JP2015002352A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板、
   基板の上に形成された金属下層、および
   金属下層の上のシード層であって、第１金属と第２金属との交代層を含むシード層、を含み、
   第１金属と第２金属のそれぞれは、金属下層とは異なる金属から形成される磁気素子。
2. 第１金属と第２金属との交代層は、２≦ｎ≦２０でｎ回繰り返される請求項１に記載の磁気素子。
3. 交代層のそれぞれの層は、約０．３ｎｍより小さい膜厚を有する請求項１に記載の磁気素子。
4. 交代層は、超格子構造を形成する請求項１に記載の磁気素子。
5. 交代層は、交互の、第１金属と第２金属のモノレイヤを含む請求項１に記載の磁気素子。
6. 第１金属と第２金属のモノレイヤは、ＮｉとＣｒのモノレイヤである請求項５に記載の磁気素子。
7. 金属下層は、Ｈｆ、ＴａおよびＴｉからなるグループから選択された金属を含む請求項１に記載の磁気素子。
8. 更に、シード層の上の参照層、参照層の上のトンネルバリア層、およびトンネルバリア層の上の貯蔵層、を含む請求項１に記載の磁気素子。
9. 更に、シード層の交代層の上に形成された参照層を含み、シード層は参照層と界面を形成し、界面は、参照層と交互の構造を有さないシード層との間に形成された界面とは異なるテクスチュアを有し、
   シード層は、交互の構造を有さないシード層と比較して、参照層より強い垂直磁気異方性を形成する請求項１に記載の磁気素子。
10. 参照層は、シード層の上の交互の金属層の多層スタックと、多層スタックの上の偏光層とを含む請求項８に記載の磁気素子。
11. 参照層の交互の金属層の多層スタックは、ＣｏおよびＮｉの交互の層を含む請求項１０に記載の磁気素子。
12. 参照層は、更に、多層スタックと偏光層との間に挿入層を含む請求項８に記載の磁気素子。
13. 挿入層は、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、Ｈｆ、およびＦｅＴａからなるグループから選択される材料を含む請求項１２に記載の磁気素子。
14. 基板の上の金属下層と、
    金属下層の上のシード層であって、第１金属と第２金属の交代層を含むシード層と、
    垂直配向を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子であって、シード層の上に形成された参照層、参照層の上に形成されたトンネルバリア層、トンネルバリア層の上に形成された貯蔵層、上部電極および底部電極、を含む磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子と、
    を含む垂直磁気配向を有するスピントランスファートルク磁気ランダムアクセスメモリ素子。
15. 基板はＳｉ系基板であり、金属下層はＨｆ、Ｔａ、またはＴｉを含み、シード層はＮｉおよびＣｒの交互のモノレイヤ、またはＮｉおよびＣｏの交代層の多層スタックを含み、挿入層はＴａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＨｆおよびＦｅＴａからなるグループから選択された材料を含み、偏光層はＣｏＦｅＢを含み、トンネルバリア層はＭｇＯを含み、貯蔵層はＣｏＦｅＢを含む請求項１４に記載のスピントランスファートルク磁気ランダムアクセスメモリ素子。