JP2015089093A - Crystal oscillator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は水晶振動子に関し、特にATカットの水晶振動子に関するもので、簡単な構成で誘導性リアクタンスと抵抗の比(以下「Q」と書く)の高い水晶振動子を得る事を図るものである。ATカットの水晶振動子はBTカットの水晶振動子と比較して、共振周波数の温度依存性が低く、多方面で使用されている。 The present invention relates to a crystal resonator, and more particularly to an AT-cut crystal resonator, and is intended to obtain a crystal resonator having a high ratio of inductive reactance and resistance (hereinafter referred to as “Q”) with a simple configuration. is there. The AT-cut quartz resonator has a lower temperature dependency of the resonance frequency than the BT-cut quartz resonator, and is used in various fields.
水晶振動子を用いた発振回路は、水晶発振子の共振周波数によって定められた周波数で発振を行うため、上記のように温度依存性の低い水晶発振子は発振回路の周波数安定に寄与する。そして水晶発振子の厚みによって決定され、結晶の質量の大きな部分に振動エネルギーが集中する。 Since an oscillation circuit using a crystal resonator oscillates at a frequency determined by the resonance frequency of the crystal oscillator, the crystal oscillator having a low temperature dependency as described above contributes to the frequency stabilization of the oscillation circuit. Then, it is determined by the thickness of the crystal oscillator, and the vibration energy is concentrated in a portion where the mass of the crystal is large.
つまり水晶振動子の結晶に電極を構成した場合、その電極部分の質量が大きいため、この部分にエネルギーが集中する。従って水晶振動子の中心部分にエネルギーを集中させる事によってエネルギーの無駄を排除し、もってQ値を高くすることができる。このような技術として、特許文献1に開示されたものがある。 That is, when an electrode is formed on the crystal of a crystal resonator, the mass of the electrode portion is large, and energy concentrates on this portion. Therefore, by concentrating energy on the central portion of the crystal resonator, waste of energy can be eliminated and the Q value can be increased. As such a technique, there is one disclosed in
特許文献1に開示されたものは、円形の水晶の結晶の両面に多層の円形の電極を設け、多層の電極は上層のに行くに従って直径が小さくなっている。これによって、中心部の厚さが厚くなり、電極下に振動エネルギーを閉じ込め、結果としてQ値を高くするようにしている。 In the device disclosed in
しかしながら、特許文献1に開示された技術は、生産に際して電極を多層に形成する必要があり、生産に際しては薄膜を形成する工程すなわちスパッタリングやを蒸着などを複数回行う必要がある。このため生産性が低く、コストも高くなるという問題がある。特許文献2に開示された技術は、電極が1層のみであり、上記のような問題がない。しかしながら、特許文献2に開示された技術では、水晶表面を直接加工する必要があった。 However, in the technique disclosed in
上記の説明のとおり特許文献1に開示された従来の水晶振動子は、Qを高くする効果はあるものの、生産性が低いという問題があった。 As described above, the conventional crystal resonator disclosed in
また特許文献2に開示された従来の水晶振動子は、Qを高くするとともに、生産性が高いものであるが、さらに高い生産性が求められている。 The conventional crystal resonator disclosed in
本発明は以上の点に着目し、Qを高くするとともに、電極形成の工数が少なく、生産性の高い水晶振動子を提供しようとするものである。 The present invention pays attention to the above points, and aims to provide a crystal resonator with high Q and high manufacturability with few electrode forming steps.
以上の課題を解決するため、本発明の水晶振動子は、水晶素板の主面に励振用の電極を設け、その一主面あるいは両主面の励振用電極上に、水晶素板の厚みの2〜10%に相当する厚さに対して凸型電極と水晶の密度の比を掛けた一定の厚さで、尚且つ外周から中心に向かって徐々に幅が狭くなる複数の凸型電極を形成した。 In order to solve the above problems, the crystal resonator of the present invention is provided with an excitation electrode on the main surface of the crystal base plate, and the thickness of the crystal base plate on the excitation electrode on one main surface or both main surfaces. A plurality of convex electrodes having a constant thickness obtained by multiplying the thickness corresponding to 2 to 10% of the ratio of the density of the convex electrode and the quartz, and gradually decreasing from the outer periphery toward the center. Formed.
本発明の水晶振動子は、水晶振動子の中心部分にエネルギーを集中させる事によってエネルギーの無駄を排除し、もってQ値を高くすることができ、さらに水晶振動子の中心部分にエネルギーを集中させる手段として、特定の厚さの電極を外周から中心に向かって徐々に幅が狭くなるようにしたため、電極形成が容易となる。 The crystal resonator of the present invention eliminates energy waste by concentrating energy on the central portion of the crystal resonator, thereby increasing the Q value, and further concentrating energy on the central portion of the crystal resonator. As a means, an electrode having a specific thickness is gradually narrowed from the outer periphery toward the center, so that the electrode formation is facilitated.
つまり本発明の水晶振動子は、特定の厚みの電極を形成すれば良い為、生産性が高い。また電極の幅を変えるためには、半導体製造において従来から利用されているフォトレジストを用いたウェットエッチングまたはリフトオフプロセスによって形成することが可能で、従来よりある設備をそのまま使用することができる。 That is, the crystal resonator of the present invention has high productivity because an electrode having a specific thickness may be formed. In addition, in order to change the width of the electrode, it can be formed by wet etching or lift-off process using a photoresist conventionally used in semiconductor manufacturing, and conventional equipment can be used as it is.
電極の加工は、上記のように励振電極上にメッキまたはスパッタリング、蒸着等で金属を成膜し、その後、半導体製造において従来から利用されているフォトレジストを用いたウェットエッチングまたはリフトオフプロセスによって形成することが可能であり、これらの生産方法は既に高い生産性が確立しており、生産が容易である。 The electrode is processed by forming a metal film on the excitation electrode by plating, sputtering, vapor deposition, or the like as described above, and then forming it by a wet etching or lift-off process using a photoresist conventionally used in semiconductor manufacturing. These production methods have already established high productivity and are easy to produce.
さらに本発明の水晶振動子は、電極を形成する材料として、アルミニウムやニッケル、クロム、金などの多様な金属を用いることができる。 Furthermore, in the crystal resonator of the present invention, various metals such as aluminum, nickel, chromium, and gold can be used as a material for forming the electrode.
本発明の請求項1に記載の発明は、水晶素板の主面に励振用の電極を持った厚み滑り水晶振動子において、一主面あるいは両主面の励振用電極上に、水晶素板の厚みの2〜10%に相当する厚さに対して凸型電極と水晶の密度の比を掛けた一定の厚さで、尚且つ外周から中心に向かって徐々に幅が狭くなる複数の凸型電極が形成され、これによって水晶振動子の中心部分にエネルギーを集中させ、Qの高い水晶振動子を得ることができる。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a thickness-sliding crystal resonator having an excitation electrode on a main surface of a crystal element plate, wherein the crystal element plate is disposed on the excitation electrode on one main surface or both main surfaces. A plurality of protrusions having a constant thickness obtained by multiplying the thickness corresponding to 2 to 10% of the thickness of the electrode by the ratio of the density of the convex electrode and the crystal, and gradually decreasing from the outer periphery toward the center. A mold electrode is formed, whereby energy can be concentrated on the central portion of the crystal resonator, and a crystal resonator having a high Q can be obtained.
以下本発明の水晶振動子の実施例について図に沿って詳細に説明する。図1は本発明の水晶振動子の実施例1を示す断面図である。ここで1は水晶素板であり、この両面に励振電極2が形成されている。この励振電極2はスパッタリングや蒸着などの薄膜形成技術によって形成される。 Hereinafter, embodiments of the crystal resonator according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a crystal resonator according to the present invention. Here, 1 is a quartz base plate, and
3は凸型電極であり、この凸型電極3は、励振電極2上に半導体製造において従来から利用されているフォトレジストを用いたウェットエッチングまたはリフトオフプロセスなどの圧膜技術によって形成することが可能である。
凸型電極3の厚さは、励振電極3下の水晶素板1の2〜10%程度に相当する厚さに、凸型電極3と水晶素板1の密度比を掛けた厚さ、すなわち数1で示す厚さが適している。また図1に示すように凸型電極3のピッチPは幅Wにかかわらず一定である。
凸部電極3は材料となる金属はアルミニウムやニッケル、クロムなど特に制限は無いが、化学的安定性の観点から金が良い。励振電極2の材料は、従来から用いられている金またはアルミニウムを用いる。金を用いる場合、バッファー層としてクロムやチタン等を使用する必要がある。凸部電極3は単純に錘として機能するため導体である必要が無く、金属酸化物、窒化物、あるいは有機物で構成することも可能である。 The metal used as the material for the
図2に示すように、方形の水晶素板1の上に楕円形の励振電極2を形成し、その上に同心楕円の凸部電極3を形成する。水晶素板1は、この例では方形であるが、楕円や円でも実現可能である。 As shown in FIG. 2, an
図3は実施例2を示す。図3に示すように、方形の水晶素板1の上に楕円形の励振電極2を形成し、その上に縞状の凸部電極3を形成することも可能である。 FIG. 3 shows a second embodiment. As shown in FIG. 3, it is also possible to form an
図4は実施例3を示す。図4に示すように、方形の水晶素板1の上に方形の励振電極2を形成し、その上に縞状の凸部電極3を形成することも可能である。 FIG. 4 shows a third embodiment. As shown in FIG. 4, it is also possible to form a
図1の実施例1の断面では、水晶素板1の両面に励振電極2を形成し、その上に凸部電極3を形成する例を示した。それ以外に、実施例4として図5を示す。この実施例4のものは、水晶素板1の両面に励振電極2を形成し、その片面に凸部電極3を形成している。この実施例4のものは、凸部電極3の形成が片面のみでよいため、生産性が高い。しかし、温度変化によって水晶振動子が反る可能性があり、これによって温度特性が実施例1のものよりも悪くなる。よってこの実施例4のものは、温度特性がやや劣っても安価なものが求められる場合に適している。 In the cross section of Example 1 of FIG. 1, the example which forms the
図6は実施例5を示す。図6に示すように、水晶素板1の両面に励振電極2を形成し、その上すなわち水晶素板1の両面に凸部電極3を形成しているが、実施例1との相違点は凸型電極3のピッチPが一定でなく連続的に変化し、凸部電極3の幅Wが一定である点である。 FIG. 6 shows a fifth embodiment. As shown in FIG. 6, the
図7は実施例6を示す。図7に示すように、水晶素板1の両面に励振電極2が形成され、この上に凸部電極3が形成されているのであるが、形成された励振電極2が分割されている。この分割部分を適切にすることによって、奇数次のインハーモニックオーバトーンのレスポンスが抑制でき、効率が良くなる。 FIG. 7 shows a sixth embodiment. As shown in FIG. 7, the
以上の実施例すべてにおいて、図8に示すように凸型電極3のそれぞれの幅Wを一定の割合で細くすることで,電極の厚さを変化させること無く共振周波数を変化させることができる。この周波数の変化量は凸型電極3の縮小比と線形の関係となる。約18MHzの共振周波数を持った振動子を例とした解析結果では,縮小比を1から0.5まで変えることで共振周波数を2%以上変化することができた。この様子を図9に示す。 In all the embodiments described above, the resonance frequency can be changed without changing the thickness of the electrode by reducing the width W of each
水晶振動子を一枚の水晶板に複数の励振電極組を設けてマルチチャンネル化する場合は、図10に示すように十分に間隔を開けてチャンネルごとの影響を少なくするか、図11に示すように各電極毎に例えばチャンネル2の電極の厚さをチャンネル1の電極の厚さより薄くして共振周波数を微妙にずらす必要がある。前者の方法では小型化に向かない。後者の方法、全電極を個別に成膜する必要があるため生産性が低い。 When a plurality of excitation electrode sets are provided on a single crystal plate to make a multichannel, the crystal resonator is sufficiently spaced to reduce the influence of each channel as shown in FIG. 10, or as shown in FIG. Thus, for each electrode, for example, the thickness of the electrode of
本発明の水晶振動子では、高いエネルギー閉じ込め効果が期待できるため、チャンネル間の距離を近づけることができる。加えて、各凸型電極3幅を数%ずつ細くしたパターンにすることで凸型電極3の厚さを変えること無く共振周波数をシフトすることができるため、図10及び図11に示す従来例のものより接近させることが可能である。 In the crystal resonator of the present invention, a high energy confinement effect can be expected, so that the distance between channels can be reduced. In addition, since the resonance frequency can be shifted without changing the thickness of the
本発明の水晶振動子は、以上のように水晶素板1の上に設けた凸型電極の形状を種々調整することによって、所望の共振周波数でQの高い水晶発振子を得ることができる。 The crystal resonator of the present invention can obtain a crystal oscillator having a high Q at a desired resonance frequency by variously adjusting the shape of the convex electrode provided on the
1 水晶素板
2 励振電極
3 凸型電極1
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