JP2014522564A5 - - Google Patents
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Description
例示的な実施形態および最良の形態を開示してきたが、以下の特許請求の範囲によって定義される本発明の主題および精神の範囲内で、開示した実施形態に修正および変更を施すことができる。
以下、本明細書に記載の主な発明について列記する。
（１） セラミックのホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のセラミック粒子、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に熔解された１組のバインダー分子、
を含み、前記セラミックのホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、セラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（２） 前記ずり減粘べき乗則指数ｎが、約０．１〜約０．８の間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（３） 前記１組のセラミック粒子が、約３％ｗｔ〜約５０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（４） 前記１組のセラミック粒子が、約５％ｗｔ〜約２０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（５） 前記１組のセラミック粒子が、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｌｉ2Ｏ、ＢｅＯ、ＳｒＯ、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、ＥｕＯ、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3、ＴｈＯ2、ＵＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ｃ、およびＨｆＯ2の少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（６） 前記１組のホウ素化合物粒子が、約１％ｗｔ〜約２０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（７） 前記１組のホウ素化合物粒子が、約３％ｗｔ〜約１０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（８） 前記１組のホウ素化合物粒子が、元素のホウ素、ホウ素粉末、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、およびケイ化ホウ素（ＢxＳｉ）（式中、ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、の少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（９） 前記１組のホウ素化合物粒子が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、ＴｉＢx、ＭｇＢx、ＨｆＢx、ＧｄＢx、ＺｒＢx、ＴａＢx、ＣｅＢx、およびＬａＢxの、少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１０） 前記１組のバインダー分子が、約０．５％ｗｔ〜約７％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１１） 前記１組のバインダー分子が、エチルセルロース、およびテルピネオールの少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１２） ホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に溶解された１組のバインダー分子、
を含み、前記ホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、ホウ素含有ドーパントペースト。
（１３） 前記１組のホウ素化合物粒子が、元素のホウ素、ホウ素粉末、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、およびケイ化ホウ素（ＢxＳｉ）（式中ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、の少なくとも１つを含む、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１４） 前記１組のホウ素化合物粒子が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、ＴｉＢx、ＭｇＢx、ＨｆＢx、ＧｄＢx、ＺｒＢx、ＴａＢx、ＣｅＢx、およびＬａＢxの、少なくとも１つを含む、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１５） 前記１組のバインダー分子が、約０．５％ｗｔ〜約７％ｗｔの間にある、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
以下、本明細書に記載の主な発明について列記する。
（１） セラミックのホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のセラミック粒子、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に熔解された１組のバインダー分子、
を含み、前記セラミックのホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、セラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（２） 前記ずり減粘べき乗則指数ｎが、約０．１〜約０．８の間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（３） 前記１組のセラミック粒子が、約３％ｗｔ〜約５０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（４） 前記１組のセラミック粒子が、約５％ｗｔ〜約２０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（５） 前記１組のセラミック粒子が、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｌｉ2Ｏ、ＢｅＯ、ＳｒＯ、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｃｅ2Ｏ3、Ｐｒ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、ＥｕＯ、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、Ｌｕ2Ｏ3、ＴｈＯ2、ＵＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ｃ、およびＨｆＯ2の少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（６） 前記１組のホウ素化合物粒子が、約１％ｗｔ〜約２０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（７） 前記１組のホウ素化合物粒子が、約３％ｗｔ〜約１０％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（８） 前記１組のホウ素化合物粒子が、元素のホウ素、ホウ素粉末、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、およびケイ化ホウ素（ＢxＳｉ）（式中、ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、の少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（９） 前記１組のホウ素化合物粒子が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、ＴｉＢx、ＭｇＢx、ＨｆＢx、ＧｄＢx、ＺｒＢx、ＴａＢx、ＣｅＢx、およびＬａＢxの、少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１０） 前記１組のバインダー分子が、約０．５％ｗｔ〜約７％ｗｔの間にある、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１１） 前記１組のバインダー分子が、エチルセルロース、およびテルピネオールの少なくとも１つを含む、（１）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１２） ホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に溶解された１組のバインダー分子、
を含み、前記ホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、ホウ素含有ドーパントペースト。
（１３） 前記１組のホウ素化合物粒子が、元素のホウ素、ホウ素粉末、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、およびケイ化ホウ素（ＢxＳｉ）（式中ｘ＝２、３、４、６）の相のいずれか、の少なくとも１つを含む、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１４） 前記１組のホウ素化合物粒子が、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）、ＴｉＢx、ＭｇＢx、ＨｆＢx、ＧｄＢx、ＺｒＢx、ＴａＢx、ＣｅＢx、およびＬａＢxの、少なくとも１つを含む、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
（１５） 前記１組のバインダー分子が、約０．５％ｗｔ〜約７％ｗｔの間にある、（１２）に記載のセラミックのホウ素含有ドーパントペースト。
Claims (2)
- セラミックのホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のセラミック粒子、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に熔解された１組のバインダー分子、
を含み、前記セラミックのホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、セラミックのホウ素含有ドーパントペースト。 - ホウ素含有ドーパントペーストであって、
１組の溶媒、
前記１組の溶媒中に分散された１組のホウ素化合物粒子、
前記１組の溶媒中に溶解された１組のバインダー分子、
を含み、前記ホウ素含有ドーパントペーストが、約０．０１〜約１の間のずり減粘べき乗則指数ｎを有する、ホウ素含有ドーパントペースト。
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