JP2015057813A - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
実施例1では、本発明の実施の形態で説明した電子デバイスの製造方法に基づいて、バンプのフリップチップ接合を行った。40000個の円錐金バンプが形成されたSiチップを、フリップチップ接合装置(PMT社製CA300SS)のセラミックパルスヒータヘッドに吸着させるとともに、測定用の配線が形成された15 mm角のSiチップをステージ上に設置して、バンプ接合形成を実施した。これらのチップ上には、3インチシリコンウェハ(厚み: 380μm)上に絶縁層(SiO2:300 nm)のSiO2をPE-CVD法で形成し、その上にTi: 20 nm/Au: 500 nmの配線層を真空蒸着法により形成した。バンプ形成したチップ上には、40000個の直径6μm、バンプ高さ7.4μmの円錐金バンプを、20μmピッチのエリアアレイ(200個×200個)状に配置した。エリアアレイバンプ接合の電気的接続の評価を行う為、各接合間の配線は、デイジーチェーン構成とした。
実施例2では、実施例1とは異なる条件下で円錐金バンプの圧縮試験を行い、バンプのフリップチップ接合を行った。
11 酸化膜
12 金属配線層
14 金属配線層
20 円錐金バンプ
40 Si基板
41 酸化膜
42 金属配線層
44 金属配線層
50 セラミックパルスヒーターヘッド
100 Siチップ
400 配線チップ
Claims (7)
- 第一の基板に形成された複数の金属配線と第二の基板にナノパーティクルデポジション法により形成された複数の錐型バンプとを接合する電子デバイスの製造方法であって、
前記第二の基板の基板保持手段を降下させ、前記複数の金属配線と前記複数の錐型バンプを接触させる工程と、
前記第二の基板の基板保持手段をさらに降下させることで前記複数の錐型バンプに加圧する工程と、
前記複数の錐型バンプへの加圧が所定の荷重力となったところで加圧を終了する工程と、
を有する電子デバイスの製造方法。 - 請求項1記載の電子デバイスの製造方法であって、
さらに、前記第二の基板の基板保持手段により所定の加熱温度まで加熱する工程を有する、電子デバイスの製造方法。 - 請求項1又は2記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記第一の基板及び前記第二の基板にはアラインメントマークが配置されており、前記アラインメントマークを一致させるように前記第一の基板と前記第二の基板とをアラインメントする工程をさらに有する、電子デバイスの製造方法。 - 請求項1〜3記載の電子デバイスの製造方法であって、
複数のバンプを有するテスト基板を保持した基板保持手段を降下させ、前記第一の基板の前記複数の金属配線と前記テスト基板に形成された複数のバンプとを接触させることで、バンプ高さの分布を測定し、平行度を調整する工程をさらに有する、電子デバイスの製造方法。 - 請求項1〜4記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記複数の錐型バンプが、もとの高さの約1/2となるように、所定の荷重力を設定する、電子デバイスの製造方法。 - 請求項1〜5記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記第二基板の基板保持手段は、メカニカルベアリングシリンダーを有するヒーターヘッドである、電子デバイスの製造方法。 - 請求項1〜6記載の電子デバイスの製造方法であって、
さらに、一度所定の荷重力よりも低い荷重で加圧した後、第二の基板の基板保持手段を上昇させる工程を有し、
その後、再度、前記第二の基板の基板保持手段を降下させることで、前記複数の錐型バンプへの加圧が所定の荷重力となったところで加圧を終了する、電子デバイスの製造方法。
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