed at a bottom portion of the columnar structure.
A seventh aspect of the present invention provides a surface emitting semiconductor laser array in which a plurality of the surface emitting semiconductor lasers according to any one of the first to sixth aspects are formed.
According to another aspect of the present invention, a first conductive type semiconductor layer, a first conductive type first semiconductor multilayer film reflector, an active region, and a second conductive type second semiconductor multilayer film are formed on a semi-insulating semiconductor substrate. A step of forming a reflecting mirror, a step of etching from the second semiconductor multilayer film reflecting mirror to the semiconductor layer to form a columnar structure in the groove, and a step of forming the columnar structure in a part of the side surface of the columnar structure. Etching the semiconductor layer to be extended to expose the semiconductor substrate, filling the trench with an insulating material, and forming a connection hole in the insulating material to expose the semiconductor layer And forming a first electrode connected to the semiconductor layer through the connection hole, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor multilayer mirror at the top of the columnar structure; For manufacturing surface-emitting semiconductor lasers having cavities
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a surface emitting semiconductor laser device comprising the surface emitting semiconductor laser according to any one of the first to sixth aspects and an optical member that receives light from the surface emitting semiconductor laser.
A tenth aspect includes the surface-emitting type semiconductor laser according to any one of the first to sixth aspects, and a transmission unit that transmits the laser light emitted from the surface-emitting type semiconductor laser through an optical medium. Optical transmission device.
An eleventh aspect of the present invention is the surface emitting semiconductor laser according to any one of the first to sixth aspects, condensing means for condensing a laser beam emitted from the surface emitting semiconductor laser on a recording medium, and the concentrating element. And an information processing apparatus having a mechanism for scanning the recording medium with the laser beam condensed by the optical means.
請求項1によれば、第1の金属配線および第2の金属配線と半導体基板との間に導電性の半導体層が存在する場合と比較して、第1の金属配線および第2の金属配線の寄生容量を低減することができる。
請求項2によれば、第1の電極パッドおよび第2の電極パッドの直下に半導体層が存在する場合と比較して、第1の電極パッドおよび第2の電極パッドの寄生容量を低減することができる。
請求項3、4、6によれば、第1および第2の金属配線を同一平面に形成することができる。
請求項5によれば、半導体層の抵抗を減少させることができる。
請求項8によれば、高速動作が可能な面発光型半導体レーザを提供することができる。
According to the first aspect, the first metal wiring and the second metal wiring are compared with the case where the conductive semiconductor layer exists between the first metal wiring and the second metal wiring and the semiconductor substrate. Parasitic capacitance can be reduced.
According to claim 2, the parasitic capacitance of the first electrode pad and the second electrode pad is reduced as compared with the case where the semiconductor layer is present immediately below the first electrode pad and the second electrode pad. Can do.
According to the third, fourth, and sixth aspects, the first and second metal wirings can be formed on the same plane.
According to the fifth aspect, the resistance of the semiconductor layer can be reduced.
According to claim 8, it is possible to provide a surface emitting semiconductor laser capable of high-speed operation.
インターネットトラフィックの情報量が爆発的に増加し長距離光通信技術の高速化、大容量化が研究開発されているが、短距離通信においてもデータセンターやスーパーコンピュータ等産業用情報機器やパーソナルコンピューター(パソコン)や携帯電話等の民生用情報機器においても高機能化により情報量が増加してきている。情報量の増加に対応する光インターコネクション技術が研究開発されているが、今後は大容量に対応するだけでなくシステムの低消費電力化が求められる。光モジュールを考えると、これまでに小型化かつ低消費電力化のために面発光レーザを用いた研究開発が進められてきた。更なる低消費電力化のためには、使用する面発光レーザの駆動電流を低減する必要がある。しかし駆動電流を低減するだけでは変調特性も劣化してしまうため、変調特性を劣化せずに駆動電流値を下げることが求められている。 The amount of information on Internet traffic has increased explosively, and research and development of high-speed and large-capacity long-distance optical communication technologies are being conducted. However, even in short-distance communications, industrial information equipment such as data centers and supercomputers and personal computers ( In consumer information devices such as personal computers (PCs) and mobile phones, the amount of information is increasing due to higher functionality. Optical interconnection technology that responds to the increase in information volume has been researched and developed, but in the future, not only will it support large capacity, but it will also require low power consumption in the system. Considering optical modules, research and development using surface-emitting lasers have been promoted so far for miniaturization and low power consumption. In order to further reduce power consumption, it is necessary to reduce the drive current of the surface emitting laser to be used. However, simply reducing the drive current also degrades the modulation characteristics, so it is required to reduce the drive current value without degrading the modulation characteristics.
以下の説明では、面発光型半導体レーザをVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)と称する。なお、図面のスケールは、発明の特徴を分かり易くするために強調しており、必ずしも実際のデバイスのスケールと同一ではないことに留意すべきである。 In the following description, the surface emitting semiconductor laser is referred to as a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser). It should be noted that the scale of the drawings is emphasized for easy understanding of the features of the invention and is not necessarily the same as the scale of an actual device.
図1は、本発明の第1の実施例に係るVCSELの概略平面図である。同図において、番号10は、1つのVCSELが形成されたチップを表している。チップ10は、複数のVCSELが形成されたウエハーから切断されるものである。チップ10は、半絶縁性の半導体基板を用いて構成され、半絶縁性の半導体基板上に積層された半導体層をエッチングすることにより溝12が形成され、溝12内には、発光部として機能する円柱状のメサMが形成されている。メサMは、後に詳細に説明するように、半絶縁性の半導体基板に積層されたn型のコンタクト層、コンタクト層上に形成されたn型の下部半導体多層膜反射鏡、活性領域およびp型の上部半導体多層膜反射鏡を含んでいる。
FIG. 1 is a schematic plan view of a VCSEL according to the first embodiment of the present invention. In the figure,
溝12は、メサMとメサMの側面の一部から延在するコンタクト層40を除き、半絶縁性の半導体基板を露出させるように形成され、溝12は、樹脂等の絶縁材料70によって充填される。メサMの頂部には、環状のp側電極20が形成され、p側電極20の中央の開口が光出射口20Aを規定する。p側電極20に接続される引き出し用の金属配線22は、絶縁材料70の表面を延在し、p側の電極パッド30に接続される。また、メサMの側面から延在するコンタクト層40を露出させるコンタクトホールが絶縁材料70に形成され、そのコンタクトホール内にコンタクト層40と接続するn側電極50が形成される。引き出し用の金属配線52は、コンタクトホールの側面を介してn側電極50に接続される。さらに引き出し用の金属配線52は、絶縁材料70の表面を延在し、n側の電極パッド60に接続される。
The
図1(B)は、コンタクト層40を拡大した平面図である。同図に示すように、メサMの側面からは、コンタクト層40が距離Dで延在している。コンタクト層40は、n側電極50と下部半導体多層膜反射鏡間の導電経路を提供する。従って、距離Dは小さいことが望ましいが、他方、n側電極50とコンタクト層40との接触面積を十分に確保できる程度でなければならない。
FIG. 1B is an enlarged plan view of the
コンタクト層40下側の半円状の実線Q1は、メサMの側面とほぼ同一の側面を構成する。上側の半円状の破線Q2は、メサMの側面(外形)を表しており、従って、コンタクト層40は、メサMの側面Q2から側方へ延在する延在領域42を含んでいる。延在領域42は、メサMの径とほぼ等しい幅を有し、その端部44で幅が幾分広くなっている。端部44に示された破線46は、n側電極50との接触領域または絶縁材料70に形成されたコンタクトホールを表している。図示する例では、メサMの側面の曲率に応じてn側電極50が円弧状に形成され、それ故、端部44が円弧状に加工されている。上記したように、メサMを形成するときの最初のエッチングでは、基板上の全体のコンタクト層40が残存され、2回目のエッチングでは、図1(B)に示すようなコンタクト層40が残存されように半絶縁性の基板が露出される。こうして、2段階のエッチングにより、メサM、コンタクト層40を含む溝12が形成される。
The semicircular solid line Q1 below the
次に、本実施例のVCSELの詳細な構成を図2を参照して説明する。図2(A)、(B)、(C)は、図1のA−A線、B−B線およびC−C線断面図である。図2(B)に示すように、本実施例のVCSELは、半絶縁性(真性)のGaAs半導体基板100上に、n型のコンタクト層40、コンタクト層40上に形成された高屈折率材料の半導体層と低屈折率材料の半導体層を交互に重ねたn型の下部分布ブラック型反射鏡(Distributed Bragg Reflector:以下、DBRという)102、下部DBR102上に形成された850nm帯の光を発光する活性領域104、活性領域104上に形成された高屈折率材料の半導体層と低屈折率材料の半導体層を交互に重ねたp型の上部DBR106を含んで構成される。
Next, the detailed configuration of the VCSEL of this embodiment will be described with reference to FIG. 2A, 2B, and 2C are cross-sectional views taken along lines AA, BB, and CC in FIG. As shown in FIG. 2B, the VCSEL of the present embodiment has an n-
コンタクト層40は、GaAs基板に格子整合可能な半導体材料から構成され、好ましくはGaAsから構成される。コンタクト層40は、n側電極50と下部DBR102との間の電気的な通路を提供するものであるから電気的抵抗が小さいことが望ましい。従って、コンタクト層40は、不純物濃度が比較的高い層であることが望ましく、n側電極50とオーミック接続されることが望ましい。n型不純物であるシリコンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、1〜5×1019cm-3であり、下部DBR102を構成する層よりも不純物濃度が高くされる。また、コンタクト層40の膜厚は、比較的厚いことが望ましく、下部DBR102を構成する層の膜厚よりも厚い。
The
下部DBR102は、例えば、Al0.9Ga0.1As層とAl0.3Ga0.7As層とのペアの複数層積層体であり、各層の厚さはλ/4nr(但し、λは発振波長、nrは媒質の屈折率)であり、これらを40ペアで積層している。n型不純物であるシリコンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、3×1018cm-3である。
The
活性領域104は、例えばアンドープのAl0.6Ga0.4As層から成る下部スペーサ層と、アンドープAl0.11Ga0.89As量子井戸層およびアンドープのAl0.3Ga0.7As障壁層からなる量子井戸構造と、量子井戸構造上に形成されるアンドープのAl0.6Ga0.4As層から成る上部スペーサ層とから構成される。
The
上部DBR106は、例えば、Al0.9Ga0.1As層とAl0.3Ga0.7As層とのペアの複数層積層体であり、各層の厚さはλ/4nrであり、これらを24ペアで積層している。p型不純物であるカーボンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、3×1018cm-3である。
The
上部DBR106の一部の低屈折率材料がAlAsまたはAlGaAs(例えば、Al0.98Ga0.02As)に置換される。酸化工程において、メサ内のAlAs層またはAlGaAs層が選択的に酸化され、電流狭窄層108が形成される。電流狭窄層108は、電気的に高抵抗または絶縁領域の酸化領域108Aと当該酸化領域108Aによって囲まれた非酸化領域108Bとを有し、これにより、p側電極20から注入されたキャリアが非酸化領域108B内で横方向に閉じ込められる。非酸化領域(酸化アパーチャ)108Bの径を適宜選択することで、基本横モードまたは高次横モードの制御が可能である。電流狭窄層108は、活性領域104の直上に形成してもよいが、その場合、電流狭窄層による光閉じ込め効果が大きくなり発光スペクトルが広がってしまうので、活性領域104と電流狭窄層108との間にDBRを構成する層を少なくとも1層介在させることが好ましい。
A portion of the low refractive index material of the
また、素子の直列抵抗を下げるために、上部DBR106および/または下部DBR102中には、Al0.9Ga0.1As層とAl0.3Ga0.7As層との間に、その中間のアルミニウム混晶比を有する中間(グレーデッド)層を設けるようにしてもよい。
Further, in order to reduce the series resistance of the device, the
基板上に形成された溝12は、例えばポリイミドやBCB(ベンゾシクロブテン)などの絶縁材料70によって充填される。好ましくは、絶縁材料70の表面72は、図2(B)に示すように上部DBR106の表面とほぼ同一であることが望ましい。例えば、液状の絶縁材料70をウエハー上にスピンコートし、その後、硬化した絶縁材料70をCMP等により平坦化処理するようにしてもよい。
The
絶縁材料70には、図2(A)、(C)に示すようにコンタクト層40を露出させるためのコンタクトホール74が形成される。n側電極50は、例えばAuやGe/Auから構成され、コンタクトホール74を介してコンタクト層40に接続される。引き出し用の金属配線52およびn側の電極パッド60は、絶縁材料70の表面72上に形成される。引き出し用の金属配線52およびn側の電極パッド60は、n側電極50と同時に形成することができる。
As shown in FIGS. 2A and 2C, a
メサMの頂部には、例えば、AuまたはTi/Auなどから構成された環状のp側電極20が形成され、p側電極20は、上部DBR106に電気的に接続される。好ましくは上部DBR106の最上層に不純物濃度が高いp型のGaAsコンタクト層を形成することでp側電極110とのオーミック接続を得ることができる。引き出し用の金属配線22およびp側の電極パッド60は、絶縁材料70の表面72上に形成される。引き出し用の金属配線22およびp側の電極パッド60は、p側電極20と同時に形成することができる。
An annular p-
なお、図1、図2に示す構成は、本発明の実施例の主要な構成を例示するものである。従って、例えば、光出射口20Aが露出されているが、光出射口20Aは、発振波長に対して透明な誘電体材料からなる保護膜によって覆われるようにしてもよい。また、メサMの底部、側面および頂部の周縁を覆うシリコン酸化物やシリコン窒化物等SiONやSiN等の層間絶縁膜が形成されるものであってもよい。
The configuration shown in FIGS. 1 and 2 illustrates the main configuration of the embodiment of the present invention. Therefore, for example, the
次に、本実施例のVCSELの変調特性と低消費電力の関係について説明する。VCSELの変調特性は、次式に示されるような電気による帯域制限f1と光による帯域制限f2の積で決定される。ここで、Cは容量、Rは抵抗、Iは駆動電流(バイアス電流)、Ithは抵抗、σg/σnは微分利得を表す。
VCSELの低消費電力化を達成するためには駆動電流Iを低減すればよいが、駆動電流Iを低減するだけではf2が小さくなるため、変調特性が劣化してしまう。そこで、容量Cを低減することができればf1が改善され、全体として変調特性を劣化させることなく駆動電流Iを低減させることができる。 In order to achieve the low power consumption of the VCSEL, the drive current I may be reduced. However, simply reducing the drive current I results in a decrease in f2, which degrades the modulation characteristics. Therefore, if the capacitance C can be reduced, f1 is improved, and the drive current I can be reduced without degrading the modulation characteristics as a whole.
VCSELの容量成分は、大きくVCSELのメサ内部とメサ外部とに分けることができる。メサ内部の代表的な容量成分は、下部DBR102と上部DBR106との間に存在する電流狭窄層(酸化層)である。他方、メサ外部では、引き出し用の金属配線や電極パッドが絶縁膜上に形成され、その絶縁膜の膜厚によって寄生容量が決まる。
The capacity component of the VCSEL can be roughly divided into the inside of the VCSEL mesa and the outside of the mesa. A typical capacitive component inside the mesa is a current confinement layer (oxide layer) existing between the
図3は、基板の表面側にp側の電極パッドとn側の電極パッドを形成する従来のVCSELの概略断面図である。比較を容易にするため、対応する構成には本実施例と同一の参照番号を用いている。従来のVCSELでは、半絶縁性の基板100上にn型のコンタクト層40が形成され、コンタクト層40が溝12の底部を構成する。そして、溝12内に絶縁材料70が充填され、絶縁材料70の表面に引き出し用の金属配線22、32、p側の電極パッド30およびn側の電極パッド60が形成される。つまり、引き出し用の金属配線22、32、p側の電極パッド30およびn側の電極パッド60の下方にはコンタクト層40が存在するため、そこに寄生容量が発生し、この寄生容量によって帯域制限f1が低減されてしまう。絶縁材料70の膜厚が厚くなれば寄生容量を小さくできるが、絶縁材料70の膜厚は、メサMの高さすなわちメサMの光学特性に依存するため、膜厚をむやみに大きくすることはできない。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a conventional VCSEL in which a p-side electrode pad and an n-side electrode pad are formed on the surface side of a substrate. In order to facilitate the comparison, the same reference numerals as in this embodiment are used for corresponding configurations. In a conventional VCSEL, an n-
これに対し、本実施例のVCSELでは、コンタクト層40がメサMから距離Dで延在するだけであり、それ以外の溝12の底部は半絶縁性の半導体基板によって構成される。つまり、引き出し用の金属配線22、52、p側の電極パッド30およびn側の電極パッド60の直下あるいは下方の半導体基板100との間には、コンタクト層40を含む導電領域が存在しない。このため、金属配線22、52および電極パッド30、60の寄生容量を実質的になくすかあるいは大幅に削減することができる。従って、本実施例のVCSELでは、電気による帯域制限f1を増加させることができ、その結果、全体として変調特性を劣化させることなく駆動電流Iを低減して低消費電力化を図ることができる。
On the other hand, in the VCSEL of this embodiment, the
なお、上記実施例では、溝12がチップ10の外周に沿うような矩形状に形成されたが、溝12は必ずしも矩形状に限らず、その他の形状、例えば円形状、楕円状であってもよい。また、上記実施例では、コンタクト層40の平面形状を図1(B)に示すような形状にしたが、平面形状は任意である。要は、コンタクト層40の平面形状は、引き出し用の金属配線22、32、p側の電極パッド30およびn側の電極パッド60の下方にコンタクト層が存在せず、構造上の寄生容量を発生させなければよい。
In the above-described embodiment, the
次に、本発明の第2の実施例に係るVCSELの断面図を図4に示す。第2の実施例に係るVCSELは、第1の実施例のVCSELと同様の構成を有するが、メサMが2段階のエッチングにより構成され、その結果、コンタクト層40Aの延在領域42Aの膜厚が第1の実施例のときの延在領域42の膜厚よりも厚く形成される。これにより、コンタクト層40の抵抗を減少させることができるので、変調特性のさらなる改善をすることができる。
Next, FIG. 4 shows a sectional view of a VCSEL according to the second embodiment of the present invention. The VCSEL according to the second embodiment has the same configuration as that of the VCSEL of the first embodiment, but the mesa M is formed by two-stage etching, and as a result, the film thickness of the
次に、本発明の第3の実施例に係るVCSELの断面図を図5に示す。第3の実施例に係るVCSELは、第1の実施例のように絶縁材料70による溝12の充填を行わずに、p側の電極パッド30およびn側の電極パッド60が溝12の底部にそれぞれ形成される。第3の実施例では、溝12を含む基板全面にSiONまたはSiN等の層間絶縁膜110が形成され、次に、層間絶縁膜110には、メサMの頂部の上部DBR106を露出させるコンタクトホール112と、コンタクト層40を露出させるコンタクトホール114が形成される。コンタクトホール112を介して環状のp側電極20が形成される。引き出し用の金属配線22およびp側の電極パッド30は、メサMの底部の層間絶縁膜110上に形成される。また、n側電極50は、コンタクトホール114を介してコンタクト層40に接続される。引き出し用の金属配線52およびn側の電極パッド60は、メサMの底部の層間絶縁膜110上に形成される。
Next, FIG. 5 shows a cross-sectional view of a VCSEL according to a third embodiment of the present invention. The VCSEL according to the third embodiment does not fill the
第3の実施例によれば、金属配線22、52、p側の電極パッド30およびn側の電極パッド60の直下または下方には、層間絶縁膜110および半絶縁正の半導体基板100が存在するだけであり、構造上の寄生容量が実質的になくなるか大幅に削除することができる。それ故、第1の実施例と同様に、変調特性を改善することができるとともに、低消費電力化を図ることができる。
According to the third embodiment, the
次に、本発明の第4の実施例について説明する。図6は、第4の実施例に係るVCSELアレイの平面図である。同図に示すVCSELアレイのチップ10Aは、第1の実施例のときと同様に半絶縁性の半導体基板に到達する深さの溝12が形成される。溝12内に複数のメサM1〜M4が形成され、各メサから延在するコンタクト層はエッチングによりそれぞれ分離されている。つまり、金属配線52は、コンタクト層40を介して対応するメサの下部DBR102に電気的に接続され、隣接するメサの下部DBR102とは電気的に絶縁されている。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a plan view of a VCSEL array according to the fourth embodiment. In the
このように本実施例のVCSELアレイによれば、各メサの寄生容量が低減されるだけでなく、n側のコンタクト層40が各メサ毎に分離されているため、VCSELを高周波駆動した際の電気的なクロストークを抑制することができる。なお、上記のアレイは、複数のメサが一次元に配列されるものであるが、複数のメサが二次元に配列されるものであってもよい。例えば、円周方向の複数のコアを有するマルチコアファイバに光結合されるVCSELアレイであれば、複数のメサは、基板上に円周方向に配列される。
As described above, according to the VCSEL array of this embodiment, not only the parasitic capacitance of each mesa is reduced, but also the n-
次に、本発明の実施例に係るVCSELの製造方法について説明する。有機金属気相成長法(MOCVD法)により、図7(A)に示すように半絶縁性のGaAs半導体基板上に、GaAsコンタクト層40、下部DBR102、活性領域104および上部DBR106が順次積層される。次に、図7(B)に示すように、上部DBR106上にエッチングマスクK1を形成し、当該エッチングマスクK1を用いて半導体層を異方性ドライエッチングすることにより溝12内に円柱状のメサMが形成される。エッチングマスクK1は、例えば窒化シリコン膜から構成され、エッチャントには例えば塩素系のガスが用いられる。メサMを形成するエッチングは、コンタクト層40が露出するようにエッチングの深さが制御される。
Next, a method for manufacturing a VCSEL according to an embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 7A, a
次に、メサM内のAlAs層の酸化が行われる。例えば、ウエハーを350℃の水蒸気に約20分間接触させて、いわゆるウェット酸化を実施する。この酸化工程によりメサ側面からAlAs層が酸化されてAl2O3の酸化領域108Aと非酸化領域108Bとが形成される。このとき、GaAsコンタクト層40が露出されるが、コンタクト層40にはAlが含まれていないのでほとんど酸化されない。
Next, the AlAs layer in the mesa M is oxidized. For example, a so-called wet oxidation is performed by bringing a wafer into contact with water vapor at 350 ° C. for about 20 minutes. By this oxidation process, the AlAs layer is oxidized from the side surface of the mesa to form an oxidized
次に、エッチングマスクK1を除去し、図7(C)に示すように、メサMとその側面から延在するコンタクト層40を覆うようなエッチングマスクK2が形成され、当該エッチングマスクK2を用いてコンタクト層40の異方性ドライエッチングが行われる。好ましくはエッチングマスクK2として、例えばレジスト、エッチャントとして塩素系のガスを用いる。レジストを用いた場合、レジストが後退してサイドエッチングが進行する。コンタクト層40の側面Q1は、元のメサと段差がない構造にするが、そのためにはサイドエッチングが進行して元のメサと重なるようにする。メサと重なるまではレジストの後退によってサイドエッチングが進行するが、メサと重なると元のメサとまとめてエッチングされるため段差のない側面Q1が得られる。こうして、エッチングマスクK2で覆われていない領域のコンタクト層40が除去され、半絶縁性の基板100が露出される。
Next, the etching mask K1 is removed, and as shown in FIG. 7C, an etching mask K2 is formed so as to cover the mesa M and the
次に、図8(D)に示すように、溝12が絶縁材料70によって埋め込まれる。絶縁材料70は、例えば、樹脂は、ポリイミドやベンゾシクロブテン(BCB)が用いら得る。また、絶縁材料70の平坦化処理を行い、絶縁材料70の表面と上部DBR106の表面との間に段差が生じないようにしてもよい。
Next, as shown in FIG. 8D, the
次に、公知のフォトリソ工程を用い、図8(E)に示すように、絶縁材料70にコンタクト層40の接触領域46を露出させるためのコンタクトホール74が形成される。そして、メサMの頂部にはp側電極20が形成される。p側電極20の形成と同時に引き出し用の金属配線22およびp側の電極パッド30が形成されるようにしてもよい。また、コンタクトホール74内にn側電極50が形成される。n側電極50の形成と同時に引き出し用の金属配線52およびn側の電極パッド60が形成されるようにしてもよい。
Next, using a known photolithography process, a
次に、第2の実施例に係るVCSELの製造工程を図9に示す。図9(A)に示すようなエッチングマスクK1を用いて異方性ドライエッチングが行われ、メサ前駆体Maが形成される。このエッチングにより、コンタクト層40が露出される。次に、エッチングマスクK1を除去した後、図9(B)に示すようなエッチングマスクK2を用いて異方性ドライエッチングが行われ、メサ前駆体Maの一部が除去される。このエッチングは、少なくともAlAs層が露出される深さであればよい。次に、エッチングマスクK2を除去した後、酸化処理が行われ、メサMのAlAs層が選択酸化され電流狭窄層108が形成される。次に、図9(C)に示すようなエッチングマスクK3が形成され、コンタクト層40がパターンニングされ、半絶縁性の半導体基板が露出される。以後の工程は、第1の実施例のVCSELと同様である。
Next, a manufacturing process of the VCSEL according to the second embodiment is shown in FIG. An anisotropic dry etching is performed using an etching mask K1 as shown in FIG. 9A to form a mesa precursor Ma. By this etching, the
上記実施例では、典型的な形状としてメサを円柱状としたが、これに限らずメサは楕円状であってもよい。さらにVCSELを構成する半導体材料は、GaAs/AlGaAs系のみならず、発振波長等に応じて、III−V族の化合物半導体を適宜選択することができる。 In the above embodiment, the mesa has a columnar shape as a typical shape. However, the mesa may be elliptical. Further, as a semiconductor material constituting the VCSEL, not only a GaAs / AlGaAs system but also a III-V group compound semiconductor can be appropriately selected according to an oscillation wavelength or the like.
次に、本実施例のVCSELを利用した面発光型半導体レーザ装置、情報処理装置および光伝送装置について図面を参照して説明する。図10(A)は、VCSELと光学部材を実装(パッケージ)した面発光型半導体レーザ装置の構成を示す断面図である。面発光型半導体レーザ装置300は、VCSELが形成されたチップ310を、導電性接着剤320を介して円盤状の金属ステム330上に固定する。導電性のリード340、342は、ステム330に形成された貫通孔(図示省略)内に挿入され、一方のリード340は、VCSELのn側電極に電気的に接続され、他方のリード342は、p側電極に電気的に接続される。
Next, a surface emitting semiconductor laser device, an information processing device, and an optical transmission device using the VCSEL of the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 10A is a cross-sectional view illustrating a configuration of a surface emitting semiconductor laser device in which a VCSEL and an optical member are mounted (packaged). In the surface emitting
チップ310を含むステム330上に矩形状の中空のキャップ350が固定され、キャップ350の中央の開口352内に光学部材のボールレンズ360が固定されている。ボールレンズ360の光軸は、チップ310のほぼ中心と一致するように位置決めされる。リード340、342間に順方向の電圧が印加されると、チップ310から垂直方向にレーザ光が出射される。チップ310とボールレンズ360との距離は、チップ310からのレーザ光の広がり角θ内にボールレンズ360が含まれるように調整される。また、キャップ内に、VCSELの発光状態をモニターするための受光素子や温度センサを含ませるようにしてもよい。
A rectangular
図10(B)は、他の面発光型半導体レーザ装置の構成を示す図であり、同図に示す面発光型半導体レーザ装置302は、ボールレンズ360を用いる代わりに、キャップ350の中央の開口352内に平板ガラス362を固定している。平板ガラス362の中心は、チップ310のほぼ中心と一致するように位置決めされる。チップ310と平板ガラス362との距離は、平板ガラス362の開口径がチップ310からのレーザ光の広がり角度θ以上になるように調整される。
FIG. 10B is a diagram showing the configuration of another surface emitting semiconductor laser device. The surface emitting
図11は、VCSELを情報処理装置の光源に適用した例を示す図である。情報処理装置370は、図10(A)または図10(B)のようにVCSELを実装した面発光型半導体レーザ装置300または302からのレーザ光を入射するコリメータレンズ372、一定の速度で回転し、コリメータレンズ372からの光線束を一定の広がり角で反射するポリゴンミラー374、ポリゴンミラー374からのレーザ光を入射し反射ミラー378を照射するfθレンズ376、ライン状の反射ミラー378、反射ミラー378からの反射光に基づき潜像を形成する感光体ドラム(記録媒体)380を備えている。このように、VCSELからのレーザ光を感光体ドラム上に集光する光学系と、集光されたレーザ光を光体ドラム上で走査する機構とを備えた複写機やプリンタなど、情報処理装置の光源として利用することができる。
FIG. 11 is a diagram illustrating an example in which a VCSEL is applied to a light source of an information processing device. As shown in FIG. 10A or 10B, the
図12は、図10(A)に示す面発光型半導体レーザ装置を光伝送装置に適用したときの構成を示す断面図である。光伝送装置400は、ステム330に固定された円筒状の筐体410、筐体410の端面に一体に形成されたスリーブ420、スリーブ420の開口422内に保持されるフェルール430、およびフェルール430によって保持される光ファイバ440を含んで構成される。ステム330の円周方向に形成されたフランジ332には、筐体410の端部が固定される。フェルール430は、スリーブ420の開口422に正確に位置決めされ、光ファイバ440の光軸がボールレンズ360の光軸に整合される。フェルール430の貫通孔432内に光ファイバ440の芯線が保持されている。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a configuration when the surface-emitting type semiconductor laser device shown in FIG. 10A is applied to an optical transmission device. The
チップ310の表面から出射されたレーザ光は、ボールレンズ360によって集光され、集光された光は、光ファイバ440の芯線に入射され、送信される。上記例ではボールレンズ360を用いているが、これ以外にも両凸レンズや平凸レンズ等の他のレンズを用いることができる。さらに、光伝送装置400は、リード340、342に電気信号を印加するための駆動回路を含むものであってもよい。さらに、光伝送装置400は、光ファイバ440を介して光信号を受信するための受信機能を含むものであってもよい。さらにボールレンズ等の光学部材を用いることなくVCSELと光ファイバとが直接光学的に結合されるものであってもよい。さらにマルチコアファイバを用いる場合には、それに対応したVCSELアレイが用いられる。
The laser light emitted from the surface of the
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 The preferred embodiment of the present invention has been described in detail above, but the present invention is not limited to the specific embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention described in the claims. Deformation / change is possible.
10:VCSEL
20:p側電極
22:引き出し用の金属配線
30:p側の電極パッド
40:コンタクト層
42:延在領域
44:接触領域
50:n側電極
52:引き出し用の金属配線
60:n側の電極パッド
70:絶縁材料
74:コンタクトホール
100:GaAs半絶縁性の半導体基板
102:下部DBR
104:活性領域
106:上部DBR
108:電流狭窄層
108A:酸化領域
108B:非酸化領域
110:層間絶縁膜
112、114:コンタクトホール
10: VCSEL
20: p-side electrode 22: lead-out metal wiring 30: p-side electrode pad 40: contact layer 42: extension region 44: contact region 50: n-side electrode 52: lead-out metal wiring 60: n-side electrode Pad 70: Insulating material 74: Contact hole 100: GaAs semi-insulating semiconductor substrate 102: Lower DBR
104: Active region 106: Upper DBR
108:
Claims (11)
第1導電型の半導体層に電気的に接続される第1の電極と、
第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される第2の電極と、
第1の電極に接続された第1の金属配線と、
第2の電極に接続された第2の金属配線とを有し、
前記第1導電型の半導体層は、前記柱状構造の側面から延在した接続領域を含み、当該接続領域に第1の電極が接続され、第1の金属配線および第2の金属配線と前記半導体基板との間には前記第1導電型の半導体層が存在しない、面発光型半導体レーザ。 A first conductive type semiconductor layer, a first conductive type first semiconductor multilayer reflector, an active region, and a second conductive type second semiconductor multilayer reflector formed on a semi-insulating semiconductor substrate A columnar structure including
A first electrode electrically connected to the semiconductor layer of the first conductivity type;
A second electrode electrically connected to the second semiconductor multilayer film reflector;
A first metal wiring connected to the first electrode;
A second metal wiring connected to the second electrode,
The semiconductor layer of the first conductivity type includes a connection region extending from a side surface of the columnar structure, a first electrode is connected to the connection region, and the first metal wiring, the second metal wiring, and the semiconductor A surface emitting semiconductor laser in which the semiconductor layer of the first conductivity type does not exist between the substrate and the substrate.
第2の半導体多層膜反射鏡から前記半導体層に至るまでエッチングして溝内に柱状構造を形成する工程と、
前記柱状構造の側面の一部から前記半導体層が延在されるように前記半導体層をエッチングして前記半導体基板を露出させる工程と、
前記溝内に絶縁材料を充填する工程と、
前記半導体層を露出させる接続孔を前記絶縁材料に形成する工程と、
前記接続孔を介して前記半導体層に接続する第1の電極、および前記柱状構造の頂部の第2の半導体多層膜反射鏡に電気的に接続される第2の電極を形成する工程とを有する面発光型半導体レーザの製造方法。 A first conductive type semiconductor layer, a first conductive type first semiconductor multilayer reflector, an active region, and a second conductive type second semiconductor multilayer reflector are formed on a semi-insulating semiconductor substrate. Process,
Etching from the second semiconductor multilayer reflector to the semiconductor layer to form a columnar structure in the groove;
Etching the semiconductor layer to expose the semiconductor substrate so that the semiconductor layer extends from a part of a side surface of the columnar structure; and
Filling the groove with an insulating material;
Forming a connection hole in the insulating material to expose the semiconductor layer;
Forming a first electrode connected to the semiconductor layer through the connection hole, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor multilayer film reflecting mirror at the top of the columnar structure. Manufacturing method of surface emitting semiconductor laser.
面発光型半導体レーザからの光を入射する光学部材とを実装した面発光型半導体レーザ装置。 A surface-emitting type semiconductor laser according to any one of claims 1 to 6,
A surface emitting semiconductor laser device mounted with an optical member that receives light from a surface emitting semiconductor laser.
前記面発光型半導体レーザから発せられたレーザ光を光媒体を介して伝送する伝送手段とを備えた光伝送装置。 A surface-emitting type semiconductor laser according to any one of claims 1 to 6,
An optical transmission apparatus comprising: transmission means for transmitting laser light emitted from the surface-emitting type semiconductor laser through an optical medium.
前記面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構とを有する情報処理装置。
A surface-emitting type semiconductor laser according to any one of claims 1 to 6,
Condensing means for condensing the laser light emitted from the surface emitting semiconductor laser onto a recording medium;
An information processing apparatus comprising: a mechanism for scanning the recording medium with the laser beam condensed by the condensing unit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013239756A JP6206669B2 (en) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser array, method for manufacturing surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013239756A JP6206669B2 (en) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser array, method for manufacturing surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015099870A true JP2015099870A (en) | 2015-05-28 |
JP6206669B2 JP6206669B2 (en) | 2017-10-04 |
Family
ID=53376300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013239756A Active JP6206669B2 (en) | 2013-11-20 | 2013-11-20 | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser array, method for manufacturing surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6206669B2 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9640944B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-05-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing optical semiconductor element |
WO2017212888A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | Semiconductor device and production method therefor |
WO2017212887A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | Vertical-cavity surface-emitting laser |
JP2019016628A (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-31 | 富士ゼロックス株式会社 | Optical semiconductor element |
JP2019153706A (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 富士ゼロックス株式会社 | Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof |
WO2021125054A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
CN115400926A (en) * | 2021-05-27 | 2022-11-29 | 创兆光有限公司 | Semiconductor laser dielectric layer and manufacturing method of semiconductor laser |
WO2023160589A1 (en) * | 2022-02-25 | 2023-08-31 | 晶智达光电股份有限公司 | Semiconductor laser and packaging structure thereof |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103907A (en) * | 2005-09-07 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | Optical element and method of manufacturing |
JP2008047717A (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Fuji Xerox Co Ltd | Surface-emitting semiconductor laser element with improved high frequency characteristic |
WO2009078232A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Nec Corporation | Surface light emitting laser |
JP2010258054A (en) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Fuji Xerox Co Ltd | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, optical information processing device, and method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser |
JP2011114146A (en) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor light emitting device |
-
2013
- 2013-11-20 JP JP2013239756A patent/JP6206669B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103907A (en) * | 2005-09-07 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | Optical element and method of manufacturing |
JP2008047717A (en) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Fuji Xerox Co Ltd | Surface-emitting semiconductor laser element with improved high frequency characteristic |
WO2009078232A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Nec Corporation | Surface light emitting laser |
JP2010258054A (en) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Fuji Xerox Co Ltd | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, optical information processing device, and method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser |
JP2011114146A (en) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Hamamatsu Photonics Kk | Semiconductor light emitting device |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9640944B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-05-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing optical semiconductor element |
WO2017212888A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | Semiconductor device and production method therefor |
WO2017212887A1 (en) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | Vertical-cavity surface-emitting laser |
JP2019016628A (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-31 | 富士ゼロックス株式会社 | Optical semiconductor element |
JP7106820B2 (en) | 2017-07-03 | 2022-07-27 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | Optical semiconductor device |
JP2019153706A (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-12 | 富士ゼロックス株式会社 | Surface emitting semiconductor laser and manufacturing method thereof |
WO2021125054A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device |
CN115400926A (en) * | 2021-05-27 | 2022-11-29 | 创兆光有限公司 | Semiconductor laser dielectric layer and manufacturing method of semiconductor laser |
CN115400926B (en) * | 2021-05-27 | 2024-05-10 | 创兆光有限公司 | Dielectric layer of semiconductor laser and manufacturing method of semiconductor laser |
WO2023160589A1 (en) * | 2022-02-25 | 2023-08-31 | 晶智达光电股份有限公司 | Semiconductor laser and packaging structure thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6206669B2 (en) | 2017-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6206669B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser array, method for manufacturing surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
US8731012B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method, surface emitting semiconductor laser device, optical transmitter, and information processor | |
JP5092432B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, method for manufacturing surface emitting semiconductor laser, optical apparatus, light irradiation apparatus, information processing apparatus, optical transmission apparatus, optical space transmission apparatus, and optical transmission system | |
US8465993B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser device, optical transmission device, and information processing apparatus | |
US8295318B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser, vertical-cavity-surface-emitting-laser device, optical transmission apparatus, and information processing apparatus | |
JP2006351798A (en) | Tunnel junction type surface emitting semiconductor laser device and method of manufacturing same | |
JP2007150009A (en) | Surface-emitting semiconductor laser and its manufacturing method | |
US20150099317A1 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser array, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, information processing apparatus, and method of producing surface emitting semiconductor laser | |
JP5092533B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, optical device, light irradiation device, information processing device, light transmission device, space optical transmission device, and light transmission system | |
JP2011142252A (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processor | |
JP5672012B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP2012009727A (en) | Surface emission semiconductor laser, surface emission semiconductor laser device, optical transmission device, and information processor | |
JP5782883B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP6015340B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP4892941B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser device and manufacturing method thereof | |
JP5381180B2 (en) | Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmitter, and information processing apparatus | |
US8842709B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, manufacturing method for surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP5515722B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
US8270448B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser | |
JP6197602B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser array, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP2016025292A (en) | Plane emission semiconductor laser, plane emission semiconductor laser device, optical transmission device and information processing unit | |
JP6237075B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device | |
JP2007329193A (en) | Surface-emission semiconductor laser device, and its fabrication process | |
US8311073B2 (en) | Semiconductor laser, semiconductor laser device, and fabrication method of semiconductor laser | |
JP2009238815A (en) | Surface light-emitting semiconductor laser and manufacturing method therefor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160623 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170518 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170809 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6206669 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |