JP2014207438A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014207438A5
JP2014207438A5 JP2014029000A JP2014029000A JP2014207438A5 JP 2014207438 A5 JP2014207438 A5 JP 2014207438A5 JP 2014029000 A JP2014029000 A JP 2014029000A JP 2014029000 A JP2014029000 A JP 2014029000A JP 2014207438 A5 JP2014207438 A5 JP 2014207438A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
drying
volatile solvent
liquid
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014029000A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014207438A (ja
JP6302700B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority to JP2013054567 priority Critical
Priority to JP2013054567 priority
Application filed filed Critical
Priority to JP2014029000A priority patent/JP6302700B2/ja
Priority claimed from JP2014029000A external-priority patent/JP6302700B2/ja
Publication of JP2014207438A publication Critical patent/JP2014207438A/ja
Publication of JP2014207438A5 publication Critical patent/JP2014207438A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6302700B2 publication Critical patent/JP6302700B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明に係る基板処理装置は、基板におけるパターンを有する表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記洗浄液が供給された前記基板の表面に液体状の揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄液を前記揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、前記揮発性溶媒が供給された前記基板を加熱するランプを有する加熱手段と、前記基板の表面の揮発性溶媒を除去し、前記基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有し、前記溶媒供給部から搬出される前記基板の搬送過程において、前記乾燥手段は前記加熱手段の下流に設けられ、前記加熱手段による加熱作用で、前記基板の表面上のパターンの周囲には、前記揮発性溶媒の気化により前記揮発性溶媒の薄膜気層が生成され、これにより、前記パターンの間の前記揮発性溶媒の液体が前記気層によって前記基板の表面に押し出されながら液玉になり、この液玉が前記乾燥手段によって除去されることを特徴とする
本発明に係る基板処理方法は、基板におけるパターンを有する表面に洗浄液を供給する工程と、前記洗浄液が供給された前記基板の表面に液体状の揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄液を前記揮発性溶媒に置換する工程と、前記揮発性溶媒が供給された前記基板を、ランプを用いて加熱する工程と、前記基板の表面の前記揮発性溶媒を除去し、前記基板の表面を乾燥する工程とを有し、前記加熱する工程と前記乾燥する工程は、前記揮発性溶媒が供給された基板の搬送過程においてこの順に行われ、前記加熱する工程において、その加熱作用によって前記基板の表面上のパターンの周囲に、前記揮発性溶媒の気化により前記揮発性溶媒の薄膜気層が形成され、これにより、前記パターンの間の前記揮発性溶媒の液体が前記気層によって前記基板の表面に押し出されながら液玉になり、この液玉が前記乾燥する工程によって除去されることを特徴とする

Claims (8)

  1. 基板におけるパターンを有する表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
    前記洗浄液が供給された前記基板の表面に液体状の揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄液を前記揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、
    前記揮発性溶媒が供給された前記基板を加熱するランプを有する加熱手段と、
    前記基板の表面の揮発性溶媒を除去し、前記基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有し
    前記溶媒供給部から搬出される前記基板の搬送過程において、前記乾燥手段は前記加熱手段の下流に設けられ、
    前記加熱手段による加熱作用で、前記基板の表面上のパターンの周囲には、前記揮発性溶媒の気化により前記揮発性溶媒の薄膜気層が生成され、これにより、前記パターンの間の前記揮発性溶媒の液体が前記気層によって前記基板の表面に押し出されながら液玉になり、この液玉が前記乾燥手段によって除去されることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記乾燥手段は、前記基板の表面上に形成された前記揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、前記基板の表面を乾燥する吸引乾燥手段であって、
    前記加熱手段と前記吸引乾燥手段とは、搬送過程において搬送される前記基板の表面に対向し、かつ前記基板の搬送方向に沿って設けられてなる請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記乾燥手段は、前記基板の表面上に形成された前記揮発性溶媒の液玉を吹き飛ばして除去し、前記基板の表面を乾燥する吹飛ばし乾燥手段であって、
    前記加熱手段と前記吹飛ばし乾燥手段とは、搬送過程において搬送される前記基板の表面に対向し、かつ前記基板の搬送方向に沿って設けられてなる請求項1記載の基板処理装置。
  4. 前記基板の搬送過程において、前記基板は搬送ローラによって搬送されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 基板におけるパターンを有する表面に洗浄液を供給する工程と、
    前記洗浄液が供給された前記基板の表面に液体状の揮発性溶媒を供給し、前記基板の表面の前記洗浄液を前記揮発性溶媒に置換する工程と、
    前記揮発性溶媒が供給された前記基板を、ランプを用いて加熱する工程と、
    前記基板の表面の前記揮発性溶媒を除去し、前記基板の表面を乾燥する工程とを有し、
    前記加熱する工程と前記乾燥する工程は、前記揮発性溶媒が供給された基板の搬送過程においてこの順に行われ、
    前記加熱する工程において、その加熱作用によって前記基板の表面上のパターンの周囲に、前記揮発性溶媒の気化により前記揮発性溶媒の薄膜気層が形成され、これにより、前記パターンの間の前記揮発性溶媒の液体が前記気層によって前記基板の表面に押し出されながら液玉になり、この液玉が前記乾燥する工程によって除去されることを特徴とする基板処理方法。
  6. 前記乾燥する工程は、前記基板の表面に対向する吸引乾燥手段によって、前記基板の表面上に形成された前記揮発性溶媒の液玉を吸引して除去し、前記基板の表面を乾燥する工程である請求項5記載の基板処理方法。
  7. 前記乾燥する工程は、前記基板の表面に対向する吹飛ばし乾燥手段によって、前記基板の表面上に形成された前記揮発性溶媒の液玉を吹き飛ばして除去し、前記基板の表面を乾燥させる工程である請求項5記載の基板処理方法。
  8. 前記基板の搬送過程において、前記基板は搬送ローラによって搬送されることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一つに記載の基板処理方法。
JP2014029000A 2013-03-18 2014-02-18 基板処理装置及び基板処理方法 Active JP6302700B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013054567 2013-03-18
JP2013054567 2013-03-18
JP2014029000A JP6302700B2 (ja) 2013-03-18 2014-02-18 基板処理装置及び基板処理方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014029000A JP6302700B2 (ja) 2013-03-18 2014-02-18 基板処理装置及び基板処理方法
US14/212,218 US9607865B2 (en) 2013-03-18 2014-03-14 Substrate processing device and substrate processing method
KR1020140031020A KR101634428B1 (ko) 2013-03-18 2014-03-17 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW103109915A TWI597769B (zh) 2013-03-18 2014-03-17 基板處理裝置及基板處理方法
EP14160175.7A EP2782128B1 (en) 2013-03-18 2014-03-17 Substrate processing device and substrate processing method
CN201410100514.4A CN104064495B (zh) 2013-03-18 2014-03-18 基板处理装置和基板处理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014207438A JP2014207438A (ja) 2014-10-30
JP2014207438A5 true JP2014207438A5 (ja) 2017-03-23
JP6302700B2 JP6302700B2 (ja) 2018-03-28

Family

ID=50731902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014029000A Active JP6302700B2 (ja) 2013-03-18 2014-02-18 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9607865B2 (ja)
EP (1) EP2782128B1 (ja)
JP (1) JP6302700B2 (ja)
KR (1) KR101634428B1 (ja)
CN (1) CN104064495B (ja)
TW (1) TWI597769B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6849368B2 (ja) * 2016-09-30 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6292325A (en) 1985-10-17 1987-04-27 Nec Corp Drier for wafer
JPH09148297A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Hitachi Ltd 基板の乾燥方法およびこれを用いる乾燥装置およびこれを用いる半導体装置の製造方法
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP3330300B2 (ja) 1997-02-28 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
KR100271764B1 (ko) 1997-12-24 2000-12-01 윤종용 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법
JPH11340187A (ja) 1998-05-28 1999-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方法
JPH11354487A (ja) 1998-06-03 1999-12-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置および基板乾燥方法
DE60044762D1 (de) * 1999-05-20 2010-09-16 Kaneka Corp Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE10030431A1 (de) 2000-06-21 2002-01-10 Karl Suess Kg Praez Sgeraete F Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und/oder Bonden von Substraten
US6808566B2 (en) * 2001-09-19 2004-10-26 Tokyo Electron Limited Reduced-pressure drying unit and coating film forming method
JP4056858B2 (ja) * 2001-11-12 2008-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6843855B2 (en) * 2002-03-12 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Methods for drying wafer
JP2004259734A (ja) 2003-02-24 2004-09-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
TW200633033A (en) 2004-08-23 2006-09-16 Koninkl Philips Electronics Nv Hot source cleaning system
US7642205B2 (en) 2005-04-08 2010-01-05 Mattson Technology, Inc. Rapid thermal processing using energy transfer layers
KR100696378B1 (ko) 2005-04-13 2007-03-19 삼성전자주식회사 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법
JP2008034779A (ja) 2006-06-27 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5043406B2 (ja) * 2006-11-21 2012-10-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板乾燥方法および基板乾燥装置
CN101622076B (zh) * 2007-02-27 2013-06-26 株式会社东芝 涂布装置、涂布体的制造方法及流体喷出装置
JP2009076856A (ja) * 2007-08-28 2009-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
DE102007058002B4 (de) 2007-12-03 2016-03-17 Mattson Thermal Products Gmbh Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Halbleitersubstraten
JP5413016B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
JP5234985B2 (ja) * 2009-03-31 2013-07-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5140641B2 (ja) * 2009-06-29 2013-02-06 株式会社荏原製作所 基板処理方法及び基板処理装置
JP5146522B2 (ja) * 2010-11-26 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5254308B2 (ja) * 2010-12-27 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US20120260517A1 (en) 2011-04-18 2012-10-18 Lam Research Corporation Apparatus and Method for Reducing Substrate Pattern Collapse During Drying Operations
WO2012165377A1 (ja) * 2011-05-30 2012-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP2012250230A (ja) 2011-06-02 2012-12-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 加熱装置、塗布装置及び加熱方法
KR101329304B1 (ko) 2011-07-29 2013-11-14 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5686261B2 (ja) 2011-07-29 2015-03-18 セメス株式会社SEMES CO., Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP6000822B2 (ja) 2012-11-26 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄システム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014207437A5 (ja)
JP2014107313A5 (ja)
JP2015122373A5 (ja)
JP2014207480A5 (ja)
JP2015092530A5 (ja)
JP2015046605A5 (ja)
JP2010177693A5 (ja)
JP2015192141A5 (ja)
EA033251B1 (ru) Способ получения подложки, покрытой функциональным слоем при помощи жертвенного слоя
JP2015092538A5 (ja)
TW201614811A (en) Nanocrystalline diamond carbon film for 3D NAND hardmask application
JP2015029073A5 (ja)
JP2013004744A5 (ja)
EP2782129A3 (en) Substrate processing device and substrate processing method
CN106733558A (zh) 一种塑料制品表面喷涂方法
EP2782127A3 (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP2014207438A5 (ja)
JP2015092537A5 (ja)
TWM429172U (en) Surface treatment apparatus
JP2016042501A5 (ja)
JP2015227488A5 (ja)
JPWO2015162892A1 (ja) 有機el表示パネルの製造方法および有機el表示パネルの製造システム
JP2017211681A5 (ja)
JP2007317802A (ja) 基板の乾燥処理装置及び乾燥処理方法
JP2017011083A5 (ja)