JP2014134479A - 回転検出装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【目的】 、従来に比べて感度軸方向Ｐのずれ（ばらつき）の影響をキャンセルすることができる回転検出装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 図２（ａ）（ｂ）に示すように、各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ４を用いて第１のブリッジ回路３４を構成し、各磁気抵抗効果素子Ｓ５〜Ｓ８を用いて第２のブリッジ回路３５を構成する。これにより、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が０°、９０°、１８０°、及び２７０°の方向に対してそれぞれθ１だけ傾いていても、θ１の影響をキャンセルでき、第１のブリッジ回路及び第２のブリッジ回路から得られる出力の位相差ずれを高精度に改善することができる。これにより、高精度に回転情報を検出することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、磁界発生部と磁気センサとを備え、回転情報を検出することが可能な回転検出装置に関する。

図８は従来の回転検出装置に用いられる磁気センサの概念図である。図８（ａ）は第１のブリッジ回路１の回路図であり、図８（ｂ）は、第２のブリッジ回路２の回路図である。

以下では、平面内にて直交する２本の仮想直線Ａ，Ｂの中心Ｃから順に０°の方向（Ｘ２方向）Ｄ、９０°の方向（Ｙ１方向）Ｅ、１８０°の方向（Ｘ１方向）Ｆ、及び２７０°の方向（Ｙ２方向）Ｇと定義する。

図８（ａ）の第１のブリッジ回路１は４つの磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）３〜６により構成される。

図８（ａ）に示すように、第１の磁気抵抗効果素子３と第２の磁気抵抗効果素子５とが、第１の出力部７を介して直列に接続されている。また第３の磁気抵抗効果素子５と第４の磁気抵抗効果素子６とが、第２の出力部８を介して直列に接続されている。

図８（ａ）に示すように第１の磁気抵抗効果素子３と第３の磁気抵抗効果素子５とが入力部９を介して接続され、第２の磁気抵抗効果素子４と第４の磁気抵抗効果素子６とが接地部１０を介して接続されている。

図８（ａ）に示すように、第１の出力部７と第２の出力部８とが差動増幅部１１に接続され、第１の外部出力部１２に繋がっている。

図８（ａ）に示すように第１の磁気抵抗効果素子３と第６の磁気抵抗効果素子６の感度軸方向Ｐは、いずれも０°の方向Ｄとされている。また第２の磁気抵抗効果素子４及び第３の磁気抵抗効果素子５の感度軸方向Ｐは、いずれも１８０°の方向Ｆとされている。

一方、図８（ｂ）の第２のブリッジ回路２は４つの磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）１３〜１６により構成される。

図８（ｂ）に示すように、第５の磁気抵抗効果素子１３と第６の磁気抵抗効果素子１４とが、第３の出力部１７を介して直列に接続されている。また第７の磁気抵抗効果素子１５と第８の磁気抵抗効果素子１６とが、第４の出力部１８を介して直列に接続されている。

図８（ｂ）に示すように第５の磁気抵抗効果素子１３と第７の磁気抵抗効果素子１５とが入力部１９を介して接続され、第６の磁気抵抗効果素子１４と第８の磁気抵抗効果素子１６とが接地部２０を介して接続されている。

図８（ｂ）に示すように、第３の出力部１７と第４の出力部１８とが差動増幅部２１に接続され、第２の外部出力部２２に繋がっている。

図８（ｂ）に示すように第５の磁気抵抗効果素子１３と第８の磁気抵抗効果素子１６の感度軸方向Ｐは、いずれも２７０°の方向Ｇとされている。また第６の磁気抵抗効果素子１４及び第７の磁気抵抗効果素子１５の感度軸方向Ｐは、いずれも９０°の方向Ｅとされている。

磁気センサに対して磁石が回転すると回転磁場が各磁気抵抗効果素子３〜６，１３〜１６に作用し、各磁気抵抗効果素子３〜６，１３〜１６の電気抵抗値が変動する。

このとき、第１のブリッジ回路１を構成する各磁気抵抗効果素子３〜６と、第２のブリッジ回路２を構成する各磁気抵抗効果素子１３〜１６とでは９０°ずつ感度軸方向Ｐが異なっているので、第１の外部出力部１２から得られる出力と、第２の外部出力部２２から得られる出力との間には９０°の位相差が生じる。

各外部出力部１２，２２からの出力及び位相差に基づいて回転角度や回転スピード、回転方向等の回転情報を検出することができる。

特開２０１０−１７５５６６号公報

しかしながら感度軸方向Ｐは製造過程においてずれが生じた。
図９は、感度軸方向Ｐを定める外部磁場２５をウェハ２６上に作用させた際の状態を示す概念図である。
図９に示すウェハ２６から多数個の磁気センサを製造することができる。

今、図９ではＹ１方向に外部磁場２５を作用させた状態を示している。しかしながら磁力線は、ウェハ２６の中心からＸ１−Ｘ２方向に離れるほど折れ曲がり、ａの位置にて作用する外部磁場２５はＹ１方向からＸ２方向に向けてθだけ傾いた状態とされる。

このため、感度軸方向Ｐを９０°の方向（Ｙ１方向）Ｅに向けたい第６の磁気抵抗効果素子１４及び第７の磁気抵抗効果素子１５では、感度軸方向Ｐが９０°の方向Ｅではなく２７０°の方向Ｇにθだけ傾いた状態となっている。

図９，図１０に示すように、ａの位置で形成される磁気センサを構成する各磁気抵抗効果素子３〜６，１３〜１６に対して、０°の方向Ｄ、９０°の方向Ｅ、１８０°の方向Ｆあるいは２７０°の方向Ｇにそれぞれ外部磁場を作用させて各磁気抵抗効果素子３〜１６，１３〜１６の感度軸方向Ｐを規定する際、実際には図１０に示すθの傾きが生じた状態で感度軸方向Ｐが規定される。

理想的には、第１のブリッジ回路１からの出力と、第２のブリッジ回路２からの出力とが９０°の位相差を有しているところ、実際には、図１０に示すθの傾きを持った感度軸方向Ｐを備える各磁気抵抗効果素子３〜６，１３〜１６にて第１のブリッジ回路１及び第２のブリッジ回路２が構成されることから、後述の図７（ａ）に示すシミュレーション結果に示すように位相差が９０°からずれることがわかった。

図７（ａ）での実験では、θを２°とした。このとき出力位相差は８６°だったので、２θのずれが生じることがわかった。
このように位相差ずれが生じる結果、高精度な回転情報を検出できない問題があった。

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、従来に比べて感度軸方向Ｐのずれ（ばらつき）の影響をキャンセルすることができる回転検出装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、固定部と回転部との一方に磁界発生部が、他方に磁気センサが設けられた回転検出装置において、
前記磁気センサには、第１のブリッジ回路と第２のブリッジ回路とが設けられており、
平面内にて直交する仮想直線の交点から４つの方向を順に０°、９０°、１８０°、２７０°と設定したとき、
前記第１のブリッジ回路は、第１の直列回路と第２の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第１の直列回路は、０°の方向から９０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第１の磁気抵抗効果素子と、９０°の方向から０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第２の磁気抵抗効果素子とが第１の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第２の直列回路は、１８０°の方向から２７０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第３の磁気抵抗効果素子と、２７０°の方向から１８０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第４の磁気抵抗効果素子とが第２の出力部を介して直列に接続された構成であり、
前記第２のブリッジ回路は、第３の直列回路と第４の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第３の直列回路は、２７０°の方向から１８０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第５の磁気抵抗効果素子と、０°の方向から９０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第６の磁気抵抗効果素子とが第３の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第４の直列回路は、９０°の方向から０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第７の磁気抵抗効果素子と、１８０°の方向から２７０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第８の磁気抵抗効果素子とが第４の出力部を介して直列に接続された構成であることを特徴とするものである。

また本発明は、固定部と回転部との一方に磁界発生部が、他方に磁気センサが設けられた回転検出装置において、
前記磁気センサには、第１のブリッジ回路と第２のブリッジ回路とが設けられており、
平面内にて直交する仮想直線の交点から４つの方向を順に０°、９０°、１８０°、２７０°と設定したとき、
前記第１のブリッジ回路は、第１の直列回路と第２の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第１の直列回路は、０°の方向から２７０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第１の磁気抵抗効果素子と、９０°の方向から１８０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第２の磁気抵抗効果素子とが第１の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第２の直列回路は、１８０°の方向から９０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第３の磁気抵抗効果素子と、２７０°の方向から０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第４の磁気抵抗効果素子とが第２の出力部を介して直列に接続された構成であり、
前記第２のブリッジ回路は、第３の直列回路と第４の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第３の直列回路は、２７０°の方向から０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第５の磁気抵抗効果素子と、０°の方向から２７０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第６の磁気抵抗効果素子とが第３の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第４の直列回路は、９０°の方向から１８０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第７の磁気抵抗効果素子と、１８０°の方向から９０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第８の磁気抵抗効果素子とが第４の出力部を介して直列に接続された構成であり、
前記第１の磁気抵抗効果素子ないし前記第８の磁気抵抗効果素子の全ての磁気抵抗効果素子が１つの基板上に成膜されていることを特徴とするものである。

本発明では、前記各磁気抵抗効果素子は、セルフピン止め型の磁気抵抗効果素子であることが好ましい。

また本発明は、固定部と回転部との一方に磁界発生部を、他方に磁気センサを設けてなる回転検出装置の製造方法において、
前記磁気センサはウェハから多数個切り出されるものであり、
前記各磁気センサに、第１のブリッジ回路と第２のブリッジ回路とを形成し、
前記第１のブリッジ回路は、第１の直列回路と第２の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第１の直列回路を第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とが第１の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第２の直列回路は、第３の磁気抵抗効果素子と第４の磁気抵抗効果素子とが第２の出力部を介して直列に接続された構成であり、
前記第２のブリッジ回路は、第３の直列回路と第４の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第３の直列回路は、第５の磁気抵抗効果素子と、第６の磁気抵抗効果素子とが第３の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第４の直列回路は、第７の磁気抵抗効果素子と、第８の磁気抵抗効果素子とが第４の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記ウェハは各磁気センサの領域に区分けされ、各領域にそれぞれ前記第１の磁気抵抗効果素子ないし前記第８の磁気抵抗効果素子の全ての磁気抵抗効果素子が配置されており、
平面内にて直交する仮想直線の交点から４つの方向を順に０°、９０°、１８０°、２７０°と設定したとき、
前記ウェハに対して０°の方向に外部磁場を与えて、前記第１の磁気抵抗効果素子及び第６の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
前記ウェハに対して９０°の方向に外部磁場を与えて、前記第２の磁気抵抗効果素子及び前記第７の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
前記ウェハに対して１８０°の方向に外部磁場を与えて、前記第３の磁気抵抗効果素子及び前記第８の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
前記ウェハに対して２７０°の方向に外部磁場を与えて、前記第４の磁気抵抗効果素子及び前記第５の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
前記各磁気センサをウェハから切り出す工程と、
を有するものであり、
あるいは、前記ウェハに対して０°の方向に外部磁場を与えて、前記第１の磁気抵抗効果素子及び第６の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
前記ウェハに対して９０°の方向に外部磁場を与えて、前記第２の磁気抵抗効果素子及び前記第７の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
前記ウェハに対して１８０°の方向に外部磁場を与えて、前記第３の磁気抵抗効果素子及び前記第８の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
前記ウェハに対して２７０°の方向に外部磁場を与えて、前記第４の磁気抵抗効果素子及び前記第５の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
前記各磁気センサを構成する前記領域をウェハから切り出す工程と、
を有することを特徴とするものである。

このとき、前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記第６の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を０°の方向から９０°の方向にθ１だけ傾いた方向とし、
前記第２の磁気抵抗効果素子及び前記第７の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を９０°の方向から０°の方向にθ１だけ傾いた方向とし、
前記第３の磁気抵抗効果素子及び前記第８の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を１８０°の方向から２７０°の方向にθ１だけ傾いた方向とし、
前記第４の磁気抵抗効果素子及び前記第５の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を２７０°の方向から１８０°の方向にθ１だけ傾いた方向とし、
あるいは、
前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記第６の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を０°の方向から２７０°の方向にθ２だけ傾いた方向とし、
前記第２の磁気抵抗効果素子及び前記第７の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を９０°の方向から１８０°の方向にθ２だけ傾いた方向とし、
前記第３の磁気抵抗効果素子及び前記第８の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を１８０°の方向から９０°の方向にθ２だけ傾いた方向とし、
前記第４の磁気抵抗効果素子及び前記第５の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を２７０°の方向から０°の方向にθ２だけ傾いた方向とする構成に本発明を好ましく適用できる。

本発明によれば、感度軸方向Ｐが０°、９０°、１８０°、及び２７０°の方向に対しそれぞれθ（θは製造過程中に生じるずれ（ばらつき）である）だけ傾いても、θの影響をキャンセルでき、第１のブリッジ回路及び第２のブリッジ回路から得られる出力の位相差ずれを高精度に改善することができる。これにより、高精度に回転情報を検出することができる。

本発明によれば、感度軸方向Ｐが０°、９０°、１８０°、及び２７０°の方向に対してそれぞれθだけ傾いていても、θの影響をキャンセルでき、第１のブリッジ回路及び第２のブリッジ回路から得られる出力の位相差ずれを高精度に改善することができる。これにより、高精度に回転情報を検出することができる。

図１は、本実施形態における回転検出装置の平面図である。 図２は、第１実施形態における回転検出装置の回路図であり、図２（ａ）は、第１のブリッジ回路の回路図、図２（ｂ）は、第２のブリッジ回路の回路図である。 図３は、第２実施形態における回転検出装置の回路図であり、図３（ａ）は、第１のブリッジ回路の回路図、図３（ｂ）は、第２のブリッジ回路の回路図である。 図４は、磁気抵抗効果素子の部分縦断面図である。 図５は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４と０°方向、９０°方向、１８０°方向及び２７０°方向との関係を示す概念図である。 図６はウェハに外部磁場を与えて各磁気抵抗効果素子の感度軸方向を規定する工程を示す平面図（概念図）であり、図６（ａ）は０°の方向に外部磁場を作用させたとき、図６（ｂ）は９０°の方向に外部磁場を作用させたとき、図６（ｃ）は１８０°の方向に外部磁場を作用させたとき、図６（ｄ）は２７０°の方向に外部磁場を作用させたときを示す。 図７（ａ）は従来例、図７（ｂ）は、本実施例の出力を示すシミュレーション結果である。 図８は、従来例における回転検出装置の回路図であり、図８（ａ）は、第１のブリッジ回路の回路図、図８（ｂ）は、第２のブリッジ回路の回路図である。 図９は、ウェハに外部磁場を与えて各磁気抵抗効果素子の感度軸方向を規定する一工程を示す平面図（概念図）である。 図１０は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４と０°方向、９０°方向、１８０°方向及び２７０°方向との関係を示す概念図である。

図１は、本実施形態における磁気センサと磁石とを備えた回転検出装置の平面図である。

図１に示す回転検出装置３０は、回転体３１と、磁気センサ３２とを備えて構成される。磁気センサ３２は、回転体３１に対して非接触で配置される。

図１の形態では、磁気センサ３２は固定部側に支持される。回転体３１は、軸中心Ｏを回転中心として時計回りの方向、あるいは、反時計回りの方向、又は、時計回り及び反時計回りの双方の方向に回転可能に支持されている。図１に示すように、回転体３１には、磁界発生部である第１の磁石Ｍ１と第２の磁石Ｍ２が固定されている。第１の磁石Ｍ１は、回転軸Ｏに対向する内面がＮ極に着磁されており、第２の磁石Ｍ２は、回転軸Ｏに対向する内面がＳ極に着磁されている。よって、第１の磁石Ｍ１から第２の磁石Ｍ２に向けて磁界Ｈが形成される。

なお図１と異なって、磁石Ｍ１，Ｍ２を固定部側、磁気センサ３２を回転部側に配置することもできる。

図１に示すように、磁気センサ３２を構成する基板３３の表面には複数の磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８が配置されている。各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８は一つの基板３３に成膜される。各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８は、外部磁界に対して磁気抵抗効果を発揮するＧＭＲ素子である。図１の各磁気検知素子Ｓ１〜Ｓ８に示す矢印は感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４を指す。ここで感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４とは、外部磁界が感度軸方向Ｐと平行な方向から作用したときに各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８の電気抵抗が最小値となり、外部磁界Ｈが感度軸方向Ｐの反対方向から作用したときに各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８の電気抵抗が最大値となる方向を指す。

図４には磁気抵抗効果素子Ｓ１，Ｓ６の部分縦断面図である。ここでは代表的に磁気抵抗効果素子Ｓ１，Ｓ６を用いて説明するが、他の磁気抵抗効果素子Ｓ２〜Ｓ５，Ｓ７，Ｓ８も磁気抵抗効果素子Ｓ１，Ｓ６と同様の積層構造である。

図４に示すように本実施形態の磁気抵抗効果素子Ｓ５，Ｓ６は、下から、シード層４２、固定磁性層４３、非磁性材料層４４、フリー磁性層４５及び保護層４６の順に積層されて成膜される。磁気抵抗効果素子Ｓ５，Ｓ６を構成する各層は、例えばスパッタにて成膜される。

シード層４２は、ＮｉＦｅＣｒあるいはＣｒ等で形成される。またシード層４２の膜厚は、３６〜６０Å程度である。シード層４２と、図示しない基板との間に、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ等からなる下地層が形成されていてもよい。

固定磁性層４３は、第１磁性層４３ａと第２磁性層４３ｃと、第１磁性層４３ａ及び第２磁性層４３ｃ間に介在する非磁性中間層４３ｂとのＳＦＰ（Synthetic Ferri Pin）構造である。

図３に示すように第１磁性層３３ａの固定磁化方向（Ｐ_Ａ）と、第２磁性層３ｃの固定磁化方向（Ｐ_Ｂ）は反平行となっている。

図３に示すように、第１磁性層４３ａはシード層４２上に形成されており、第２磁性層４３ｃは、後述する非磁性材料層４４に接して形成されている。

本実施形態における第１磁性層４３ａは、第２磁性層４３ｃよりも高保磁力材料で形成される。

非磁性材料層４４に接する第２磁性層４３ｃは磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）に寄与する層であり、第２磁性層４３ｃには、アップスピンを持つ伝導電子とダウンスピンを持つ伝導電子の平均自由行程差を大きくできる磁性材料が選択される。

第２磁性層４３ｃの固定磁化方向Ｐ_Ｂが感度軸方向Ｐ１と一致している。なお、感度軸方向Ｐ１は実際には図１に示すようにＸ２方向と平行ではなく若干、傾いているが、図３では、感度軸方向Ｐ１をＸ２方向に平行に示した。

第１磁性層４３ａ及び第２磁性層４３ｃの各膜厚は、第１磁性層４３ａと第２磁性層４３ｃの磁化量（飽和磁化Ｍｓ・膜厚ｔ）の差が実質的にゼロとなるように調整されている。

本実施形態における固定磁性層４３は、ＳＦＰ構造によるセルフピン止め型である。すなわち反強磁性層を備えない構成である。

非磁性材料層４４は、Ｃｕ（銅）などの非磁性導電材料で形成される。また、非磁性材料層４４は絶縁層で形成されＴＭＲ素子にも適用できる。フリー磁性層４５は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉなどの軟磁性材料で形成される。図３に示す構造では、フリー磁性層４５は、ＣｏＦｅ合金層４５ａとＮｉＦｅ合金層４５ｂとの積層構造であるが、フリー磁性層４５の構造は限定されるものでない。すなわちフリー磁性層４５の材質を限定するものでなく、また、単層構造、積層構造、及び積層フェリ構造の別を問わない。保護層４６は、Ｔａ（タンタル）などの非磁性材料で形成される。

また本実施形態では、下からフリー磁性層４５、非磁性材料層４４及び固定磁性層（下から第２磁性層４３ｃ、非磁性中間層４３ｂ、第１磁性層４３ａの順）４３の順に積層された構造としてもよい。

図４に示すセルフピン止め型の磁気抵抗効果素子とすることで、反強磁性層を用いず、よって磁場中熱処理を施すことなく固定磁性層４３を構成する各磁性層４３ａ，４３ｃを磁化固定することができる。そして、図１に示すように感度軸方向Ｐが異なる各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８を同一基板３３上に形成することができる。

図１に示すように、各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８の両側には電極４７が設けられている。そして、第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１、第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２、第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３及び第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４が図２（ａ）に示す第１のブリッジ回路３４を構成するように電極４７を介して接続されている。また、第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５、第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６、第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７及び第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８が図２（ｂ）に示す第２のブリッジ回路３５を構成するように電極４７を介して接続されている。

図２（ａ）に示すように、第１のブリッジ回路３４では、第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１と第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２とが第１の出力部５０を介して直列に接続されている。また、第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３と第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４とが第２の出力部５１を介して直列に接続されている。第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１と第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３とが入力部５２を介して接続され、第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２と第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４とが接地部５３を介して接続されている。

図２（ａ）に示すように、第１の出力部５０と第２の出力部５１とが差動増幅部５４に接続され、さらに第１の外部出力部５５に繋がっている。

また、図２（ｂ）に示すように、第２のブリッジ回路３５では、第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５と第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６とが第３の出力部５６を介して直列に接続されている。また、第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７と第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８とが第４の出力部５７を介して直列に接続されている。第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５と第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７とが入力部５８を介して接続され、第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６と第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８とが接地部５９を介して接続されている。

図２（ｂ）に示すように、第３の出力部５６と第４の出力部５７とが差動増幅部６０に接続され、さらに第２の外部出力部６１に繋がっている。

ここで、図５に示すように、平面内にて直交する２本の仮想直線Ａ，Ｂの中心Ｃから順に０°の方向（Ｘ２方向）、９０°の方向（Ｙ１方向）、１８０°の方向（Ｘ１方向）、及び２７０°の方向（Ｙ２方向）と定義する。ただし、これは一例であり、０°の方向をＹ１、Ｘ１、Ｙ２方向のいずれかにすることもでき、それにより順次（０°から見て反時計回りでも時計回りでもどちらでもよい）、９０°の方向、１８０°の方向及び２７０°の方向を定めることができる。

さて、図１、図２、図５に示すように、第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１及び第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６の感度軸方向Ｐ１は、０°の方向（Ｘ２）から９０°の方向（Ｙ１）に向けてθ１だけ傾いた方向となっている。また、第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２及び第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７の感度軸方向Ｐ２は、９０°の方向（Ｙ１）から０°の方向（Ｘ１）に向けてθ１だけ傾いた方向となっている。また、第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３及び第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８の感度軸方向Ｐ３は、１８０°の方向（Ｘ１）から２７０°の方向（Ｙ２）に向けてθ１だけ傾いた方向となっている。また、第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４及び第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５の感度軸方向Ｐ４は、２７０°の方向（Ｙ１）から１８０°の方向（Ｘ１）に向けてθ１だけ傾いた方向となっている。

図５に示すように、各感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４は、０°の方向、９０°の方向、１８０°の方向及び２７０°の方向と平行にならず、θ１だけずれ、しかもそのずれ方向が図５に示す状態になるになるのは、後述するように製造過程において固定磁性層４３の固定磁化方向を０°の方向、９０°の方向、１８０°の方向及び２７０°の方向と平行に固定しようとしても、外部磁場が図５に示すθ１だけずれた方向に作用するために生じる。

θ１は、最大値としては０．５°〜２°程度であるが、θ１の大きさは、製造過程におけるウェハ上での場所によって異なり、ウェハの中心を通る０°と１８０°との間を結ぶ方向（Ｘ１−Ｘ２）及び９０°と２７０°との間を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２）から離れるほど徐々にθ１は大きくなる（図６参照）。したがってウェハの中心を通るＸ１−Ｘ２線上及びＹ１−Ｙ２線上で製造される磁気センサについてはθ１は、ほぼゼロになるが、これら線上から離れるほどθ１は大きくなる。ただし、磁気センサ３２を構成する各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８の感度軸方向Ｐのずれ量θ１は、同じ磁気センサ３２内であればそれぞれ同じ値になっている。

図２（ａ）に示すように、０°の方向から９０°の方向にθ１だけ傾いた方向の感度軸方向Ｐ１を有する第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１と、９０°の方向から０°の方向にθ１だけ傾いた方向の感度軸方向Ｐ２を有する第２の磁気抵抗効果素子Ｓ１とを第１の出力部５０を介して直列接続し、１８０°の方向から２７０°の方向にθ１だけ傾いた方向の感度軸方向Ｐ３を有する第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３と２７０°の方向から１８０°の方向にθ１だけ傾いた感度軸方向Ｐ４を有する第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４とを第２の出力部５１を介して直列接続する。

一方、図２（ｂ）に示す第２のブリッジ回路３５では、２７０°の方向から１８０°の方向にθ１だけ傾いた方向の感度軸方向Ｐ４を有する第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５と、０°の方向から９０°の方向にθ１だけ傾いた方向の感度軸方向Ｐ１を有する第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６とを第３の出力部５６を介して直列接続し、９０°の方向から０°の方向にθ１だけ傾いた方向の感度軸方向Ｐ２を有する第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７と１８０°の方向から２７０°の方向にθ１だけ傾いた感度軸方向Ｐ３を有する第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８とを第４の出力部５７を介して直列接続する。

図１に示す回転体３１の回転に伴い、磁石Ｍ１，Ｍ２間で生じる磁界方向がＸ１−Ｘ２とＹ１−Ｙ２からなる平面内にて変動し（回転し）、これにより、各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８の電気抵抗値は変動する。このとき、例えばθ１が０°、すなわち各感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４にずれがないとすると、互いに対応する、第１のブリッジ回路３４を構成する各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ４と第２のブリッジ回路３５を構成する各磁気抵抗効果素子Ｓ５〜Ｓ８とでは感度軸方向がそれぞれ９０°異なっているため、第１の外部出力部５５から得られる出力と、第２の外部出力部６１から得られる出力との間には９０°の位相差が生じる。

θ１が０°でなく（０°＜θ１）、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が０°の方向、９０°の方向、１８０°の方向及び２７０°の方向からθ１だけ傾いている場合であっても、図７（ｂ）に示す実験結果に示すように、位相差が９０°になることがわかった。なお図７（ａ）は、図８に示す従来例における実験結果である。図７のシミュレーション実験では、θを２°として実験を行った。

このように図７（ｂ）の実施例では、θの影響をキャンセルでき、位相差を９０°に保つことができるとわかった。これにより従来に比べて高精度に回転情報を得ることが可能になる。

図３は第２の実施形態の磁気センサの回路構成図である。図２と違うには各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８の感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４である。図３では、第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１及び第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６の感度軸方向Ｐ１が０°の方向から１８０°の方向に向けてθ２だけ傾き、第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２及び第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７の感度軸方向Ｐ２は、９０°の方向から１８０°の方向に向けてθ２だけ傾き、第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３及び第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８の感度軸方向Ｐ３は、１８０°の方向から９０°の方向に向けてθ２だけ傾き、第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４及び第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５の感度軸方向Ｐ４は２７０°の方向から０°の方向にθ２だけ傾いている。図３における各感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４と０°の方向、９０°の方向、１８０°の方向及び２７０°の方向との関係を図５に点線で示した。

図３に示す構成においても、θ２の影響をキャンセルでき、第１の外部出力部５５から得られる出力と、第２の外部出力部６１から得られる出力との位相差を９０°に保つことができ、高精度な回転情報を検出することができる。

図６は、ウェハ７０上に形成された多数の磁気センサに対し外部磁場を与えて、各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８の感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４を所定方向に固定する工程である。

図６（ａ）では、０°の方向（Ｘ１方向）に向けて外部磁場７１をウェハ７０に与えている。なおこの時点でウェハ７０上の各磁気センサの領域には第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１及び第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６が形成されている。

このとき図６（ａ）に示すように、外部磁場７１は全体が０°の方向に直線的とならず、ウェハ７０の中心Ｏ２から０°の方向と１８０°の方向との間を結ぶ直線方向（Ｘ１−Ｘ２方向）α及びウェハ７０の中心Ｏ２から９０°の方向と２７０°の方向との間を結ぶ直線方向（Ｙ１−Ｙ２方向）βからそれぞれ離れるにしたがって徐々に、外部磁場７１は、０°の方向から図のように曲がっていく。

例えば図６（ａ）に示すｂの位置（領域）に形成される磁気センサに対して、０°の方向から９０°の方向に向けてθ１の傾きを持つ外部磁場７１が供給される。

図６（ａ）の工程では、図２（ａ）（ｂ）に示す第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１及び第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６の感度軸方向Ｐ１が規制される。感度軸方向Ｐ１は０°の方向から９０°の方向にθ１の傾きを有している。

次に図６（ｂ）の工程では、９０°の方向（Ｙ１方向）に向けて外部磁場７２をウェハ７０に与えている。図６（ａ）の工程と図６（ｂ）の工程の間に、各磁気センサの領域に、第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２及び第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７を形成する。図６（ｂ）の工程においても、外部磁場７２は全体が９０°の方向に直線的とならず、ウェハ７０の中心Ｏ２から０°の方向と１８０°の方向との間を結ぶ直線方向（Ｘ１−Ｘ２方向）α及びウェハ７０の中心Ｏ２から９０°の方向と２７０°の方向との間を結ぶ直線方向（Ｙ１−Ｙ２方向）βから離れるにしたがって徐々に、外部磁場７２は、９０°の方向から図のように曲がっていく。

このとき図６（ｂ）に示すｂの位置（領域）の磁気センサに対して、９０°の方向から０°の方向に向けてθ１の傾きを持つ外部磁場７２が供給される。

図６（ｂ）の工程では、図２（ａ）（ｂ）に示す第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２及び第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７の感度軸方向Ｐ２が規制される。感度軸方向Ｐ２は９０°の方向から０°の方向にθ１の傾きを有している。本実施形態では、磁気抵抗効果素子をセルフピン止め型で形成している（図４参照）。このため、図６（ｂ）の工程で、第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２及び第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７に対して外部磁場７２を供給しても、すでに感度軸方向Ｐ１が固定された第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１及び第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６は外部磁場７２の影響を受けない。

次に図６（ｃ）の工程では、１８０°の方向（Ｘ１方向）に向けて外部磁場７３をウェハ７０に与えている。図６（ｂ）の工程と図６（ｃ）の工程の間に、各磁気センサの領域に、第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３及び第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８を形成する。図６（ｃ）の工程においても、外部磁場７３は全体が１８０°の方向に直線的とならず、ウェハ７０の中心Ｏ２から０°の方向と１８０°の方向との間を結ぶ直線方向（Ｘ１−Ｘ２方向）α及びウェハ７０の中心Ｏ２から９０°の方向と２７０°の方向との間を結ぶ直線方向（Ｙ１−Ｙ２方向）βから離れるにしたがって徐々に、外部磁場７３は、１８０°の方向から図のように曲がっていく。

このとき図６（ｃ）に示すｂの位置（領域）の磁気センサに対して、１８０°の方向から２７０°の方向に向けてθの傾きを持つ外部磁場７３が供給される。

図６（ｃ）の工程では、図２（ａ）（ｂ）に示す第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３及び第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８の感度軸方向Ｐ３が規制される。感度軸方向Ｐ３は１８０°の方向から２７０°の方向にθ１の傾きを有している。本実施形態では、磁気抵抗効果素子をセルフピン止め型で形成している。このため、図６（ｃ）の工程で、第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３及び第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８に対して外部磁場７３を供給しても、すでに感度軸方向Ｐ１，Ｐ２が固定された第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１、第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２、第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６及び第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７は外部磁場７３の影響を受けない。

次に図６（ｄ）の工程では、２７０°の方向（Ｙ２方向）に向けて外部磁場７４をウェハ７０に与えている。図６（ｃ）の工程と図６（ｄ）の工程の間に、各磁気センサの領域に、第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４及び第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５を形成する。図６（ｄ）の工程においても、外部磁場７４は全体が２７０°の方向に直線的とならず、ウェハ７０の中心Ｏ２から０°の方向と１８０°の方向との間を結ぶ直線方向（Ｘ１−Ｘ２方向）α及びウェハ７０の中心Ｏ２から９０°の方向と２７０°の方向との間を結ぶ直線方向（Ｙ１−Ｙ２方向）βから離れるにしたがって徐々に、外部磁場７４は、２７０°の方向から図のように曲がっていく。

このとき図６（ｄ）に示すｂの位置（領域）の磁気センサに対して、２７０°の方向から１８０°の方向に向けてθの傾きを持つ外部磁場７４が供給される。

図６（ｄ）の工程では、図２（ａ）（ｂ）に示す第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４及び第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５の感度軸方向Ｐ４が規制される。感度軸方向Ｐ４は２７０°の方向から１８０°の方向にθの傾きを有している。本実施形態では、磁気抵抗効果素子をセルフピン止め型で形成している。このため、図６（ｄ）の工程で、第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４及び第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５に対して外部磁場７４を供給しても、すでに感度軸方向Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が固定された第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１、第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２、第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３、第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６、第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７及び第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８は外部磁場７４の影響を受けない。

図６（ａ）〜図６（ｄ）に示す各外部磁場７１〜７４を供給して各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８の感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４を規制した後、ウェハ７０から切り出して各磁気センサに個片化する。

各磁気検出素子Ｓ１〜Ｓ８は、ｂの位置（領域）内に配置されており、ウェハ７１を各領域にて切断することで個片化された後、各磁気検出素子Ｓ１〜Ｓ８は一つの基板上に配置された状態となっている（図１参照）。

ウェハ７０上のどの位置で磁気センサが形成されるかで、供給される外部磁場７１〜７４の０°方向、９０°方向、１８０°方向及び２７０°方向からの傾きθの大きさや傾き方向が異なる。

図６に示すｂの位置（領域）で形成される磁気センサは、図２に示す第１の実施形態を構成するが、ｃの位置（領域）で形成される磁気センサは、図３に示す第２の実施形態を構成する。

すなわち図６（ａ）に示すｃの位置で形成される第１の磁気抵抗効果素子Ｓ１及び第６の磁気抵抗効果素子Ｓ６の感度軸方向Ｐ１は、０°の方向から２７０°の方向に向けてθ２だけ傾く。また図６（ｂ）に示すｃの位置で形成される第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２及び第７の磁気抵抗効果素子Ｓ７の感度軸方向Ｐ２は、９０°の方向から１８０°の方向に向けてθ２だけ傾く。また図６（ｃ）に示すｃの位置で形成される第３の磁気抵抗効果素子Ｓ３及び第８の磁気抵抗効果素子Ｓ８の感度軸方向Ｐ３は、１８０°の方向から９０°の方向に向けてθ２だけ傾く。また図６（ｄ）に示すｃの位置で形成される第４の磁気抵抗効果素子Ｓ４及び第５の磁気抵抗効果素子Ｓ５の感度軸方向Ｐ４は、２７０°の方向から０°の方向に向けてθ２だけ傾く。

以上により製造された各磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ８を用いて、図２や図３に示すように回路を組み込むことで、θ１、θ２の影響をキャンセルでき、高精度な回転情報を得ることが可能な回転検出装置を製造することが可能になる。

Ａ、Ｂ 仮想直線
Ｍ１、Ｍ２ 磁石
Ｐ１〜Ｐ４ 感度軸方向
Ｓ１〜Ｓ８ 磁気抵抗効果素子
３０ 回転検出装置
３１ 回転体
３２ 磁気センサ
３４ 第１のブリッジ回路
３５ 第２のブリッジ回路
４３ 固定磁性層
４４ 非磁性材料層
４５フリー磁性層
５０、５１、５６、５７ 出力部
５５ 第１の外部出力部
６１ 第２の外部出力部
７０ ウェハ
７１〜７４ 外部磁場

Claims (5)

1. 固定部と回転部との一方に磁界発生部が、他方に磁気センサが設けられた回転検出装置において、
   前記磁気センサには、第１のブリッジ回路と第２のブリッジ回路とが設けられており、
   平面内にて直交する仮想直線の交点から４つの方向を順に０°、９０°、１８０°、２７０°と設定したとき、
   前記第１のブリッジ回路は、第１の直列回路と第２の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第１の直列回路は、０°の方向から９０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第１の磁気抵抗効果素子と、９０°の方向から０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第２の磁気抵抗効果素子とが第１の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第２の直列回路は、１８０°の方向から２７０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第３の磁気抵抗効果素子と、２７０°の方向から１８０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第４の磁気抵抗効果素子とが第２の出力部を介して直列に接続された構成であり、
   前記第２のブリッジ回路は、第３の直列回路と第４の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第３の直列回路は、２７０°の方向から１８０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第５の磁気抵抗効果素子と、０°の方向から９０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第６の磁気抵抗効果素子とが第３の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第４の直列回路は、９０°の方向から０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第７の磁気抵抗効果素子と、１８０°の方向から２７０°の方向に向けてθ１だけ傾いた感度軸方向を有する第８の磁気抵抗効果素子とが第４の出力部を介して直列に接続された構成であり、
   あるいは、前記第１のブリッジ回路は、第１の直列回路と第２の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第１の直列回路は、０°の方向から２７０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第１の磁気抵抗効果素子と、９０°の方向から１８０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第２の磁気抵抗効果素子とが第１の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第２の直列回路は、１８０°の方向から９０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第３の磁気抵抗効果素子と、２７０°の方向から０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第４の磁気抵抗効果素子とが第２の出力部を介して直列に接続された構成であり、
   前記第２のブリッジ回路は、第３の直列回路と第４の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第３の直列回路は、２７０°の方向から０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第５の磁気抵抗効果素子と、０°の方向から２７０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第６の磁気抵抗効果素子とが第３の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第４の直列回路は、９０°の方向から１８０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第７の磁気抵抗効果素子と、１８０°の方向から９０°の方向に向けてθ２だけ傾いた感度軸方向を有する第８の磁気抵抗効果素子とが第４の出力部を介して直列に接続された構成であり、
   前記第１の磁気抵抗効果素子ないし前記第８の磁気抵抗効果素子の全ての磁気抵抗効果素子が１つの基板上に成膜されていることを特徴とする回転検出装置。
2. 前記各磁気抵抗効果素子は、セルフピン止め型の磁気抵抗効果素子である請求項１記載の回転検出装置。
3. 固定部と回転部との一方に磁界発生部を、他方に磁気センサを設けてなる回転検出装置の製造方法において、
   前記磁気センサはウェハから多数個切り出されるものであり、
   前記各磁気センサに、第１のブリッジ回路と第２のブリッジ回路とを形成し、
   前記第１のブリッジ回路は、第１の直列回路と第２の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第１の直列回路を第１の磁気抵抗効果素子と第２の磁気抵抗効果素子とが第１の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第２の直列回路は、第３の磁気抵抗効果素子と第４の磁気抵抗効果素子とが第２の出力部を介して直列に接続された構成であり、
   前記第２のブリッジ回路は、第３の直列回路と第４の直列回路とが並列に接続された構成で、前記第３の直列回路は、第５の磁気抵抗効果素子と、第６の磁気抵抗効果素子とが第３の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記第４の直列回路は、第７の磁気抵抗効果素子と、第８の磁気抵抗効果素子とが第４の出力部を介して直列に接続された構成であり、前記ウェハは各磁気センサの領域に区分けされ、各領域にそれぞれ前記第１の磁気抵抗効果素子ないし前記第８の磁気抵抗効果素子の全ての磁気抵抗効果素子が配置されており、
   平面内にて直交する仮想直線の交点から４つの方向を順に０°、９０°、１８０°、２７０°と設定したとき、
   前記ウェハに対して０°の方向に外部磁場を与えて、前記第１の磁気抵抗効果素子及び第６の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
   前記ウェハに対して９０°の方向に外部磁場を与えて、前記第２の磁気抵抗効果素子及び前記第７の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
   前記ウェハに対して１８０°の方向に外部磁場を与えて、前記第３の磁気抵抗効果素子及び前記第８の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
   前記ウェハに対して２７０°の方向に外部磁場を与えて、前記第４の磁気抵抗効果素子及び前記第５の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
   前記各磁気センサをウェハから切り出す工程と、
   を有するものであり、
   あるいは、前記ウェハに対して０°の方向に外部磁場を与えて、前記第１の磁気抵抗効果素子及び第６の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
   前記ウェハに対して９０°の方向に外部磁場を与えて、前記第２の磁気抵抗効果素子及び前記第７の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
   前記ウェハに対して１８０°の方向に外部磁場を与えて、前記第３の磁気抵抗効果素子及び前記第８の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
   前記ウェハに対して２７０°の方向に外部磁場を与えて、前記第４の磁気抵抗効果素子及び前記第５の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を固定する工程、
   前記各磁気センサを構成する前記領域をウェハから切り出す工程と、
   を有することを特徴とする回転検出装置の製造方法。
4. 前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記第６の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を０°の方向から９０°の方向にθ１だけ傾いた方向とし、
   前記第２の磁気抵抗効果素子及び前記第７の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を９０°の方向から０°の方向にθ１だけ傾いた方向とし、
   前記第３の磁気抵抗効果素子及び前記第８の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を１８０°の方向から２７０°の方向にθ１だけ傾いた方向とし、
   前記第４の磁気抵抗効果素子及び前記第５の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を２７０°の方向から１８０°の方向にθ１だけ傾いた方向とし、
   あるいは、
   前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記第６の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を０°の方向から２７０°の方向にθ２だけ傾いた方向とし、
   前記第２の磁気抵抗効果素子及び前記第７の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を９０°の方向から１８０°の方向にθ２だけ傾いた方向とし、
   前記第３の磁気抵抗効果素子及び前記第８の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を１８０°の方向から９０°の方向にθ２だけ傾いた方向とし、
   前記第４の磁気抵抗効果素子及び前記第５の磁気抵抗効果素子の各感度軸方向を２７０°の方向から０°の方向にθ２だけ傾いた方向とする請求項３記載の回転検出装置の製造方法。
5. 前記各磁気抵抗効果素子を、セルフピン止め型の磁気抵抗効果素子で形成する請求項３又は４に記載の回転検出装置の製造方法。

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