JP2014072459A - Transfer method, bonding method, and bonding device - Google Patents

Transfer method, bonding method, and bonding device Download PDF

Info

Publication number
JP2014072459A
JP2014072459A JP2012218717A JP2012218717A JP2014072459A JP 2014072459 A JP2014072459 A JP 2014072459A JP 2012218717 A JP2012218717 A JP 2012218717A JP 2012218717 A JP2012218717 A JP 2012218717A JP 2014072459 A JP2014072459 A JP 2014072459A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
chamber
pasting
wafer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012218717A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Inao
吉浩 稲尾
Shigeru Kato
茂 加藤
Akihiko Nakamura
彰彦 中村
Atsushi Miyanari
淳 宮成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2012218717A priority Critical patent/JP2014072459A/en
Priority to PCT/JP2013/074047 priority patent/WO2014050494A1/en
Priority to TW102133000A priority patent/TW201420470A/en
Publication of JP2014072459A publication Critical patent/JP2014072459A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer method that suppresses generation of warpage at a laminate of a substrate and a support body.SOLUTION: In the transfer method for transferring a glass lamination wafer 20 between an overlapping room 2 and a bonding room 3, the glass lamination wafer 20 is transferred by using holding means for holding while suppressing a temperature difference generated in the glass lamination wafer 20 during transferring.

Description

本発明は、重ね合わせた基板と支持体との積層体の搬送に用いられる搬送方法、ならびに当該積層体の基板と支持体との貼り付けを行う貼付方法および貼付装置に関する。   The present invention relates to a transport method used for transporting a laminated body of a superposed substrate and a support, and a pasting method and a pasting apparatus for pasting the laminate to a substrate and a support.

携帯電話、デジタルAV機器およびICカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップ(以下、チップ)を小型化および薄板化することによって、パッケージ内にチップを高集積化する要求が高まっている。パッケージ内のチップの高集積化を実現するためには、チップの厚さを25〜150μmの範囲にまで薄くする必要がある。   As mobile phones, digital AV devices, IC cards, etc. have become more sophisticated, there is an increasing demand for higher integration of chips in packages by reducing the size and thickness of semiconductor silicon chips (hereinafter referred to as chips). ing. In order to achieve high integration of chips in the package, it is necessary to reduce the thickness of the chip to a range of 25 to 150 μm.

しかしながら、チップのベースとなる半導体ウエハ(以下、ウエハ)は、研削することにより薄板化され、その強度は弱くなり、ウエハにクラックまたは反りが生じやすくなる。また、薄板化することによって強度が弱くなったウエハを自動搬送することは困難であるため、人手によって搬送しなければならず、その取り扱いが煩雑であった。   However, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) serving as a base of a chip is thinned by grinding, its strength is weakened, and the wafer is likely to be cracked or warped. Further, since it is difficult to automatically transport a wafer whose strength has been reduced by making it thin, it has to be transported manually, and the handling thereof is complicated.

そのため、研削するウエハにサポートプレートと呼ばれる、ガラスまたは硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生およびウエハの反りを防止するウエハサポートシステムが開発されている。ウエハサポートシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化した半導体ウエハの搬送を自動化することができる。   Therefore, a wafer support system has been developed that maintains the strength of the wafer and prevents the occurrence of cracks and warpage of the wafer by bonding a plate made of glass or hard plastic, called a support plate, to the wafer to be ground. . Since the strength of the wafer can be maintained by the wafer support system, the transport of the thinned semiconductor wafer can be automated.

ウエハとサポートプレートとは、粘着テープ、熱可塑性樹脂および接着剤等を用いて貼り合わせられている。サポートプレートが貼り付けられたウエハを薄板化した後、ウエハをダイシングする前にサポートプレートを基板から剥離する。   The wafer and the support plate are bonded together using an adhesive tape, a thermoplastic resin, an adhesive, or the like. After thinning the wafer to which the support plate is attached, the support plate is peeled from the substrate before dicing the wafer.

ウエハにサポートプレートを貼り合わせる手段としては、貼り合わせ装置がある。この貼り合わせ装置は、接着剤をウエハに塗布する塗布ユニット、接着剤を加熱して硬化させるベークユニット、ウエハとサポートプレートとを貼り合わせる貼り合わせユニット等により構成されている。さらに特許文献1には、ウエハとサポートプレートとを貼り合わせる前にウエハとサポートプレートとを所定位置で重ね合わせる、重ね合わせユニットを備えた貼り合わせ装置が開示されている。また、特許文献2には、ウエハとガラスとの位置合わせを行うロードロック室と、ウエハとガラスとの貼り合わせを行う接合室と、ガラス積層ウエハをロードロック室から接合室に減圧下で移動させる内部搬送手段を備えた貼り合わせ装置が開示されている。   As a means for bonding the support plate to the wafer, there is a bonding apparatus. This bonding apparatus includes a coating unit that applies an adhesive to a wafer, a baking unit that heats and cures the adhesive, a bonding unit that bonds the wafer and a support plate, and the like. Further, Patent Document 1 discloses a bonding apparatus including an overlapping unit that overlaps a wafer and a support plate at a predetermined position before bonding the wafer and the support plate. In Patent Document 2, a load lock chamber for aligning a wafer and glass, a bonding chamber for bonding the wafer and glass, and a glass laminated wafer are moved from the load lock chamber to the bonding chamber under reduced pressure. A laminating apparatus provided with an internal conveying means is disclosed.

特開2008−182127号公報(2008年8月7日公開)JP 2008-182127 A (released on August 7, 2008) 特開2012−59758号公報(2012年3月22日公開)JP 2012-59758 A (published March 22, 2012) 特開2009−212196号公報(2009年9月17日公開)JP 2009-212196 A (published September 17, 2009)

本発明者らが検討した結果、ウエハとガラスとを重ね合わせたガラス積層ウエハの内部搬送を行う内部搬送手段として、内部搬送手段の一部がガラス積層ウエハの一直径を覆うような構成を有する内部搬送手段を用いた場合には、搬送を行う間に、ガラス積層ウエハに反りが発生することが判明した。具体的には、ガラス積層ウエハにおいて内部搬送手段に支持されている箇所からより離れているところの円周部付近が、鉛直下方に下がる(もしくは鉛直上方に上がる)ように反りが発生していた。   As a result of studies by the present inventors, as an internal transfer means for carrying out internal transfer of a glass laminated wafer in which a wafer and glass are laminated, a part of the internal transfer means covers a diameter of the glass laminated wafer. It has been found that when the internal transfer means is used, the glass laminated wafer is warped during the transfer. Specifically, the warpage occurred in such a manner that the vicinity of the circumferential portion of the glass laminated wafer that is further away from the portion supported by the internal transfer means is lowered vertically (or raised vertically). .

そこで、本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、搬送対象物に生じる反りを抑えた搬送方法を提供することにある。   Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described problems, and a main object thereof is to provide a transport method that suppresses warping that occurs in a transport target.

本発明に係る搬送方法は、上記課題を解決するために、基板と支持体との重ね合わせを行う重ね合わせ室と、重ね合わせた該基板と該支持体との貼り付けを行う貼付室との間で、上記重ね合わせた該基板と該支持体との積層体の搬送を行う搬送方法であって、搬送中に上記積層体内に生じる温度差を抑制しながら保持する保持手段を用いて、上記積層体を搬送する構成を有している。   In order to solve the above-described problem, the transport method according to the present invention includes an overlapping chamber that overlaps a substrate and a support, and an adhesive chamber that adheres the overlapped substrate and the support. A transport method for transporting the laminated body of the superposed substrate and the support between the above, using holding means for holding while suppressing a temperature difference generated in the laminated body during transportation, It has the structure which conveys a laminated body.

また、本発明に係る貼付方法は、基板を支持体に貼り付ける貼付方法であって、重ね合わせ室において基板と支持体との重ね合わせを行う重ね合わせ工程と、重ね合わせ工程により得られた上記基板と上記支持体との積層体を、上記基板と上記支持体との貼り付けを行う貼付室に搬送する搬送工程と、上記貼付室において上記基板と上記支持体との貼り付けを行う貼付工程とを含み、上記搬送工程では、上述の搬送方法を用いて上記積層体の搬送を行う構成を有している。   Further, the sticking method according to the present invention is a sticking method for sticking a substrate to a support, wherein the substrate and the support are superposed in the superposition chamber, and the above-mentioned obtained by the superposition step. A transporting step of transporting the laminate of the substrate and the support to a pasting chamber for pasting the substrate and the support, and a pasting step for pasting the substrate and the support in the pasting chamber In the said conveyance process, it has the structure which conveys the said laminated body using the above-mentioned conveyance method.

また、本発明に係る貼付装置は、基板と支持体との重ね合わせを行う重ね合わせ室、重ね合わせた上記基板と上記支持体との貼り付けを行う貼付室、および、上記重ね合わせ室と上記貼付室との間で、上記重ね合わせた上記基板と上記支持体との積層体の搬送を行う搬送手段を備えており、上記搬送手段は、上記積層体を下方から支持する支持部と、該支持部を上方から固定するアーム部とを備えた保持手段を有しており、上記アーム部は、開口部を形成する枠形状を有している構成を有している。   The pasting apparatus according to the present invention includes a superposition chamber for superimposing a substrate and a support, a pasting chamber for pasting the superposed substrate and the support, and the superposition chamber and the above A transporting means for transporting the stacked body of the superposed substrate and the support body between the pasting chamber, the transporting means comprising a support part for supporting the stacked body from below; And holding means having an arm portion for fixing the support portion from above, and the arm portion has a frame shape forming an opening.

本発明に係る搬送方法では、搬送中に積層体内に生じる温度差を抑制しながら保持する保持手段を用いて積層体を搬送するため、積層体に生じる反りを抑えることができる。   In the transport method according to the present invention, since the stacked body is transported using the holding means that holds while suppressing the temperature difference generated in the stacked body during transport, it is possible to suppress the warp generated in the stacked body.

一実施形態における本発明の貼付装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the sticking apparatus of this invention in one Embodiment. 一実施形態における内部搬送アームの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the internal conveyance arm in one Embodiment. 一実施形態における内部搬送アームの別の態様の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of another aspect of the internal conveyance arm in one Embodiment. 従来構成の保持手段を用いたガラス積層ウエハ搬送時のガラス積層ウエハ内の温度を計測した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having measured the temperature in the glass laminated wafer at the time of glass laminated wafer conveyance using the holding means of the conventional structure. 別の実施形態における内部搬送アームの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the internal conveyance arm in another embodiment. 別の実施形態におけるガラス積層ウエハ搬送時のガラス積層ウエハ内の温度を計測した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having measured the temperature in the glass laminated wafer at the time of glass laminated wafer conveyance in another embodiment. 従来の保持手段の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the conventional holding means.

以下に説明する本発明の実施形態では、ウエハサポートシステムのためにサポートプレートであるガラス(支持板)にウエハ(基板)を一時的に貼り合わせる処理の一工程を例に挙げて説明するが、これに限定されるものではない。なお、本明細書では、ウエハとガラスとを重ね合わせたものを「ガラス積層ウエハ」と呼ぶ。   In the embodiment of the present invention described below, an example of a process of temporarily bonding a wafer (substrate) to glass (support plate) which is a support plate for a wafer support system will be described. It is not limited to this. In the present specification, a superposition of a wafer and glass is referred to as a “glass laminated wafer”.

本発明に係る搬送方法の一実施形態は、ウエハとガラスとの重ね合わせを行う重ね合わせ室と、重ね合わせたウエハとガラスとの貼り付けを行う貼付室との間で、ガラス積層ウエハの搬送を行う搬送方法であって、搬送中にガラス積層ウエハに生じる温度差を抑制しながら保持する保持手段を用いて、ガラス積層ウエハを搬送する方法である。   One embodiment of a transfer method according to the present invention is to transfer a glass-laminated wafer between an overlap chamber for stacking a wafer and glass and an affixing chamber for attaching the overlapped wafer and glass. This is a method for transporting a glass laminated wafer using a holding means for holding the glass laminated wafer while suppressing a temperature difference generated during the transportation.

本明細書において「搬送中にガラス積層ウエハ内に生じる温度差を抑制する」とは、従来構成の保持手段を用いてガラス積層ウエハを保持して搬送を行う場合と比較して、ガラス積層ウエハ内に生じる温度差が低減していることを意味する。従来構成の保持手段の一例を図7に示す。図7の(a)は上面を図示しており、(b)は側面を図示している。従来構成の保持手段111は、ガラス積層ウエハ20をその下面から支持する二つの搬送アーム対象保持部114と、各搬送アーム対象保持部114を上方から固定する搬送アーム本体113とを備えている構成を有している。搬送アーム本体113のアーム部分は、開口部を有さない平板構造である。この保持手段111がガラス積層ウエハ20を保持している状態において、搬送アーム本体113のアーム部分は、ガラス積層ウエハ20の上方に位置し、ガラス積層ウエハ20の一直径を完全に覆うように跨いでいる。   In this specification, “suppressing the temperature difference generated in the glass laminated wafer during conveyance” means that the glass laminated wafer is compared with the case of holding and conveying the glass laminated wafer using the holding means of the conventional configuration. This means that the temperature difference that occurs inside is reduced. An example of a conventional holding means is shown in FIG. FIG. 7A illustrates the top surface, and FIG. 7B illustrates the side surface. The holding means 111 having a conventional configuration includes two transfer arm target holding portions 114 that support the glass laminated wafer 20 from its lower surface, and a transfer arm main body 113 that fixes each transfer arm target holding portion 114 from above. have. The arm portion of the transfer arm main body 113 has a flat plate structure having no opening. In a state where the holding unit 111 holds the glass laminated wafer 20, the arm portion of the transfer arm main body 113 is positioned above the glass laminated wafer 20 and straddles it so as to completely cover one diameter of the glass laminated wafer 20. It is out.

搬送中にガラス積層ウエハ20内に生じる温度差を抑制する方法に特に制限はなく、温度差を抑制できる方法であれば、いかなる方法も用いることができる。例えば、ガラス積層ウエハ20内に生じる温度差を抑制することができる形状を有するアーム部分を備えた保持手段を用いる方法、アーム部分にヒーターを設ける方法、従来のアーム部分よりも熱を透過させやすい材質(例えば、赤外線を透過させる石英ガラス等)を用いて形成されたアーム部分を備えた保持手段を用いる方法、あるいは、ガラス積層ウエハ20を保持したときの、アーム部分とガラス積層ウエハ20表面との距離が、従来のアーム部分を用いる場合よりも大きくなる保持手段を用いる方法等が挙げられる。以下、本発明の具体的な実施の形態について説明する。   There is no restriction | limiting in particular in the method of suppressing the temperature difference which arises in the glass laminated wafer 20 during conveyance, Any method can be used if it is a method which can suppress a temperature difference. For example, a method using a holding means including an arm portion having a shape capable of suppressing a temperature difference generated in the glass laminated wafer 20, a method of providing a heater on the arm portion, and heat transmission more easily than a conventional arm portion. A method using a holding means having an arm portion formed using a material (for example, quartz glass that transmits infrared rays), or the arm portion and the surface of the glass laminated wafer 20 when the glass laminated wafer 20 is held For example, there is a method of using a holding unit that makes the distance of the distance larger than that in the case of using a conventional arm portion. Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described.

〔実施の形態1〕
まず、本実施形態の搬送方法が用いられる貼付装置について図1を参照して説明する。
[Embodiment 1]
First, a sticking apparatus in which the conveyance method of the present embodiment is used will be described with reference to FIG.

図1は、本実施形態における貼付装置1の概略構成を示している。図1に示されるように、貼付装置1は、重ね合わせ室2および貼付室3を含んで構成されている。重ね合わせ室2および貼付室3は、いずれも減圧可能である。重ね合わせ室2および貼付室3は、一つの処理室の内部を二つの処理室に仕切る壁を設けた構造となっている。重ね合わせ室2および貼付室3の境界には、重ね合わせ室2および貼付室3間でガラス積層ウエハ20の受け渡しを行うためのゲート4が設けられている。ゲート4はシャッターによって開閉が制御されている。また、重ね合わせ室2には、貼付装置1と貼付装置1の外部にある外部搬送手段との間でガラス、ウエハおよびガラス積層ウエハ20の受け渡しを行うための開閉可能な受け渡し窓5が設けられている。重ね合わせ室2および貼付室3にはそれぞれ、公知の減圧手段が設けられており(図示せず)、各室の内部圧の状態を独立に制御することができる。   FIG. 1 shows a schematic configuration of a sticking device 1 in the present embodiment. As shown in FIG. 1, the sticking device 1 includes an overlapping chamber 2 and a sticking chamber 3. Both the stacking chamber 2 and the pasting chamber 3 can be depressurized. The stacking chamber 2 and the pasting chamber 3 have a structure in which a wall that partitions the inside of one processing chamber into two processing chambers is provided. A gate 4 for delivering the glass laminated wafer 20 between the overlapping chamber 2 and the pasting chamber 3 is provided at the boundary between the superposing chamber 2 and the pasting chamber 3. The opening and closing of the gate 4 is controlled by a shutter. The superposition chamber 2 is provided with an openable / closable delivery window 5 for delivering the glass, the wafer, and the glass laminated wafer 20 between the pasting device 1 and an external conveying means outside the pasting device 1. ing. Each of the overlapping chamber 2 and the pasting chamber 3 is provided with a known decompression means (not shown), and the internal pressure state of each chamber can be controlled independently.

貼付室3が減圧可能な構成であるため、減圧雰囲気下においてウエハとガラスとを接着剤層を介して貼り合わせることができる。減圧雰囲気下において接着剤層にウエハを圧着させることによって、ウエハ表面の凹凸パターンの窪みに空気が存在しない状態において、接着剤層を当該窪みに入り込ませることができるため、接着剤層とウエハとの間の気泡の発生をより確実に防止することが可能である。   Since the affixing chamber 3 has a configuration capable of reducing the pressure, the wafer and the glass can be bonded together via an adhesive layer in a reduced pressure atmosphere. By pressure bonding the wafer to the adhesive layer in a reduced pressure atmosphere, the adhesive layer can enter the recess in a state where there is no air in the recess of the uneven pattern on the wafer surface. It is possible to more reliably prevent the generation of bubbles during the interval.

ゲート4は、シャッターが開いた状態で、位置合わせがなされたガラス積層ウエハ20を重ね合わせ室2から貼付室3に移動させることができるように、また、貼付後のガラス積層ウエハ20を貼付室3から重ね合わせ室2に移動させることができるように形成されている。重ね合わせ室2および貼付室3の何れも減圧させた状態でシャッターを開けることにより、貼付前のガラス積層ウエハ20を重ね合わせ室2から貼付室3に減圧下で移動させることができる構造となっている。   The gate 4 can move the aligned glass laminated wafer 20 from the stacking chamber 2 to the pasting chamber 3 with the shutter opened, and the pasted glass laminated wafer 20 is pasted to the pasting chamber. It is formed so that it can be moved from 3 to the superposition chamber 2. By opening the shutter in a state where both the superposition chamber 2 and the pasting chamber 3 are depressurized, the glass laminated wafer 20 before pasting can be moved from the superposition chamber 2 to the pasting chamber 3 under reduced pressure. ing.

重ね合わせ室2は、ウエハとガラスとの重ね合わせを行う室であり、ウエハとガラスとの位置合わせを行う位置合わせ手段(不図示)を有している。貼付室3は、位置合わせを行って重ね合わされたウエハとガラスとの貼り付けを行う室であり、貼り付けを行うための貼り付け手段(不図示)を有している。貼り付け手段としては、ウエハとガラスとを接着剤層を介して熱圧着により貼り合わせる構成が可能である。貼付室3は、その上部および下部にヒーターが取り付けられており、ヒーターから輻射熱が放出されている。   The stacking chamber 2 is a chamber for stacking the wafer and the glass, and has alignment means (not shown) for aligning the wafer and the glass. The affixing chamber 3 is a chamber for affixing the wafer and the glass, which have been aligned and aligned, and has an affixing means (not shown) for affixing. As the attaching means, a configuration in which the wafer and the glass are attached by thermocompression bonding through an adhesive layer is possible. The sticking chamber 3 is provided with heaters at the upper and lower parts, and radiant heat is released from the heaters.

貼付装置1にはさらにゲート4を介して重ね合わせ室2および貼付室3間でガラス積層ウエハ20の受け渡しを行う内部搬送手段10が設けられている。内部搬送手段10は、ガラス積層ウエハ20を重ね合わせ室2と貼付室3との間で移動させることができる構成である限り、具体的な機構に特に制限はない。本実施の形態では、図1に示すように、内部搬送手段10は、内部搬送アーム(保持手段)11およびアーム旋回軸12によって構成されている。内部搬送手段10は、ガラス積層ウエハ20をその下面から支持できる内部搬送アーム11のアーム旋回軸12を回転中心とした回動によって、ガラス積層ウエハ20を移動させる機構となっている。アーム旋回軸12は重ね合わせ室2側に設けられているが、貼付室3側に設けられた構成であってもよい。図1中、「B」で示す二点鎖線は、内部搬送アーム11の待機位置を表しており、「C」で示す二点鎖線は、内部搬送アーム11の貼付室3での位置を表している。   The sticking apparatus 1 is further provided with an internal transfer means 10 for transferring the glass laminated wafer 20 between the superposition chamber 2 and the sticking chamber 3 via the gate 4. As long as the internal conveyance means 10 is a structure which can move the glass laminated wafer 20 between the lamination | stacking chamber 2 and the sticking chamber 3, there is no restriction | limiting in particular in a specific mechanism. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the internal transfer means 10 includes an internal transfer arm (holding means) 11 and an arm pivot shaft 12. The internal transfer means 10 is a mechanism for moving the glass laminated wafer 20 by turning about the arm rotation shaft 12 of the internal transfer arm 11 that can support the glass laminated wafer 20 from the lower surface thereof. The arm turning shaft 12 is provided on the stacking chamber 2 side, but may be configured on the sticking chamber 3 side. In FIG. 1, the two-dot chain line indicated by “B” represents the standby position of the internal transfer arm 11, and the two-dot chain line indicated by “C” represents the position of the internal transfer arm 11 in the sticking chamber 3. Yes.

図2は、内部搬送アーム11を示す図であり、図2の(a)は上面を図示しており、(b)は側面を図示している。図2に示されるように、内部搬送アーム11は、搬送アーム本体13と、搬送アーム本体13の下部に設けられている搬送アーム対象保持部14a・14bとによって形成されている。内部搬送アーム11は、搬送アーム対象保持部14a・14bによって、ガラス積層ウエハ20を、その下面から支持することによって保持する構成となっている。また、ガラス積層ウエハ20を保持している状態において、搬送アーム本体13は、ガラス積層ウエハ20の上方に位置している。   2A and 2B are diagrams showing the internal transfer arm 11, in which FIG. 2A shows the upper surface, and FIG. 2B shows the side surface. As shown in FIG. 2, the internal transfer arm 11 is formed by a transfer arm main body 13 and transfer arm target holding portions 14 a and 14 b provided at the lower part of the transfer arm main body 13. The internal transfer arm 11 is configured to hold the glass laminated wafer 20 by supporting the glass laminated wafer 20 from its lower surface by the transfer arm target holding portions 14a and 14b. Further, in a state where the glass laminated wafer 20 is held, the transfer arm main body 13 is located above the glass laminated wafer 20.

内部搬送アーム11の搬送アーム本体13は、図2の(a)に示されるように、開口部を形成する枠形状を有している。より詳細には、搬送アーム本体13のうち、ガラス積層ウエハ20と重なる部分が、内部がくりぬかれた六角形の外枠21と、外枠21に強度を付与する補強部22とによって構成されている。補強部22は、外枠21の二点を結ぶように外枠21と一体的に形成されている。そしてアーム部23によってこれらがアーム旋回軸12と連結されている。   The transfer arm body 13 of the internal transfer arm 11 has a frame shape that forms an opening, as shown in FIG. More specifically, a portion of the transfer arm body 13 that overlaps the glass laminated wafer 20 is configured by a hexagonal outer frame 21 that is hollowed out inside and a reinforcing portion 22 that imparts strength to the outer frame 21. Yes. The reinforcing portion 22 is formed integrally with the outer frame 21 so as to connect the two points of the outer frame 21. These are connected to the arm turning shaft 12 by the arm portion 23.

上述のように、貼付室3には、その上部および下部にヒーターが取り付けられており、ヒーターから輻射熱が放出されている。図7に示すような搬送アーム本体113を有する従来構成の保持手段111は、ガラス積層ウエハ20を搬送している間、平板構造の搬送アーム本体113がガラス積層ウエハ20の一直径を完全に覆うように跨いでいるため、この部分においてガラス積層ウエハ20への熱が遮蔽されてしまい、ガラス積層ウエハ20内において温度差が生じることになる。これに対し、搬送アーム本体13は、ガラス積層ウエハ20と重なる部分が開口部を有する枠形状であるため、上方からガラス積層ウエハ20に向かう熱を遮蔽してしまう部分が、従来の保持手段111の搬送アーム本体113と比較して、小さく、分散している。そのため、従来の保持手段111の搬送アーム本体113と比較して、上方からの熱をより均一にガラス積層ウエハ20内に到達させることができる。従って、内部搬送アーム11を備える貼付装置1においては、搬送中に生じるガラス積層ウエハ20内の温度差を小さくすることができる。そして、ガラス積層ウエハ20内の温度差が小さくなることにより、ガラス積層ウエハ20の反りの発生が抑えられる。   As described above, heaters are attached to the upper and lower portions of the sticking chamber 3, and radiant heat is released from the heaters. The conventional holding means 111 having the transfer arm main body 113 as shown in FIG. 7 is configured so that the transfer arm main body 113 having a flat plate structure completely covers one diameter of the glass laminated wafer 20 while the glass laminated wafer 20 is being transferred. Thus, the heat to the glass laminated wafer 20 is shielded in this portion, and a temperature difference is generated in the glass laminated wafer 20. On the other hand, the transfer arm main body 13 has a frame shape in which the portion overlapping the glass laminated wafer 20 has an opening. Therefore, the portion that shields heat from above toward the glass laminated wafer 20 is the conventional holding means 111. Compared with the transfer arm main body 113, the size is small and distributed. Therefore, compared with the transfer arm main body 113 of the conventional holding means 111, the heat from above can reach the glass laminated wafer 20 more uniformly. Therefore, in the sticking apparatus 1 including the internal transfer arm 11, the temperature difference in the glass laminated wafer 20 that occurs during transfer can be reduced. And generation | occurrence | production of the curvature of the glass laminated wafer 20 is suppressed by the temperature difference in the glass laminated wafer 20 becoming small.

なお、搬送アーム本体13は、搬送中にガラス積層ウエハ20内に生じる温度差を抑制できる形状、すなわち、従来の保持手段111の搬送アーム本体113よりも上方からの熱をガラス積層ウエハ20に到達させやすい形状を有していればよく、上記の形状に限定されるものではない。本実施の形態における搬送アーム本体13の別の態様としては、図3に示すように、搬送アーム本体13の六角形の外枠21の一部(六角形の一辺に相当)が取り除かれている構成(図3の(a))、補強部22を有していない構成(図3の(b))等が挙げられる。ほかにも、従来の保持手段111の搬送アーム本体113よりも熱をガラス積層ウエハ20に到達させやすい形状であり、搬送アーム本体として機能するものであれば、いかなる形状も用いることができる。   The transfer arm main body 13 has a shape that can suppress a temperature difference generated in the glass laminated wafer 20 during transfer, that is, heat from above the transfer arm main body 113 of the conventional holding unit 111 reaches the glass laminated wafer 20. The shape is not limited to the above shape as long as it has a shape that can be easily formed. As another aspect of the transfer arm body 13 in the present embodiment, as shown in FIG. 3, a part of the hexagonal outer frame 21 of the transfer arm body 13 (corresponding to one side of the hexagon) is removed. Examples include a configuration ((a) in FIG. 3), a configuration without the reinforcing portion 22 ((b) in FIG. 3), and the like. In addition, any shape can be used as long as the shape allows the heat to reach the glass laminated wafer 20 more easily than the transfer arm main body 113 of the conventional holding unit 111 and functions as the transfer arm main body.

内部搬送アーム11は、搬送アーム対象保持部14a・14bが三点においてガラス積層ウエハ20を支持して保持する構成を有している。本実施形態では、三点において支持しているが、少なくとも三点において支持すればよく、例えば、四点において支持する構成であってもよい。   The internal transfer arm 11 has a configuration in which the transfer arm target holding portions 14a and 14b support and hold the glass laminated wafer 20 at three points. In this embodiment, although it supports at three points, it should just be supported at at least three points, for example, the structure supported at four points may be sufficient.

本実施形態では、二つの搬送アーム対象保持部14aおよび14bは、互いに異なる形状を有している。二つある搬送アーム対象保持部のうち、アーム旋回軸12に近い側に位置する搬送アーム対象保持部14aは、上方から見た形状が四角である平板状の部材であり、ガラス積層ウエハ20を支持する支持点19が一つ設けられている。一方、二つある搬送アーム対象保持部のうち、アーム旋回軸12に遠い側に位置する搬送アーム対象保持部14bは、上方から見た形状がいわゆる弓形の部材であり、弓形の両先端部それぞれに支持点19が設けられている。支持点19は、搬送アーム対象保持部14a・14bにおいてガラス積層ウエハ20と接触する部位である。また、各支持点19は、鉛直方向において、搬送アーム本体13と重ならない位置に設けられている。   In the present embodiment, the two transfer arm target holding portions 14a and 14b have different shapes. Of the two transfer arm target holding portions, the transfer arm target holding portion 14a located on the side closer to the arm pivot 12 is a flat plate member having a square shape when viewed from above, and the glass laminated wafer 20 is attached to the transfer arm target holding portion 14a. One supporting point 19 is provided. On the other hand, among the two transfer arm target holding portions, the transfer arm target holding portion 14b located on the side far from the arm turning shaft 12 is a so-called arch-shaped member as viewed from above, and both tip portions of the arch shape are respectively provided. Is provided with a support point 19. The support point 19 is a part that contacts the glass laminated wafer 20 in the transfer arm target holding portions 14a and 14b. Each support point 19 is provided at a position that does not overlap the transfer arm body 13 in the vertical direction.

搬送アーム対象保持部114がガラス積層ウエハ20の2箇所においてその下面から面保持する構成を有する従来の保持手段111と比較して、三点においてガラス積層ウエハ20を支持して保持する内部搬送アーム11を用いることにより、保持することによって生じるガラス積層ウエハ20の反りの程度を抑制することができる。   The internal transfer arm that supports and holds the glass laminated wafer 20 at three points as compared with the conventional holding means 111 having a configuration in which the transfer arm target holding unit 114 holds the surface from the lower surface of the glass laminated wafer 20 at two locations. By using 11, the degree of warpage of the glass laminated wafer 20 caused by holding can be suppressed.

次に、貼付装置1の内部搬送アーム11を用いてガラス積層ウエハ20の搬送を行った場合の作用について説明する。まず、内部搬送アーム11を用いてガラス積層ウエハ20を搬送した場合と、アーム部分が開口部を有さない平板構造である従来構成の保持手段111を用いて搬送した場合のそれぞれにおいて、搬送工程中、ガラス積層ウエハ20内の複数の点における温度を測定した。その結果を図4に示す。図4は、従来構成の保持手段111を用いて搬送した場合のガラス積層ウエハ20内の温度プロファイルを示す。上述のように、従来の保持手段111を用いた場合、ガラス積層ウエハ20における搬送アーム本体113と重なる位置では、上方からの熱が遮蔽されるため、搬送アーム本体113と重ならない位置と比べて、温度が低くなる。そのため、図4に示されるように、ガラス積層ウエハ20内において温度差が生じることになる。従来の保持手段111を用いて搬送を行った場合、ガラス積層ウエハ20内の各点の間の温度差は、搬送前では4℃であり、搬送後では12℃に上昇している。   Next, an effect | action at the time of conveying the glass laminated wafer 20 using the internal conveyance arm 11 of the sticking apparatus 1 is demonstrated. First, in each of a case where the glass laminated wafer 20 is transferred using the internal transfer arm 11 and a case where the arm portion is transferred using the holding means 111 having a conventional structure having a flat plate structure having no opening, a transfer process is performed. During this, temperatures at a plurality of points in the glass laminated wafer 20 were measured. The result is shown in FIG. FIG. 4 shows a temperature profile in the glass laminated wafer 20 when the conventional holding means 111 is used for conveyance. As described above, when the conventional holding unit 111 is used, the heat from the upper side is shielded at the position overlapping the transfer arm main body 113 in the glass laminated wafer 20, and therefore compared with the position not overlapping the transfer arm main body 113. , The temperature goes down. Therefore, as shown in FIG. 4, a temperature difference occurs in the glass laminated wafer 20. When transporting is performed using the conventional holding unit 111, the temperature difference between the points in the glass laminated wafer 20 is 4 ° C. before transport and increases to 12 ° C. after transport.

一方、内部搬送アーム11を用いた場合、ガラス積層ウエハ20内の各点の間の温度差は、従来の保持手段111を用いた場合よりも小さくなっている。内部搬送アーム11を用いた場合、ガラス積層ウエハ20内での温度差は、搬送前では1℃であり、搬送後でも4℃に留まっている。   On the other hand, when the internal transfer arm 11 is used, the temperature difference between the points in the glass laminated wafer 20 is smaller than when the conventional holding means 111 is used. When the internal transfer arm 11 is used, the temperature difference in the glass laminated wafer 20 is 1 ° C. before transfer and remains at 4 ° C. even after transfer.

さらに、これらのガラス積層ウエハ20について反り量を測定した結果、従来の保持手段111を用いて搬送した場合には、反り量は535μmであったのに対して、内部搬送アーム11を用いて搬送した場合には、反り量は103.1μmまで抑制されていた。なお、温度プロファイルの測定および反り量の測定の結果は、直径300mmのガラス積層ウエハ20に関して測定を行った結果である。   Further, as a result of measuring the warpage amount of these glass laminated wafers 20, the warp amount was 535 μm when transported using the conventional holding means 111, whereas the internal transport arm 11 was used for transport. In this case, the warping amount was suppressed to 103.1 μm. In addition, the result of the measurement of the temperature profile and the measurement of the amount of warpage is a result of measuring the glass laminated wafer 20 having a diameter of 300 mm.

ところで、本実施の形態における内部搬送アーム11は、搬送アーム対象保持部14に関しても、従来の保持手段111と異なる構成を有している。すなわち、従来の保持手段111の搬送アーム対象保持部114がガラス積層ウエハ20を2箇所においてその下面から面保持する構成となっているのに対して、内部搬送アーム11では、搬送アーム対象保持部14が、三点においてガラス積層ウエハ20を支持して保持する構成である。そこで、従来の保持手段111(本段落においては、ノーマルハンドともいう)、または従来の保持手段111の搬送アーム対象保持部114を、内部搬送アーム11の搬送アーム対象保持部14のようにガラス積層ウエハ20を三点で支持する搬送アーム対象保持部114’に置き換えた、保持手段111’(本段落においては、三点ハンドともいう)を用いて、ガラス積層ウエハ20の搬送を行い、ガラス積層ウエハ20に生じる反り量を測定した。なお、いずれも、搬送アーム本体は、平板状の部材である。測定の結果、ノーマルハンドを用いた場合には、ガラス積層ウエハ20に生じた反り量は590.8μmであったのに対して、三点ハンドを用いた場合には、反り量は269.6μmに低減されていた。このように、ガラス積層ウエハ20の支持方法を三点支持に変更することによっても、ガラス積層ウエハ20に生じる反りを抑えることができる。したがって、内部搬送アーム11を用いて搬送を行った場合の反り量の低下には、搬送アーム対象保持部14の構成も寄与している。   By the way, the internal transfer arm 11 in the present embodiment also has a configuration different from the conventional holding unit 111 with respect to the transfer arm target holding unit 14. That is, the transfer arm target holding portion 114 of the conventional holding means 111 is configured to hold the glass laminated wafer 20 from the lower surface thereof at two locations, whereas in the internal transfer arm 11, the transfer arm target holding portion. Reference numeral 14 denotes a configuration for supporting and holding the glass laminated wafer 20 at three points. Therefore, the conventional holding unit 111 (also referred to as a normal hand in this paragraph) or the transfer arm target holding unit 114 of the conventional holding unit 111 is laminated with glass like the transfer arm target holding unit 14 of the internal transfer arm 11. Using the holding means 111 ′ (also referred to as a three-point hand in this paragraph) replaced with the transfer arm target holding portion 114 ′ that supports the wafer 20 at three points, the glass laminated wafer 20 is transferred and glass stacking is performed. The amount of warpage generated on the wafer 20 was measured. In both cases, the transfer arm body is a flat plate-like member. As a result of measurement, when the normal hand was used, the amount of warpage generated in the glass laminated wafer 20 was 590.8 μm, whereas when the three-point hand was used, the amount of warpage was 269.6 μm. It was reduced to. Thus, the curvature which arises in the glass laminated wafer 20 can also be suppressed by changing the support method of the glass laminated wafer 20 to three-point support. Accordingly, the configuration of the transfer arm target holding unit 14 also contributes to the reduction in the amount of warping when the transfer is performed using the internal transfer arm 11.

以上のように、従来の保持手段111の搬送アーム本体113よりも熱をガラス積層ウエハ20に到達させやすい形状を有する搬送アーム本体を含む内部搬送アーム11を用いて搬送を行うことにより、搬送時に生じる反り量を抑えることができる。また、ガラス積層ウエハ20を少なくとも三点で支持して保持することにより、搬送時に生じる反り量をさらに抑えることができる。   As described above, by carrying using the internal transfer arm 11 including the transfer arm main body having a shape that allows heat to reach the glass laminated wafer 20 more easily than the transfer arm main body 113 of the conventional holding unit 111, The amount of warpage that occurs can be suppressed. Further, by supporting and holding the glass laminated wafer 20 at at least three points, it is possible to further suppress the amount of warpage that occurs during conveyance.

本実施の形態における搬送方法は、上述の貼付装置1における重ね合わせ室2と貼付室3との間で、ゲート4を介してガラス積層ウエハ20の内部搬送を行う方法であり、内部搬送アーム11を用いて、ガラス積層ウエハ20の内部搬送を行うものである。本実施の形態における搬送方法は、貼付装置1における内部搬送手段として内部搬送アーム11を用いている点を除いて、従来の搬送方法(例えば、特許文献2に記載された方法)と同様である。また、本実施の形態における貼付方法は、貼付装置1の重ね合わせ室2においてウエハとガラスとの重ね合わせ、これにより得られたガラス積層ウエハ20を、貼付装置1の貼付室3に搬送し、貼付室3においてウエハとガラスとの貼り付けを行う方法であり、内部搬送アーム11を用いて、ガラス積層ウエハ20の貼付室3への内部搬送を行うものである。本実施の形態における貼付方法は、貼付装置1における内部搬送手段として内部搬送アーム11を用いている点を除いて、従来の貼付方法(例えば、特許文献2に記載された方法)と同様である。さらに、本実施の形態における貼付装置1の上記した点以外の構成については、従来公知の貼付装置(例えば、特許文献2に記載された貼り合わせ装置)と同様の構成とすることが可能である。   The transfer method in the present embodiment is a method in which the glass laminated wafer 20 is internally transferred via the gate 4 between the overlapping chamber 2 and the adhesive chamber 3 in the above-described application device 1. Is used to carry the glass laminated wafer 20 internally. The conveyance method in the present embodiment is the same as the conventional conveyance method (for example, the method described in Patent Document 2) except that the internal conveyance arm 11 is used as the internal conveyance means in the sticking device 1. . Further, the sticking method in the present embodiment is such that the wafer and the glass are superposed in the superposition chamber 2 of the sticking device 1, and the glass laminated wafer 20 obtained thereby is transferred to the sticking chamber 3 of the sticking device 1, In this method, the wafer and the glass are attached in the attaching chamber 3, and the internal transfer arm 11 is used to internally transfer the glass laminated wafer 20 to the attaching chamber 3. The pasting method in the present embodiment is the same as the conventional pasting method (for example, the method described in Patent Document 2) except that the internal transport arm 11 is used as the internal transport means in the pasting apparatus 1. . Further, the configuration of the pasting device 1 in the present embodiment other than the above-described points can be the same as that of a conventionally known pasting device (for example, the pasting device described in Patent Document 2). .

〔実施の形態2〕
本発明に係る搬送方法の第2の実施形態について説明する。なお、説明の便宜上、前述の実施の形態で用いたものと同じ機能を有する部材には同じ参照符号を付して、その説明を省略する。本実施形態における搬送方法は、搬送の際にガラス積層ウエハ20を保持する内部搬送アームの構成が、上述の実施形態における内部搬送アーム11と異なっている。その他の構成については、上述の実施形態における構成と同じである。
[Embodiment 2]
A second embodiment of the transport method according to the present invention will be described. For convenience of explanation, members having the same functions as those used in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The transfer method in the present embodiment is different from the internal transfer arm 11 in the above-described embodiment in the configuration of the internal transfer arm that holds the glass laminated wafer 20 during transfer. About another structure, it is the same as the structure in the above-mentioned embodiment.

本実施形態における搬送方法において用いている内部搬送アーム15の側面を図5に示す。本実施形態における搬送方法では、搬送中にガラス積層ウエハ20内に生じる温度差を抑制しながら保持する保持手段として、ガラス積層ウエハ20をその下面から支持する二つの搬送アーム対象保持部17と、各搬送アーム対象保持部17を上方から固定する搬送アーム本体16とを備えた内部搬送アーム15を用いている。搬送アーム本体16のガラス積層ウエハ20と重なる部分の上面には、ヒーター18が設けられている。搬送アーム本体16のガラス積層ウエハ20と重なる部分の形状は、上述の実施形態における搬送アーム本体13と異なり、開口部を有さない平板構造である。本実施形態における搬送方法によれば、ガラス積層ウエハ20の搬送中に、ガラス積層ウエハ20と重なる部分における搬送アーム本体16を加熱しながら、ガラス積層ウエハ20を搬送することができる。これにより、ガラス積層ウエハ20内の、平板構造の搬送アーム本体16によって熱が遮蔽される部分を強制的に温めることができる。そのため、次に示すように、従来の保持手段111を用いて搬送を行った場合と比較して、ガラス積層ウエハ20内に生じる温度差を小さくすることができる。なお、本実施形態の搬送方法では、第1の実施形態における搬送方法と異なり、ガラス積層ウエハ20を二点で支持し、保持している。   FIG. 5 shows a side surface of the internal transfer arm 15 used in the transfer method in the present embodiment. In the transfer method in the present embodiment, as holding means for holding while suppressing the temperature difference generated in the glass laminated wafer 20 during transfer, two transfer arm object holding units 17 that support the glass laminated wafer 20 from the lower surface thereof, An internal transfer arm 15 including a transfer arm main body 16 that fixes each transfer arm target holding unit 17 from above is used. A heater 18 is provided on the upper surface of the portion of the transfer arm body 16 that overlaps the glass laminated wafer 20. Unlike the transfer arm main body 13 in the above-described embodiment, the shape of the portion of the transfer arm main body 16 that overlaps the glass laminated wafer 20 is a flat plate structure having no opening. According to the transfer method in the present embodiment, the glass laminated wafer 20 can be transferred while heating the transfer arm body 16 in the portion overlapping the glass laminated wafer 20 during the transfer of the glass laminated wafer 20. Thereby, the part in the glass laminated wafer 20 where heat is shielded by the transfer arm body 16 having a flat plate structure can be forcibly heated. Therefore, as shown below, the temperature difference generated in the glass laminated wafer 20 can be reduced as compared with the case where the conveyance is performed using the conventional holding unit 111. In the transfer method of this embodiment, unlike the transfer method in the first embodiment, the glass laminated wafer 20 is supported and held at two points.

ヒーター18を有する内部搬送アーム15を用いてガラス積層ウエハ20を搬送した場合と、ヒーターが設けられていない従来の保持手段111を用いて搬送した場合のそれぞれにおいて、搬送工程中、ガラス積層ウエハ20内の複数の点における温度を測定した。結果を図6に示す。図6の(a)は、従来の保持手段111を用いて搬送した場合のガラス積層ウエハ20内の温度プロファイルを示し、図6の(b)は、ヒーター18を用いた本実施形態の搬送方法により搬送した場合のガラス積層ウエハ20の温度プロファイルを示す。図6に示されるように、ヒーター18を有する内部搬送アーム15を用いてガラス積層ウエハ20を搬送した場合には、従来の保持手段111を用いて搬送した場合よりも、ガラス積層ウエハ20内に生じる温度差が小さくなる。これは、搬送アーム本体16にヒーター18を設け、搬送アーム本体16を加熱することにより、ヒーター18を設けない場合と比較して、ガラス積層ウエハ20における搬送アーム本体16と重なる部分に熱がより多く伝わるためである。なお、従来の保持手段111を用いて搬送した場合、ガラス積層ウエハ20内の各点の間の温度差は、搬送前では4℃であり、搬送後に12℃に上昇している。一方、本実施形態の搬送方法により搬送した場合、ガラス積層ウエハ20内の各点の間の温度差は、搬送前では0.6℃であり、搬送後でも4.2℃に留まっている。   In each of the case where the glass laminated wafer 20 is transferred using the internal transfer arm 15 having the heater 18 and the case where the glass holding wafer 111 is transferred using the conventional holding means 111 provided with no heater, the glass laminated wafer 20 is transferred during the transfer process. The temperature at a plurality of points was measured. The results are shown in FIG. 6A shows a temperature profile in the glass laminated wafer 20 when the conventional holding means 111 is used for transfer, and FIG. 6B shows a transfer method according to the present embodiment using the heater 18. The temperature profile of the glass laminated wafer 20 at the time of conveying by is shown. As shown in FIG. 6, when the glass laminated wafer 20 is conveyed using the internal conveyance arm 15 having the heater 18, the glass laminated wafer 20 is contained in the glass laminated wafer 20 as compared with the case where the glass laminated wafer 20 is conveyed using the conventional holding unit 111. The resulting temperature difference is reduced. This is because the heater 18 is provided in the transfer arm body 16 and the transfer arm body 16 is heated, so that heat is more applied to the portion of the glass laminated wafer 20 overlapping the transfer arm body 16 than in the case where the heater 18 is not provided. This is to convey a lot. In addition, when it conveys using the conventional holding means 111, the temperature difference between each point in the glass laminated wafer 20 is 4 degreeC before conveyance, and has risen to 12 degreeC after conveyance. On the other hand, when transported by the transport method of the present embodiment, the temperature difference between the points in the glass laminated wafer 20 is 0.6 ° C. before transport and remains at 4.2 ° C. even after transport.

さらに、これらのガラス積層ウエハ20の反り量を測定した結果、従来の保持手段111を用いて搬送した場合には、反り量は500μmであったのに対して、本実施形態の搬送方法により搬送した場合には、反り量は100μmまで抑制されていた。   Furthermore, as a result of measuring the amount of warpage of these glass laminated wafers 20, when the conventional holding means 111 was used for transport, the amount of warpage was 500 μm, whereas the amount of warpage was transported by the transport method of this embodiment. In this case, the warping amount was suppressed to 100 μm.

以上のように、ヒーター18を用いて加熱することで、ガラス積層ウエハ20に生じる温度差を小さくすることができる搬送アーム本体16を含む内部搬送アーム11を用いて搬送を行うことにより、搬送時に生じる反り量を抑えることができる。   As described above, by performing the transfer using the internal transfer arm 11 including the transfer arm body 16 that can reduce the temperature difference generated in the glass laminated wafer 20 by heating using the heater 18, The amount of warpage that occurs can be suppressed.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

本発明は、基板および支持体の積層体を搬送する際に生じる反りを抑制することができるため、工業製品の製造分野に幅広く利用することができる。   INDUSTRIAL APPLICATION Since this invention can suppress the curvature which arises when conveying the laminated body of a board | substrate and a support body, it can utilize widely in the manufacture field | area of an industrial product.

1 貼付装置
2 重ね合わせ室
3 貼付室
4 ゲート
10 内部搬送手段
11、15 内部搬送アーム
12 アーム旋回軸
13、16 搬送アーム本体
14a、14b、17 搬送アーム対象保持部
18 ヒーター
19 支持点
20 ガラス積層ウエハ
21 外枠
22 補強部
23 アーム部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pasting apparatus 2 Stacking chamber 3 Pasting chamber 4 Gate 10 Internal transport means 11, 15 Internal transport arm 12 Arm pivot shaft 13, 16 Transport arm main body 14a, 14b, 17 Transport arm object holding portion 18 Heater 19 Support point 20 Glass lamination Wafer 21 Outer frame 22 Reinforcement part 23 Arm part

Claims (9)

基板と支持体との重ね合わせを行う重ね合わせ室と、重ね合わせた該基板と該支持体との貼り付けを行う貼付室との間で、上記重ね合わせた該基板と該支持体との積層体の搬送を行う搬送方法であって、
搬送中に上記積層体内に生じる温度差を抑制しながら保持する保持手段を用いて、上記積層体を搬送することを特徴とする搬送方法。
Lamination of the superposed substrate and the support between a superposition chamber for superimposing the substrate and the support, and a pasting chamber for attaching the superposed substrate and the support A transport method for transporting a body,
A transport method characterized by transporting the laminate using a holding means that holds while suppressing a temperature difference generated in the laminate during transport.
上記保持手段は、上記積層体を下方から支持する支持部と、該支持部を上方から固定するアーム部とを備えており、
上記アーム部は、搬送中に上記積層体内に生じる温度差を抑制することができる形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の搬送方法。
The holding means includes a support portion that supports the laminate from below, and an arm portion that fixes the support portion from above.
The transport method according to claim 1, wherein the arm portion has a shape capable of suppressing a temperature difference generated in the stacked body during transport.
上記アーム部は、開口部を形成する枠形状を有していることを特徴とする請求項2に記載の搬送方法。   The transport method according to claim 2, wherein the arm portion has a frame shape that forms an opening. 上記支持部における上記積層体と接触する部位は、鉛直方向において上記アーム部と重ならない位置に設けられていることを特徴とする請求項2または3に記載の搬送方法。   4. The transport method according to claim 2, wherein a portion of the support portion that contacts the stacked body is provided at a position that does not overlap the arm portion in the vertical direction. 上記保持手段は、少なくとも三点において上記積層体を支持して保持することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の搬送方法。   The transport method according to claim 1, wherein the holding unit supports and holds the laminated body at at least three points. 基板を支持体に貼り付ける貼付方法であって、
重ね合わせ室において基板と支持体との重ね合わせを行う重ね合わせ工程と、
重ね合わせ工程により得られた上記基板と上記支持体との積層体を、上記基板と上記支持体との貼り付けを行う貼付室に搬送する搬送工程と、
上記貼付室において上記基板と上記支持体との貼り付けを行う貼付工程とを含み、
上記搬送工程では、請求項1〜5の何れか1項に記載の搬送方法を用いて上記積層体の搬送を行うことを特徴とする貼付方法。
A method of attaching a substrate to a support,
A superposition step of superposing the substrate and the support in the superposition chamber;
A transporting step of transporting the laminate of the substrate and the support obtained by the superimposing step to a pasting chamber for pasting the substrate and the support;
A pasting step of pasting the substrate and the support in the pasting chamber,
In the said conveyance process, the said laminated body is conveyed using the conveying method of any one of Claims 1-5, The sticking method characterized by the above-mentioned.
基板と支持体との重ね合わせを行う重ね合わせ室、
重ね合わせた上記基板と上記支持体との貼り付けを行う貼付室、および、
上記重ね合わせ室と上記貼付室との間で、上記重ね合わせた上記基板と上記支持体との積層体の搬送を行う搬送手段を備えており、
上記搬送手段は、上記積層体を下方から支持する支持部と、該支持部を上方から固定するアーム部とを備えた保持手段を有しており、
上記アーム部は、開口部を形成する枠形状を有していることを特徴とする貼付装置。
A superposition chamber for superposing the substrate and the support,
A pasting chamber for pasting the superposed substrate and the support, and
A transport means for transporting the stacked body of the stacked substrate and the support body between the overlapping chamber and the pasting chamber;
The transport means has a holding means having a support part for supporting the laminated body from below and an arm part for fixing the support part from above,
The above-mentioned arm part has a frame shape which forms an opening, A pasting device characterized by things.
上記支持部における上記積層体と接触する部位は、鉛直方向において上記アーム部と重ならない位置に設けられていることを特徴とする請求項7に記載の貼付装置。   The pasting device according to claim 7, wherein a portion of the support portion that contacts the stacked body is provided at a position that does not overlap the arm portion in the vertical direction. 上記保持手段は、少なくとも三点において上記積層体を支持して保持するものであることを特徴とする請求項7または8に記載の貼付装置。   The sticking device according to claim 7 or 8, wherein the holding means supports and holds the laminated body at at least three points.
JP2012218717A 2012-09-28 2012-09-28 Transfer method, bonding method, and bonding device Pending JP2014072459A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012218717A JP2014072459A (en) 2012-09-28 2012-09-28 Transfer method, bonding method, and bonding device
PCT/JP2013/074047 WO2014050494A1 (en) 2012-09-28 2013-09-06 Transfer method, adhesion method, and adhesion device
TW102133000A TW201420470A (en) 2012-09-28 2013-09-12 Carrying method, bonding method, and bonding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012218717A JP2014072459A (en) 2012-09-28 2012-09-28 Transfer method, bonding method, and bonding device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014072459A true JP2014072459A (en) 2014-04-21

Family

ID=50387902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012218717A Pending JP2014072459A (en) 2012-09-28 2012-09-28 Transfer method, bonding method, and bonding device

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2014072459A (en)
TW (1) TW201420470A (en)
WO (1) WO2014050494A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021141125A (en) * 2020-03-03 2021-09-16 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11207594A (en) * 1997-11-05 1999-08-03 Aplex Inc Module type wafer grinding device and wafer grinding method
JP2001035903A (en) * 1999-05-28 2001-02-09 Applied Materials Inc Assembly for wafer handling apparatus
JP2004327934A (en) * 2003-04-28 2004-11-18 Applied Materials Inc Wafer braid
JP2012059758A (en) * 2010-09-06 2012-03-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Device and method for bonding

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11207594A (en) * 1997-11-05 1999-08-03 Aplex Inc Module type wafer grinding device and wafer grinding method
JP2001035903A (en) * 1999-05-28 2001-02-09 Applied Materials Inc Assembly for wafer handling apparatus
JP2004327934A (en) * 2003-04-28 2004-11-18 Applied Materials Inc Wafer braid
JP2012059758A (en) * 2010-09-06 2012-03-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Device and method for bonding

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021141125A (en) * 2020-03-03 2021-09-16 三菱電機株式会社 Semiconductor manufacturing device

Also Published As

Publication number Publication date
TW201420470A (en) 2014-06-01
WO2014050494A1 (en) 2014-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4781802B2 (en) Support plate laminating means and laminating apparatus, and support plate laminating method
JP5759086B2 (en) Pasting method
TWI663677B (en) Carrying method and bonding apparatus
KR101821853B1 (en) Superimposing apparatus and superimposing method
KR101677864B1 (en) Overlapping device, and overlapping method
JP6014302B2 (en) Bonding apparatus and bonding method
CN103632997B (en) laminating method and laminating system
WO2014050494A1 (en) Transfer method, adhesion method, and adhesion device
JP5913914B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI701755B (en) Bonding system and bonding method
JP2010010247A (en) Substrate carrying tool and method of manufacturing element substrate
CN110651355B (en) Adhesive layer forming apparatus, semiconductor chip production line, and method for manufacturing laminate
JP2008281851A (en) Apparatus for manufacturing liquid crystal display panel
JP2005340390A (en) Device and method for manufacturing semiconductor device
JP2010050265A (en) Pad for carrying wafer
JP5788655B2 (en) Adhesive supply device and adhesive supply method
JP5851831B2 (en) Conveying apparatus and conveying method
KR20140012929A (en) Substrate attaching method
JP2014053517A (en) Delivering stage, die pick-up apparatus, and die bonding apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150618

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160628

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161220