JP2013515551A - 高分解能電気刺激用リード - Google Patents

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Abstract

刺激を供給するためのシステムであって、そのシステムは、それぞれが周囲組織へ特定の電流を提供することができる多数の電極を伴ったプローブ、各電極に前述の特定の電流を提供するための発生器、前述の発生器を制御して上述のプローブの周囲に望ましい電場をもたらすべく電極に電流を提供する制御装置を含む。

Description

本発明は周囲組織へ電気刺激を提供するためのシステムおよび周囲組織へ電気刺激を提供する方法に関係する。
新型の高分解能神経インターフェースは、標的組織へ向けた治療的刺激の正確な空間的ステアリング(spatial steering)を可能にする。そのような高分解能インターフェースは、通常、刺激(例えば電気パルス)を送給することができるエレメント(例えば接触子または電極)のアレイ様分布を含み、そのアレイは、通常、担体構造物(例えば細長いフレキシブルなプローブ)上に配置される。図1(B)は、脳深部電気刺激療法を目的として電気刺激を正確に送給するために使用されるそのような高分解能神経インターフェースの一例を示している。比較用に、図1(A)には、脳深部電気刺激療法のための従来の低分解能神経インターフェースが同じスケールで与えられている。図1の(A)および(B)に示されている電極は、それぞれ、技術的現状におけるDBSリードおよび高分解能DBSアレイとも呼称される。組織内におけるそのようなフィールドの発生は、他の用途、例えば組織のアブレーションや更には治療目的以外の用途においても有用であり得ることに留意すべきである。
DBSリードを取り巻く脳組織の電位は、Edsberg L.による「Introduction to Computation and Modeling for Differential Equations」(J.Wiley、Wiley−Interscience:pp.140−146、2008年、ISBN−13 9780470270851)で開示されているように、有限要素法(FEM)を用いて算出することができる。
DBS電極により発生される電位Vは、Bronzino J.によるBiomedical Engineering Handbook 2006年、第I巻、セクションIII、第20章、pp.1−3、CRC.1、ISBN−13 9780849304613で開示されているように、ポアソン方程式:
Figure 2013515551
[式中、∇はラプラス演算子であり、Jは電流源であり、σは電気伝導度である]
を解くことにより得られる。
DBS活性化体積を推定するために活性化関数(AF)計算することができる。一般的に、AFは、Rattay F.による「The basic mechanism for the electrical stimulation of the nervous system(神経系を電気刺激するための基本的機構)」(Neuroscience Vol.89、No.2、pp.335−346、1999年)で開示されているように、ニューロンエレメントを脱分極させるための駆動力を定量化する。
McIntyre C.C.、S.Moriらによる「Electric field and stimulating influece generated by deep brain stimulation of the subthalamic nucleus(視床下核の脳深部刺激により発生される電場および刺激作用)」(Clinical Neurophysiology Volume 115 Issue 3、pp.589−595、2004年3月)で開示されているように、刺激体積の推定は活性化関数分布(activation function distribution)を閾値化することにより実現され、この閾値化は、より一層広範な計算モデリングを用いて算出される活性化組織体積の良好な一次的推定をもたらすことが示されている。上述の活性化関数は、外部ポテンシャルの離散化二次空間導関数(discretized second spatial derivative)を取ることにより得られる。例えばz−軸方向に配向されたエレメントの場合、活性化関数は:
Figure 2013515551
[式中、ステップ長さ(step length)Δz=0.5mmは有髄線維に対する典型的なノード間長さ(inter-node length)である]
として計算される。活性化は活性化関数が特定の閾値と交差したときに起こり、前述の特定の閾値は、言い換えれば、刺激パラメーター(最も顕著な例として、パルス持続時間)、線維特性および相対的な線維−電極配向に依存性である。
臨床診療の場において、ある与えられた刺激配置構成で有害な副作用が生じるときには、刺激フィールドのリポジショニングが考慮されるであろう。臨床医は、そのような副作用の原因である領域を避けて刺激フィールドをステアリングすることによって、副作用を回避するのと同時に良好な治療効果を維持しようとするであろう。現行の臨床診療においては、刺激フィールドを変位させるための通常の方法は、刺激を送給するための接触子として別の接触子を選定することによるものである。この方法はすぐさま刺激フィールドを2−3mm変位させるため、これはかなり粗い方法である。電流ステアリング技術および/またはもっと高度な分解能を有する刺激アレイにより、刺激フィールド変位の更に一層微細な制御を達成することができる。
電流ステアリングは、刺激フィールドを変位させるための方法として当技術分野において公知である。手短に説明すると、その方法は、2つ以上の個数の接触子間における電流送給のバランスを取ることから成っている。例えば、Butson,C.R.およびMcIntyre C.C.による「Current steering to control the volume of tissue activated during deep brain stimulation(脳深部刺激により活性化される組織の体積を制御するための電流ステアリング)」(Brain Stimulation 1(1):pp.7−15、2008年)は、技術的現状におけるDBSリードを用いる電流ステアリングを利用して、どのようにして刺激体積を調整することができるのかを示している(図2参照)。この例においては、総刺激電流が2つの隣接した電極に分配され、それら2つの電極間における電流のバランスに依存して、異なる活性化プロフィールがもたらされる。図2は、左から右へ:DBS電極、単一の電極の活性化から始まってそれらDBS電極の2つの隣接した電極の活性化で終了する一連のフィールド輪郭(field contour);を示している。図2から明らかなように、2つの接触子間における電流のバランスを取ることにより、活性化体積をシフトさせることが可能である。
US第2007/0203539号は、図1の(B)に示されている高分解能DBS−アレイを用いる電流ステアリングについて開示している。
本発明の目的は、高分解能プローブを伴ったシステムにおいて、フィールドステアリングを容易に適用できるようにすることである。具体的には、本発明の目的は、必要以上に消費される電力を増大させることなく、高分解能プローブを用いる電流ステアリングを適用するシステムおよび方法を提供することである。
本発明の第1の態様は、請求項1で特許請求されているように、周囲組織へ電気刺激をもたらすためのシステムを提供する。本発明の第2の態様は、請求項13で特許請求されているように、多数の電極を伴ったプローブを用いて周囲組織へ適用するための電気刺激を発生させる方法を提供する。種々の有利な実施形態が従属クレームで定められている。
本発明の第1の態様に従って周囲組織へ電気刺激をもたらすためのシステムは、多数の電極を伴ったプローブを含んでいる。発生器は、周囲組織においてあるフィールド分布を得るための複数の電極への電気信号を供給する。前述の発生器を制御する制御装置は、第1の状態においては、第1のフィールド分布を発生させるべく、上述の複数の電極に対して第1の電気信号の分布をもたらし、そして第2の状態においては、第2のフィールド分布を発生させるべく、それらの電極に第2の電気信号の分布をもたらす。前述の第1の電気信号の分布は、上述の複数の電極との関わり合いにおいて、前述の第2の電気信号の分布よりも対称性が高く、そして、第2の状態における電気信号により引き起こされる電気刺激電流の総量は第1の状態の場合よりも小さい。非対称性が比較的高い分布において相対的に小さい総電流量を有することにより、本システムによって引き込まれる電力の過剰な程に大きな増大を防止することができる。特に、本システムへの電力がバッテリーによって供給されている場合には、大き過ぎる電力排出は、バッテリーがあまりにも早く枯渇してしまう状態を引き起こすであろう。その逆に、電気信号の分布を比較的対称性が高くなるように選定する場合、または電気信号の分布が比較的対称性の高い分布に変換される場合には、バッテリーがあまりにも早く使い果たされてしまう状態を引き起こすことなく、総電流量を増大させることが可能である。
複数の電極との関わり合いにおける電気信号の最も対称性の高い分布は、例えば電極アレイを構成しているすべての電極に同一の電流を供給することにより、電極の活性化が相互に同一である場合に得られる。このようにして、この分布の対称性は、電極アレイの実際の形状とは無関係に定めることができる。一方、結果としてもたらされるフィールド分布の形状は、アレイの実際の形状に依存する。それらの電極を活性化する電気信号が異なった状態になるとすぐに、その電気信号の分布は非対称になる。それらの電極の活性化が異なれば異なる程、この電気信号の分布も一層非対称性が高くなり、結果としてもたらされるフィールド分布は、電気信号が対称的に分配されている間に生じるフィールドから一層逸脱した状態になる。
同じようにして、(複数の電極との関わり合いにおける)対称的なフィールド分布状態は、この文脈において、すべての電極が相互に完全に同じように活性化されたときに得られるフィールド分布を意味する。結果としてもたらされるフィールド分布はある形状を有し、その形状は複数の電極から成るアレイの形状によって決まる。もし図1の(B)のプローブが使用される場合、それらの電極へ供給されるすべての電流が同一であるならば、そのフィールドは真に回転対称性を有したフィールドになるであろう。すべての電極を相互に完全に同じようには活性化しないことにより、例えばそれらの電極のうちの少なくとも1つに異なる電流を供給することにより、作り出されるフィールドの形状は、相互に等しい活性化によって得られる形状から逸脱し、比較的対称性に乏しいものになる。そのような不均一な活性化は、特定方向のフィールドにおけるフィールドの指向性を得るべく、当初の対称的なフィールドとの関係から見たある変化をもたらすことができる。更に、それらの電極のうちの一部が全く活性化されていない状況が更に一層対称性に乏しい状態をもたらすことも想定される。例えば、図1の(B)に示されているプローブとの関わり合いにおいて、電極環(rings of electrodes)が活性化されていない状況も更に一層非対称性の高い分布状態であり、これは更に一層非対称性の高いフィールド分布をもたらす。電気信号の分布の対称性または電極アレイの形状との関わり合いにおけるフィールドの対称性が乏しくなるようなすべての状況においては、その電極アレイへ供給される総電流は低減されるはずである。
1つの実施形態においては、本制御装置は、作り出されるフィールドが上述の第1の状態における第1の分布から上述の第2の状態における第2の分布へと徐々に変化するような仕方で、それらの電極へ供給される電気信号を調節する。プローブが組織内に位置付けされたときにそのフィールド分布を徐々に変化させることにより、起こり得る望ましくない副作用が最小限度に抑制される。もしフィールド分布が速く変化し過ぎた場合には、患者は、その変化が許容し難いものであることを適切なタイミングで指摘することができなくなる。
1つの実施形態においては、本制御装置は、上述の第1の状態および上述の第2の状態において電極へ供給される総電力が実質的に一定に保たれるような仕方で、第1の状態から第2の状態に変えるときの総電気刺激電流量を低減する。このようにして、バッテリーから引き込まれる電力は実質的に一定に維持され、望ましくない急速なバッテリーの枯渇が防止される。例えば、バッテリーの所望寿命時間に応じて、電流は25%より上に増大し得ないようにすることができ、更には5%より上に増大し得ないようにすることができる。
1つの実施形態においては、本制御装置は、上述の第2の状態におけるフィールド分布を上述の第1の状態におけるフィールド分布の境界内に維持すべく、総電気刺激電流量を低減する。別の実施形態においては、本制御装置は、上述の第2の状態における最大のフィールド分布が上述の第1の状態における最大のフィールド分布と実質的に同等になるような仕方で、総電気刺激電流量を低減する。前述の最大のフィールド分布は、フィールドの強さの特定の閾値を侵すことにより定められる。従って、電気刺激電流は、上述の第2の状態におけるフィールドの強さが、指向性が変化するだけで、どの場所においても上述の第1の状態におけるフィールドの強さよりも大きくなることがないような仕方で制御される。
1つの実施形態においては、本制御装置は、第1の状態においては、プローブの周囲で対称的なフィールド分布を発生させ、第2の状態においては、プローブとの関わり合いにおいて望ましい方向に延びる指向性を持ったフィールド分布を発生させる。
1つの実施形態においては、上述の第1のフィールド分布および第2のフィールド分布は、マルチコンパートメント・ニューロン・モデルの電圧場の分布、電場の分布、活性化関数の分布、または活性化プロフィールの分布である。
1つの実施形態においては、本プローブは細長い形状を有していて、多数の電極が複数の異なる軸方向位置においてそのプローブ上に円周方向に配列されており、そこでは、幾つもの電極が前述の複数の異なる軸方向位置のうちの同じ1つの軸方向位置に存在している。そのような高分解能DBSプローブは、組織内に配置し、高精度で所望のフィールド分布を発生させるのに特に適しているものと思われる。
本発明のこれらの態様および他の態様は以降で記述されている実施形態から明確に理解することができ、またそれらの実施形態を参照することにより明瞭化されるであろう。
図1の(A)は技術的現状における低分解能DBSリードを示しており、(B)は技術的現状における高分解能DBS−アレイを示している。 図2は、技術的現状による一定総電流方式のフィールドステアリングを示しており、低分解能DBSリードでのAF輪郭を伴って描かれている。 図3は、1つの「好適な」方向および3つの「他の」方向を伴った、図1の(B)にスケッチされているプローブの上面図を示している。 図4は、図3に示されているプローブの電極へ供給される電気信号を発生させるためのシステムの概略的なブロック図を示している。 図5の(A)および(B)は、組織との関わり合いにおいて刺激フィールドを正確に位置付けするためにフィールド−ステアリング技術の使用を可能にする高分解能DBS−アレイを示している。 図6の(A)および(B)は一定積算総電流方式によりAF−プロフィールにもたらされるフィールド−ステアリングの効果を示しており、図6の(C)は、図6(A)および(B)の電流−ステアリングの実施例での電力消費のグラフを示している。 図7の(A)および(B)は電流制限が適用された場合のAF−プロフィールにもたらされる電流−ステアリングの効果を示しており、図7の(C)は、図7の(A)および(B)の電流−ステアリングの実施例での電力消費のグラフを示している。 図8の(A)および(B)はフィールド分布の展開を明示している。 図9は接線方向における一定の刺激展開を示している。 図10は、任意の方向に配列された線維の特定のセクションに沿ったフィールドの指向性に無関係の刺激展開を示している。
異なる図面において同一の参照番号を有しているアイテムは、同じ構造上の特性および同じ機能を有しているか、または同じ信号であることに留意すべきである。そのようなアイテムの機能および/または構造が既に説明されている場合には、その詳細な記述においてそのアイテムの説明を繰り返し行う必要性はない。
図1の(A)は技術的現状における低分解能DBSリードを示しており、図1の(B)は技術的現状における高分解能DBS−アレイを示している。どちらのDBSプローブも細長い円筒状の支持構造物であり、その上に複数の電極Eiが黒色の領域で表わされている。
低分解能DBSリードPR1を描いた図1の(A)においては4つの電極E1〜E4が示されており、それらの電極は支持構造物上において円周方向に配列されている。この低分解能DBSリードPR1は、4つの電極E1〜E4よりも少ない個数の電極、または4つよりも多い個数の電極を有していてもよい。駆動されると、これらの電極E1〜E4は、それぞれ、周囲組織への電気刺激電流IS1〜IS4を供給する。これらの電極は集合的にEiとも呼称され、また、それらの電気刺激電流は集合的にISiとも呼称される。
図1の(B)には高分解能DBS−アレイPR2が示されており、そこでは、4つの電極Eiから成る電極グループが支持構造物に沿って軸方向に配置されている。それら4つの電極Eiは支持構造物の円周の周りに等距離で位置付けられている。しかしながら、電極Eiのどのような他の配分も利用することができる。例えば、1つのグループ内における電極Eiの個数は4つよりも少数もしくは多数であってもよく、および/または1つのグループ内における電極Eiは等距離でない様式で位置付けされていてもよい。また、複数のグループ内における電極Eiの個数が異なっていてもよい。更に、グループ間の距離が異なっていてもよい。また、上述の支持構造物はあらゆる適切な形状を有していてよい。以降の説明では、電極EiはエレメントEiとも呼称される。
高分解能DBS−アレイPR2のエレメントEiの個数が多数であるということは、膨大な数の刺激を送給するための組み合わせを発生させることができるということを意味している。これらすべての組み合わせを試験することは事実上不可能である。プローブPR2の長さに沿って配列された電極Eiに対して当技術分野において公知の電流ステアリング法を利用することにより、この問題を大幅に簡素化することができる。高分解能インターフェースのステアリングに関する機能性を利用する1つの方法は、プローブPR2の外周との関わり合いにおける好適な方向へ向けて総刺激電流を徐々にシフトさせることよるものである。1つ以上の刺激用エレメントEi(すなわち、前述の外周に沿って配列された電極)が「好適な」方向として定められ、そして1つ以上のエレメントEiが「他の」方向として定められる。好ましくは、前述の「好適な」エレメントおよび「他の」エレメントは、一緒になって、例えば円筒状のプローブPR2の外周をカバーする対称な配列を構成する。
図2は、低分解能DBSリードでのAF輪郭を伴って描かれた、技術的現状による一定総電流方式のフィールドステアリングを示している。図2は、左から右へ:DBS電極PR1、ならびにその電極E1およびE2における異なるステアリング電流比での一連のフィールド輪郭F1〜F6;を示している。電極E1およびE2に対するステアリング電流の比はフィールド輪郭の上側に示されている。ステアリング電流の総積算量は一定に保たれている。F1は一方の電極E1のみを活性化した状態でのフィールド輪郭を示しており、F6は両方の電極E1およびE2が等しく活性化されたときのフィールド輪郭を示している。この実施例の場合には、総刺激電流は2つの隣接した電極E1およびE2に分配される。これら2つの電極E1およびE2に供給される電流のバランスに依存して異なる活性化プロフィールがもたらされ、ひいては活性化体積がシフトされる。
図3は、1つの「好適な」方向および3つの「他の」方向の指示を伴った、図1の(B)にスケッチされているプローブの上面図を示している。図3は、図1の(B)の実施例の如くエレメントEiが正方アレイで配列されているケースでの軸方向上面図を与えている;そこには、PDで表わされている1つの「好適な」方向とODで表わされている3つの「他の」方向が示されている。エレメントのアレイは、所望のフィールド分布に依存して、エレメントEiのあらゆる他の適切な配列形状を有していてよい。
電流−ステアリング技術に従って、我々は、電流−ステアリングを以下のように数式的に実施することができる:
我々は刺激用エレメントEiに隣接した組織へ総刺激電流Inominalを流し、その総刺激電流は、全てを合わせて刺激の送給に使用されるntotalエレメントEiを構成するnother「他の」エレメントEOおよびnpref「選択的な」エレメントEPに分配される。
対称(無ステアリング)モードの場合、「他の」エレメントおよび「選択的な」エレメントはそれぞれ(平均して)以下の電流:
Figure 2013515551
を受ける。
我々は、それぞれの「選択的な」エレメントEPが(平均して)以下の電流:
Figure 2013515551
を受け、そして、それぞれの「他の」エレメントEOが(平均して)以下の電流:
Figure 2013515551
を受けるような仕方で、刺激送給の非対称性を定量化する電流−ステアリング・バランス・パラメーターβを定める。
結果として、送給される総電流nother other+npref pref=Inominalは一定のままであるが、電流送給プロフィールは、対称な配列からすべての電流が「選択的な」部位EPへ与えられる状況へ、電流−ステアリング・バランス・パラメーターβを0から1まで高めることにより徐々にシフトされる。また、電流−ステアリング・バランス・パラメーターβ>1のケース、すなわち、反対極性の電流が「他の」部位EOに与えられる場合も可能であり、このときには、刺激体積の更なる変位がもたらされる。ButsonおよびMcIntyre(2008年)(もっと前の箇所で言及されている)から採った実施例はnother=npref=1のケースに相当していることに注意が必要である。
図4は、図3に示されているプローブの電極へ供給される電気信号を発生させるためのシステムの概略的なブロック図を示している。発生器1は、図1の(B)および図3に示されている高分解能DBS−アレイの電極Eiへ電気信号Si1〜Si4(集合的にSiと呼ぶ)を供給する。制御装置2は、組織内において所望のフィールド分布Fiを得るべく、発生器1を制御して電極Eiへ特定の電気信号Siの分配をもたらす。電源3は発生器1および制御装置2へ電力を供給する。ユーザーインターフェース4は、所望のフィールド分布Fiの入力または現存するフィールド分布Fiの所望の変更の入力を可能にすべく、制御装置へのユーザー入力を受信する。例えば、ユーザーは、フィールド分布Fiの指向性の変更を指示することができる。埋め込みされた電極を有する患者が臨床環境にない場合には、この電源3はバッテリーである。そのバッテリーは明確に定められたある期間の間使用できることが重要である。それ故、バッテリーがこの期間内に枯渇してしまう場合には非常に厄介である。更に、概して電力を少ししか消費しないことが有利である。生成されたフィールドをもっと非対称性が高くなるように変更するときには、電気信号Siは、前述の非対称性の方向における組織内の電流がもっと大きくなるような仕方で、それらの電気信号のうちの1つがもっと大きくなるように変更されなければならない。これは電力消費を増大させる。本発明の1つの態様においては、そのフィールドの非対称性が高められるときには、組織内で発生される総電流が低減される。1つの実施形態においては、電気信号Siは、フィールドFiの指向性が変更されるときに、組織へ供給される電力、ひいてはバッテリー3から求められる電力は実質的に一定に保たれる。
図5の(A)および(B)は、高分解能DBS−アレイが、フィールド−ステアリング技術を使用し、その組織との関わり合いにおいて刺激フィールドFiを正確に位置付けすることを可能に成す様子を示している。電流−ステアリングと高分解能リードPR2とを組み合わせることにより、非常に正確な刺激ステアリングを実施することができる。例えば、刺激の対称的な送給が副作用をもたらしかねないケース、例えば特定の方向/領域における刺激が有害な不所望の副作用をもたらし得るある構造物の活性化を生じるため、結果として副作用を引き起こしかねないケースを代償することができるような仕方で、ステアリングを実施することができる。刺激をステアリングすることに関する選択肢を有することにより、それらの構造物への望ましくない刺激の送給を回避することができる。
図5(A)は、結果としてFSで表わされている対称的なフィールド分布をもたらす良好な標的カバレージを得るべく対称刺激モード使用される、領域STNの中央に最適な状態で配置されたプローブPR2を示している。この場合、技術的現状のプローブPR1の場合と同等な結果が達成されよう。図5(B)は次善的に最適な状態で配置されたプローブPR2での場合を示しており、破線内の領域FAがカバーされるような仕方でフィールド−ステアリング技術を適用すれば、領域STNを充分にカバーすることができる。技術的現状のプローブPR1の場合には、そのようなプローブは円C1内の領域をカバーすることになるため、前述の如き結果を達成することができず、次善的に最適な標的カバレージおよび/または隣接する構造物CIへの漏れが起こる。
図6の(A)および(B)は一定積算総電流方式によりAF−プロフィールにもたらされるフィールド−ステアリングの効果を示しており、図6の(C)は、図6(A)および(B)の電流−ステアリングの実施例での電力消費のグラフを示している。図6(A)および(B)はともに、その断面が図3に示されているプローブPR2の軸に垂直な二次元のxy平面におけるフィールド分布を示している。図6(A)は、対称的なフィールド分布FS1が矢印で指示されているとおりのx−軸に沿った直交方向の指向性を持ったフィールド分布FA1に変えられる様子を示している。図6(B)は、対称的なフィールド分布FS1が矢印で指示されているとおりの斜め方向に指向性を持ったフィールド分布FA2に変えられる様子を示している。図6(C)は、実線NP1における図6(A)の電流−ステアリングの実施例および破線NP2における図6(B)の電流−ステアリングの実施例での電流−ステアリング・バランス・パラメーターβの関数としての正規化電力消費のグラフを示している。
上述の式(4)および(5)に従って電流−ステアリング・バランス・パラメーターβを増大させた場合には、刺激領域は、「他の」方向から徐々に離れる方向に移動し、同時に、矢印で指示されている「選択的な」方向に変位する。更に、ステアリングを増強する(βを増大させる)と、本システムの電力消費は大幅に上昇する。
従って、上述の電流ステアリングは以下の作用を示す:
(a)従来の電流ステアリングを適用したときには、電力消費が大幅に増大する;
(b)刺激の展開は好適な方向に増大する。
作用(a)は、電力消費の増大が刺激装置のバッテリー運転時間にマイナスの影響を及ぼすため、緩和されるべきである。しかしながら、ある与えられた設定での副作用を低減することを目的としてステアリングが適用されるため、作用(b)も緩和されるべきであり、特定の方向における展開の増大は別の構造物を望ましくない状態で励起してしまうリスクをもたらし、その不所望の励起は潜在的に他の/新たな副作用を導く可能性がある。例えば図5(B)を見ながら説明すると、そこでは、電流−ステアリングが領域CI(内包)から離れる方向にフィールドを移動させたが、同時に、領域ZIへの展開のシフトがもたらされ、これは望ましくない場合があり得る。
それ故、本発明は、電力消費が低減されおよび/または刺激フィールド展開の変位が起こりにくい刺激−フィールドステアリングのためのシステムおよび方法を提供しようとするものである。
本発明によれば、周囲組織へ電気刺激を供給するための本システムは、多数の電極を伴ったプローブを含んでいる。発生器は、その周囲組織内においてあるフィールド分布を得るべく、それらの電極に電気信号を提供する。制御装置は、第1の状態においては、第1のフィールド分布を発生させるべく、電気信号の第1の分布が上述の複数の電極に供給され、そして、第2の状態においては、第2のフィールド分布を発生させるべく、電気信号の第2の分布がそれらの電極に供給されるような仕方で、前述の発生器を制御する。前述の第1のフィールド分布は第2のフィールド分布よりも対称性が高く、そして、第2の状態における電気信号により引き起こされる電気刺激電流の総量は第1の状態の場合よりも小さい。
組織内におけるフィールド分布の対称性が低く成されたときの組織内における電気刺激電流の総量を減少させることにより、図6の(A)〜(C)に示されているマイナスの影響が緩和される。対称性の低いフィールドで総電流量が減少するのであれば、電力の増大は少なくなり、更には電力を一定に保つことも可能であり、また、上述の展開も少なくなるであろう。総電流量は、更に、非対称的なフィールドによってカバーされる体積が最大限になるが、その体積が尚も対称的なフィールドを適用したときにカバーされる体積の境界内となるような仕方で制御することができる。従って、本発明は、刺激−フィールドステアリング機能を持ったシステムを提供し、そこでは、刺激フィールドのステアリングは、複数の刺激用エレメントグループ間で送給される電流のバランスを変え(「ステアリング」し)、これにより、「アンバランスさ」が高められた状態では、送給される総電流がある適切なアルゴリズムに従って自動的に低減されるように成すことにより達成される。
上で検討されているように刺激用エレメントEiのグループが2つの場合、これは以下のように数式で表わすことができる:
それぞれの「選択的な」エレメントEPは(平均して)以下の電流:
Figure 2013515551
を受け、そして、それぞれの「他の」エレメントEOは(平均して)以下の電流:
Figure 2013515551
を受ける[式中、その関数は0≦f(β)<1である]。従って、f(β)は、電流−ステアリング・バランス・パラメーターβを適用することによって電流が再分配された後の電流レベルを調節するための関数である。幾つかの適用形態ではf(β)は一定であり得るが、一方、別の適用形態ではf(β)は実際に電流−ステアリング・バランス・パラメーターβの関数であり得る。代替的な表現においては、上述の式は以下のように書き表わすことができる:
それぞれの「選択的な」エレメントEPは(平均して)以下の電流:
Figure 2013515551
を受け、そして、それぞれの「他の」エレメントEOは(平均して)以下の電流:
Figure 2013515551
を受ける[式中、その関数はg(β)<1である]。ここで、g(β)は上でf(β)が果たしたのと同様に電流レベルを調節する機能を果たす。
関数f(β)は、種々の異なる要件、例えば一定の電力消費、または選択的方向における一定範囲の刺激送給などに対して最適化することができる。f(β)=0のケースは、ステアリングパラメーターに関わりなく、選択的な部位EP(エレメントまたは電極とも呼ばれる)に一定の電流が送給されている状態を意味していることに留意すべきである。
上述の実施例において、本発明にとって、すべての選択的なエレメントEPが同一の電流を受けることは必要不可欠なことではなく、また、すべての他のエレメントEOが同一の電流を受けることも必要不可欠なことではない。その電流の分布状態は、発生させるべきフィールドFiの所望の指向性との関係において最適に選定することができる。
本発明の様々な態様の例証として、以下で数多くの実施形態が与えられる。
図7(A)および(B)は電流制限が適用された場合の電流−ステアリングがAF−プロフィールに及ぼす効果を示しており、図7(C)は、図7(A)および(B)の電流−ステアリングの実施例での電力消費のグラフを示している。図7(A)および(B)のどちらにおいても、二次元的な領域が直交xy系で示されている。垂直軸はmm単位でのy−軸を表現しており、水平軸はmm単位でのx−軸を表現している。プローブPR2は原点(0、0)に位置付けされており、4つの電極Ei1〜Ei4はプローブPR2の表面に対称的に配列されている。図7(A)は、対称的なフィールド分布でのAFプロフィールFS1とx−軸に沿った指向性を有する非対称的なフィールド分布でのAFプロフィールAF3とを示している。図7(B)は、それぞれ、対称的なフィールド分布でのAFプロフィールFS1と、x−軸またはy−軸と平行でないある方向に指向性を有する非対称的なフィールド分布でのAFプロフィールAF4を示している。このAF分布はフィールド分布とも呼ばれることに留意すべきである。図7(A)および(B)のどちらにも、患者の脳に埋め込みされた64個の刺激用エレメントのアレイを伴ったDBS装置PR2が与えられている。更に、DBS装置PR2の刺激パラメーターを制御するためのUI(図4のユーザーインターフェース4)が設けられている。このUI4は「ステアリング」を制御することを可能にするエレメントを有しており、また、「刺激展開」を制御することを可能にするエレメントを有している。1つの例として、ユーザーは、合計で8個の電極から成る2つの隣接した環を選択し、そして、互いに上述の2つの「選択的な」電極EPと「他の」電極EOとしての6個の他の電極を定める。開始ポイントとして、図7(A)および(B)において対称的なフィールド分布に属する円FS1内の領域によって指示されているように、3mmの一様な刺激展開が用いられる。UIで「ステアリング」−機能を制御するときには、我々は、選択的な方向における刺激の展開がステアリングパラメーターの関数として一定である(3mmに固定されたままである)状態を達成したいと考える。様々なシミュレーションから、我々は、もし我々がf(β)=1/3を取る場合、または同等にg(β)=(1−0.5β)を取る場合にはこれを達成できることが分かる。同様に、nother=4およびnpref=4に対して、我々は、f(β)=0.5、または同等にg(β)=(1−0.25β)で、選択的な方向における一定の刺激展開を達成できることが分かる。1つの付加的な効果として、我々は、その電力消費が従来の電流−ステアリングの場合よりもずっと少ないことに気付く。これは、電極Eiへ供給される電流Siがステアリングを適用するときには低減されるという事実の結果である。図7(A)は直交方向の非対称なフィールド分布AF3を示しており、図7(B)は斜め方向の非対称なフィールド分布AF4を示している。図7(C)は、両方の状況における電流−ステアリング・バランス・パラメーターβの関数としての正規化電力NPを示している。破線NP3は図7(A)に示されている斜め方向の非対称なフィールド分布での電力を表わしており、実線NP4は図7(B)に示されている直交方向の非対称なフィールド分布での電力を表わしている。
一定電力モードの実施形態
大きな対極板をも提供するパルス発生器1に64−エレメントの刺激用プローブPR2が接続されているものと仮定する。この刺激用プローブの64×64行列Rはインピーダンス測定技術を用いることにより決定される。対角線エレメントRn、nは電極nから対極板までの電気インピーダンスを反映しており、非対角線エレメントRm、nはエレメントmとエレメントnとの間での電気インピーダンスに相当する。この抵抗行列は、64個のエレメントに送給される刺激電流i...i64(図1(B)の電気刺激電流ISi)の分布に関連したエレメント電圧v(図4の電気信号Si)の1×64ベクトルを計算することを可能にする:
Figure 2013515551
その電力消費は次のドット積により得られる:
Figure 2013515551
一定電力ステアリングモードにおいては、ドット積I・R・Iは一定に保たれる。
例えば、4つの電極Eiの対称的な配列では、その電力消費は:
Figure 2013515551
として算出され、i、i、i、iに対してそれぞれi、i、i、iの代入後:
Figure 2013515551
となり、ここで、項Tpp、Too、Tpoは式(12)の幾つかのRij項の総和である。
発生されるフィールドが対称的である対称モードにおいては、i=i=isymを維持し、その結果、以下の公称電力がもたらされる:
Figure 2013515551
非対称モードにおいて、i=isym・(1−β)およびi=isym・f(β)を維持するものと仮定し、更に、この非対称モードにおける電力が対称モードでの電力に等しくなければならないものと仮定すると、その場合:
Figure 2013515551
となる。
これは、βの関数である未知のiを伴った2階方程式である。そのような方程式の解をプロットし、その後、二次(またはもっと高次)の多項式でフィッティングすることができる。このようにして、その多項式の係数を容易に決定することができる。
二次の多項式フィッティングで:
Figure 2013515551
と判明した。もしも更に一層一定した電力が求められる場合には、もちろん、その電流−ステアリング・バランス・パラメーターβの関数をもっと正確に定めることが可能であろう。4つより多くの電極が関与している場合には、解かれるべきその方程式はもっと複雑になるが、標準的な代数法を実行することにより、その電流−ステアリング・バランス・パラメーターβの関数を見出すことができる。
別の実施例において、4つの部位Ei(例えば、部位または電極Ei1〜Ei4)のある与えられた対称的な刺激プロフィールでは、それぞれが電流Inominal/4を受けることとなり、すなわち、これは、電流ベクトル[Inominal/4、Inominal/4、Inominal/4、Inominal/4、0、...0]および上述の式により計算される関連する電圧ベクトルに相当する。その電力消費は:
Figure 2013515551
として算出される。
同様に、我々は:
Figure 2013515551
を計算することができる。
次に、我々は特定の方向への電流ステアリング、すなわち、刺激用エレメントEi1に関係した方向への電流ステアリングを果たしたいと望んでいるものと仮定する。このときには、選択的なエレメントEi1は、電流:
Figure 2013515551
を受け、ここで、式中のiは式(8)のiprefと合致し、そして刺激用エレメントEi2、Ei3およびEi4は、それぞれ、電流:
Figure 2013515551
を受け、これにより、i、iおよびiは式(9)のiotherと合致し、そして、そこでは先に説明されているとおりの理由により、β>0でg(β)<1である。これで今や我々は、以下の積定数:
Figure 2013515551
を得るために必要なg(β)を計算することができる。
これは:
Figure 2013515551
を導く。
上述の実施例は、nother電極およびnpref電極を伴ったケースへ一般化することができる。
一定刺激展開モードの実施形態
刺激展開を決定する(シミュレーションする)1つの方法はいわゆる活性化関数AFを評価することによるものであり、その活性化関数AFは組織V内における刺激電圧3Dプロフィールの離散二次空間導関数である(式(2)参照)。我々が特定の方向への一定した刺激展開を達成しようとしているのであれば、これは、フィールドFiの指向性をステアリングするときに、特定の方向および特定のポイントにおける活性化関数AFが一定のまま留まるように条件設定することにより(大凡)達成される。
図8(A)および(B)はフィールド分布の展開を明示している。図8(A)および(B)のどちらの場合にも、直交xy系において二次元的な領域が示されている。垂直軸はmm単位でのy−軸を表わしており、水平軸はmm単位でのx−軸を表わしている。プローブPR2が原点(0、0)に位置付けされており、そして4つの電極E1〜E4がそのプローブPR2の表面に対称的に配列されている。図8(A)は対称的な領域FS1とx−軸に沿った指向性を有する非対称的な領域AF3とを示している。図8(B)は対称的な領域FS1とx−軸またはy−軸に対して平行でないある方向に指向性を有する非対称的な領域AF4とを示している。濃い黒色の実線FIは最も遠い位置に在る活性化されるべき線維を指示している。FS1またはAF4により示されている領域を横断する全ての線維が活性化されることとなることに留意しなければならない。
図8(A)および(B)に示されている領域は図7(A)および(B)に示されている領域と似ているが、それらの領域は全く同じである必要はない。図7(A)および(B)には、活性化関数AFの等値線が示されている。その活性化関数AFは、神経エレメントが活性化されることになるか否かの粗い近似である。従って、図7(A)および(B)では、それらの領域内のすべての線維が活性化されることになるのかどうか、また、それらの領域の外側のすべての線維が活性化されないのかどうかは確かではない。それとは対照的に、図8(A)および(B)に示されている領域は、図8(A)および(B)の領域内のすべての線維が活性化され、一方、これらの領域の外側の線維は活性化されない状態となるように、経験的に決定され、または前述のAFよりももっと正確なモデルを用いて決定される。
線維FIの活性化は神経エレメントの数学的モデルにより予測される。幾つかの数学的モデルは活性化関数AFまたはAxonケーブルモデルである。しかしながら、神経エレメントの活性化を表わすあらゆる他の数学的モデルも代わりに使用することができよう。図8(A)および(B)に示されている接線方向線維FIは、生成されるフィールド分布Fiによって尚も活性化される、プローブPR2から最も遠く離れた位置に存在する線維である。図8(A)および(B)はどちらも、対称的なフィールド分布が非対称的な分布に変えられる場合(従って、指向性を有するフィールド分布に変えられる場合)の実施例を示している。その展開は、フィールドFiによって活性化される最も遠く離れた位置に在る線維FIである同一の図示線維FIであるため、一定に保たれている。その指向性と反対側の方向では、活性化フィールドFiは対称的なフィールドFS1との関係において小さくなることに留意しなければならない。
図9は、接線方向における一定の刺激展開を示している。図9の左側の部分には図3のプローブPR2が示されている。1つの実施例として、我々は刺激用プローブ(垂直な線L1で示されている)へ接線方向に走るニューロンエレメントn−1、n、n+1に対してnで指示されているポイントまで一定の刺激展開を達成しようとしている場合を考えよう。点線L2は、相当する(仮想的な)刺激プロフィールのインプレッションを与えている。
この特定の位置nおよびニューロンエレメントn−1、n、n+1のこの特定の配向に対して選択的な方向で一定の刺激展開を達成するということは、ステアリング条件下において、活性化関数AF=Vn−1+Vn+1−2を位置nにおいて一定のまま留まった状態にしなければならないことを意味している。我々は制御するためのパラメーターを2つ(すなわち、βとf(β)(またはg(β)))しか持っていないため、これを一般的に達成することはできない(我々は第3の制御パラメーターを必要とするであろう)。しかしながら、この特定の目下の実施例に対しては、我々はこの問題の対称性を利用することができ、解が存在する。Vn−1=Vn+1であるため、我々は、活性化関数として:
Figure 2013515551
を得る。
電圧場は、個々の刺激用エレメントEiを通じて注入される電流に線形的に関係している。それぞれ、エレメントEi1を通じる単位電流送給からもたらされるノードnおよびn+1での電圧増分としてのΦn、1およびΦn+1、1を定めることとしよう。Φ値はシミュレーション(例えばFEMモデル)または測定(例えば刺激を与えている間に行われる侵襲的なマイクロ−レコーディング)から得られることに留意する必要がある。同様に、我々は、それ以外の刺激用エレメントEi2〜Ei4に対してそのような電圧増分を得ることができる。その結果、我々は、活性化関数として:
Figure 2013515551
を得、この活性化関数が、ステアリング条件下において、公称値AFnominalに固定された状態のまま保たれることとなる。この例を取り(我々はステアリング補正でf(β)を用いる)、且つ、幾つかの代数計算の後、これは:
Figure 2013515551
と書き換えることができる。
再度述べると、これは、エレメントEi1に関わるΦ値(およびそれらの差分)が、それ以外のエレメントEi2〜Ei4と比べたときに、エレメントEi1に対するそれらの一層近い近接性により比較的大きいため、1よりも小さい。ポイントnがプローブPR2から無限に遠く離れて位置付けられる極限においては、kの値は1に漸近する。
この実施例は、刺激電圧を一定に保たなければならないという状況下において、>2の刺激電流振幅およびN>2の位置を許容することにより、更に一般化することができることは明らかであろう。
図10は、任意の方向に配列された線維の特定のセクションに沿ったフィールドの指向性に無関係な刺激展開を示している。ここで、1つの実施例として、その状況を線維FIの任意の方向に関して考察する。線維FIの該当するセクションが数字5、6および7で指示されている。更に、この実施例においては、プローブは参照記号Ei1〜Ei4で指示されている4つの円周方向に配列された電極を有しており、それらの電極は次の以降の説明ではインデックス1〜4で表わされている。式(10)により、プローブPR2が挿入されている組織内における電極Eiでの電圧と電流ISiとの間の関係は、この実施例では:
Figure 2013515551
であり、ここで式中のi、iおよびiはゼロに等しい。
この線維のポイント6での活性化関数AFは:
Figure 2013515551
である。
選択的な電極EPにより供給される電流がiであり、且つ、他の電極EOにより供給される電流がiであると仮定すると、その活性化関数AFは:
Figure 2013515551
と書き表わすことができる。
もしその展開が対称的なフィールド分布FS1(そこではi=i=isymである)での場合および非対称的なフィールド分布AF3またはAF4(そこではi=(1−β)isymである)での場合と等しくなければならないならば、その対称的なフィールド分布FS1では:
Figure 2013515551
が保持され、そして、非対称的なフィールド分布AF3またはAF4では、式(27)および(28)により:
Figure 2013515551
が保持される。
上で述べられている実施形態は、本発明を限定するのではなく、本発明を例証するものであり、当業者であれば、添付の請求項の範囲から逸脱することなく、多くの代替的な実施形態を設計できることに留意すべきである。例えば、プローブPR1およびPR2はあらゆる形状を有していてよく、また、電極Eiは、特定の望ましいフィールド分布Fiを発生させるのに適したあらゆる配置構成を有していてよい。
添付の請求項において、丸括弧の間に入っているあらゆる参照記号はその請求項を限定するものとして解釈されるべきではない。また、動詞「〜を含む」およびそれの活用形は、請求項で述べられているもの以外のエレメントやステップの存在を排除するものではない。更に、エレメントに先行する冠詞「a」または「an」は複数のそのようなエレメントの存在を除外するものではない。本発明は幾つかのはっきりと区別可能なエレメントを含むハードウェアにより実行されてよく、また、適切にプログラミングされたコンピューターにより実行されてもよい。幾つもの手段を列挙している装置クレームにおいて、これらの手段のうちの幾つかが同一アイテムのハードウェアによって具体化されてよい。特定の方策が相互に異なる従属クレームにおいて引用されているという単なる事実は、利益を得るためにこれらの方策の組み合わせを使用することができないということを指し示しているのではない。

Claims (13)

  1. 周囲組織へ電気刺激を供給するためのシステムであって、当該システムが:
    多数の電極(Ei)を伴ったプローブ(PR1;PR2);
    該周囲組織内においてフィールド分布(Fi)を得るべく前記電極(Ei)へ電気信号(Si)を供給するための発生器(1);および
    制御装置(2);
    を含み、
    該制御装置(2)が、前記発生器(1)を制御して:
    第1の状態においては、第1のフィールド分布を発生させるために前記電極(Ei)へ該電気信号(Si)の第1の分布を提供し、また、第2の状態においては、第2のフィールド分布を発生させるために該電極(Ei)へ該電気信号(Si)の第2の分布を提供し、
    前記第1の分布は該電極(Ei)との関わり合いにおいて前記第2の分布よりも対称性が高く、さらに
    前記第2の状態で前記プローブ(PR1;PR2)へ供給される電気刺激電流(ISi)の総和が前記第1の状態で該プローブ(PR1;PR2)へ供給される電気刺激電流(ISi)の総和よりも低くなるように前記電気信号(Si)を提供する;
    ことができるように構成されている;
    周囲組織へ電気刺激を供給するためのシステム。
  2. 前記制御装置(2)は、生成されるフィールド分布(Fi)が前記第1の状態における該第1のフィールド分布から前記第2の状態における該第2のフィールド分布へ、またはその逆に、徐々に変化するような仕方で、前記電極(Ei)への該電気信号(Si)を調節することができるように構成されている、請求項1記載のシステム。
  3. 前記電気信号(Si)が、使用に際し、該電極(Ei)を通じて該周囲組織へ流れる前記電気刺激電流(ISi)である、請求項2記載のシステム。
  4. 前記制御装置(2)が、前記第1の状態から前記第2の状態へ変化させるときに、該第1の状態および該第2の状態において前記電極(Ei)へ供給される総電力を実質的に一定に保つべく、前記電気刺激電流(ISi)の総和を低減させることができるように構成されている、請求項1記載のシステム。
  5. 前記制御装置(2)が、前記第2の状態における該フィールド分布を前記第1の状態における該フィールド分布の境界内に保つべく、前記電気刺激電流(ISi)の総和を低減させることができるように構成されている、請求項3記載のシステム。
  6. 前記制御装置(2)が、前記第2の状態における最大の該フィールド分布(Fi)を前記第1の状態における最大の該フィールド分布(Fi)に実質的に等しく保つべく、前記電気刺激電流(ISi)の総和を低減させることができるように構成されており、ここで、前記最大のフィールド分布(Fi)がフィールドの強さの閾値を侵すことにより定められる、請求項5記載のシステム。
  7. 前記プローブ(PR1;PR2)および前記制御装置(2)が、前記第1の状態においては該プローブ(PR1;PR2)の周りに対称的なフィールド分布(Fi)を発生させることができ、そして、前記第2の状態においては該プローブ(PR1;PR2)との関わり合いにおいて所望の方向に延びる指向性を有するフィールド分布(Fi)を発生させることができるように構成されている、請求項2記載のシステム。
  8. 前記第1のフィールド分布(Fi)および前記第2のフィールド分布(Fi)が、電圧場の分布、電場の分布、活性化関数の分布、またはマルチコンパートメント・ニューロン・モデルの活性化プロフィールの分布である、請求項1記載のシステム。
  9. 前記プローブ(PR1;PR2)が細長い形状を有していて、前記多数の電極(Ei)は複数の異なる軸方向位置において該プローブ(PR1;PR2)上に円周方向に配列されており、ここで、前述の複数の異なる軸方向位置のうちの同じ1つの軸方向位置に幾つもの電極(Ei1、Ei2、Ei3、Ei4)が存在している、請求項1記載のシステム。
  10. 更に、前記フィールド分布(Fi)の配向を含む指向性を入力するためのユーザーインターフェース(4)を含む、請求項1記載のシステム。
  11. 更に、前記電極(Ei)へ供給される総電力を入力するためのユーザーインターフェース(4)を含む、請求項1記載のシステム。
  12. 更に、前記フィールド分布(Fi)の展開を入力するためのユーザーインターフェース(4)を含む、請求項1記載のシステム。
  13. 多数の電極を伴ったプローブ(PR1;PR2)を用いて周囲組織へ適用するための電気刺激を発生させる方法であって、当該方法が:
    電気信号(SIi)を発生させるステップ;
    第1の状態において、第1のフィールド分布(Fi)を発生させるべく、前記電極(Ei)に対して第1の電気信号(Si)の分布を発生させるステップ;および
    第2の状態において、第2のフィールド分布(Fi)を発生させるべく、前記電極に対して第2の電気信号(Si)の分布を発生させるステップ;
    を含み、
    ここで、前記第1の分布(Fi)は前記第2の分布(Fi)よりも対称性が高く、また、前記第2の状態における該電気信号(Si)により生成される電気刺激電流(ISi)の総和が前記第1の状態の場合よりも小さい;
    電気刺激の発生方法。
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