JP2015079888A - Cleaning device, cleaning method, and storage medium - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To clean a cover covering a cleaning tank in an easy and simple manner.SOLUTION: A cleaning method according to one embodiment of the invention includes the steps of: opening a cover 10 covering a cleaning tank 2 and carrying a wafer W into the cleaning tank 2 filled with a first process liquid L; and closing the cover and performing first cleaning treatment to the wafer W with the first process liquid L. The first process liquid Lis jetted from a jet nozzle 2A to the first process liquid Lin the cleaning tank 2. At that time, a rear surface of the cover 10 can be cleaned by the first process liquid Lbouncing back from a liquid surface of the first process liquid L.

Description

本発明は、洗浄用の処理液を貯留した洗浄槽内で被処理体を処理液に浸漬して洗浄する洗浄装置、洗浄方法およびコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に関する。   The present invention relates to a cleaning apparatus, a cleaning method, and a computer-readable storage medium for immersing and cleaning an object to be processed in a processing tank in a cleaning tank storing a processing liquid for cleaning.

例えば、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ(以下単にウエハと記す)に種々の工程によりトランジスタ等の素子を形成するが、その表面にパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションが存在すると素子の性能が劣化してしまうため、ウエハを洗浄してこれらを除去する必要がある。このようなウエハの洗浄処理としては、洗浄槽内に所定の処理液を貯留し、その中にウエハを浸漬させるものが多用されている。   For example, in the manufacturing process of semiconductor devices, elements such as transistors are formed on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) by various processes, but there are contaminations such as particles, organic contaminants, and metal impurities on the surface. Then, since the performance of the element deteriorates, it is necessary to clean the wafer and remove them. As such a wafer cleaning process, a process in which a predetermined processing solution is stored in a cleaning tank and the wafer is immersed therein is frequently used.

このような洗浄槽を用いた洗浄処理には、各種の処理液を用いてバッチ式に洗浄するための多数の洗浄槽が配置された洗浄装置が用いられている。   In the cleaning process using such a cleaning tank, a cleaning apparatus in which a large number of cleaning tanks for cleaning in a batch manner using various processing liquids is used.

ところで、洗浄槽上に、この洗浄槽を覆うカバーを設けて、洗浄処理中に洗浄槽内に異物が混入することを防止している。このようなカバーの裏面には、洗浄処理中に異物が付着することがある。   By the way, a cover that covers the cleaning tank is provided on the cleaning tank to prevent foreign matters from entering the cleaning tank during the cleaning process. Foreign substances may adhere to the back surface of such a cover during the cleaning process.

例えば、ウエハに前処理工程中の薬液が付着した状態でこのウエハが洗浄槽内に搬入される際、ウエハ上の薬液がカバーの裏面に付着してしまうことがある。この場合、洗浄槽内で処理液を用いて洗浄処理を施すと、カバーの裏面の薬液と洗浄槽内の処理液が反応し、洗浄槽内へ反応物がパーティクルとして落下し、ウエハ表面に残ることがある。
特開2007−7577号
For example, when the wafer is loaded into the cleaning tank with the chemical solution in the pretreatment process attached to the wafer, the chemical solution on the wafer may adhere to the back surface of the cover. In this case, when a cleaning process is performed using a processing liquid in the cleaning tank, the chemical solution on the back surface of the cover reacts with the processing liquid in the cleaning tank, and the reactant falls into the cleaning tank as particles and remains on the wafer surface. Sometimes.
JP 2007-7777

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、洗浄槽を覆うカバーを容易かつ簡単に洗浄することができる洗浄装置、洗浄方法および記憶媒体を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and an object thereof is to provide a cleaning device, a cleaning method, and a storage medium that can easily and easily clean a cover that covers a cleaning tank.

本発明は、被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方から覆うカバーと、前記カバーと前記洗浄槽の間に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルとを備えた洗浄装置を用いて洗浄処理を行なう洗浄方法において、前記カバーを開として、前記被処理体を前記洗浄槽内へ搬入する工程と、前記カバーを閉として、前記被処理体が第1処理液で全部かくれる状態で第1洗浄処理を施す工程と、前記噴射ノズルから前記第1処理液を前記洗浄槽内の第1処理液の液面に対して噴射し、前記第1処理液の液面から跳ね返る第1処理液により前記カバーの裏面を洗浄する工程と、を備えたことを特徴とする洗浄方法である。   The present invention provides a cleaning tank including a cleaning tank used for cleaning the object to be processed, a cover that covers the cleaning tank from above, and an injection nozzle that is provided between the cover and the cleaning tank to spray a processing liquid. In a cleaning method for performing a cleaning process using an apparatus, the cover is opened and the object to be processed is carried into the cleaning tank, and the cover is closed and the object to be processed is entirely covered with the first processing liquid. A step of performing a first cleaning process in a state of being covered; and spraying the first processing liquid from the spray nozzle onto the liquid surface of the first processing liquid in the cleaning tank, and from the liquid surface of the first processing liquid And a step of cleaning the back surface of the cover with a first treatment liquid that bounces back.

本発明は、被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方から覆うカバーと、前記カバーと前記洗浄槽の間に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルと、前記洗浄槽と、前記カバーと、前記噴射ノズルを駆動制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記カバーを開として、前記被処理体の前記洗浄槽内への搬入と、前記カバーを閉として、前記被処理体が前記第1処理液で全部かくれる状態での第1洗浄処理と、前記噴射ノズルから前記第1処理液を前記洗浄槽内に貯留された前記第1処理液の液面に対して噴射し、前記第1処理液の液面から跳ね返る第1処理液による前記カバーの裏面に対する洗浄と、を実行させることを特徴とする洗浄装置である。   The present invention includes a cleaning tank used for cleaning an object to be processed, a cover that covers the cleaning tank from above, an injection nozzle that is provided between the cover and the cleaning tank, and jets a processing liquid, and the cleaning tank And the cover and a control device for driving and controlling the spray nozzle, the control device opens the cover, carries the object to be processed into the cleaning tank, and closes the cover. A first cleaning process in a state where the object to be processed is completely covered with the first processing liquid, and the first processing liquid is stored in the cleaning tank from the spray nozzle on the liquid surface of the first processing liquid. And cleaning the back surface of the cover with the first processing liquid that is sprayed on and rebounds from the liquid surface of the first processing liquid.

本発明は、コンピュータに洗浄方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、洗浄方法は、被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方を覆うカバーと、前記カバーの裏面に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルとを備えた洗浄装置を用いて洗浄処理を行なう洗浄方法において、前記カバーを開として、前記被処理体を前記洗浄槽内へ搬入する工程と、前記カバーを閉として、前記被処理体が第1処理液で全部かくれる状態で第1洗浄処理を施す工程と、前記噴射ノズルから前記第1処理液を前記洗浄槽内の第1処理液に対して噴射し、前記第1処理液の液面から跳ね返る第1処理液により前記カバーの裏面を洗浄する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体である。   The present invention relates to a storage medium storing a computer program for causing a computer to execute a cleaning method. The cleaning method includes a cleaning tank used for cleaning an object to be processed, a cover that covers the cleaning tank, and the cover. In a cleaning method for performing a cleaning process using a cleaning apparatus provided with a spray nozzle provided on the back surface of the nozzle, the process opens the cover and carries the object into the cleaning tank. Performing a first cleaning process in a state where the cover is closed and the object to be processed is completely covered with the first processing liquid, and the first processing liquid is supplied from the spray nozzle to the first processing liquid in the cleaning tank. And a step of cleaning the back surface of the cover with a first treatment liquid that rebounds from the liquid surface of the first treatment liquid.

以上のように本発明によれば、洗浄槽を覆うカバーの裏面を容易かつ確実に洗浄することができ、薬液同士が反応してパーティクルが発生することもない。   As described above, according to the present invention, the back surface of the cover covering the cleaning tank can be easily and reliably cleaned, and the chemicals do not react with each other to generate particles.

図1は本発明の実施の形態による洗浄装置を示す概略系統図。FIG. 1 is a schematic system diagram showing a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2は洗浄装置全体を示す断面図。FIG. 2 is a sectional view showing the entire cleaning apparatus. 図3は図2にIII−III線断面図。3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 図4(a)〜(i)は本発明の実施の形態による洗浄方法を示す図。4A to 4I are diagrams showing a cleaning method according to an embodiment of the present invention. 図5は本発明の洗浄方法の特徴を示す図。FIG. 5 is a view showing characteristics of the cleaning method of the present invention. 図6(a)(b)(c)はカバー裏面における塩発生のメカニズムを示す図。FIGS. 6A, 6B and 6C are views showing a mechanism of salt generation on the back surface of the cover.

以下、本発明の実施の形態について、図1乃至図5により説明する。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1は本発明の実施の形態による洗浄装置を示す概略系統図であり、図2は洗浄装置全体を示す断面図、図3は図2のIII−III線断面図、図4は本発明の実施の形態による洗浄方法を示す図、図5は本発明の実施の形態による洗浄方法の特徴を示す図である。   1 is a schematic system diagram showing a cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing the entire cleaning apparatus, FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2, and FIG. The figure which shows the washing | cleaning method by embodiment, FIG. 5 is a figure which shows the characteristic of the washing | cleaning method by embodiment of this invention.

本実施の形態による洗浄装置は、図1乃至図3に示すように筐体1と、その中に設けられた洗浄槽2および外槽8とを有しており、洗浄槽2内に所定の処理液が貯留されるようになっている。そして、後述するように所定の供給源から洗浄槽2内に設けられたノズル3(図2,3参照)を介して、所定の処理液を洗浄槽2内に供給することによりその中にその処理液が貯留される。そしてその処理液中に複数のウエハWを浸漬させ、洗浄槽2から処理液をオーバーフローさせた状態で洗浄処理が行われる。洗浄槽2からオーバーフローした処理液は、外槽8へ流れるようになっている。   As shown in FIGS. 1 to 3, the cleaning apparatus according to the present embodiment includes a housing 1, a cleaning tank 2 and an outer tank 8 provided therein, and a predetermined tank is provided in the cleaning tank 2. The processing liquid is stored. Then, as will be described later, a predetermined treatment liquid is supplied into the cleaning tank 2 through a nozzle 3 (see FIGS. 2 and 3) provided in the cleaning tank 2 from a predetermined supply source. The processing liquid is stored. Then, a plurality of wafers W are immersed in the processing liquid, and the cleaning process is performed in a state where the processing liquid overflows from the cleaning tank 2. The treatment liquid overflowed from the cleaning tank 2 flows to the outer tank 8.

洗浄槽2内においては、ウエハ保持部材4によって複数、例えば50枚のウエハWが保持される。ウエハ保持部材4は、ウエハWを立てた状態で水平方向に保持するウエハ保持部5と、ウエハ保持部5の端部から洗浄槽2の内壁に沿って上方に延び、ウエハ保持部5を支持する支持部6とを有しており、図示しない駆動機構により支持部6を介してウエハ保持部5を上下動することにより内槽2に対するウエハWの出し入れが可能となっている。ウエハ保持部材4に対するウエハWの受け渡しは、適宜の搬送装置により行われる。また、ウエハ保持部5は、ウエハWの下端近傍を保持する第1の保持棒5aと、ウエハWのその少し上方を保持する第2の保持棒5bとを有しており、第1および第2の保持棒5a、5bにはウエハWを保持するための複数の溝が形成されている。   In the cleaning tank 2, a plurality of, for example, 50 wafers W are held by the wafer holding member 4. The wafer holding member 4 supports the wafer holding unit 5, and the wafer holding unit 5 that holds the wafer W in the horizontal direction and extends upward from the end of the wafer holding unit 5 along the inner wall of the cleaning tank 2. The wafer holding part 5 is moved up and down through the supporting part 6 by a driving mechanism (not shown) so that the wafer W can be taken in and out of the inner tank 2. Delivery of the wafer W to the wafer holding member 4 is performed by an appropriate transfer device. The wafer holding unit 5 includes a first holding bar 5a that holds the vicinity of the lower end of the wafer W and a second holding bar 5b that holds the wafer W slightly above. A plurality of grooves for holding the wafer W are formed in the two holding bars 5a and 5b.

洗浄槽2の上方には、洗浄槽2を覆うカバー10が開閉自在に設けられている。カバー10は中央において分割片10a,10bに2分割されている。カバー10は、カバー開閉機構20によりシャフト20a、20bを介して分割片10a,10bを回動させることにより、開閉されるようになっている。   A cover 10 that covers the cleaning tank 2 is provided above the cleaning tank 2 so as to be openable and closable. The cover 10 is divided into two divided pieces 10a and 10b at the center. The cover 10 is opened and closed by rotating the divided pieces 10a and 10b via the shafts 20a and 20b by the cover opening / closing mechanism 20.

カバー10は、処理液中に洗浄槽2内へパーティクル等が落下して、処理液中にパーティクル等が混入することを防止するものであり、洗浄槽2の液面を極力広い範囲で覆うことが好ましい。   The cover 10 prevents particles and the like from falling into the cleaning tank 2 in the processing liquid and mixing the particles into the processing liquid, and covers the liquid surface of the cleaning tank 2 as wide as possible. Is preferred.

上述のように、洗浄槽2の外側にはオーバーフローした処理液を受けるための外槽8が設けられている。洗浄槽2内のノズル3には、処理液を供給するための処理液供給配管40が接続されている。処理液供給配管40の他端側には、処理液供給機構41が配置されている。処理液供給機構41は、SC1を供給するSC1供給源42と、純水(DIW)を供給するDIW供給源43とを有しており、処理液供給配管40には、これらからそれぞれ延びる配管46,47が、開閉バルブ51,52を介して接続されている。したがって、開閉バルブ51,52を操作することにより、処理液として、SC1、DIWを選択的に洗浄槽2に供給可能となっている。   As described above, the outer tank 8 for receiving the overflowed processing liquid is provided outside the cleaning tank 2. A processing liquid supply pipe 40 for supplying a processing liquid is connected to the nozzle 3 in the cleaning tank 2. A processing liquid supply mechanism 41 is disposed on the other end side of the processing liquid supply pipe 40. The processing liquid supply mechanism 41 includes an SC1 supply source 42 that supplies SC1 and a DIW supply source 43 that supplies pure water (DIW). The processing liquid supply pipe 40 includes pipes 46 extending from these. , 47 are connected via open / close valves 51, 52. Therefore, by operating the on-off valves 51 and 52, SC1 and DIW can be selectively supplied to the cleaning tank 2 as processing liquids.

処理液供給配管40には、上流側から順にダンパ58、ヒータ59、フィルタ60、開閉バルブ61が設けられている。そして所定の処理液を洗浄槽2に向けて送給し、ヒータ59によって処理液を所定の温度に加熱し、フィルタ60によって処理液中の不純物を除去した後に洗浄槽2に処理液が供給される。   The treatment liquid supply pipe 40 is provided with a damper 58, a heater 59, a filter 60, and an opening / closing valve 61 in order from the upstream side. Then, the predetermined processing liquid is fed toward the cleaning tank 2, the processing liquid is heated to a predetermined temperature by the heater 59, the impurities in the processing liquid are removed by the filter 60, and then the processing liquid is supplied to the cleaning tank 2. The

さらにまた図1に示すように、処理液供給配管40には、開閉バルブ54を有する配管45の一端が接続され、この配管45の他端に噴射ノズル2Aが接続されている。   Further, as shown in FIG. 1, one end of a pipe 45 having an opening / closing valve 54 is connected to the processing liquid supply pipe 40, and an injection nozzle 2 </ b> A is connected to the other end of the pipe 45.

噴射ノズル2Aは洗浄槽2の上方に設けられたカバー10と洗浄槽2の間に配置され、処理液供給配管40から供給される処理液を洗浄槽2内のウエハWおよび処理液の液面に対して噴射するようになっている。この際、噴射ノズル2Aから処理液の液面に噴射された処理液は、液面から跳ね返ってカバー10の裏面に達し、液面から跳ね返る処理液によってカバー10の裏面を洗浄することができる。   The spray nozzle 2 </ b> A is disposed between the cover 10 provided above the cleaning tank 2 and the cleaning tank 2, and the processing liquid supplied from the processing liquid supply pipe 40 is used as the wafer W in the cleaning tank 2 and the liquid level of the processing liquid. It is designed to inject against. At this time, the processing liquid sprayed from the spray nozzle 2 </ b> A onto the liquid surface of the processing liquid bounces off the liquid surface and reaches the back surface of the cover 10, and the back surface of the cover 10 can be cleaned with the processing liquid bounced off from the liquid surface.

なお、噴射ノズル2Aは上下方向に向って可動式となっていてもよく、この場合図示しない駆動機構によって噴射ノズル2Aの噴射方向を連続的に上下方向に可変とすることができる。例えば、図5に示すように噴射ノズル2Aを洗浄槽2の第1処理液L側に向けて液面から跳ね返る第1処理液Lによってカバー10の裏面を洗浄したり、噴射ノズル2Aをカバー10の裏面に向けて直接、第1処理液Lによりカバー10の裏面を洗浄することができる。 The injection nozzle 2A may be movable in the vertical direction. In this case, the injection direction of the injection nozzle 2A can be continuously changed in the vertical direction by a drive mechanism (not shown). For example, as shown in FIG. 5, the back surface of the cover 10 is cleaned with the first processing liquid L 1 that rebounds from the liquid surface toward the first processing liquid L 1 side of the cleaning tank 2, or the injection nozzle 2 A is directly toward the rear surface of the cover 10, the first treatment liquid L 1 can be cleaned back surface of the cover 10.

一方、洗浄槽2の底部および外槽8の底部中央には、それぞれ処理液排出配管62,63が接続されており、これらにはそれぞれ開閉バルブ64,65が接続されている。そして、処理液を入れ替える際には、開閉バルブ64,65を開にして洗浄槽2および外槽1に貯留されている処理液を処理液排出配管62,63から排出し、その後開閉バルブ64,65を閉じて次の処理液を洗浄槽2内に供給する。   On the other hand, treatment liquid discharge pipes 62 and 63 are connected to the bottom of the cleaning tank 2 and the center of the bottom of the outer tank 8, respectively, and open / close valves 64 and 65 are connected to these. When the processing liquid is replaced, the opening and closing valves 64 and 65 are opened to discharge the processing liquid stored in the cleaning tank 2 and the outer tank 1 from the processing liquid discharge pipes 62 and 63, and then the opening and closing valves 64 and 65 is closed and the next processing solution is supplied into the cleaning tank 2.

以上のような洗浄装置の各構成部、例えば各配管に設けられた開閉バルブや、ウエハWの搬送機構等は、プロセスコントローラ70を有する制御装置70Aに接続されて制御される。プロセスコントローラ70には、工程管理者が洗浄装置を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、洗浄装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース71が接続されている。   Each component of the cleaning apparatus as described above, for example, an open / close valve provided in each pipe, a transfer mechanism of the wafer W, and the like are connected to and controlled by a control device 70A having a process controller 70. Connected to the process controller 70 is a user interface 71 including a keyboard that allows a process manager to input commands to manage the cleaning device, a display that visualizes and displays the operating status of the cleaning device, and the like. .

また、プロセスコントローラ70には、洗浄装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ70の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶媒体72が接続されている。レシピを格納する記憶媒体72はハードディスクや半導体メモリ等の記憶媒体からなっていてもよいし、CDROM、DVD等の可搬性の記憶媒体からなっていてもよい。なお他の装置から、例えば専用回線を介してレシピをこれら記憶媒体72に適宜伝送させるようにしてもよい。   Further, the process controller 70 includes a control program for realizing various processes executed by the cleaning device under the control of the process controller 70, and a program for causing each component unit to execute a process according to a processing condition, that is, a recipe. Is connected to the storage medium 72. The storage medium 72 for storing the recipe may be a storage medium such as a hard disk or a semiconductor memory, or may be a portable storage medium such as a CDROM or DVD. Note that the recipe may be appropriately transmitted to the storage medium 72 from another apparatus via, for example, a dedicated line.

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース71からの指示等にて任意のレシピを記憶媒体72から呼び出してプロセスコントローラ70に実行させることで、プロセスコントローラ70の制御下で、洗浄装置での所望の処理が行われる。   Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage medium 72 by an instruction from the user interface 71 and is executed by the process controller 70, so that a desired process in the cleaning apparatus is performed under the control of the process controller 70. Is done.

次に、以上のように構成される洗浄装置における洗浄方法について図4および図5により説明する。   Next, a cleaning method in the cleaning apparatus configured as described above will be described with reference to FIGS.

本実施の形態においては、洗浄槽2における処理の前処理洗浄装置の洗浄槽100内で、ウエハWに対してSPM(HSOとHを含む薬液)Lを用いた洗浄処理が施される(図4(a)参照)。この場合、洗浄槽100上方には、分割片110a、110bからなるカバー110が設置され、このカバー110により洗浄槽100内へ外方のパーティクルが混入しないようになっている。 In the present embodiment, the wafer W is cleaned using SPM (chemical solution containing H 2 SO 4 and H 2 O 2 ) L 0 in the cleaning tank 100 of the pretreatment cleaning apparatus for the processing in the cleaning tank 2. Processing is performed (see FIG. 4A). In this case, a cover 110 made up of divided pieces 110 a and 110 b is installed above the cleaning tank 100, and outside particles are not mixed into the cleaning tank 100 by the cover 110.

次にカバー110が開となり、ウエハWは洗浄槽100から外方へ引抜かれ、その後ウエハWは本発明による洗浄装置の洗浄槽2まで搬送装置(図示せず)により搬送される。この場合、洗浄槽2上方へ搬送されたウエハWには前処理洗浄処理中のSPMが付着していることがある。   Next, the cover 110 is opened, the wafer W is pulled out from the cleaning tank 100, and then the wafer W is transferred to the cleaning tank 2 of the cleaning apparatus according to the present invention by a transfer device (not shown). In this case, the SPM during the pretreatment cleaning process may adhere to the wafer W transferred to the upper part of the cleaning tank 2.

この間洗浄槽2が空の状態から、開閉バルブ52および61を開き、DIW供給源43から処理液供給配管40およびノズル3を介して洗浄槽2内に純水(DIW)を供給し、洗浄槽2内を純水(DIW)で満たす。そして、ウエハWが浸漬されるまでの間は、カバー開閉機構20によりカバー10を閉じた状態としておく。この場合、洗浄槽2内へはヒータ59により加熱され、温度が40°〜80°となるよう温度調整された高温のDIWが供給される。このような高温のDIWを第1処理液Lとよぶ。 In the meantime, when the cleaning tank 2 is empty, the open / close valves 52 and 61 are opened, and pure water (DIW) is supplied from the DIW supply source 43 into the cleaning tank 2 through the treatment liquid supply pipe 40 and the nozzle 3. 2 is filled with pure water (DIW). Then, until the wafer W is immersed, the cover 10 is kept closed by the cover opening / closing mechanism 20. In this case, the cleaning tank 2 is heated by the heater 59 and is supplied with high-temperature DIW whose temperature is adjusted to 40 ° to 80 °. Such hot DIW is referred to as the first processing liquid L 1.

次いで、カバー開閉機構20により、カバー10を開き、ウエハ保持部材4のウエハ保持部5を洗浄槽2の上方に位置させた状態で、図示しない搬送装置から複数、例えば50枚のウエハWをウエハ保持部5に受け渡し、図示しない駆動機構によりウエハ保持部材4を降下させ、ウエハWを洗浄槽2内の第1処理液(高温のDIW)L中に浸漬する(図4(b)参照)。カバー開閉機構20によりカバー10を開く際には、図2に示すように、カバー開閉機構20のロータリーアクチュエータからなる駆動機構によりシャフト20a、20bを回転させることにより、分割片10a,10bを回動させる。 Next, the cover 10 is opened by the cover opening / closing mechanism 20, and a plurality of, for example, 50 wafers W are transferred from a transfer device (not shown) with the wafer holding unit 5 of the wafer holding member 4 positioned above the cleaning tank 2. The wafer is transferred to the holding unit 5, the wafer holding member 4 is lowered by a drive mechanism (not shown), and the wafer W is immersed in the first processing liquid (high-temperature DIW) L 1 in the cleaning tank 2 (see FIG. 4B). . When the cover 10 is opened by the cover opening / closing mechanism 20, as shown in FIG. 2, the divided pieces 10a, 10b are rotated by rotating the shafts 20a, 20b by a drive mechanism comprising a rotary actuator of the cover opening / closing mechanism 20. Let

そして、ウエハWを洗浄槽2の第1処理液Lに浸漬した後、図4(c)に示すように、カバー開閉機構20により、カバー10を閉じて液面をカバーで覆った状態する。このように洗浄槽2をカバー10で覆った後、ノズル3から第1処理液Lを洗浄槽2内に供給し、第1処理液Lを洗浄槽2からオーバーフローさせつつ、または、所定時間第1処理液Lを洗浄槽2からオーバーフローさせた後にオーバーフローを止めて第1処理液Lによる洗浄を行う(第1洗浄処理)。 Then, after immersing the wafer W to the first processing liquid L 1 of the washing tank 2, as shown in FIG. 4 (c), by the cover opening and closing mechanism 20 to close the cover 10 to the state covering the liquid surface in the cover . After covering this way the cleaning tank 2 with the cover 10, and supplied from the nozzle 3 in the first processing liquid L 1 of the cleaning tank 2, while overflowing the first treatment liquid L 1 from the washing tank 2, or predetermined performing cleaning with the first processing liquid L 1 stop overflow after overflow time first treatment liquid L 1 from the washing tank 2 (first cleaning process).

なお、第1洗浄処理における洗浄槽2へのウエハWの浸漬については、上記に限ることはなく、洗浄槽2内が空または第1処理液Lで満たされていない状態でウエハWを搬送し、その後、カバー開閉機構20により、カバー10を閉じて洗浄槽2をカバーで覆った状態にして、洗浄槽2内のウエハWが隠れるまで第1処理液Lを供給してウエハWを浸漬してもよく、また、洗浄槽2内が空または第1処理液Lで満たされていない状態でウエハWを搬送し、その後、洗浄槽2内のウエハWが隠れるまで第1処理液Lを供給してウエハWを浸漬して、そして、カバー開閉機構20により、カバー10を閉じて洗浄槽2をカバーで覆った状態にしてもよい。 Note that the immersion of the wafer W to the cleaning tank 2 in the first cleaning process, not limited to the above, transfer the wafer W in a state where the cleaning tank 2 is not filled with air or the first treatment liquid L 1 and, thereafter, the cover opening and closing mechanism 20, and the cleaning tank 2 by closing the cover 10 in a state covered with a cover, the wafer W by supplying a first processing liquid L 1 to the wafer W in the cleaning tank 2 is hidden may be immersed, also carry the wafer W in a state where the cleaning tank 2 is not filled with air or the first treatment liquid L 1, then the first processing liquid to the wafer W in the cleaning tank 2 is hidden L 1 may be supplied to immerse the wafer W, and the cover opening / closing mechanism 20 may close the cover 10 and cover the cleaning tank 2 with the cover.

次に、開閉バルブ54が開となり、第1処理液L(高温のDIW)が噴射ノズル2A側へ供給され、この噴射ノズル2Aから第1処理液Lが洗浄槽2内の第1処理液L中に浸清されたウエハWおよび第1処理液L液面に対して噴射される。 Next, the opening / closing valve 54 is opened, and the first processing liquid L 1 (high-temperature DIW) is supplied to the injection nozzle 2A side, and the first processing liquid L 1 is supplied from the injection nozzle 2A to the first processing in the cleaning tank 2. is injected to the wafer W and the first processing liquid L 1 liquid surface which is HitaKiyoshi in the liquid L 1.

このように噴射ノズル2Aから第1処理液Lを噴射することにより、ウエハWに対する洗浄処理を確実に行なうことができる。同時に噴射ノズル2Aから噴射される第1処理液Lが液面から跳ね返ってカバー10の裏面に達し、カバー10の裏面を洗浄する。 By injecting this way the first treatment liquid L 1 from the injection nozzle 2A, it is possible to perform a cleaning process on the wafer W reliably. At the same time the first processing liquid L 1 ejected from the ejection nozzle 2A is rebounded from the liquid surface reaches the back surface of the cover 10 to clean the rear surface of the cover 10.

次に図4(c)、図5および図6(a)(b)(c)により、噴射ノズル2Aから第1処理液Lを噴射する際の作用およびカバー10の裏面における塩の発生のメカニズムについて述べる。 Next FIG. 4 (c), the by FIGS. 5 and 6 (a) (b) ( c), the back surface of the occurrence of a salt of the action and the cover 10 at the time of injecting the first treatment liquid L 1 from the injection nozzle 2A Describe the mechanism.

上述のように、洗浄槽2内へ搬入されるウエハWには、洗浄槽2における処理の前処理洗浄処理中のSPMが付着して残留している。この場合、ウエハWに付着したSPMは洗浄槽2内の第1処理液L中に混入し、第1処理液Lと反応して第1処理液Lが蒸発する。このとき、蒸発した第1処理液Lに含まれるSPMのうちとりわけHSO成分Pがカバー10の裏面に付着する(図5参照)。 As described above, the SPM during the pretreatment cleaning process of the process in the cleaning tank 2 adheres and remains on the wafer W carried into the cleaning tank 2. In this case, SPM adhering to the wafer W is mixed into the first processing liquid L 1 in the cleaning tank 2, the first processing liquid L 1 reacts with the first processing liquid L 1 is evaporated. At this time, especially H 2 SO 4 component P 1 of the SPM included in the first processing liquid L 1 evaporated adheres to the rear surface of the cover 10 (see FIG. 5).

そして、カバー10の裏面に付着したH2SO4成分Pが、後述のように洗浄槽2内でNHOHとHを含むSC1(第2処理液)を用いてウエハWに対して洗浄処理を施した場合、第2処理液L中のNHOH成分Pが蒸発してカバー10の裏面に付着し、HSO成分PとNHOH成分Pとがカバー10の裏面において反応して塩Pを生成することが考えられる。この場合、カバー10の裏面で生成した塩Pは、その後カバー10から落下してウエハW表面にパーティクルとして付着してしまうことがある。 Then, the H 2 SO 4 component P 1 adhering to the back surface of the cover 10 is cleaned with respect to the wafer W using SC 1 (second processing liquid) containing NH 4 OH and H 2 O 2 in the cleaning tank 2 as described later. When the treatment is performed, the NH 4 OH component P 2 in the second treatment liquid L 2 evaporates and adheres to the back surface of the cover 10, and the H 2 SO 4 component P 1 and the NH 4 OH component P 2 form the cover 10. It is conceivable that the salt P reacts on the back surface. In this case, the salt P generated on the back surface of the cover 10 may fall from the cover 10 and adhere to the surface of the wafer W as particles.

これに対して本実施の形態によれば、噴射ノズル2Aから噴射した第1処理液Lが洗浄槽2内の第1処理液Lの液面から跳ね返り、この跳ね返った第1処理液Lによりカバー10の裏面を洗浄することができる。このためカバー10裏面にHSO成分Pが付着していてもこのHSO成分Pを確実に第1処理液Lにより洗浄することができる。このためその後洗浄槽2内で第2処理液(SC1)を用いてウエハWに対して洗浄処理を施しても、カバー10の裏面においてHSO成分PとSC1のNHOH成分Pとが反応して塩Pを発生させることはない。このため塩PがウエハW上にパーティクルとして残留することはない。 According to the present embodiment, on the other hand, the first processing liquid L 1 is rebound from the first liquid surface of the treatment liquid L 1 in the cleaning tank 2 which is injected from the injection nozzle 2A, the first treatment liquid L this rebounding 1 can clean the back surface of the cover 10. Therefore it is possible to be attached is H 2 SO 4 component P 1 in the cover 10 rear surface is cleaned with the first processing liquid L 1 of the H 2 SO 4 component P 1 reliably. Therefore, even if the wafer W is subjected to the cleaning process using the second processing liquid (SC1) in the cleaning tank 2 after that, the H 2 SO 4 component P 1 and the NH 4 OH component P of SC1 are formed on the back surface of the cover 10. 2 does not react to generate salt P. For this reason, the salt P does not remain as particles on the wafer W.

なお、噴射ノズル2Aから噴射した第1処理液Lが洗浄槽2内の第1処理液Lの液面から跳ね返った第1処理液Lの温度は40℃〜80℃が好ましく、カバー10の裏面のHSO成分P1を効果的に洗浄することができる。上述では洗浄槽2内に供給される第1処理液Lと噴射ノズル2Aから噴射した第1処理液Lの温度は同じ温度としたが、これに限ることはなく、洗浄槽2内に供給される第1処理液Lと噴射ノズル2Aから噴射した第1処理液Lの温度が異なる温度であってもよく、第1処理液Lの液面から跳ね返った第1処理液Lの温度が40℃〜80℃であれば確実に洗浄することができる。また、噴射ノズル2Aから洗浄槽2内の第1処理液Lの液面に対して噴射している間、洗浄槽2内に設けられたノズル3から第1処理液Lを連続的または断続的に吐出して第1処理液Lを洗浄槽2からオーバーフローさせてカバー10に付着していたHSO成分P1を外槽8へ流れるようにしてもよく、これに限らず、噴射ノズル2Aから洗浄槽2内の第1処理液Lの液面への噴射と浄槽2内に設けられたノズル3からの第1処理液Lの吐出(洗浄槽2から第1処理液Lをオーバーフローさせる)を交互に行なうようにしてもよい。 The first temperature of the treatment liquid L 1 of the first treatment liquid L 1 bouncing from the first liquid surface of the treatment liquid L 1 in the cleaning tank 2 which is injected from the injection nozzle 2A is preferably 40 ° C. to 80 ° C., the cover 10 H 2 SO 4 component P 1 on the back surface can be effectively cleaned. Although the first temperature of the treatment liquid L 1 which is injected from the first treatment liquid L 1 and the injection nozzle 2A which is supplied into the cleaning tank 2 is above were the same temperature, not limited to this, the cleaning tank 2 to may first temperature of the treatment liquid L 1 which is injected from the first treatment liquid L 1 and the injection nozzle 2A which is supplied even at different temperatures, the first treatment liquid rebounded from the first liquid surface of the treatment liquid L 1 L If the temperature of 1 is 40 ° C. to 80 ° C., it can be reliably washed. Further, while injecting the first liquid level of the treatment liquid L 1 in the cleaning tank 2 from the injection nozzle 2A, a continuous first processing liquid L 1 from the nozzle 3 provided in the washing tank 2, or may be the flow of H 2 sO 4 component P1 which has adhered to the first processing liquid L 1 from the cleaning tank 2 by intermittently ejecting the cover 10 by overflowing into outer tank 8 is not limited thereto, first processing liquid first processing liquid discharge of L 1 (cleaning tank 2 from the first processing from the nozzles 3 provided in the injection and Kiyoshiso within 2 to L 1 of the liquid surface of the cleaning tank 2 from the injection nozzle 2A it may be carried out overflowing the liquid L 1) alternately.

次に図4(d)に示すように、開閉バルブ61を閉じ、ノズル3からの第1処理液Lの供給を停止する。次に開閉バルブ64および65を開き、処理液排出配管62および63を介して洗浄槽2および外槽8から第1処理液Lを排出する。他方開閉バルブ54は開いたまま、ノズル2Aから第1処理液LをウエハWに噴射させ、露出したウエハWが乾かないように抑制しつつ、第1処理液LによるウエハWの表面の洗浄処理を行う。 Next, as shown in FIG. 4 (d), to close the opening and closing valve 61, stopping the first feed of the treatment liquid L 1 of the nozzle 3. Next, the opening and closing valves 64 and 65 are opened, and the first processing liquid L 1 is discharged from the cleaning tank 2 and the outer tank 8 through the processing liquid discharge pipes 62 and 63. While the other off valve 54 is opened, the nozzle 2A is injected the first treatment liquid L 1 to the wafer W, while suppressing as exposed wafer W is not dry, the surface of the wafer W by the first processing liquid L 1 Perform a cleaning process.

次に図4(e)に示すように、開閉バルブ64、65を閉じ、開閉バルブ51および開閉バルブ61を開き、SC1供給源42から処理液供給配管40およびノズル3を介して洗浄槽2内に、NHOHとHを含むSC1(第2処理液)Lを供給し、洗浄槽2から第2処理液Lをオーバーフローさせながら、または、所定時間第2処理液L2を洗浄槽2からオーバーフローさせた後にオーバーフローを止めてウエハWに対して第2処理液Lを用いた洗浄処理を施す(第2洗浄処理)。 Next, as shown in FIG. 4E, the on-off valves 64 and 65 are closed, the on-off valve 51 and the on-off valve 61 are opened, and the inside of the cleaning tank 2 is passed from the SC1 supply source 42 through the treatment liquid supply pipe 40 and the nozzle 3. to, NH 4 OH and H 2 O 2 SC1 includes a (second treatment liquid) is supplied to L 2, while the cleaning tank 2 overflow a second treatment liquid L 2, or the second processing liquid a predetermined time L 2 a cleaning process using a second processing liquid L 2 from the cleaning tank 2 to the wafer W to stop the overflow after overflow the applied (second cleaning process).

この場合、洗浄槽2は上方に設置されたカバー10により覆われており、洗浄槽2内の第2処理液L中のNHOH成分Pが蒸発してカバー10の裏面に達することも考えられる。 In this case, the cleaning tank 2 is covered by the cover 10 installed above, and the NH 4 OH component P 2 in the second treatment liquid L 2 in the cleaning tank 2 evaporates and reaches the back surface of the cover 10. Is also possible.

しかしながら、本実施の形態によれば、前工程において噴射ノズル2Aから第1処理液Lを洗浄槽2内の第1処理液Lへ噴射し、洗浄槽2内の第1処理液Lの液面から跳ね返る第1処理液Lによりカバー10の裏面を洗浄することにより、カバー10の裏面に残留するHSO成分Pを洗浄して除去している(図4(c)参照)。このため、洗浄槽2内の第2処理液L中のNHOH成分Pが蒸発してカバー10の裏面に達しても、カバー10の裏面においてHSO成分PとNHOH成分Pとが反応して塩Pを生成することはなく、生成した塩PからウエハW上にパーティクルとして付着することもない。 However, according to this embodiment, before the injection from the injection nozzle 2A in step a first treatment liquid L 1 to the first processing liquid L 1 in the cleaning tank 2, the first processing liquid in the cleaning tank 2 L 1 By washing the back surface of the cover 10 with the first treatment liquid L 1 that bounces off the liquid surface, the H 2 SO 4 component P 1 remaining on the back surface of the cover 10 is washed and removed (FIG. 4C). reference). Therefore, even if the NH 4 OH component P 2 in the second treatment liquid L 2 in the cleaning tank 2 evaporates and reaches the back surface of the cover 10, H 2 SO 4 component P 1 and NH 4 are formed on the back surface of the cover 10. The salt P is not generated by the reaction with the OH component P 2, and the generated salt P does not adhere to the wafer W as particles.

次に図4(f)に示すように、開閉バルブ52および開閉バルブ61を開き、DIW供給源43から処理液供給配管40およびノズル3を介して洗浄槽2内に、DIWを供給する。この場合、洗浄槽2へは加熱されない低温(室温程度)のDIWが供給される。このような低温のDIWを第3処理液Lとよぶ。 Next, as shown in FIG. 4 (f), the opening / closing valve 52 and the opening / closing valve 61 are opened, and DIW is supplied from the DIW supply source 43 into the cleaning tank 2 through the treatment liquid supply pipe 40 and the nozzle 3. In this case, low temperature (about room temperature) DIW that is not heated is supplied to the cleaning tank 2. Such cold DIW called a third treatment liquid L 3.

このように洗浄槽2内へ低温のDIW(第3処理液)Lを供給し、洗浄槽2から処理液をオーバーフローさせながら第2処理液Lを第3処理液Lに置換し、その後、ウエハWに対して第3処理液Lを用いた洗浄処理を施す(第3洗浄処理)。 Thus, the low temperature DIW (third processing liquid) L 3 is supplied into the cleaning tank 2, and the second processing liquid L 2 is replaced with the third processing liquid L 3 while overflowing the processing liquid from the cleaning tank 2. Thereafter, a cleaning process using a third treatment liquid L 3 to the wafer W is subjected (the third cleaning process).

なお、第3処理液L3を用いた洗浄処理においては、洗浄処理の間、第3処理液L3を供給してオーバーフローさせてもよく、また、第2処理液Lから第3処理液Lへの置換が完了したらオーバーフローを止めてもよい。 In the cleaning process using the third processing liquid L3, during the cleaning process, by supplying a third processing liquid L3 may overflow, and the second processing liquid L 2 from the third treatment liquid L 3 The overflow may be stopped when the replacement with is completed.

図4(f)において、カバー10は引き続いて洗浄槽2上を覆っている。   In FIG. 4F, the cover 10 continues to cover the cleaning tank 2.

次に図4(g)に示すように、開閉バルブ64、65を開とし、洗浄槽2および外槽8から第3処理液Lを排出する。同時に開閉バルブ61を閉とし、開閉バルブ54を開として、噴射ノズル2Aから第3処理液LをウエハWに対して噴射し、ウエハWを第3処理液Lにより洗浄する。洗浄後の第3処理液Lは洗浄槽2から排出される。 Next, as shown in FIG. 4G, the on-off valves 64 and 65 are opened, and the third processing liquid L 3 is discharged from the cleaning tank 2 and the outer tank 8. Off valve 61 is closed simultaneously, the opening and closing valve 54 is opened, the third processing liquid L 3 from the injection nozzle 2A injected to the wafer W, to clean the wafer W by the third processing liquid L 3. The third treatment liquid L 3 after cleaning is discharged from the cleaning tank 2.

次に図4(h)に示すように、開閉バルブ54を閉とし、開閉バルブ61を開として、ノズル3から洗浄槽2内へ第3処理液Lを供給し、洗浄槽2から第3処理液Lをオーバーフローさせながら、ウエハWに対して第3処理液Lを用いた洗浄処理(第3洗浄処理)を繰り返す。 Next, as shown in FIG. 4 (h), the opening and closing valve 54 is closed, the opening and closing valve 61 is opened to supply the third processing liquid L 3 into the cleaning tank 2 through the nozzle 3, from the cleaning tank 2 3 while the overflow processing solution L 3, repeated washing process using the third treatment liquid L 3 to the wafer W (the third cleaning process).

図4(g)(h)に示す工程中において、洗浄槽2はカバー10により覆われている。   During the steps shown in FIGS. 4G and 4H, the cleaning tank 2 is covered with a cover 10.

次に図4(i)に示すように、カバー10が開き、洗浄槽2内のウエハWは開放されたカバー10を介して外方へ搬送され、後工程においてウエハWに対する乾燥工程が施される。   Next, as shown in FIG. 4 (i), the cover 10 is opened, and the wafer W in the cleaning tank 2 is transferred outward through the opened cover 10, and a drying process is performed on the wafer W in a subsequent process. The

以上のように本実施の形態によれば、図4(c)に示す工程において、噴射ノズル2Aから第1処理液Lを洗浄槽2内の第1処理液Lへ噴射し、洗浄槽2内の第1処理液Lの液面から跳ね返る第1処理液Lによりカバー10の裏面を洗浄することができるので、カバー10の裏面にHSO成分Pが残留していても、このHSO成分Pを確実に洗浄して除去することができる。このため、図4(e)に示す工程において、洗浄槽2内の第2処理液L中のNHOH成分Pが蒸発してカバー10の裏面に達しても、カバー10の裏面においてHSO成分PとNHOH成分Pとが反応して塩Pを生成することはなく、生成した塩PからウエハW上にパーティクルとして付着することもない。 According to the present embodiment as described above, in the process shown in FIG. 4 (c), and injected from the injection nozzle 2A a first treatment liquid L 1 to the first processing liquid L 1 in the cleaning tank 2, the cleaning tank because the first treatment liquid L 1 rebounding from the first liquid surface of the treatment liquid L 1 in 2 can be cleaned back surface of the cover 10, H 2 sO 4 component P 1 on the back surface of the cover 10 are not remain In addition, the H 2 SO 4 component P 1 can be reliably washed and removed. Therefore, in the step shown in FIG. 4E, even if the NH 4 OH component P 2 in the second treatment liquid L 2 in the cleaning tank 2 evaporates and reaches the back surface of the cover 10, The H 2 SO 4 component P 1 and the NH 4 OH component P 2 do not react to generate the salt P, and the generated salt P does not adhere to the wafer W as particles.

また図4(c)に示す工程において、噴射ノズル2Aから第1処理液LをウエハWに噴射してウエハWを確実に洗浄することができ、同時に噴射ノズル2Aから噴射する第1処理液Lが洗浄槽2内の第1処理液Lの液面から跳ね返ってカバー10の裏面を洗浄することができる。 Also in the step shown in FIG. 4 (c), from the injection nozzle 2A by ejecting first treatment liquid L 1 to the wafer W can be reliably cleaned the wafer W, the first treatment liquid ejected from the same time the injection nozzle 2A L 1 rebounds from the surface of the first treatment liquid L 1 in the cleaning tank 2 and the back surface of the cover 10 can be cleaned.

なお、本実施例においては、洗浄槽2と外槽8が一体に設けられていたが、外槽8が一体に設けられていなくともよい。例えば、洗浄槽2からオーバーフローした処理液を下方で受け止めるような形態でもよい。特に上述に限ることはない。   In addition, in the present Example, although the washing tank 2 and the outer tank 8 were provided integrally, the outer tank 8 does not need to be provided integrally. For example, the form which receives the process liquid which overflowed from the washing tank 2 below may be sufficient. There is no particular limitation to the above.

1 筐体
2 洗浄槽
2A 噴射ノズル
3 ノズル
4 ウエハ保持機構
5 ウエハ保持部
8 外槽
10 カバー
10a、10b 分割片
20 カバー開閉機構
20a、20b シャフト
40 処理液供給配管
41 処理液供給機構
62,63 処理液排出配管
70 プロセスコントローラ
70A 制御装置
72 記憶媒体
W 半導体ウエハ
薬液
第1処理液
第2処理液
第3処理液
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Housing | casing 2 Cleaning tank 2A Injection nozzle 3 Nozzle 4 Wafer holding mechanism 5 Wafer holding part 8 Outer tank 10 Cover 10a, 10b Split piece 20 Cover opening / closing mechanism 20a, 20b Shaft 40 Processing liquid supply piping 41 Processing liquid supply mechanisms 62, 63 Processing liquid discharge piping 70 Process controller 70A Control device 72 Storage medium W Semiconductor wafer L 0 Chemical liquid L 1 First processing liquid L 2 Second processing liquid L 3 Third processing liquid

Claims (13)

被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方から覆うカバーと、前記カバーと前記洗浄槽の間に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルとを備えた洗浄装置を用いて洗浄処理を行なう洗浄方法において、
前記カバーを開として、前記被処理体を前記洗浄槽内へ搬入する工程と、
前記カバーを閉として、前記被処理体が第1処理液で全部かくれる状態で第1洗浄処理を施す工程と、
前記噴射ノズルから前記第1処理液を前記洗浄槽内の第1処理液の液面に対して噴射し、前記第1処理液の液面から跳ね返る第1処理液により前記カバーの裏面を洗浄する工程と、
を備えたことを特徴とする洗浄方法。
Using a cleaning apparatus including a cleaning tank used for cleaning an object to be processed, a cover that covers the cleaning tank from above, and an injection nozzle that is provided between the cover and the cleaning tank and injects a processing liquid. In a cleaning method for performing a cleaning process,
Opening the cover and carrying the object into the cleaning tank;
Applying the first cleaning process with the cover closed and the object to be treated being completely covered with the first processing liquid;
The first processing liquid is sprayed from the spray nozzle onto the liquid surface of the first processing liquid in the cleaning tank, and the back surface of the cover is cleaned with the first processing liquid that rebounds from the liquid surface of the first processing liquid. Process,
A cleaning method comprising:
前記噴射ノズルから第1処理液を噴射する際、前記洗浄槽内に設けられたノズルを介して第1処理液を吐出して前記洗浄槽内から第1処理液をオーバーフローさせることを特徴とする請求項1に記載の洗浄方法。   When jetting the first processing liquid from the spray nozzle, the first processing liquid is discharged through a nozzle provided in the cleaning tank to overflow the first processing liquid from the cleaning tank. The cleaning method according to claim 1. 前記カバーの裏面を洗浄した後、前記カバーを閉じたまま、前記洗浄槽内の前記第1処理液を第2処理液に入れ換えて、前記被処理体に対して前記第2処理液により第2洗浄処理を施す工程を更に備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の洗浄方法。   After the back surface of the cover is cleaned, the first processing liquid in the cleaning tank is replaced with the second processing liquid while the cover is closed, and the second processing liquid is used for the second processing liquid. The cleaning method according to claim 1, further comprising a step of performing a cleaning process. 前記洗浄槽内へ搬送される前記被処理体に薬液としてSPMが付着され、前記第1処理液は純水を含み、前記第2処理液はSC1を含むことを特徴とする請求項3記載の洗浄方法。   4. The SPM as a chemical solution is attached to the object to be processed conveyed into the cleaning tank, the first processing liquid contains pure water, and the second processing liquid contains SC1. Cleaning method. 前記第1処理液の液面から跳ね返る前記第1処理液は40℃〜80℃の純水を含むことを特徴とする請求項4記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 4, wherein the first treatment liquid that rebounds from the liquid surface of the first treatment liquid contains pure water at 40 ° C. to 80 ° C. 6. 前記噴射ノズルは前記洗浄内の第1処理液の液面に対して前記第1処理液を噴射するとともに、前記カバーの裏面に対しても前記第1処理液を噴射することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の洗浄方法。   The spray nozzle sprays the first processing liquid to the liquid surface of the first processing liquid in the cleaning and also sprays the first processing liquid to the back surface of the cover. Item 6. The cleaning method according to any one of Items 1 to 5. 被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、
前記洗浄槽を上方から覆うカバーと、
前記カバーと前記洗浄槽の間に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルと、
前記洗浄槽と、前記カバーと、前記噴射ノズルを駆動制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記カバーを開として、前記被処理体の前記洗浄槽内への搬入と、
前記カバーを閉として、前記被処理体が第1処理液で全部かくれる状態での第1洗浄処理と、
前記噴射ノズルから前記第1処理液を前記洗浄槽内に貯留された前記第1処理液の液面に対して噴射し、前記第1処理液の液面から跳ね返る第1処理液による前記カバーの裏面に対する洗浄と、
を実行させることを特徴とする洗浄装置。
A cleaning tank used for cleaning the object to be processed;
A cover that covers the cleaning tank from above;
An injection nozzle that is provided between the cover and the cleaning tank and injects a processing liquid;
The cleaning tank, the cover, and a control device that drives and controls the spray nozzle,
The controller is
Opening the cover, carrying the object to be processed into the cleaning tank,
A first cleaning process in a state where the cover is closed and the object to be processed is completely covered with the first processing liquid;
The first processing liquid is sprayed from the spray nozzle onto the liquid surface of the first processing liquid stored in the cleaning tank, and the cover of the cover is rebounded from the liquid surface of the first processing liquid. Cleaning the backside,
The cleaning apparatus characterized by performing.
前記制御装置は、前記噴射ノズルから第1処理液を噴射する際、前記洗浄槽内に設けられたノズルを介して前記第1処理液を吐出して前記洗浄槽内から前記第1処理液オーバーフローさせることを特徴とする請求項7に記載の洗浄装置。   The control device discharges the first processing liquid through a nozzle provided in the cleaning tank and injects the first processing liquid from the cleaning tank when jetting the first processing liquid from the spray nozzle. The cleaning apparatus according to claim 7, wherein: 前記制御装置は、
前記カバーの裏面を洗浄した後、前記カバーを閉じたまま、前記洗浄槽内の前記第1処理液を第2処理液に入れ換えて、前記被処理体に対して前記第2処理液により第2洗浄処理を施すことを更に備えたことを特徴とする請求項7または8記載の洗浄装置。
The controller is
After the back surface of the cover is cleaned, the first processing liquid in the cleaning tank is replaced with the second processing liquid while the cover is closed, and the second processing liquid is used for the second processing liquid. 9. The cleaning apparatus according to claim 7, further comprising performing a cleaning process.
前記洗浄槽内へ搬送される前記被処理体に薬液としてSPMが付着され、前記第1処理液は純水を含み、前記第2処理液はSC1を含むことを特徴とする請求項9記載の洗浄装置。   The SPM as a chemical solution is attached to the object to be processed conveyed into the cleaning tank, the first processing liquid includes pure water, and the second processing liquid includes SC1. Cleaning device. 前記第1処理液の液面から跳ね返る前記第1処理液は40℃〜80℃の純水を含むことを特徴とする請求項10記載の洗浄装置。   The cleaning apparatus according to claim 10, wherein the first treatment liquid that rebounds from the liquid surface of the first treatment liquid contains pure water at 40 ° C. to 80 ° C. 11. 前記噴射ノズルは前記洗浄槽内の第1処理液の液面に対して前記第1処理液を噴射するとともに、前記カバーの裏面に対しても前記第1処理液を噴射することを特徴とする請求項7乃至11のいずれか記載の洗浄装置。   The spray nozzle sprays the first processing liquid to the liquid surface of the first processing liquid in the cleaning tank and also sprays the first processing liquid to the back surface of the cover. The cleaning device according to any one of claims 7 to 11. コンピュータに洗浄方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
洗浄方法は、
被処理体の洗浄に用いられる洗浄槽と、前記洗浄槽を上方を覆うカバーと、前記カバーの裏面に設けられて処理液を噴射する噴射ノズルとを備えた洗浄装置を用いて洗浄処理を行なう洗浄方法において、
前記カバーを開として、前記被処理体を前記洗浄槽内へ搬入する工程と、
前記カバーを閉として、前記被処理体が第1処理液で全部かくれる状態で第1洗浄処理を施す工程と、
前記噴射ノズルから前記第1処理液を前記洗浄槽内の第1処理液に対して噴射し、前記第1処理液の液面から跳ね返る第1処理液により前記カバーの裏面を洗浄する工程と、
を備えたことを特徴とする記憶媒体。
In a storage medium storing a computer program for causing a computer to execute a cleaning method,
The cleaning method is
A cleaning process is performed using a cleaning tank that includes a cleaning tank used for cleaning an object to be processed, a cover that covers the cleaning tank, and a spray nozzle that is provided on the back surface of the cover and that sprays a processing liquid. In the cleaning method,
Opening the cover and carrying the object into the cleaning tank;
Applying the first cleaning process with the cover closed and the object to be treated being completely covered with the first processing liquid;
Spraying the first processing liquid from the spray nozzle onto the first processing liquid in the cleaning tank, and cleaning the back surface of the cover with the first processing liquid rebounding from the liquid surface of the first processing liquid;
A storage medium comprising:
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