JP2014027304A - 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様に従えば、露光装置はレンズとウェハテーブルアセンブリを含む。ウェハテーブルアセンブリは上面を有し、ウェハを支持して、レンズ及び少なくとも1つのコンポーネントに対して動かされるように配置されている。ウェハの上面とコンポーネントの上面は各々、ウェハテーブルアセンブリの上面とほぼ同じ高さである。ウェハの上面、ウェハテーブルアセンブリの上面及び少なくとも一つのコンポーネントの上面を含むウェハテーブルアセンブリの全上面は、実質的に平面状である。
【選択図】図5
Description
本願は2003年7月8日に出願された米国特許仮出願第60/485,868号の優先権を主張し、その全体を援用して本文の記載の一部とする。
本発明は概して半導体処理装置に関する。より詳細には、本発明は液浸リソグラフィシステムにおいて、レンズの表面とレンズに相対して移動される平面との間に液体を効率的に収容することを可能とするための方法及び装置に関する。
半導体処理に用いられるフォトリソグラフィ機のような精密機器について、精密機器の例えば精度のような性能に影響を及ぼす因子は一般に対処しなければならず、かつ、可能な限り取り除かなければならない。液浸リソグラフィ露光システムのような精密機器の性能に悪影響が及ぼされるときは、精密機器を用いて作られた製品は不適切に製作されるかもしれず、それによって機能が不適切になるであろう。
効開口数を増加させることを可能にし、それによって、レンズに関連する分解能が本質的に向上する。
Claims (30)
- 投影光学系及び液体を介して基板を光で露光する液浸リソグラフィ装置であって、
上面を有し、前記基板を上面側にて支持しながら前記投影光学系に対して可動なテーブルアセンブリであって、前記液体が、前記投影光学系と、前記上面及び支持された前記基板の表面の一方又はその両方の一部との間に維持されるように、前記上面及び支持された前記基板のそれぞれが、前記投影光学系に対向して配置可能である、テーブルアセンブリと、
上面を有するセンサーと
を備え、
前記テーブルアセンブリは、前記テーブルアセンブリの前記上面に第1の開口部を有し、
前記センサーの前記上面は、前記第1の開口部の内部に配置されており、前記テーブルアセンブリにより前記投影光学系に対向して配置可能であり、それによって、前記液体を保持可能なギャップが、前記投影光学系と前記センサーの前記上面との間に形成され、
前記テーブルアセンブリの前記上面と前記センサーの前記上面とは、実質的に同一の面に並置されている、または実質的に面一である。 - 請求項1に記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記センサーの前記上面は、前記第1の開口部内で前記テーブルアセンブリの前記上面との間にギャップをもって配置されている。 - 請求項1又は2に記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記テーブルアセンブリによって支持された前記基板と、前記テーブルアセンブリの前記上面とは、実質的に同一の面に並置されている、または実質的に面一である。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記テーブルアセンブリは、前記テーブルアセンブリの前記上面に第2の開口部を有し、
前記基板は、前記第2の開口部の内部に支持されている。 - 請求項4に記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記基板は、前記テーブルアセンブリの前記上面との間にギャップが形成されるように前記第2の開口部内に支持されている。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載された液浸リソグラフィ装置であって、
上面を有する、前記テーブルアセンブリに配置されたマーク部をさらに備え、
前記マーク部の前記上面と、前記テーブルアセンブリの前記上面は、実質的に同一の面に並置されている、または実質的に面一である。 - 請求項6に記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記テーブルアセンブリは、前記テーブルアセンブリの前記上面に第3の開口部を有し、
前記マーク部の前記上面は、前記第3の開口部の内部に配置されている。 - 請求項7に記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記マーク部の前記上面は、前記第3の開口部内で前記テーブルアセンブリの前記上面との間にギャップをもって配置されている。 - 請求項6乃至8のいずれかに記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記マーク部の前記上面は、前記テーブルアセンブリにより前記投影光学系に対向して配置可能であり、それによって、前記液体が、前記投影光学系と前記マーク部の前記上面との間に保持される。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記投影光学系は第1のフレームにより支持され、
前記テーブルアセンブリは、前記第1のフレームに対して移動可能である。 - 請求項10に記載された液浸リソグラフィ装置であって、
反力を逃すように構成された第2のフレームをさらに備え、
前記反力は、前記テーブルアセンブリの移動によって発生する。 - 請求項1乃至11のいずれかに記載された液浸リソグラフィ装置であって、
パターンを有するマスクを支持するように構成されたマスクステージをさらに備え、
前記基板の走査露光は、前記テーブルアセンブリ及び前記マスクステージを移動させることにより実行可能である。 - 請求項1乃至12のいずれかに記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記センサーは、前記投影光学系と、前記投影光学系と前記センサーの前記上面との間に維持された前記液体とを介して見られうる。 - 請求項1乃至13のいずれかに記載された液浸リソグラフィ装置であって、
前記センサーは、前記投影光学系と、前記投影光学系と前記センサの前記上面との間に保持された前記液体とを介して前記光を検出可能である。 - デバイス製造方法であって、
請求項1乃至14のいずれかに記載された液浸リソグラフィ装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された基板を現像するステップと
を含む。 - 投影光学系及び液体を介して光により基板を露光する液浸リソグラフィ方法であって、
上面を有し、上面側で前記基板を支持するテーブルアセンブリを前記投影光学系に対して移動させるステップであって、前記上面及び支持された前記基板のそれぞれが、前記投影光学系に対向して配置され、それによって、前記液体が、前記投影光学系と、前記上面及び支持された前記基板の表面の一方又はその両方の一部との間に保持される、ステップと、
センサーの上面を、前記投影光学系に対向して配置して、前記液体を保持可能なギャップを、前記投影光学系と前記センサーの前記上面との間に形成するステップと
を含み、
前記テーブルアセンブリは、前記テーブルアセンブリの前記上面に第1の開口部を有し、
前記センサーの前記上面は、前記第1の開口部の内部に配置され、
前記テーブルアセンブリの前記上面と前記センサーの前記上面は、実質的に同一の面に並置されている、または実質的に面一である。 - 請求項16に記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記センサーの前記上面は、前記第1の開口部内で前記テーブルアセンブリの前記上面との間にギャップをもって配置されている。 - 請求項16又は17に記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記テーブルアセンブリにより支持された前記基板と、前記テーブルアセンブリの前記上面は、実質的に同一の面に並置されている、または実質的に面一である。 - 請求項16乃至18のいずれかに記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記テーブルアセンブリは、前記テーブルアセンブリの前記上面に第2の開口部を有し、
前記基板は、前記第2の開口部の内部に支持されている。 - 請求項16に記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記基板は、前記テーブルアセンブリの前記上面との間にギャップが形成されるように前記第1の開口部内に支持されている。 - 請求項16乃至20のいずれかに記載された液浸リソグラフィ方法であって、
上面を有するマーク部が前記テーブルアセンブリに配置され、それによって、前記マーク部の前記上面と、前記テーブルアセンブリの前記上面は、実質的に同一の面に並置されている、または実質的に面一である。 - 請求項21に記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記テーブルアセンブリは、前記テーブルアセンブリの前記上面に第3の開口部を有し、
前記マーク部の前記上面は、前記第3の開口部の内部に配置されている。 - 請求項22に記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記マーク部の前記上面は、前記第3の開口部内で前記テーブルアセンブリの前記上面との間にギャップをもって配置されている。 - 請求項21乃至23のいずれかに記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記マーク部の前記上面は、前記テーブルアセンブリにより前記投影光学系に対向して配置され、それによって、前記液体が、前記投影光学系と、前記マーク部の前記上面との間に保持される。 - 請求項16乃至24のいずれかに記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記テーブルアセンブリは、前記投影光学系を支持する第1のフレームに対して移動される。 - 請求項25に記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記テーブルアセンブリの移動により発生した反力が、第2のフレームによって逃される。 - 請求項16乃至26のいずれかに記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記基板の走査露光は、前記テーブルアセンブリと、パターンを有するマスクを支持するマスクステージとを移動させることによって実行される。 - 請求項16乃至27のいずれかに記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記センサーは、前記投影光学系と、前記投影光学系と前記センサーの前記上面との間に保持された前記液体とを介して見られる。 - 請求項16乃至28のいずれかに記載された液浸リソグラフィ方法であって、
前記光は、前記投影光学系と、前記投影光学系と前記センサーの前記上面との間に保持された前記液体とを介して前記センサーにより検出される。 - デバイス製造方法であって、
請求項16乃至29のいずれかに記載の液浸リソグラフィ方法を用いて基板を露光するステップと、
露光された基板を現像するステップと
を含む。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US48586803P | 2003-07-08 | 2003-07-08 | |
US60/485,868 | 2003-07-08 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012078273A Division JP5472355B2 (ja) | 2003-07-08 | 2012-03-29 | 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014173383A Division JP5761435B2 (ja) | 2003-07-08 | 2014-08-28 | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014027304A true JP2014027304A (ja) | 2014-02-06 |
JP5708755B2 JP5708755B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=34102667
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006518633A Expired - Fee Related JP4697138B2 (ja) | 2003-07-08 | 2004-06-02 | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
JP2010140980A Expired - Fee Related JP5381910B2 (ja) | 2003-07-08 | 2010-06-21 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078273A Expired - Fee Related JP5472355B2 (ja) | 2003-07-08 | 2012-03-29 | 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法 |
JP2013222780A Expired - Fee Related JP5708755B2 (ja) | 2003-07-08 | 2013-10-25 | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
JP2013222782A Expired - Fee Related JP5708756B2 (ja) | 2003-07-08 | 2013-10-25 | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
JP2014173592A Expired - Fee Related JP5761436B2 (ja) | 2003-07-08 | 2014-08-28 | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
JP2014173383A Expired - Fee Related JP5761435B2 (ja) | 2003-07-08 | 2014-08-28 | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006518633A Expired - Fee Related JP4697138B2 (ja) | 2003-07-08 | 2004-06-02 | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
JP2010140980A Expired - Fee Related JP5381910B2 (ja) | 2003-07-08 | 2010-06-21 | 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078273A Expired - Fee Related JP5472355B2 (ja) | 2003-07-08 | 2012-03-29 | 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013222782A Expired - Fee Related JP5708756B2 (ja) | 2003-07-08 | 2013-10-25 | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
JP2014173592A Expired - Fee Related JP5761436B2 (ja) | 2003-07-08 | 2014-08-28 | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
JP2014173383A Expired - Fee Related JP5761435B2 (ja) | 2003-07-08 | 2014-08-28 | 液浸リソグラフィ用ウェハテーブル |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7301607B2 (ja) |
EP (6) | EP2466383B1 (ja) |
JP (7) | JP4697138B2 (ja) |
HK (2) | HK1206111A1 (ja) |
TW (6) | TWI476503B (ja) |
WO (1) | WO2005010611A2 (ja) |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
KR101697896B1 (ko) | 2003-04-11 | 2017-01-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200511388A (en) | 2003-06-13 | 2005-03-16 | Nikon Corp | Exposure method, substrate stage, exposure apparatus and method for manufacturing device |
KR101475634B1 (ko) | 2003-06-19 | 2014-12-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4697138B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2011-06-08 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005010960A1 (ja) | 2003-07-25 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法 |
KR101288632B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2013-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP5136566B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2013-02-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
KR101441840B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2014-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
JP4515209B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
CN100461336C (zh) * | 2003-10-31 | 2009-02-11 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及器件制造方法 |
US7528929B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI605315B (zh) * | 2003-12-03 | 2017-11-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4720506B2 (ja) | 2003-12-15 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及び露光方法 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7796274B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-09-14 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
CN102290365B (zh) | 2004-06-09 | 2015-01-21 | 尼康股份有限公司 | 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法 |
KR101378688B1 (ko) | 2004-06-21 | 2014-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
ATE470235T1 (de) * | 2004-08-03 | 2010-06-15 | Nikon Corp | Belichtungsgeräte, belichtungsverfahren und bauelemente-herstellungsverfahren |
JP4983257B2 (ja) | 2004-08-18 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG10201801998TA (en) | 2004-09-17 | 2018-04-27 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2006049134A1 (ja) | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7411657B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI654661B (zh) | 2004-11-18 | 2019-03-21 | 日商尼康股份有限公司 | 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法 |
US7365827B2 (en) | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
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- 2004-06-02 JP JP2006518633A patent/JP4697138B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-02 EP EP12159431.1A patent/EP2466383B1/en not_active Not-in-force
- 2004-06-02 EP EP14189363.6A patent/EP2843472B1/en not_active Not-in-force
- 2004-06-02 WO PCT/US2004/017452 patent/WO2005010611A2/en active Application Filing
- 2004-06-02 EP EP12159430.3A patent/EP2466382B1/en not_active Not-in-force
- 2004-06-02 EP EP16197506.5A patent/EP3179309A1/en not_active Withdrawn
- 2004-06-02 EP EP04754129.7A patent/EP1652003B1/en not_active Not-in-force
- 2004-06-02 EP EP14189351.1A patent/EP2853943B1/en not_active Not-in-force
- 2004-06-18 TW TW102130167A patent/TWI476503B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW101127184A patent/TWI414879B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW102131512A patent/TWI476504B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW101127186A patent/TWI412875B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW100109479A patent/TWI461823B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW093117615A patent/TWI412874B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-29 US US11/319,399 patent/US7301607B2/en active Active
-
2006
- 2006-12-01 US US11/606,913 patent/US7486380B2/en active Active
-
2008
- 2008-12-22 US US12/318,122 patent/US8508718B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-21 JP JP2010140980A patent/JP5381910B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078273A patent/JP5472355B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-07-10 US US13/938,491 patent/US20130301018A1/en not_active Abandoned
- 2013-07-15 US US13/941,849 patent/US20130301016A1/en not_active Abandoned
- 2013-10-25 JP JP2013222780A patent/JP5708755B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-25 JP JP2013222782A patent/JP5708756B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-08-28 JP JP2014173592A patent/JP5761436B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-28 JP JP2014173383A patent/JP5761435B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140604 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20140701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5708755 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |