JP2015070158A - Led light emitting device - Google Patents

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松島 竹夫
Takeo Matsushima
竹夫 松島
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Ushio Denki KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED light emitting device capable of preventing or inhibiting the occurrence of leaked light.SOLUTION: An LED light emitting device of the invention includes: a metal substrate; a wiring formation metal layer provided on the metal substrate through an insulation layer; an LED element which is electrically connected with the wiring formation metal layer; and an intermediate insulation layer provided on the insulation layer and covering the wiring formation metal layer; and a frame-like metal thin layer which is formed on the intermediate insulation layer so as to enclose a region in which the LED element is disposed.

Description

本発明は、LED素子が搭載されたLED発光装置に関するものである。   The present invention relates to an LED light emitting device on which an LED element is mounted.

近年、発光装置においては、省エネルギー化および小型化の要請により、光源素子としてLED素子が利用されている。このようなLED素子が搭載されたLED発光装置は、例えば特許文献1に記載されている。
このLED発光装置においては、パターニングされた配線形成用金属層を覆う絶縁層の表面上に、LED素子が配置され、更に、このLED素子を包囲するよう遮光用枠体が配置されている。
In recent years, in light emitting devices, LED elements are used as light source elements due to demands for energy saving and miniaturization. An LED light emitting device on which such an LED element is mounted is described in Patent Document 1, for example.
In this LED light emitting device, an LED element is disposed on the surface of an insulating layer covering the patterned metal layer for wiring formation, and a light shielding frame is disposed so as to surround the LED element.

特開2010−212352号公報JP 2010-212352 A

しかしながら、上記のLED発光装置においては、以下のような問題があることが判明した。
絶縁層の裏面には、パターニングされた配線形成用金属層が存在することにより、当該絶縁層の表面には、配線形成用金属層のパターンに応じた凹凸が形成される。そして、このような凹凸を有する絶縁層上に、遮光用枠体が配置されると、絶縁層と遮光用枠体との間に間隙が生じてしまう。このため、LED素子からの光は、絶縁層と遮光用枠体との間の間隙を介して、外部に漏れ光として放射される、という問題がある。
However, it has been found that the above LED light emitting device has the following problems.
Since the patterned metal layer for wiring formation exists on the back surface of the insulating layer, irregularities corresponding to the pattern of the metal layer for wiring formation are formed on the surface of the insulating layer. When the light shielding frame is disposed on the insulating layer having such irregularities, a gap is generated between the insulating layer and the light shielding frame. For this reason, there exists a problem that the light from an LED element is radiated | emitted as leak light outside through the gap | interval between an insulating layer and the light shielding frame.

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、漏れ光の発生を防止または抑制することができるLED発光装置を提供することにある。   This invention is made | formed based on the above situations, Comprising: The objective is to provide the LED light-emitting device which can prevent or suppress generation | occurrence | production of leakage light.

本発明のLED発光装置は、金属製基板と、
この金属製基板上に絶縁層を介して設けられた配線形成用金属層と、
この配線形成用金属層に電気的に接続されたLED素子と、
前記絶縁層上に設けられた、前記配線形成用金属層を覆う中間絶縁層と、
この中間絶縁層上に、前記LED素子が配置された領域を包囲するよう形成された枠状金属薄層と
を備えてなることを特徴とする。
The LED light emitting device of the present invention includes a metal substrate,
A metal layer for wiring formation provided on the metal substrate via an insulating layer;
LED elements electrically connected to the wiring forming metal layer;
An intermediate insulating layer provided on the insulating layer and covering the metal layer for wiring formation;
On this intermediate | middle insulating layer, the frame-shaped thin metal layer formed so that the area | region where the said LED element is arrange | positioned may be provided, It is characterized by the above-mentioned.

本発明のLED発光装置においては、前記枠状金属薄層上にその全周において接するよう配置された遮光用枠体を有することが好ましい。
また、前記絶縁層上に、前記配線形成用金属層と同等の厚みを有する平坦化用金属層が、前記配線形成用金属層と異なる領域に形成されていることが好ましい。
In the LED light-emitting device of the present invention, it is preferable to have a light-shielding frame disposed on the frame-shaped metal thin layer so as to be in contact with the entire circumference.
Further, it is preferable that a planarizing metal layer having a thickness equivalent to the wiring forming metal layer is formed on the insulating layer in a region different from the wiring forming metal layer.

本発明のLED発光装置によれば、中間絶縁層上に、LED素子が配置された領域を包囲するよう枠状金属薄層が形成されていることにより、当該中間絶縁層の表面における枠状金属薄層が形成された領域には、枠状金属薄層の剛性によって面方向に張力が作用する。このため、この領域の下層に配線形成用金属層が存在していても、当該領域には凹凸が形成されにくくなる。その結果、枠状金属薄層の表面にも凹凸が形成されず、或いは凹凸が形成されても微小なものとなる。従って、枠状金属薄層上に遮光用枠体が配置されることにより、漏れ光の発生を防止または抑制することができる。   According to the LED light emitting device of the present invention, the frame-shaped metal thin layer is formed on the intermediate insulating layer so as to surround the region where the LED element is disposed, so that the frame-shaped metal on the surface of the intermediate insulating layer is formed. In the region where the thin layer is formed, tension acts in the surface direction due to the rigidity of the frame-shaped metal thin layer. For this reason, even if the metal layer for wiring formation exists in the lower layer of this area | region, an unevenness | corrugation becomes difficult to form in the said area | region. As a result, unevenness is not formed on the surface of the frame-shaped metal thin layer, or even if unevenness is formed, the surface becomes minute. Therefore, by arranging the light shielding frame on the frame-shaped metal thin layer, the occurrence of leakage light can be prevented or suppressed.

本発明のLED発光装置の一例における構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure in an example of the LED light-emitting device of this invention. 図1に示すLED発光装置の側面図である。It is a side view of the LED light-emitting device shown in FIG. 図1に示すLED発光装置において、遮光用枠体を取り外した状態の平面図である。In the LED light-emitting device shown in FIG. 1, it is a top view of the state which removed the light-shielding frame. 図3のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図3のB−B断面図である。It is BB sectional drawing of FIG.

以下、本発明のLED発光装置の実施の形態について説明する。
図1は、本発明のLED発光装置の一例における構成を示す平面図、図2は、図1に示すLED発光装置の側面図である。また、図3は、図1に示すLED発光装置において、遮光用枠体を取り外した状態の平面図、図4は、図3のA−A断面図、図5は、図3のB−B断面図である。
Hereinafter, embodiments of the LED light emitting device of the present invention will be described.
FIG. 1 is a plan view showing the configuration of an example of the LED light-emitting device of the present invention, and FIG. 2 is a side view of the LED light-emitting device shown in FIG. 3 is a plan view of the LED light emitting device shown in FIG. 1 with the light shielding frame removed, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 3, and FIG. It is sectional drawing.

このLED発光装置は、金属製基板10を有する。この金属製基板10の表面上には、樹脂よりなる絶縁層11を介して、例えば銅よりなる配線形成用金属層12が設けられている。絶縁層11上には、配線形成用金属層12と同等の厚みを有する、例えば銅よりなる平坦化用金属層13が、配線形成用金属層12と異なる領域に形成されている。   This LED light emitting device has a metal substrate 10. On the surface of the metal substrate 10, a wiring forming metal layer 12 made of, for example, copper is provided via an insulating layer 11 made of resin. On the insulating layer 11, a planarizing metal layer 13 made of, for example, copper having the same thickness as the wiring forming metal layer 12 is formed in a region different from the wiring forming metal layer 12.

また、絶縁層11上には、配線形成用金属層12および平坦化用金属層13を覆うよう中間絶縁層14が設けられている。この中間絶縁層14の上層には、複数(図示の例では4つ)の接続用端子15が形成されている。これらの接続用端子15は、中間絶縁層13をその厚み方向に貫通して伸びるポスト16を介して、配線形成用金属層12に電気的に接続されている。   On the insulating layer 11, an intermediate insulating layer 14 is provided so as to cover the wiring forming metal layer 12 and the planarizing metal layer 13. A plurality (four in the illustrated example) of connection terminals 15 are formed on the intermediate insulating layer 14. These connection terminals 15 are electrically connected to the wiring forming metal layer 12 via posts 16 that extend through the intermediate insulating layer 13 in the thickness direction.

一の接続用端子15上にはLED素子20が配置されている。このLED素子20の一方の電極が当該一の接続用端子15に電気的に接続されている。また、LED素子20の他方の電極は、ボンディングワイヤ25を介して、一の接続用端子15に隣接する他の接続用端子15に電気的に接続されている。これにより、LED素子20は、接続用端子15およびポスト16を介して、配線形成用金属層12に電気的に接続されている。この2つの接続用端子15は、配線形成用金属層12を介して残りの2つの接続用端子15に電気的に接続されており、この残りの2つの接続用端子15には、コネクタ30が電気的に接続されている。
中間絶縁層13上には、LED素子20が配置された領域を包囲するよう枠状金属薄層17が形成されている。この枠状金属薄層17上には、上面にLED素子20からの光を集光するレンズ19が設けられた遮光用枠体18が、当該枠状金属薄層17の全周において接するよう配置されている。この遮光用枠体18は、その四隅においてネジ止めによって、枠状金属薄層17、中間絶縁層14および絶縁層11を介して金属製基板10に固定されている。
The LED element 20 is disposed on one connection terminal 15. One electrode of the LED element 20 is electrically connected to the one connection terminal 15. The other electrode of the LED element 20 is electrically connected to another connection terminal 15 adjacent to the one connection terminal 15 via a bonding wire 25. Thus, the LED element 20 is electrically connected to the wiring forming metal layer 12 via the connection terminal 15 and the post 16. The two connection terminals 15 are electrically connected to the remaining two connection terminals 15 through the wiring forming metal layer 12, and the connector 30 is connected to the remaining two connection terminals 15. Electrically connected.
On the intermediate insulating layer 13, a frame-shaped thin metal layer 17 is formed so as to surround a region where the LED element 20 is disposed. On this frame-shaped metal thin layer 17, a light-shielding frame 18 provided with a lens 19 for condensing light from the LED element 20 on the upper surface is arranged so as to be in contact with the entire circumference of the frame-shaped metal thin layer 17. Has been. The light shielding frame 18 is fixed to the metal substrate 10 via the frame-shaped metal thin layer 17, the intermediate insulating layer 14, and the insulating layer 11 by screwing at the four corners.

金属製基板10を構成する金属材料としては、銅、アルミニウムなどを用いることができる。
また、金属製基板10の厚みは、例えば0.1〜5mmである。
As a metal material constituting the metal substrate 10, copper, aluminum, or the like can be used.
Moreover, the thickness of the metal board | substrate 10 is 0.1-5 mm, for example.

絶縁層11を構成する樹脂材料としては、例えばセラミックスフィラーが混入されたエポキシ系樹脂などを用いることができる。
また、絶縁層11の厚みは、例えば10〜300μmである。
As a resin material constituting the insulating layer 11, for example, an epoxy resin mixed with a ceramic filler can be used.
Moreover, the thickness of the insulating layer 11 is 10-300 micrometers, for example.

配線形成用金属層12および平坦化用金属層13の厚みは、例えば10〜300μmである。   The thickness of the wiring forming metal layer 12 and the planarizing metal layer 13 is, for example, 10 to 300 μm.

中間絶縁層14を構成する樹脂材料としては、例えばセラミックスフィラーが混入されたエポキシ系樹脂などを用いることができる。
また、中間絶縁層14の厚みは、例えば10〜300μmである。
As a resin material constituting the intermediate insulating layer 14, for example, an epoxy resin mixed with a ceramic filler can be used.
Moreover, the thickness of the intermediate | middle insulating layer 14 is 10-300 micrometers, for example.

枠状金属薄層17を構成する金属材料としては、銅、金、銀、アルミニウムまたはそれらの金属複合材などを用いることができる。
枠状金属薄層17の厚みは、50〜300μmであることが好ましい。この厚みが過小である場合には、配線形成用金属層12による凹凸を抑制することが困難となる。一方、この厚みが過大である場合には、パターン形成時のエッチング処理に長い時間を要することなど製造上不利となる。
また、枠状金属薄層17の線幅は、0.1mm以上であることが好ましく、より好ましくは1mm以上である。この線幅が過小である場合には、エッチングによる線幅の制御が困難となり、凹凸を十分に抑制することが困難となる。
As the metal material constituting the frame-shaped metal thin layer 17, copper, gold, silver, aluminum, or a metal composite material thereof can be used.
The thickness of the frame-shaped metal thin layer 17 is preferably 50 to 300 μm. When this thickness is too small, it becomes difficult to suppress unevenness due to the wiring forming metal layer 12. On the other hand, when this thickness is excessive, it is disadvantageous in manufacturing, for example, it takes a long time for the etching process at the time of pattern formation.
Moreover, it is preferable that the line width of the frame-shaped thin metal layer 17 is 0.1 mm or more, More preferably, it is 1 mm or more. When this line width is too small, it becomes difficult to control the line width by etching, and it becomes difficult to sufficiently suppress the unevenness.

遮光用枠体18を構成する材料としては、金属、紫外線を透過しない樹脂やセラミックスなどを用いることができる。   As a material constituting the light shielding frame 18, a metal, a resin that does not transmit ultraviolet light, ceramics, or the like can be used.

LED素子20としては、波長440nm以下の光を出射するGaN系素子やAlGaN系素子などを用いることができる。   As the LED element 20, a GaN-based element or an AlGaN-based element that emits light having a wavelength of 440 nm or less can be used.

上記のLED発光装置は、例えば以下のようにして製造することができる。
先ず、金属製基板10上に、絶縁層11を介して配線形成用金属層12および平坦化用金属層13が形成されてなる基板複合体を作製する。次いで、この基板複合体上に、枠状金属薄層17が形成された絶縁性シートを圧着することにより、表面に枠状金属薄層17が形成された中間絶縁層14を形成する。このとき、中間絶縁層14の表面における枠状金属薄層17が形成された領域には、枠状金属薄層17の剛性によって面方向に張力が作用するため、当該領域には、配線形成用金属層12のパターンに応じて凹凸が形成されることが抑制される。その後,中間絶縁層14にポスト16を形成すると共に、中間絶縁層14の表面に接続用端子15を形成する。そして、接続用端子15上にLED素子20を配置し、LED素子20と接続用端子15の所要の電気的接続を行う。また、枠状金属薄層17上に、遮光用枠体18を当該枠状金属薄層17の全周において接するよう配置して固定する。更に、LED素子20に接続されていない接続用端子15に、コネクタ30を電気的に接続する。以て、上記のLED発光装置が製造される。
Said LED light-emitting device can be manufactured as follows, for example.
First, a substrate composite in which a wiring forming metal layer 12 and a planarizing metal layer 13 are formed on a metal substrate 10 via an insulating layer 11 is produced. Next, the insulating sheet on which the frame-shaped metal thin layer 17 is formed is pressure-bonded onto the substrate composite, thereby forming the intermediate insulating layer 14 on which the frame-shaped metal thin layer 17 is formed. At this time, the region in which the frame-shaped metal thin layer 17 is formed on the surface of the intermediate insulating layer 14 is tensioned in the surface direction due to the rigidity of the frame-shaped metal thin layer 17. The formation of irregularities according to the pattern of the metal layer 12 is suppressed. Thereafter, the post 16 is formed on the intermediate insulating layer 14, and the connection terminal 15 is formed on the surface of the intermediate insulating layer 14. Then, the LED element 20 is disposed on the connection terminal 15, and required electrical connection between the LED element 20 and the connection terminal 15 is performed. Further, the light shielding frame 18 is disposed and fixed on the frame-shaped metal thin layer 17 so as to be in contact with the entire circumference of the frame-shaped metal thin layer 17. Further, the connector 30 is electrically connected to the connection terminal 15 that is not connected to the LED element 20. Thus, the above LED light emitting device is manufactured.

このようなLED発光装置によれば、中間絶縁層14上に、LED素子20が配置された領域を包囲するよう枠状金属薄層17が形成されていることにより、当該中間絶縁層14の表面における枠状金属薄層17が形成された領域には、枠状金属薄層17の剛性によって面方向に張力が作用する。このため、この領域の下層に配線形成用金属層12が局所的に存在していても、当該領域には凹凸が形成されにくくなる。その結果、枠状金属薄層17の表面にも凹凸が形成されず、或いは凹凸が形成されても微小なものとなる。従って、枠状金属薄層17上に遮光用枠体18が配置されることにより、漏れ光の発生を防止または抑制することができる。   According to such an LED light emitting device, the frame-like metal thin layer 17 is formed on the intermediate insulating layer 14 so as to surround the region where the LED element 20 is disposed, so that the surface of the intermediate insulating layer 14 is formed. In the region where the frame-shaped metal thin layer 17 is formed, tension acts in the plane direction due to the rigidity of the frame-shaped metal thin layer 17. For this reason, even if the wiring forming metal layer 12 is locally present in the lower layer of this region, it is difficult to form irregularities in the region. As a result, irregularities are not formed on the surface of the frame-shaped thin metal layer 17 or are minute even if irregularities are formed. Therefore, by arranging the light shielding frame 18 on the frame-shaped metal thin layer 17, the occurrence of leakage light can be prevented or suppressed.

さらに、平坦化用金属層13が、配線形成用金属層12と異なる領域に形成されることにより、この領域に積層される中間絶縁層14に、その配線形成用金属層12側に凹部が形成されることが抑制され、当該領域には凹凸が形成されにくくなる。その結果、枠状金属薄層17の表面にも凹凸が形成されず、或いは凹凸が形成されても微小なものとなる。従って、枠状金属薄層17上に遮光用枠体18が配置されることにより、漏れ光の発生を防止または抑制することができる。   Further, by forming the planarizing metal layer 13 in a region different from the wiring forming metal layer 12, a concave portion is formed on the wiring forming metal layer 12 side in the intermediate insulating layer 14 laminated in this region. This is suppressed, and unevenness is hardly formed in the region. As a result, irregularities are not formed on the surface of the frame-shaped thin metal layer 17 or are minute even if irregularities are formed. Therefore, by arranging the light shielding frame 18 on the frame-shaped metal thin layer 17, the occurrence of leakage light can be prevented or suppressed.

〈実施例1〉
図1に示す構成に従い、下記の仕様のLED発光装置を作製した。
金属製基板(10):材質=銅,厚み=7mm
絶縁層(11):材質=セラミックスフィラー含有エポキシ樹脂,厚み=100μm
配線形成用金属層(12):材質=銅,厚み=50μm
平坦化用金属層(13):材質=銅,厚み=50μm
中間絶縁層(14):材質=エポキシ樹脂,厚み=100μm
枠状金属薄層(17):材質=銅,外周の寸法=8mm×8mm,線幅=7mm,厚み=100μm
遮光用枠体(18):材質=アルミニウム,外周の寸法=8mm×8mm,内周の寸法=6mm×6mm,高さ=8mm
LED素子(20):AlGaN系素子(波長405nm),寸法=1mm×1mm×0.5mm,出力=0.6W
上記のLED発光装置を点灯させたところ、漏れ光の発生は認められなかった。
<Example 1>
According to the configuration shown in FIG. 1, an LED light-emitting device having the following specifications was produced.
Metal substrate (10): material = copper, thickness = 7 mm
Insulating layer (11): material = ceramic filler-containing epoxy resin, thickness = 100 μm
Metal layer for wiring formation (12): material = copper, thickness = 50 μm
Flattening metal layer (13): material = copper, thickness = 50 μm
Intermediate insulating layer (14): material = epoxy resin, thickness = 100 μm
Frame-shaped metal thin layer (17): material = copper, outer circumference = 8 mm × 8 mm, line width = 7 mm, thickness = 100 μm
Shading frame (18): material = aluminum, outer circumference = 8 mm × 8 mm, inner circumference = 6 mm × 6 mm, height = 8 mm
LED element (20): AlGaN-based element (wavelength 405 nm), dimensions = 1 mm × 1 mm × 0.5 mm, output = 0.6 W
When the LED light-emitting device was turned on, no leakage light was observed.

〈比較例1〉
枠状金属薄層を設けなかったこと以外は、実施例1と同様の構成のLED発光装置を作製した。このLED発光装置を点灯させたところ、漏れ光の発生が認められた。
<Comparative example 1>
An LED light-emitting device having the same configuration as that of Example 1 was produced except that the frame-shaped metal thin layer was not provided. When this LED light emitting device was turned on, generation of leakage light was recognized.

10 金属製基板
11 絶縁層
12 配線形成用金属層
13 平坦化用金属層
14 中間絶縁層
15 接続用端子
16 ポスト
17 枠状金属薄層
18 遮光用枠体
19 レンズ
20 LED素子
25 ボンディングワイヤ
30 コネクタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Metal substrate 11 Insulating layer 12 Wiring forming metal layer 13 Flattening metal layer 14 Intermediate insulating layer 15 Connection terminal 16 Post 17 Frame-shaped metal thin layer 18 Shading frame 19 Lens 20 LED element 25 Bonding wire 30 Connector

Claims (3)

金属製基板と、
この金属製基板上に絶縁層を介して設けられた配線形成用金属層と、
この配線形成用金属層に電気的に接続されたLED素子と、
前記絶縁層上に設けられた、前記配線形成用金属層を覆う中間絶縁層と、
この中間絶縁層上に、前記LED素子が配置された領域を包囲するよう形成された枠状金属薄層と
を備えてなることを特徴とするLED発光装置。
A metal substrate;
A metal layer for wiring formation provided on the metal substrate via an insulating layer;
LED elements electrically connected to the wiring forming metal layer;
An intermediate insulating layer provided on the insulating layer and covering the metal layer for wiring formation;
An LED light-emitting device comprising: a frame-like metal thin layer formed on the intermediate insulating layer so as to surround a region where the LED element is disposed.
前記枠状金属薄層上にその全周において接するよう配置された遮光用枠体を有することを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。   The LED light-emitting device according to claim 1, further comprising a light-shielding frame disposed on the frame-shaped metal thin layer so as to be in contact with the entire circumference thereof. 前記絶縁層上に、前記配線形成用金属層と同等の厚みを有する平坦化用金属層が、前記配線形成用金属層と異なる領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のLED発光装置。   2. The planarizing metal layer having a thickness equivalent to the wiring forming metal layer is formed on the insulating layer in a region different from the wiring forming metal layer. LED light emitting device.
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