JP2013195097A - 半導体圧力センサ及びその製造方法、並びに圧力検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体圧力センサ10は、ダイヤフラムを支持し中空部31を有する支持基板21Pと、ダイヤフラムの受圧面に形成された複数の半導体ピエゾ抵抗素子P1〜P4とを備える。中空部31のダイヤフラム側一端は封止されている。ダイヤフラムは、外周部22pと、中空部31内に突出する錘部32を持つ厚肉部と、この厚肉部を外周部22pに連結する薄肉部22bとを有する。この薄肉部22bの外周端には半導体ピエゾ抵抗素子P1,P4が形成され、薄肉部22bの内周端には半導体ピエゾ抵抗素子P2,P3が形成される。
【選択図】図1
Description
図1(A)は、本発明に係る実施の形態1の圧力検出装置におけるピエゾ抵抗型の半導体圧力センサ10の断面構造を概略的に示す図であり、図1(B)は、この半導体圧力センサ10の上面図である。図1(A)は、図1(B)の半導体圧力センサ10のIa−Ia線における概略断面を示している。半導体圧力センサ10は、中空部31を有する支持基板21Pを用いて構成されている。図1(A),(B)において、Z軸方向は、この支持基板21Pの厚み方向と一致し、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向は互いに直交する。
Vo=[R1/(R1+R2)−R4/(R3+R4)]×VDD
次に、本発明に係る実施の形態2について説明する。図13は、実施の形態2のピエゾ抵抗型の半導体圧力センサ10Bの断面構造を概略的に示す図である。本実施の形態の半導体圧力センサ10Bの基本構造は、製造方法の一部が異なる点を除いて、実施の形態1の半導体圧力センサ10の基本構造とほぼ同じである。
次に、本発明に係る実施の形態3について説明する。図19(A)は、本発明に係る実施の形態3の圧力検出装置におけるピエゾ抵抗型の半導体圧力センサ10Cの断面構造を概略的に示す図であり、図19(B)は、この半導体圧力センサ10Cの上面図である。図19(A)は、図19(B)の半導体圧力センサ10CのXIXa−XIXa線における概略断面を示している。説明の便宜上、図19(B)には保護膜24は示されていない。
Vxo=[Rx1/(Rx1+Rx2)−Rx4/(Rx3+Rx4)]×VDDx、
Vyo=[Ry1/(Ry1+Ry2)−Ry4/(Ry3+Ry4)]×VDDy、
Vzo=[Rz1/(Rz1+Rz2)−Rz4/(Rz3+Rz4)]×VDDz
以上、図面を参照して本発明に係る種々の実施の形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な形態を採用することもできる。たとえば、支持基板21Pの中空部31の上面視形状や錘部32,32B,32Cの上面視形状は、図1(B)及び図19(B)に示したように矩形状であるが、これに限定されるものではない。たとえば、これらの形状が円形状あるいは楕円形状であってもよい。
Claims (12)
- 受圧面と該受圧面に対向する裏面とを有するダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムの当該裏面を支持する支持面と中空部とを有する支持基板と、
前記受圧面に形成され、前記受圧面の歪みに応じた可変の電気抵抗を有する複数の半導体ピエゾ抵抗素子と
を備え、
前記中空部の前記ダイヤフラム側一端は、前記ダイヤフラムの当該裏面によって封止されており、
前記ダイヤフラムは、
前記支持面により支持されている外周部と、
前記中空部内に突出する錘部を持つ厚肉部と、
前記厚肉部を前記外周部に連結し前記厚肉部よりも薄い薄肉部とを有し、
前記複数の半導体ピエゾ抵抗素子は、
前記薄肉部の前記外周部側の外周端に形成された第1の半導体ピエゾ抵抗素子と、
前記薄肉部の前記厚肉部側の内周端に形成された第2の半導体ピエゾ抵抗素子とを含む
ことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 請求項1に記載の半導体圧力センサであって、
前記薄肉部は、前記厚肉部を取り囲むように環状に形成されており、
前記外周部は、前記薄肉部を取り囲むように環状に形成されている
ことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 請求項2に記載の半導体圧力センサであって、
前記複数の半導体ピエゾ抵抗素子は、
前記薄肉部の当該外周端に形成された第3の半導体ピエゾ抵抗素子と、
前記薄肉部の当該内周端に形成された第4の半導体ピエゾ抵抗素子とをさらに含み、
前記第1及び第2の半導体ピエゾ抵抗素子は、前記受圧面に並行な第1の方向に沿って配列されており、
前記第3及び第4の半導体ピエゾ抵抗素子は、前記受圧面に並行で且つ前記第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列されている
ことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 請求項1から3のうちのいずれか1項に記載の半導体圧力センサであって、前記錘部は、空洞部を有することを特徴とする半導体圧力センサ。
- 請求項1から4のうちのいずれか1項に記載の半導体圧力センサであって、前記中空部は、前記ダイヤフラムとは反対側で封止された他端を有し、気密室を構成していることを特徴とする半導体圧力センサ。
- 請求項1から5のうちのいずれか1項に記載の半導体圧力センサであって、前記半導体ピエゾ抵抗素子は、半導体結晶層に導入された不純物拡散領域を含むことを特徴とする半導体圧力センサ。
- 請求項6に記載の半導体圧力センサであって、前記半導体結晶層は、単結晶シリコン層であることを特徴とする半導体圧力センサ。
- 請求項1から7のうちのいずれか1項に記載の半導体圧力センサと、
前記半導体圧力センサに含まれる当該複数の半導体ピエゾ抵抗素子の電気抵抗の変化を示す電圧信号に基づいて、前記半導体圧力センサに印加された圧力の値を算出する演算部と
を備えることを特徴とする圧力検出装置。 - 請求項3に記載の半導体圧力センサと、
前記半導体圧力センサに含まれる当該複数の半導体ピエゾ抵抗素子の電気抵抗の変化を示す電圧信号に基づいて、前記半導体圧力センサに印加された圧力の値を算出する演算部とを備え、
前記演算部は、前記電圧信号の周波数解析により前記半導体圧力センサに作用した加速度の値を前記圧力の値とともに算出する
ことを特徴とする圧力検出装置。 - 支持基板と該支持基板上に形成された半導体結晶層とを含む基板を用意する工程と、
前記半導体結晶層の表層部に不純物を選択的に導入して複数の半導体ピエゾ抵抗素子を形成する工程と、
前記支持基板の裏面を選択的にエッチングして所定の深さを有する環状凹部を形成する工程と、
前記支持基板の裏面のうち前記環状凹部の領域と該環状凹部で囲まれる凸状領域との双方に対して選択的に異方性エッチングを実行することにより、前記支持基板内に中空部と該中空部内に配置される錘部とを形成すると同時に前記半導体結晶層を含むダイヤフラムを形成する工程と
を備え、
前記ダイヤフラムは、
前記支持基板により支持されている外周部と、
前記中空部内に突出する錘部を持つ厚肉部と、
前記厚肉部を前記外周部に連結し前記厚肉部よりも薄い薄肉部とを有し、
前記複数の半導体ピエゾ抵抗素子は、
前記薄肉部の前記外周部側の外周端に形成された第1の半導体ピエゾ抵抗素子と、
前記薄肉部の前記厚肉部側の内周端に形成された第2の半導体ピエゾ抵抗素子とを含む
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 支持基板と該支持基板上に形成された半導体結晶層とを含む基板を用意する工程と、
前記半導体結晶層の表層部に不純物を選択的に導入して複数の半導体ピエゾ抵抗素子を形成する工程と、
前記支持基板の裏面を選択的にエッチングして所定の深さを有する凹部を形成する工程と、
前記凹部の形成後、前記支持基板の当該凹部内の所定の環状領域を露出させるエッチングマスク形成する工程と、
前記支持基板の裏面に対して前記エッチングマスクを使用した異方性エッチングを実行することにより、前記支持基板内に中空部と該中空部内に配置される錘部とを形成すると同時に前記半導体結晶層を含むダイヤフラムを形成する工程と
を備え、
前記ダイヤフラムは、
前記支持基板により支持されている外周部と、
前記中空部内に突出する錘部を持つ厚肉部と、
前記厚肉部を前記外周部に連結し前記厚肉部よりも薄い薄肉部とを有し、
前記複数の半導体ピエゾ抵抗素子は、
前記薄肉部の前記外周部側の外周端に形成された第1の半導体ピエゾ抵抗素子と、
前記薄肉部の前記厚肉部側の内周端に形成された第2の半導体ピエゾ抵抗素子とを含む
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 - 請求項10または11に記載の半導体圧力センサの製造方法であって、
前記異方性エッチングの実行後、前記支持基板と前記半導体結晶層との間に介在する埋め込み絶縁膜の露出部分をエッチングで除去するステップをさらに備え、
前記基板は、SOI基板である
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
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2012
- 2012-03-16 JP JP2012059616A patent/JP5890712B2/ja active Active
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