JP2014529060A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 撮像システムであって、
   放射線源と、
   放射線感知検出器アレイとを有し、
   前記放射線感知検出器アレイが、
   シンチレータアレイと、
   前記シンチレータアレイに光学的に結合される光検出器アレイとを含み、
   前記シンチレータアレイが、Ｇｄ_２０_２Ｓ：Ｐｒ，Ｔｂ，Ｃｅを含み、前記Ｔｂ ^３＋ の量が、５０モルｐｐｍ以下である、撮像システム。
2. 前記Ｇｄ_２０_２Ｓ：Ｐｒ，Ｔｂ，Ｃｅが、前記シンチレータの光出力が所定の減衰時間で所定の光出力閾値を下回るような量のＴｂ^３＋を含む、請求項１に記載の撮像システム。
3. 前記Ｔｂ^３＋の量が、１０モルｐｐｍ以下である、請求項２に記載の撮像システム。
4. 前記光出力が、およそ４６，７００ｐｈｏｔｏｎ／ＭｅＶである、請求項２又は３に記載の撮像システム。
5. 前記シンチレータアレイが、複合材料を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像システム。
6. 前記シンチレータアレイが、セラミック材料を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像システム。
7. 前記シンチレータアレイの光効率は、前記シンチレータアレイが前記Ｔｂ^３＋を含まない構成と比べておよそ３３パーセント大きい、請求項１乃至６のいずれかに記載の撮像システム。
8. 前記撮像システムが、コンピュータ断層撮影スキャナである、請求項１乃至７のいずれかに記載の撮像システム。
9. 撮像システムの放射線感知検出器アレイを用いて放射線を検出するステップを有する方法において、
   前記放射線感知検出器アレイが、Ｇｄ_２０_２Ｓ：Ｐｒ，Ｔｂ，Ｃｅベースのシンチレータアレイを含み、前記Ｔｂ ^３＋ の量が、５０モルｐｐｍ以下である、方法。
10. 前記Ｇｄ_２０_２Ｓ：Ｐｒ，Ｔｂ，Ｃｅが、前記シンチレータの光出力が、所定の減衰時間で所定の光出力閾値を下回る量のＴｂ^３＋を含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記Ｔｂ^３＋の量が、１０モルｐｐｍ以下である、請求項１０に記載の方法。
12. 前記光出力が、およそ４６，７００ｐｈｏｔｏｎ／ＭｅＶである、請求項１０に記載の方法。
13. 前記シンチレータアレイが、複合材料又はセラミック材料の１つを含む、請求項９乃至１２のいずれかに記載の方法。
14. 前記シンチレータアレイの光効率は、前記シンチレータアレイが前記Ｔｂ^３＋を含まない構成と比べておよそ３３パーセント大きい、請求項９乃至１３のいずれかに記載の方法。
15. 前記撮像システムが、コンピュータ断層撮影スキャナである、請求項９乃至１４のいずれかに記載の方法。