JP2014050957A - Substrate polishing means and substrate polishing device, and substrate polishing system - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を研磨するための基板研磨手段及び同基板研磨手段を有する基板研磨装置並びに基板研磨システムに関するものである。 The present invention relates to a substrate polishing means for polishing a substrate, a substrate polishing apparatus having the substrate polishing means, and a substrate polishing system.
従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板の裏面を基板保持手段で保持することで基板を水平に保持した状態で、基板の搬送や、基板の表面に対するエッチング処理、成膜処理や洗浄処理などの各種の処理を繰返し行うようにしている。 Conventionally, when manufacturing semiconductor components, flat displays, etc., the substrate can be transported or the substrate can be held in a state where the substrate is held horizontally by holding the back surface of the substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate with a substrate holding means. Various processes such as an etching process, a film forming process, and a cleaning process are repeatedly performed on the surface.
そのため、基板に対して各種の処理を行う際に、基板の裏面が基板保持手段に接触することによって、基板の裏面に凸部が形成されてしまうことがある。 For this reason, when various processes are performed on the substrate, the back surface of the substrate may come into contact with the substrate holding means, and a convex portion may be formed on the back surface of the substrate.
この基板の裏面に形成された凸部は、従来のブラシを用いたパーティクル除去用のスクラバー装置を用いて基板の裏面を洗浄しても、基板の裏面を良好に平坦化することは困難である。 Even if the convex part formed in the back surface of this board | substrate wash | cleans the back surface of a board | substrate using the scrubber apparatus for particle removal using the conventional brush, it is difficult to planarize the back surface of a board | substrate favorably. .
そこで、たとえば特許文献1に記載されているような装置を用いて、基板の裏面全面を均一に研磨することで、基板の裏面を平坦化することが考えられる。
Therefore, for example, it is conceivable to flatten the back surface of the substrate by uniformly polishing the entire back surface of the substrate using an apparatus as described in
ところが、上記従来の装置を用いて基板を研磨することにした場合には、基板に撓みが生じていると、基板に研磨されない部分が発生したり、基板に傷を付けたりするおそれがある。 However, when the substrate is polished using the above-described conventional apparatus, if the substrate is bent, a portion that is not polished may be generated on the substrate, or the substrate may be damaged.
そこで、本発明では、基板を研磨するための基板研磨手段において、回動軸に研磨部材を弾性素材からなる変形可能な緩衝部材を介して連結することにした。 Therefore, in the present invention, in the substrate polishing means for polishing the substrate, the polishing member is connected to the rotating shaft via a deformable buffer member made of an elastic material.
また、前記研磨部材は、母材に基板よりも硬質の粒を含ませて形成することにした。 Further, the polishing member is formed by including grains harder than the substrate in the base material.
また、前記研磨部材は、ベースに多数のブラシ毛を植設したブラシ形状とすることにした。 In addition, the polishing member has a brush shape in which a large number of brush hairs are implanted in the base.
また、前記研磨部材は、基板よりも硬質の素材からなり、基板に接触する端縁部に丸みを形成することにした。 Further, the polishing member is made of a material harder than the substrate, and is rounded at the edge that contacts the substrate.
また、前記研磨部材は、球状又はドーナツ形状とすることにした。 Further, the polishing member is formed in a spherical shape or a donut shape.
また、本発明では、基板研磨装置において、上記記載の基板研磨手段と、前記基板研磨手段を制御するための制御手段とを有することにした。 In the present invention, the substrate polishing apparatus includes the substrate polishing unit described above and a control unit for controlling the substrate polishing unit.
また、本発明では、基板研磨システムにおいて、上記記載の基板研磨手段と、前記基板研磨手段を制御するための制御手段と、前記基板研磨手段への前記基板の搬入及び搬出を行うための基板搬送手段とを有することにした。 According to the present invention, in the substrate polishing system, the substrate polishing unit described above, a control unit for controlling the substrate polishing unit, and a substrate transport for carrying the substrate into and out of the substrate polishing unit. And decided to have a means.
そして、本発明では、基板に撓みが生じていても基板の研磨時に研磨部材が追従して基板を研磨することができるので、基板に研磨されない部分が発生したり、基板に傷を付けたりすることなく、基板を良好に研磨することができる。 In the present invention, even if the substrate is bent, the polishing member can follow and polish the substrate during polishing of the substrate, so that a portion not polished on the substrate is generated or the substrate is scratched. And the substrate can be satisfactorily polished.
以下に、本発明の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。 The specific configuration of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1に示すように、基板裏面研磨システム1は、筺体2の前端部に基板搬入出台3を形成するとともに、基板搬入出台3の後部に基板処理室4を形成している。
As shown in FIG. 1, the substrate back
基板搬入出台3は、基板5(ここでは、半導体ウエハ。)を複数枚(たとえば、25枚。)まとめて収容した複数個(ここでは、3個。)のキャリア6を上部に左右に並べて載置している。
The substrate carry-in / out table 3 has a plurality of (here, three)
そして、基板搬入出台3は、キャリア6と後部の基板処理室4との間で基板5の搬入及び搬出を行うようにしている。
The substrate loading / unloading table 3 loads and unloads the
基板処理室4は、中央部に基板搬送装置7を配置し、基板搬送装置7の左側部に基板反転装置8と2個の基板裏面研磨装置9とを前後に並べて配置するとともに、基板搬送装置7の右側部に3個の基板裏面研磨装置9を前後に並べて配置している。
In the
そして、基板処理室4は、基板搬送装置7で基板搬入出台3の所定のキャリア6から1枚の基板5を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板5を基板搬送装置7で基板反転装置8に受渡し、基板反転装置8で基板5の表裏を反転させ、再び基板搬送装置7で基板反転装置8から基板5を裏面を上側に向けた状態で受取り、その基板5を基板搬送装置7でいずれかの基板裏面研磨装置9に受渡し、基板裏面研磨装置9で基板5の裏面を研磨する。その後、基板処理室4は、基板搬送装置7で基板裏面研磨装置9から基板反転装置8に搬送して基板反転装置8で基板の表裏を反転させ、再び基板搬送装置7で基板反転装置8から基板5を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板5を基板搬送装置7で基板搬入出台3の所定のキャリア6に受渡すようにしている。
Then, the
基板搬送装置7は、前後に伸延する搬送室10の内部に基板5を1枚ずつ保持して搬送するための基板搬送手段11を収容している。
The substrate transfer device 7 accommodates a substrate transfer means 11 for holding and transferring the
この基板搬送手段11は、前後に走行する走行台12に1枚の基板5を保持するアーム13を進退・昇降及び回転可能に取付けている。
The substrate transport means 11 has an
そして、基板搬送装置7は、基板搬入出台3と基板反転装置8との間や基板反転装置8と基板裏面研磨装置9との間で基板搬送手段11を用いて基板5を1枚ずつ搬送するようにしている。
Then, the substrate transfer device 7 transfers the
基板反転装置8は、基板搬送装置7から受取った基板5を表裏反転させた後に再び基板搬送装置7に受渡すように構成している。
The
基板裏面研磨装置9は、図2及び図3に示すように、ケーシング14の内部に、基板5を保持するための基板保持手段15と、基板5の裏面を研磨するための第1及び第2の基板研磨手段16,17と、基板5の裏面を洗浄するための基板洗浄手段18と、基板5の裏面に純水を供給するための純水供給手段19とを収容している。これらの基板保持手段15、第1及び第2の基板研磨手段16,17、基板洗浄手段18、純水供給手段19は、制御手段20に接続されており、制御手段20で駆動制御される。なお、制御手段20は、基板裏面研磨装置9だけでなく基板搬送装置7や基板反転装置8の制御も行うようにしている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate back
基板保持手段15は、ケーシング14の底部中央に駆動モーター21を取付け、駆動モーター21の駆動軸22に円板状のターンテーブル23を水平に取付け、ターンテーブル23の上面端縁部に基板5の外周端縁を保持可能な3個のチャッキング24を円周方向に間隔をあけて取付け、ターンテーブル23の外周外方を昇降可能なカップ25で被覆している。駆動モーター21(ターンテーブル23)の駆動やチャッキング24の駆動やカップ25の昇降は制御手段20で制御されている。
The substrate holding means 15 has a
第1及び第2の基板研磨手段16,17は、ケーシング14の後部に左右に並べて配置しており、ケーシング14の底部左後方に上下に伸延する移動台26,27を左右に移動可能に取付け、各移動台26,27の上部に前後に伸延するアーム28,29を昇降可能に取付け、各アーム28,29の前端下部に上下に伸延する回動軸30,31を回動可能に取付け、各回動軸30,31の下端部に研磨部材32,33を取付けている。移動台26,27の移動やアーム28,29の昇降や回動軸30,31(研磨部材32,33)の回動は制御手段20で制御されている。
The first and second substrate polishing means 16 and 17 are arranged side by side at the rear part of the
また、第1及び第2の基板研磨手段16,17は、ケーシング14の左側壁に研磨部材32,33の洗浄や保水を行うための研磨部材洗浄手段34を設けている。
The first and second substrate polishing means 16, 17 are provided with a polishing member cleaning means 34 for cleaning the
ここで、第1の基板研磨手段16は、図4(a)に示すように、回動軸30の下端に円柱状のPVA素材等の弾性素材からなる変形可能な緩衝部材35を介して研磨部材32を取付けた構成としている。一方、第2の基板研磨手段17は、図4(b)に示すように、回動軸31の下端に第1の基板研磨手段16の研磨部材32と比較して軟質の円柱状のPVA素材等からなる研磨部材33を直接取付けた構成としている。
Here, as shown in FIG. 4A, the first substrate polishing means 16 is polished via a
このように、第1の基板研磨手段16は、緩衝部材35を介して研磨部材32を取付けた構成とすることで、基板5に撓みが生じていても基板5の研磨時に研磨部材32が追従して基板5の上面を研磨することができるので、基板5の上面に研磨されない部分が発生したり、基板5の上面に傷を付けたりすることなく、基板5の上面を良好に研磨することができる。
In this way, the first substrate polishing means 16 has a configuration in which the
この第1及び第2の基板研磨手段16,17は、図4に示す構成に限られず、他の構成としてもよい。たとえば、図11(a)に示すように、研磨部材32(33)の中央部に連通孔36を形成するとともに、研磨部材32(33)の上昇時に連通孔36から流体(純水等の液体や不活性ガス等の気体など)を吐出するように構成してもよい。研磨部材32(33)を円柱形状とした場合、研磨後に研磨部材32(33)の下端面が基板5の上面に密着して研磨部材32(33)の上昇に伴って基板5も持ち上げられてしまうおそれがあるが、研磨部材32(33)の上昇時に連通孔36から流体(純水等の液体や不活性ガス等の気体など)を吐出することで、基板5から研磨部材32(33)を容易に引き離すことができる。
The first and second substrate polishing means 16 and 17 are not limited to the configuration shown in FIG. 4 and may have other configurations. For example, as shown in FIG. 11 (a), a
研磨部材32(33)は、被研磨部材である基板5よりも硬い素材の砥石やセラミック等で形成した場合に限られず、被研磨部材である基板5よりも硬い材質の粒を母材に含ませて形成したものを用いてもよい。たとえば基板5がシリコン素材からなる場合には、研磨部材32(33)は、母材であるナイロンにシリコンよりも硬い炭化ケイ素やアルミナやダイヤモンドなどの粒を含ませて形成することができる。粒の粒径は1mm以下程度とすることが好ましい。また、粒は母材に練り込んでもよく、接着してもよい。このように、研磨部材32(33)が基板5よりも硬質の粒を母材に含ませて形成した場合には、基板5よりも硬質な粒で基板5の上面を良好に研磨することができるとともに、基板5の上面に密着してしまうのを防止することができる。。
The polishing member 32 (33) is not limited to the case where the polishing member 32 (33) is formed of a grindstone, ceramic, or the like that is harder than the
また、第1の基板研磨手段16は、図11(b)に示すように、回動軸30の下端部に台座45を取付けるとともに、台座45の下面に緩衝部材35を介して研磨部材46を取付けた構成としてもよく、研磨部材46の基板5と接触する下端面の端縁部に丸みを形成してもよく、図11(c)に示すように、研磨部材47を球状に形成したり、図11(d)に示すように、研磨部材48をチューブ状の部材を円環状に配置したドーナツ形状に形成してもよい。また、研磨部材32は、可及的に直径を小さく形成するようにしてもよく、その場合には、複数の細い研磨部材で基板5を研磨するようにすることが好ましい。なお、これらの研磨部材47,48の中央部に流体を吐出するための連通孔を形成してもよい。
Further, as shown in FIG. 11 (b), the first substrate polishing means 16 attaches a
さらに、図11(e)に示すように、研磨部材49は、ベース50に多数のブラシ毛51を植設したブラシ形状に形成してもよい。この場合、ブラシ毛51を母材に基板5よりも硬質な粒を含ませたもので形成することで可撓性を持たせ、基板5と接触するブラシ毛51の先端部が丸くなっていることが好ましい。
Further, as shown in FIG. 11 (e), the polishing
このように、研磨部材の下端縁に丸みを形成したり、球状としたり、ドーナツ形状としたり、直径を小さくしたり、ブラシ形状とすることで、基板5に撓みが生じていても基板5の研磨時に研磨部材が追従して基板5の上面を研磨することができるので、基板5の上面に研磨されない部分が発生したり、基板5の上面に傷を付けたりすることなく、基板5の上面を良好に研磨することができる。また、基板5の上面との接触面積が円柱状のものに比較して少なくなることから、基板5の上面に密着してしまうことも防止することができる。
In this way, even if the
また、上記基板裏面研磨装置9では、第1の基板研磨手段16の研磨部材32は、第2の基板研磨手段17の研磨部材33とは硬さや材質や構成などのいずれかが異なるものを用いているが、基板研磨手段としては、異なる2種類の第1及び第2の基板研磨手段16,17を用いた場合に限られず、3種類以上の基板研磨手段を用いた場合や1種類の基板研磨手段を1個設けた場合や1種類の基板研磨手段を複数個設けた場合であってもよい。
In the substrate
基板洗浄手段18は、ケーシング14の底部右後方に上下に伸延する移動台37を左右に移動可能に取付け、移動台37の上部に前後に伸延するアーム38を昇降可能に取付け、アーム38の前端下部に上下に伸延する回動軸39を回動可能に取付け、回動軸39の下端部に洗浄部材としてのブラシ40を取付けている。移動台37の移動やアーム38の昇降や回動軸39(ブラシ40)の回動は制御手段20で制御されている。なお、洗浄部材は、ブラシ40に限られず、スポンジや2流体ノズルなどであってもよい。
The substrate cleaning means 18 is attached to a
また、基板洗浄手段18は、ケーシング14の右側壁にブラシ40の洗浄や保水を行うためのブラシ洗浄手段41を設けている。
Further, the substrate cleaning means 18 is provided with a brush cleaning means 41 for cleaning the
純水供給手段19は、ケーシング14の底部左前方に流調機構42を取付け、流調機構42にノズル43を連結しており、ノズル43の先端から基板5の上面中心部に向けて純水を供給するようにしている。
The pure water supply means 19 has a
基板裏面研磨システム1は、以上に説明したように構成しており、制御手段20に設けた記録媒体44に記録された各種のプログラムに従って制御手段20で駆動制御され、基板5の処理を行うようにしている。ここで、記録媒体44は、各種の設定データや後述する基板裏面研磨プログラム等の各種のプログラムを格納しており、ROMやRAMなどのメモリーや、ハードディスク、CD−ROM、DVD−ROMやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のもので構成され得る。
The substrate back
そして、基板裏面研磨装置9では、制御手段20に設けられた記録媒体44に記録された基板裏面研磨プログラムに従って以下に説明するように基板5の裏面を研磨するようにしている。
The substrate back
基板裏面研磨プログラムでは、まず、制御手段20で基板5の裏面研磨工程よりも前工程(上流側の工程)での処理に関する情報を入手する。
In the substrate back surface polishing program, first, the control means 20 obtains information related to processing in the previous process (upstream process) before the back surface polishing process of the
ここで、基板5の裏面研磨工程よりも前工程での処理に関する情報としては、基板5の裏面が保持された位置(すなわち、基板5の裏面に凸部が形成されると予測される位置)の情報や、実際に基板5の裏面を測定することで凸部が検出された位置や凸部のサイズ(高さや面積)の情報などがある。
Here, as the information regarding the process in the process before the back surface polishing step of the
また、基板5の前工程での処理に関する情報は、制御手段20に接続した入力装置45'で制御手段20に入力するようにしてもよく、基板5の前工程で使用した洗浄等の基板処理装置からオンラインで制御手段20に入力するようにしてもよい。
In addition, information related to processing in the previous process of the
そして、基板裏面研磨プログラムは、制御手段20で入手した基板5の前工程での処理に関する情報に基づいて、実際に基板5の裏面を研磨する研磨範囲や研磨状態(基板5への基板研磨手段16,17の押圧力や移動速度や研磨部材32,33の回転速度や基板5の回転速度など)を決定し、決定した研磨範囲を研磨状態で基板5の裏面を研磨する。
Then, the substrate back surface polishing program is based on the information about the processing in the previous process of the
このときに、基板裏面研磨プログラムは、基板5の前工程での情報に基づいて第1又は第2の基板研磨手段16,17のいずれか一方を選択して基板5の裏面を研磨するようにしてもよく、また、全ての基板研磨手段16,17を用いて基板5の裏面を研磨するようにしてもよく、さらには、第1の基板研磨手段16と第2の基板研磨手段17で研磨範囲や研磨状態を異ならせてもよい。なお、以下の説明では、第1及び第2の基板研磨手段16,17の両方を用いて基板5の裏面を研磨する場合について説明する。
At this time, the substrate back surface polishing program selects one of the first or second substrate polishing means 16 and 17 based on the information in the previous process of the
基板裏面研磨プログラムでは、基板反転装置8で基板5の裏面(回路形成面とは反対面)を上側にした状態で基板搬送装置7によって基板保持手段15のターンテーブル23の上部に搬入された基板5をチャッキング24で水平に保持する。
In the substrate back surface polishing program, the substrate transferred by the substrate transfer device 7 to the upper portion of the
次に、基板裏面研磨プログラムでは、図5に示すように、第2の基板研磨手段17を基板5の右側方の退避位置まで移動させるとともに、第1の基板研磨手段16を前工程での処理に関する情報に基づいて決定した研磨範囲の研磨開始位置まで移動させる。
Next, in the substrate back surface polishing program, as shown in FIG. 5, the second substrate polishing means 17 is moved to the retreat position on the right side of the
次に、基板裏面研磨プログラムでは、図6に示すように、基板保持手段15のターンテーブル23を回転させて基板5を水平に保持したまま回転させ、純水供給手段19のノズル43から基板5の裏面に向けて純水を供給し、第1の基板研磨手段16の研磨部材32を回転させながら基板5の裏面に純水を介して密着させた状態で基板5の裏面の中心側から外周端縁側へ向けて必要な研磨範囲だけ移動させる。このときに、基板裏面研磨プログラムでは、前工程での処理に関する情報に基づいて決定した回転数及び押圧力で第1の基板研磨手段16を駆動させる。
Next, in the substrate back surface polishing program, as shown in FIG. 6, the
このように、基板裏面研磨プログラムは、第1の基板研磨手段16で基板5の裏面全面を研磨するのではなく、基板5の前工程での情報に基づいて決定した基板5の裏面の所定の研磨範囲だけを所定の回転数及び押圧力で研磨するようにしている。
In this way, the substrate back surface polishing program does not polish the entire back surface of the
次に、基板裏面研磨プログラムでは、図7に示すように、第1の基板研磨手段16を基板5の左側方の初期位置まで移動させるとともに、第2の基板研磨手段17を前工程での処理に関する情報に基づいて決定した研磨範囲の研磨開始位置まで移動させる。
Next, in the substrate back surface polishing program, as shown in FIG. 7, the first substrate polishing means 16 is moved to the initial position on the left side of the
次に、基板裏面研磨プログラムでは、図8に示すように、基板保持手段15のターンテーブル23を回転させて基板5を水平に保持したまま回転させ、純水供給手段19のノズル43から基板5の裏面に向けて純水を供給し、第2の基板研磨手段17の研磨部材33を回転させながら基板5の裏面に純水を介して密着させた状態で基板5の裏面の中心側から外周端縁側へ向けて必要な研磨範囲だけ移動させる。このときに、基板裏面研磨プログラムでは、前工程での処理に関する情報に基づいて決定した回転数及び押圧力で第2の基板研磨手段17を駆動させる。
Next, in the substrate back surface polishing program, as shown in FIG. 8, the
このように、基板裏面研磨プログラムは、第2の基板研磨手段17で基板5の裏面全面を研磨するのではなく、基板5の前工程での情報に基づいて決定した基板5の裏面の所定の研磨範囲だけを所定の回転数及び押圧力で研磨するようにしている。
In this way, the substrate back surface polishing program does not polish the entire back surface of the
次に、基板裏面研磨プログラムでは、図9に示すように、第2の基板研磨手段17を基板5の左側方の初期位置まで移動させるとともに、基板洗浄手段18を基板5の中心位置まで移動させる。
Next, in the substrate back surface polishing program, as shown in FIG. 9, the second substrate polishing means 17 is moved to the initial position on the left side of the
次に、基板裏面研磨プログラムでは、図10に示すように、基板保持手段15のターンテーブル23を回転させて基板5を水平に保持したまま回転させ、純水供給手段19のノズル43から基板5の裏面に向けて純水を供給し、基板洗浄手段18のブラシ40を回転させながら基板5の裏面に純水を介して密着させた状態で基板5の裏面の中心から外周端縁へ向けて移動させ、これにより、基板洗浄手段18で基板5の裏面全面を洗浄する。
Next, in the substrate back surface polishing program, as shown in FIG. 10, the
その後、基板裏面研磨プログラムでは、基板搬送装置7によってターンテーブル23の上部から基板5を基板反転装置8へ搬出する。
Thereafter, in the substrate back surface polishing program, the substrate transfer device 7 carries the
以上に説明したようにして、基板裏面研磨プログラムでは、基板5の裏面を研磨している。
As described above, in the substrate back surface polishing program, the back surface of the
このように、上記基板裏面研磨装置9(基板裏面研磨システム1)では、基板5の前工程での処理に関する情報に応じて基板研磨手段16,17の駆動を制御して基板5の裏面を研磨することにしている。そのため、基板5の裏面を必要十分に研磨することができるので、基板5の裏面を研磨することによるスループットの低減を防止することができる。また、研磨部材32,33の寿命を長くすることができるので、研磨部材32,33の交換に要する労力や時間やコストを低減することができる。
As described above, the substrate back surface polishing apparatus 9 (substrate back surface polishing system 1) polishes the back surface of the
特に、複数種類の基板研磨手段16,17を用いて、又は、複数種類の基板研磨手段16,17を選択的に用いて基板5の裏面を研磨するようにした場合には、基板5の裏面の凸部のサイズなどの基板5の状態に応じて基板5の裏面を良好に研磨することができる。
In particular, when the back surface of the
また、基板5の裏面の研磨範囲を裏面全面ではなく特定の範囲に限定した場合には、基板5の裏面の研磨に要する処理時間を短縮することができる。
Further, when the polishing range of the back surface of the
さらに、基板5の裏面を研磨した後に基板5の裏面を基板洗浄手段18で洗浄するようにした場合には、基板5の裏面の研磨によって生じたパーティクル等を排除することができて基板5の表面に再付着してしまうのを防止することができる。
Further, when the back surface of the
1 基板裏面研磨システム 2 筺体
3 基板搬入出台 4 基板処理室
5 基板 6 キャリア
7 基板搬送装置 8 基板反転装置
9 基板裏面研磨装置 10 搬送室
11 基板搬送手段 12 走行台
13 アーム 14 ケーシング
15 基板保持手段 16 第1の基板研磨手段
17 第2の基板研磨手段 18 基板洗浄手段
19 純水供給手段 20 制御手段
21 駆動モーター 22 駆動軸
23 ターンテーブル 24 チャッキング
25 カップ 26,27 移動台
28,29 アーム 30,31 回動軸
32,33 研磨部材 34 研磨部材洗浄手段
35 緩衝部材 36 連通孔
37 移動台 38 アーム
39 回動軸 40 ブラシ
41 ブラシ洗浄手段 42 流調機構
43 ノズル 44 記録媒体
45 台座 46,47,48,49 研磨部材
50 ベース 51 ブラシ毛
DESCRIPTION OF
11 Substrate transfer means 12 Traveling platform
13
15 Substrate holding means 16 First substrate polishing means
17 Second substrate polishing means 18 Substrate cleaning means
19 Pure water supply means 20 Control means
21
23
25
28,29
32,33
35
37 Moving
39 Rotating
41 Brush cleaning means 42 Flow control mechanism
43
45
50 base 51 brush hair
Claims (7)
回動軸に研磨部材を弾性素材からなる変形可能な緩衝部材を介して連結したことを特徴とする基板研磨手段。 In substrate polishing means for polishing a substrate,
A substrate polishing means characterized in that a polishing member is connected to a rotating shaft via a deformable buffer member made of an elastic material.
6. A substrate polishing apparatus comprising: the substrate polishing means according to claim 1; and a control means for controlling the substrate polishing means.
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