JP2014132086A - ナノ粒子 - Google Patents
ナノ粒子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014132086A JP2014132086A JP2014030050A JP2014030050A JP2014132086A JP 2014132086 A JP2014132086 A JP 2014132086A JP 2014030050 A JP2014030050 A JP 2014030050A JP 2014030050 A JP2014030050 A JP 2014030050A JP 2014132086 A JP2014132086 A JP 2014132086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- core
- functional group
- nanoparticles
- capping agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 157
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 109
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 50
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 48
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 17
- -1 phosphine oxide, carboxylic acid Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 9
- 150000007944 thiolates Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 8
- PRCNQQRRDGMPKS-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;zinc Chemical compound [Zn].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O PRCNQQRRDGMPKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SQOXTAJBVHQIOO-UHFFFAOYSA-L zinc;dicarbamothioate Chemical compound [Zn+2].NC([O-])=S.NC([O-])=S SQOXTAJBVHQIOO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- CZPRKINNVBONSF-UHFFFAOYSA-M zinc;dioxido(oxo)phosphanium Chemical compound [Zn+2].[O-][P+]([O-])=O CZPRKINNVBONSF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 abstract description 211
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 abstract description 5
- GNVMUORYQLCPJZ-UHFFFAOYSA-M Thiocarbamate Chemical compound NC([S-])=O GNVMUORYQLCPJZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 46
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 34
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N sodium amide Chemical compound [NH2-].[Na+] ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 19
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 17
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 15
- RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K triiodoindigane Chemical compound I[In](I)I RMUKCGUDVKEQPL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 15
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 12
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 12
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 11
- 238000000024 high-resolution transmission electron micrograph Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) iodide Chemical compound I[Ga](I)I DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 241000894007 species Species 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- RKQOSDAEEGPRER-UHFFFAOYSA-L zinc diethyldithiocarbamate Chemical compound [Zn+2].CCN(CC)C([S-])=S.CCN(CC)C([S-])=S RKQOSDAEEGPRER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100136092 Drosophila melanogaster peng gene Proteins 0.000 description 5
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N Sodium azide Chemical compound [Na+].[N-]=[N+]=[N-] PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000090 biomarker Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002017 high-resolution X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001455273 Tetrapoda Species 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- GNVMUORYQLCPJZ-UHFFFAOYSA-N carbamothioic s-acid Chemical compound NC(S)=O GNVMUORYQLCPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012470 diluted sample Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000002265 electronic spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000000684 flow cytometry Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003018 immunoassay Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000338 in vitro Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002428 photodynamic therapy Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012857 radioactive material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000009870 specific binding Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical class [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0632—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/02—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by evaporation of the solvent
- C30B7/06—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by evaporation of the solvent using non-aqueous solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/74—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by peak-intensities or a ratio thereof only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/80—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases
- C01P2004/82—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases
- C01P2004/84—Particles consisting of a mixture of two or more inorganic phases two phases having the same anion, e.g. both oxidic phases one phase coated with the other
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
【解決手段】
窒化物ナノ粒子は、電子求引官能基を含むキャッピング剤および電子供与官能基を含むキャッピング剤を備える発光性のナノ粒子であり、少なくとも1%の光輝性量子収量を有し、窒化物ナノ粒子は、第III族金属の金属窒化物ナノ粒子であり、電子求引官能基を含むキャッピング剤は、亜鉛のアミド、カルボン酸塩、アセトアセトネート、スルホン酸塩、ホスホン酸塩、チオカルバミン酸塩またはチオレートであり、電子供与官能基を含むキャッピング剤は、ホスフィン、ホスフィンオキシド、カルボン酸、カルボン酸塩、アミン、スルホン酸塩、エステル、チオールまたはチオレートである。
【選択図】図8
Description
ヨウ化インジウム(300mg、0.6mmol)、ナトリウムアミド(500mg、12.8mmol)、ヘキサデカンチオール(380μl、1.0mmol)、ステアリン酸亜鉛(379mg、0.6mmol)およびジフェニルエーテル(20ml)を225℃まで急速に加熱した。構成成分のうち、ヨウ化インジウムは第III族金属(インジウム)を供給し、ナトリウムアミドは窒素を供給し、ヘキサデカンチオールは電子供与基を有するキャッピング剤であり、ステアリン酸亜鉛は電子求引基を有するキャッピング剤であり、そしてジフェニルエーテルは溶媒として働く。60分の経過の間、反応混合物の一部(0.25ml)を数回取り出し、それをシクロヘキサン(3ml)に希釈し、あらゆる不溶性物質を遠心分離機を用いて取り除いた。これにより得られる澄んだ溶液について、吸光光度法および発光分光法により分析をおこなった。その結果、図1および図2に示されるように、反応が経過している間、最大発光波長が、480nmから850nmまで変化することが示された。発光スペクトルにおけるピークは、ほぼ150nm程度の半値全幅強度を有していた。
ヨウ化インジウム(300mg、0.6mmol)、ナトリウムアミド(500mg、12.8mmol)、ヘキサデカンチオール(380μl、1.0mmol)、ステアリン酸亜鉛(379mg、0.6mmol)およびジフェニルエーテル(20ml)を250℃まで急速に加熱した。40分の経過の間、反応混合物の一部(0.25ml)を数回取り出し、それをシクロヘキサン(3ml)を用いて希釈し、あらゆる不溶性物質を遠心分離機を用いて取り除いた。これにより、放射性の窒化インジウムナノ結晶体の澄んだ溶液が得られる。実施例1と同様に、得られたナノ粒子の吸収/放射特性は反応に依存しており、図1および図2に類似した時間依存性を示した。
ヨウ化インジウム(300mg、0.6mmol)、ナトリウムアミド(500mg、12.8mmol)、パルミチン酸(256.4、1.0mmol)、ステアリン酸亜鉛(379mg、0.6mmol)およびジフェニルエーテル(20ml)を225℃まで急速に加熱した。本実施例において、ヘキサデカンチオールではなく、パルミチン酸が、電子供与基を有するキャッピング剤として用いられている。
ナトリウムアミド(100mg、2.56mmol)、ステアリン酸亜鉛(76mg、0.12mmol)およびジフェニルエーテル(3ml)の混合物を、250℃に加熱した、ヨウ化インジウム(60mg、0.12mmol)とヘキサデカンチオール(62μl、0.2mmol)とを含むジフェニルエーテル(20ml)溶液中に、素早く添加した。試料(0.5ml)を、6〜20分の規則的な間隔で取り出し、トルエン(3ml)を用いて希釈した。結果として得られた試料の発光スペクトルは、試料を取り出した時間に応じて、最大値が420nm〜670nmに及ぶピークを示し、半値全幅は140〜200nmに広がっていた。
ヨウ化インジウム(InI3)(300mg、0.6mmol)を含むジフェニルエーテル(3ml)の高温溶液を、225℃に加熱した、ナトリウムアミド(500mg、12.8mmol)、ヘキサデカンチオール(612μl、2.0mmol)、ステアリン酸亜鉛(760mg、1.2mmol)およびジフェニルエーテル(20ml)を含む溶液に添加した。試料(0.5ml)を、1〜15分の規則的な間隔で取り出し、ヘキサン(3ml)を用いて希釈した。結果として得られた試料の発光スペクトルは、試料を取り出した時間に応じて、最大値が610nm〜810nmに及ぶピークを示し、半値全幅は152〜230nmに広がっていた。
窒素源としてナトリウムアミドを使用した場合と比較して、溶解性の窒素源を使用することにより、発光ピークの半値全幅強度が低減することが示されている。好適な溶解性窒素源の一つは、(CH3CH2)2NLi−ジエチルアミドリチウムである。用語「溶解性の」は、窒素源が反応混合物中に溶解できることを意味している。このことは、普通、反応が行われる溶媒に対して窒素源が溶解できることを要することと同等である。なぜなら、溶媒は、反応混合物の大部分(体積換算)を構成するであろうためである。窒素源は、完全に溶解できることを必要としないが、向上した溶解性は有益である。他の好適な溶解性の窒素源は、他の金属アミドであり、ジメチルアミドリチウム[(CH3)2NLi]、ジプロピルアミドリチウム[CH3(CH2)3NLi]、ジブチルアミドリチウム[CH3(CH2)4NLi]および一般式R2NMを有する他の金属アミドなどである。ここで、Mは、金属であり、Rは直鎖状または分枝鎖状のアルキル鎖である。発光ピークのピーク幅の減少は、窒素源の溶解性が増加することによって、より均質な反応混合物が得られ、これにより、個々のナノ結晶体の成長が互いに同じ時間に開始でき、それゆえ、反応の間、個々のナノ結晶体は、互いに、より類似したサイズとなり、これにより、結果物であるナノ結晶体における発光スペクトルの幅がより狭くなったことによるものと考えられる。
ヨウ化インジウム(600mg、1.2mmol)、ナトリウムアミド(1g、15.6mmol)、ヘキサデカンチオール(600μl、1.0mmol)、ステアリン酸亜鉛(760mg、1.2mmol)および1−オクタデセン(40ml)を250℃まで急速に加熱した。混合物を250℃で30分間保持した後、室温まで冷却し、遠心分離によりあらゆる不溶性物質を取り除いた。暗い色の溶液を、デカントで固体から移しとり、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛(1g、2.7mmol)とともに、175℃で60分間、さらに処理した。混合物を室温まで冷却し、あらゆる不溶性物質を遠心分離により取り除き、InN−ZnSコア−シェルナノ結晶体の溶液を残した。ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛は、シェルのZnSの前駆物質である。ナノ結晶体は、シクロヘキサンにすぐに溶解する暗い固体を残すような、200mlの無水エタノールを用いた沈殿により、単離された。コア−シェルナノ結晶体は、コアのみの材料と比較して、向上したPLQYを示している。
ヨウ化ガリウム(113mg、0.25mmol)、ヨウ化インジウム(124mg、0.25mmol)、ナトリウムアミド(390 mg、10mmol)、ヘキサデカンチオール(153μl、0.5mmol)、ステアリン酸亜鉛(316mg、0.5mmol)および1−オクタデセン(40ml)を225℃まで急速に加熱し、225℃で保持した。20分、40分、および60分後に試料(0.25ml)を取り出し、シクロヘキサンを用いて希釈し、PLQYを測定した。結果、20分、40分、および60分の試料における値は、それぞれ14%、11%、および10.5%であった。反応混合物中にヨウ化ガリウムを追加することにより、結果として得られるナノ結晶体のPLQYが増加することが見られた。これはおそらくは、ガリウムがナノ結晶体中に組み込まれたためである。
ヨウ化ガリウム(113mg、0.25mmol)、ヨウ化インジウム(124mg、0.25mmol)、ナトリウムアミド(390 mg、10mmol)、ヘキサデカンチオール(153μl、0.5mmol)、ステアリン酸亜鉛(316mg、0.5mmol)および1−オクタデセン(40ml)を225℃まで急速に加熱した。混合物を225℃で60分間保持した後、混合物を室温まで冷却し、遠心分離してあらゆる不溶性物質を取り除いた。結果として得られる暗い色の溶液を、デカントで固体から移しとり、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛(1g、2.7mmol)とともに、175℃で60分間、さらに処理した。混合物を室温まで冷却し、あらゆる不溶性物質を遠心分離により取り除き、InGaN−ZnSコア−シェルナノ結晶体の溶液を残した。ナノ結晶体のPLQYを測定した結果、18%であった。このことは、InGaNナノ結晶体上にZnSシェルを成長させることによりPLQYが向上し、長期にわたる安定性が向上したことを示している。
ヨウ化ガリウム(113mg、0.25mmol)、ヨウ化インジウム(124mg、0.25mmol)、ナトリウムアミド(390 mg、10mmol)、ヘキサデカンチオール(153μl、0.5mmol)、ステアリン酸亜鉛(316mg、0.5mmol)および1−オクタデセン(40ml)を225℃まで急速に加熱した。混合物を225℃で20分間保持した後、混合物を室温まで冷却し、遠心分離してあらゆる不溶性物質を取り除いた。結果として得られる濃い色つきの溶液を、デカントで固体から移しとり、試料4mlをジエチルジチオカルバミン酸亜鉛(100mg、0.27mmol)とともに、175℃で40分間、処理した。結果として得られたナノ結晶体は、PLQYが23%であった。このことは、InGaNナノ結晶体上にZnSシェルを成長させることによりPLQYおよび安定性が向上することを再び示している。
ヨウ化ガリウム(113mg、0.25mmol)、ヨウ化インジウム(124mg、0.25mmol)、ナトリウムアミド(390 mg、10mmol)、ヘキサデカンチオール(153μl、0.5mmol)、ステアリン酸亜鉛(316mg、0.5mmol)および1−オクタデセン(40ml)を225℃まで急速に加熱した。混合物を225℃で20分間保持した後、混合物を室温まで冷却し、遠心分離してあらゆる不溶性物質を取り除いた。結果として得られる溶液20mlを、ヨウ化ガリウム(113mg、0.25mmol)およびナトリウムアミド(185mg、5mmol)とともにさらに処理して、225℃まで加熱し、225℃で20分間保持した。得られたナノ結晶体を測定した結果、PLQYは28%であった。このことは、InGaNナノ結晶体上に窒化ガリウムシェルを成長させることによって、硫化亜鉛のシェルの場合よりもPLQYが大幅に向上することを示している。
ヨウ化ガリウム(113mg、0.25mmol)、ヨウ化インジウム(124mg、0.25mmol)、ナトリウムアミド(390 mg、10mmol)、ヘキサデカンチオール(153μl、0.5mmol)、ステアリン酸亜鉛(316mg、0.5mmol)および1−オクタデセン(40ml)を225℃まで急速に加熱した。混合物を225℃で20分間保持した後、混合物を室温まで冷却し、遠心分離してあらゆる不溶性物質を取り除いた。結果として得られる溶液20mlを、ヨウ化ガリウム(113mg、0.25mmol)およびナトリウムアミド(185mg、5mmol)とともにさらに処理して、225℃まで20分間加熱した。得られた溶液を遠心分離してあらゆる不溶性物質を取り除き、次いで、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛(500mg、1.35mmol)とともに処理し、175℃まで加熱して、175℃で60分間保持した。得られたナノ結晶体を測定した結果、PLQYは21.5%であった。これは、GaNにより被覆されているInGaNナノ結晶体上にZnSシェルを成長させることにより、コア−シェル−シェル構造体となる一つの例である。他のコア−シェル構造体と同様に、シェルがナノ結晶体の長期にわたる安定性を向上させる。
Claims (20)
- 電子求引官能基を含むキャッピング剤および電子供与官能基を含むキャッピング剤を備える発光性のナノ粒子であり、少なくとも1%の光輝性量子収量を有する、窒化物ナノ粒子であって、
上記窒化物ナノ粒子は、第III族金属の金属窒化物ナノ粒子であり、
上記電子求引官能基を含むキャッピング剤は、亜鉛アミド、カルボン酸亜鉛、亜鉛アセトアセトネート、スルホン酸亜鉛、ホスホン酸亜鉛、チオカルバミン酸亜鉛または亜鉛チオレートであり、
上記電子供与官能基を含むキャッピング剤は、ホスフィン、ホスフィンオキシド、カルボン酸、カルボン酸塩、アミン、スルホン酸塩、エステル、チオールまたはチオレートである、窒化物ナノ粒子。 - 少なくとも5%の光輝性量子収量を有する、請求項1に記載の窒化物ナノ粒子。
- 少なくとも10%の光輝性量子収量を有する、請求項1に記載の窒化物ナノ粒子。
- 少なくとも20%の光輝性量子収量を有する、請求項1に記載の窒化物ナノ粒子。
- 少なくとも1つの寸法がナノスケール寸法である窒化物結晶体を備え、
上記電子求引官能基は、該窒化物結晶体の表面に供給されており、該窒化物結晶体の窒素原子であって該窒化物結晶体の該表面に位置する窒素原子を不動態化する、請求項1〜4の何れか1項に記載の窒化物ナノ粒子。 - 上記電子求引官能基を含む上記キャッピング剤および上記電子供与官能基を含む上記キャッピング剤は何れも、電子求引官能基と電子供与官能基とを含む単一のキャッピング剤である、請求項5に記載の窒化物ナノ粒子。
- 少なくとも1つの寸法がナノスケール寸法である窒化物結晶体を備え、
上記窒化物結晶体は、式MxNyを有する金属窒化物の結晶体であり、Mは、第III族金属を表しており、xおよびyは整数を表している、請求項1に記載の窒化物ナノ粒子。 - 少なくとも1つの寸法がナノスケール寸法である窒化物結晶体を備え、
上記窒化物結晶体は、2以上の第III族金属を含んでおり、かつ一般式M1x1M2x2M3x3...MnxnNyを有しており、M1、M2、M3...Mnは、相違する第III族金属を表しており、x1、x2、x3...xnは、第III族金属の量を表しており、yは窒素の量を表している、請求項1に記載の窒化物ナノ粒子。 - 少なくとも1つの寸法がナノスケール寸法である窒化物結晶体を備え、
上記窒化物結晶体は、窒化インジウムの結晶体である、請求項1に記載の窒化物ナノ粒子。 - 上記電子求引官能基を含むキャッピング剤は、カルボン酸亜鉛である、請求項9に記載の窒化物ナノ粒子。
- 上記窒化物結晶体は、上記ナノ粒子のコアを形成しており、上記ナノ粒子は上記コアの周囲に配置されたシェルをさらに含んでいる、請求項5または6に記載の窒化物ナノ粒子。
- 少なくとも1つの寸法がナノスケール寸法である窒化物結晶体を備え、
上記窒化物結晶体は、上記ナノ粒子のコアを形成しており、上記ナノ粒子は上記コアの周囲に配置されたシェルをさらに含んでいる、請求項1に記載の窒化物ナノ粒子。 - 上記コアは、InNコアまたはInGaNコアである、請求項11または12に記載の窒化物ナノ粒子。
- 上記シェルは、ZnSシェルである、請求項11〜13の何れか1項に記載の窒化物ナノ粒子。
- コアと、該コアの周囲に配置された窒化物層と、該窒化物層の表面に供給されており、電子求引官能基を含むキャッピング剤と、該窒化物層の表面に供給されており、電子供与官能基を含むキャッピング剤とを備えているナノ粒子であり、
上記コアは、第III族金属を含んでおり、
上記電子求引官能基を含むキャッピング剤は、亜鉛アミド、カルボン酸亜鉛、亜鉛アセトアセトネート、スルホン酸亜鉛、ホスホン酸亜鉛、チオカルバミン酸亜鉛または亜鉛チオレートであり、
上記電子供与官能基を含むキャッピング剤は、ホスフィン、ホスフィンオキシド、カルボン酸、カルボン酸塩、アミン、スルホン酸塩、エステル、チオールまたはチオレートである、ナノ粒子。 - 少なくとも1%の光輝性量子収量を有する、請求項15に記載のナノ粒子。
- 上記窒化物層は、金属原子、ホウ素原子またはケイ素原子を含み、
上記電子供与官能基は、上記窒化物層の金属原子、ホウ素原子またはケイ素原子であって上記窒化物層の表面に位置する金属原子、ホウ素原子またはケイ素原子を不動態化する、請求項15または16に記載のナノ粒子。 - 上記窒化物層は、金属原子、ホウ素原子またはケイ素原子を含み、
上記電子求引官能基を含む上記キャッピング剤および上記電子供与官能基を含む上記キャッピング剤は何れも、電子求引官能基と電子供与官能基とを含む単一のキャッピング剤である、請求項15または16に記載のナノ粒子。 - 上記窒化物層は、上記ナノ粒子の上記コアの周囲に配置されているシェルを形成している、請求項15〜18の何れか1項に記載のナノ粒子。
- 上記コアは、InNコアまたはInGaNコアである、請求項19に記載のナノ粒子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0901225.3 | 2009-01-26 | ||
GB0901225A GB2467161A (en) | 2009-01-26 | 2009-01-26 | Nitride nanoparticles |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011531075A Division JP2012515803A (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-26 | ナノ粒子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014132086A true JP2014132086A (ja) | 2014-07-17 |
JP5847863B2 JP5847863B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=40469073
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011531075A Pending JP2012515803A (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-26 | ナノ粒子 |
JP2014030050A Expired - Fee Related JP5847863B2 (ja) | 2009-01-26 | 2014-02-19 | ナノ粒子 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011531075A Pending JP2012515803A (ja) | 2009-01-26 | 2010-01-26 | ナノ粒子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8552417B2 (ja) |
JP (2) | JP2012515803A (ja) |
CN (1) | CN102292411B (ja) |
GB (1) | GB2467161A (ja) |
WO (1) | WO2010085002A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101730401B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2017-04-28 | 울산과학기술원 | 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 콜로이드 분산액의 제조방법 |
KR101838583B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2018-03-15 | 울산과학기술원 | 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점 및 이를 포함하는 콜로이드 분산액 |
JP7544551B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-09-03 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体ナノ粒子の製造方法 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2467162A (en) * | 2009-01-26 | 2010-07-28 | Sharp Kk | Fabrication of nitride nanoparticles |
KR101711085B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2017-03-14 | 삼성전자 주식회사 | 나노 복합 입자, 그 제조방법 및 상기 나노 복합 입자를 포함하는 소자 |
KR101664180B1 (ko) * | 2010-03-22 | 2016-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 제조 방법 |
GB2482311A (en) | 2010-07-28 | 2012-02-01 | Sharp Kk | II-III-N and II-N semiconductor nanoparticles, comprising the Group II elements Zinc (Zn) or Magensium (Mg) |
US9190649B2 (en) | 2011-05-04 | 2015-11-17 | Cornell University | Shape memory polymer material compositions, methods and applications |
JP2012246470A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Sharp Corp | 半導体ナノ粒子の製造方法、半導体ナノ粒子、ならびにこれを用いた蛍光体 |
GB2494659A (en) | 2011-09-14 | 2013-03-20 | Sharp Kk | Nitride nanoparticles with high quantum yield and narrow luminescence spectrum. |
WO2013114308A1 (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Koninklijke Philips N.V. | Dual site surface capping for highly improving quantum efficiency and life time of luminescent nano particles |
KR102043269B1 (ko) * | 2012-02-03 | 2019-11-12 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 높은 양자 수율과 안정성으로 매트릭스 내에 나노 입자를 분산시키는 신규 방법 및 물질 |
GB2507814A (en) * | 2012-11-13 | 2014-05-14 | Sharp Kk | A method of synthesising nitride nanocrystals using organometallics |
WO2015017478A2 (en) | 2013-07-29 | 2015-02-05 | US Nano LLC | SYNTHESIS OF CdSe/ZnS CORE/SHELL SEMICONDUCTOR NANOWIRES |
WO2015017477A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | US Nano LLC | Apparatus and methods for continuous flow synthesis of semiconductor nanowires |
US10698197B2 (en) * | 2014-03-24 | 2020-06-30 | Adidas Ag | Color changing materials arranged in slow particle coloration materials |
US11828929B2 (en) | 2014-03-24 | 2023-11-28 | Adidas Ag | Color changing materials arranged in slow particle coloration materials |
US9376616B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nanoparticle phosphor and method for manufacturing the same, semiconductor nanoparticle phosphor and light emitting element containing semiconductor nanoparticle phosphor, wavelength converter and light emitting device |
JP6433586B2 (ja) | 2015-05-15 | 2018-12-05 | 富士フイルム株式会社 | コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム |
US10948412B2 (en) * | 2015-08-28 | 2021-03-16 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method and system for screening nanoparticle, and nanoparticle and method of producing the same |
WO2017083118A1 (en) | 2015-11-10 | 2017-05-18 | Elc Management Llc | Indium tin oxide coated particles and compositions |
WO2017087185A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Elc Management Llc | Indium nitride coated particles and compositions |
KR102210003B1 (ko) * | 2016-04-08 | 2021-02-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 조성물, 조성물의 제조 방법, 경화막, 컬러 필터, 차광막, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치 |
CN109982967B (zh) * | 2016-11-15 | 2020-02-18 | 富士胶片株式会社 | 核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜 |
KR102601056B1 (ko) | 2017-02-14 | 2023-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점, 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP7144154B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2022-09-29 | 株式会社アルバック | 金属窒化物ナノ粒子分散液の製造方法 |
JP6887270B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2021-06-16 | 株式会社アルバック | コアシェル型量子ドット及びコアシェル型量子ドット分散液の製造方法 |
JP2020522749A (ja) * | 2017-06-02 | 2020-07-30 | ネクスドット | カプセル化されたナノ粒子を含むインク |
JP7098555B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2022-07-11 | 株式会社アルバック | コアシェル型量子ドット分散液の製造方法及び量子ドット分散液の製造方法 |
JP2022056788A (ja) | 2020-09-30 | 2022-04-11 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体ナノ粒子及びその製造方法 |
JP7534908B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-08-15 | スタンレー電気株式会社 | 窒化物半導体ナノ粒子及びその製造方法 |
JP2022056784A (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-11 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体ナノ粒子、コアシェル型粒子、及びその製造方法 |
KR20220075144A (ko) * | 2020-11-27 | 2022-06-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점-함유 물질, 상기 양자점-함유 물질의 제조 방법, 상기 양자점-함유물질을 포함한 조성물 및 상기 양자점-함유 물질을 포함한 발광 소자 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060001119A1 (en) * | 2004-05-10 | 2006-01-05 | Evident Technologies, Inc. | III-V semiconductor nanocrystal complexes and methods of making same |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6855202B2 (en) | 2001-11-30 | 2005-02-15 | The Regents Of The University Of California | Shaped nanocrystal particles and methods for making the same |
US6383767B1 (en) * | 2000-01-21 | 2002-05-07 | Motorola, Inc. | Luminescent in vivo glucose measurement |
GB0200744D0 (en) | 2002-01-14 | 2002-02-27 | Imperial College | Preparation of nanoparticles |
DE10218409A1 (de) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Nitriden |
US7273904B2 (en) * | 2002-10-03 | 2007-09-25 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Nanocrystals in ligand boxes exhibiting enhanced chemical, photochemical, and thermal stability, and methods of making the same |
US7181266B2 (en) | 2003-03-04 | 2007-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Materials and methods for near-infrared and infrared lymph node mapping |
JP2004307679A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 13族窒化物半導体ナノ粒子蛍光材料 |
EP2530719B1 (en) | 2003-05-07 | 2020-08-05 | Indiana University Research and Technology Corporation | Alloyed semiconductor concentration-gradient quantum dots, use and method of fabricating thereof |
KR100796122B1 (ko) | 2003-09-09 | 2008-01-21 | 삼성전자주식회사 | 화합물 반도체 나노결정의 표면 처리를 통한 양자효율 향상 |
JP4653662B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2011-03-16 | 京セラ株式会社 | 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法 |
US20080020383A1 (en) | 2004-05-04 | 2008-01-24 | Genaissance Pharmaceuticals, Inc. | Haplotype Markers And Methods Of Using The Same To Determine Response To Treatment |
US7504274B2 (en) * | 2004-05-10 | 2009-03-17 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition |
US20080296534A1 (en) | 2004-09-09 | 2008-12-04 | Technion Research And Development Foundation Ltd. | Core-Alloyed Shell Semiconductor Nanocrystals |
CA2520670A1 (en) * | 2004-09-23 | 2006-03-23 | National Research Council Of Canada | Nanocrystal coated surfaces |
WO2006061835A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Spherical composites entrapping nanoparticles, processes of preparing same and uses thereof |
GB2472542B (en) * | 2005-08-12 | 2011-03-23 | Nanoco Technologies Ltd | Nanoparticles |
US7482619B2 (en) * | 2005-09-07 | 2009-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Charge trap memory device comprising composite of nanoparticles and method of fabricating the charge trap memory device |
JP2007070207A (ja) | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Sharp Corp | 13族窒化物結晶粒子およびその製造方法、ならびにこれを用いた蛍光体 |
JP4587390B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | 半導体粒子蛍光体、およびその製造方法 |
US7641880B2 (en) * | 2006-05-03 | 2010-01-05 | Ohio University | Room temperature synthesis of GaN nanopowder |
JP4318710B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2009-08-26 | シャープ株式会社 | ナノ結晶粒子蛍光体と被覆ナノ結晶粒子蛍光体、ならびに被覆ナノ結晶粒子蛍光体の製造方法 |
US8409473B2 (en) * | 2007-01-30 | 2013-04-02 | Evident Technologies, Inc. | Group II alloyed I-III-VI semiconductor nanocrystal compositions and methods of making same |
US7564067B2 (en) * | 2007-03-29 | 2009-07-21 | Eastman Kodak Company | Device having spacers |
US7883995B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-02-08 | The Administrators Of The Tulane Educational Fund | Method of forming stable functionalized nanoparticles |
JP5263806B2 (ja) | 2007-07-04 | 2013-08-14 | シャープ株式会社 | 蛍光体およびその製造方法 |
EP2190944B1 (en) * | 2007-09-28 | 2011-06-22 | Nanoco Technologies Limited | Core shell nanoparticles and preparation method thereof |
GB2467162A (en) * | 2009-01-26 | 2010-07-28 | Sharp Kk | Fabrication of nitride nanoparticles |
US8937373B2 (en) * | 2012-01-11 | 2015-01-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly luminescent II-V semiconductor nanocrystals |
-
2009
- 2009-01-26 GB GB0901225A patent/GB2467161A/en not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-01-26 WO PCT/JP2010/051316 patent/WO2010085002A1/en active Application Filing
- 2010-01-26 CN CN201080005254.2A patent/CN102292411B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-26 JP JP2011531075A patent/JP2012515803A/ja active Pending
- 2010-01-26 US US13/145,650 patent/US8552417B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-19 JP JP2014030050A patent/JP5847863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060001119A1 (en) * | 2004-05-10 | 2006-01-05 | Evident Technologies, Inc. | III-V semiconductor nanocrystal complexes and methods of making same |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101730401B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2017-04-28 | 울산과학기술원 | 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 콜로이드 분산액의 제조방법 |
KR101838583B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2018-03-15 | 울산과학기술원 | 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점 및 이를 포함하는 콜로이드 분산액 |
JP7544551B2 (ja) | 2020-09-30 | 2024-09-03 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体ナノ粒子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8552417B2 (en) | 2013-10-08 |
WO2010085002A1 (en) | 2010-07-29 |
JP2012515803A (ja) | 2012-07-12 |
US20110272668A1 (en) | 2011-11-10 |
CN102292411A (zh) | 2011-12-21 |
CN102292411B (zh) | 2014-03-12 |
GB0901225D0 (en) | 2009-03-11 |
GB2467161A (en) | 2010-07-28 |
JP5847863B2 (ja) | 2016-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5847863B2 (ja) | ナノ粒子 | |
JP5878570B2 (ja) | 窒化物ナノ粒子の製造 | |
Zheng et al. | Aqueous synthesis of glutathione‐capped ZnSe and Zn1–xCdxSe alloyed quantum dots | |
Singh et al. | Magic-sized CdSe nanoclusters: a review on synthesis, properties and white light potential | |
Panda et al. | Gradated alloyed CdZnSe nanocrystals with high luminescence quantum yields and stability for optoelectronic and biological applications | |
Song et al. | Tumor cell-targeted Zn 3 In 2 S 6 and Ag–Zn–In–S quantum dots for color adjustable luminophores | |
TW200918449A (en) | Making colloidal ternary nanocrystals | |
WO2006009124A1 (ja) | 蛍光体、及びその製造方法 | |
JP5826908B2 (ja) | 半導体ナノ粒子、および、半導体ナノ粒子の製造方法 | |
Liu et al. | Highly luminescent blue emitting CdS/ZnS core/shell quantum dots via a single-molecular precursor for shell growth | |
Sharma et al. | Enhanced UV emission in ZnO/ZnS core shell nanoparticles prepared by epitaxial growth in solution | |
Wu et al. | Depositing ZnS shell around ZnSe core nanocrystals in aqueous media via direct thermal treatment | |
Iorgu et al. | Synthesis of photoluminescent pure and doped cadmium sulfide by reverse microemulsion method | |
Karmakar | Quantum Dots and it method of preparations-revisited | |
Sadhu et al. | Synthesis and spectroscopic study of high quality alloy Cd x Zn 1− x S nanocrystals | |
Pan et al. | One-pot synthesis of highly emissive, green-to-red (ZnS) x-Cu0. 1 InS1. 55/ZnS core/shell nanoparticles via surfactant induced nucleation process | |
Panneerselvam et al. | Recent advances in quantum dot synthesis | |
Chopade et al. | 1Department of Physics, Savitribai Phule Pune University, Pune, India, 2Department of Instrumentation Science, Savitribai Phule Pune University, Pune, India | |
Mirzai | Synthesis of near-infrared absorbing mercury chalcogenide quantum dots | |
Wang | A Study of InZnP-based Core/shell Structured Quantum Dots | |
Tian et al. | Synthesis and characterisation of ZnS: Cu and ZnS: Cu/CdS core/shell nanocrystals via a water-soluble route | |
Ma et al. | Synthesis and Photoluminescence of Red to Near-Infrared-Emitting CdTe x Se1− x/CdZnS Core/Shell Quantum Dots | |
Yuan | Colloidal CdE (E= S, Se and Te) nanocrystals: from synthesis to applications | |
Yen et al. | Synthesis and comparative photoluminescence of CdZnSe/ZnS and CdZnSe/ZnSeS alloy quantum dots | |
MENGQIAO | TOWARDS THE PREPARATION OF HIGHLY LUMINESCENT WATER-SOLUBLE QUANTUM DOTS |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5847863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |