JP2014022544A - Photoelectric conversion element and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光電変換素子および光電変換素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a photoelectric conversion element and a method for manufacturing the photoelectric conversion element.
太陽光エネルギを電気エネルギに直接変換する太陽電池は、近年、特に、地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池には、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類のものがあるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。 In recent years, a solar cell that directly converts solar energy into electric energy has been rapidly expected as a next-generation energy source particularly from the viewpoint of global environmental problems. There are various types of solar cells, such as those using compound semiconductors or organic materials, but the mainstream is currently using silicon crystals.
現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、太陽光が入射する側の面である受光面と、受光面の反対側である裏面とにそれぞれ電極が形成された構造のものである。 Currently, the most manufactured and sold solar cells have a structure in which electrodes are respectively formed on a light receiving surface that is a surface on which sunlight is incident and a back surface that is opposite to the light receiving surface.
しかしながら、受光面に電極を形成した場合には、電極における太陽光の反射および吸収があることから、電極の面積分だけ入射する太陽光の量が減少するため、裏面のみに電極が形成された太陽電池の開発が進められている(たとえば特許文献1参照)。 However, when an electrode is formed on the light-receiving surface, there is reflection and absorption of sunlight at the electrode, so the amount of sunlight incident by the area of the electrode is reduced, so the electrode is formed only on the back surface. Development of solar cells is underway (see, for example, Patent Document 1).
以下、図14〜図30の模式的断面図を参照して、裏面のみに電極が形成された太陽電池の製造方法の一例について説明する。まず、図14に示すように、受光面にテクスチャ構造(図示せず)が形成されたn型の単結晶シリコンからなるc−Si(n)基板101の裏面上に、i型の非晶質シリコン膜とp型の非晶質シリコン膜とがこの順序に積層されたa−Si(i/p)層102を形成する。
Hereinafter, an example of a method for manufacturing a solar cell in which an electrode is formed only on the back surface will be described with reference to schematic cross-sectional views of FIGS. First, as shown in FIG. 14, an i-type amorphous material is formed on the back surface of a c-Si (n)
次に、図15に示すように、c−Si(n)基板101の受光面上に、i型の非晶質シリコン膜とn型の非晶質シリコン膜とがこの順序に積層されたa−Si(i/n)層103を形成する。
Next, as shown in FIG. 15, on the light receiving surface of the c-Si (n)
次に、図16に示すように、a−Si(i/p)層102の一部の裏面上にフォトレジスト膜104を形成する。ここで、フォトレジスト膜104は、a−Si(i/p)層102の裏面の全面にフォトレジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってフォトレジストをパターンニングすることによって形成される。
Next, as illustrated in FIG. 16, a
次に、図17に示すように、フォトレジスト膜104をマスクとして、a−Si(i/p)層102の一部をエッチングすることによって、c−Si(n)基板101の裏面を露出させる。
Next, as shown in FIG. 17, the back surface of the c-Si (n)
次に、図18に示すように、フォトレジスト膜104を除去した後に、図19に示すように、フォトレジスト膜104を除去して露出したa−Si(i/p)層102の裏面およびエッチングにより露出したc−Si(n)基板101の裏面を覆うようにi型の非晶質シリコン膜とn型の非晶質シリコン膜とがこの順序に積層されたa−Si(i/n)層105を形成する。
Next, as shown in FIG. 18, after removing the
次に、図20に示すように、a−Si(i/n)層105の一部の裏面上にフォトレジスト膜106を形成する。ここで、フォトレジスト膜106は、a−Si(i/n)層105の裏面の全面にフォトレジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってフォトレジストをパターンニングすることによって形成される。
Next, as illustrated in FIG. 20, a
次に、図21に示すように、フォトレジスト膜106をマスクとして、a−Si(i/n)層105の一部をエッチングすることによって、a−Si(i/p)層102の裏面を露出させる。
Next, as shown in FIG. 21, the back surface of the a-Si (i / p)
次に、図22に示すように、フォトレジスト膜106を除去した後に、図23に示すように、フォトレジスト膜106を除去して露出したa−Si(i/n)層105の裏面およびエッチングにより露出したa−Si(i/p)層102の裏面を覆うように透明導電酸化膜107を形成する。
Next, as shown in FIG. 22, after removing the
次に、図24に示すように、透明導電酸化膜107の一部の裏面上にフォトレジスト膜108を形成する。ここで、フォトレジスト膜108は、透明導電酸化膜107の裏面の全面にフォトレジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってフォトレジストをパターンニングすることによって形成される。
Next, as shown in FIG. 24, a
次に、図25に示すように、フォトレジスト膜108をマスクとして、透明導電酸化膜107の一部をエッチングすることによって、a−Si(i/p)層102およびa−Si(i/n)層105の裏面を露出させる。
Next, as shown in FIG. 25, a part of the transparent
次に、図26に示すように、フォトレジスト膜108を除去した後に、図27に示すように、a−Si(i/p)層102およびa−Si(i/n)層105の露出した裏面および透明導電酸化膜107の一部の裏面を覆うようにフォトレジスト膜109を形成する。ここで、フォトレジスト膜109は、a−Si(i/p)層102およびa−Si(i/n)層105の露出した裏面および透明導電酸化膜107の裏面の全面にフォトレジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってフォトレジストをパターンニングすることによって形成される。
Next, as shown in FIG. 26, after removing the
次に、図28に示すように、透明導電酸化膜107およびフォトレジスト膜109の裏面全面に裏面電極層110を形成する。
Next, as shown in FIG. 28, a
次に、図29に示すように、透明導電酸化膜107の表面の一部のみに裏面電極層110を残すようにして、リフトオフによりフォトレジスト膜109および裏面電極層110を除去する。
Next, as shown in FIG. 29, the
次に、図30に示すように、a−Si(i/n)層103の表面上に反射防止膜111を形成する。
Next, as shown in FIG. 30, an
しかしながら、上記の太陽電池の製造方法においては、フォトレジストの塗布、ならびにフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるフォトレジストのパターンニングの工程を4回行なう必要があり、裏面のみに電極が形成された太陽電池の製造工程が非常に煩雑であるという問題があった。また、裏面のみに電極が形成された太陽電池の変換効率の向上も要望されている。 However, in the above solar cell manufacturing method, it is necessary to carry out the steps of coating the photoresist and patterning the photoresist by the photolithography technique and the etching technique four times, and the solar cell in which the electrode is formed only on the back surface. There is a problem that the manufacturing process is very complicated. There is also a demand for improving the conversion efficiency of solar cells in which electrodes are formed only on the back surface.
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、高い変換効率を有する光電変換素子を簡易な製造工程で製造することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element capable of manufacturing a photoelectric conversion element having high conversion efficiency by a simple manufacturing process and a method for manufacturing the photoelectric conversion element.
本発明は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面上に設けられた第2導電型の第1の非晶質膜と、を備え、半導体基板の表面には溝が設けられており、溝の底面には第1導電型の第2の非晶質膜が設けられており、溝の側壁には第2の非晶質膜が設けられていない箇所が存在する光電変換素子である。 The present invention includes a first conductivity type semiconductor substrate and a second conductivity type first amorphous film provided on one surface of the semiconductor substrate, and a groove is provided on the surface of the semiconductor substrate. Photoelectric conversion in which the second amorphous film of the first conductivity type is provided on the bottom surface of the groove and the second amorphous film is not provided on the sidewall of the groove. It is an element.
ここで、本発明の光電変換素子においては、半導体基板の表面と第1の非晶質膜との間および溝の底面と第2の非晶質膜との間のすべての領域にi型のノンドープ膜が設けられていることが好ましい。 Here, in the photoelectric conversion element of the present invention, i-type is formed in all regions between the surface of the semiconductor substrate and the first amorphous film and between the bottom surface of the groove and the second amorphous film. A non-doped film is preferably provided.
また、本発明の光電変換素子においては、第1の非晶質膜および第2の非晶質膜のすべてが電極層によって覆われていることが好ましい。 In the photoelectric conversion element of the present invention, it is preferable that all of the first amorphous film and the second amorphous film are covered with an electrode layer.
また、本発明の光電変換素子においては、半導体基板の表面の結晶面が{110}面であることが好ましい。 Moreover, in the photoelectric conversion element of this invention, it is preferable that the crystal plane of the surface of a semiconductor substrate is a {110} plane.
さらに、本発明は、第1導電型の半導体基板の一方の表面上に第2導電型の第1の非晶質膜を形成する工程と、第1の非晶質膜の一部および半導体基板の一部を除去することによって半導体基板の表面に底面と側壁とを有する溝を形成する工程と、第1の非晶質膜の残部上および溝の底面上に第1導電型の第2の非晶質膜を形成する工程と、第2の非晶質膜が形成された後の溝の少なくとも一部にマスク材を埋め込む工程と、マスク材によって被覆されていない第2の非晶質膜を除去する工程と、第2の非晶質膜を除去した後にマスク材を除去する工程と、マスク材を除去した後の半導体基板の表面側の全面に電極層を形成する工程と、溝の側壁上の電極層の少なくとも一部を除去する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法である。 The present invention further includes a step of forming a second conductive type first amorphous film on one surface of the first conductive type semiconductor substrate, a part of the first amorphous film, and the semiconductor substrate. Forming a groove having a bottom surface and a side wall on the surface of the semiconductor substrate by removing a part of the semiconductor substrate; and a second first conductivity type on the remaining portion of the first amorphous film and on the bottom surface of the groove. A step of forming an amorphous film, a step of embedding a mask material in at least a part of the groove after the formation of the second amorphous film, and a second amorphous film not covered with the mask material Removing the mask material after removing the second amorphous film, forming an electrode layer on the entire surface of the semiconductor substrate after removing the mask material, And a step of removing at least a part of the electrode layer on the side wall.
ここで、本発明の光電変換素子の製造方法において、溝を形成する工程は、第1の非晶質膜の一部をドライエッチングにより除去する工程と、第1の非晶質膜の一部の除去によって露出した半導体基板の部分をアルカリ溶液を用いたウエットエッチングにより除去する工程と、を含むことが好ましい。 Here, in the method for manufacturing a photoelectric conversion element of the present invention, the step of forming the groove includes a step of removing a part of the first amorphous film by dry etching and a part of the first amorphous film. And removing the exposed portion of the semiconductor substrate by wet etching using an alkaline solution.
また、本発明の光電変換素子の製造方法において、第2の非晶質膜を除去する工程は、第1の非晶質膜をエッチングストップ層として、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングによって行なわれることが好ましい。 In the method for manufacturing a photoelectric conversion element of the present invention, the step of removing the second amorphous film is performed by wet etching using an alkaline solution using the first amorphous film as an etching stop layer. Is preferred.
また、本発明の光電変換素子の製造方法は、半導体基板の表面の全面にi型の第1のノンドープ膜を形成する工程と、溝の底面の全面にi型の第2のノンドープ膜を形成する工程と、をさらに含み、第1のノンドープ膜を形成する工程は、第1の非晶質膜を形成する工程よりも前に行なわれ、第2のノンドープ膜を形成する工程は、第2の非晶質膜を形成する工程よりも前に行なわれることが好ましい。 The method for manufacturing a photoelectric conversion element according to the present invention includes a step of forming an i-type first non-doped film over the entire surface of the semiconductor substrate, and an i-type second non-doped film over the entire bottom surface of the groove. And the step of forming the first non-doped film is performed before the step of forming the first amorphous film, and the step of forming the second non-doped film includes the step of forming the second non-doped film. It is preferable to be performed before the step of forming the amorphous film.
また、本発明の光電変換素子の製造方法において、電極層を形成する工程は、半導体基板の表面側の全面にアルミニウム膜を形成する工程を含み、電極層を除去する工程は、塩酸を用いたウエットエッチングによって行なわれることが好ましい。 In the method for producing a photoelectric conversion element of the present invention, the step of forming the electrode layer includes a step of forming an aluminum film on the entire surface side of the semiconductor substrate, and the step of removing the electrode layer uses hydrochloric acid. It is preferably performed by wet etching.
また、本発明の光電変換素子の製造方法においては、マスク材がホットメルトであることが好ましい。 Moreover, in the manufacturing method of the photoelectric conversion element of this invention, it is preferable that a mask material is a hot melt.
本発明によれば、高い変換効率を有する光電変換素子を簡易な製造工程で製造することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photoelectric conversion element which can manufacture the photoelectric conversion element which has high conversion efficiency with a simple manufacturing process, and the manufacturing method of a photoelectric conversion element can be provided.
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。 Embodiments of the present invention will be described below. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.
図1に、本発明の光電変換素子の一例である実施の形態の光電変換素子の模式的な断面図を示す。実施の形態の光電変換素子は、n型単結晶シリコンからなる半導体基板1を有しており、半導体基板1の一方の表面である裏面の一部には、底面9aとその両側の側壁9bとを備えた溝9が設けられている。ここで、溝9は、図1の紙面の法線方向に伸長している。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a photoelectric conversion element according to an embodiment which is an example of the photoelectric conversion element of the present invention. The photoelectric conversion element of the embodiment has a
半導体基板1の裏面の溝9以外の領域上には、i型のアモルファスシリコンからなる第1のノンドープ膜5が設けられており、第1のノンドープ膜5上にはp型のアモルファスシリコンからなる第1の非晶質膜6が設けられている。
A first
半導体基板1の裏面の溝9の底面9a上には、i型のアモルファスシリコンからなる第2のノンドープ膜10が設けられており、第2のノンドープ膜10上にはn型のアモルファスシリコンからなる第2の非晶質膜11が設けられている。
A second
また、第2のノンドープ膜10および第2の非晶質膜11は、溝9の側壁9bの一部にのみ設けられているため、溝9の側壁9bには、第2のノンドープ膜10および第2の非晶質膜11が設けられていない箇所が存在している。
Further, since the second
第1の非晶質膜6の全裏面上および第2の非晶質膜11の全裏面上には、第1の電極層13が設けられており、第1の電極層13の全裏面上には第2の電極層14が設けられている。
A
また、半導体基板1の他方の表面である受光面(裏面の反対側の表面)の全面上には、i型のアモルファスシリコンからなる第3のノンドープ膜2が設けられており、第3のノンドープ膜2の全面上にはn型のアモルファスシリコンからなる第3の非晶質膜3が設けられている。さらに、第3の非晶質膜3の全面上には反射防止膜4が設けられている。
A third
以上の構造を有する実施の形態の光電変換素子においては、半導体基板1の裏面と第1の非晶質膜6の裏面との間には第1のノンドープ膜5が設けられており、溝9の底面9aと第2の非晶質膜11の裏面との間には第2のノンドープ膜10が設けられている。
In the photoelectric conversion element of the embodiment having the above structure, the first
したがって、実施の形態の光電変換素子においては、半導体基板1の裏面と第1の非晶質膜6の裏面との間、および溝9の底面9aと第2の非晶質膜11の裏面との間のすべての領域にi型のノンドープ膜が設けられている。
Therefore, in the photoelectric conversion element of the embodiment, between the back surface of the
また、実施の形態の光電変換素子においては、第1の非晶質膜6の全裏面上および第2の非晶質膜11の全裏面上に第1の電極層13と第2の電極層14との積層体が設けられていることから、第1の非晶質膜6および第2の非晶質膜11のすべてが電極層によって覆われている。
In the photoelectric conversion element of the embodiment, the
以下、図2〜図13の模式的断面図を参照して、実施の形態の光電変換素子の製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、n型単結晶シリコンからなる半導体基板1の受光面の全面に、i型のアモルファスシリコンからなる第3のノンドープ膜2およびn型のアモルファスシリコンからなる第3の非晶質膜3を、この順序で、たとえばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により積層する。
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the photoelectric conversion element of the embodiment will be described with reference to schematic cross-sectional views of FIGS. First, as shown in FIG. 2, a third
半導体基板1としてはn型単結晶シリコンからなる基板に限定されず、たとえば従来から公知の半導体基板などを用いてもよい。また、半導体基板1としては、たとえば予め半導体基板1の受光面にテクスチャ構造(図示せず)が形成された半導体基板などを用いてもよい。
The
半導体基板1の厚さは、特に限定されないが、たとえば100μm以上300μm以下とすることができ、好ましくは100μm以上200μm以下とすることができる。また、半導体基板1の比抵抗も、特に限定されないが、たとえば0.1Ω・cm以上1Ω・cm以下とすることができる。
Although the thickness of the
第3のノンドープ膜2としてはi型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第3のノンドープ膜2の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
The third
第3の非晶質膜3としてはn型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のn型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第3の非晶質膜3の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
The third
また、第3の非晶質膜3に含まれるn型不純物としては、たとえばリンを用いることができ、第3の非晶質膜3のn型不純物濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。
As the n-type impurity contained in the third
なお、本明細書において「i型」とは、n型またはp型の不純物を意図的にドーピングしていないことを意味しており、たとえば光電変換素子の作製後にn型またはp型の不純物が不可避的に拡散することなどによってn型またはp型の導電型を示すこともあり得る。 Note that “i-type” in this specification means that n-type or p-type impurities are not intentionally doped. For example, after manufacturing a photoelectric conversion element, n-type or p-type impurities are not present. Inevitable diffusion may cause n-type or p-type conductivity.
また、本明細書において「アモルファスシリコン」には、水素化アモルファスシリコンなどのシリコン原子の未結合手(ダングリングボンド)が水素で終端されたものも含まれる。 In the present specification, “amorphous silicon” includes hydrogen atoms terminated with dangling bonds of silicon atoms such as amorphous silicon hydride.
次に、図3に示すように、第3の非晶質膜3の全面に反射防止膜4をたとえばスパッタリング法により積層する。
Next, as shown in FIG. 3, an
反射防止膜4としては、たとえば窒化シリコン膜などを用いることができ、反射防止膜4の厚さは、たとえば100nm程度とすることができる。
As the
次に、図4に示すように、半導体基板1の裏面の全面上に、i型のアモルファスシリコンからなる第1のノンドープ膜5およびp型のアモルファスシリコンからなる第1の非晶質膜6を、この順序で、たとえばプラズマCVD法により積層する。
Next, as shown in FIG. 4, a first
第1のノンドープ膜5としてはi型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第1のノンドープ膜5の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
The first
第1の非晶質膜6としてはp型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のp型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第1の非晶質膜6の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
The first
また、第1の非晶質膜6に含まれるp型不純物としては、たとえばボロンを用いることができ、第1の非晶質膜6のp型不純物濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。
As the p-type impurity contained in the first
次に、図5に示すように、第1の非晶質膜6の裏面上に、開口部8を備えた耐アルカリ性のレジスト膜7を形成する。
Next, as shown in FIG. 5, an alkali-resistant resist
ここで、レジスト膜7は、特に限定されないが、たとえば、耐アルカリ性のレジストインクをインクジェット法により、開口部8の形成箇所以外の箇所に印刷し、それを乾燥させることにより形成したものなどを用いることができる。
Here, the resist
次に、図6に示すように、レジスト膜7の開口部8から露出している第1のノンドープ膜5および第1の非晶質膜6を除去し、その後、半導体基板1の裏面の一部を除去することによって、底面9aと底面9aの両側から半導体基板1の厚さ方向に伸長する側壁9bとからなる溝9を形成する。
Next, as shown in FIG. 6, the first
ここで、第1のノンドープ膜5および第1の非晶質膜6を除去する方法としては、ドライエッチングを用いることが好ましく、半導体基板1の裏面の一部を除去する方法としては、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングを用いることが好ましい。第1のノンドープ膜5、第1の非晶質膜6および半導体基板1の裏面の一部をすべてドライエッチングにより除去することもできるが、この場合には、時間およびコストがかかるとともに半導体基板1にダメージが形成されるおそれがある。また、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングでは、n型の半導体基板1は除去することができるが、p型の第1の非晶質膜6を除去することができない。
Here, as a method of removing the first
ここで、アルカリ溶液としては、たとえば水酸化カリウム水溶液または水酸化ナトリウム水溶液などを好適に用いることができる。 Here, as the alkaline solution, for example, a potassium hydroxide aqueous solution or a sodium hydroxide aqueous solution can be suitably used.
また、溝9の深さDは、特に限定されないが、たとえば5μm以下とすることができる。
Further, the depth D of the
また、半導体基板1の裏面の結晶面は{110}面であることが好ましい。たとえば半導体基板1の裏面の結晶面が{100}面である場合には、上記のアルカリ溶液を用いたウエットエッチングによって、通常のテクスチャエッチングのように、溝9の底面9aに{111}面を有するピラミッド状の凹凸が形成されやすいが、半導体基板1の裏面の結晶面を{110}面とした場合には、溝9の底面9aを平坦な{110}面とし、溝9の側壁9bを平坦な{111}面とすることができる。
Moreover, it is preferable that the crystal plane of the back surface of the
次に、図7に示すように、レジスト膜7を除去し、その後洗浄する。
次に、図8に示すように、上記除去の残部となる第1の非晶質膜6の裏面上および溝9の底面9a上に、i型のアモルファスシリコンからなる第2のノンドープ膜10およびn型のアモルファスシリコンからなる第2の非晶質膜11を、この順序で、たとえばプラズマCVD法により積層する。
Next, as shown in FIG. 7, the resist
Next, as shown in FIG. 8, on the back surface of the first
第2のノンドープ膜10としてはi型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のi型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第2のノンドープ膜10の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
The second
第2の非晶質膜11としてはn型のアモルファスシリコンからなる膜に限定されず、たとえば従来から公知のn型のアモルファス半導体膜などを用いてもよい。第2の非晶質膜11の厚さは、特に限定されないが、たとえば5nm以上10nm以下とすることができる。
The second
また、第2の非晶質膜11に含まれるn型不純物としては、たとえばリンを用いることができ、第2の非晶質膜11のn型不純物濃度は、たとえば5×1019個/cm3程度とすることができる。
As the n-type impurity contained in the second
次に、図9に示すように、溝9の少なくとも一部にマスク材12を埋め込む。ここで、マスク材12による溝9の埋め込みは、たとえば、マスク材12を加熱して溶融状態とし、それをインクジェット法により、溝9を埋め込むように選択的に塗布して、冷却して固化状態とした後に乾燥させることにより行なうことができる。
Next, as shown in FIG. 9, a
ここで、マスク材12としては、後述する第2のノンドープ膜10および第2の非晶質膜11のエッチングマスクとして機能するものであれば特に限定されないが、なかでもホットメルト接着剤を用いることが好ましい。なお、ホットメルト接着剤は、常温では固体状態であるが、加熱により溶融状態となり、塗布後の滲みが少ないという特性を有する。
Here, the
次に、図10に示すように、マスク材12によって被覆されていない第2のノンドープ膜10および第2の非晶質膜11を除去する。
Next, as shown in FIG. 10, the second
第2のノンドープ膜10および第2の非晶質膜11を除去する方法としては、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングを用いることが好ましい。すなわち、p型の第1の非晶質膜6は、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングでは除去されないため、第1の非晶質膜6がエッチングストップ層として機能して、マスク材12によって被覆されていない第2のノンドープ膜10および第2の非晶質膜11が除去される。一方、マスク材12は、エッチングマスクとして機能するため、マスク材12で被覆された第2のノンドープ膜10および第2の非晶質膜11については除去されない。
As a method for removing the second
ここで、アルカリ溶液としては、たとえば水酸化カリウム水溶液または水酸化ナトリウム水溶液などを好適に用いることができる。 Here, as the alkaline solution, for example, a potassium hydroxide aqueous solution or a sodium hydroxide aqueous solution can be suitably used.
次に、図11に示すように、マスク材12を除去し、その後洗浄する。
マスク材12を除去する方法は、特に限定されないが、たとえばマスク材12がホットメルト接着剤からなる場合には、マスク材12を温水に浸漬して剥離する方法などが挙げられる。
Next, as shown in FIG. 11, the
A method for removing the
次に、図12に示すように、マスク材12を除去した後の半導体基板1の裏面側の全面に第1の電極層13を形成する工程を行なう。これにより、第1の電極層13は、第1の非晶質膜6の裏面の全面と、溝9の側壁9bの全面とを覆うようにして形成される。
Next, as shown in FIG. 12, a step of forming the
第1の電極層13としては、導電性を有する材料を用いることができ、たとえばITO(Indium Tin Oxide)などを用いることができる。
As the
第1の電極層13は、たとえばスパッタリング法により形成することができ、第1の電極層13の厚さt1は、たとえば80nm以下とすることができる。
The
次に、図13に示すように、第1の電極層13の裏面の全面上に第2の電極層14を形成する工程を行なう。
Next, as shown in FIG. 13, a step of forming the
第2の電極層14としては、導電性を有する材料を用いることができ、たとえばアルミニウムなどを用いることができる。
As the
第2の電極層14は、たとえばスパッタリング法により形成することができ、第2の電極層14の厚さt2は、たとえば0.5μm以下とすることができる。
The
その後、図1に示すように、溝9の側壁9b上の第1の電極層13および第2の電極層14を除去する。
Thereafter, as shown in FIG. 1, the
第1の電極層13および第2の電極層14を除去する方法は、特に限定されないが、塩酸を用いたウエットエッチングによって行なうことが好ましい。すなわち、溝9の側壁9b上の第1の電極層13および第2の電極層14の厚さは、溝9の側壁9以外の部分に付着した第1の電極層13および第2の電極層14の厚さと比べて薄いため、エッチング速度およびエッチング時間をコントロールすることによって、溝9の側壁9b上の第1の電極層13および第2の電極層14を選択的に除去することが可能である。
The method for removing the
本実施の形態によれば、図14〜図30に示される方法のように、フォトレジストの塗布ならびにフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるフォトレジストのパターンニングの工程を4回も行なう必要がないため、より簡易な製造工程で光電変換素子を製造することができる。 According to this embodiment, unlike the method shown in FIGS. 14 to 30, it is not necessary to perform the photoresist coating process and the photoresist patterning process by the photolithography technique and the etching technique as many as four times. A photoelectric conversion element can be manufactured by a simpler manufacturing process.
また、本実施の形態においては、最初のレジスト膜7の形成位置を基準としたセルフアラインによって、半導体基板1の裏面の全面に形成されたアモルファス膜(第1の非晶質膜6および第2の非晶質膜11)を覆う電極(p電極およびn電極)を形成することができる。すなわち、半導体基板1の裏面のp電極(p型の第1の非晶質膜6上の電極)およびn電極(n型の第2の非晶質膜11上の電極)をパターンニングする必要がない。
In the present embodiment, the amorphous films (the first
また、本実施の形態においては、p電極およびn電極を半導体基板1の厚さ方向の異なる位置に形成しているため、半導体基板1の裏面におけるp電極とn電極との間の隙間を小さくすることができるとともに、このような隙間の小さいp電極とn電極とを形成するための精密なパターンニングをする必要がない。ここで、アモルファス膜(第1の非晶質膜6および第2の非晶質膜11)は水平方向(膜の面方向)には電流が流れにくいため、半導体基板1の裏面のp電極とn電極との間の隙間はできるだけ小さい方が高い変換効率を有する光電変換素子を得る観点からは好ましい。
In the present embodiment, since the p electrode and the n electrode are formed at different positions in the thickness direction of the
さらに、本実施の形態においては、半導体基板1の裏面全面をp電極とn電極とで覆うことができるため、半導体基板1の受光面側から入射した光のうち吸収されずに半導体基板1の裏面側に透過してきた光をp電極およびn電極で反射することができる。これにより、本実施の形態においては、図30に示す構造を有する太陽電池よりも高い変換効率を有する光電変換素子を得ることができる。
Further, in the present embodiment, since the entire back surface of the
以上の理由により、本実施の形態においては、高い変換効率を有する光電変換素子を簡易な製造工程で製造することができる。 For the above reasons, in this embodiment, a photoelectric conversion element having high conversion efficiency can be manufactured by a simple manufacturing process.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
本発明は、光電変換素子および光電変換素子の製造方法に利用することができる。 The present invention can be used for a photoelectric conversion element and a method for manufacturing the photoelectric conversion element.
1 半導体基板、2 第3のノンドープ膜、3 第3の非晶質膜、4 反射防止膜、5 第1のノンドープ膜、6 第1の非晶質膜、7 レジスト膜、8 開口部、9 溝、9a 底面、9b 側壁、10 第2のノンドープ膜、11 第2の非晶質膜、12 マスク材、13 第1の電極層、14 第2の電極層、101 c−Si(n)基板、102 a−Si(i/p)層、103 a−Si(i/n)層、104 フォトレジスト膜、105 a−Si(i/n)層、106 フォトレジスト膜、107 透明導電酸化膜、108,109 フォトレジスト膜、110 裏面電極層、111 反射防止膜。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記半導体基板の一方の表面上に設けられた第2導電型の第1の非晶質膜と、を備え、
前記半導体基板の前記表面には溝が設けられており、
前記溝の底面には第1導電型の第2の非晶質膜が設けられており、前記溝の側壁には前記第2の非晶質膜が設けられていない箇所が存在する、光電変換素子。 A first conductivity type semiconductor substrate;
A second conductive type first amorphous film provided on one surface of the semiconductor substrate,
The surface of the semiconductor substrate is provided with a groove,
A photoelectric conversion in which a second amorphous film of the first conductivity type is provided on the bottom surface of the groove, and a portion where the second amorphous film is not provided is present on the side wall of the groove. element.
前記第1の非晶質膜の一部および前記半導体基板の一部を除去することによって前記半導体基板の前記表面に底面と側壁とを有する溝を形成する工程と、
前記第1の非晶質膜の残部上および前記溝の底面上に第1導電型の第2の非晶質膜を形成する工程と、
前記第2の非晶質膜が形成された後の前記溝の少なくとも一部にマスク材を埋め込む工程と、
前記マスク材によって被覆されていない前記第2の非晶質膜を除去する工程と、
前記第2の非晶質膜を除去した後に前記マスク材を除去する工程と、
前記マスク材を除去した後の前記半導体基板の前記表面側の全面に電極層を形成する工程と、
前記溝の側壁上の前記電極層の少なくとも一部を除去する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。 Forming a second conductive type first amorphous film on one surface of the first conductive type semiconductor substrate;
Forming a groove having a bottom surface and a side wall on the surface of the semiconductor substrate by removing a portion of the first amorphous film and a portion of the semiconductor substrate;
Forming a first conductive type second amorphous film on the remaining portion of the first amorphous film and on the bottom surface of the groove;
Burying a mask material in at least a part of the groove after the second amorphous film is formed;
Removing the second amorphous film not covered with the mask material;
Removing the mask material after removing the second amorphous film;
Forming an electrode layer over the entire surface of the semiconductor substrate after removing the mask material;
Removing at least a part of the electrode layer on the side wall of the groove.
前記第1のノンドープ膜を形成する工程は、前記第1の非晶質膜を形成する工程よりも前に行なわれ、
前記第2のノンドープ膜を形成する工程は、前記第2の非晶質膜を形成する工程よりも前に行なわれる、請求項5から7のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。 Forming an i-type first non-doped film over the entire surface of the semiconductor substrate; and forming an i-type second non-doped film over the entire bottom surface of the groove;
The step of forming the first non-doped film is performed before the step of forming the first amorphous film,
The method of manufacturing a photoelectric conversion element according to claim 5, wherein the step of forming the second non-doped film is performed before the step of forming the second amorphous film. .
前記電極層を除去する工程は、塩酸を用いたウエットエッチングによって行なわれる、請求項5から8のいずれか1項に記載の光電変換素子の製造方法。 The step of forming the electrode layer includes a step of forming an aluminum film over the entire surface of the semiconductor substrate,
The method for manufacturing a photoelectric conversion element according to claim 5, wherein the step of removing the electrode layer is performed by wet etching using hydrochloric acid.
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