JP2014181379A - Manufacturing method of electronic component module, method of electroless plating, electroless plating apparatus - Google Patents

Manufacturing method of electronic component module, method of electroless plating, electroless plating apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plating film which is correctly formed on an inner wall of a slit with a high aspect ratio using an electroless plating method.SOLUTION: Electroless plating is performed by a jetting plating liquid M to the inside of a slit 70x, 70y with a processed product 10 immersed in the plating liquid M, which has the slit 70x, 70y formed generally perpendicular to a main plane. According to the invention, the electroless plating is performed while the plating liquid M is jetted to the slit 70x, 70y, and therefore a bubble 80 remaining in the slit 70x, 70y is ejected by water flow. This provides a state where the bubble 80 does not exist within the slit 70x, 70y, and therefore the plating film is correctly formed on an inside wall of the slit with a high aspect ratio.

Description

本発明は電子部品モジュールの製造方法に関し、特に、電子部品モジュールの上面及び側面に無電解メッキによって電磁波シールドを形成する方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing an electronic component module, in particular, to a method of forming the electromagnetic shielding by electroless plating on the upper and side surfaces of the electronic component module. また、本発明は無電解メッキ方法及び無電解メッキ装置に関し、アスペクト比の高いスリットの内壁に均一なメッキ膜を形成することが可能な無電解メッキ方法及び無電解メッキ装置に関する。 Further, the present invention relates to an electroless plating method and an electroless plating apparatus, and an electroless plating method and an electroless plating apparatus which can form a uniform plated film on the inner wall of the high aspect ratio slits.

近年、携帯型の情報端末などには、複数の電子部品がモジュール基板に実装されてなる電子部品モジュールが多数用いられている。 Recently, such a portable information terminal, an electronic component module in which a plurality of electronic components made by mounting on the module substrate is used numerous. このような電子部品モジュールは、外来の電磁波ノイズによる誤動作を防止するとともに、自らが電磁波ノイズの発生源とならないよう、電磁波シールドで覆われることがある。 Such electronic component module is configured to prevent malfunction due to electromagnetic noise extraneous, that they are not become a source of electromagnetic noise, sometimes covered with the electromagnetic shield. 例えば、特許文献1には、モジュール基板の上部をシールドケースで覆った電子部品モジュールが記載されている。 For example, Patent Document 1, the electronic component module that covers the top of the module substrate in the shield case is described.

しかしながら、特許文献1に記載された電子部品モジュールでは、モジュール基板上に実装された電子部品とシールドケースとの間に所定のクリアランスが必要となることから、全体の厚みが大きくなり、低背化が困難であるという問題があった。 However, in the electronic component module described in Patent Document 1, since the predetermined clearance between the mounted electronic component and the shield case on the module substrate is required, the total thickness becomes large, low profile there is a problem that it is difficult. これに対し、特許文献2には、モジュール基板上の電子部品をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂の表面に電磁波シールドをメッキにより直接形成した電子部品モジュールが記載されている。 In contrast, Patent Document 2 covers the electronic component on the module substrate with a molding resin, the electronic component module that is directly formed by plating an electromagnetic wave shielding on a surface of the molded resin have been described. これによれば、電子部品モジュール全体の厚みをより薄くすることができるため、低背化に有利である。 According to this, it is possible to further reduce the thickness of the entire electronic component module, which is advantageous in reduction in height.

モールド樹脂の表面に電磁波シールドを直接形成する場合、コスト面を考慮すれば、無電解メッキを用いることが現実的である。 If the electromagnetic wave shielding directly formed on the surface of the mold resin, considering the cost, the use of electroless plating is realistic. 無電解メッキは、被処理物を硫酸銅水溶液などのメッキ液に浸漬することによって行われる。 Electroless plating is performed by immersing the object to be treated in a plating solution of copper sulfate aqueous solution.

特開2005−19882号公報 JP 2005-19882 JP 特開2006−332255号公報 JP 2006-332255 JP

電子部品モジュールを製造する場合、集合基板を用いて電子部品モジュールを多数個取りすることが一般的である。 When manufacturing the electronic component module, it is common to multi-cavity electronic component module using a set substrate. 集合基板の個片化はダイシングによって行われるが、集合基板の上面がモールド樹脂で覆われている場合、ダイシングによってモールド樹脂に形成されるスリット(溝)は、高いアスペクト比となる。 Singulating assembly substrate but is performed by dicing, if the upper surface of the collective substrate is covered with a mold resin, slits are formed in the mold resin by dicing (groove) becomes a high aspect ratio. このため、この状態で集合基板をメッキ液に浸漬すると、スリット内に気泡が残留しやすく、この気泡によってスリットの内壁におけるメッキ成長が阻害されてしまうという問題があった。 Thus, when immersing the assembly substrate in this state in the plating solution, bubbles are likely to remain in the slit, the plating growth in the inner wall of the slit there is a problem that is inhibited by the bubbles.

したがって、本発明の目的は、アスペクト比の高いスリットの内壁に正しく電磁波シールドを形成することが可能な電子部品モジュールの製造方法を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic component module capable of forming a proper electromagnetic shielding on the inner wall of the high aspect ratio slits.

また、上述した問題は、電子部品モジュールの製造に限らず、アスペクト比が高いスリットを有する被処理物に無電解メッキを施す場合において共通に生じる問題である。 Further, the above-mentioned problem is not limited to the production of the electronic component module, a problem occurring in common in the case of applying the electroless plating treatment object aspect ratio has a high slit.

したがって、本発明の他の目的は、アスペクト比の高いスリットの内壁に正しくメッキ膜を形成することが可能な無電解メッキ方法及び無電解メッキ装置を提供することである。 Accordingly, another object of the present invention is to provide an electroless plating method and an electroless plating apparatus capable of forming a proper plating film on the inner wall of the high aspect ratio slits.

本発明による電子部品モジュールの製造方法は、集合基板の主面に電子部品を搭載する工程と、前記電子部品を覆うよう前記集合基板の前記主面にモールド樹脂を形成する工程と、前記集合基板の裏面にマスキングテープを貼り付けた状態で、前記モールド樹脂及び前記集合基板を前記主面側からダイシングすることにより、複数の電子部品モジュールに分割する工程と、前記複数の電子部品モジュールの裏面に前記マスキングテープが貼り付けられたたまま状態で、前記電子部品モジュールの上面及び前記ダイシングによって露出した前記複数の電子部品モジュールの側面に無電解メッキを施す工程と、を備え、前記無電解メッキを施す工程は、前記複数の電子部品モジュールをメッキ液に浸漬した状態で、前記複数の電子部品モジュール The method of manufacturing an electronic component module according to the present invention includes the steps of forming a step of mounting an electronic component on the main surface of the collective substrate, a mold resin to said main surface of said collective substrate so as to cover the electronic component, the assembly substrate in a state where the pasted masking tape on the back surface, the mold resin and the collective substrate by dicing from the main surface side, a step of dividing the plurality of electronic component module, the back surface of the plurality of electronic component modules while still the masking tape is pasted, and a step of performing electroless plating on the side surfaces of the plurality of electronic component modules exposed by the upper surface and the dicing of the electronic component module, the electroless plating process, while immersing the plurality of electronic component modules in a plating solution, said plurality of electronic component modules is subjected 前記側面を内壁とするスリットに前記メッキ液を噴射することにより行うことを特徴とする。 And performing by injecting the plating solution the side to the slit to the inner wall.

本発明によれば、スリットにメッキ液を噴射しながら無電解メッキを行っていることから、スリット内に残留する気泡が水流によって排出される。 According to the present invention, since it is performed electroless plating while spraying a plating solution in the slit, the air bubbles remaining in the slits is discharged by the water flow. これにより、スリット内に気泡が存在しない状態となることから、スリットの内壁にも正しくメッキ膜を形成することが可能となる。 Thus, since the the the absence of air bubbles in the slit, it is possible to form a proper plating film in the inner wall of the slit. したがって、側面がムラなく電磁波シールドで覆われた電子部品モジュールを製造することが可能となる。 Therefore, it is possible to manufacture the electronic component module side is covered with evenly electromagnetic shielding.

本発明において、前記ダイシングする工程は、前記モールド樹脂及び前記集合基板を第1の方向に切断することにより前記第1の方向に延在する第1のスリットを形成する工程と、前記モールド樹脂及び前記集合基板を前記第1の方向と交差する第2の方向に切断することにより前記第2の方向に延在する第2のスリットを形成する工程とを含み、前記無電解メッキを施す工程は、前記第1及び第2のスリットが交差する部分に前記メッキ液を噴射することにより行うことが好ましい。 In the present invention, wherein the step of dicing, a step of forming a first slit extending in the first direction by cutting the mold resin and the collective substrate in a first direction, the mold resin and and forming a second slit extending in the second direction by cutting the collective substrate into a second direction intersecting the first direction, said step of performing electroless plating it is preferable to perform by said first and second slits for injecting the plating solution at the intersection. これによれば、スリットの交差部分から四方に水流が生じることから、効率よく気泡の排出を行うことができる。 According to this, since the water flow is generated in the four directions from the intersection of the slits, it can be discharged efficiently bubbles.

本発明においては、前記ダイシングを行う前に前記モールド樹脂の表面を粗面化する工程をさらに備えることが好ましい。 In the present invention, preferably further comprising a step of roughening the surface of the mold resin before performing the dicing. これによれば、モールド樹脂の表面を粗面化した後に無電解メッキを施していることから、モールド樹脂とメッキ膜との密着性を高めることが可能となる。 According to this, since it is subjected to electroless plating after roughening the surface of the mold resin, it is possible to increase the adhesion between the mold resin and the plating film.

この場合、前記モールド樹脂にはガラスフィラーが含まれており、前記粗面化する工程は、前記モールド樹脂の表面に露出する前記ガラスフィラーを除去する工程を含むことが好ましい。 In this case, the the mold resin includes a glass filler, wherein the step of roughening preferably comprises the step of removing the glass filler exposed on the surface of the mold resin. これによれば、ガラスフィラーの除去によって形成された微細なキャビティがいわゆるアンカー効果をもたらすため、より密着性を高めることが可能となる。 According to this, the fine cavities formed by removal of the glass filler results in so-called anchor effect, it is possible to enhance the adhesion.

またこの場合、前記粗面化する工程は、前記ガラスフィラーを除去する前に、前記モールド樹脂の前記表面を研削する工程をさらに含むことが好ましい。 Also in this case, the step of roughening, before removing the glass filler may further include a step of grinding the surface of the mold resin. これによれば、モールド樹脂の表面がガラスフィラーの存在しないワックス層で覆われている場合であっても、これが除去されるため、多数のガラスフィラーを露出させることが可能となる。 According to this, even when the surface of the mold resin is covered with a wax layer in the absence of glass filler, since it is removed, it is possible to expose a large number of glass filler.

また、本発明による無電解メッキ方法は、主面及び前記主面に形成されたスリットを有する被処理物をメッキ液に浸漬する工程と、前記被処理物を前記メッキ液に浸漬した状態で、前記スリット内に前記メッキ液を噴射する工程と、を備えることを特徴とする。 Further, the electroless plating method according to the present invention includes the steps of immersing an object to be processed having a main surface and a slit formed in said main surface in a plating solution in a state where the object to be treated was immersed in the plating solution, characterized in that it comprises the the steps of injecting the plating solution in the slit.

本発明によれば、スリットにメッキ液を噴射しながら無電解メッキを行っていることから、スリット内に残留する気泡が水流によって排出される。 According to the present invention, since it is performed electroless plating while spraying a plating solution in the slit, the air bubbles remaining in the slits is discharged by the water flow. これにより、スリット内に気泡が存在しない状態となることから、スリットの内壁にも正しくメッキ膜を形成することが可能となる。 Thus, since the the the absence of air bubbles in the slit, it is possible to form a proper plating film in the inner wall of the slit.

本発明において、前記スリットは、第1の方向に延在する第1のスリットと、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2のスリットとを含み、前記メッキ液を噴射する工程は、前記第1及び第2のスリットが交差する部分に前記メッキ液を噴射することにより行うことが好ましい。 In the present invention, the slit includes a first slit extending in a first direction, and a second slit extending in a second direction intersecting the first direction, the plating solution the step of injection is preferably performed by said first and second slits for injecting the plating solution at the intersection. これによれば、スリットの交差部分から四方に水流が生じることから、効率よく気泡の排出を行うことができる。 According to this, since the water flow is generated in the four directions from the intersection of the slits, it can be discharged efficiently bubbles.

また、本発明による無電解メッキ装置は、メッキ液を貯留するトレイと、主面及び前記主面に形成されたスリットを有する被処理物を、前記トレイに貯留されたメッキ液に浸漬した状態で固定する固定治具と、前記固定治具によって固定された前記被処理物の前記スリット内に、前記メッキ液を噴射するノズルと、を備えることを特徴とする。 Further, the electroless plating apparatus according to the present invention, a tray for storing a plating solution, an object to be processed having a slit formed in the main surface and the major surface, immersed in the plating liquid stored in the tray a fixture for fixing, in said slit of said fixed the workpiece which has been fixed by the jig, characterized in that it comprises a nozzle for injecting the plating solution.

本発明によれば、スリットにメッキ液を噴射しながら無電解メッキを行うことができることから、スリット内に残留する気泡が水流によって排出される。 According to the present invention, since it is possible to perform the electroless plating while spraying a plating solution in the slit, the air bubbles remaining in the slits is discharged by the water flow. これにより、スリット内に気泡が存在しない状態となることから、スリットの内壁にも正しくメッキ膜を形成することが可能となる。 Thus, since the the the absence of air bubbles in the slit, it is possible to form a proper plating film in the inner wall of the slit.

本発明においては、前記トレイから排出される前記メッキ液を貯留するプールと、前記プール内の前記メッキ液を汲み上げ、前記ノズルを介して前記トレイに供給する循環機構と、をさらに備えることが好ましい。 In the present invention, a pool for storing the plating liquid discharged from the tray, pumping the plating liquid in the pool preferably further and a circulating mechanism for supplying to said tray through the nozzle . これによれば、トレイ内に貯留する少量のメッキ液によって無電解メッキが行われることから、大型のタンクに多数の被処理物を浸漬する従来の無電解メッキ装置に比べて、メッキ液の使用量を削減することができるとともに、メッキ液の管理も容易となる。 According to this, since the electroless plating with a small amount of plating solution retained in the tray is carried out, as compared with the conventional electroless plating apparatus for dipping a large number of the object in the tank of a large, use of the plating solution it is possible to reduce the amount, it is easy to manage plating liquid.

この場合、前記トレイには前記メッキ液を排出する排出機構が設けられ、前記循環機構による前記メッキ液の供給が停止されると、前記排出機構による前記メッキ液の排出により、前記トレイ内における前記メッキ液の水位は前記被処理物を浸漬可能な水位未満となることが好ましい。 In this case, said tray ejection mechanism is provided for discharging the plating solution, the supply of the plating solution by the circulation mechanism is stopped, the discharge of the plating solution by the discharge mechanism, wherein in said tray level of the plating solution is preferably less than the available immersing an object to be processed level. これによれば、ロード時及びアンロード時に被処理物がメッキ液に浸漬していない状態となることから、ロード時及びアンロード時の作業が容易となる。 According to this, since the object to be processed during the loading and during unloading is a state that is not immersed in the plating solution, it is easy to work at the time of loading and during unloading.

またこの場合、前記排出機構は前記トレイの底部に設けられた穴であり、前記トレイは前記プールの上部に配置されていることが好ましい。 Also in this case, the discharge mechanism is a hole provided in the bottom of the tray, it is preferable that the tray is located on top of the pool. これによれば、非常に簡単な構造で上記の効果を得ることが可能となる。 According to this, it is possible to obtain the above effects with a very simple structure.

このように、本発明によれば、アスペクト比の高いスリットの内壁に正しく無電解メッキを施すことができることから、電子部品モジュールなどの被処理物の表面に均一なメッキ層を形成することが可能となる。 Thus, according to the present invention, since it is possible to perform correctly electroless plating the inner wall of the high aspect ratio slits, it is possible to form a uniform plating layer on the surface of the object such as an electronic component module to become.

本発明の好ましい実施形態による電子部品モジュール10の構造を説明するための断面図である。 According to a preferred embodiment of the present invention is a cross-sectional view for explaining the structure of the electronic component module 10. 電子部品モジュール10の製造方法を説明するためのフローチャートである。 It is a flowchart for explaining a method of manufacturing an electronic component module 10. 電子部品モジュール10の一製造工程(集合基板20aの準備)を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing one manufacturing process (preparation of collective substrate 20a) of the electronic component module 10. 電子部品モジュール10の一製造工程(電子部品31〜33の実装)を示す断面図である。 Is a cross-sectional view showing one manufacturing process (mounting of electronic components 31 to 33) of the electronic component module 10. 電子部品モジュール10の一製造工程(モールド樹脂40の形成)を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing one manufacturing process (formation of the molding resin 40) of the electronic component module 10. 電子部品モジュール10の一製造工程(ラッピング)を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing one manufacturing process (lapping) of the electronic component module 10. 電子部品モジュール10の一製造工程(マスキングテープ60への貼り付け)を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing one manufacturing process (pasting the masking tape 60) of the electronic component module 10. 電子部品モジュール10の一製造工程(ダイシング)を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing one manufacturing process (dicing) of the electronic component module 10. 電子部品モジュール10の一製造工程(ガラスフィラー45の除去)を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing one manufacturing process (removal of the glass filler 45) of the electronic component module 10. 電子部品モジュール10の一製造工程(電磁波シールド50の形成)を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing one manufacturing process (formation of the electromagnetic wave shielding 50) of the electronic component module 10. 図5の符号Aで示すモールド樹脂40の表層近傍を拡大して示す断面図であり、(a)はモールド成形した直後の状態、(b)はラッピング後の状態、(c)はガラスフィラー45を除去した後の状態をそれぞれ示している。 Is a cross-sectional view showing an enlarged surface vicinity of the mold resin 40 indicated by symbol A in FIG. 5, (a) immediately after molding conditions, (b) the post wrapping state, (c) a glass filler 45 respectively show a state after removal of the. 本発明の好ましい実施形態による無電解メッキ装置100の外観を示す略斜視図である。 The preferred embodiment appearance of the electroless plating apparatus 100 according to the present invention is a schematic perspective view showing. 固定治具140の構造を説明するための略平面図である。 It is a schematic plan view illustrating the structure of the fixture 140. シャワーヘッド150の構造を説明するための図であり、(a)は略側面図、(b)は内部構造を示す略平面図である。 It is a view for explaining the structure of the shower head 150 is a schematic top view of the (a) substantially side view, (b) the internal structure. バルブ機構134の機能を説明するための図であり、(a)はバルブ機構134を閉じた場合におけるメッキ液Mの循環経路を示し、(b)はバルブ機構134を開いた場合におけるメッキ液Mの循環経路を示している。 Is a diagram for explaining the function of the valve mechanism 134, (a) shows a circulation path of the plating solution M in the case of closing the valve mechanism 134, (b) plating solution M in the case of opening the valve mechanism 134 It shows the circulation path. 被処理物をシャワーヘッド150の処理室152にロードする工程を示す略斜視図である。 It is a schematic perspective view showing a process of loading an object to be processed in the processing chamber 152 of the shower head 150. 被処理物がシャワーヘッド150の処理室152にロードされた状態を示す略斜視図である。 It is a schematic perspective view showing a state where the object to be processed is loaded into the processing chamber 152 of the shower head 150. シャワーヘッド150の処理室152にメッキ液Mを供給している状態を示す略斜視図である。 It is a schematic perspective view showing a state where the processing chamber 152 of the shower head 150 is supplying the plating solution M. シャワーヘッド150の処理室152にロードされた被処理物とノズル158との位置関係を説明するための略平面図である。 It is a schematic plan view illustrating a positional relationship between the object and the nozzle 158 that has been loaded into the processing chamber 152 of the shower head 150. ノズル158から噴射されるメッキ液Mの水流を説明するための図であり、(a)は断面方向における拡大図、(b)は平面方向における拡大図である。 Is a diagram for explaining the flow of the plating solution M ejected from the nozzle 158, it is an enlarged view, (b) is an enlarged view in the plane direction of (a) is a cross-sectional direction. 被処理物をシャワーヘッド150の処理室152からアンロードする工程を示す略斜視図である。 It is a schematic perspective view showing the step of unloading the object to be processed from the processing chamber 152 of the shower head 150.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail preferred embodiments of the present invention.

図1は、本発明の好ましい実施形態による電子部品モジュール10の構造を説明するための断面図である。 Figure 1 is a sectional view for explaining the structure of the electronic component module 10 according to a preferred embodiment of the present invention.

図1に示すように、本実施形態による電子部品モジュール10は、モジュール基板20と、モジュール基板20の主面21に搭載された複数の電子部品31〜33と、これら電子部品31〜33を覆うようモジュール基板20の主面21に形成されたモールド樹脂40と、モールド樹脂40の表面及びモジュール基板20の側面23に形成された電磁波シールド50とを備える。 As shown in FIG. 1, the electronic component module 10 according to this embodiment covers the module substrate 20, a plurality of electronic components 31 to 33 mounted on the main surface 21 of the module substrate 20, these electronic components 31 to 33 comprising Yo the mold resin 40 formed on the main surface 21 of the module substrate 20, an electromagnetic wave shielding 50 formed on the side surface 23 of the surface and the module substrate 20 of the mold resin 40.

モジュール基板20は、ガラスエポキシやアルミナなどの絶縁材料からなる単層又は多層の回路基板であり、その主面21には電子部品31〜33と接続するためのランドパターン24が形成され、その裏面22には外部端子25が形成されている。 The module substrate 20 is a single layer or multilayer circuit board made of an insulating material such as glass epoxy or alumina, land pattern 24 for connecting the electronic components 31 to 33 is formed on the main surface 21, the back surface external terminals 25 are formed on 22. ランドパターン24と外部端子25は、モジュール基板20を貫通して設けられた図示しないスルーホール導体を介して接続されている。 Land pattern 24 and the external terminal 25 is connected via the through-hole conductors (not shown) provided through the module substrate 20. これにより、各電子部品31〜33は外部端子25に電気的に接続される。 Thus, the electronic components 31 to 33 are electrically connected to the external terminal 25. 電子部品31〜33の種類については特に限定されず、半導体ICなどの集積回路、トランジスタなどのディスクリート半導体デバイス、キャパシタやコイルなどの受動素子などを用いることができる。 There is no particular limitation on the type of electronic components 31 to 33 can be used integrated circuit such as a semiconductor IC, discrete semiconductor devices such as transistors, etc. passive elements such as a capacitor or a coil. また、モジュール基板20に実装する電子部品の数についても特に限定されるものではない。 Further, there is no particular limitation on the number of electronic components to be mounted on the module substrate 20.

モールド樹脂40は、モジュール基板20の主面21と平行な第1の表面(上面)41と、モジュール基板20の主面21に対してほぼ垂直な第2の表面(側面)42を有している。 Molding resin 40, has a first surface (upper surface) 41 parallel to the major surface 21 of the module substrate 20, a second surface (side surface) 42 nearly perpendicular to the major surface 21 of the module substrate 20 there. 第2の側面42は、主面21に対して完全な垂直面である必要はなく、若干の傾斜を有していても構わない。 Second side 42 need not be perfectly vertical plane to the main surface 21, it may have a slight slope. 第2の側面42が若干の傾斜を有している場合、電子部品モジュール10の側面形状は、モジュール基板20側を長辺、モールド樹脂40の第1の表面41側を短辺としたやや台形状となる。 If the second side surface 42 has a slight slope, the side surface shape of the electronic component module 10 is slightly table on which the long side of the module substrate 20, the first surface 41 side of the mold resin 40 and the short side a shape. これら第1及び第2の表面41,42はいずれも粗面化処理されており、多数のキャビティ43を有している。 Each of these first and second surfaces 41, 42 have also been subjected to roughening treatment, has a number of cavities 43. このキャビティ43は、モールド樹脂40に含まれるガラスフィラーを除去することによって形成されたものである。 The cavity 43 is formed by removing the glass filler contained in the molding resin 40. 詳細については後述するが、モールド樹脂40は、熱硬化性エポキシ系樹脂などからなる絶縁樹脂にガラスフィラーが含浸されてなり、第1及び第2の表面41,42に露出するガラスフィラーを除去することによって、多数のキャビティ43を形成することができる。 Although details will be described later, the molding resin 40, the glass filler in the insulating resin made of a thermosetting epoxy resin is impregnated, to remove the glass filler to be exposed to the first and second surfaces 41, 42 by, it is possible to form a number of cavities 43.

電磁波シールド50は、モールド樹脂40の第1及び第2の表面41,42、並びに、モジュール基板20の側面23を覆うように形成されている。 Electromagnetic shielding 50, the first and second surfaces 41, 42 of the mold resin 40, and are formed so as to cover the side surface 23 of the module substrate 20. 電磁波シールド50は、無電解メッキにより形成された金属膜であり、特に限定されるものではないが、Ni(ニッケル)とCu(銅)の積層膜であることが好ましい。 Electromagnetic shielding 50 is a metal film formed by electroless plating, but are not particularly limited, but is preferably a laminated film of Ni (nickel) and Cu (copper).

図1に示すように、モールド樹脂40の表面41,42を覆う電磁波シールド50は、キャビティ43の内部にも形成されている。 As shown in FIG. 1, the electromagnetic wave shielding 50 covering the surface 41 of the mold resin 40 is also formed in the interior of the cavity 43. これにより、電磁波シールド50を構成する金属膜がキャビティ43に食い込むため、いわゆるアンカー効果によってモールド樹脂40に対する密着性が高められる。 Thus, the metal film constituting the electromagnetic wave shielding 50 bites into the cavity 43, adhesion to the molding resin 40 by the so-called anchor effect is enhanced. さらに、後述するように、モールド工程の直後においては、モールド樹脂40の第1の表面41にはワックス層が存在しており、これが電磁波シールド50との密着性を大幅に低下させる原因となるが、本実施形態においては第1の表面41側に存在していたワックス層が除去されている。 Furthermore, as will be described later, immediately after the molding process, the first surface 41 of the mold resin 40 are present wax layer, which although causes significantly reduces the adhesion between the electromagnetic wave shielding 50 , the wax layer has been removed that were present in the first surface 41 side in the present embodiment. このため、ワックス層による密着性の低下も防止されている。 Therefore, it is also prevented reduction in adhesion by wax layer.

このように、本実施形態による電子部品モジュール10は、モールド樹脂40の表面41,42に電磁波シールド50が直接形成されていることから、シールドケースなどを用いた場合と比べて低背化を実現することが可能となる。 Thus, the electronic component module 10 according to this embodiment, since the electromagnetic wave shielding 50 is formed directly on the surface 41 of the mold resin 40, realize low profile compared with the case of using a shielding case it is possible to become. しかも、モールド樹脂40の表面41,42が粗面化されていることから、モールド樹脂40と電磁波シールド50との密着性が高く、電磁波シールド50の剥がれが生じにくい。 Moreover, since the surface 41 of the mold resin 40 is roughened, high adhesion between the mold resin 40 and the electromagnetic wave shielding 50, peeling of the electromagnetic wave shielding 50 is less likely to occur. さらに、電磁波シールド50はモジュール基板20の側面23を覆っていることから、モールド樹脂40の表面のみを覆う場合に比べ、より高いシールド効果を得ることが可能となる。 Furthermore, since the electromagnetic wave shield 50 that covers the side surface 23 of the module substrate 20, compared with the case where only the covering surface of the mold resin 40, it is possible to obtain a higher shielding effect.

次に、本実施形態による電子部品モジュール10の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the electronic component module 10 according to this embodiment.

図2は電子部品モジュール10の製造方法を説明するためのフローチャートであり、図3〜図10は各工程における断面図である。 Figure 2 is a flow chart for explaining the method of manufacturing the electronic component module 10, FIGS. 3 to 10 are sectional views in respective steps.

まず、図3に示すように、集合基板20aを用意し、その主面21a及び裏面22aにそれぞれランドパターン24及び外部端子25を形成する。 First, as shown in FIG. 3, prepared aggregate substrate 20a, respectively to form a land pattern 24 and the external terminal 25 on the main surface 21a and rear surface 22a. 集合基板20aは、複数のモジュール基板20を多数個取りするための大面積の基板である。 Aggregate substrate 20a is a substrate having a large area for a number of plurality of module substrates 20-piece. なお、外部端子25の形成についてはこの段階で行う必要はなく、以降の任意の工程で形成することができる。 It is not necessary to carry out at this stage for the formation of the external terminal 25 can be formed at any step after. 次に、図4に示すように、所定のランドパターン24と電気的に接続されるよう、複数の電子部品31〜33を集合基板20a上に実装する(ステップS1)。 Next, as shown in FIG. 4, to be connected specified land pattern 24 and electrically, to implement a plurality of electronic components 31 to 33 on the aggregate substrate 20a (step S1). 電子部品31〜33の実装は、ランドパターン24にハンダを供給した後、マウンタを用いて電子部品31〜33を配置し、その後一括リフローすることによって行うことができる。 Mounting of electronic components 31 to 33, after supplying solder to the land pattern 24, to place the electronic components 31 to 33 with a mounter, it can be carried out by subsequent batch reflow.

次に、図5に示すように、電子部品31〜33が覆われるよう、集合基板20aの主面21aにモールド樹脂40を形成する(ステップS2)。 Next, as shown in FIG. 5, so that the electronic components 31 to 33 is covered, forming a mold resin 40 on the major surface 21a of the collective substrate 20a (step S2). モールド樹脂40の形成は、熱硬化性エポキシ系樹脂などからなる絶縁樹脂にガラスフィラーやワックスなどが含浸されてなるタブレットを金型に供給することによって行うことができる。 Formation of the mold resin 40, the tablets in an insulating resin made of a thermosetting epoxy resin including glass filler or wax, which are impregnated can be carried out by feeding to the mold. ガラスフィラーはシリカ(SiO )を主成分とし、主に熱膨張係数を調整するために添加される。 Glass filler mainly composed of silica (SiO 2), it is mainly added to adjust the thermal expansion coefficient. また、ワックスは、金型からの剥離性を高めるために添加される。 Further, the wax is added in order to improve the releasability from the mold.

図11は、図5の符号Aで示すモールド樹脂40の表層近傍を拡大して示す断面図であり、(a)はモールド成形した直後の状態を示している。 Figure 11 is a sectional view showing an enlarged surface vicinity of the mold resin 40 indicated by symbol A in FIG. 5, (a) shows the state immediately after molding. 図11(a)に示すようにモールド成形した直後においては、モールド樹脂40の表面40aはワックス層44で覆われているため、このまま無電解メッキを施した場合、電磁波シールド50との密着性が低くなってしまう。 Immediately after molded as shown in FIG. 11 (a), since the surface 40a of the mold resin 40 is covered with a wax layer 44, when subjected to this state electroless plating, adhesion between the electromagnetic wave shielding 50 it becomes lower. また、モールド樹脂40の表層近傍には、ガラスフィラー45がほとんど存在しない低密度層46が形成されているため、モールド成形した直後においては、表面40aに露出するガラスフィラー45は非常にわずかである。 Further, the surface near the mold resin 40, since the low-density layer 46 of the glass filler 45 hardly exists is formed in immediately after molding, the glass filler 45 exposed on the surface 40a is very small .

次に、図6に示すように、モールド樹脂40の表面40aをラッピング(研削)する(ステップS3)。 Next, as shown in FIG. 6, the surface 40a of the mold resin 40 wrapping (grinding) (step S3). これにより、図11(b)に示すように、ワックス層44及び低密度層46が除去され、モールド樹脂40の表面41からは多数のガラスフィラー45が露出した状態となる。 Thus, as shown in FIG. 11 (b), it is a wax layer 44 and the low-density layer 46 is removed, a state in which a large number of glass filler 45 is exposed from the surface 41 of the mold resin 40. また、ラッピングによりモールド樹脂40の表面41はある程度粗面化されるため、電磁波シールド50との密着性が改善された状態となる。 Further, since the surface 41 of the mold resin 40 to be somewhat roughened by lapping, a state in which adhesion between the electromagnetic shield 50 is improved.

次に、図7に示すように、集合基板20aの裏面22a側にマスキングテープ60を貼り付けた後(ステップS4)、図8に示すように、モールド樹脂40及び集合基板20aを垂直方向からダイシングすることによって、個片化された複数の電子部品モジュール10に分離する(ステップS5)。 Next, as shown in FIG. 7, after sticking a masking tape 60 on the back surface 22a side of the assembly substrate 20a (step S4), and as shown in FIG. 8, dicing the mold resin 40 and the assembly substrate 20a from the vertical direction by, for separating the plurality of electronic component module 10 which is sectioned (step S5). ダイシング時においては、集合基板20aを個々のモジュール基板20に完全に分離するフルカットを行うことが好ましい。 In the dicing, it is preferable to perform full-cut to completely separate the aggregate substrate 20a into individual module substrate 20. これは、集合基板20aを途中までしか切断しないハーフカットでは、カットされていない部分に以降の工程で電磁波シールド50が形成されず、シールド効果が低くなるからである。 This is the half-cut not only cut halfway aggregate substrate 20a, an electromagnetic wave shielding 50 is not formed in subsequent steps in the portion which is not cut, because the shielding effect is reduced. また、ダイシングによって、モールド樹脂40の側面である第2の表面42はある程度粗面化されるとともに、多数のガラスフィラー45が露出した状態となる(図8にはガラスフィラー45は図示されていない)。 Also, the dicing together with the second surface 42 is somewhat roughened a side of the mold resin 40, a large number of glass filler 45 in a state of being exposed (glass filler 45 in FIG. 8 is not shown ). また、ダイシング条件によっては、第2の側面42が完全には垂直面とはならず、若干の傾斜面となることがある。 Also, the dicing conditions, the second side surface 42 is completely not become vertical plane, it may become slightly inclined. この場合、隣接する2つの側面42によって形成されるスリットは、上方に向かうほど開口幅が広いテーパー状となる。 In this case, slits are formed by two adjacent sides 42, the opening width is wider tapered as it goes upward.

次に、モールド樹脂40の表面41,42に露出しているガラスフィラー45を除去する(ステップS6)。 Then, to remove the glass filler 45 exposed on the surface 41 of the mold resin 40 (step S6). これにより、モールド樹脂40の表面41,42には、図9及び図11(c)に示すように、ガラスフィラー45が除去されることにより多数のキャビティ43が形成される。 Thus, the surface 41 of the mold resin 40, as shown in FIG. 9 and FIG. 11 (c), the number of cavities 43 by a glass filler 45 is removed are formed. かかるキャビティ43は、モールド樹脂40の表面41,42をよりいっそう粗面化させる。 Such cavity 43 may further be further roughen the surface 41 of the mold resin 40. ガラスフィラー45を除去する方法としては、例えばフッ酸を用いてガラスフィラー45を溶解させることにより行うことができる。 As a method of removing the glass filler 45 can be carried out by dissolving the glass filler 45, for example, using hydrofluoric acid.

次に、図10に示すように、マスキングテープ60上に複数の電子部品モジュール10が保持された状態で無電解メッキを施すことにより、金属膜からなる電磁波シールド50を形成する(ステップS7)。 Next, as shown in FIG. 10, by electroless plating in a state where a plurality of electronic component module 10 on the masking tape 60 is held, to form an electromagnetic wave shielding 50 made of a metal film (step S7). これにより、モールド樹脂40の表面41,42及びモジュール基板20の側面23が電磁波シールド50で覆われた状態となる。 In this manner, a state side 23 of the surface 41 and 42 and the module substrate 20 of the molded resin 40 is covered with the electromagnetic shield 50. ここで、モールド樹脂40の表面41,42は、ラッピング又はダイシングによって粗面化されており、さらに、ガラスフィラー45の除去によって多数のキャビティ43が形成されていることから、通常のモールド樹脂の表面と比べて非常に高い粗面度を有している。 Here, the surface 41 of the mold resin 40, by lapping or dicing are roughened, further, since a large number of cavities 43 are formed by the removal of the glass filler 45, the surface of a conventional mold resin It has a very high rough degree compared to. このため、無電解メッキによって形成された電磁波シールド50は、モールド樹脂40の表面41,42に対して高い密着性を示すことになる。 Therefore, electromagnetic shielding 50 formed by electroless plating will show a high adhesion to the surface 41 of the mold resin 40. 特に、キャビティ43の内部に入り込んだ金属膜は、いわゆるアンカー効果をもたらすため、非常に高い密着性を得ることが可能となる。 In particular, a metal film that has entered the interior of the cavity 43, to provide a so-called anchor effect, it is possible to obtain very high adhesion.

そして、マスキングテープ60を除去すれば、図1に示した電子部品モジュール10を得ることができる(ステップS8)。 Then, by removing the masking tape 60, it is possible to obtain an electronic component module 10 shown in FIG. 1 (step S8).

このように、本実施形態においては、モールド樹脂40の上面である第1の表面41については、ワックス層44の除去、ラッピングによる粗面化及び低密度層46の除去、並びに、ガラスフィラー45の除去が行われ、モールド樹脂40の側面である第2の表面42についてはダイシングによる粗面化、並びに、ガラスフィラー45の除去が行われることから、無電解メッキによって形成される電磁波シールド50に対して高い密着性を確保することが可能となる。 Thus, in the present embodiment, for the first surface 41 which is the upper surface of the mold resin 40, the removal of the wax layer 44, removal of the surface roughening and low density layer 46 by lapping, as well as the glass filler 45 removal is performed, roughened by dicing the second surface 42 is a side of the mold resin 40, and, since the removal of the glass filler 45 is performed with respect to the electromagnetic wave shielding 50 formed by electroless plating ensuring high adhesion Te becomes possible. これにより、その後の工程で電磁波シールド50が剥離することが無くなるため、製品の信頼性を高めることが可能となる。 Accordingly, since there is no fact that the electromagnetic wave shielding 50 in the subsequent step peeling, it is possible to improve the reliability of the product.

次に、ステップS7の無電解メッキ方法についてより詳細に説明する。 It will now be described in more detail electroless plating method step S7.

図9に示すように、無電解メッキを施す前の電子部品モジュール10は、マスキングテープ60に貼り付けられたままの状態である。 As shown in FIG. 9, the electronic component module 10 before electroless plating is the remains affixed to the masking tape 60. このため、隣接する電子部品モジュール10間の距離は、ダンシングによる切り代分だけであり、隣接する電子部品モジュール10間はスリット(溝)にて分離された状態となる。 Therefore, the distance between the electronic component module 10 adjacent is only cutting allowance by dancing, while the electronic component module 10 adjacent in the state of being separated by a slit (groove). しかも、このスリットはモールド樹脂40及びモジュール基板20を貫通しているため、アスペクト比が非常に高い。 Moreover, the slit for extending through the mold resin 40 and the module substrate 20, the aspect ratio is very high. このため、この状態で無電解メッキを行うと、メッキ液に浸漬してもスリット内に気泡が残留してしまい、この部分におけるメッキ成長が阻害される。 Therefore, when the electroless plating in this state, be immersed in a plating solution would be air bubbles remaining in the slit, the plating growth in this portion is inhibited. このような問題を解決すべく、本実施形態ではスリット内に残留する気泡を排出可能な無電解メッキ装置を用いて電磁波シールド50の形成を行う。 To solve the problem, a form of electromagnetic wave shielding 50 using an electroless plating apparatus capable of discharging the air bubbles remaining in the slit in this embodiment.

図12は、本実施形態による無電解メッキ装置100の外観を示す略斜視図である。 Figure 12 is a schematic perspective view showing an appearance of an electroless plating apparatus 100 according to this embodiment.

図12に示すように、本実施形態による無電解メッキ装置100は、メッキ液を貯留するトレイ110と、トレイ110の下方に配置されたプール120と、プール120内のメッキ液Mを汲み上げてトレイ110に供給する循環機構130とを備えている。 As shown in FIG. 12, the electroless plating apparatus 100 according to this embodiment is pumped a tray 110 for storing a plating solution, a pool 120 which is disposed below the tray 110, the plating solution M in pool 120 tray and a supplying circulating mechanism 130 to 110. トレイ110の内部には、被処理物である複数の電子部品モジュール10を固定する固定治具140と、固定治具140によって固定された複数の電子部品モジュール10にメッキ液Mを供給するシャワーヘッド150が設けられている。 Inside the tray 110, a fixing jig 140 for fixing a plurality of electronic component module 10 which is an object to be treated, a shower head for supplying a plating solution M to a plurality of electronic component module 10 which is fixed by a fixing jig 140 150 is provided. 固定治具140及びシャワーヘッド150の詳細については後述する。 It will be described later in detail fixture 140 and the shower head 150.

トレイ110の底部には、メッキ液Mの排出機構である穴112が設けられている。 At the bottom of the tray 110, a hole 112 is provided a discharge mechanism of the plating solution M. これにより、循環機構130によってトレイ110に供給されるメッキ液Mは、穴112から排出され、プール120へと落下する。 Thus, the plating liquid M to be supplied to the tray 110 by the circulating mechanism 130 is discharged from the bore 112, it falls into the pool 120. 循環機構130は、プール120内のメッキ液Mを汲み上げるポンプ132と、汲み上げたメッキ液Mをトレイ110に供給するか、或いは、ポンプ132に戻すかを切り替えるバルブ機構134を備えている。 Circulation mechanism 130 includes a pump 132 for pumping the plating solution M in pool 120, or to supply the pumped plating solution M in the tray 110, or the valve mechanism 134 that switches whether to return to the pump 132.

図13は、固定治具140の構造を説明するための略平面図である。 Figure 13 is a schematic plan view illustrating the structure of the fixture 140.

図13に示すように、固定治具140は略平板状の部材であり、その主面142には複数の突起部144及び貫通孔146が形成されている。 As shown in FIG. 13, the fixture 140 has a substantially plate-shaped member, a plurality of projections 144 and the through hole 146 is formed in the main surface 142. 図13において破線で示す搭載領域Bは、1個の集合基板に対応する複数の電子部品モジュール10が搭載される領域である。 Mounting region B indicated by a broken line in FIG. 13 is a region in which a plurality of electronic component module 10 corresponding to one of the collective substrate is mounted. 以下、1個の集合基板に対応する複数の電子部品モジュール10を単に「被処理物」と呼ぶことがある。 Hereinafter simply referred to as "processing object" a plurality of electronic component module 10 corresponding to one of the set substrate. 図13に示す例では、8個の被処理物を一括して処理できることになる。 In the example shown in FIG. 13, so that can be processed collectively eight of the workpiece. ここで、突起部144は搭載領域Bの周囲に配置されており、これにより被処理物を水平方向(X方向及びY方向)に位置決めする位置決め部として機能する。 Here, protrusions 144 are arranged around the mounting region B, thereby functioning as a positioning portion for positioning an object to be processed in the horizontal direction (X and Y directions). 被処理物の垂直方向(Z方向)における位置決めは、固定治具140の主面142によって行われる。 Positioning in the vertical direction of the object (Z-direction) is performed by the main surface 142 of the fixture 140. また、貫通孔146は、メッキ液Mの排出を促進するために設けられている。 The through hole 146 is provided to facilitate the discharge of the plating solution M.

図14はシャワーヘッド150の構造を説明するための図であり、(a)は略側面図、(b)は内部構造を示す略平面図である。 Figure 14 is a view for explaining the structure of the shower head 150 is a schematic top view of the (a) substantially side view, (b) the internal structure.

図14(a)に示すように、シャワーヘッド150は、固定治具140を処理室152に挿入するための挿入口154と、循環機構130から供給されるメッキ液Mを受ける配管156と、配管156から供給されるメッキ液Mを処理室152内に噴射する複数のノズル158とを備えている。 As shown in FIG. 14 (a), the shower head 150 includes an insertion port 154 for inserting a fixing jig 140 into the processing chamber 152, a pipe 156 for receiving a plating solution M to be supplied from the circulation mechanism 130, the piping and a plurality of nozzles 158 for ejecting the processing chamber 152 a plating solution M to be supplied from the 156. 図14(b)に示すように、ノズル158は処理室152の上部にマトリクス状に多数設けられており、これにより、固定治具140に固定された被処理物が処理室152内に挿入されると、被処理物には多数のノズル158によってメッキ液Mが噴射されることになる。 As shown in FIG. 14 (b), the nozzle 158 is a number provided in a matrix on the top of the processing chamber 152, by which, the object to be treated that is fixed to the fixing jig 140 is inserted into the processing chamber 152 If that would be the plating solution M is injected by multiple nozzles 158 to be treated. 尚、処理室152の側面152xは、固定治具140の側面140xと当接することによって、処理室152に挿入された固定治具140のX方向における位置決め部として機能する。 Incidentally, the side surface 152x of the processing chamber 152 by contacting with the side surface 140x of the fixture 140, which functions as a positioning portion in the X direction of the fixing jig 140 that has been inserted into the processing chamber 152. また、処理室152の側面152yは、固定治具140の側面140yと当接することによって、処理室152に挿入された固定治具140のY方向における位置決め部として機能する。 The side surface 152y of the processing chamber 152, by contacting with the side surface 140y of the fixture 140, which functions as a positioning unit in the Y direction of the fixture 140 which is inserted into the processing chamber 152. 固定治具140の垂直方向(Z方向)における位置決めは、固定治具140の底面と処理室152の底面が当接することによって行われる。 Positioning in the vertical direction (Z direction) of the fixture 140 is performed by the bottom surface of the bottom and the processing chamber 152 of the fixing jig 140 abuts.

図15はバルブ機構134の機能を説明するための図であり、(a)はバルブ機構134を閉じた場合におけるメッキ液Mの循環経路を示し、(b)はバルブ機構134を開いた場合におけるメッキ液Mの循環経路を示している。 Figure 15 is a diagram for explaining the function of the valve mechanism 134, when an open (a) shows a circulation path of the plating solution M in the case of closing the valve mechanism 134, (b) the valve mechanism 134 It shows a circulation path of the plating solution M.

図15(a)に示すように、バルブ機構134は、ポンプ132の吸引経路132iと排出経路132oをバイパスするバイパス経路132bに設けられており、これが閉じられると、ポンプ132によって汲み上げられたメッキ液Mは、トレイ110に供給される。 As shown in FIG. 15 (a), the valve mechanism 134 is provided in the bypass passage 132b bypassing the suction passage 132i and a discharge path 132o of the pump 132, when it is closed, the plating solution is pumped up by the pump 132 M is supplied to the tray 110. これに対し、バルブ機構134が開かれると、ポンプ132によって汲み上げられたメッキ液Mは、トレイ110に供給されることなく、バイパス経路132bを介して吸引経路132iに戻される。 In contrast, when the valve mechanism 134 is opened, the plating solution M which is pumped by the pump 132, without being supplied to the tray 110, is returned to the suction channel 132i through the bypass passage 132b. バルブ機構134の開閉動作はオペレータが手動で行っても構わないが、後述するセンサ及びタイマを用いて自動的に行うことが好ましい。 Although the opening and closing operation of the valve mechanism 134 may be performed manually by an operator, it is preferable to automatically perform using later-described sensor and the timer.

次に、以上の構造を有する無電解メッキ装置100を用いた無電解メッキ方法について説明する。 Next, an electroless plating method will be described using the electroless plating apparatus 100 having the above structure.

まず、バルブ機構134が開かれた状態で、図16に示すように被処理物が搭載された固定治具140をシャワーヘッド150の処理室152に挿入(ロード)する。 First, with the valve mechanism 134 is opened, inserted (loaded) fixture 140 object to be treated is mounted, as shown in FIG. 16 to the processing chamber 152 of the shower head 150. バルブ機構134が開かれた状態では、トレイ110からメッキ液Mが排出されていることから、ロード作業をメッキ液中で行う必要が無い。 In a state where the valve mechanism 134 is opened, since the plating solution M are discharged from the tray 110, there is no need to load working in the plating solution. このため、ロード作業を簡単且つ安全に行うことが可能である。 Therefore, it is possible to carry out loading operations easily and safely. そして、図17に示すように、固定治具140が完全にロードされると、図示しないセンサがこれを検知し、バルブ機構134が閉じられる。 Then, as shown in FIG. 17, when the fixture 140 is fully loaded, the sensor (not shown) detects this, the valve mechanism 134 is closed. これにより、ポンプ132によって汲み上げられたメッキ液Mは、シャワーヘッド150の処理室152に供給される。 Thus, the plating solution M which is pumped by the pump 132 is supplied to the processing chamber 152 of the shower head 150.

ここで、ポンプ132によるメッキ液Mの供給レートは、排出機構である穴112からの排出レートよりも大きく設定されている。 Here, the supply rate of the plating solution M by the pump 132 is set larger than the discharge rate from the hole 112 is a discharge mechanism. このため、バルブ機構134が閉じられると、図18に示すようにトレイ110の内部においてはメッキ液Mの水位が上昇し、被処理物はメッキ液Mに浸漬された状態となる。 Therefore, when the valve mechanism 134 is closed, and rises the water level of the plating solution M in the interior of the tray 110 as shown in FIG. 18, the state object to be treated is immersed in the plating solution M. 尚、メッキ液Mの水位上昇によってトレイ110の内部がメッキ液Mによって完全に満たされると、その後はトレイ110からメッキ液Mが溢れ出すが、トレイ110はプール120内に収容されていることから、溢れ出たメッキ液Mは、穴112から排出されるメッキ液Mと同様、プール120に戻される。 Incidentally, when the inside of the tray 110 by the water level rise in the plating solution M is completely filled by the plating solution M, but then the plating solution M overflows from the tray 110, since the tray 110 is accommodated in the pool 120 , plating solution M overflowing, as with the plating solution M which is discharged from the hole 112, is returned to the pool 120.

図19は、シャワーヘッド150の処理室152にロードされた被処理物とノズル158との位置関係を説明するための略平面図である。 Figure 19 is a schematic plan view illustrating a positional relationship between the object and the nozzle 158 that has been loaded into the processing chamber 152 of the shower head 150.

図19に示すように、本実施形態における被処理物は、図9に示したダイシング後の電子部品モジュール10である。 As shown in FIG. 19, the object to be processed in the present embodiment, an electronic component module 10 after dicing as shown in FIG. ダイシングは、集合基板に対してX方向及びY方向に行われるため、ダイシング後における電子部品モジュール10は、図19に示すようにマトリクス状となる。 Dicing, to be done in the X and Y directions relative to the assembly substrate, the electronic component module 10 after the dicing, a matrix as shown in FIG. 19. つまり、X方向に延在する複数のスリット70xと、Y方向に延在する複数のスリット70yによって各電子部品モジュール10が分離された状態となる。 That is, a plurality of slits 70x extending in the X direction, a state of each electronic component module 10 is separated by a plurality of slits 70y extending in the Y direction. そして、処理室152に被処理物である電子部品モジュール10をロードすると、シャワーヘッド150のノズル158がスリット70x,70yの交差部分XCの上部に位置する。 When loading the electronic component module 10 which is an object to be treated into the treatment chamber 152, a nozzle 158 of the shower head 150 is positioned at an upper portion of the slit 70x, intersection 70y XC. かかる位置決めは、突起部144を用いた被処理物の固定治具140への位置決めと、側面140x,140y及び側面152x,152yを用いた固定治具140の処理室152への位置決めによって正しく実現される。 Such positioning, the positioning of the fixture 140 of the object using the projection portion 144, the side surface 140x, 140y and side 152x, correctly implemented by the positioning of the processing chamber 152 of the fixture 140 using 152y that.

図20はノズル158から噴射されるメッキ液Mの水流を説明するための図であり、(a)は断面方向における拡大図、(b)は平面方向における拡大図である。 Figure 20 is a diagram for explaining the flow of the plating solution M ejected from the nozzle 158, it is an enlarged view, (b) is an enlarged view in the plane direction of (a) is a cross-sectional direction.

図20(a)に示すように、シャワーヘッド150のノズル158がスリット70x,70yの交差部分XCに位置決めされた状態でメッキ液Mを噴射すると、噴射されたメッキ液Mはスリット70x,70yの内部に進入し、スリット70x,70y内の水圧が高まる。 As shown in FIG. 20 (a), the nozzle 158 is slit 70x shower head 150, when injecting the plating solution M in a state of being positioned at the intersection XC of 70y, injected plating solution M is slit 70x, the 70y enters the inside, slit 70x, it increases the water pressure in the 70y. その結果、図20(b)に示すように、スリット70x,70yの交差部分XCからメッキ液Mの水流が四方に生じる。 As a result, as shown in FIG. 20 (b), the slits 70x, the flow of the plating solution M from intersection XC of 70y occur in all directions. これにより、スリット70x,70yに内壁に残留している気泡80がメッキ液Mの水流によって排出され、スリット70x,70y内を気泡のない状態とすることができる。 Accordingly, the slits 70x, bubbles 80 remaining on the inner wall 70y is discharged by the water flow of the plating solution M, slits 70x, it can be a state without bubbles in 70y. また、スリット70x,70yが上方に向かうほど開口幅が広いテーパー状である場合、噴射されたメッキ液Mはスリット70x,70yの内部に容易に進入するとともに、スリット70x,70yに内壁に残留している気泡80がメッキ液Mの水流によって容易に排出される。 The slit 70x, if 70y is enough opening wider tapered toward upward, injected plating solution M is slit 70x, with easily enter the interior of 70y, remains on the inner wall slits 70x, the 70y and has bubbles 80 are easily discharged by the water flow of the plating solution M.

この状態を一定時間保持することによって、所望の厚みを持った電磁波シールド50が無電解メッキによって形成されると、バルブ機構134を開き、シャワーヘッド150へのメッキ液Mの供給を停止する。 By a certain time it holds this state, the electromagnetic wave shield 50 having a desired thickness when it is formed by electroless plating, to open the valve mechanism 134 to stop the supply of the plating solution M to the shower head 150. これにより、トレイ110内のメッキ液Mは穴112から排出され、その水位は被処理物を浸漬可能な水位未満に低下する。 Thus, the plating solution M in the tray 110 is discharged from the bore 112, the water level falls below a immersible level an object to be processed. つまり、水位は図17に示した状態に戻る。 That is, the water level returns to the state shown in FIG. 17. 尚、バルブ機構134を開くタイミングは図示しないタイマを用いて制御し、タイマが一定時間を計時した後、バルブ機構134を自動的に開くことが好ましい。 The timing of opening the valve mechanism 134 is controlled using a timer (not shown), after the timer has timed the predetermined time, it is preferable to open the valve mechanism 134 automatically.

そして、トレイ110内におけるメッキ液Mの水位が十分に下がったら、図21に示すように、シャワーヘッド150の処理室152から固定治具140を取り出す(アンロード)。 Then, when the water level of the plating solution M is sufficiently lowered in the tray 110, as shown in FIG. 21, taken fixture 140 from the processing chamber 152 of the shower head 150 (unloading). ここでも、トレイ110からメッキ液Mが排出されていることから、アンロード作業を簡単且つ安全に行うことが可能である。 Again, since the plating solution M are discharged from the tray 110, it is possible to perform the unloading operations simply and safely.

以上の手順により、無電解メッキによる電磁波シールド50の形成が完了する。 By the above procedure, the formation of the electromagnetic shield 50 by electroless plating is completed. このように、本実施形態による無電解メッキ装置100は、スリット70x,70yの交差部分XCにメッキ液Mを噴射するノズル158を備えていることから、アスペクト比の高いスリット70x,70yの内壁に気泡80が残留している場合であっても、これを速やかに排出することができる。 Thus, the electroless plating apparatus 100 according to the present embodiment, the slits 70x, since it is provided with a nozzle 158 for injecting the plating solution M at the intersection XC of 70y, high aspect ratio slits 70x, the inner wall of 70y even if air bubbles 80 remaining, it is possible to discharge this quickly. これにより、ムラのない均一な電磁波シールド50を形成することが可能となる。 This makes it possible to form a uniform electromagnetic wave shielding 50 without unevenness.

しかも、本実施形態による無電解メッキ装置100は、プール120の上方に設けられたトレイ110の内部で無電解メッキを行うことから、大型のタンクに多数の被処理物を浸漬する従来の無電解メッキ装置に比べて、メッキ液の使用量を削減することができるとともに、メッキ液の管理も容易となる。 Moreover, the electroless plating apparatus 100 according to this embodiment, since carrying out the electroless plating in the interior of the tray 110 provided above the pool 120, conventional electroless immersion of the number of the object into a tank of large compared to the plating apparatus, it is possible to reduce the amount of the plating solution, it is easy to manage plating liquid.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。 Having described preferred embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible without departing from the scope of the present invention, also of the present invention thereof it is needless to say that intended to be encompassed within the scope.

例えば、上記実施形態では、集合基板をダイシングした後の電子部品モジュール10に対して無電解メッキを施す場合を例に説明したが、本発明による無電解メッキ装置及び無電解メッキ方法の適用対象がこれに限定されるものではなく、他の被処理物に無電解メッキを施す場合にも本発明の適用が可能である。 For example, in the above embodiment, the case where electroless plating to the electronic component module 10 after dicing the aggregate substrate has been described as an example, the application of the electroless plating apparatus and an electroless plating method according to the invention the invention is not limited thereto and may be applied also present invention when subjected to electroless plating for other object to be treated.

10 電子部品モジュール20 モジュール基板20a 集合基板21 モジュール基板の主面21a 集合基板の主面22 モジュール基板の裏面22a 集合基板の裏面23 モジュール基板の側面24 ランドパターン25 外部端子31〜33 電子部品40 モールド樹脂40a モールド樹脂の表面41 第1の表面42 第2の表面43 キャビティ44 ワックス層45 ガラスフィラー46 低密度層50 電磁波シールド60 マスキングテープ70x,70y スリット80 気泡100 無電解メッキ装置110 トレイ112 穴(排出機構) 10 electronic component module 20 module board 20a collective substrate 21 module substrate main surface 21a collective substrate main surface 22 a module substrate backside 22a collective substrate backside 23 module substrate side 24 land pattern 25 external terminals 31 to 33 electronic components of the 40 mold surface 41 of the resin 40a molding resin first surface 42 second surface 43 cavity 44 wax layer 45 glass filler 46 low density layer 50 electromagnetic shield 60 masking tape 70x, 70y slit 80 bubbles 100 electroless plating apparatus 110 tray 112 holes ( discharge mechanism)
120 プール130 循環機構132 ポンプ132b バイパス経路132i 吸引経路132o 排出経路134 バルブ機構140 固定治具140x,140y 固定治具の側面142 固定治具の主面144 突起部146 貫通孔150 シャワーヘッド152 処理室152x,152y 処理室の側面154 挿入口156 配管158 ノズルM メッキ液XC スリットの交差部分 120 Pool 130 circulating mechanism 132 pump 132b bypass path 132i suction passage 132o discharge path 134 valve mechanism 140 fixture 140x, 140y fixture side 142 fixture main surface 144 projections 146 through hole 150 showerhead 152 treatment chamber 152x, the intersection of sides 154 insertion opening 156 piping 158 nozzles M plating solution XC slit 152y processing chamber

Claims (11)

  1. 集合基板の主面に電子部品を搭載する工程と、 And a step of mounting an electronic component on the main surface of the collective substrate,
    前記電子部品を覆うよう前記集合基板の前記主面にモールド樹脂を形成する工程と、 Forming a mold resin on the main surface of the collective substrate so as to cover the electronic component,
    前記集合基板の裏面にマスキングテープを貼り付けた状態で、前記モールド樹脂及び前記集合基板を前記主面側からダイシングすることにより、複数の電子部品モジュールに分割する工程と、 In a state of paste masking tape on the back surface of the collective substrate, by dicing the mold resin and the collective substrate from the main surface side, a step of dividing the plurality of electronic component modules,
    前記複数の電子部品モジュールの裏面に前記マスキングテープが貼り付けられたたまま状態で、前記電子部品モジュールの上面及び前記ダイシングによって露出した前記複数の電子部品モジュールの側面に無電解メッキを施す工程と、を備え、 Wherein a plurality of said states while masking tape was attached to the rear surface of the electronic component module, a step of performing electroless plating on the side surfaces of the plurality of electronic component modules exposed by the upper surface and the dicing of the electronic component module , equipped with a,
    前記無電解メッキを施す工程は、前記複数の電子部品モジュールをメッキ液に浸漬した状態で、前記複数の電子部品モジュールの前記側面を内壁とするスリットに前記メッキ液を噴射することにより行うことを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。 Step of performing the electroless plating, while immersing the plurality of electronic component modules in a plating solution, that performed by injecting the plating solution the side of the plurality of electronic component modules slit to the inner wall the method of manufacturing an electronic component module according to claim.
  2. 前記ダイシングする工程は、前記モールド樹脂及び前記集合基板を第1の方向に切断することにより前記第1の方向に延在する第1のスリットを形成する工程と、前記モールド樹脂及び前記集合基板を前記第1の方向と交差する第2の方向に切断することにより前記第2の方向に延在する第2のスリットを形成する工程とを含み、 Wherein the step of dicing, a step of forming a first slit extending in the first direction by cutting the mold resin and the collective substrate in a first direction, the mold resin and the aggregate board and forming a second slit extending in the second direction by cutting in a second direction intersecting the first direction,
    前記無電解メッキを施す工程は、前記第1及び第2のスリットが交差する部分に前記メッキ液を噴射することにより行うことを特徴とする請求項1に記載の電子部品モジュールの製造方法。 It said step of performing electroless plating method of manufacturing an electronic component module according to claim 1, wherein the first and second slits and performing by injecting the plating solution at the intersection.
  3. 前記ダイシングを行う前に前記モールド樹脂の表面を粗面化する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品モジュールの製造方法。 The method of manufacturing an electronic component module according to claim 1 or 2, further comprising a step of roughening the surface of the mold resin before performing the dicing.
  4. 前記モールド樹脂にはガラスフィラーが含まれており、前記粗面化する工程は、前記モールド樹脂の表面に露出する前記ガラスフィラーを除去する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の電子部品モジュールの製造方法。 Wherein the mold resin includes a glass filler, wherein the step of roughening the electrons according to claim 3, characterized in that it comprises a step of removing the glass filler exposed on the surface of the mold resin method of manufacturing a component module.
  5. 前記粗面化する工程は、前記ガラスフィラーを除去する前に、前記モールド樹脂の前記表面を研削する工程をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の電子部品モジュールの製造方法。 Wherein the step of roughening, before removing the glass filler, a method of manufacturing an electronic component module according to claim 4, characterized by further comprising the step of grinding the surface of the mold resin.
  6. 主面及び前記主面に形成されたスリットを有する被処理物をメッキ液に浸漬する工程と、 Immersing an object to be processed having a main surface and a slit formed in said main surface in a plating solution,
    前記被処理物を前記メッキ液に浸漬した状態で、前記スリット内に前記メッキ液を噴射する工程と、を備えることを特徴とする無電解メッキ方法。 Wherein in a state where the object to be treated was immersed in the plating solution, an electroless plating method characterized by and a step of injecting the plating solution in the slit.
  7. 前記スリットは、第1の方向に延在する第1のスリットと、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する第2のスリットとを含み、 The slit includes a first slit extending in a first direction and a second slit extending in a second direction intersecting the first direction,
    前記メッキ液を噴射する工程は、前記第1及び第2のスリットが交差する部分に前記メッキ液を噴射することにより行うことを特徴とする請求項6に記載の無電解メッキ方法。 Process, an electroless plating method according to claim 6 wherein said first and second slits and performing by injecting the plating solution at the intersection for injecting the plating solution.
  8. メッキ液を貯留するトレイと、 And a tray for storing a plating solution,
    主面及び前記主面に形成されたスリットを有する被処理物を、前記トレイに貯留されたメッキ液に浸漬した状態で固定する固定治具と、 A fixture for fixing in a state in which an object to be processed having a main surface and the slit formed in the main surface was immersed in a plating solution stored in said tray,
    前記固定治具によって固定された前記被処理物の前記スリット内に、前記メッキ液を噴射するノズルと、を備えることを特徴とする無電解メッキ装置。 Wherein in said slit of fixed the workpiece which has been fixed by the jig, an electroless plating apparatus comprising: a, a nozzle for injecting the plating solution.
  9. 前記トレイから排出される前記メッキ液を貯留するプールと、 A pool for storing the plating liquid discharged from the tray,
    前記プール内の前記メッキ液を汲み上げ、前記ノズルを介して前記トレイに供給する循環機構と、をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の無電解メッキ装置。 Electroless plating apparatus according to claim 8, wherein the pumping of the plating solution in the pool, further comprising a circulating mechanism for supplying to said tray through the nozzle.
  10. 前記トレイには前記メッキ液を排出する排出機構が設けられており、前記循環機構による前記メッキ液の供給が停止されると、前記排出機構による前記メッキ液の排出により、前記トレイ内における前記メッキ液の水位は前記被処理物を浸漬可能な水位未満となることを特徴とする請求項9に記載の無電解メッキ装置。 Wherein the tray has ejection mechanism is provided for discharging the plating solution, the supply of the plating solution by the circulation mechanism is stopped, the discharge of the plating solution by the discharge mechanism, wherein in the tray plating electroless plating apparatus of the water level of the liquid is claimed in claim 9, characterized in that less than the possible immersion processing object level.
  11. 前記排出機構は前記トレイの底部に設けられた穴であり、前記トレイは前記プールの上部に配置されていることを特徴とする請求項10に記載の無電解メッキ装置。 It said discharge mechanism is a hole provided in the bottom of the tray, the electroless plating apparatus according to claim 10, wherein the tray is characterized in that it is disposed above the pool.
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Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5865361U (en) * 1981-10-29 1983-05-02
JPS6297396A (en) * 1985-08-06 1987-05-06 Schering Ag Washing, activation and/or metallization of holes in conductor board guided hori-zontally and apparatus for the same
JPH05211384A (en) * 1991-11-20 1993-08-20 Nec Corp Plating method of printed wiring board
JPH06132660A (en) * 1992-10-15 1994-05-13 Oki Electric Ind Co Ltd Pretreatment device and treatment for plating printed board
JPH1180967A (en) * 1997-09-08 1999-03-26 Ebara Corp Plating apparatus
JPH11246979A (en) * 1998-03-04 1999-09-14 Ebara Corp Plating apparatus
JP2002190455A (en) * 2000-10-12 2002-07-05 Ebara Corp Apparatus for manufacturing semiconductor substrate
JP2004052108A (en) * 2002-05-30 2004-02-19 Ebara Corp Substrate treatment apparatus
US20040058067A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Law Kam S. Method and apparatus for metallization of large area substrates
JP2005109306A (en) * 2003-10-01 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component package and its manufacturing method
JP2006032984A (en) * 2005-09-20 2006-02-02 Ebara Corp Wiring-forming method
JP2006332255A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit and its manufacturing method
WO2012050057A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 東京エレクトロン株式会社 Template and substrate treatment method

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5865361U (en) * 1981-10-29 1983-05-02
JPS6297396A (en) * 1985-08-06 1987-05-06 Schering Ag Washing, activation and/or metallization of holes in conductor board guided hori-zontally and apparatus for the same
JPH05211384A (en) * 1991-11-20 1993-08-20 Nec Corp Plating method of printed wiring board
JPH06132660A (en) * 1992-10-15 1994-05-13 Oki Electric Ind Co Ltd Pretreatment device and treatment for plating printed board
JPH1180967A (en) * 1997-09-08 1999-03-26 Ebara Corp Plating apparatus
JPH11246979A (en) * 1998-03-04 1999-09-14 Ebara Corp Plating apparatus
JP2002190455A (en) * 2000-10-12 2002-07-05 Ebara Corp Apparatus for manufacturing semiconductor substrate
JP2004052108A (en) * 2002-05-30 2004-02-19 Ebara Corp Substrate treatment apparatus
US20040058067A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Law Kam S. Method and apparatus for metallization of large area substrates
JP2005109306A (en) * 2003-10-01 2005-04-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic component package and its manufacturing method
JP2006332255A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit and its manufacturing method
JP2006032984A (en) * 2005-09-20 2006-02-02 Ebara Corp Wiring-forming method
WO2012050057A1 (en) * 2010-10-13 2012-04-19 東京エレクトロン株式会社 Template and substrate treatment method

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