JP2014513872A - 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、プリント回路基板、プリント回路基板の上に搭載される発光ダイオード、プ
リント回路基板上の発光ダイオードの周りに発光ダイオードよりも高く配置される支柱部、支柱部の上に発光ダイオードから離れて配置され、発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材及び発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層を含む発光ダイオードパッケージを提供する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、発光ダイオードパッケージ及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、プリント回路基板(Printed Circuit Board・;PCB)を採用するチップオンモジュール(Chip On Module;COM)タイプまたはチップオンボード(Chip On Board・;COB)タイプの発光ダイオードパッケージ及びその製造方法に関する。
一般に、GaN、InGaN、AlGaNなどのエピ層を有する発光ダイオードは、既存の白熱灯に比べて長寿命、低い電力消費、優れた明るさ及び人体に無害な環境親和的な要素を有している。かような発光ダイオードのメリットによって、発光ダイオードは、自動車照明、交通信号灯、一般照明、液晶ディスプレイのバックライトなど種々の分野に適用されている。
一方、発光ダイオードは、白色光を発光するために、発光ダイオードチップの表面に当該チップの波長に合わせて設計された蛍光物質がディスペンシングなどの方法によってコーティングされている。
ところが、蛍光物質がコーティングされた発光ダイオードは、発光ダイオードから発せられる熱によって劣化されるという問題があった。
韓国特許公開10−2007−0033801号公報 韓国特許公開10−2007−0007019号公報
本発明は従来の技術における問題点を解消するために案出されたものであり、その目的は、発光ダイオードから発せられる熱によって蛍光体層が劣化されることを有効に抑えることのできる発光ダイオードパッケージを提供することである。
また、本発明の他の目的は、上述した発光ダイオードパッケージを容易に製造することのできる発光ダイオードパッケージの製造方法を提供することである。
本発明が達成しようとする目的は、上述した目的に何ら制限されるものではなく、他の目的は、以下の記載から本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって明らかに理解できるであろう。
上記の目的を達成するために、本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、プリント回路基板と、前記プリント回路基板の上に搭載される発光ダイオードと、前記プリント回路基板上の発光ダイオードの周りに前記発光ダイオードよりも高く配置される支柱部と、前記支柱部の上に前記発光ダイオードから離れて配置され、前記発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材と、前記発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に前記発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマル(conformal・)にコーティングされた蛍光体層と、を備え、前記発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは電気的に接続され、前記発光ダイオードと前記蛍光体層は離れて配置される。
上記の目的を達成するために、本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、プリント回路基板と、前記プリント回路基板の上に搭載される第1のの発光ダイオードと、前記プリント回路基板の上に搭載され、前記第1の発光ダイオードに離れて配置される第2の発光ダイオードと、前記プリント回路基板上の第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードの周りに前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードよりも高く配置される支柱部と、前記支柱部の上に前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードから離れて配置され、前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材と、前記第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層と、を備え、前記第1の発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは電気的に接続され、前記第2の発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは接続され、前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードと前記蛍光体層は離れて配置される。
上記の目的を達成するために、本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、プリント回路基板と、前記プリント回路基板の上に搭載される第1の発光ダイオードと、前記プリント回路基板の上に搭載され、前記第1の発光ダイオードに離れて配置される第2の発光ダイオードと、前記プリント回路基板上の第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードの周りに前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードよりも高く配置される支柱部と、
前記支柱部の上に前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードから離れて配置され、前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材と、
前記第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に前記第1の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた第1の蛍光体層と、前記第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に前記第2の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた第2の蛍光体層と、を備え、前記第1の発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは電気的に接続され、前記第2の発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは接続され、前記第1の発光ダイオードと前記第1の蛍光体層は、離れて配置され、前記第2の発光ダイオードと前記第2の蛍光体層は離れて配置され、前記第1の蛍光体層と前記第2の蛍光体層は離れてコーティングされる。
上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、支柱部付きプリント回路基板上における支柱部の内方に発光ダイオードを搭載するステップと、前記プリント回路基板のパッドと前記発光ダイオードのパッドを電気的に接続するステップと、前記発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層を有し、且つ、前記発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材を前記蛍光体層が前記発光ダイオードと相対向するように前記支柱部の上に配置するステップと、前記透光部材を前記支柱部の上に取り付けるステップと、を含む。
上記の目的を達成するために、本発明の他の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法は、支柱部付きプリント回路基板上における支柱部の内方に発光ダイオードを搭載するステップと、前記プリント回路基板のパッドと前記発光ダイオードのパッドを電気的に接続するステップと、前記発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層を有し、且つ、前記発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材を前記蛍光体層が前記発光ダイオードと相対向するように前記支柱部の上に配置するステップと、前記発光ダイオードから発せられる光が前記透光部材を透過した後に光の波長を測定するステップと、前記透光部材を透過した光が所定の基準を満たすか否かを確認するステップと、前記透光部材を透過した光が所定の基準を満たす場合に前記透光部材を前記支柱部の上に取り付けるステップを含む。
本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージによれば、発光ダイオードから発せられる熱によって蛍光体層が劣化されることを有効に抑えることができる。
また、本発明の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの製造方法によれば、上述した発光ダイオードパッケージを容易に製造することができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図である。 図2は、図1の変形実施形態の平面図である。 図3は、図1の変形実施形態の平面図である。 図4は、色座標及び波長散布による配合比を示す図である。 図5は、本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図である。 図6は、図5の変形実施形態の平面図である。 図7は、本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図である。 図8は、図7の変形実施形態の平面図である。
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施形態に係る発光ダイオードパッケージ及びその製造方法について詳述する。その他の実施形態の具体的な事項は、詳細な説明の欄及び図面に含まれている。本発明のメリット及び特徴、並びにこれらを達成する方法は、添付図面に基づいて詳細に後述されている実施形態から明らかになるであろう。なお、明細書の全体に亘って同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図であり、図2は、図1の変形実施形態の平面図であり、図3は、図1の変形実施形態の平面図であり、図4は、色座標及び波長散布による配合比を示す図である。
本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、プリント回路基板110と、発光ダイオード130と、支柱部120と、透光部材150及び蛍光体層140を備える。
発光ダイオード130はプリント回路基板110の上に搭載され、発光ダイオード130のパッドとプリント回路基板110のパッドは電気的に接続される。
支柱部120は、プリント回路基板110上の発光ダイオード130の周りに発光ダイオード130よりも高く配置され、発光ダイオード130から発せられる光が支柱部120に接触される場合に発光ダイオード130に向かって反射される。
支柱部120が発光ダイオード130から発せられる光を発光ダイオード130に向かって反射させれば、発光ダイオード130から発せられる光が蛍光体層140を透過できずに外部に漏れ出ることを有効に抑えることができる。
この支柱部120は、発光ダイオード130と隣り合う面が所定の角度eで形成されてもよく、具体的に、発光ダイオード130と隣り合う面がプリント回路基板110と15°〜90°の角度で形成されてもよい。
支柱部120は、発光ダイオード130と隣り合う面が所定の角度で形成されれば、より有効に発光ダイオード130から発せられる光が蛍光体層140を透過できずに外部に漏れ出ることを抑えることができる。
一方、支柱部121はプリント回路基板110と一体に形成されてもよく、プリント回路基板110と別途に製造されてプリント回路基板110の上に取り付けられてもよく、図2及び図3に示すように、環状に形成されてもよく、四角形の帯状に形成されてもよいなど、種々の形状に形成可能である。
透光部材150は支柱部120の上に発光ダイオード130から離れて配置され、発光
ダイオード130から発せられる光を透過させ、レンズまたはガラスやポリマーなどの透明基板から製作されてもよい。
蛍光体層140は、発光ダイオード130と相対向する透光部材150の表面に発光ダ
イオード130から発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する物質がコンフォーマルにコーティングされており、発光ダイオード130と蛍光体層140は離れて配置され、具体的に、蛍光体層140と発光ダイオード130との離間距離bは10〜20,000μmであり、発光ダイオード130は蛍光体層140と相対向する領域内に約0〜500μmの間隔aを隔てて隔設され、支柱部120は蛍光体層140から約0〜500μmの間隔cを隔てて配置される。
発光ダイオード130と蛍光体層140が離れて配置されることにより、発光ダイオード130から発せられる熱によって蛍光体層140が劣化されることが有効に抑えられるので、発光ダイオード130のターンオン時間が経過しても発光ダイオード130の光効率が下がることを極力抑えることができる。
このような蛍光体層140はシリコンを含み、発光ダイオード130から発せられる光の波長散布を補償するために蛍光体層140のシリコン配合比や蛍光体層140の厚さが調節されてもよい。
例えば、図4に示すように、発光ダイオード130から発せられる光が色座標系の1番である場合にはシリコン配合比Aが適用されてもよく、発光ダイオード130から発せられる光が色座標系の2番である場合にはシリコン配合比Bが適用されてもよく、発光ダイオード130から発せられる光が色座標系の3番である場合にはシリコン配合比Cが適用されてもよい。
一方、蛍光体層141、142は、図2に示すように、四角形状に形成されてもよく、図3に示すように、円形状に形成されてもよいなど、種々の形状に形成可能である。
以下、本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードパッケージについて説明し、本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードパッケージと異なる点について述べる。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図であり、図6は、図5の変形実施形態の平面図である。
本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、プリント回路基板210の上に搭載される第1の発光ダイオード231と、プリント回路基板210の上に搭載され、第1の発光ダイオード131に離れて配置される第2の発光ダイオード232と、第1の発光ダイオード231及び第2の発光ダイオード232と相対向する透光部材250の表面に第1の発光ダイオード231や第2の発光ダイオード232から発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層240と、を備え、第1の発光ダイオード231及び第2の発光ダイオード232と蛍光体層240は離れて配置される。
本発明の第2の実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、一つの蛍光体層240と相対向する領域内に多数の発光ダイオード231、232を有し、図6に示すように、4つの発光ダイオード231、232、233、234を有していてもよい。
以下、本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードパッケージについて説明し、本発明の第1の実施形態に係る発光ダイオードパッケージと異なる点について述べる。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードパッケージの断面図であり、図8は、図7の変形実施形態の平面図である。
本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、プリント回路基板310の上に搭載される第1の発光ダイオード331と、プリント回路基板310の上に搭載され、第1の発光ダイオード331に離れて配置される第2の発光ダイオード332と、第1の発光ダイオード331及び第2の発光ダイオード332と相対向する透光部材350の表面に第1の発光ダイオード331から発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する物質がコンフォーマルにコーティングされた第1の蛍光体層341と、第1の発光ダイオード331及び第2の発光ダイオード332と相対向する透光部材350の表面に第2の発光ダイオード332から発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する物質がコンフォーマルにコーティングされた第2の蛍光体層342と、を備え、第1の発光ダイオード331と第1の蛍光体層341は離れて配置され、前記第2の発光ダイオード332と前記第2の蛍光体層342は離れて配置され、第1の蛍光体層341と前記第2の蛍光体層342は離れてコーティングされる。
本発明の第3の実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、一つの支柱部320の内方に多数の蛍光体層341、342、343、344と多数の蛍光体層341、342、343、344のそれぞれと相対向する多数の発光ダイオード331、332を備え、図8に示すように、4つの蛍光体層341、342、343、344と4つの蛍光体層341、342、343、344のそれぞれと相対向する4つの発光ダイオード331、332、333、334を備える。
本発明の一実施形態に係る発光ダイオードの製造方法は、支柱部120付きプリント回路基板110上における支柱部120の内方に発光ダイオード130を搭載し、次いで、プリント回路基板110のパッドと前記発光ダイオード130のパッドを電気的に接続し、発光ダイオード130から発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層140を有し、且つ、前記発光ダイオード130から発せられる光が透過される透光部材150を前記蛍光体層140が前記発光ダイオード130と相対向するように前記支柱部120の上に配置し、発光ダイオード130から発せられる光が前記透光部材150を透過した後に光の波長を測定する。
次いで、透光部材150を透過した光が所定の基準を満たすか否かを確認し、透光部材150を透過した光が所定の基準を満たす場合に前記透光部材150を前記支柱部120の上に取り付ける。
以上、本発明に係る発光ダイオードパッケージ及びその製造方法について、本発明の原理を例示するための好適な実施形態と結び付けて説明し且つ図示したが、本発明はこのように図示され且つ説明されたそのままの構成及び作用に何ら限定されるものではない。
むしろ、添付の特許請求の範囲の思想及び範囲から逸脱することなく本発明の種々の変
更及び修正が可能であるということが当業者にとって理解できるであろう。
よって、このようなあらゆる適切な変更及び修正と均等物も本発明の範囲に属するもの
と見なすべきである。

Claims (30)

  1. プリント回路基板と、
    前記プリント回路基板の上に搭載される発光ダイオードと、
    前記プリント回路基板上の発光ダイオードの周りに前記発光ダイオードよりも高く配置される支柱部と、
    前記支柱部の上に前記発光ダイオードから離れて配置され、前記発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材と、
    前記発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に前記発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層と、
    を備え、
    前記発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは電気的に接続され、前記発光ダイオードと前記蛍光体層は離れて配置される発光ダイオードパッケージ。
  2. 前記蛍光体層は、前記発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  3. 前記発光ダイオードは、前記蛍光体層と相対向する領域内に配置される請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  4. 前記蛍光体層は、シリコンを含む請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  5. 前記支柱部は、前記発光ダイオードから発せられる光が前記支柱部に接触される場合に前記発光ダイオードに向かって反射される請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  6. 前記支柱部は、前記発光ダイオードと隣り合う面が所定の角度で形成された請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  7. 前記支柱部は、前記発光ダイオードと隣り合う面が前記プリント回路基板と15°〜90°の角度で形成された請求項6に記載の発光ダイオードパッケージ。
  8. 前記透光部材は、レンズまたは透明基板からなる請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  9. 前記蛍光体層と前記発光ダイオードとの離間距離は、10〜20,000μmである請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  10. プリント回路基板と、
    前記プリント回路基板の上に搭載される第1のの発光ダイオードと、
    前記プリント回路基板の上に搭載され、前記第1の発光ダイオードに離れて配置される第2の発光ダイオードと、
    前記プリント回路基板上の第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードの周りに前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードよりも高く配置される支柱部と、 前記支柱部の上に前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードから離れて配置され、前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材と、
    前記第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層と、
    を備え、
    前記第1の発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは電気的に接続され、前記第2の発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは接続され、前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードと前記蛍光体層は離れて配置される発光ダイオードパッケージ。
  11. 前記蛍光体層は、前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ。
  12. 前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードは、前記蛍光体層と相対向する領域内に配置される請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ。
  13. 前記蛍光体層は、シリコンを含む請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ。
  14. 前記支柱部は、前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光が前記支柱部に接触される場合に前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードに向かって反射される請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ。
  15. 前記支柱部は、前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードと隣り合う面が所定の角度で形成された請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ。
  16. 前記支柱部は、前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードと隣り合う面が前記プリント回路基板と15°〜90°の角度で形成された請求項15に記載の発光ダイオードパッケージ。
  17. 前記透光部材は、レンズまたは透明基板からなる請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ。
  18. 前記蛍光体層と前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオード間の離間距離は、10〜20、000μmである請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ。
  19. プリント回路基板と、
    前記プリント回路基板の上に搭載される第1の発光ダイオードと、
    前記プリント回路基板の上に搭載され、前記第1の発光ダイオードに離れて配置される第2の発光ダイオードと、
    前記プリント回路基板上の第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードの周りに前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードよりも高く配置される支柱部と、 前記支柱部の上に前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードから離れて配置され、前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材と、
    前記第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に前記第1の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた第1の蛍光体層と、
    前記第1の発光ダイオード及び第2の発光ダイオードと相対向する透光部材の表面に前記第2の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた第2の蛍光体層と、
    を備え、
    前記第1の発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは電気的に接続され、前記第2の発光ダイオードのパッドと前記プリント回路基板のパッドは接続され、前記第1の発光ダイオードと前記第1の蛍光体層は、離れて配置され、前記第2の発光ダイオードと前記第2の蛍光体層は離れて配置され、前記第1の蛍光体層と前記第2の蛍光体層は離れてコーティングされた発光ダイオードパッケージ。
  20. 前記第1の蛍光体層は、前記第1の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する請求項19に記載の発光ダイオードパッケージ。
  21. 前記第2の蛍光体層は、前記第2の発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させて白色光に変換する請求項19に記載の発光ダイオードパッケージ。
  22. 前記第1の発光ダイオードは前記第1の蛍光体層と相対向する領域内に配置され、前記第2の発光ダイオードは前記第2の蛍光体層と相対向する領域内に配置される請求項19に記載の発光ダイオードパッケージ。
  23. 前記第1の蛍光体層や前記第2の蛍光体層はシリコンを含む請求項19に記載の発光ダイオードパッケージ。
  24. 前記支柱部は、前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードから発せられる光が前記支柱部に接触される場合に前記第1の発光ダイオードや前記第2の発光ダイオードに向かって反射される請求項19に記載の発光ダイオードパッケージ。
  25. 前記支柱部は、前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードと隣り合う面が所定の角度で形成された請求項19に記載の発光ダイオードパッケージ。
  26. 前記支柱部は、前記第1の発光ダイオード及び前記第2の発光ダイオードと隣り合う面が前記プリント回路基板と15°〜90°の角度で形成された請求項25に記載の発光ダイオードパッケージ。
  27. 前記透光部材は、レンズまたは透明基板からなる請求項19に記載の発光ダイオードパッケージ。
  28. 前記第1の蛍光体層と前記第1の発光ダイオードとの離間距離や前記第2の蛍光体層と前記第2の発光ダイオードとの離間距離は、10〜20,000μmである請求項19に記載の発光ダイオードパッケージ。
  29. 支柱部付きプリント回路基板上における支柱部の内方に発光ダイオードを搭載するステップと、
    前記プリント回路基板のパッドと前記発光ダイオードのパッドを電気的に接続するステップと、前記発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層を有し、且つ、前記発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材を前記蛍光体層が前記発光ダイオードと相対向するように前記支柱部の上に配置するステップと、
    前記透光部材を前記支柱部の上に取り付けるステップと、
    を含む発光ダイオードパッケージの製造方法。
  30. 支柱部付きプリント回路基板上における支柱部の内方に発光ダイオードを搭載するステップと、
    前記プリント回路基板のパッドと前記発光ダイオードのパッドを電気的に接続するステップと、前記発光ダイオードから発せられる光の波長を変位させる物質がコンフォーマルにコーティングされた蛍光体層を有し、且つ、前記発光ダイオードから発せられる光が透過される透光部材を前記蛍光体層が前記発光ダイオードと相対向するように前記支柱部の上に配置するステップと、
    前記発光ダイオードから発せられる光が前記透光部材を透過した後に光の波長を測定するステップと、
    前記透光部材を透過した光が所定の基準を満たすか否かを確認するステップと、
    前記透光部材を透過した光が所定の基準を満たす場合に前記透光部材を前記支柱部の上に取り付けるステップを含む発光ダイオードパッケージの製造方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102114607B1 (ko) 2013-04-01 2020-05-25 엘지전자 주식회사 레이저 광원장치
US9653665B2 (en) * 2013-07-26 2017-05-16 Koninklijke Philips N.V. LED dome with inner high index pillar
JP6267011B2 (ja) * 2014-03-05 2018-01-24 シチズン電子株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
DE102014211833A1 (de) * 2014-06-20 2015-12-24 Osram Gmbh Signalgebung mittels Halbleiter-Lichtquellen

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004128424A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Citizen Electronics Co Ltd 白色発光装置
JP2005093681A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2007220737A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
JP2008507850A (ja) * 2004-07-26 2008-03-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電磁放射を放出するオプトエレクトロニクス素子および発光モジュール
JP2008305802A (ja) * 2008-07-16 2008-12-18 Stanley Electric Co Ltd Led灯具
WO2010119934A1 (ja) * 2009-04-14 2010-10-21 パナソニック株式会社 発光装置、光特性調整方法及び発光装置の製造方法
WO2011016295A1 (ja) * 2009-08-05 2011-02-10 コニカミノルタオプト株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
DE112004001533B4 (de) * 2003-08-22 2021-07-22 National Institute For Materials Science Leuchtbauelement und Bildanzeige enthaltend ein fluoreszierendes Oxynitridmaterial
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
KR101173320B1 (ko) * 2003-10-15 2012-08-10 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광장치
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
JP2007059667A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
KR20070033801A (ko) * 2005-09-22 2007-03-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
JP2009512178A (ja) * 2005-11-04 2009-03-19 パナソニック株式会社 発光モジュールとこれを用いた表示装置及び照明装置
KR100875443B1 (ko) * 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
TWI367573B (en) * 2007-01-31 2012-07-01 Young Lighting Technology Inc Light emitting diode package and manufacturing method thereof
JP4330172B2 (ja) * 2007-03-26 2009-09-16 Necライティング株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
US8866185B2 (en) * 2007-09-06 2014-10-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED with multiple encapsulation layers
WO2009037632A1 (en) 2007-09-20 2009-03-26 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Collimator
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
JP2010103522A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Seoul Opto Devices Co Ltd 遅延蛍光体を備える交流駆動型の発光素子及び発光素子モジュール
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
US7855394B2 (en) * 2009-06-18 2010-12-21 Bridgelux, Inc. LED array package covered with a highly thermal conductive plate
TW201115788A (en) * 2009-10-30 2011-05-01 Kingbright Electronics Co Ltd Improved white light LED lighting device
JP5519440B2 (ja) * 2010-08-03 2014-06-11 日東電工株式会社 発光装置
US8901578B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004128424A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Citizen Electronics Co Ltd 白色発光装置
JP2005093681A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2008507850A (ja) * 2004-07-26 2008-03-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電磁放射を放出するオプトエレクトロニクス素子および発光モジュール
JP2007220737A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置
JP2008305802A (ja) * 2008-07-16 2008-12-18 Stanley Electric Co Ltd Led灯具
WO2010119934A1 (ja) * 2009-04-14 2010-10-21 パナソニック株式会社 発光装置、光特性調整方法及び発光装置の製造方法
WO2011016295A1 (ja) * 2009-08-05 2011-02-10 コニカミノルタオプト株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

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