JP2015053527A - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板上に平面状シリコン層を形成し、平面状シリコン層上に第1の柱状シリコン層と第2の柱状シリコン層とを形成する第1の工程と、前記第1の柱状シリコン層と前記第2の柱状シリコン層上に酸化膜ハードマスクを形成し、平面状シリコン層上にゲート絶縁膜より厚い第2の酸化膜を形成する第2の工程と、前記第1の柱状シリコン層と第2の柱状シリコン層の周囲にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の周囲に金属膜及びポリシリコン膜を成膜し、前記ポリシリコン膜の膜厚は前記第1の柱状シリコン層と前記第2の柱状シリコン層との間の間隔の半分より薄く、ゲート配線を形成するための第3のレジストを形成し、異方性エッチングを行うことにより前記ゲート配線を形成する第3の工程と、を有する。
【選択図】図1
Description
以上により、シリコン基板101上に平面状シリコン層107と、平面状シリコン層107上に、第1の柱状シリコン層104と第2の柱状シリコン層105と、を形成する第1の工程が示された。
102.第1のレジスト
103.第1のレジスト
104.第1の柱状シリコン層
105.第1の柱状シリコン層
106.第2のレジスト
107.平面状シリコン層
108.素子分離膜
109.酸化膜
110.第2の酸化膜
111.酸化膜ハードマスク
112.酸化膜ハードマスク
113.ゲート絶縁膜
114.ゲート絶縁膜
115.金属膜
116.ポリシリコン膜
117.第3のレジスト
118a.ゲート電極
118b.ゲート電極
118c.ゲート配線
119.第4のレジスト
120.第6のレジスト
121.第1のn型拡散層
122.第2のn型拡散層
123.第7のレジスト
124.第1のp型拡散層
125.第2のp型拡散層
126.窒化膜
127.シリサイド
128.シリサイド
129.シリサイド
130.シリサイド
131.シリサイド
132.シリサイド
133.シリサイド
134.シリサイド
137.コンタクトストッパー
138.層間絶縁膜
139.第8のレジスト
140.コンタクト孔
141.コンタクト孔
142.第9のレジスト
143.コンタクト孔
144.コンタクト孔
145.コンタクト
146.コンタクト
147.コンタクト
148.コンタクト
149.金属
150.第10のレジスト
151.第10のレジスト
152.第10のレジスト
153.第10のレジスト
154.金属配線
155.金属配線
156.金属配線
157.金属配線
160.酸化膜
161.第5のレジスト
Claims (4)
- シリコン基板に対してソース、ゲート、ドレインが垂直方向に柱状に配置され、ゲート電極が柱状半導体層を取り囲む構造の半導体装置であって、
シリコン基板上に形成された平面状シリコン層と、
前記平面状シリコン層上に形成された第1及び第2の柱状シリコン層と、
前記第1の柱状シリコン層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属膜及びポリシリコン膜の積層構造からなる第1のゲート電極と、
前記第2の柱状シリコン層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属膜及びポリシリコン膜の積層構造からなる第2のゲート電極と、ここで、前記ポリシリコン膜の膜厚は前記第1の柱状シリコン層と前記第2の柱状シリコン層との間の間隔の半分より薄く、
前記第1及び前記第2のゲート電極に接続されたゲート配線と、ここで、前記ゲート配線の上面の高さは前記第1及び第2のゲート電極の上面の高さより低く、
前記ゲート配線と前記平面状シリコン層との間に形成された前記ゲート絶縁膜より厚い第2の酸化膜と、
前記第1の柱状シリコン層の上部に形成された第1のn型拡散層と、
前記第1の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部とに形成された第2のn型拡散層と、
前記第2の柱状シリコン層の上部に形成された第1のp型拡散層と、
前記第2の柱状シリコン層の下部と前記平面状シリコン層の上部とに形成された第2のp型拡散層と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート配線は、前記金属膜とシリサイドの積層構造からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ゲート配線の中心線が、前記第1の柱状シリコン層の中心点と前記第2の柱状シリコン層の中心点とを結ぶ線に対して第1の所定量ずれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1及び前記第2のn型拡散層上と前記第1及び前記第2のp型拡散層に形成されたシリサイドと、を有する、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
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