JP2014026995A - Light-emitting device and luminaire - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device which can emit light over a wide range, while controlling the amount of light emitted to the upper side and the lower side.SOLUTION: A light-emitting device 200 include a transparent substrate 210 having a front surface 212 and a back surface 214 and translucency. A first light-emitting element 100a is mounted on the front surface 212 of the transparent substrate 210. A second light-emitting element 100b is mounted on the back surface 214 of the transparent substrate 210. When viewed from a direction orthogonal to the principal surface, the second light-emitting element 100b is disposed at a position deviated from the position where the first light-emitting element 100a is mounted.

Description

本発明は、発光装置及び照明装置に関し、特に、発光素子を搭載した発光装置及びその発光装置を用いた照明装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a lighting device, in particular, it relates to a lighting device using the light emitting device and a light emitting device mounted with a light emitting element.

近年、照明装置の光源としてLED(Light Emitting Diode)が多く用いられるようになってきている。 Recently, LED as a light source of an illumination device (Light Emitting Diode) has come to be used frequently. LED(発光素子)を用いた照明装置の白色光を得る方法として、赤色LED、青色LED及び緑色LEDの三種類のLEDを用いる方法、青色LEDから発した励起光を変換して黄色光を発する蛍光体を用いる方法等がある。 As a method of obtaining a white light illumination device using an LED (light emitting element), a red LED, a method of using the three types of LED blue LED and green LED, it emits yellow light by converting the excitation light emitted from the blue LED and a method of using the phosphor. 照明用光源としては、十分な輝度の白色光が要求されているために、LEDチップを複数個用いた照明装置が商品化されている。 The illumination light source, in order to white light of sufficient brightness is required, the illumination device using a plurality of LED chips have been commercialized. こうした照明装置は、通常、LEDを搭載した発光装置を備えている。 Such lighting apparatus is usually provided with a light emitting apparatus equipped with the LED.

近年では、種々のタイプの照明装置が求められており、特に、より広範囲において光を出射する電球等のタイプの照明装置が求められるようになってきている。 In recent years, various types of lighting devices has been demanded, in particular, come to the type of the illumination device light bulb or the like for emitting light is required in a wider range. 例えば、全方位型電球等がこれに当たる。 For example, omnidirectional light bulbs or the like corresponds to this. このような照明装置を実現するためには、より広範囲に光を出射する発光装置が必要となる。 In order to realize such an illumination device, the light emitting device is required to emit a broader light.

広範囲に光を出射するために、後掲の特許文献1は、透明基板上にLEDチップを実装した発光装置を提案している。 To extensively emit light, Patent Document 1 given later proposes a light emitting device mounted with LED chips on a transparent substrate. この発光装置において、透明基板上に実装されたLEDチップは、蛍光体を含有する透光性部材によって封止されている。 In this light emitting device, LED chips mounted on a transparent substrate is sealed by a transparent member containing a phosphor. 特許文献1に記載の発光装置では、LEDチップから出射された光は透明基板を透過して当該透明基板の裏面側にも出射されるため、広範囲に光が出射される。 In the light emitting device described in Patent Document 1, since the light emitted from the LED chip to be emitted to the passes through the transparent substrate rear surface side of the transparent substrate, a wide range the light emitted.

特開2007−165811号公報 JP 2007-165811 JP

しかし、特許文献1に記載の発光装置は、透明基板の裏面側にも光を出射することが可能であるものの、発光装置の上方側(透明基板の表面側)と発光装置の下方側(透明基板の裏面側)とに出射される光の光量が一意的に決まってしまうという問題がある。 However, the light emitting device described in Patent Document 1, although on the back surface side of the transparent substrate it is possible to emit light, the lower side of the upper side of the light-emitting device (the surface side of the transparent substrate) emitting device (transparent the amount of light emitted to the substrate on the back side) and there is a problem that uniquely determined. より自然なライティング及び用途に合わせたライティングを実現するためには、発光装置の上方側と発光装置の下方側とに出射される光の光量を制御できることが望ましい。 To achieve the lighting tailored to more natural lighting and applications, it is desirable to be able to control the amount of light emitted to the lower side of the upper side and the light-emitting device of the light emitting device.

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、本発明の1つの目的は、広範囲に光を出射することが可能であり、かつ、上方側及び下方側に出射される光の光量を制御可能な発光装置及び照明装置を提供することである。 The present invention has been made to solve the aforementioned problems, one object of the present invention can be widely emitting light, and is emitted to the upper side and the lower side that is to provide a controllable light-emitting device and a lighting device the amount of light.

本発明のもう1つの目的は、効率よく光を出射できる発光装置及び照明装置を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a light emitting device and a lighting device capable of efficiently emitting light.

上記目的を達成するために、本発明の第1の局面に係る発光装置は、一方の主面及び一方の主面とは反対側の他方の主面を有し、かつ、透光性を有する透明基体と、透明基体における一方の主面上に搭載される第1の発光素子と、透明基体における他方の主面上に搭載され、主面に直交する方向から見た場合に、第1の発光素子が搭載される位置からずれた位置に配される第2の発光素子とを含む。 To achieve the above object, the light-emitting device according to a first aspect of the present invention, the one main surface and one principal plane has the other main surface on the opposite side, and has a translucency a transparent substrate, a first light-emitting element mounted on one main surface of the transparent substrate, are mounted on the other main surface of the transparent substrate, when viewed from a direction perpendicular to the main surface, the first and a second light emitting element that is disposed in the light emitting element is shifted from the position to be mounted position.

透明基体の一方の主面上に第1の発光素子を搭載し、透明基体の他方の主面上に第2の発光素子を搭載する。 The first light-emitting element mounted on one main surface of the transparent substrate, mounting the second light emitting element on the other main surface of the transparent substrate. 第1の発光素子から出射された光は、第2の発光素子とは反対側に出射されるとともに、透明基体を透過して、第2の発光素子の側にも出射される。 Light emitted from the first light-emitting element, and the second light emitting element while being emitted to the opposite side, through the transparent substrate, is also emitted to the side of the second light-emitting element. 第2の発光素子から出射された光は、第1の発光素子とは反対側に出射されるとともに、透明基体を透過して、第1の発光素子の側にも出射される。 Light emitted from the second light emitting element, the first light emitting element while being emitted to the opposite side, through the transparent substrate, is also emitted to the side of the first light emitting element. したがって、第1の発光素子及び第2の発光素子から出射された光は、発光装置の上方側及び下方側に出射されるため、広範囲に光が出射される。 Therefore, light emitted from the first light-emitting element and the second light-emitting element, since emitted upward and downward of the light emitting device, a wide range the light emitted.

本発光装置では、透明基体の両面に発光素子が搭載される。 In this light emitting device, the light emitting element is mounted on both sides of the transparent substrate. 第1の発光素子及び第2の発光素子により、発光装置の上方側及び下方側に出射される光の光量を容易に制御できる。 The first light-emitting element and second light-emitting element can be easily controlled amount of light emitted to the upper side and the lower side of the light emitting device. さらに、第1の発光素子が搭載される位置からずれた位置に第2の発光素子を配することによって、第1の発光素子から透明基体側に出射された光が第2の発光素子で吸収されるのを抑制できる。 Furthermore, by placing the second light emitting element at a position shifted from the position where the first light-emitting elements are mounted, light emitted to the transparent substrate side from the first light-emitting element is absorbed by the second light-emitting element It is is the can be suppressed. 同様に、第2の発光素子から透明基体側に出射された光が第1の発光素子で吸収されるのを抑制できる。 Similarly, possible to prevent the second light emitted in the transparent substrate side from the light emitting element is absorbed by the first light-emitting element. したがって、第1の発光素子及び第2の発光素子からの光を効率よく外部に出射できる。 Therefore, the light from the first light emitting element and the second light-emitting element can be efficiently emitted to the outside.

さらに、透明基体の両面に発光素子を搭載することにより、発光素子からの熱が透明基体の両面に均一に分散できるため、放熱性を改善して、発光素子の温度を低下させることができる。 Furthermore, by mounting the light emitting element on both sides of the transparent substrate, the heat from the light-emitting element can be uniformly dispersed on both surfaces of the transparent substrate, to improve the heat dissipation, the temperature of the light emitting element can be lowered. 本発光装置ではさらに、第1の発光素子が搭載される位置からずれた位置に第2の発光素子が搭載されているため、放熱性をより改善して、発光素子の温度をより一層低下させることができる。 In the light emitting device further, because the first light emitting element is a second light emitting element is mounted at a position shifted from the position to be mounted, to further improve the heat dissipation, more to further lower the temperature of the light emitting element be able to.

好ましくは、透明基体を主面に直交する方向から見た場合に、第1の発光素子と当該第1の発光素子に隣接する第2の発光素子とを隔てる距離が0より大きい。 Preferably, greater than when viewed from the direction perpendicular to the transparent substrate to the main surface, the distance separating the second light emitting element adjacent to the first light emitting element and the first light emitting element 0.

これにより、透明基体を主面に直交する方向から見た場合に、第1の発光素子と第2の発光素子とが重ならないように各発光素子が配される。 Thus, when viewed from the direction perpendicular to the transparent substrate to the main surface, the light-emitting elements are arranged such that the first light emitting element and the second light-emitting element do not overlap. そのため、容易に、第1の発光素子及び第2の発光素子からの光を効率よく外部に出射できる。 Therefore, it easily emits light from the first light emitting element and the second light-emitting element to the outside efficiently.

より好ましくは、上記隔てる距離は50μmより大きい。 More preferably, the separating distance is larger than 50 [mu] m.

これにより、より容易に、第1の発光素子及び第2の発光素子からの光を効率よく外部に出射できる。 Accordingly, more easily, the light from the first light emitting element and the second light-emitting element can be efficiently emitted to the outside.

さらに好ましくは、発光装置は、蛍光体を含有し、第1の発光素子及び第2の発光素子を封止する透明樹脂層をさらに含む。 More preferably, the light emitting device contains a fluorescent material, further comprising a transparent resin layer for sealing the first light emitting element and the second light-emitting element.

蛍光体を含有する透明樹脂層で第1の発光素子及び第2の発光素子を封止することによって、第1の発光素子及び第2の発光素子から出射された光を透明樹脂層に含有された蛍光体で波長変換できる。 By sealing the first light emitting element and the second light-emitting element with a transparent resin layer containing a phosphor, it is contained the light emitted from the first light-emitting element and the second light-emitting element to a transparent resin layer It can be wavelength-converted by phosphors. そのため、発光装置の出射光の色を容易に制御できる。 Therefore, it is possible to easily control the color of the light emitted from the light emitting device.

この場合において、好ましくは、透明樹脂層は、透明基体の一方の主面上及び他方の主面上に、それぞれ、一方の主面及び他方の主面を覆うように形成されている。 In this case, preferably, the transparent resin layer, a transparent on one main face of the substrate and the other on the main surface, respectively, are formed so as to cover the one main surface and other main surface.

透明基体の一方の主面及び他方の主面を透明樹脂層で覆うことによって、透明基体内に入射された後に透明基体から取出される光を透明樹脂層に入射させることができる。 By covering the one main face and the other main surface of the transparent substrate with a transparent resin layer, the light extracted from the transparent substrate after being incident on the transparent within the substrate can be made incident on the transparent resin layer. ここで、透明基体の主面の一部に透明樹脂層で覆われていない部分が存在すると、透明樹脂層で覆われていない部分から、発光素子の発光色のままの光が外部に取出される。 Here, the part on the part not covered with the transparent resin layer of the main surface of the transparent substrate is present, from the portion which is not covered with the transparent resin layer, the light remains in emission color of the light emitting element is taken out to the outside that. この場合、発光素子の発光色のままの光が多く出射されてしまうため色むらを引起こす。 In this case, causing the color unevenness due to leave the light emission color of the light emitting element from being much emitted. 本発光装置では、上記のように、透明基体の一方の主面及び他方の主面が透明樹脂層で覆われているため、発光素子の発光色のままの光が多く出射されてしまうのを抑制できる。 In this light emitting device, as described above, since the one main surface and the other main surface of the transparent substrate is covered with a transparent resin layer, that the light remains in emission color of the light emitting element from being often emitted It can be suppressed. その結果、発光装置の色むらを抑制できる。 As a result, it is possible to suppress the color unevenness of the light emitting device.

さらに好ましくは、透明基体の一方の主面上には、単数又は複数の第1の発光素子が搭載されており、透明基体の他方の主面上には、単数又は複数の第2の発光素子が搭載されており、第1の発光素子の搭載数と第2の発光素子の搭載数とが異なる。 More preferably, on one main surface of the transparent substrate, one or more first light-emitting element is mounted, on the other main surface of the transparent substrate, one or more second light-emitting element There are mounted, mounted number and mounting speed and the second light-emitting element of the first light-emitting element is different.

第1の発光素子の搭載数と第2の発光素子の搭載数とを異ならせることにより、発光装置の上方側及び下方側に出射される光の光量をより容易に制御できる。 By making the mounting number of the mounted number and the second light-emitting element of the first light-emitting element can be more easily controlled amount of light emitted to the upper side and the lower side of the light emitting device.

本発明の第2の局面に係る照明装置は、上記第1の局面に係る発光装置を含む。 Lighting device according to a second aspect of the present invention includes a light-emitting device according to the first aspect. このように構成すれば、効率よく、かつ、広範囲に光を出射し、上方側及び下方側に出射される光の光量を制御可能な照明装置を実現できる。 With this configuration, efficient, and light emitted in a wide range, can be realized upper side and a controllable lighting device the quantity of light emitted downward.

好ましくは、照明装置は、第1の発光素子及び第2の発光素子を交流駆動するための交流駆動手段をさらに含む。 Preferably, the lighting device further comprises an alternating current driving means for AC driving a first light emitting element and the second light-emitting element.

第1の発光素子及び第2の発光素子を交流駆動させることにより、例えば、第1の発光素子と第2の発光素子とを交互に発光させることができる。 By AC driving a first light emitting element and the second light-emitting element, for example, it can emit light in the first light emitting element and a second light-emitting element alternately. これにより、放熱性をさらに改善して、発光素子の温度をさらに一層低下させることができる。 Thus, to improve the heat radiation property further, the temperature of the light-emitting device further can be further reduced.

以上より、本発明によれば、広範囲に光を出射することが可能であり、かつ、上方側及び下方側に出射される光の光量を制御可能な発光装置及び照明装置を容易に得ることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to widely emit light, and, to obtain an upper side and a controllable light emitting device and a lighting device the light quantity of light emitted to the lower side easily it can.

また本発明によれば、効率よく光を出射できる発光装置及び照明装置を容易に得ることができる。 According to the present invention, the light emitting device and a lighting device capable of efficiently emitting light can be easily obtained.

本発明の第1の実施の形態に係る照明装置の全体構成を示す図である。 Is a diagram illustrating an overall configuration of a lighting apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図1に示す発光装置を側面から見た図である。 The light-emitting device shown in FIG. 1 is a view seen from the side. 図1に示す発光装置の平面図である。 It is a plan view of a light emitting device shown in FIG. 図3の4−4線に沿った断面図である。 It is a sectional view taken along line 4-4 of FIG. 図1に示す発光装置に搭載される発光素子の断面図(図6の5−5線に沿った断面に対応する図)である。 Is a cross-sectional view of a light emitting element mounted (view corresponding to a section taken along line 5-5 in FIG. 6) to the light-emitting device shown in FIG. 図1に示す発光装置に搭載される発光素子の平面図である。 Is a plan view of a light emitting element mounted on the light-emitting device shown in FIG. 図1に示す発光装置の光出射パターンを説明するための側面図(図1に示す発光素子を模式的に示す図)である。 Is a side view for explaining the light emission pattern of the light-emitting device shown in FIG. 1 (a view of the light emitting element shown in FIG. 1 shows schematically). 透明基体の一部が封止樹脂層で覆われていない発光装置の平面図である。 Some of the transparent substrate is a plan view of a light emitting device not covered by the sealing resin layer. 図8に示す発光装置の光出射パターンを説明するための側面図である。 Is a side view for explaining the light emission pattern of the light-emitting device shown in FIG. 発光素子の配置を説明するための平面図である。 Is a plan view for explaining an arrangement of light emitting elements. 発光素子の配置を説明するための平面図である。 Is a plan view for explaining an arrangement of light emitting elements. 本発明の第2の実施の形態に係る発光装置を側面から見た図(第2の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す図)である。 The light emitting device according to a second embodiment of the present invention is a view seen from the side (diagram schematically showing a light emitting device according to the second embodiment). 本発明の第3の実施の形態に係る発光装置を側面から見た図(第3の実施の形態に係る発光装置を模式的に示す図)である。 The light emitting device according to a third embodiment of the present invention is a view seen from the side (FIG. 3 schematically showing the light emitting device according to an embodiment of). 本発明の第4の実施の形態に係る照明装置の等価回路を模式的に示す図である。 The equivalent circuit of the lighting device according to the fourth embodiment of the present invention is a diagram schematically showing. 本発明の変形例に係る発光装置を示す平面図である。 The light emitting device according to a modification of the present invention is a plan view showing.

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。 It will be described in detail with reference to embodiments embodying the present invention with reference to the drawings. 以下の説明及び図面においては、同一の部品又は構成要素には同一の参照符号及び名称を付してある。 In the following description and drawings, the same parts or components are denoted by the same reference numerals and names. それらの機能も同様である。 Their functions are also the same. したがって、それらについての詳細な説明は繰返さない。 Therefore, the detailed description thereof will not be repeated for them.

(第1の実施の形態) (First Embodiment)
[全体構成] [overall structure]
図1を参照して、本実施の形態に係る照明装置50は、電球型のLEDランプである。 Referring to Figure 1, the illuminator 50 according to this embodiment is a bulb-type LED lamp. 照明装置50は、透光性のバルブ60と、発熱電球のフィラメントに代えて、バルブ60の内部に配設された発光装置200と、発光装置200を支持(保持)する金属柱300及び補助金属柱310と、給電用の口金部70とを含む。 Illumination device 50 includes a valve 60 of the translucent, instead of the filaments of the heating lamps, and light emitting device 200 disposed within the valve 60, supporting the light emitting device 200 (holding) the metal columns 300 and auxiliary metal a pillar 310, and a mouthpiece 70 for power feeding.

バルブ60は例えばプラスチック、ガラス等の透光性を有する材料から構成された電球状の部材である。 Valve 60, for example plastic, bulb-like member made of a material having translucency such as glass. 口金部70は、例えば照明器具のソケット(図示せず。)と接続する部分である。 Mouthpiece 70 is, for example, a portion connecting the socket of the luminaire (not shown.). この口金部70がソケットと接続されることにより、口金部70を介して発光装置200に電力が供給される。 By the mouth section 70 is connected to the socket, the power supplied to the light emitting device 200 via the mouthpiece 70.

照明装置50はさらに、発光装置200からの光を反射する反射基体80を含む。 Lighting apparatus 50 further includes a reflective substrate 80 which reflects light from the light emitting device 200. 反射基体80は、例えばAl合金等の反射率の高い材料から構成されている。 Reflective substrate 80 is formed of, for example, a material having high reflectivity such as Al alloy. この反射基体80はその反射面82が発光装置200側を向くようにして口金部70の上部側(バルブ60側)に取付けられている。 The reflective substrate 80 is the reflecting surface 82 is mounted on the upper side of the base part 70 so as to face the light emitting device 200 side (valve 60 side). 反射基体80はまた、バルブ60の開口部分(図示せず。)を覆うように配置されており、発光装置200から下部方向(下方側:口金部70の方向)に出射された光を反射する。 Reflective substrate 80 also opening of the valve 60 (. Not shown) is disposed so as to cover the lower direction from the light emitting device 200: reflecting the light emitted in (downward direction of the mouth section 70) .

本照明装置50は、1つの金属柱300と2つの補助金属柱310とを含む。 The lighting device 50 includes one metal columns 300 and two auxiliary metal pillar 310. 金属柱300及び補助金属柱310は、例えば反射率の高いAl合金から構成されている。 Metal column 300 and the auxiliary metal column 310 is suitably comprised of a high reflectance Al alloy. 金属柱300及び補助金属柱310はまた、発光装置200を支持(保持)する機能に加えて、後述する発光素子100で生じた熱を放熱するためのヒートシンクとしての機能、及び、発光素子100を口金部70と電気的に接続するためのリード端子(リード線(導入線))としての機能を有する。 Metal column 300 and the auxiliary metal pillar 310 also, in addition to the function of the light emitting device 200 for supporting (holding), functions as a heat sink for radiating heat generated in the light emitting element 100 to be described later, and a light-emitting element 100 has a function as lead terminals for electrically connecting the base part 70 (lead wire (lead wire)).

発光装置200は、金属柱300及び補助金属柱310が反射基体80側の部分に取付けられることによって照明装置50の内部において浮かせたような状態で固定されている。 The light emitting device 200, the metal posts 300 and the auxiliary metal column 310 is fixed in a state as floating in the inside of the lighting device 50 by being attached to a portion of the reflective substrate 80 side. 照明装置50の内部には図示しないAC/DCコンバータが搭載されており、AC/DCコンバータによって変換された直流によって発光装置200(発光素子100)が直流駆動される。 Inside of the lighting device 50 is mounted is the AC / DC converter (not shown), the light emitting device 200 (the light emitting element 100) is a direct current driven by a direct current converted by the AC / DC converter.

《発光装置200の構成》 "Configuration of the light-emitting device 200"
図2を参照して、本実施の形態に係る発光装置200は、透明基体210と、この透明基体210に搭載される複数の発光素子100と、発光素子100を封止する透明樹脂層である封止樹脂層250とを含む。 Referring to FIG. 2, the light emitting device 200 according to this embodiment includes a transparent substrate 210, a plurality of light emitting elements 100 mounted on the transparent substrate 210 is a transparent resin layer which seals the light emitting element 100 and a sealing resin layer 250.

透明基体210は、搭載される発光素子100からの光を70%以上透過することが可能な支持基板である。 Transparent substrate 210 is a support substrate capable of transmitting light of 70% or more from the light emitting element 100 mounted. 透明基体210は、発光素子100から発生した熱を金属柱300及び補助金属柱310まで伝導することが可能な熱伝導性の高い材料から構成されている。 Transparent substrate 210 is configured to heat generated from the light emitting element 100 from the high thermal conductivity material which can be conducted to the metal column 300 and the auxiliary metal column 310. 具体的には、透明基体210はサファイアから構成されている。 Specifically, the transparent substrate 210 is composed of sapphire.

透明基体210はまた、一方の主面(以下「表面」と記す。)212と、表面212の反対側の面である他方の主面(以下「裏面」と記す。)214とを有する。 Transparent substrate 210 also has a one main surface (hereinafter referred to as "surface".) 212, the other main surface is a surface opposite to the surface 212 (hereinafter referred to as "back surface".) And 214. 透明基体210における表面212及び裏面214は、それぞれ、非平滑面とされている。 Surface 212 and rear surface 214 of the transparent substrate 210, respectively, there is a non-smooth surface. 透明基体210の厚みxは、放熱特性等を考慮した場合、200μm以上であるのが好ましい。 The thickness x of the transparent substrate 210, in consideration of heat dissipation characteristics, is preferably at 200μm or more.

図3を参照して、透明基体210は、平面図的に見て、一方向に延びる略矩形状に形成されている。 Referring to FIG. 3, the transparent substrate 210 in a plan view, a is formed in a substantially rectangular shape extending in one direction. 透明基体210の表面212には、電極パッド220〜224が形成されている。 The surface 212 of the transparent substrate 210, the electrode pads 220 to 224 are formed. 電極パッド220は、透明基体210の中央部分に形成されている。 Electrode pads 220 are formed in the central portion of the transparent substrate 210. 電極パッド222及び224は、それぞれ、透明基体210の端部に形成されている。 Electrode pads 222 and 224, respectively, are formed on the end portion of the transparent substrate 210.

透明基体210の裏面214にも、同様の電極パッドが形成されている。 On the back surface 214 of the transparent substrate 210, the same electrode pad is formed. 図4を参照して、透明基体210の裏面214には、電極パッド230〜234が形成されている。 Referring to FIG. 4, on the rear surface 214 of the transparent substrate 210, the electrode pads 230-234 are formed. 電極パッド230は、透明基体210の中央部分に形成されている。 Electrode pads 230 are formed in the central portion of the transparent substrate 210. 電極パッド232及び234は、それぞれ、透明基体210の端部に形成されている。 Electrode pads 232 and 234, respectively, are formed on the end portion of the transparent substrate 210. 一方の端部に形成された電極パッド222及び電極パッド232は、透明基体210の側面に形成された接続部226によって互いに電気的に接続されている。 The electrode pads 222 formed on one end portion and the electrode pads 232 are electrically connected to each other by being formed on the side surface of the transparent base 210 connecting portion 226. 他方の端部に形成された電極パッド224及び電極パッド234は、透明基体210の側面に形成された接続部228によって互いに電気的に接続されている。 Electrode pads 224 and the electrode pads 234 formed on the other end is electrically connected to each other by being formed on the side surface of the transparent base 210 connecting portion 228.

透明基体210の表面212に形成された電極パッド220〜224は、平面図的に見て、それぞれ、透明基体210の裏面214に形成された電極パッド230〜234と同じ位置に同様の形状及び同様の大きさで形成されている。 Electrode pads formed on the surface 212 of the transparent substrate 210 220-224 is in a plan view, the respective similar shapes and the like in the same position as the electrode pads 230-234 which are formed on the back surface 214 of the transparent substrate 210 It is formed in size. 中央部に形成された電極パッドは正又は負の電極パッドであり、端部に形成された電極パッドは負又は正の電極パッドである。 Electrode pads formed in the central portion is a positive or negative electrode pads, the electrode pads formed on the end portion is the negative or positive electrode pads. すなわち、中央部に形成された電極パッドと端部に形成された電極パッドとは極性が逆になっている。 That is, the polarity is opposite to the electrode pad formed on the electrode pad and the end that is formed in the central portion.

透明基体210の中央部及び端部には、透明基体210を厚み方向に貫通する貫通孔210a〜210cが形成されている。 The central portion and the end portion of the transparent substrate 210, through holes 210a~210c penetrating the transparent substrate 210 in the thickness direction is formed. 貫通孔210aは、透明基体210の中央部において、電極パッド220及び電極パッド230を貫通するように形成されている。 Through hole 210a, in the central portion of the transparent substrate 210 is formed so as to penetrate the electrode pad 220 and the electrode pad 230. 貫通孔210bは、透明基体210の一方の端部において、電極パッド222及び電極パッド232を貫通するように形成されている。 Through hole 210b is at one end of the transparent substrate 210 is formed so as to penetrate the electrode pad 222 and the electrode pad 232. 貫通孔210cは、透明基体210の他方の端部において、電極パッド224及び電極パッド234を貫通するように形成されている。 Through holes 210c, at the other end of the transparent substrate 210 is formed so as to penetrate the electrode pad 224 and the electrode pad 234. 透明基体210の中央部に形成された貫通孔210aには、上記した金属柱300を固定するためのネジ320(図2参照)が挿入されて、金属柱300がネジ止め固定される。 The through-hole 210a formed in the center portion of the transparent substrate 210, the screws 320 for fixing the metal columns 300 described above (see FIG. 2) is inserted, the metal posts 300 are screwed. 透明基体210の端部に形成された貫通孔210b及び210cには、それぞれ、上記した補助金属柱310を固定するためのネジ322(図2参照)が挿入されて、補助金属柱310がネジ止め固定される。 The through holes 210b and 210c formed on the end portion of the transparent substrate 210, respectively, screws 322 for fixing the auxiliary metal columns 310 described above (see FIG. 2) is inserted, the auxiliary metal column 310 is screwed It is fixed.

金属柱300がネジ止め固定されることにより、電極パッド220及び電極パッド230が金属柱300と電気的に接続される。 By metal columns 300 are screwed, the electrode pad 220 and the electrode pad 230 is electrically connected to the metal post 300. 一方の端部において補助金属柱310がネジ止め固定されることにより、電極パッド222及び電極パッド232が補助金属柱310と電気的に接続される。 By auxiliary metal pillar 310 at one end is screwed, the electrode pad 222 and the electrode pad 232 is electrically connected to the auxiliary metal column 310. さらに、他方の端部において補助金属柱310がネジ止め固定されることにより、電極パッド224及び電極パッド234が補助金属柱310と電気的に接続される。 Further, by the auxiliary metal pole 310 is screwed at the other end, the electrode pad 224 and the electrode pad 234 is electrically connected to the auxiliary metal column 310. これら金属柱300及び補助金属柱310により、発光素子100に外部からの電流印加が可能となり、素子を発光させることができる。 These metal columns 300 and auxiliary metal column 310, the light emitting element 100 enables electric current applied from the outside, it is possible to emit light element.

図2及び図3を参照して、発光素子100は発光装置200の光源として機能する。 Referring to FIGS. 2 and 3, the light emitting element 100 functions as a light source of the light emitting device 200. 複数の発光素子100は、いずれも、窒化物半導体を用いて形成された発光ダイオード素子(LED)からなる。 A plurality of light emitting elements 100 are both made of the light emitting diode element formed using a nitride semiconductor (LED). これら複数の発光素子100は、第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bを含む。 The plurality of light emitting elements 100 includes a first light emitting element 100a and the second light emitting element 100b. 第1の発光素子100aは、透明基体210の表面212上に搭載されており、第2の発光素子100bは、透明基体210の裏面214上に搭載されている。 The first light emitting element 100a is mounted on the surface 212 of the transparent substrate 210, the second light emitting element 100b is mounted on the rear surface 214 of the transparent substrate 210. すなわち、本実施の形態では、透明基体210の両面に、光源としての発光素子100が搭載されている。 That is, in this embodiment, on both surfaces of the transparent substrate 210, the light emitting element 100 is mounted as a light source.

さらに、透明基体210の表面212上には複数の第1の発光素子100aが搭載されている。 Further, the plurality of first light emission element 100a is mounted on the upper surface 212 of the transparent substrate 210. 透明基体210の裏面214上には複数の第2の発光素子100bが搭載されている。 The second light emitting element 100b of the plurality on the back surface 214 of the transparent substrate 210 is mounted. 透明基体210に搭載される第1の発光素子100aの数と第2の発光素子100bの数とは異なる。 The number of the first light emitting element 100a which is mounted on the transparent substrate 210 and is different from the number of second light emitting element 100b. 本実施の形態では、透明基体210の裏面214上に搭載される第2の発光素子100bの数は、透明基体210の表面212上に搭載される第1の発光素子100aの数より少ない。 In this embodiment, the number of second light emitting element 100b mounted on the back surface 214 of the transparent substrate 210 is less than the number of the first light emitting element 100a which is mounted on the surface 212 of the transparent substrate 210.

複数の発光素子100は、ダイボンドペーストからなる接着層240を介して透明基体210上に実装されている。 A plurality of light emitting element 100 is mounted on the transparent substrate 210 via the adhesive layer 240 made of die bonding paste. ダイボンドペーストには透光性を有するシリコーン樹脂が使用されている。 The die bonding paste silicone resin having translucency is used. 透明基体210上に実装された発光素子100は、金線等からなるワイヤ242を介して、電極パッドと電気的に接続されている。 Emitting element 100 mounted on the transparent substrate 210 via a wire 242 made of a gold wire or the like, and is electrically connected to the electrode pads.

複数の第1の発光素子100aはワイヤ242によって直並列に接続されている。 A plurality of first light emitting element 100a is connected to the series-parallel by wires 242. 複数の第2の発光素子100bもワイヤ242によって直並列に接続されている。 Are connected in series-parallel by the plurality of second light emission element 100b also wire 242. 直列接続された発光素子100の接続数はいずれも等しくなるように構成されているのが好ましい。 Connections of the light emitting element 100 connected in series is preferably configured to be equal either.

図3を参照して、透明基体210の裏面214上に搭載される第2の発光素子100bは、表面212又は裏面214に直交する方向から見て(平面図的に見て)、透明基体210の表面212上に搭載される第1の発光素子100aが搭載される位置からずれた位置に搭載されている。 Referring to FIG. 3, the second light emitting element 100b mounted on the back surface 214 of the transparent substrate 210, as viewed from a direction perpendicular to the surface 212 or back surface 214 (as viewed in plan diagrammatically), a transparent substrate 210 first light emitting element 100a which is mounted on the surface 212 of is mounted at a position shifted from the position to be mounted. 換言すると、透明基体210を平面図的に見た場合に(第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが同一面上に搭載されていると仮定した場合に)、透明基体210の表面212上に搭載される第1の発光素子100aと透明基体210の裏面214上に搭載される第2の発光素子100bとが全く重なり合っていない状態となっている。 In other words, (in the case where the first light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b is assumed to be mounted on the same surface) when viewed transparent substrate 210 in plan pictorial, of the transparent substrate 210 and the second light-emitting element 100b is in the state of not completely overlapping to be mounted on the rear surface 214 of the first light emitting element 100a and the transparent substrate 210 mounted on surface 212. そのため、第1の発光素子100aの直下の領域には第2の発光素子100bが搭載されていない(第2の発光素子100bの直上の領域には第1の発光素子100aが搭載されていない。)。 Therefore, in the region immediately below the first light emitting element 100a in a region immediately above the second light emitting element 100b it is not mounted (second light emitting element 100b are not mounted first light emitting element 100a. ). 発光素子100の詳細については後述する。 For details of the light emitting element 100 will be described later.

再び図2を参照して、封止樹脂層250は、透明基体210の表面212上に形成される第1の封止樹脂層250aと、透明基体210の表面212上に形成される第2の封止樹脂層250bとを含む。 Referring again to FIG. 2, the sealing resin layer 250, a first sealing resin layer 250a is formed on surface 212 of the transparent substrate 210, a second formed on the surface 212 of the transparent substrate 210 and a sealing resin layer 250b. 封止樹脂層250は、耐熱性及び耐光性に優れた透明樹脂であるシリコーン樹脂からなる。 The sealing resin layer 250 is formed of a silicone resin is an excellent transparent resin in heat resistance and light resistance. 封止樹脂層250には、発光素子100からの光を波長変換する蛍光体が含有されている。 The sealing resin layer 250, a phosphor for wavelength-converting light from the light emitting element 100 is contained. すなわち、封止樹脂層250中には複数の蛍光粒子260が分散されている。 That is, a plurality of fluorescent particles 260 are dispersed in the encapsulating resin layer 250. 第1の封止樹脂層250aは、透明基体210の表面212上において、第1の発光素子100a及びワイヤ242を封止する。 The first sealing resin layer 250a is on the surface 212 of the transparent substrate 210, to seal the first light emitting element 100a and the wires 242. 第2の封止樹脂層250bは、透明基体210の裏面214上において、第2の発光素子100b及びワイヤ242を封止する。 Second sealing resin layer 250b is on the rear surface 214 of the transparent substrate 210, to seal the second light emitting element 100b and the wire 242. さらに、第1の封止樹脂層250aは、透明基体210の表面212の全面を覆うように形成されている。 Further, the first sealing resin layer 250a is formed to cover the entire surface 212 of the transparent substrate 210. 第2の封止樹脂層250bは、透明基体210の裏面214の全面を覆うように形成されている。 Second sealing resin layer 250b is formed to cover the entire back surface 214 of the transparent substrate 210.

蛍光体は、白色LEDでよく用いられているYAG(イットリウム・アルミ・ガーネット)蛍光体等を用いてもよい。 Phosphor, YAG which is often used in white LED (yttrium aluminum garnet) may be used, such as phosphor. さらに蛍光体としては、例えば、Ce:YAG(セリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体(Y Al 12 :Ce,(Y,Gd) Al 12 :Ce等)、Eu:BOSE(ユーロピウム賦活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート)蛍光体、Eu:SOSE(ユーロピウム賦活ストロンチウム・バリウム・オルソシリケート)蛍光体、ユーロピウム賦活αサイアロン蛍光体、Ce:TAG(セリウム附活テルビウム・アルミニウム・ガーネット)蛍光体(Tb Al 12 :Ce等)、アルカリ土類(Eu附活M Si :Eu,MSi 12 :Eu等、Ce附活Ca SC Si 12 )、カズン−Eu(Eu附活CaAlSi )、及び、La酸窒 Still phosphor, for example, Ce: YAG (cerium activated yttrium aluminum garnet) phosphor (Y 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce , etc.), Eu: BOSE (europium activated barium strontium orthosilicate) phosphors, Eu: SOSE (europium activated strontium-barium orthosilicate) phosphor, europium-activated α-sialon phosphor, Ce: TAG (cerium Fukatsu terbium aluminum garnet) fluorescent body (Tb 3 Al 5 O 12: Ce , etc.), alkaline earth (Eu Fukatsu M 2 Si 5 N 8: Eu , MSi 12 O 2 N 2: Eu or the like, Ce Fukatsu Ca 3 SC 2 Si 3 O 12 ), Cousins -Eu (Eu Fukatsu CaAlSi 3 N 3), and, La San窒 物−Ce Ce附活LaAl(Si −zAl )N 10 −z0、βサイアロン系等を適用できる。 Things -Ce Ce Fukatsu LaAl (Si 6 -zAl 2) N 10 -z0, can be applied to β sialon and the like. (Sr,Ba,Mg) SiO :Eu、Ca (Sc,Mg) Si 12 :Ce等からなる緑色蛍光体、(Sr,Ca)AlSiN :Eu、CaAlSiN :Eu等からなる赤色蛍光体、(Si,Al)6(O,N) :Eu、(Ba,Sr) SiO :Eu等からなる黄色蛍光体等を用いてもよい。 (Sr, Ba, Mg) 2 SiO 4: Eu, Ca 3 (Sc, Mg) 2 Si 3 O 12: green phosphor made of such as Ce, (Sr, Ca) AlSiN 3 : Eu, or the like: Eu, CaAlSiN 3 red phosphor comprising, (Si, Al) 6 ( O, N) 8: Eu, (Ba, Sr) 2 SiO 4: may be used yellow fluorescent material or the like made of Eu or the like. ナノ蛍光体等も好適に用いることができる。 Nanophosphor like it can also be suitably used.

《発光素子100の構成》 "Configuration of the light-emitting element 100"
図5を参照して、本実施の形態に係る発光素子100は、自身が発する光に対して透光性を有する成長基板110を備えている。 Referring to FIG. 5, the light emitting device 100 according to this embodiment includes a growth substrate 110 having a light-transmitting property with respect to light itself generates. 成長基板としては、一般的にサファイア基板やGaN基板(窒化物半導体基板、AlInGaN基板、AlGaN基板、AlN基板等)、SiC基板、石英基板等の透光性を有する基板が好ましい。 The growth substrate, generally a sapphire substrate or a GaN substrate (nitride semiconductor substrate, AlInGaN substrate, AlGaN substrate, AlN substrate, etc.), SiC substrate, the substrate preferably has a light-transmitting property such as a quartz substrate. 成長基板110は、主面110aを有する。 Growth substrate 110 has a main surface 110a. 成長基板110の主面110a上には、半導体多層膜を含む多層構造体150が形成されている。 On the main surface 110a of the growth substrate 110, a multilayer structure 150 including a semiconductor multilayer film is formed. この多層構造体150は、成長基板110側から順に形成された、n型層120、MQW(Multiple Quantum Well)構造を有するMQW発光層130、及び、p型層140を含む。 The multilayer structure 150 is formed from the growth substrate 110 in this order, n-type layer 120, MQW MQW light emitting layer 130 having a (Multiple Quantum Well) structure and includes a p-type layer 140.

本実施の形態では、成長基板110にサファイア基板を用いている。 In the present embodiment uses a sapphire substrate on the growth substrate 110. この成長基板110の厚みは例えば約120μmである。 The thickness of the growth substrate 110 is about 120μm, for example. n型層120は、成長基板110の主面110a上に、バッファ層、下地層、n型窒化物半導体層、低温n型GaN/InGaN多層構造、及び、中間層である超格子層(以上、いずれも図示せず。)が主面110a側からこの順に形成されることによって構成されている。 n-type layer 120 on the main surface 110a of the growth substrate 110, a buffer layer, underlying layer, n-type nitride semiconductor layer, the low-temperature n-type GaN / InGaN multilayer structure, and the superlattice layer is an intermediate layer (or, which are not shown.) is formed by being formed in this order from the main surface 110a side. 本実施の形態において、超格子層とは、非常に薄い結晶層を交互に積層することにより、その周期構造が基本単位格子よりも長い結晶格子からなる層を意味する。 In the present embodiment, the superlattice layer, by alternately laminating a very thin crystalline layer refers to a layer whose periodic structure consisting of long crystal lattice than the basic unit cell. p型層140は、MQW発光層130上に、p型AlGaN層、p型GaN層及び高濃度p型GaN層(以上、いずれも図示せず。)がMQW発光層130側からこの順に形成されることによって構成されている。 p-type layer 140, on the MQW light emitting layer 130, p-type AlGaN layer, p-type GaN layer and the high-concentration p-type GaN layer (all not shown.) are formed in this order from the MQW light-emitting layer 130 side It is constituted by Rukoto.

バッファ層は、例えばAl s0 Ga t0 N(0≦S0≦1、0≦t0≦1、s0+t0≠0)からなる。 Buffer layer is made of, for example, Al s0 Ga t0 N (0 ≦ S0 ≦ 1,0 ≦ t0 ≦ 1, s0 + t0 ≠ 0). バッファ層は、AlN層又はGaN層から構成されているとより好ましい。 Buffer layer, and more preferably is composed of AlN layer or a GaN layer. N(窒素)の極一部(例えば0.5%〜2%程度)をO(酸素)に置き換えてもよい。 Small fraction of N (nitrogen) (for example, about 0.5% to 2%) may be replaced with O (oxygen). そうすることにより、成長基板110の主面110aの法線方向に伸張するようにバッファ層が形成されるので、結晶粒の揃った柱状結晶の集合体からなるバッファ層が得られる。 By doing so, since the buffer layer so as to extend in the normal direction of a principal face 110a of the growth substrate 110 is formed, the buffer layer is obtained consisting of an aggregate of crystal grains of uniform columnar crystal. バッファ層の厚みは、特に限定されないが、3nm以上100nm以下であるのが好ましく、5nm以上50nm以下であればより好ましい。 The thickness of the buffer layer is not particularly limited, but is preferably 3nm or 100nm or less, and more preferably 5nm or 50nm or less.

下地層は、例えばAl s1 Ga t1 In u1 N(0≦s1≦1、0≦t1≦1、0≦u1≦1、s1+t1+u1≠0)からなる。 Underlayer is made of, for example, Al s1 Ga t1 In u1 N ( 0 ≦ s1 ≦ 1,0 ≦ t1 ≦ 1,0 ≦ u1 ≦ 1, s1 + t1 + u1 ≠ 0). 下地層は、Al s1 Ga t1 N(0≦s1≦1、0≦t1≦1、s1+t1≠1)から構成されているとより好ましく、GaN層から構成されているとさらに好ましい。 Underlayer is more preferably and more preferably the Al s1 Ga t1 N (0 ≦ s1 ≦ 1,0 ≦ t1 ≦ 1, s1 + t1 ≠ 1) and a, and a GaN layer. 下地層の厚みは、1μm以上8μm以下であるのが好ましい。 The thickness of the undercoat layer is preferably not 1μm or 8μm or less.

n型窒化物半導体層は、例えばAl s2 Ga t2 In u2 N(0≦s2≦1、0≦t2≦1、0≦u2≦1、s1+t1+u1≒1)にn型不純物がドーピングされた層からなる。 n-type nitride semiconductor layer, n-type impurity is made of a doped layer, for example, Al s2 Ga t2 In u2 N ( 0 ≦ s2 ≦ 1,0 ≦ t2 ≦ 1,0 ≦ u2 ≦ 1, s1 + t1 + u1 ≒ 1) . n型窒化物半導体層は、Al s2 Ga 1−s2 N(0≦s2≦1、好ましくは0≦s2≦0.5、より好ましくは0≦s2≦0.1)にn型不純物がドーピングされた層から構成されているとより好ましい。 n-type nitride semiconductor layer, Al s2 Ga 1-s2 N n -type impurity is doped (0 ≦ s2 ≦ 1, preferably 0 ≦ s2 ≦ 0.5, more preferably 0 ≦ s2 ≦ 0.1) to and more preferably it is constructed from layers were. n型不純物にはSiが用いられている。 Si is used as the n-type impurity. n型ドーピング濃度(キャリア濃度とは異なる)は、特に限定されないが、1×10 19 cm −3以下であるのが好ましい。 n-type doping concentration (different from the carrier concentration) is not particularly limited, is preferably 1 × 10 19 cm -3 or less.

低温n型GaN/InGaN多層構造は、MQW発光層130に対する成長基板110及び下地層からの応力を緩和する機能を有する。 Cold n-type GaN / InGaN multilayer structure has a function to relax the stress from the growth substrate 110 and the base layer to the MQW light-emitting layer 130. この低温n型GaN/InGaN多層構造は、約7nmの厚みを有するn型InGaN層、約30nmの厚みを有するn型GaN層、約7nmの厚みを有するn型InGaN層、及び、約20nmの厚みを有するn型GaN層を交互に積層した多層構造からなる。 The low-temperature n-type GaN / InGaN multilayer structure, n-type InGaN layer having a thickness of about 7 nm, n-type GaN layer having a thickness of about 30 nm, n-type InGaN layer having a thickness of about 7 nm, and a thickness of approximately 20nm a multilayer structure of alternately laminated n-type GaN layer having a.

超格子層は、ワイドバンドギャップ層とナローバンドギャップ層とが交互に積層された超格子構造を有している。 Superlattice layer comprises a wide bandgap layer and a narrow bandgap layer has a superlattice structure are alternately laminated. その周期構造は、ワイドバンドギャップ層を構成する半導体材料の基本単位格子及びナローバンドギャップ層を構成する半導体材料の基本単位格子よりも長い。 Its periodic structure is longer than the basic unit lattice of the semiconductor material making up the basic unit lattice and narrow bandgap layers of the semiconductor material constituting the wide band gap layer. 超格子層の一周期の長さ(ワイドバンドギャップ層の厚みとナローバンドギャップ層の厚みとの合計厚み)は、MQW発光層130の一周期の長さよりも短い。 The length of one period of the superlattice layer (total thickness of the thicknesses of the narrow bandgap layer of wide band gap layer) is shorter than the length of one period of the MQW light emitting layer 130. 超格子層の具体的な厚みは、例えば1nm以上10nm以下である。 Specific thicknesses of the superlattice layer is, for example, 1nm or 10nm or less. 各ワイドバンドギャップ層は、例えばAl Ga In (1−a−b) N(0≦a<1、0<b≦1)からなる。 Each wide band gap layer is made of, for example, Al a Ga b In (1- a-b) N (0 ≦ a <1,0 <b ≦ 1). 各ワイドバンドギャップ層は、GaN層から構成されていると好ましい。 Each wide band gap layer is preferably is composed of GaN layer. 各ナローバンドギャップ層は、ワイドバンドギャップ層よりバンドギャップが小さく、かつ、MQW発光層130の各井戸層(図示せず)よりもバンドギャップが大きい半導体材料から構成されているのが好ましい。 Each narrow bandgap layers has a smaller band gap than the wide band gap layer, and preferably a band gap than the well layer (not shown) of the MQW light emitting layer 130 is composed of a large semiconductor material. 各ナローバンドギャップ層は、例えばAl Ga In (1−a−b) N(0≦a<1、0<b≦1)からなる。 Each narrow band gap layer is made of, for example, Al a Ga b In (1- a-b) N (0 ≦ a <1,0 <b ≦ 1). 各ナローバンドギャップ層は、Ga In (1−b) N(0<b≦1)から構成されていると好ましい。 Each narrow band gap layer is preferably is composed of Ga b In (1-b) N (0 <b ≦ 1). なお、ワイドバンドギャップ層及びナローバンドギャップ層の両方がアンドープであると駆動電圧が上昇するため、ワイドバンドギャップ層及びナローバンドギャップ層の少なくとも一方は、n型不純物がドーピングされているのが好ましい。 Since both the wide band gap layer and the narrow bandgap layer and the drive voltage is undoped increases, at least one of the wide bandgap layer and a narrow band gap layer is preferably n-type impurity is doped.

MQW発光層130は、バリア層及び井戸層(いずれも図示せず。)が交互に積層された多重量子井戸構造を有している。 MQW light-emitting layer 130, the barrier layer and the well layer (both not shown.) Has a multiple quantum well structure are alternately laminated. MQW発光層130の一周期(バリア層の厚みと井戸層の厚みとの合計厚み)の長さは、例えば5nm以上100nm以下である。 The length of one period of the MQW light emitting layer 130 (the total thickness of the thicknesses of the well layers of the barrier layer) is, for example 5nm or more 100nm or less. 各井戸層の組成は、半導体発光素子に求められる発光波長に合わせて調整される。 The composition of the well layers is adjusted to match the emission wavelength required of the semiconductor light emitting element. 例えば、各井戸層の組成は、Al Ga In (1−c−d) N(0≦c<1、0<d≦1)とすることができる。 For example, the composition of the well layers may be an Al c Ga d In (1- c-d) N (0 ≦ c <1,0 <d ≦ 1). 各井戸層の組成は、Alを含まない、In Ga (1−e) N(0<e≦1)であればより好ましい。 The composition of the well layers does not include Al, more preferably if In e Ga (1-e) N (0 <e ≦ 1). 各井戸層の組成は同じであるのが好ましい。 Preferably, the composition of the well layers is the same. そうすることにより、各井戸層において、電子とホールとの再結合により発光する波長を同じにできる。 By doing so, in the well layers can wavelengths which emits light by recombination of electrons and holes in the same. そのため、半導体発光素子の発光スペクトル幅を狭くできるため好ましい。 Therefore, it is preferable because it can narrow the emission spectral width of the semiconductor light emitting element. 各井戸層の厚みは、1nm以上7nm以下であるのが好ましい。 The thickness of the well layers is preferably not 1nm or more 7nm or less.

バリア層は、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい方が好ましい。 Barrier layer, it larger bandgap energy than the well layer. 各バリア層の組成は、Al Ga In (1−f−g) N(0≦f<1、0<g≦1)とすることができる。 The composition of each barrier layer may be an Al f Ga g In (1- f-g) N (0 ≦ f <1,0 <g ≦ 1). 各バリア層の組成は、Alを含まないIn Ga (1−h) N(0<h≦1)、又は、井戸層との格子定数をほぼ一致させたAl Ga In (1−f−g) N(0≦f<1、0<g≦1)であればより好ましい。 The composition of each barrier layer, In h Ga (1-h ) that does not contain Al N (0 <h ≦ 1 ), or were substantially coincide the lattice constant of the well layer Al f Ga g In (1- f -g) N (more preferably if 0 ≦ f <1,0 <g ≦ 1). 各バリア層の厚みは、小さいほど駆動電圧が低下する一方、極端に小さくすると発光効率が低下する傾向にある。 The thickness of each barrier layer, while as the driving voltage decreases low, the emission efficiency to be extremely small tends to be lowered. そのため、各バリア層の厚みは、1nm以上10nm以下であるのが好ましく、3nm以上7nm以下であればより好ましい。 Therefore, the thickness of each barrier layer is preferably at 1nm or 10nm or less, and more preferably 3nm or more 7nm or less.

井戸層及びバリア層には、n型不純物がドーピングされている。 The well layer and the barrier layer, n-type impurity is doped. ただし、井戸層及びバリア層には、n型不純物がドーピングされていなくてもよい。 However, the well layer and the barrier layer, n-type impurities may not be doped.

p型層140は、例えばAl s4 Ga t4 In u4 N(0≦s4≦1、0≦t4≦1、0≦u4≦1、s4+t4+u4≠0)にp型不純物がドーピングされた層からなる。 p-type layer 140, p-type impurity is made of a layer doped with e.g. Al s4 Ga t4 In u4 N ( 0 ≦ s4 ≦ 1,0 ≦ t4 ≦ 1,0 ≦ u4 ≦ 1, s4 + t4 + u4 ≠ 0). p型層140は、Al s4 Ga 1−s4 N(0<s4≦0.4、好ましくは0.1≦s4≦0.3)にp型不純物がドーピングされた層から構成されていればより好ましい。 p-type layer 140 more, Al s4 Ga 1-s4 N (0 <s4 ≦ 0.4, preferably 0.1 ≦ s4 ≦ 0.3) be composed of a layer p-type impurity is doped in preferable. p型層140におけるキャリア濃度は、1×10 17 cm −3以上であるのが好ましい。 carrier concentration in p-type layer 140, a is preferably 1 × 10 17 cm -3 or more. ここで、p型不純物の活性率は0.01程度であることから、p型層140におけるp型ドーピング濃度(キャリア濃度とは異なる)は1×10 19 cm −3以上であるのが好ましい。 Here, since the activity of the p-type impurity is about 0.01, (different from the carrier concentration) p-type doping concentration in the p-type layer 140 is preferably 1 × 10 19 cm -3 or more. ただし、MQW発光層130に近い層(例えばp型AlGaN層)では、p型ドーピング濃度はこれより低くてもよい。 However, the layer closer to the MQW light emitting layer 130 (e.g., p-type AlGaN layer), p-type doping concentration may be lower than this. p型層140の厚み(3層の合計厚み)は、特に限定されないが、例えば50nm以上1000nm以下とすることができる。 The thickness of the p-type layer 140 (the total thickness of the three layers) is not particularly limited, can be, for example, 50nm or 1000nm or less. p型層140の厚みを小さくすれば、その成長時における加熱時間を短縮できるため、p型不純物のMQW発光層130への拡散を抑制できる。 By reducing the thickness of the p-type layer 140, it is possible to shorten the heating time at the time of its growth, it can be suppressed from diffusing into the MQW light-emitting layer 130 of p-type impurity.

上記多層構造体150はさらに、n型層120の一部が露出された領域である露出部と、露出部の外側の領域であるメサ部とを含む。 The multilayer structure 150 further includes an exposure unit portion of the n-type layer 120 is exposed regions, and a mesa portion is a region outside the exposed part.

図5及び図6を参照して、露出部の上面上(n型層120上)には、n側電極160が形成されている。 Referring to FIGS. 5 and 6, on the upper surface of the exposed portion (n-type layer 120 above), n-side electrode 160 is formed. このn側電極160は、ワイヤボンド領域であるパッド部160aと、このパッド部160aと一体に形成された電流拡散を目的とする細長い突出部160b(枝電極)とを含む。 The n-side electrode 160 includes a pad portion 160a is a wire bonding region, and an elongated protrusion 160b to the pad portion 160a and the target current spreading formed integrally (branch electrodes). メサ部の上面上(p型層140上)には、透光性電極170を介してp側電極180が形成されている。 On the upper surface of the mesa portion (p-type layer 140 above), p-side electrode 180 through the transparent electrode 170 is formed. 透光性電極170は、メサ部上において、比較的広い範囲にわたって広面積に形成されている。 Translucent electrode 170 on the mesa portion is formed in a large area over a relatively wide range. p側電極180は、透光性電極170上の一部の領域に形成されている。 p-side electrode 180 is formed on a part of the region on the transparent electrode 170. このp側電極180は、ワイヤボンド領域であるパッド部180aと、このパッド部180aと一体に形成された電流拡散を目的とする細長い突出部180b(枝電極)とを含む。 The p-side electrode 180 includes a pad portion 180a is a wire bonding region, and the pad portion 180a and an elongate protruding portion 180b for the purpose of current spreading formed integrally (branch electrodes).

n側電極160は、n型層120上に、例えばチタン層、アルミニウム層及び金層がこの順に積層された多層構造を有する。 n-side electrode 160 has on the n-type layer 120, for example a titanium layer, a multilayer structure aluminum layer and a gold layer are laminated in this order. n側電極160の厚みは例えば約1μmである。 The thickness of the n-side electrode 160 is approximately 1μm for example. ワイヤボンドを行なう場合の強度を想定すると、n側電極160は1μm程度の厚みを有していればよい。 Assuming the intensity when performing wire bonding, n-side electrode 160 may have a thickness of about 1 [mu] m.

透光性電極170は、例えばITO(Indium Tin Oxide)から構成されている。 Transparent electrode 170 is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide). その厚みは、例えば20nm以上200nm以下である。 Its thickness is, for example, 20nm or more 200nm or less. p側電極180は、透光性電極170上に、例えばニッケル層、アルミニウム層、チタン層及び金層がこの順に積層された多層構造を有する。 p-side electrode 180 has on the transparent electrode 170, for example nickel layer, an aluminum layer, a multi-layer structure in which a titanium layer and a gold layer are laminated in this order. p側電極180の厚みは例えば約1μmである。 The thickness of the p-side electrode 180 is approximately 1μm for example. p側電極180においても、ワイヤボンドを行なう場合の強度を想定すると、その厚みは1μm程度であればよい。 Also in the p-side electrode 180, assuming a strength in the case of performing the wire bonding, the thickness thereof may be about 1 [mu] m.

発光素子100の上面には、SiO からなる絶縁性の透明保護膜190が設けられている。 On the upper surface of the light emitting element 100, an insulating transparent protective layer 190 made of SiO 2 is provided. この透明保護膜190は、発光素子100の上面のほぼ全体を覆うように形成されている。 The transparent protective film 190 is formed so as to cover substantially the entire upper surface of the light emitting element 100. ただし、透明保護膜190は、p側電極180のパッド部180a及びn側電極160のパッド部160aを露出させるようにパターニングされている。 However, the transparent protective layer 190 is patterned to expose the pad portion 160a of the pad portion 180a and the n-side electrode 160 of the p-side electrode 180.

[発光装置200の光出射パターン] [Light emitting pattern of the light emitting device 200 '
図7を参照して、本実施の形態に係る発光装置200の光出射パターンについて説明する。 Referring to FIG. 7, a description will be given of an optical emission pattern of the light emitting device 200 according to this embodiment. 本実施の形態に係る発光装置200は、透明基体210の両面に発光素子100が搭載されているため、光の出射パターンは複雑になる。 The light emitting device 200 according to this embodiment, since the light emitting element 100 on both sides of the transparent substrate 210 is mounted, the emission pattern of the light is complicated. 本発光装置200の代表的な光出射パターンとして、以下の光出射パターンが挙げられる。 Typical light emitting pattern of the light emitting device 200 may include the following light emission pattern.

光出射パターンは、透明基体210の表面212上に搭載された第1の発光素子100aから上方(上部方向)に出射されるパターン(パターンA及びパターンB)、第1の発光素子100aから下方(下部方向)に出射されるパターン(パターンC及びパターンD)、透明基体210の裏面214上に搭載された第2の発光素子100bから上方(上部方向)に出射されるパターン(パターンE及びパターンF)、及び、第2の発光素子100bから下方(下部方向)に出射されるパターン(パターンG及びパターンH)に大きく分類される。 Light emitting pattern is emitted from the first light-emitting element 100a mounted on surface 212 of the transparent substrate 210 upward (upward direction) pattern (pattern A and pattern B), downward from the first light-emitting element 100a ( pattern emitted to the lower direction) (pattern C and pattern D), is emitted from the second light emitting element 100b mounted on the back surface 214 of the transparent substrate 210 upward (upward direction) pattern (pattern E and pattern F ), and it is classified into a pattern that is emitted from the second light emitting element 100b downward (lower direction) (pattern G and the pattern H).

パターンAは、第1の発光素子100aから発光装置200の上部方向に出射された光が、表面212側の第1の封止樹脂層250a中で蛍光体に吸収されずに第1の発光素子100aの発光色のまま外部に出射される光出射パターンである。 Pattern A, the first light emitted in the upper direction of the light emitting device 200 from the light emitting element 100a is, the first light emitting element without being absorbed by the phosphor in the first sealing resin layer 250a on the surface 212 side 100a is a light emission pattern that is emitted to the outside remains the emission color of the. パターンBは、第1の発光素子100aから発光装置200の上部方向に出射された光が、表面212側の第1の封止樹脂層250a中で蛍光体に吸収されて波長変換され、その波長変換された光が外部に出射される光出射パターンである。 Pattern B, the first light emitted in the upper direction of the light emitting device 200 from the light emitting element 100a is absorbed in the phosphor in a first encapsulating resin layer 250a on the surface 212 side is wavelength-converted, the wavelength converted light is a light emitting pattern emitted to the outside. パターンCは、第1の発光素子100aから発光装置200の下部方向に出射された光が、透明基体210に入射し、さらに裏面214側の第2の封止樹脂層250bに入射し、第2の封止樹脂層250b中の蛍光体に吸収されずに第1の発光素子100aの発光色のまま外部に出射される光出射パターンである。 Pattern C, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 200 from the first light-emitting element 100a is incident on the transparent substrate 210, and further enters the second sealing resin layer 250b of the back surface 214 side, a second without being absorbed by the phosphor in the encapsulating resin layer 250b of a light emitting pattern emitted to the outside remains the emission color of the first light-emitting element 100a. パターンDは、第1の発光素子100aから発光装置200の下部方向に出射された光が、透明基体210に入射し、さらに裏面214側の第2の封止樹脂層250bに入射し、第2の封止樹脂層250b中の蛍光体に吸収されて波長変換され、その波長変換された光が外部に出射される光出射パターンである。 Pattern D, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 200 from the first light-emitting element 100a is incident on the transparent substrate 210, and further enters the second sealing resin layer 250b of the back surface 214 side, a second is absorbed into the phosphor in the encapsulating resin layer 250b of the wavelength conversion, the wavelength converted light is a light emitting pattern emitted to the outside.

パターンEは、第2の発光素子100bから発光装置200の上部方向に出射された光が、表面212側の第1の封止樹脂層250a中で蛍光体に吸収されずに第2の発光素子100bの発光色のまま外部に出射される光出射パターンである。 Pattern E, the upper direction emitted light of the light emitting device 200 from the second light emitting element 100b is a second light emitting element without being absorbed by the phosphor in the first sealing resin layer 250a on the surface 212 side 100b is a light emitting pattern emitted to the outside remains the emission color of the. パターンFは、第2の発光素子100bから発光装置200の上部方向に出射された光が、表面212側の第1の封止樹脂層250a中で蛍光体に吸収されて波長変換され、その波長変換された光が外部に出射される光出射パターンである。 Pattern F, the second light emitted in the upper direction of the light emitting device 200 from the light emitting element 100b is absorbed in the phosphor in a first encapsulating resin layer 250a on the surface 212 side is wavelength-converted, the wavelength converted light is a light emitting pattern emitted to the outside. パターンGは、第2の発光素子100bから発光装置200の下部方向に出射された光が、透明基体210に入射し、さらに裏面214側の第2の封止樹脂層250bに入射し、第2の封止樹脂層250b中の蛍光体に吸収されずに第2の発光素子100bの発光色のまま外部に出射される光出射パターンである。 Pattern G, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 200 from the second light emitting element 100b is incident on the transparent substrate 210, and further enters the second sealing resin layer 250b of the back surface 214 side, a second without being absorbed by the phosphor in the encapsulating resin layer 250b of a light emitting pattern emitted to the outside remains the emission color of the second light-emitting element 100b. パターンHは、第2の発光素子100bから発光装置200の下部方向に出射された光が、透明基体210に入射し、さらに裏面214側の第2の封止樹脂層250bに入射し、第2の封止樹脂層250b中の蛍光体に吸収されて波長変換され、その波長変換された光が外部に出射される光出射パターンである。 Pattern H, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 200 from the second light emitting element 100b is incident on the transparent substrate 210, and further enters the second sealing resin layer 250b of the back surface 214 side, a second is absorbed into the phosphor in the encapsulating resin layer 250b of the wavelength conversion, the wavelength converted light is a light emitting pattern emitted to the outside.

このように、透明基体210の両面に発光素子100を搭載することにより、透明基体210の表面212に搭載された第1の発光素子100aから発光装置200の下部方向に出射された光がパターンC及びパターンDのように、発光装置200の下方に取出される。 Thus, by mounting the light emitting element 100 on both sides of the transparent substrate 210, transparent substrate 210 first light pattern C which is emitted in the lower direction of the light emitting device 200 from the light emitting element 100a mounted on the surface 212 of the and as in the pattern D, it is taken out under the light-emitting device 200. 一方、透明基体210の裏面214に搭載された第2の発光素子100bから発光装置200の上部方向に出射された光がパターンG及びパターンE及びパターンFのように、発光装置200の上方に取出される。 On the other hand, as the second light emitted in the upper direction of the light emitting device 200 from the light emitting element 100b mounted on the rear surface 214 of the transparent substrate 210 is a pattern G and the pattern E and Pattern F, extraction above the light emitting device 200 It is. 透明基体210の両面に搭載された発光素子100から出射された光が、透明基体210を通してクロスして出射されるため、効率よく全方位型の光出射パッケージ(発光装置)を実現できる。 Light emitted from the light emitting element 100 mounted on both sides of the transparent substrate 210, transparent to be emitted by the cross through the substrate 210 can be realized efficiently omnidirectional light emitting package (light emitting device).

従来の発光装置では、光取出し効率を向上させるために、発光素子の搭載面に反射膜を形成している。 In the conventional light emitting device, in order to improve the light extraction efficiency, to form a reflective film on the mounting surface of the light emitting element. 発光素子搭載面に反射膜を形成した場合、反射膜の反射率は90%程度となるため、反射ロスによる効率低下を起こす。 The case of forming a reflective film on the light-emitting element mounting surface, the reflectance of the reflection film to become about 90%, causing a reduction in efficiency due to reflection loss. 本実施の形態に係る発光装置200では、こうした反射膜を形成することなく、効率よく発光素子100から光取出しを行なうことが可能となるため、反射膜を使用することなく広範囲において光を出射できる。 In the light emitting device 200 according to this embodiment, without forming such a reflective film, for efficiently from the light emitting element 100 it is possible to perform the light extraction can emit light in a broad range without the use of reflective film .

図8及び図9を参照して、本実施の形態に係る発光装置200とは異なり、透明基体1210の表面1212及び裏面1214の一部が封止樹脂層250で覆われていない発光装置の光出射パターンについて説明する。 Referring to FIGS. 8 and 9, unlike the light emitting device 200 according to this embodiment, the light portion of the surface 1212 and the rear surface 1214 of the transparent substrate 1210 is not covered by the sealing resin layer 250 emitting device for extraction pattern will be described.

図8を参照して、この発光装置は、透明基体1210の一部に封止樹脂層250で覆われていない領域Sを有している。 Referring to FIG. 8, the light emitting device has an area S which is not covered with the sealing resin layer 250 to a portion of the transparent substrate 1210. 図9を参照して、このような発光装置では、上記したパターンA〜パターンH(図7参照)に加えて、パターンK及びパターンLの光出射パターンを有する。 Referring to FIG. 9, in such a light emitting device, in addition to the above pattern A~ pattern H (see FIG. 7), having a light emitting pattern of the pattern K and pattern L. パターンKは、例えば発光素子100から下部方向に出射され、透明基体1210に入射しそのまま透明基体1210から外部に出射される光出射パターンである。 Pattern K is, for example, is emitted to the lower direction from the light emitting element 100, a light emitting pattern emitted as it is from the transparent substrate 1210 is incident on the outside the transparent substrate 1210. パターンLは、例えば発光素子100から上部方向に出射され、透明基体1210に入射し、透明基体1210の表面で反射してそのまま透明基体210から外部に出射される光出射パターンである。 Pattern L is, for example, emitted from the light emitting element 100 in the upper direction, is incident on the transparent substrate 1210, a light emitting pattern emitted to the outside as it is from the transparent substrate 210 is reflected by the surface of the transparent substrate 1210.

このように、透明基体1210の一部に、蛍光体を含有した封止樹脂層250によって覆われていない領域Sが存在すると、この領域Sから出射パターンK及びLといった経路をたどって発光素子100の発光色のままの光が多く出射されてしまうため色むらが引起こされる。 Thus, a portion of the transparent substrate 1210, the area S which is not covered by the sealing resin layer 250 containing a phosphor is present, the light emitting element 100 from the region S to follow a path such as extraction pattern K and L color unevenness because the remains of the light emission color will be much emitted is caused.

本実施の形態に係る発光装置200では、蛍光体を含有した封止樹脂層250によって透明基体210の表面212及び裏面214の全面が覆われているため、パターンK及びパターンLのような光出射パターンを有さない。 In the light emitting device 200 according to this embodiment, since the entire surface 212 and rear surface 214 of the transparent substrate 210 by a sealing resin layer 250 containing a phosphor is covered, the light emission such as patterns K and pattern L It does not have a pattern. そのため、発光素子100の発光色のままの光が多く出射されてしまうことに起因する色むらの発生を抑制できる。 Therefore, the occurrence of color unevenness caused by the left light emission color of the light emitting element 100 from being often emitted can be suppressed.

上述したように、本実施の形態では、発光素子100からの光が透明基体210を透過して発光装置200の上部方向にも、下部方向にも出射される。 As described above, in this embodiment, also the upper direction of the light emitting device 200 the light from the light emitting element 100 is transmitted through the transparent substrate 210, it is also emitted in the lower direction. この際、透明基体210側に出射される発光素子100からの光の分布を見ると、発光素子100直下の光が最も多い。 At this time, looking at the distribution of light from the light emitting element 100 is emitted to the transparent substrate 210 side, most often light immediately below the light emitting element 100. 発光層(活性層)から下方に出射された光は、成長基板110(図5参照)の裏面から接着層240(ダイボンドペースト)を通って透明基体210へと入射していく。 Light from the light emitting layer (active layer) emitted downward, will enter into the growth substrate 110 adhesive layer 240 transparent substrate 210 through (die bonding paste) from the back (see FIG. 5). こうした光の出射パターンは、図7に示すパターンC及びパターンD等に加えて、例えばパターンJを有する場合がある。 Emission pattern of such light, in addition to the pattern C, and pattern D or the like shown in FIG. 7, may have, for example, pattern J.

図7を参照して、パターンJは、第1の発光素子100aから発光装置200の下部方向に出射された光が、第2の発光素子100bの搭載されている領域から当該第2の発光素子100b中に成長基板を透過して入射し外部に出射される光出射パターンである。 Referring to FIG. 7, the pattern J, the light emitted in the lower direction of the light emitting device 200 from the first light-emitting element 100a is, the from the installed area of ​​the second light-emitting element 100b second light emitting element incident through the growth substrate during 100b is a light emitting pattern emitted to the outside.

光出射パターンC及びDは、第1の発光素子100aから下方に出射され、第2の発光素子100bが搭載されていない領域から、透明基体210の裏面214に形成された、蛍光体を含有する封止樹脂層250に出射される光となる。 Light emitting pattern C and D are emitted from the first light emitting element 100a downwardly, the second light emitting element 100b is a region which is not mounted, is formed on the rear surface 214 of the transparent substrate 210, containing a phosphor the light emitted in the sealing resin layer 250. この場合、光のロス(吸収等)は非常に少なく、効率よく発光装置200の外部に光が出射される。 In this case, the optical loss (absorption, etc.) is very small, light is emitted to the outside efficiently emitting device 200.

一方、光出射パターンJのような、第2の発光素子100b中に成長基板側から入射してしまう光は、第2の発光素子100bの表面に形成されたn及びpの両電極及びITO電極等によって吸収されてしまう可能性がある。 On the other hand, such as light emitting pattern J, the light would enter from the growth substrate side in the second light emitting element 100b are both electrodes and ITO electrodes of n and p formed on the surface of the second light emitting device 100b there is a possibility that is absorbed by the the like. 光出射パターンJの経路で出射される光の中には、第2の発光素子100bの電極等に吸収されずに取出される光もあるが、光出射パターンC及びD等に比べ、光出射パターンJの光は吸収されてしまう確率が高い。 Some of the light emitted by the path of the light emitting pattern J, the second light-emitting element but 100b also light extracted without being absorbed by the electrodes, etc., than the light emitting pattern C and D, etc., the light emitting light pattern J has a high probability of being absorbed.

透明基体210に入射する光の面内分布としては、発光素子100の直下が最も多いので、平面図的に見た場合に、第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが同じ位置に搭載されていると、光出射パターンJの光量が増加して光の吸収につながるため好ましくない。 The in-plane distribution of the light incident on the transparent substrate 210, because immediately below the light emitting element 100 is largest, when viewed in plan pictorial, a first light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b is the same position When mounted in undesirably lead to absorption of light quantity of the light emitting pattern J is increased.

本実施の形態に係る発光装置200では、透明基体210の表面212に搭載されている第1の発光素子100aと透明基体210の裏面214に搭載されている第2の発光素子100bとの搭載位置がずれているため、こうした光の吸収が抑制される。 In the light emitting device 200 according to this embodiment, the mounting position of the second light emitting element 100b mounted on the back surface 214 of the first light emitting element 100a and the transparent substrate 210 mounted on the surface 212 of the transparent substrate 210 since is deviated, the absorption of such light is suppressed.

[発光素子100の配置] Arrangement of light-emitting element 100]
図10及び図11を参照して、発光素子100の配置について説明する。 Referring to FIGS. 10 and 11, will be described the arrangement of the light emitting element 100. 本実施の形態では、透明基体210の裏面214に搭載されている第2の発光素子100bが、透明基体210の表面212に搭載されている第1の発光素子100aの搭載位置からずれた位置に搭載されている。 In this embodiment, the second light emitting element 100b mounted on the back surface 214 of the transparent substrate 210, deviated from the mounting position of the first light emitting element 100a mounted on the surface 212 of the transparent substrate 210 located It is mounted. この場合、平面図的に見て、第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが全く重ならないように搭載されているのが好ましい。 In this case, in plan view diagrammatically, preferably a first light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b is mounted so as not to overlap at all. なお、図10及び図11では、第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bが透明基体210の面内において同じ方向に配置されているものとして説明する。 In FIG. 10 and FIG. 11, described as the first light emitting element 100a and the second light emitting element 100b are arranged in the same direction in the plane of the transparent substrate 210.

図10を参照して、平面図的に見て、第1の発光素子100aと当該第1の発光素子100aに隣接する第2の発光素子100bとを横方向に隔てる距離(チップ間横距離)をd、縦方向に隔てる距離(チップ間縦距離)をtとした場合に、d>0、かつ、t>0であれば、平面図的に見て、第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが全く重ならない状態となる。 Referring to FIG. 10, in plan view diagrammatically, a second distance separating the light emitting element 100b laterally adjacent to the first light emitting element 100a and the first light emitting element 100a (horizontal distance between chips) the d, the distance separating the vertical direction (chip Matate distance) when the t, d> 0, and, if t> 0, and in a plan view, the first light emitting element 100a and the second a light emitting element 100b is a state of not overlap at all of.

図11を参照して、d<0及び/又はt<0の場合は、平面図的に見て、第1の発光素子100aが隣接する第2の発光素子100bに対して少なくとも一部が重なった状態となる。 Referring to FIG. 11, in the case of d <0 and / or t <0, and in a plan view, at least partially overlapping with respect to the second light emitting device 100b of the first light emitting element 100a is adjacent the state. 重なっている領域の横幅が例えば10μm、縦幅が例えば50μmの場合、d=−100(μm)、t=−50(μm)となる。 Overlapping and breadth example 10μm area, if the vertical width of, for example, 50 [mu] m, the d = -100 (μm), t = -50 (μm). 発光素子100が複数個搭載されている場合に、全ての発光素子100が全く重ならないように配置されているのが好ましいが、金属柱300及び補助金属柱310の位置、パッケージレイアウト等によっては、第1の発光素子100aが隣接する第2の発光素子100bに対して一部重なった状態となっていてもよいし、複数の発光素子100のうちの一部の発光素子において、第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが重なり合った状態となっていてもよい。 When the light emitting element 100 is a plurality mounted, it is preferred that all of the light emitting element 100 is disposed so as not overlap at all, the position of the metal column 300 and the auxiliary metal column 310, the package layout or the like, it may be a part overlapping state with respect to the second light emitting device 100b of the first light emitting element 100a is adjacent, in a part of the light-emitting element of the plurality of light emitting elements 100, a first light emitting element 100a and may become a state in which the are overlapped second light emitting element 100b. 第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとは、平面図的に見て、完全に重なり合わないように搭載されているのが好ましく、全く重ならないように搭載されていればより好ましい。 The first light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b, as seen in a plan view diagrammatically, is preferable to be mounted so as not to overlap completely, preferably more if it is mounted so as not to overlap at all . 本実施の形態において「完全に重なり合う」とは、平面図的に見た場合に、同じ大きさ及び同じ形状の発光素子が、透明基体210の両面に、同じ向きで同じ位置に搭載されている状態をいう。 In this embodiment a "completely overlapping" when viewed in plan diagram, the light emitting elements of the same size and the same shape, on both sides of the transparent substrate 210 are mounted in the same position in the same direction It refers to the state.

第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが重なって搭載された場合、チップ間横距離d<0とチップ間縦距離t<0の場合には、透明基体210の表面212に搭載された第1の発光素子100aから発せられた熱が、重なって搭載された裏面214の第2の発光素子100bに伝わる。 If a first light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b is mounted overlapping, in the case of inter-chip horizontal distance d <0 and chip Matate distance t <0 is mounted on the surface 212 of the transparent substrate 210 first heat emitted from the light emitting element 100a which is is transmitted to the second light emitting element 100b of the back surface 214 that is mounted overlapping. 逆に、透明基体210の裏面214に搭載された第2の発光素子100bから発せられた熱が、重なって搭載された表面212の第1の発光素子100aに伝わる。 Conversely, the heat emitted from the second light emitting element 100b mounted on the rear surface 214 of the transparent substrate 210 is transmitted to the first light emitting element 100a of the surface 212 that is mounted overlapping. そのため、互いに熱の干渉を受けるため好ましくない。 Therefore, unfavorable for receiving mutually interfering heat. 発熱による熱を放熱するという観点からは、d>0かつt>0が好ましい。 From the viewpoint of releasing heat by heating, d> 0 and t> 0 is preferable. さらに好ましくは、d>50(μm)、t>50(μm)である。 More preferably d> 50 (μm), t> 50 (μm).

[製造方法] [Production method]
図1〜図4を参照して、本実施の形態に係る発光装置200の製造方法について説明する。 Referring to FIGS. 1-4, a method for manufacturing the light emitting device 200 according to this embodiment. まず、図3に示すような透明基体210を準備する。 First, a transparent substrate 210 as shown in FIG. 透明基体210の表面212及び裏面214を非平滑面とする。 The surface 212 and rear surface 214 of the transparent substrate 210 and the non-smooth surface. 例えば、透明基体210の表面212及び裏面214を研磨せずに、凹凸を残したままの面とする。 For example, without polishing the surface 212 and back surface 214 of the transparent substrate 210, the surface that remains left uneven. その他、意図的にストライプ及びディンプル等の凹凸を設けてもよい。 Other may be intentionally provided irregularities, such as stripes and dimples. 表面212及び裏面214を非平滑面とすることにより、透明基体210の表面212及び裏面214に別途透光性部材を設けなくても発光素子100の下面から透明基体210に導光された光を効率よく外部に取出すことができる。 By the surface 212 and back surface 214 and the non-smooth surface, the light guided to the transparent substrate 210 from the bottom surface of the light emitting element 100 without separately providing a light-transmitting member on the surface 212 and back surface 214 of the transparent substrate 210 it can be efficiently taken out to the outside.

次に、透明基体210の所定の領域に金属柱300及び補助金属柱310を固定するための貫通孔210a〜210cを形成する。 Next, a through hole 210a~210c for fixing the metal columns 300 and auxiliary metal posts 310 in a predetermined area of ​​the transparent substrate 210. 各貫通孔が形成された領域に、電極パッドを形成する。 In the region where each through-hole is formed, to form an electrode pad. 電極パッドは、透明基体210の両面に形成する。 Electrode pads are formed on both surfaces of the transparent substrate 210. なお、貫通孔を形成する工程の前に電極パッドを形成する工程を行ない、電極パッドを形成した後に、電極パッドの形成領域に貫通孔を形成するようにしてもよい。 Note that performed the step of forming the electrode pad before the step of forming the through hole, after forming the electrode pads may be formed through-holes in the formation of the electrode pad region.

その後、透明基体210の表面212上に第1の発光素子100aをダイボンドペーストにより実装する。 Then, the first light emitting element 100a implemented by die bonding paste on surface 212 of the transparent substrate 210. 具体的には、第1の発光素子100aをシリコーン樹脂からなるダイボンドペーストを用いて載置し、150℃で2〜3時間加熱することでダイボンドペーストを硬化させて第1の発光素子100aを透明基体210に接着する。 Specifically, the first light emitting element 100a is mounted with a die bonding paste made of a silicone resin, a transparent first light emitting element 100a to cure the die bonding paste by heating for 2-3 hours at 0.99 ° C. to adhere to the substrate 210. 同様に、透明基体210の裏面214上に第2の発光素子100bをダイボンドペーストにより実装する。 Similarly, the second light emitting element 100b implemented by die bonding paste on the rear surface 214 of the transparent substrate 210. 透明基体210の両面に発光素子100を搭載した後、各発光素子100をワイヤ242で結線する。 After mounting the light emitting element 100 on both sides of the transparent substrate 210, for connecting the light emitting element 100 by wire 242.

続いて、蛍光体を含有した透明樹脂を、透明基体210の片面に塗布し、オーブンにて150℃程度の温度で2時間程度加熱して透明樹脂を硬化させる。 Subsequently, a transparent resin containing phosphors, was applied to one surface of the transparent substrate 210 to cure the transparent resin is heated for about 2 hours at a temperature of about 0.99 ° C. in an oven. 硬化して透明樹脂の形状が安定した後、残りの一面に蛍光体を含有した透明樹脂を塗布し、同じ条件で硬化させる。 After the shape of the transparent resin is stabilized by curing a transparent resin containing phosphors to the remaining one side was coated and cured under the same conditions. これにより、図4に示すように、透明基体210の両面に、蛍光体を含有した封止樹脂層250が形成され、この封止樹脂層250によって第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bが封止される。 Thus, as shown in FIG. 4, on both sides of the transparent substrate 210, a sealing resin layer 250 containing a phosphor is formed by the sealing resin layer 250 first light-emitting element 100a and the second light emitting element 100b is sealed. この際、透明基体210の表面212及び裏面214の全面が封止樹脂層250で覆われるように透明樹脂を塗布する。 In this case, the entire surface of the surface 212 and back surface 214 of the transparent substrate 210 is coated with a transparent resin so as to be covered with the sealing resin layer 250. また、透明基体210の貫通孔210a〜210cは、後の工程で金属柱300及び補助金属柱310を固定するために透明樹脂で埋まらないようにする。 The through-hole 210a~210c of the transparent substrate 210 in a later step so as not embedded in the transparent resin to fix the metal columns 300 and auxiliary metal pillar 310. このように、透明基体210の両面に封止樹脂層250を形成する場合には、片面ずつ透明樹脂を塗布して硬化させることで、透明樹脂の形状を安定させて両面とも同じような形状の封止樹脂層250を形成できる。 Thus, when forming the sealing resin layer 250 on both surfaces of the transparent substrate 210, by curing the coating on one side by a transparent resin, is stabilized by a similar shape both sides the shape of the transparent resin It can form a sealing resin layer 250.

これにより、本実施の形態に係る発光装置200が製造される。 Thus, the light emitting device 200 is manufactured in accordance with the present embodiment. こうして製造された発光装置200に金属柱300及び補助金属柱310を固定する。 Thus the light emitting device 200 manufactured to secure the metal columns 300 and auxiliary metal pillar 310. 具体的には、図2に示すように、透明基体210の貫通孔210aにネジ320を挿入して金属柱300を透明基体210にネジ止め固定する。 Specifically, as shown in FIG. 2, by inserting screws 320 into the through hole 210a of the transparent substrate 210 to screwing the metal columns 300 on a transparent substrate 210. さらに、透明基体210の貫通孔210b及び210cにそれぞれネジ322を挿入して補助金属柱310を透明基体210にネジ止め固定する。 Furthermore, the screwed insert each screw 322 into the through-holes 210b and 210c of the transparent substrate 210 the auxiliary metal pillar 310 on the transparent substrate 210.

図1を参照して、金属柱300及び補助金属柱310が固定された発光装置200を照明装置の本体部分に固定してバルブ60を取付けることにより、電球型のLEDランプに組立てる。 Referring to FIG. 1, by attaching the valve 60 to secure the light emitting device 200 where the metal columns 300 and auxiliary metal pedestal 310 is fixed to the main body portion of the lighting device, assembled in the bulb-type LED lamp. これにより、本実施の形態に係る照明装置50が製造される。 Thus, the illumination device 50 according to the present embodiment is manufactured.

[本実施の形態の効果] [Effect of the Embodiment]
以上の説明から明らかなように、本実施の形態に係る発光装置200及び照明装置50は、以下に述べる効果を奏する。 As apparent from the above description, the light emitting device 200 and a lighting device 50 according to the present embodiment achieve the following effects.

透明基体210の表面212上に第1の発光素子100aを搭載し、透明基体210の裏面214上に第2の発光素子100bを搭載する。 A first light emitting element 100a is mounted on the surface 212 of the transparent substrate 210, for mounting the second light emitting element 100b on the rear surface 214 of the transparent substrate 210. 第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bは透光性の接着層240を介して透明基体210に固定されている。 First light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b is fixed to the transparent substrate 210 via the adhesive layer 240 of the light-transmitting. 第1の発光素子100aから出射された光は、第2の発光素子100bとは反対側(上部方向)に出射されるとともに、第1の発光素子100aの下面から出射された光は、接着層240及び透明基体210を透過して、第2の発光素子100bの側(下部方向)にも出射される。 Light emitted from the first light-emitting element 100a, together with the second light emitting element 100b is emitted to the opposite side (upper direction), light emitted from the lower surface of the first light emitting element 100a, the adhesive layer passes through the 240 and transparent substrate 210, is also emitted to the side of the second light-emitting element 100b (the lower direction). 第2の発光素子100bから出射された光は、第1の発光素子100aとは反対側(下部方向)に出射されるとともに、第2の発光素子100bの下面から出射された光は、接着層240及び透明基体210を透過して、第1の発光素子100aの側(上部方向)にも出射される。 Light emitted from the second light emitting element 100b, together with the first light emitting element 100a is emitted to the opposite side (the lower direction), light emitted from the lower surface of the second light-emitting element 100b, the adhesive layer passes through the 240 and transparent substrate 210, is also emitted to the side of the first light emitting element 100a (upper direction). したがって、第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bから出射された光は、発光装置200の上方側及び下方側に出射されるため、広範囲に光が出射される。 Therefore, light emitted from the first light-emitting element 100a and the second light-emitting element 100b is to be emitted to the upper side and the lower side of the light emitting device 200, a wide range the light emitted.

本発光装置200では、透明基体210の両面に発光素子100が搭載される。 In the light emitting device 200, light emitting element 100 is mounted on both sides of the transparent substrate 210. 第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bにより、発光装置200の上方側及び下方側に出射される光の光量を容易に制御できる。 The first light-emitting element 100a and the second light emitting element 100b, can be easily controlled amount of light emitted to the upper side and the lower side of the light emitting device 200. さらに、第1の発光素子100aが搭載される位置からずれた位置に第2の発光素子100bを配することによって、第1の発光素子100aから透明基体210側に出射された光が第2の発光素子100bで吸収されるのを抑制できる。 Furthermore, by placing the second light emitting element 100b at a position displaced from the position where the first light emitting element 100a is mounted, the first light emitted in the transparent substrate 210 side from the light emitting element 100a is in the second from being absorbed by the light emitting element 100b can be suppressed. 同様に、第2の発光素子100bから透明基体210側に出射された光が第1の発光素子100aで吸収されるのを抑制できる。 Similarly, possible to prevent the second light emitted in the transparent substrate 210 side from the light emitting element 100b is absorbed by the first light-emitting element 100a. したがって、第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bからの光を効率よく外部に出射できる。 Therefore, the light from the first light emitting element 100a and the second light emitting element 100b can be efficiently emitted to the outside.

さらに、透明基体210の両面に発光素子100を搭載することにより、発光素子100からの熱が透明基体210の両面に均一に分散できるため、放熱性を改善して、発光素子100の温度を低下させることができる。 Furthermore, by mounting the light emitting element 100 on both sides of the transparent substrate 210, the heat from the light emitting element 100 can be uniformly distributed on both sides of the transparent substrate 210, to improve the heat dissipation, lower the temperature of the light emitting element 100 it can be.

例えば、透明基体の片面にのみ発光素子を搭載する場合、発光素子から発生する熱が透明基体の表面(発光素子搭載面)に集中し、発光素子搭載面の温度が上昇しやすくなり高温になる。 For example, when mounting the light emitting element only on one surface of the transparent substrate, heat generated from the light emitting element is concentrated on the surface of the transparent substrate (light-emitting element mounting surface), the temperature of the light emitting element mounting surface becomes hot tends to rise . 発光素子を複数個搭載した場合、各発光素子からの熱により発光素子の温度が上昇しやすくなる。 If the light emitting element and a plurality mounted, the temperature of the light emitting element is likely to rise due to heat from the light emitting element. そのため、透明基体の片面にのみ発光素子を搭載した発光装置では、素子の温度上昇に起因して発光強度が低下することがある。 Therefore, in light emitting device only by mounting the light emitting element on one surface of the transparent substrate may be reduced emission intensity due to temperature rise of the element.

本実施の形態では、透明基体210の両面に発光素子100を搭載するため、片面にのみ発光素子を搭載した発光装置と同じ明るさで発光素子100を光らせた場合、素子からの熱が透明基体210の両面に均一に分散するため、素子温度を低下させることができる。 In this embodiment, for mounting the light emitting element 100 on both sides of the transparent substrate 210, when flashing light emitting element 100 at the same brightness as the light-emitting device equipped with the light emitting element only on one side, heat transparent substrate from the element to uniformly dispersed in both sides of the 210, it is possible to lower the element temperature. 本発光装置200ではさらに、第1の発光素子100aが搭載される位置からずれた位置に第2の発光素子100bが搭載されているため、放熱性をより改善して、発光素子100の温度をより一層低下させることができる。 The light emitting device 200 in addition, since the second light-emitting element 100b at a position displaced from the position where the first light emitting element 100a is mounted is mounted, and further improve the heat dissipation, the temperature of the light emitting element 100 it can be further reduced.

さらに、透明基体210の厚みxを200μm以上とすることにより、放熱特性を向上させることができるとともに、機械的強度を向上させることができる。 Further, by setting the thickness x of the transparent substrate 210 and above 200 [mu] m, it is possible to improve the heat dissipation characteristics can be improved mechanical strength. 透明基体210の厚みxが200μmより小さい場合、表面212に搭載された第1の発光素子100aと裏面214に搭載された第2の発光素子100bとの熱の干渉が強くなる場合がある。 When the thickness x of the transparent substrate 210 is 200μm smaller, there is a case where the thermal interference between the first light-emitting element 100a and the second light-emitting element 100b mounted on the back surface 214 mounted on the surface 212 is increased. また、透明基体210の厚みxが200μmより小さくなると、透明基体の機械的強度が低下して破損しやすくなる。 If the thickness x of the transparent substrate 210 is smaller than 200 [mu] m, the mechanical strength of the transparent substrate is easily damaged reduced.

透明基体210を平面図的に見た場合に、第1の発光素子100aと当該第1の発光素子100aに隣接する第2の発光素子100bとを隔てる距離を0より大きくすることによって、透明基体210を平面図的に見た場合に、第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが重ならないように各発光素子100を配置できる。 The transparent substrate 210 when viewed in plan pictorial, by the distance separating the second light emitting element 100b adjacent to the first light emitting element 100a and the first light emitting element 100a larger than 0, the transparent substrate 210 when in a plan view, a possible arrangement of the light emitting element 100 as a first light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b do not overlap. そのため、容易に、第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bからの光を効率よく外部に出射できる。 Therefore, it easily emits light from the first light emitting element 100a and the second light emitting element 100b to the outside efficiently. 加えて、放熱特性をより一層向上できる。 In addition, the heat dissipation properties can be further improved.

上記隔てる距離を50μmより大きくすることにより、より容易に、第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bからの光を効率よく外部に出射できる。 By larger than 50μm the distance separating the more readily, capable of emitting light from the first light emitting element 100a and the second light emitting element 100b to the outside efficiently. 加えて、放熱特性をさらに一層向上できる。 In addition, further it can be further improved heat dissipation characteristics.

蛍光体を含有する封止樹脂層250で第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bを封止することによって、第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bから出射された光を封止樹脂層250に含有された蛍光体で波長変換できる。 By sealing the first light emitting element 100a and the second light emitting element 100b with a sealing resin layer 250 containing a phosphor, light emitted from the first light-emitting element 100a and the second light emitting element 100b It is the wavelength conversion by the phosphor contained in the sealing resin layer 250. そのため、発光装置200の出射光の色を容易に制御できる。 Therefore, it is possible to easily control the color of the light emitted from the light emitting device 200.

透明基体210の表面212及び裏面214の全面を封止樹脂層250で覆うことによって、透明基体210内に入射された後に透明基体210から取出される光を封止樹脂層250に入射させることができる。 By covering the entire surface 212 and rear surface 214 of the transparent substrate 210 with the sealing resin layer 250, be incident on the encapsulating resin layer 250 a light extracted from the transparent substrate 210 after being incident on the transparent substrate 210 it can. ここで、透明基体210の主面の一部に封止樹脂層250で覆われていない部分が存在すると、上述したように、封止樹脂層250で覆われていない部分から発光素子100の発光色のままの光が外部に取出される。 Here, the part not covered with the sealing resin layer 250 portion of the main surface of the transparent substrate 210 is present, as described above, the light emission of the light emitting element 100 from the portion not covered with the sealing resin layer 250 leave the light color is extracted to the outside. この場合、発光素子100の発光色のままの光が多く出射されてしまうため色むらを引起こす。 In this case, causing the color unevenness due to leave the light emission color of the light emitting element 100 from being much emitted. 本発光装置200では、上記のように、透明基体210の表面212及び裏面214の全面が封止樹脂層250で覆われているため、発光素子100の発光色のままの光が多く出射されてしまうのを抑制できる。 In the light emitting device 200, as described above, transparent for the entire surface 212 and rear surface 214 of the substrate 210 is covered with the sealing resin layer 250, while the light emission color of the light emitting element 100 is most emitted the put away can be suppressed. その結果、発光装置200の色むらを抑制できる。 As a result, it is possible to suppress the color unevenness of the light emitting device 200.

さらに、第1の発光素子100aの搭載数と第2の発光素子100bの搭載数とを異ならせることにより、発光装置200の上方側及び下方側に出射される光の光量をより容易に制御できる。 Further, by making mounting number of the first light emitting element 100a and the mounting number of the second light-emitting element 100b, it can be more easily controlled amount of light emitted to the upper side and the lower side of the light emitting device 200 .

(第2の実施の形態) (Second Embodiment)
図12を参照して、本実施の形態に係る発光装置500は、透明基体210の裏面214に搭載される発光素子の種類が第1の実施の形態とは異なる。 Referring to FIG. 12, the light emitting device 500 according to the present embodiment, the type of light-emitting elements mounted on the rear surface 214 of the transparent substrate 210 is different from the first embodiment. なお、図12では補助金属柱が省略されている。 Incidentally, FIG. 12, the auxiliary metal column is omitted.

本実施の形態では、透明基体210の表面212には青色光を出射する第1の発光素子100a(100)が搭載されており、透明基体210の裏面214には赤色光を出射する発光素子(LED)510が搭載されている。 The light-emitting element in this embodiment, the surface 212 of the transparent substrate 210 are mounted a first light emitting element 100a for emitting blue light (100), on the rear surface 214 of the transparent substrate 210 for emitting red light ( LED) 510 is mounted. 透明基体210の表面212上には、第1の発光素子100aを封止する第1の封止樹脂層250aが形成されている。 On the surface 212 of the transparent substrate 210, the first sealing resin layer 250a for sealing the first light emitting element 100a is formed. 透明基体210の裏面214上には、第2の発光素子を封止する第2の封止樹脂層250bが形成されている。 On the back surface 214 of the transparent substrate 210, the second sealing resin layer 250b for sealing the second light-emitting element is formed. 第1の封止樹脂層250a及び第2の封止樹脂層250bには、黄色蛍光体であるYAG蛍光体が含有されている。 The first sealing resin layer 250a and the second sealing resin layer 250b, YAG phosphor is contained a yellow phosphor.

青色光を出射する第1の発光素子100a(青色LED)とYAG蛍光体との組合せは、赤色が弱いといった不都合があるものの、上記のように構成することによって、そうした不都合を改善できる。 Combination of the first light emitting element 100a which emits blue light (blue LED) and the YAG phosphor, although there is inconvenience red is weak, with the structure described above, can be improved such a disadvantage.

(第3の実施の形態) (Third Embodiment)
図13を参照して、本実施の形態に係る発光装置600は、上記第1の実施の形態に係る発光装置200において、封止樹脂層250を被覆する透明封止樹脂層650をさらに含む。 Referring to FIG. 13, the light emitting device 600 according to the present embodiment, the light emitting device 200 according to the first embodiment, further comprising a transparent sealing resin layer 650 covering the sealing resin layer 250. なお、図13では補助金属柱が省略されている。 In FIG. 13 the auxiliary metal column is omitted.

本実施の形態では、封止樹脂層250が透明封止樹脂層650で被覆されているため、発光素子100を封止する封止樹脂層(透明樹脂層)が2層構造となっている。 In this embodiment, since the sealing resin layer 250 is covered with a transparent sealing resin layer 650, a sealing resin layer which seals the light emitting element 100 (transparent resin layer) has a two-layer structure. 外側の透明封止樹脂層650は、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂及びガラス等によって形成されている。 Outer transparent sealing resin layer 650 is formed by, for example, silicone resin, epoxy resin, and glass. この透明封止樹脂層650には蛍光体が含有されていない。 Phosphor is not contained in the transparent sealing resin layer 650.

さらに、透明封止樹脂層650の表面は、球状又は凸形状とされている。 Further, the surface of the transparent sealing resin layer 650 is a spherical or convex shape. 透明封止樹脂層650の表面をこのような形状とすることにより、発光素子100から発する光、及び封止樹脂層250に含まれる蛍光体から発する光を、球状又は凸形状の透明封止樹脂層650で周囲に無指向に放出できる。 By the surface of the transparent sealing resin layer 650 with such a shape, light emitted from the light emitting element 100, and light emitted from the phosphor contained in the sealing resin layer 250, the transparent sealing resin spherical or convex It can be released into the omnidirectional around the layer 650.

透明封止樹脂層650は光学レンズとして機能させることも可能である。 Transparent sealing resin layer 650 can also be made to function as an optical lens. これにより全方向へ均等な光を放出することが可能な発光装置600が得られる。 Thus the light emitting device 600 capable of emitting uniform light in all directions is obtained. 透明封止樹脂層650は、例えばトランスファー成型等により形成できる。 Transparent sealing resin layer 650 may be formed by, for example, transfer molding or the like. 透明封止樹脂層650の形成にトランスファー成型等の成型方法を用いることにより、透明封止樹脂層650の表面をあらゆる光学レンズ状の曲面に成型することが可能である。 By using the molding method such as transfer molding to form a transparent sealing resin layer 650, it is possible to mold the surface of the transparent sealing resin layer 650 to any optical lens curved surface.

なお、透明封止樹脂層650の屈折率は、蛍光体を含有する封止樹脂層250と同等かそれより小さい屈折率であるのが光取出しの観点からは好ましい。 The refractive index of the transparent sealing resin layer 650 is in the range of equal to or smaller than the refractive index between the sealing resin layer 250 containing a phosphor is preferable from the viewpoint of light extraction.

(第4の実施の形態) (Fourth Embodiment)
図14を参照して、本実施の形態に係る照明装置750は、発光装置200Aを交流駆動するためのAC駆動回路760を含む。 Referring to FIG. 14, the lighting device 750 according to this embodiment includes an AC driving circuit 760 for AC driving a light emitting device 200A. すなわち、本実施の形態に係る照明装置750は、AC/DCコンバータに代えて、AC駆動回路760を搭載することにより、時間とともに周期的に大きさとその正負が変化する交流で直接、発光装置200A(発光素子100)を駆動する。 That is, the lighting device 750 according to this embodiment, in place of the AC / DC converter, by mounting the AC driving circuit 760, directly cyclically size as alternating its polarity varies with time, the light emitting device 200A driving the (light-emitting element 100). なお、図14では発光素子100が直列接続された部分の等価回路を示している。 Note that the light-emitting element 100 in FIG. 14 shows an equivalent circuit of series-connected portion.

照明装置750に搭載される発光装置200Aは、第1の実施の形態に係る発光装置200とほぼ同じ構成であるが、透明基体の表面に搭載される第1の発光素子100aと透明基体の裏面に搭載される第2の発光素子100bとが極性が逆になるように接続されている。 The light emitting device 200A to be mounted on the lighting device 750 is substantially the same structure as the light emitting device 200 according to the first embodiment, the rear surface of the first light emitting element 100a and the transparent substrate to be mounted on the surface of the transparent substrate and the second light-emitting element 100b is connected to the polarity is reversed to be mounted on. そのため、例えば、透明基体の表面に搭載した第1の発光素子100aは電圧が正のときに発光し、透明基体の裏面に搭載した第2の発光素子100bは電圧が負のときに発光する。 Therefore, for example, the first light emitting element 100a mounted on the surface of the transparent substrate to emit light when the voltage of the positive, the second light emitting element 100b mounted on the back surface of the transparent substrate to emit light when the voltage is negative. 第1の発光素子100a及び第2の発光素子100bをこのように駆動することにより、発熱の発生箇所を空間的、時間的に分離できる。 By driving the first light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b in this way, the occurrence location of the heating space can be temporally separated. すなわち、表面側の第1の発光素子100aが発光しているときは、裏面側の第2の発光素子100bは発光しておらず、放熱している。 That is, when the first light emitting element 100a on the surface side is emitting light, the second light emitting element 100b of the back side is not emitting light, and heat dissipation. 逆に、裏面側の第2の発光素子100bが発光しているときは、表面側の第1の発光素子100aは発光しておらず、放熱している。 Conversely, when the second light emitting device 100b of the back side is emitting light, the first light emitting element 100a on the front surface side is not emitting light, and heat dissipation. このように、第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとを交互に発光させることにより、より放熱効果を高めることができる。 In this way, by emitting a first light emitting element 100a and a second light emitting element 100b alternately, it is possible to enhance the heat dissipation effect.

(変形例) (Modification)
上記実施の形態では、電球型のLEDランプに本発明を適用した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment has shown an example in which the present invention is applied to the bulb-type LED lamp, the present invention is not limited to such an embodiment. 電球型のLEDランプ以外の照明装置に本発明を適用することもできる。 It is also possible to apply the present invention to the illumination device other than the bulb-type LED lamp.

上記実施の形態では、サファイアからなる透明基体を用いた例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment has shown an example in which a transparent substrate made of sapphire, the present invention is not limited to such an embodiment. 透明基体の構成材料はサファイア以外であってもよい。 Constituent material of the transparent substrate may be other than sapphire. 透明基体の構成材料は、光透過性を有することに加えて、高い熱伝導性を有しているのが好ましい。 The material of the transparent substrate, in addition to having light transmittance, the has a high thermal conductivity is preferred. このような熱伝導性の高い材料としては、例えば、サファイア、GaN、酸化ベリリウム(ベリリア)、ZnO、SiC、Si、ZnS、AlN、SiC、ダイヤモンド及びルビー等の単結晶材料又は多結晶材料等、若しくはそれらの結晶体で形成されたセラミック材料等を用いることができる。 Such high thermal conductivity material, e.g., sapphire, GaN, beryllium oxide (beryllia), ZnO, SiC, Si, ZnS, AlN, SiC, single crystal material or polycrystalline material, such as diamond and ruby, etc., or ceramic material or the like formed in their crystal can be used.

特に透明基体として導電性を有する部材を使用すると、発光素子の搭載面でも導通を得ることができるので、ワイヤボンディングは一方の電極のみで足りる。 With particular use member having electrical conductivity as a transparent substrate, it is possible to obtain a conductive at the mounting surface of the light emitting element, the wire bonding is sufficient only one electrode. そのため、ワイヤの数を減らして製造コストの削減及び歩留まりを向上できる。 Therefore, it is possible to improve the reduction and the yield of the manufacturing cost by reducing the number of wires. したがって、透明基体に導電性を有する部材を用いることにより、信頼性の向上に寄与できる。 Thus, by using a member having a conductive transparent substrate, it can contribute to improvement in reliability. 特にワイヤは、これを封止する樹脂中で熱膨張係数の違い等によって断線するおそれがあるため、ワイヤの使用本数を減らすことでこのようなリスクを低減できる。 In particular wires, this due to the possibility of disconnection due to differences such as the coefficient of thermal expansion resin for sealing can be reduced this risk by reducing the use number of wires.

また、発光素子と透明基体との界面における反射を低減するために、これらの間の屈折率を調整することが好ましい。 Further, in order to reduce reflection at the interface between the light emitting element and the transparent substrate, it is preferable to adjust the refractive index between them. 発光素子が成長基板上に素子構造体が支持されている場合、成長基板と透明基体との屈折率差が小さいことが好ましく、または成長基板の屈折率が透明基体の屈折率より大きくなるように両者の材質を決定することにより、光の反射を少なくすることができる。 If the light emitting element device structure on a growth substrate is supported, so that it is preferable refractive index difference between the growth substrate and the transparent substrate is small, or the refractive index of the growth substrate is larger than the refractive index of the transparent substrate by determining the material of both can be reduced reflection of light. 例えば、成長基板としてのサファイア基板上に半導体層を成長させた発光素子を用いる場合、透明基体はサファイアからなる透明基体を使用することが好ましい。 For example, when using a light-emitting device obtained by growing a semiconductor layer on the sapphire substrate as a growth substrate, the transparent substrate, it is preferable to use a transparent substrate made of sapphire. サファイアの透明基体よりも屈折率の低い石英の透明基体を用いてもよい。 It may be a transparent substrate of lower refractive index silica than sapphire of the transparent substrate. 成長基板を有さないGaN系半導体素子であれば、GaNからなる透明基体を用いることが好ましく、GaNより屈折率の低いサファイア及び石英の透明基体を用いることが好ましい。 If the GaN-based semiconductor device having no growth substrate, it is preferable to use a transparent substrate made of GaN, it is preferable to use a low sapphire and transparent substrate of quartz having a refractive index than GaN.

上記実施の形態では、透明基体の表面上に搭載された第1の発光素子の成長基板側から出射された光は、透明基体を通り、さらに透明基体の裏面上に形成された、蛍光体を含有する第2の封止樹脂層中に入射し、そのまま透過して発光装置の下方に出射されたり、第2の封止樹脂中の蛍光体によって、緑又は赤色の波長に波長変換されたりして、発光装置の下方に出射される。 In the above embodiment, light emitted from the growth substrate side of the first light-emitting element mounted on the surface of the transparent substrate passes the transparent substrate, which is formed on the further transparent substrate on the back surface, the phosphor enters the second sealing resin layer containing, or being emitted below the light-emitting device passes through it, the second phosphor in the sealing resin, or the wavelength-converted into green or red wavelength Te, and it is emitted below the light-emitting device. このため、透明基体の屈折率と封止樹脂層の屈折率差が小さいことが好ましい。 Therefore, it is preferable refractive index difference between the refractive index and the sealing resin layer of the transparent substrate is small. このため、封止樹脂層を構成する透明樹脂としては、屈折率が1.35〜1.58程度のシリコーン樹脂が、透明基体としては、酸化アルミニウム(例えばサファイア等)の焼結体であるセラミック基体、サファイアの透明基体、石英の透明基体等が好適であると考えられる。 Therefore, the transparent resin constituting the sealing resin layer, a silicone resin having a refractive index of about 1.35 to 1.58 is, the transparent substrate is a sintered body of aluminum oxide (e.g., sapphire) Ceramic substrate, a transparent substrate of sapphire, transparent substrate such as quartz is considered suitable. 屈折率の関係として、成長基板≧透明基体≧透明樹脂(封止樹脂層)の関係性が好ましい。 As the relationship of the refractive index, the relationship of the growth substrate ≧ transparent substrate ≧ transparent resin (sealing resin layer) is preferred.

上記実施の形態では、透明基体の表面及び裏面を非平滑面とした例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment has shown an example in which the front and rear surfaces of the transparent substrate and the non-smooth surface, the present invention is not limited to such an embodiment. 透明基体の表面及び裏面は平滑面としてもよいし、透明基体の表面及び裏面の一方を非平滑面としてもよい。 Front and rear surfaces of the transparent substrate may be a smooth surface, the one surface and the back surface of the transparent substrate may be a non-smooth surface. さらに、透明基体の表面及び裏面を曲面にしてもよい。 Furthermore, it may be a front surface and a back surface of the transparent substrate to a curved surface. このようにすれば、透明基体の表面及び裏面で全反射される光の成分を低減できるので、透明基体の内部に光が閉じ込められて光取出しが抑制されるのを防ぐことができる。 Thus, it is possible to reduce the component of the light is totally reflected by the surface and the back surface of the transparent substrate, inside light is confined in the light extraction of the transparent substrate can be prevented from being suppressed.

上記実施の形態では、発光素子を固定するためのダイボンドペーストにシリコーン樹脂を用いた例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment has shown an example in which a silicone resin to the die bonding paste for fixing the light-emitting element, the present invention is not limited to such an embodiment. 上記実施の形態におけるダイボンドペーストとして、発光素子と透明基体とを固定するとともに、発光素子からの光を透過することが可能な材料であれば、特に限定されず、例えば、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂等の有機材料、無機材料、並びにこれらのハイブリッド材料を用いることができる。 As a die bonding paste in the above embodiment, to fix the light emitting element and the transparent substrate, as long as it is a material capable of transmitting light from the light emitting element is not particularly limited, for example, thermoplastic resins and thermosetting sexual organic material such as a resin, an inorganic material, as well as the use of these hybrid materials. 具体的には、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂、熱可塑性樹脂であるアクリル樹脂及びポリイミド樹脂、熱安定性が高いシリコーン樹脂等からなるダイボンドペーストが挙げられる。 Specifically, the epoxy resin is a thermosetting resin, an acrylic resin and polyimide resin is a thermoplastic resin, thermal stability include die bond paste comprising a high silicone resin. ダイボンドペースト(接着層)が、光及び熱等による劣化で着色すると光の取出し効率が低下するため、耐熱性、耐光性及び熱伝導性を備えることが望ましい。 Die bonding paste (adhesive layer) is, for the coloring by deterioration due to light and heat and the like extraction efficiency of light decreases, the heat resistance, it is desirable to provide light resistance and thermal conductivity. さらに、ダイボンドペーストの熱膨張率を調整するため、又は導電性を高めるために、これらの樹脂にフィラーを含有させることもできる。 Further, in order to adjust the thermal expansion coefficient of the die bonding paste, or to increase the conductivity may be contained a filler to these resins. フィラーを入れることで、ダイボンドペースト内の光散乱効果をあげることができるため、光取出しに関して好ましい。 By placing a filler, it is possible to increase the light scattering effect of the die-bonding the paste, preferably with respect to the light extraction.

上記実施の形態では、金属柱及び補助金属柱をAl合金から構成した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment, the metal columns and the auxiliary metal pillar shown for example in which an Al alloy, the present invention is not limited to such an embodiment. 例えば、熱伝導性と導電性に優れた素材の表面に発光素子からの光を反射することが可能な金属メッキを施した金属柱及び補助金属柱を用いることもできる。 For example, it is also possible to use a thermal and electrical conductivity to excellent material metal column subjected to metal plating which is capable of reflecting light from the light emitting element to the surface and the auxiliary metal column. 金属柱の構成材料(素材)であって、熱伝導性に優れた素材として、例えば銅、鉄・ニッケル・コバルトの合金であるコバール(商標)及び、コバールと銅の合金等が挙げられる。 A metal column of the constituent material (Material), as an excellent material in heat conductivity, such as copper, is an alloy of iron-nickel-cobalt Kovar (TM) and include alloys of Kovar and copper. これらの素材は、通常の導電体よりも熱伝導性に優れているため、放熱性を向上して更なる高出力にも対応できる。 These materials are excellent in thermal conductivity than a normal conductor, in a further high power to improve heat dissipation can handle. 特に、金属柱及び補助金属柱の素材として、耐食性、耐摩耗性、メッキ性、ろう付け性、耐応力腐食割れ性、導電性、熱伝導性に優れ、プレス、曲げ、絞り等の加工性にも優れたりん青銅を用いることが好ましい。 In particular, as a material of the metal posts and the auxiliary metal columns, corrosion, wear resistance, plating resistance, brazeability, stress corrosion cracking resistance, electrical conductivity, excellent thermal conductivity, pressing, bending, processability iris etc. it is preferable to use a superior phosphor bronze also. また、上記の素材の表面にメッキを施す前に、予め銅ストライクメッキを施すことが好ましい。 Also, before plating the surface of the material, it is preferably subjected to pre-copper strike plating. このように、素材の酸化物を除去し、活性化とメッキを同時に行なうことにより、素材が密着性のよい銅皮膜で覆われ、この後のメッキの付き回りが改善されると同時に、耐食性も向上することができる。 Thus, to remove the oxide material, by carrying out activation and plating at the same time, material is covered with a good copper film adhesion, and at the same time around attached plating after this is improved, corrosion resistance it can be improved. さらに、メッキ浴中への素材金属の溶解も防ぐことができ、浴の汚染を防止することもできる。 Moreover, the dissolution of the material metal in the plating bath can also be prevented, it is possible to prevent contamination of the bath. このように表面処理された素材に、発光素子からの光を反射することが可能なメッキを有していることが好ましい。 In this way the surface treated material, it is preferable to have a plating capable of reflecting light from the light emitting element. 特にメッキとして、光沢度が90以上である導電性膜が設けられていることが好ましい。 Particularly plating, it is preferable that the conductive film gloss is 90 or more is provided. 上記光沢度は、JIS規格に基づき発光素子からの光を60°で入射したときの鏡面反射率が80%となる、屈折率1.567のガラス面を光沢度0と規定し、日本電色工業株式会社製VSR300A微小面色差計にて測定した値を用いることができる。 The glossiness, specular reflectance is 80% when the incident at 60 ° light from the light emitting element based on the JIS standard, a glass surface of refractive index 1.567 was defined as glossiness 0, Nippon Denshoku It may be a value measured at industry Co., Ltd .: VSR300A microfacet color difference meter. 具体的なメッキ主材料として、Au,Ag,及びAl等が挙げられる。 Specific plating main material, Au, Ag, and Al.

上記実施の形態では、1つの金属柱と2つの補助金属柱とを用いて発光装置を支持する例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment has shown an example that supports the light emitting device by using a single metal columns and two auxiliary metal columns, the present invention is not limited to such an embodiment. 例えば、2つの金属柱で発光装置を支持するようにしてもよい。 For example, it is also possible to support the light emitting device with two metal posts.

上記実施の形態では、発光素子を直流駆動又は交流駆動する例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment, the light-emitting device shown for example for DC drive or AC drive, the present invention is not limited to such an embodiment. 例えば、発光素子をパルス駆動してもよい。 For example, the light-emitting element may be pulsed.

上記実施の形態では、第1の発光素子及び第2の発光素子をそれぞれ複数個透明基体上に搭載した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment has shown an example equipped with a first light emitting element and the second light-emitting element in each plurality transparent substrate on, the present invention is not limited to such an embodiment. 第1の発光素子及び第2の発光素子の少なくとも一方の搭載数は単数であってもよい。 At least one of the number of mounted first light emitting element and the second light-emitting element may be one. 第1の発光素子及び第2の発光素子の搭載数は適宜設定できる。 Number of mounted first light emitting element and the second light-emitting element can be set as appropriate. 透明基体の表面上に搭載される第1の発光素子の数と、裏面上に搭載される第2の発光素子の数は同じ数であってもよいし、第1の発光素子の方が第2の発光素子より多くてもよい。 And number of first light emitting element mounted on the surface of the transparent substrate, the number of the second light-emitting element may be the same number that is mounted on the back surface, towards the first light emitting element is the it may be greater than 2 of the light-emitting element. さらに第2の発光素子の方が第1の発光素子より多くてもよい。 Further towards the second light-emitting element may be greater than the first light-emitting element.

発光素子の形状、層構造、電極構造等により、発光素子から出射される光量及び出射方向が異なるため、それらの違いを考慮して、透明基体の表面に搭載する第1の発光素子の数と、透明基体の裏面に搭載する第2の発光素子の数を変えることができる。 The shape of the light emitting element, the layer structure, the electrode structure or the like, the amount of light and the emission direction is emitted from the light emitting element is different, taking into account the differences between them, the number of first light emitting element to be mounted on the surface of the transparent substrate , it is possible to change the number of the second light-emitting element to be mounted on the rear surface of the transparent substrate. 異なる数を搭載することで、自由に、発光装置の光量と、その出射方向を制御できる。 By mounting a different number can be freely control the light amount of the light-emitting device, the emission direction. 上記実施の形態では、第1の発光素子の数を第2の発光素子の数より多くした例について示した。 In the above embodiment, showing an example in which the number of first light emitting element is greater than the number of the second light-emitting element. そのため、照明装置である電球の上部方向に出射される光を多くできる。 Therefore, it increase the light emitted toward the top of the bulb is a lighting device. 逆に、透明基体の裏面上に搭載される第2の発光素子の数を表面上に搭載される第1の発光素子の数より多くすることにより、下部方向に出射される光を多くすることができる。 Conversely, by more than the number of first light emitting elements mounted a number of the second light-emitting element mounted on the back surface of the transparent substrate on the surface, to increase the light emitted in the lower direction can.

さらに、透明基体の表面と裏面とに異なる数の発光素子を搭載した場合に、発光素子の上に形成される、第1の封止樹脂層及び第2の封止樹脂層に含まれる蛍光体の量を変えることにより、発光装置の上部方向と下部方向に出射される光の色度をほぼ同じにすることもできる。 Furthermore, when equipped with a different number of light emitting elements on the surface of the transparent substrate and the back surface, is formed on the light emitting element, the phosphor included in the first sealing resin layer and the second sealing resin layer by varying the amount of, the chromaticity of the light emitted in the upper direction and lower direction of the light emitting device can be substantially the same. このように色度を同じにすることで、より均一な発光色を有する広角度放射発光装置を作製できる。 Thus, by the same chromaticity, it can produce a wide angle radiation emitting device having a more uniform emission colors. さらに、意図的に、第1の封止樹脂層と第2の封止樹脂層とに含まれる蛍光体の量を変えて、発光装置の上部方向と下部方向に出射される光の色度変えてもよい。 Moreover, intentionally, by changing the amount of phosphor contained in the first sealing resin layer and the second sealing resin layer, changing the chromaticity of the light emitted in the upper direction and lower direction of the light emitting device it may be. 第1の封止樹脂層と第2の封止樹脂層とに含まれる蛍光体が異なっていてもよい。 Phosphor may be different included in the first sealing resin layer and the second sealing resin layer. 例えば、上述した蛍光体群から選ばれた異なる蛍光体が含まれ、第1の封止樹脂層には緑色蛍光体、第2の封止樹脂層には赤色蛍光体等の異なる種類の蛍光体を含有させてもよい。 For example, contain different phosphors selected from the phosphor group described above, the green phosphor in the first sealing resin layer, different types of phosphors red phosphor or the like in the second sealing resin layer it may be contained.

上記実施の形態において、透明基体に搭載される複数の発光素子は、全て同じ種類の発光素子としてもよいし、異なる種類の発光素子を含むようにしてもよい。 In the above embodiment, a plurality of light emitting elements mounted on a transparent substrate, all may be the same kind of light-emitting elements, it may include different types of light-emitting elements.

上記実施の形態では、透明基体に搭載される複数の発光素子を、透明基体の表面及び裏面においてそれぞれ直並列に接続した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment, a plurality of light emitting elements mounted on a transparent substrate, is shown an example connected in series-parallel, respectively, in the front and back surfaces of the transparent substrate, the present invention is not limited to such an embodiment . 例えば、透明基体の表面に搭載される複数の第1の発光素子を全て直列接続にしてもよいし、全て並列接続にしてもよい。 For example, a plurality of first light-emitting element mounted on the surface of the transparent substrate all may be connected in series, it may be all connected in parallel. 透明基体の裏面に搭載される複数の第2の発光素子についても、全て直列接続にしてもよいし、全て並列接続にしてもよい。 For even a plurality of second light-emitting element mounted on the rear surface of the transparent substrate, all may be connected in series, it may be all connected in parallel. なお、1つの駆動回路で第1の発光素子及び第2の発光素子を駆動する場合は、直接接続されている発光素子の接続数は同じになるように構成されているのが好ましい。 In the case of driving the first light emitting element and the second light-emitting element in one driving circuit is preferably the connections of the light emitting elements are directly connected and is configured to be the same.

上記実施の形態において、透明基体の表面に搭載される第1の発光素子と裏面に搭載される第2の発光素子とを別系統で駆動させるようにしてもよい。 In the above embodiment, it may be made to drive the second light-emitting element mounted on the first light emitting element and the rear surface that is mounted on the surface of the transparent substrate on a separate line. すなわち、第1の発光素子と第2の発光素子とを別々の駆動回路で駆動させるようにしてもよい。 That is, a first light emitting element and a second light-emitting element may be driven at different drive circuits. この場合、透明基体の表面側の発光素子と裏面側の発光素子とで直列接続の接続数を異ならせることができる。 In this case, it is possible to vary the number of connections connected in series with the light emitting element and the back surface side of the light-emitting element of surface of the transparent substrate. 第1の発光素子の搭載数と第2の発光素子の搭載数とが異なる場合でも容易に発光装置を作製することが可能となる。 It is possible to mount the number of the first light emitting element and the mounting number of the second light-emitting element is easily manufactured light emitting device, even if different. 一例として、透明基体の表面上に第1の発光素子を18個搭載し、透明基体の裏面上に第2の発光素子を8個搭載した発光装置を作製することができる。 As an example, it is possible to a first light emitting element and 18 mounted on the surface of the transparent substrate, to produce a light-emitting device of the second light-emitting element is 8 mounted on the rear surface of the transparent substrate.

上記実施の形態では、金属柱及び補助金属柱にリード端子(リード線(導入線))としての機能を持たせた例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment has shown an example have a function of an lead terminal metal column and the auxiliary metal pillar (lead (lead-in wires)), the present invention is not limited to such an embodiment. 金属柱及び補助金属柱にリード端子としての機能を持たさずに、別途リード線(導入線)等を設けるようにしてもよい。 Without Motasa the function as lead terminals to metal column and the auxiliary metal columns, may be separately provided a lead wire (lead wire) or the like. このように構成した場合、第1の発光素子と第2の発光素子とを別々の駆動回路で容易に駆動させることができる。 In such a configuration, it is possible to easily driven with the first light emitting element and a second light-emitting element in separate driving circuit. さらに、例えば金属柱にはリード端子としての機能を持たさずに、2つの補助金属柱にリード端子(導入線)としての機能を持たせた構成とすることもできる。 Furthermore, for example, the metal column is without Motasa the function as lead terminals, it is also possible to have a function as a lead to the two auxiliary metal pole terminal (lead wire).

上記実施の形態では、平面図的に見て、第1の発光素子と第2の発光素子とが全く重ならないように各発光素子を搭載した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment, in a plan view diagrammatically, but the first light emitting element and the second light-emitting element is shown for example in mounting the respective light emitting elements so as not to overlap at all, the present invention is such an the mode is not limited. 例えば、平面図的に見て、第1の発光素子と第2の発光素子とが一部重なった状態で搭載されていてもよい。 For example, in plan view diagrammatically, a first light emitting element and the second light-emitting element may be mounted in some overlapping state.

上記実施の形態では、透明基体を、平面図的に見て略矩形状に形成した例について示したが本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment, the transparent substrate, is shown an example which is formed in a substantially rectangular shape in plan view diagrammatically present invention is not limited to such an embodiment. 透明基体の形状は矩形状以外の形状であってもよい。 The shape of the transparent substrate may be a shape other than rectangular shape. 例えば、図15に示すように、透明基体を平面図的に見て円形状に形成することもできる。 For example, as shown in FIG. 15, it may be formed in a circular shape the transparent substrate in plan view diagrammatically. 図15を参照して、本発明の変形例に係る発光装置は、円形状の透明基体810を含む。 Referring to FIG. 15, the light emitting device according to a modification of the present invention, includes a circular transparent substrate 810. 透明基体810の表面上には複数の第1の発光素子100aが搭載されている。 The first light emitting element 100a on the surface of the plurality of the transparent substrate 810 is mounted. 透明基体810の裏面上には複数の第2の発光素子100bが搭載されている。 A plurality of second light-emitting element 100b is on the back surface of the transparent substrate 810 is mounted. 第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが同じ向きに搭載されていない場合、すなわち綺麗に並んでいない場合、チップ間距離は発光素子同士(チップ同士)の最も近い距離をZとして規定する。 If a first light emitting element 100a and the second light-emitting element 100b is not mounted in the same direction, that is, when not aligned neatly, the distance between chips is the closest distance of the light emitting devices from each other (chips) as Z regulatory. この場合には、第1の発光素子100aと第2の発光素子100bとが平面図的に見て完全に重なり合うことはないが、チップ間距離ZはZ>0であるのが好ましい。 In this case, although the first light-emitting element 100a and the second light-emitting element 100b is never completely overlapped in a plan view diagrammatically, the distance between chips Z is preferably Z> 0. なお、このような円形状の透明基体810を用いる場合、第1の発光素子及び第2の発光素子は図15に示すような円形状(同心円状)に配置してもよい。 In the case of using such a circular transparent substrate 810, a first light emitting element and the second light-emitting element may be arranged in a circle (concentric) as shown in FIG. 15.

上記実施の形態では、透明基体に金属柱及び補助金属柱をネジ止め固体した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the above embodiment has shown an example where the metal columns and the auxiliary metal pillar and screwed solid transparent substrate, the present invention is not limited to such an embodiment. 金属柱及び補助金属柱の固定方法として、ネジ止め以外に、例えばリベット、かしめ、溶接、接着、係止、係合及び嵌合等の他の固定方法を用いてもよい。 As a method of fixing metal columns and auxiliary metal columns, besides screws, for example rivets, swaging, welding, gluing, locking, may use other fixing methods, such as engagement and engagement. なお、上記実施の形態において、透明基体に形成された貫通孔の内側面上に、表面側の電極パッドと裏面側の電極パッドとを電気的に接続する接続部を形成する構成としてもよい。 In the above embodiment, on the inner surface of the formed transparent substrate through-hole may be an electrode pad on the surface side of the electrode pad and the back side configured so as to form a connecting portion for electrically connecting. この場合、貫通孔に金属柱及び補助金属柱を挿入することによって、金属柱及び補助金属柱と電極パッドとを電気的に接続することができる。 In this case, by inserting a metal pole and auxiliary metal pillar in the through hole, it is possible to electrically connect the electrode pads metal column and the auxiliary metal column.

上記実施の形態において、発光素子の素子構成は適宜変更することができる。 In the above embodiment, the element structure of the light-emitting element can be changed as appropriate. 例えば、第1の実施の形態では、発光素子の透明電極にITOからなる透明電極を用いた例について示したが、透明電極はITO以外に例えばIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電膜を用いることもできる。 For example, in the first embodiment shows an example of using a transparent electrode made of ITO transparent electrode of the light emitting element, the transparent electrode is a transparent conductive film such as, for example, IZO (Indium Zinc Oxide) in addition to ITO it is also possible. また、発光素子のn側電極は上記以外に例えばW/Al、Ti/Al、Ti/Al/Ni/Au、W/Al/WPt/Au及びAl/Pt/Au等であってもよい。 Further, n-side electrode of the light emitting elements may be other than the above example W / Al, Ti / Al, Ti / Al / Ni / Au, W / Al / WPt / Au and Al / Pt / Au or the like.

上記第2の実施の形態では、透明基体の表面上に青色光を出射する発光素子を搭載し、透明基体の裏面上に赤色光を出射する発光素子を搭載した例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the second embodiment, equipped with a light emitting element that emits blue light on the surface of the transparent substrate, it is shown an example provided with the light-emitting element that emits red light on the back surface of the transparent substrate, the present invention It is not limited to such an embodiment. 例えば、透明基体の表面上に赤色光を出射する発光素子を搭載し、透明基体の裏面上に青色光を出射する発光素子を搭載するようにしてもよい。 For example, mounting a light emitting element that emits red light on the surface of the transparent substrate, it may be mounted a light emitting element that emits blue light on the back surface of the transparent substrate. さらに、透明基体の表面上及び裏面上の少なくとも一方に青色光を出射する発光素子と赤色光を出射する発光素子とを混在させて搭載してもよい。 Furthermore, it may be mounted mix a light emitting element for emitting a light emitting element and the red light emitted blue light on at least one of the surface and the back surface of the transparent substrate. さらに、赤色光を出射する発光素子及び青色光を出射する発光素子以外の発光素子を透明基体上に搭載するようにしてもよい。 Further, the light-emitting elements other than light-emitting element that emits a light emitting element and the blue light emitting red light may be mounted on a transparent substrate.

上記第3の実施の形態では、透明封止樹脂層を蛍光体が含有しない構成とした例について示したが、本発明はそのような実施の形態には限定されない。 In the third embodiment, the phosphor transparent sealing resin layer showed an example in which a non structure containing the present invention is not limited to such an embodiment. 透明封止樹脂層に蛍光体を含有させた構成とすることもできる。 It can be configured which contains the phosphor to the transparent sealing resin layer. さらに透明封止樹脂層の一部(例えば透明基体の表面側及び裏面側の一方)に蛍光体を分散させた構成としてもよい。 The phosphor may have a configuration in which is dispersed further part of the transparent sealing resin layer (e.g., one of the first surface and the second surface of the transparent substrate).

本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。 Each element constituting the present invention may be a mode in which serves a plurality of elements in one of the members constituting the plurality of elements with the same members, shared by a plurality of members functions of one member in the opposite It is realized Te can be.

上記で開示された技術を適宜組合せて得られる実施の形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。 For even the embodiments obtained by appropriately combining the techniques disclosed above, it included in the technical scope of the present invention.

今回開示された実施の形態は単に例示であって、この発明が上記した実施の形態のみに制限されるわけではない。 The embodiments disclosed herein are illustrative only and the invention is not limited only to the above embodiments. この発明の範囲は、発明の詳細な説明の記載を参酌した上で、特許請求の範囲の各請求項によって示され、そこに記載された文言と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含む。 Scope of this invention, after consideration of the description of the detailed description of the invention being indicated by the following claims, all the modifications within the meaning and range equivalent to the wording described therein including.

50、750 照明装置 100、510 発光素子 110 成長基板 120 n型層 130 発光層 140 p型層 200、200A、500、600 発光装置 210、810 透明基体 212 一方の主面、表面 214 他方の主面、裏面 250 封止樹脂層 260 蛍光粒子 300 金属柱 310 補助金属柱 650 透明封止樹脂層 760 AC駆動回路 50,750 lighting device 100,510 emitting element 110 growth substrate 120 n-type layer 130 emitting layer 140 p-type layer 200, 200A, 500, 600 light emitting device 210 and 810 transparent substrate 212 one major surface, the surface 214 other main surface , the back surface 250 a sealing resin layer 260 phosphor particles 300 metal columns 310 auxiliary metal pillar 650 transparent sealing resin layer 760 AC drive circuit

Claims (8)

  1. 一方の主面及び前記一方の主面とは反対側の他方の主面を有し、かつ、透光性を有する透明基体と、 The one principal surface and said one main surface has the other main surface on the opposite side, and a transparent substrate having a light transmitting property,
    前記透明基体における前記一方の主面上に搭載される第1の発光素子と、 A first light emitting element mounted on the one on the main surface of the transparent substrate,
    前記透明基体における前記他方の主面上に搭載され、前記主面に直交する方向から見た場合に、前記第1の発光素子が搭載される位置からずれた位置に配される第2の発光素子とを含む、発光装置。 Wherein mounted on the other on the main surface of the transparent substrate, when viewed from a direction perpendicular to the main surface, a second light-emitting which is disposed at a position where the first light emitting element is shifted from the position to be mounted and a device, the light emitting device.
  2. 前記透明基体を前記主面に直交する方向から見た場合に、前記第1の発光素子と当該第1の発光素子に隣接する第2の発光素子とを隔てる距離が0より大きい、請求項1に記載の発光装置。 Wherein when the transparent substrate is viewed from a direction perpendicular to the main surface, the second distance is greater than 0 separating the light-emitting element adjacent to the first light emitting element and the first light emitting device, according to claim 1 the light emitting device according to.
  3. 前記隔てる距離は50μmより大きい、請求項2に記載の発光装置。 The separating distance is larger than 50 [mu] m, the light emitting device according to claim 2.
  4. 蛍光体を含有し、前記第1の発光素子及び前記第2の発光素子を封止する透明樹脂層をさらに含む、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の発光装置。 It contains a phosphor, further comprising a first light emitting element and a transparent resin layer for sealing said second light-emitting element, a light-emitting device according to any one of claims 1 to 3.
  5. 前記透明樹脂層は、前記透明基体の前記一方の主面上及び前記他方の主面上に、それぞれ、前記一方の主面及び前記他方の主面を覆うように形成されている、請求項4に記載の発光装置。 The transparent resin layer is in the transparent on the one main surface of the substrate and the other on the main surface, respectively, wherein is formed so as to cover the one main surface and said other main surface, according to claim 4 the light emitting device according to.
  6. 前記透明基体の前記一方の主面上には、単数又は複数の前記第1の発光素子が搭載されており、 On the one main surface of the transparent substrate, one or more of the first light emitting element is mounted,
    前記透明基体の前記他方の主面上には、単数又は複数の前記第2の発光素子が搭載されており、 On the other main surface of the transparent substrate, one or more of the second light emitting element is mounted,
    前記第1の発光素子の搭載数と前記第2の発光素子の搭載数とが異なる、請求項1〜請求項5のいずれかに記載の発光装置。 It said first number of mounted light-emitting element and a mounting number of the second light emitting element are different, the light-emitting device according to any one of claims 1 to 5.
  7. 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の発光装置を含む、照明装置。 Including a light emitting device according to any one of claims 1 to 6, the lighting device.
  8. 前記第1の発光素子及び前記第2の発光素子を交流駆動するための交流駆動手段をさらに含む、請求項7に記載の照明装置。 Further comprising an AC drive means for AC driving the first light emitting element and the second light emitting element lighting device according to claim 7.


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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017018470A1 (en) * 2015-07-27 2017-02-02 国立研究開発法人理化学研究所 Light emitting device, light emitting system and method for manufacturing light emitting device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277808A (en) * 1999-03-23 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd Light source device and its manufacture
JP2004207649A (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Rohm Co Ltd Light emitting device and lighting device
JP2005217369A (en) * 2004-02-02 2005-08-11 Three M Innovative Properties Co Adhesive sheet for light-emitting-diode device, and light-emitting-diode device
JP2008251561A (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Toyoda Gosei Co Ltd Display
JP2009004698A (en) * 2007-06-25 2009-01-08 Kyocera Corp Illuminating light source
JP2009016058A (en) * 2007-06-29 2009-01-22 Toshiba Lighting & Technology Corp Illumination device, and illumination fixture using this
JP2013004560A (en) * 2011-06-13 2013-01-07 Citizen Electronics Co Ltd Led illumination unit

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277808A (en) * 1999-03-23 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd Light source device and its manufacture
JP2004207649A (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Rohm Co Ltd Light emitting device and lighting device
JP2005217369A (en) * 2004-02-02 2005-08-11 Three M Innovative Properties Co Adhesive sheet for light-emitting-diode device, and light-emitting-diode device
JP2008251561A (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Toyoda Gosei Co Ltd Display
JP2009004698A (en) * 2007-06-25 2009-01-08 Kyocera Corp Illuminating light source
JP2009016058A (en) * 2007-06-29 2009-01-22 Toshiba Lighting & Technology Corp Illumination device, and illumination fixture using this
JP2013004560A (en) * 2011-06-13 2013-01-07 Citizen Electronics Co Ltd Led illumination unit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017018470A1 (en) * 2015-07-27 2017-02-02 国立研究開発法人理化学研究所 Light emitting device, light emitting system and method for manufacturing light emitting device

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