JP2013207246A - ダイボンダ及びダイボンディング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイボンダのはんだ供給装置を大気中で線はんだの表面に形成された酸化膜がはんだポットやノズルなどに蓄積されない手段を提供する。
【解決手段】外気と遮断された雰囲気中において基板17上の所定の位置に所定の量のはんだを供給し、外気と遮断された雰囲気中においてはんだが供給された基板をこの基板上に電子部品を搭載するための位置に基板を搬送し、外気と遮断された雰囲気中において搬送された基板上の所定の量のはんだが供給された位置に電子部品を搭載してこの搭載した電子部品を基板と接続するダイボンダ100において、基板上の所定の位置に所定の量のはんだを供給する手段11に、線状のはんだの表面の酸化膜を酸化膜除去手段で除去し、この表面の酸化膜を除去した線状のはんだを溶融してポット12の内部に収容し、ポットの先端のノズル15から溶融したはんだを一定量ずつ試料17の表面の所定の位置に供給するようにした。
【選択図】図1
【解決手段】外気と遮断された雰囲気中において基板17上の所定の位置に所定の量のはんだを供給し、外気と遮断された雰囲気中においてはんだが供給された基板をこの基板上に電子部品を搭載するための位置に基板を搬送し、外気と遮断された雰囲気中において搬送された基板上の所定の量のはんだが供給された位置に電子部品を搭載してこの搭載した電子部品を基板と接続するダイボンダ100において、基板上の所定の位置に所定の量のはんだを供給する手段11に、線状のはんだの表面の酸化膜を酸化膜除去手段で除去し、この表面の酸化膜を除去した線状のはんだを溶融してポット12の内部に収容し、ポットの先端のノズル15から溶融したはんだを一定量ずつ試料17の表面の所定の位置に供給するようにした。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板上に一定量のはんだを供給して電子部品を接続する装置、及びはんだダイボンダ及びダイボンディング方法に関する。
リードフレーム、または基板に、はんだを用いて半導体チップを接合する生産設備として、はんだダイボンダ装置がある。この装置は、リードフレーム、または基板の所定の部分に一定量のはんだを供給し、このはんだ上に半導体チップを搭載し、接合させるものである。リードフレーム、または基板へのはんだ供給には、固体のはんだを溶融させて液体である溶融はんだを供給するものもある。
溶融はんだを、リードフレーム、または基板に供給する溶融はんだ供給装置850としては、図8に示すようなものがある。即ち、はんだポット851の周囲にヒータ852を設置し、ヒータ852の外部をヒータカバー8521で覆った状態ではんだポット851中に入れたはんだ853を溶融させる。また、はんだポット851の下端に配置したノズル854から、一定量ずつ溶融したはんだ855をリードフレーム、または基板856上に吐出するものである。このはんだの吐出は、はんだポット851の上端が蓋857により密閉されていて、蓋857にはガス配管858が連接されている。したがって、ガス配管858からガスをはんだポット851内に供給して、はんだポット851内のはんだ853より上の空間部分を陽圧にする。この陽圧により、ノズル854から溶融はんだ855の吐出が可能となっている。
しかし、長時間はんだポット851を利用して溶融はんだ855を吐出した場合、はんだ853の量がはんだポット851の下限付近に達すると、蓋857を開閉し、はんだを追加する必要がある。このため、はんだ853が酸素と接触し、徐々にドロス859といわれる膜状のものが、はんだポット851内のはんだ853の表面に浮いてくる。このドロス859の成分は、主にはんだの酸化膜であるが、はんだの構成元素により酸化のしやすさに違いがあり、はんだ組成が徐々に初期のものからずれることもある。また、このドロス859には、より高融点の金属間化合物やその酸化膜等も含まれることがある。また、上記のように、ドロス859は、もとのはんだ853とは化学的な組成がことなることから、融点、粘度なども異なるものである。
このように、はんだポット851内のはんだ853表面にドロス859が堆積した場合、ドロス859の量が少ない場合には余り問題にならないが、長期的に使用するにつれ、ドロス859が増え、はんだポット851の内壁にドロス859が付着し、ノズル854からの溶融はんだ855の吐出に影響を及ぼすようになる。具体的には、溶融はんだ855の吐出量のばらつきにつながってしまう。また、ドロス859が吐出プロセスによるはんだ853の流動に伴い分散し、はんだ吐出物のなかに入り込むこともある。このため、ダイボンド接合部の信頼性の低下につながる。或いは、吐出物の中に酸化物が入り込むと、はんだのぬれ、流れが不均一になり、はんだ接合部中のボイド発生の原因となりうる。
このため、蓋857の開閉をなるべく行なわないように、連続にはんだを供給できる機構が、特開2008−93690号公報(特許文献1)などに提案されている。
また、特開2008−98364号公報(特許文献2)では、溶融はんだ供給装置に、新たに、はんだ酸化物除去装置を設置し、はんだポット51からはんだ53上のドロス59を取り除いている。
更に、特開2008−178892号公報(特許文献3)には、溶融槽の内部ではんだを溶融させ、この溶融槽の内部で発生したはんだ酸化物を溶融槽の内部に残して溶融したはんだだけを密封されたルツボに供給して詰まることなくルツボのノズルから滑らかに溶融はんだを吐出させるようにしたはんだ供給装置が記載されている。
特許文献1に記載されているはんだ供給装置では、外部からルツボ内に供給したはんだの表面に形成されている酸化膜層をはんだを溶融させた後にルツボから排除することについては配慮されていない。このために、特許文献1に記載されているはんだ供給装置では、はんだの表面に形成された酸化膜がルツボの内部に蓄積されてしまい、背景技術の欄に記載したように、長期的に使用するにつれてルツボの内壁に溶融した酸化膜が付着してノズルからの溶融はんだの吐出量のばらつきの原因となってしまうことについては配慮されていない。
また、特許文献2に示されているようなはんだ酸化物除去装置をはんだ供給装置に備えることにより、ルツボ内で溶融させたはんだ上にたまったドロスを除去することは可能であるが、一般的にドロスは、融点が高く、流動性があまりない。このため、はんだ酸化膜除去装置自体にもつまりが発生しやすく、長期間使用していると、酸化膜除去の性能低下が生じ、特許文献2に記載されている装置でも、上記した特許文献1に記載されている装置の場合と同様な問題が発生する可能性がある。
更に、特許文献3に記載されているはんだ供給装置では、溶融槽の内部で発生したはんだ酸化物を溶融槽の内部に残して溶融したはんだだけを密封されたルツボに供給する構成となっているが、溶融槽の内部で発生したはんだ酸化物の一部は、溶融はんだに混じって密封されたルツボのなかに入り込んでしまう可能性がある。しかし、特許文献3には、はんだ酸化物の一部が溶融はんだに混じって密封されたルツボのなかに入り込んでしまうことについては、配慮されていない。
このため、長期間使用すると、メンテナンスの頻度が高くなり、はんだポット、ノズルの交換が高い頻度で必要になったり、酸化膜除去装置のメンテナンスも高頻度で必要となる。このようにメンテナンス頻度が高いと、製造を中断させる必要があることから、製品コストが高くなってしまう。また、はんだポット、ノズルなどの交換頻度も製品コストに関わる問題である。
本発明は、上記した従来技術の課題を解決して、大気中ではんだの表面に形成された酸化膜がはんだポット(ルツボ)やノズルなどに蓄積されるのを防止して、常に一定の量の高品質なはんだを安定的に供給することが可能なはんだ供給装置およびそれを備えたダイボンダを提供することに有る。
上記課題を解決するために、本発明は、試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給するはんだ供給ユニットと、このはんだ供給ユニットにより試料上の所定の位置に所定の量供給されたはんだ上に電子部品を搭載する電子部品搭載ユニットと、試料をはんだ供給ユニットと電子部品搭載ユニットとの間を搬送する基板搬送ユニットと、この基板搬送ユニットによりはんだ供給ユニットと電子部品搭載ユニットとの間を搬送される試料を外気と遮断された雰囲気中に維持する外気遮蔽ユニットとを備えたダイボンダであって、はんだ供給ユニットは、線状のはんだを所定の量送り出す線はんだ送り出し部と、この線はんだ送り出し部から送り出された線状のはんだの表面の酸化膜を除去する酸化膜除去手段を備えてこの酸化膜除去手段で表面の酸化膜を除去した線状のはんだを溶融させて収容するはんだ供給部と、はんだ供給部から溶融させたはんだの供給を受けてはんだを溶融させた状態で収容するポットとこのポットの先端部にはんだを吐出するノズルとこのノズルから一定量の溶融したはんだを吐出させるためのはんだ吐出量を制御する吐出量制御手段とを有するはんだ吐出部とを備えて構成した。
また、上記課題を解決するために本発明では、外気と遮断された雰囲気中において試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給する工程と、外気と遮断された雰囲気中においてはんだを供給する工程ではんだが供給された基板をこの基板上に電子部品を搭載するための位置へ搬送する基板搬送工程と、外気と遮断された雰囲気中において基板搬送工程において電子部品を搭載するための位置に搬送された試料に対して、この基板上の所定の量のはんだが供給された位置に電子部品を搭載してこの搭載した電子部品を試料と接続する電子部品搭載工程とを有するダイボンディング方法において、試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給する工程において、線状のはんだの表面の酸化膜を除去し、この表面の酸化膜を除去した線状のはんだを溶融し、この溶融したはんだを一定量ずつ試料の表面の所定の位置に供給するようにした。
本発明によれば、溶融はんだ供給装置のはんだポットにはんだを供給する際、すでに表面の酸化物が低減、或いは取り除かれているため、はんだポット内の酸化膜の増加が大幅に抑制でき、はんだポット、ノズルでの詰まりを防止でき、はんだポット等の交換、メンテナンス回数を大幅に削減できる。したがって、溶融はんだ供給装置の連続使用期間を長くすることができ、プロセスコストの低減につながり、最終的には製品コストの低減に寄与できる。また、ドロスとして廃棄するはんだ量も低減でき、材料費を削減するとともに、環境への負荷を低減することができる。
また、はんだポット内のドロス量を大きく低減できることから、半導体チップとの接合部におけるボイドの発生、信頼性の低下を抑えることができる。従って、はんだ接続部の放熱性を確保でき、半導体装置として必要な性能を得ることが可能である。また、ボイドが低減できるため接合強度が確保でき、長期的な信頼性が保障可能である。また、半導体チップ周辺のフィレットの形状も良好になり、機械的強度を確保することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図1に、本発明によるはんだダイボンダ100の概略の構成を示す。ダイボンダ100は、溶融はんだ供給ユニット10と半導体チップやモールディングされた半導体素子などの電子部品46を搭載する電子部品搭載部40とを搭載している。
このダイボンダ100は、外気を遮断するためにカバー101で覆われていて、搬入口103からカバー101で覆われたダイボンダ100の内部に搬入された被接合部材であるリードフレーム、又は回路基板17(以下、これらを基板17と記す)をガイドレール102で間欠的に移動させる。基板17を移動方向110に沿ってカバー101上面の所定位置に2つの開口窓44a、44bが設けられている。電子部品46が搭載された基板17は、搬出口104からカバー101でおおわれたダイボンダ100から搬出される。
このダイボンダ100を用いたダイボンドプロセスに沿って説明する。まず、基板17がダイボンダ100の外部からカバー101に設けた搬入口103を通ってダイボンダ100の内部に搬入され、溶融はんだ供給ユニット10の下に位置される。この位置で、基板17はヒータ45によって加熱される。溶融はんだ供給ユニット10を用いた第1の工程は、溶融はんだを基板17に供給する工程であり、溶融はんだ供給ユニット10において、線はんだ供給部23から追加供給ユニット21に供給された長尺の線はんだ22、吐出ユニット11のはんだポット12の内部で溶融している状態で、開口窓44aを通してノズル15から一定の量の溶融はんだ16を、ヒータ45により加熱されている基板17の所定の位置に供給する。
半導体チップやモールディングされた半導体素子などの電子部品を搭載する電子部品搭載部40を用いた第2の工程では、図示していない半導体チップやモールディングされた半導体素子などの電子部品46を収納したトレイから取出した電子部品46を吸着したコレット47が駆動部41で駆動されてカバー101に設けた開口窓44bから下降し、第1の工程で溶融はんだ供給ユニット10により一定量のはんだが供給された基板17上の所定の位置に電子部品46を搭載して接合する。これにより基板17上に、はんだ接続部48を介して電子部品46が接合される。
電子部品46を接合した基板17は、ガイドレール102で搬送されて搬出口104からカバー101で覆われたダイボンダ100の外へ搬出される。なお、図1に示した構成において、一定の量の溶融はんだ16を基板17の所定の位置に供給するために吐出ユニット11のノズル15のXY平面内での位置を制御する手段、および、半導体チップなどの電子部品を基板17上の所定の位置に搭載するために電子部品46を吸着したコレット47のXY平面内での位置を制御する手段の表示を省略している。
溶融はんだ供給ユニット10を、基板17に供給するはんだの表面に形成されている酸化膜をダイボンド接合部48に巻き込まないような構成とすることにより、電子部品46を基板17に接合するダイボンド接合部48の品質は、従来の方式よりボイド率を抑えることができる。ボイド率は、X線観察装置、超音波探傷装置等により、測定可能である。 また、この第2の工程で電子部品46を搭載、接合させる工程では、x、y、z方向に位置ずれしない程度の振幅で動作させたり、超音波振動等を与えて、ぬれを促進させてもよい。これにより、よりはんだ接続の信頼性の向上が期待できる。
図1に示したダイボンダ100の構成は、2工程からなるはんだダイボンドプロセスであるが、図2に示すように、溶融はんだ供給ユニット10を搭載した第1の工程部署と電子部品搭載部40を搭載した第2の工程部署の間に、第3の工程用に別第3の開口窓44cを設け、この開口窓44cにはんだ成型ユニット50を設けたダイボンダ150のように構成してもよい。このはんだ成型ユニット50は、第3の工程として、開口窓44cから駆動部51で駆動されるはんだ成形棒52を下降させて、溶融はんだ供給ユニット10により基板17の所定の個所に供給された溶融はんだ16を押して成形することにより、基板17上に供給された溶融はんだ16を所望の形状にぬれ広がらせることも可能である。
また、より品質を向上させるために、この第3の工程で、はんだ成形棒52によりはんだ16を所望の形状にぬれ広がらせる際に、はんだ16が基板17上の不要な箇所にまで飛び散らない範囲で、超音波などの振動を与え、ぬれを促進させても良い。また、基板17と水平方向、あるいは垂直方向、回転方向に数回変位を与えてもぬれを促進することができる。また、成形棒52の先端に、はんだ16が所望の形状にぬれ広がりやすいように、溝やくぼみを設け、且つ、はんだ16の流動性を低下させないように、加熱機能を設けておくとより品質を向上させることができる。
以上に示した、本発明の溶融はんだ供給装置を有するはんだダイボンダ装置を使用することにより、高品質なはんだダイボンド接合部を確保することが可能である。
以下に、溶融はんだ供給装置10のいくつかの実施例を、図を用いて説明する。
以下に、溶融はんだ供給装置10のいくつかの実施例を、図を用いて説明する。
図3は、実施例1における溶融はんだ供給装置10の主要部分を示す図である。図3に示した溶融はんだ供給装置10は、図1のダイボンダ100の構成で説明した溶融はんだ供給装置10と同じであり、同じ部品には同じ番号を付している。
実施例1に係る溶融はんだ供給装置10は、線はんだ供給部23とはんだ追加供給ユニット21、吐出ユニット11及び制御ユニット110を備えている。
このうち、溶融したはんだを吐出する吐出ユニット11は、内部に溶融したはんだを収納するはんだポット12、はんだポット12の周囲に設置されたヒータ13、ヒータカバー131、ノズル15、蓋18、はんだポット12内の溶融したはんだの液面高さを検出する液面センサ141を備えている。ヒータ13は、はんだポット12中に供給されたはんだ14を溶融させる。また、はんだポット12の下端に配置したノズル15から、一定量ずつ溶融したはんだ16を基板17上に吐出するものである。
はんだポット12の上端は蓋18により密閉されていて、蓋18にはガス配管191が連接され、その先には、はんだポット12内へのガス圧をコントロールするガス圧コントロールユニット20が接続されている。ガス圧コントロールユニット20は、吐出タイミングなどを制御部110で制御される。制御部110で制御され、ガス圧コントロールユニット20により、ガス配管191から一定体積のガスをはんだポット12内に供給し、はんだポット12内のはんだ14より上の空間部分を陽圧にすることにより、ノズル15から溶融はんだ16を吐出する。
次に、追加供給ユニット21について説明する。追加供給ユニット21は、吐出ユニット11のノズル15から溶融はんだ16を連続して吐出し、はんだポット12内のはんだ14の量が減少したとき、吐出ユニット11の液面センサ141からの信号を制御部110が受けて、制御部110でバルブ33を制御してバルブ33を開き、ロート32にたまっている溶融はんだ221を新たにはんだポット12内に追加供給するための機構である。
追加供給ユニット21に追加するはんだは、線はんだ22を用いる。この線はんだ22は、線はんだ供給部23から供給される。線はんだ供給部23において、ロール231に巻かれた状態で保管されている線はんだ22を、線はんだ送り機構部232で送りガイド252に沿って送り出す。線はんだ供給部23の線はんだ送り機構部232から送りガイド252に沿って追加供給ユニット21に送り出された線はんだ22は、始めに大気圧プラズマユニット24を通過する。
大気圧プラズマユニット24は、中空の円筒の電極25と、円筒の電極25の内側に中空の絶縁部材251が配置され、絶縁部材251の中空部の中心を線はんだ22が通過する。線はんだ22を接地した状態で線はんだ22と電極25との間に高周波電源240により高周波電力を印加し、線はんだ22と絶縁部材251の間の空間26にプラズマを発生させるものである。
電極25の上部には外気と遮断する上蓋27が設置され、送りガイド252の内部に処理用のガスを供給するための処理ガス導入用配管281が接続されており、図示していないガス供給手段により送りガイド252を介してロート32の内部に導入された処理用のガスは、上蓋27に設けられたガス排出ポート282からロート32の外部に排出される。
処理用のガスとしては、窒素と4%の水素の混合ガスを用い、この混合ガスを、処理ガス導入用配管281から大気圧プラズマユニット24内の線はんだ22と絶縁部材251との間の空間26に供給した。この状態で、接地した線はんだ22と電極25との間に高周波電源240から高周波電力を印加することにより、電極25内の線はんだ22と絶縁部材251との間の空間26に水素プラズマが発生し、線はんだ22の表面に存在する酸化膜29を還元し、表面酸化の少ない状態の線はんだ30にすることができた。
このときの反応式として、はんだ表面の酸化膜のうちのSnO2についての反応式を示すと、
SnO2 + 4H* → Sn + 2H2O
となり、はんだの表面に主に存在する錫の酸化物はSnに 還元される。ここで、*はラジカルを表す。
SnO2 + 4H* → Sn + 2H2O
となり、はんだの表面に主に存在する錫の酸化物はSnに 還元される。ここで、*はラジカルを表す。
また、大気圧プラズマを照射すると、線はんだ22の温度が上昇する。そして、大気圧プラズマを照射し続けると線はんだ22の温度が上昇して融点に達し、溶融する。そこで溶融したはんだ221を円錐形状のロート32内で溶融した状態で保持するようにした。そのために、円錐形状のロート32の外部にはカバー322で覆われたヒータ321を設けた。大気圧プラズマユニット24により発生されたプラズマ発生領域を通過してきた線はんだは、表面の酸化膜が水素プラズマにより還元された状態になっているので、円錐形状のロート32の内部にたまっている溶融はんだ221の表面には、酸化物がほとんど存在していない。
吐出ユニット11のはんだポット12中のはんだ14の量が所定の量よりも減ったことをはんだポット12の内部に設置した液面センサ141で検出した場合、液面センサ141からの信号を制御部110が受けて、制御部110でバルブ33を制御してバルブ33を開き、ロート32にたまっている溶融はんだ221を、パイプ19を介して吐出ユニット11のはんだポット12内に追加供給する。
このとき、円錐形状のロート32の内部に溶融して保持されているはんだは、酸化物がほとんど存在していない状態なので、はんだポット12内に酸化物がほとんど存在していない状態の溶融はんだを追加供給することができる。
図3に示した構成では、はんだを円錐形状のロート32からはんだポット12へガイドするパイプ19の周りにはヒータを設けていないが、パイプ19の周りにヒータを設けてパイプ19内を通過する溶融はんだがパイプ19を通過中に冷却されてパイプ19の内部に付着してしまうのを防止するようにしてもよい。
これにより、はんだポット12に供給されるはんだは、線はんだ供給部23から追加供給ユニット21に送り出され始めた状態で線はんだ22の表面に形成されていた酸化膜を大幅に低減、或いは除去されるので、はんだポット12内では、ドロスの発生が抑えられる。したがって、ノズル15から吐出されるはんだ16はドロスの影響がほとんどなく、基板、チップへのぬれ性が良好で、ボイドの発生を抑えることが可能である。
上記の実施例は、本発明の効果を発揮できる一つの例であり、詳細は上記以外の構成でも可能である。
例えば、処理ガス導入用配管281から供給するプラズマ処理用のガスは、窒素と4%の水素の混合ガスを用いたが、水素ガスの濃度を変更することが可能である。また、アルゴン(Ar)と水素の混合ガス、ヘリウムと水素の混合ガスなどを用いても良い。或いはメタンガスなどを還元成分として用いてもよい。
例えば、処理ガス導入用配管281から供給するプラズマ処理用のガスは、窒素と4%の水素の混合ガスを用いたが、水素ガスの濃度を変更することが可能である。また、アルゴン(Ar)と水素の混合ガス、ヘリウムと水素の混合ガスなどを用いても良い。或いはメタンガスなどを還元成分として用いてもよい。
また、図3に示した構成では、円錐形状のロート32を用いたが、この形状は円筒状、角錐状、半球状などでも良い。また、円錐形状のロート32をヒータ321により加熱する構成を示したが、周囲の温度の関係から、溶融したはんだが凝固しなければ、ヒータ321を省略しても良い。
また、はんだ追加供給ユニット21から溶融したはんだをパイプ19を介してはんだポット12に導入する際、はんだポット12内の圧力を制御するガス配管191をパイプ19とは別個に設けてそれぞれを蓋18に配置する構造を図3では示したが、ガス配管191をパイプ19に連結させても良い。この場合でも、はんだ追加供給ユニット21とはんだポット12間にはバルブ33が必要である。
また、供給するはんだを線はんだ22としたが、リボンはんだ、棒はんだなどを用いても良い。
本実施例によれば、大気圧プラズマを用いてはんだの表面の酸化膜を還元して清浄化したはんだを溶融した状態ではんだポット12に供給することができるので、ノズル15から基板17に吐出する溶融はんだ16には酸化膜などの不純物が含まれず、ぬれ性が高く、ボイドの少ない接続の信頼性が高いダイボンド接合部を実現することが可能である。
また、大気圧プラズマを用いてはんだの表面の酸化膜を還元し、清浄化したはんだをはんだポット12に供給するので、はんだポット12の内部はドロスがほぼ堆積しない状態となる。これにより、メンテナンス回数の大幅な低減、はんだポット12、ノズル15の交換頻度を抑えることが可能で、連続使用が可能な時間が伸び、プロセスコストを大幅に削減可能である。および、ドロス量を大幅に低減することではんだの廃棄量も減らすことが可能である。
図4に、本発明の実施例2に係る溶融はんだ供給装置70の構成を示す。この溶融はんだ供給装置70は、図3に示した実施例1における溶融はんだ供給装置10と、はんだ吐出ユニット11、はんだ追加供給ユニット21、線はんだ供給部23は同じ構成であるが、はんだ吐出ユニット11とはんだ追加供給ユニット21との中間にはんだポット61、及び、はんだ追加供給ユニット21とはんだポット61との間にバルブ62を備えた溶融はんだ中間保持部60を設けたものである。はんだポット61の周囲には、ヒータ611が配置され、その外側がヒータカバー612でおおわれている。これにより、はんだ追加供給ユニット21で表面酸化膜を還元除去して清浄化した溶融はんだ222を、一旦はんだポット61にバッファとして蓄積しておき、はんだポット12内の溶融はんだ14の減少量に応じてはんだポット61の溶融はんだ222を逐次はんだポット12内に供給することが可能になる。
この構成において、はんだポット12の内部の溶融はんだ14の液面の高さを液面計141で検出し、はんだポット12の内部の溶融はんだ14の液面の高さが所定の値以下になった時にこの検出情報に基づいて制御部120はバルブ33を制御して溶融はんだ中間保持部60のはんだポット61に収容されている溶融はんだ222をパイプ19を介してはんだポット12の内部に供給する。
また、中間保持部60のはんだポット61の内部の溶融はんだ222の液面の高さを液面計142で検出し、はんだポット61の内部の溶融はんだ22の液面の高さが所定の値以下になった時にこの検出情報に基づいて制御部120はバルブ62を制御して、はんだ追加供給ユニット21のロート32の内部に収容されている溶融はんだ221を中間保持部60のはんだポット61の内部に供給する。
本実施例によれば、必要なはんだ吐出量が大きい場合、或いは、プロセスタクトを上げたいときなどに柔軟に対応することが可能になる。
図5に、本発明の実施例3に係るダイボンダのはんだ追加供給ユニット80の構成を示す。実施例3に係るダイボンダの溶融はんだ供給ユニットの基本的な構成は図3に示した実施例1における溶融はんだ供給ユニット10、又は図4に示した実施例2における溶融はんだ供給ユニット70と同じであり、追加供給ユニットの大気圧プラズマユニットの構成が異なる。
実施例3に係るダイボンダの溶融はんだ供給ユニットにおける追加供給ユニット80の大気圧プラズマユニット820は、実施例1又は2のように送りガイド81の内部に直接プラズマを発生させるのではなく、送りガイド81とは別な場所で大気圧中で発生させたプラズマ中で生成された活性種を送りガイド81の内部に輸送して、送りガイド81の内部を通過する線はんだ22の表面の酸化膜に対して実施例1で説明したような還元反応を起こさせることにより酸化膜を除去する。
図5を用いて、第3の実施例に係る追加供給ユニット80の構成を説明する。本実施例に係る大気圧プラズマユニット820は、ガス導入口821、ガス導入ノズル822、プラズマ生成部823で構成され、プラズマ生成部823は高周波電源241に接続されている。この構成において、ガス導入口821から実施例1で説明したような水素を含む処理用のガスが導入され、ガス導入ノズル822の内部を送りガイド81方向に流れる。この流れの途中で、プラズマ生成部823において高周波電源241により高周波電力が印加され、プラズマ生成部823の内部にプラズマが発生される。そして、このプラズマが発生した領域を通過する処理用のガスが活性化されて、処理用のガスの活性種83が発生する。このガス導入ノズル822の内部で発生した活性種83は送りガイド81の内部に搬送されガイド81の内部84で送られている線はんだの表面の酸化膜を実施例1で説明したような反応により還元され、線はんだ22の表面から酸化膜が除去される。
ガス導入ノズル822は、誘電体で構成される。ガス導入ノズル822の材料としては、ガラス、石英ガラス、アルミナなどであるが、これに限定されるものではない。
実施例3に係るダイボンダの溶融はんだ供給ユニットにおける追加供給ユニット80の他の部分の構成は、実施例1又は2で説明したものと同じであり、ロート84、ヒータ841、ヒータカバー842、蓋85、及び蓋85に設けられたガス排出ポート86を備えている。ガス導入口821から導入された処理用のガスは、ガス排出ポート86からロート84の外部へ排出される。
実施例3に係るダイボンダの溶融はんだ供給ユニットにおける追加供給ユニット80の他の部分の構成は、実施例1又は2で説明したものと同じであり、ロート84、ヒータ841、ヒータカバー842、蓋85、及び蓋85に設けられたガス排出ポート86を備えている。ガス導入口821から導入された処理用のガスは、ガス排出ポート86からロート84の外部へ排出される。
この大気圧プラズマユニット820を採用したはんだ追加供給ユニット80を用いることにより、線はんだ表面に予め存在した酸化膜は除去され、リードフレームまたは基板に吐出するはんだポットには、酸化膜などのドロスの原因となる物質が入り込まないことになる。これによって、メンテナンス頻度の少ない、ダイボンドプロセスを提供することが可能である。またダイボンド接合部の品質もボイドが少なく、信頼性の高いものである。
実施例4として実施例3で説明した、追加供給ユニット80の大気圧プラズマユニット820を、レーザを用いた構成に置き換えた例について図6を用いて説明する。図6は、図5で説明した追加供給ユニット80の大気圧プラズマユニット820をレーザ励起ユニット90に置き換えた構成で、他の部分は図5の構成と同じであるので、説明を省略する。
図6に示したレーザ励起ユニット90は、ガス導入口91、ガス導入ノズル92、レーザ光源93を備えて構成される。この構成において、ガス導入口91から水素を含む処理用ガスを導入してガス導入ノズル92を通して送りガイド81の内部に流しこむ。この状態でレーザ光源93からレーザビーム931を、送りガイド81の内部で線はんだ供給部23からロート84に向かって送り出されている線はんだ22に向けて照射する。
送りガイド81の内部で水素を含む処理用ガスの雰囲気中でレーザビーム931を照射することにより、処理用ガスがレーザビーム931により励起されて、実施例1で説明したような還元反応によりはんだの表面の酸化膜が除去されて清浄化させるとともに、レーザビーム931が照射された線はんだ22を溶融させる。レーザとしてはYAGレーザ光、或いはエキシマレーザ光のパルスレーザが適しているが、これに限定されるものではない。また、スポット的に還元処理するノズル状ではなく、大面積を一度に還元処理できるようにライン状に配置することも可能である。上記の構成を有することにより、はんだポット内のドロスの発生を抑えることが可能であり、メンテナンス頻度を抑え、高品質なはんだダイボンド接合部を得ることが可能である。
実施例5として実施例3で説明した、追加供給ユニット80の大気圧プラズマユニット820を、超音波発信源を用いた構成に置き換えた例について図7を用いて説明する。図7は、図5で説明した追加供給ユニット80の大気圧プラズマユニット820を超音波励起ユニット95に置き換えた構成で、他の部分は図5の構成と同じであるので、説明を省略する。
図7に示した超音波励起ユニット95は、ガス導入口96、ガス導入ノズル97、超音波発振源98を備えて構成される。この構成において、ガス導入口96から水素を含む処理用ガスを導入してガス導入ノズル97を通して送りガイド81の内部に流しこむ。この状態で超音波発振源98により超音波を発振する。
送りガイド81の内部で水素を含む処理用ガスの雰囲気中で超音波振動をはんだに与えることにより、処理用ガスが超音波により励起されて、実施例1で説明したような還元反応によりはんだの表面の酸化膜が除去されて清浄化させるとともに、超音波が照射された線はんだ22を溶融させる。この方式は、実施例1乃至4で説明したレーザやプラズマを用いる方式に比較し、低コストで装置化できる利点がある。
図9に、本実施例による別のダイボンダ300の概略の構成を示す。ダイボンダ300は、雰囲気を制御できるチャンバー(図示せず)内にはんだ槽302を有し、溶融はんだ供給ユニット303は、はんだ槽302から溶融したはんだを吸い上げてその内部に補充する。次にこの溶融はんだ供給ユニット303を、ヒータ45により加熱された試料17の上方に移動し、この試料17に所定の量の溶融はんだ16を供給する。次に電子部品搭載部40により、試料17に供給された溶融はんだ16上に、真空吸着などが可能なコレット41により電子部品46を搭載する。
この溶融はんだ供給ユニット303は、シリンジ304内にはんだポット(図示せず)を有していて、ヒータ13によって加熱される。そして、シリンジ304の先端をはんだ槽302内に浸漬し、モータ制御可能なコントロールユニット305によりシリンジ304内のプランジャ(図示せず)を上方に稼動させて、シリンジ304内のはんだポットに溶融はんだを吸い上げる。
次に溶融はんだ供給ユニット303から試料17に溶融はんだ16を供給するときには、シリンジ304内のプランジャをコントロールユニット305により下方に稼動させ、所定の量の溶融はんだ16をはんだポットから供給するものである。このとき、溶融はんだは比重が重いため、プランジャとシリンジ304の内壁には、耐熱性のOリングを1つ以上挟むほうが空気の進入を防ぎ、より正確なはんだ量の制御、或いはより微量なはんだ量を制御可能である。またはプランジャ上部にはんだなどの液体のシール部を設置しても、シリンジ内部への空気の進入を防ぐことができる。この方式では、同種のはんだを使用するため、耐熱性の問題がないことが特徴である。
上記の方式と異なる溶融はんだ供給ユニット303としては、シリンジ304内の圧力を窒素ガスの導入などによって制御して、溶融はんだをシリンジ304内に供給、或いは、試料17上に溶融はんだを供給する方式もある。
ここで、本発明では、はんだ槽302にはんだを供給する場合に、線はんだ供給部22からはんだ追加供給ユニット21を通り、はんだ槽302にはんだを追加供給する。このはんだ追加供給ユニット306は、これまでの実施例で説明したように、はんだ追加供給ユニット21に水素を混合した窒素ガス等を導入し、大気圧で水素プラズマを発生させ、この水素プラズマによって線はんだ表面の酸化膜を還元する。その後、酸化膜量を大幅に低減したはんだをはんだ槽302に供給する。これによって、はんだ槽302のドロス発生量は少なくなり、メンテナンスの頻度を減少することが可能となる。また、ドロスとして廃棄するはんだ量も低減でき、材料費を削減するとともに、環境への負荷を低減することができる。
図9ははんだ槽を用いたダイボンダ方式を示したが、他にも、溶融はんだの入ったポット内部を加圧しておき、加圧部と反対側にあるニードルの先端を、所定の時間、開閉することによってはんだを供給する方式の溶融はんだ供給ユニットについても適用できる。即ち、大気圧プラズマを用い、線はんだ表面の酸化膜を低減させたはんだをポット内に供給するこれにより、ドロス発生量は少なくなり、メンテナンスの頻度を減少することが可能となる。
以上が発明の説明であるが、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
10…溶融はんだ供給装置 11…はんだ吐出ユニット 12…はんだポット 13…ヒータ 14…はんだ 15…ノズル 16…吐出した溶融はんだ 17…リードフレームまたは回路基板 18…蓋 19…ガス配管 20…コントロールユニット 21、80…はんだ追加供給ユニット 22…線はんだ 23…線はんだ送り機 24,820…大気圧プラズマユニット 25…電極 32…ロート 33…バルブ 40…電子部品搭載部 50…はんだ成型ユニット 60…溶融はんだ供給装置 90…レーザ励起ユニット 95…超音波励起ユニット 100…ダイボンダ 240,241…高周波電源。
Claims (11)
- 試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給するはんだ供給ユニットと、
該はんだ供給ユニットにより前記試料上の所定の位置に所定の量供給されたはんだ上に電子部品を搭載する電子部品搭載ユニットと、
前記試料を前記はんだ供給ユニットと前記電子部品搭載ユニットとの間を搬送する基板搬送ユニットと、
該基板搬送ユニットにより前記はんだ供給ユニットと前記電子部品搭載ユニットとの間を搬送される前記試料を外気と遮断された雰囲気中に維持する外気遮蔽ユニットと
を備えたダイボンダであって、前記はんだ供給ユニットは、
はんだを所定の量供給するはんだ送り出し部と、
該線はんだ送り出し部から送り出されたはんだの表面の酸化膜を除去する酸化膜除去手段を備えて該酸化膜除去手段で表面の酸化膜を除去したはんだを溶融させて収容するはんだ供給部と、
前記はんだ供給部から溶融させたはんだの供給を受けて該はんだを溶融させた状態で収容するポットと該ポットの先端部にはんだを吐出するノズルと該ノズルから一定量の溶融したはんだを吐出させるためのはんだ吐出量を制御する吐出量制御手段とを有するはんだ吐出部と
を備えることを特徴とするダイボンダ。 - 前記外気遮蔽ユニットの内部に前記はんだ供給ユニットにより前記試料上の所定の位置に供給されたはんだを成形するはんだ成形ユニットを更に備え、前記半導体チップ搭載ユニットは、前記はんだ成形ユニットで成形されたはんだ上に半導体チップを搭載することを特徴とする請求項1記載のダイボンダ。
- 前記はんだ供給部に溶融させて収容したはんだを前記はんだ供給部から受けて収容する溶融はんだ中間保持部を更に備え、前記はんだ供給部から供給されて前記溶融はんだ中間保持部に一旦収容した溶融はんだを前記はんだ吐出部へ供給することを特徴とする請求項1又は2に記載のダイボンダ。
- 前記はんだは線はんだ、リボンはんだ、棒はんだのいずれかであり、
前記はんだ供給部の酸化膜除去手段は、水素を含む処理ガスを供給する処理ガス供給部と、該処理ガス供給部により処理ガスが供給された雰囲気中でプラズマを発生させるプラズマ発生部とを有し、該プラズマ発生部により処理ガス供給部により処理ガスが供給された雰囲気中で発生させたプラズマ中を前記はんだ送り出し部から送り出されたはんだを通過させることにより前記はんだの表面の酸化膜を除去することを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のダイボンダ。 - 前記はんだは、線はんだ、リボンはんだ、棒はんだのいずれかであり、
前記はんだ供給部の酸化膜除去手段は、水素を含む処理ガスを供給する処理ガス供給部と、該処理ガス供給部により処理ガスが供給された雰囲気中でプラズマを発生させるプラズマ発生部と、該プラズマ発生部で発生させたプラズマにより生成された前記処理ガスの活性種を搬送する活性種搬送部とを有し、該活性種搬送部から搬送された前記処理ガスの活性種の雰囲気中を前記はんだ送り出し部から送り出されたはんだを通過させることにより前記はんだの表面の酸化膜を除去することを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載のダイボンダ。 - 前記はんだ吐出部は、前記ノズルを介して前記ポットに前記溶融したはんだを補充することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のダイボンダ。
- 外気と遮断された雰囲気中において試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給する工程と、
前記外気と遮断された雰囲気中において前記はんだを供給する工程ではんだが供給された基板を該基板上に電子部品を搭載するための位置へ搬送する基板搬送工程と、
前記外気と遮断された雰囲気中において前記基板搬送工程において電子部品を搭載するための位置に搬送された前記試料に対して、該基板上の所定の量のはんだが供給された位置に電子部品を搭載して該搭載した電子部品を前記試料と接続する電子部品搭載工程と
を有するダイボンディング方法であって、
前記試料上の所定の位置に所定の量のはんだを供給する工程において、
はんだの表面の酸化膜を除去し、
該表面の酸化膜を除去したはんだを溶融し、
該溶融したはんだを一定量ずつ前記試料の表面の所定の位置に供給する
ことを特徴とするダイボンディング方法。 - 前記外気と遮断された雰囲気中において前記はんだを供給する工程で基板に供給されたはんだを成形するはんだ成形工程を更に備え、前記半導体チップ搭載工程において、前記はんだ成形工程で成形されたはんだ上に前記半導体チップを搭載することを特徴とする請求項7記載のダイボンディング方法。
- 前記表面の酸化膜を除去して溶融したはんだを中間保持部に一旦収容して保持し、該中間保持部に一旦収容して保持した溶融したはんだを一定量ずつ前記試料の表面の所定の位置に供給することを特徴とする請求項7または8に記載のダイボンディング方法。
- 前記はんだは、線はんだ、リボンはんだ、棒はんだのいずれかであり、前記線状のはんだの表面の酸化膜を除去することを、水素を含む処理ガスが供給された雰囲気中でプラズマを発生させ、該発生させたプラズマ中を前記線状のはんだを通過させることにより前記線状のはんだの表面の酸化膜を除去することを特徴とする請求項7乃至9の何れかに記載のダイボンディング方法。
- 前記はんだは、線はんだ、リボンはんだ、棒はんだのいずれかであり、
前記線状のはんだの表面の酸化膜を除去することを、水素を含む処理ガスが供給された雰囲気中でプラズマを発生させ、該発生させたプラズマにより生成された前記処理ガスの活性種を前記はんだの位置まで搬送し、該搬送した処理ガスの活性種の雰囲気中を前記線状のはんだを通過させることにより前記はんだの表面の酸化膜を除去することを特徴とする請求項7乃至9の何れかに記載のダイボンディング方法。
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JP2012077637A JP2013207246A (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | ダイボンダ及びダイボンディング方法 |
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KR101647968B1 (ko) * | 2015-03-19 | 2016-08-16 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 칩 어태치 장치 |
CN111451597A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-07-28 | 王锦洪 | 一种片状电感焊锡设备 |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012077637A patent/JP2013207246A/ja active Pending
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