JP2015012049A - 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 - Google Patents
全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015012049A JP2015012049A JP2013134534A JP2013134534A JP2015012049A JP 2015012049 A JP2015012049 A JP 2015012049A JP 2013134534 A JP2013134534 A JP 2013134534A JP 2013134534 A JP2013134534 A JP 2013134534A JP 2015012049 A JP2015012049 A JP 2015012049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- insulator
- layer
- element according
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000010416 ion conductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 27
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 37
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 21
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910021526 gadolinium-doped ceria Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- AHKZTVQIVOEVFO-UHFFFAOYSA-N oxide(2-) Chemical compound [O-2] AHKZTVQIVOEVFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
ここで、前記ドレイン電極層及び前記ソース電極層と前記絶縁体あるいは半導体材料との間にバッファー層を設けてよい。
また、前記ゲート電極層と前記ソース電極層または前記ドレイン電極層との間に電圧を印加することによって、前記イオン伝導体材料層内の酸化物イオンおよび酸素欠陥または水素イオンおよび少なくとも水酸化物イオンが移動して、前記絶縁体あるいは半導体材料と前記イオン伝導体材料層との界面に電気二重層が生成されるようにしてよい。
また、前記電気二重層の形成によって前記絶縁体あるいは半導体内であって前記絶縁体あるいは半導体材料と前記イオン伝導体材料層との界面に隣接した位置に伝導キャリアが生成され、それにともなって前記ドレイン電極とソース電極間の導電性に変化が与えられてよい。
また、前記イオン伝導体材料は酸素欠陥を有する金属酸化物を含んでよい。
また、前記金属酸化物は酸素欠陥を有するガドリニウム添加セリア(Ce1−xGdxO2-2/X(0<x≦0.5))、安定化ジルコニア、安定化ビスマス酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物およびスズ酸化物からなる群から選択される少なくとも一つであってよい。
また、前記イオン伝導体材料は水素イオンを有する金属酸化物または高分子化合物を含んでよい。
また、前記金属酸化物がイットリウム添加安定化ジルコニア(Zr1−xYxO2−2/x(0<x≦0.2))及びBaZr0.8Y0.2O3−x(0<x≦0.2)からなる群から選択される少なくとも一つであってよい。
また、前記高分子化合物はナフィオンであってよい。
また、前記ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は白金、パラジウム、ロジウムおよびルテニウムからなる群から選択された少なくとも一つからなってよい。
また、前記バッファー層はアルミニウム、チタニウム、タングステン及び銅からなる群から選択された少なくとも一つからなってよい。
また、前記絶縁体あるいは半導体の材料が、チタン酸ストロンチウム、シリコン、ガリウムヒ素、ダイヤモンド、あるいは酸化チタン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズなどの金属酸化物からなってよい。
本発明の他の側面によれば、上記何れかの電気伝導素子を、抵抗スイッチまたはメモリ素子の少なくとも一つとして使用した電子装置が与えられる。
本発明の一実施例によれば、その素子は、3端子の電極構造を有する。図1に概念図で示すように、酸化物イオンが移動できるイオン伝導体6をゲート電極1と絶縁体あるいは半導体5で挟んだ積層構造によって形成する。この時、絶縁体あるいは半導体5の表面上には、金属バッファー層4を介してドレイン電極2およびソース電極3も形成する。なお、イオン伝導体6としては、酸化物イオン伝導性を有するものに代えて水素イオン伝導性のものを使用することもできる。その場合には、イオン伝導体6中を酸化物イオン7及び酸素欠陥8が移動する代わりに水素イオン及び負の電荷の水酸化物イオン(OH−)等(その多くは水酸化物イオンであるが他の負の電荷イオンを含むことがある)が移動することになる。
図2を参照しながら、酸化物イオン伝導性のイオン伝導体を使用した場合の本発明の動的に設定可能な可変電気伝導素子の動作を説明する。図2には、図1に示す3端子素子において、ゲート電極1とソース電極3、およびドレイン電極2とソース電極3との間にそれぞれ電圧を印加することにより遷移可能な状態を示している。
図1に構造を概念的に示した3端子型素子を作成し、そのゲート電極1に電圧を印加した時のドレイン電極2とソース電極3の間の電気伝導性の変化を測定した。ここで、ソース電極3は接地しておいた。この素子は、ゲート電極1、ドレイン電極2およびソース電極3としてPtを用い、酸化物イオンのイオン伝導体6として酸素欠陥を含むガドリニウム添加セリア(Ce1−xGdxO2−2/x)を用いた。また、ドレイン電極2およびソース電極3と絶縁体あるいは半導体5との間でオーミックな電気伝導性を得るために、バッファー層4としてAl層を挟んだ。公知のRFスパッタ法およびパルスレーザデポジション(PLD)法を用いて、図1に示した3端子素子構造を(001)方位のチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)単結晶基板上にAl/Pt/Ce1−xGdxO2−2/x/Ptの順で積層することで、この素子を作製した。イオン伝導体6であるCe1−xGdxO2−2/x膜の組成はx=0.2であり、厚さは400nmであった。作成した素子内のCe1−xGdxO2−2/xとSrTiO3との界面付近の透過電子顕微鏡写真を図4に示す。Ce1−xGdxO2−2/x膜およびSrTiO3との界面は、細孔などが無い緻密な構造であり、機械的にも強度なものであった。
図1と同様な構成において水素イオン伝導性のイオン伝導体6を使用した場合の本発明の素子を作成し、その特性を測定した。
2:ドレイン電極
3:ソース電極
4:バッファー層
5:絶縁体あるいは半導体
6:酸化物イオン伝導体
7:酸化物イオン
8:酸素欠陥
9:正の極性の伝導キャリア
10:負の極性の伝導キャリア
11:白金電極
12:1%Nd添加SrTiO3電極
Claims (13)
- 酸化物イオンまたは水素イオンが伝導できるイオン伝導体材料層と、
前記イオン伝導体材料層を挟むゲート電極層及び絶縁体あるいは半導体材料と、
前記絶縁体あるいは半導体材料の表面上または内部に設けられたドレイン電極層およびソース電極層と
を設けた電気伝導素子。 - 前記ドレイン電極層及び前記ソース電極層と前記絶縁体あるいは半導体材料との間にバッファー層を設けた、請求項1に記載の電気伝導素子。
- 前記ゲート電極層と前記ソース電極層または前記ドレイン電極層との間に電圧を印加することによって、前記イオン伝導体材料層内の酸化物イオンおよび酸素欠陥または水素イオンおよび少なくとも水酸化物イオンが移動して、前記絶縁体あるいは半導体材料と前記イオン伝導体材料層との界面に電気二重層が生成される、請求項1または2に記載の電気伝導素子。
- 前記電気二重層の形成によって前記絶縁体あるいは半導体内であって前記絶縁体あるいは半導体材料と前記イオン伝導体材料層との界面に隣接した位置に伝導キャリアが生成され、それにともなって前記ドレイン電極とソース電極間の導電性に変化が与えられる、請求項3に記載の電気伝導素子。
- 前記イオン伝導体材料は酸素欠陥を有する金属酸化物を含む、請求項1から4の何れかに記載の電気伝導素子。
- 前記金属酸化物は酸素欠陥を有するガドリニウム添加セリア(Ce1−xGdxO2-2/x(0<x≦0.5))、安定化ジルコニア、安定化ビスマス酸化物、タングステン酸化物、亜鉛酸化物およびスズ酸化物からなる群から選択される少なくとも一つである、請求項5に記載の電気伝導素子。
- 前記イオン伝導体材料は水素イオンを有する金属酸化物または高分子化合物を含む、請求項1から4の何れかに記載の電気伝導素子。
- 前記金属酸化物がイットリウム添加安定化ジルコニア(Zr1−xYxO2−2/x(0<x≦0.2))及びBaZr0.8Y0.2O3−x(0<x≦0.2)からなる群から選択される少なくとも一つである、請求項7に記載の電気伝導素子。
- 前記高分子化合物はナフィオンである、請求項7に記載の電気伝導素子。
- 前記ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極は白金、パラジウム、ロジウムおよびルテニウムからなる群から選択された少なくとも一つからなる、請求項1から9の何れかに記載の電気伝導素子。
- 前記バッファー層はアルミニウム、チタニウム、タングステン及び銅からなる群から選択された少なくとも一つからなる、請求項2から10の何れかに記載の電気伝導素子。
- 前記絶縁体あるいは半導体の材料が、チタン酸ストロンチウム、シリコン、ガリウムヒ素、ダイヤモンド、あるいは酸化チタン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズなどの金属酸化物からなる、請求項1から11の何れかに記載の電気伝導素子。
- 請求項1から12の何れかに記載の電気伝導素子を、抵抗スイッチまたはメモリ素子の少なくとも一つとして使用した電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013134534A JP6191986B2 (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013134534A JP6191986B2 (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015012049A true JP2015012049A (ja) | 2015-01-19 |
JP6191986B2 JP6191986B2 (ja) | 2017-09-06 |
Family
ID=52304978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013134534A Active JP6191986B2 (ja) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6191986B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017199825A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 3端子素子およびその製造方法 |
JP2017212260A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電界制御電極および電気二重層デバイス |
CN111211164A (zh) * | 2020-01-07 | 2020-05-29 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于固态离子导体的场效应器件 |
CN111430538A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 清华大学 | 基于编织型的柔性忆阻器及其制备方法 |
WO2020179097A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
CN115684654A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-02-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种准确测量双电层电势分布的方法 |
EP4280292A4 (en) * | 2021-01-14 | 2024-10-16 | Univ Science & Technology China | SOLID OXYGEN ION CONDUCTOR BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218352A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Fujitsu Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |
JP2007088349A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 |
JP2007157982A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | トランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法 |
JP2010016381A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Gwangju Inst Of Science & Technology | 酸化物膜と固体電解質膜を備える抵抗変化メモリ素子およびこれの動作方法 |
JP2010517284A (ja) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | オスターバッカ,ロナルド | 有機電界効果トランジスタ |
JP2012104308A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | National Institute For Materials Science | 固体酸化物燃料電池用電解質緻密材料の製造方法 |
JP2013026389A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | National Institute For Materials Science | 電気化学素子および電気化学素子を用いた相補型回路 |
JP2013105718A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Toyota Motor Corp | 電解質膜の製造方法 |
JP2013108402A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Isuzu Motors Ltd | 内燃機関の燃焼噴射の異常判定方法と内燃機関 |
-
2013
- 2013-06-27 JP JP2013134534A patent/JP6191986B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218352A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Fujitsu Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |
JP2007088349A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Fujitsu Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 |
JP2007157982A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | トランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法 |
JP2010517284A (ja) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | オスターバッカ,ロナルド | 有機電界効果トランジスタ |
JP2010016381A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Gwangju Inst Of Science & Technology | 酸化物膜と固体電解質膜を備える抵抗変化メモリ素子およびこれの動作方法 |
JP2012104308A (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-31 | National Institute For Materials Science | 固体酸化物燃料電池用電解質緻密材料の製造方法 |
JP2013026389A (ja) * | 2011-07-20 | 2013-02-04 | National Institute For Materials Science | 電気化学素子および電気化学素子を用いた相補型回路 |
JP2013105718A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Toyota Motor Corp | 電解質膜の製造方法 |
JP2013108402A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Isuzu Motors Ltd | 内燃機関の燃焼噴射の異常判定方法と内燃機関 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
K.UENO他: "Electric-field-induced superconductivity in an insulator", NATURE MATERIALS, vol. 7, JPN7017000752, 2008, GB, pages 855 - 858, ISSN: 0003509955 * |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017199825A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 3端子素子およびその製造方法 |
JP2017212260A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電界制御電極および電気二重層デバイス |
WO2020179097A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
JPWO2020179097A1 (ja) * | 2019-03-04 | 2021-10-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
JP7033715B2 (ja) | 2019-03-04 | 2022-03-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 配線構造体、半導体装置、能動素子の動作方法、配線構造体の製造方法、配線構造体の使用方法及び配線構造体の配線抵抗の制御方法 |
CN111211164A (zh) * | 2020-01-07 | 2020-05-29 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于固态离子导体的场效应器件 |
CN111211164B (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-16 | 中国科学院物理研究所 | 一种基于固态离子导体的场效应器件 |
CN111430538A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 清华大学 | 基于编织型的柔性忆阻器及其制备方法 |
CN111430538B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-04-08 | 清华大学 | 基于编织型的柔性忆阻器及其制备方法 |
EP4280292A4 (en) * | 2021-01-14 | 2024-10-16 | Univ Science & Technology China | SOLID OXYGEN ION CONDUCTOR BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
CN115684654A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-02-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种准确测量双电层电势分布的方法 |
CN115684654B (zh) * | 2022-10-31 | 2023-10-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种准确测量双电层电势分布的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6191986B2 (ja) | 2017-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6191986B2 (ja) | 全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置 | |
Ismail et al. | Improved endurance and resistive switching stability in ceria thin films due to charge transfer ability of Al dopant | |
Cui et al. | Complementary charge trapping and ionic migration in resistive switching of rare-earth manganite TbMnO3 | |
Miller et al. | Memristive behavior in thin anodic titania | |
Tao et al. | Geometry pattern for the wire organic electrochemical textile transistor | |
US8872246B1 (en) | Memristor using a transition metal nitride insulator | |
Sun et al. | Influence of carrier concentration on the resistive switching characteristics of a ZnO-based memristor | |
RU2468471C1 (ru) | Способ получения энергонезависимого элемента памяти | |
Milano et al. | Junction properties of single ZnO nanowires with asymmetrical Pt and Cu contacts | |
Zhang et al. | Memristive behavior of ZnO/NiO stacked heterostructure | |
Liu et al. | Analysis of the negative-SET behaviors in Cu/ZrO 2/Pt devices | |
Qi et al. | Comparisons of switching characteristics between Ti/Al2O3/Pt and TiN/Al2O3/Pt RRAM devices with various compliance currents | |
Rana et al. | Thickness effect on the bipolar switching mechanism for nonvolatile resistive memory devices based on CeO2 thin films | |
Ismail et al. | Reversible transitions among four modes of nonpolar resistive switching characteristics in nano-crystalline zinc ferrite magnetic thin films | |
Zhao et al. | High mechanical endurance RRAM based on amorphous gadolinium oxide for flexible nonvolatile memory application | |
Sahu et al. | Bipolar resistive switching in HoCrO3 thin films | |
EP3057148B1 (en) | Electrical conduction element, electronic device, and method for operating electrical conduction element | |
RU2524415C1 (ru) | Мемристор на основе смешанного оксида металлов | |
Zaman et al. | Experimental verification of current conduction mechanism for a lithium niobate based memristor | |
Varun et al. | Multi-temperature deposition scheme for improved resistive switching behavior of Ti/AlOx/Ti MIM structure | |
Wang et al. | Uniform and electroforming-free resistive memory devices based on solution-processed triple-layered NiO/Al 2 O 3 thin films | |
Qi et al. | Compliance current effect on switching behavior of hafnium oxide based RRAM | |
Kim et al. | Novel Conductive Filament Metal–Interlayer–Semiconductor Contact Structure for Ultralow Contact Resistance Achievement | |
US20210057646A1 (en) | Conductive amorphous oxide contact layers | |
JP6706817B2 (ja) | 電界制御電極および電気二重層デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6191986 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |