JP2013191695A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、酸化処理、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing such as thin film generation, oxidation processing, impurity diffusion, annealing processing, etching, and the like on a substrate such as a silicon wafer or a glass substrate.
基板処理装置として、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置と、所要枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。バッチ式の基板処理装置では、縦型炉を有し、該縦型炉の処理室に所要枚数の基板を収納し、処理している。 As the substrate processing apparatus, there are a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one and a batch type substrate processing apparatus that processes a required number of substrates at a time. A batch type substrate processing apparatus has a vertical furnace, and a required number of substrates are stored in a processing chamber of the vertical furnace and processed.
前記縦型炉の処理室を画成する反応管(プロセスチューブ)は有天筒形状をしており、該プロセスチューブ内に設置された熱電対等の温度センサと、前記プロセスチューブを囲繞する様に配設された加熱装置を具備している。前記処理室では、基板(ウェーハ)が基板保持具(ボート)により水平姿勢で多段に支持され、前記処理室が所定の処理圧に減圧され、所定温度に加熱され、更に処理ガスが導入されつつ排気されることで、基板表面に所要の処理がなされる様になっている。 The reaction tube (process tube) that defines the processing chamber of the vertical furnace has a cylindrical shape, and surrounds the process tube with a temperature sensor such as a thermocouple installed in the process tube. A heating device is provided. In the processing chamber, substrates (wafers) are supported in multiple stages in a horizontal posture by a substrate holder (boat), the processing chamber is depressurized to a predetermined processing pressure, heated to a predetermined temperature, and a processing gas is being introduced. By evacuating, the substrate surface is processed as required.
図4に於いて、従来の温度センサ1について説明する。該温度センサ1は、石英等の保護管2に挿入された複数の熱電対(図示せず)により構成される。前記保護管2はプロセスチューブ3の下方に配設されたマニホールド4を周面から貫通し、垂直に屈曲されて前記プロセスチューブ3の内壁に沿って上方に延出している。
A
メンテナンス等により前記温度センサ1を取外し、再度取付けを行う場合には、該温度センサ1の取付け位置が取外し前の位置と異なると正確な温度分布を得ることができない為、該温度センサ1の位置の再現性を図る手段が必要となっている。
When the
従来の該温度センサ1では、前記保護管2の屈曲部に当接し、該保護管2の重量を支持する重量支持部材6、及び水平方向の位置決めを行い水平移動を拘束する変位防止部材7を有し、更に前記プロセスチューブ3の内壁との平行を確保する為に設けられた突起部5を有している。該突起部5は前記プロセスチューブ3の内壁に向って突出し、前記突起部5を前記プロセスチューブ3の内壁に接触させることで、前記保護管2の位置再現性を図っている。
In the
然し乍ら、従来の該保護管2では、前記突起部5が常に前記プロセスチューブ3の内壁と接触する構造である為、処理室内を減圧し、加熱した際には熱変形により前記突起部5が破損し、該突起部5の破損に伴い前記保護管2自体も破損する場合があり、該保護管2が破損することでウェーハのロットアウトの問題が発生していた。
However, the conventional
又、従来の前記保護管2は、ボートへの傾きを防止する構成を有していない為、前記保護管2が前記ボート側に傾いて設置された際には、該保護管2と前記ボートとが接触し、パーティクルが発生する要因となっていた。
Further, since the conventional
尚、特許文献1には、熱電対を保護管に下端から挿入し、両端部が太径の円筒部であり中途部にフランジ部が形成された熱電対ホルダを熱電対固定金具の所要位置に位置決めした後、前記円筒部をクランプ金具の基部に嵌合させ、前記フランジ部を前記クランプ金具に下方から突当て、固定することで温度検出器の再組立ての際の高さ方向の再現性を向上させる半導体製造装置が開示されている。
In
又、特許文献2には、保護管の内部が仕切板にて4つの空間に区分され、各空間に熱電対が一本ずつ収容されており、各熱電対の収納スペースを狭くし、各熱電対の水平方向の変位を規制することで、内部熱電対を再装着する際の前記保護管内に於ける熱電対の位置再現性を確保する基板処理装置及び基板処理方法が開示されている。
In
本発明は斯かる実情に鑑み、容易に温度センサの位置再現性を確保し、温度検出精度を向上させる基板処理装置を提供するものである。 In view of such circumstances, the present invention provides a substrate processing apparatus that easily secures position reproducibility of a temperature sensor and improves temperature detection accuracy.
本発明は、ヒータと、基板保持具に保持された基板を処理する処理室を画成する反応管と、該反応管の内面に沿って上方に延出し、内部に熱電対が挿入されると共に、少なくとも1ヶ所に前記反応管の内壁に向って突出する第1位置決め部材が設けられた保護管を有する温度センサと、前記第1位置決め部材が嵌合する嵌合溝を有する第2位置決め部材とを具備し、前記第1位置決め部材が前記嵌合溝に嵌合した状態で前記保護管と前記反応管との間に前記第2位置決め部材が介設される基板処理装置に係るものである。 The present invention includes a heater, a reaction tube that defines a processing chamber for processing a substrate held by a substrate holder, and extends upward along the inner surface of the reaction tube, and a thermocouple is inserted therein. A temperature sensor having a protective tube provided with a first positioning member protruding toward the inner wall of the reaction tube in at least one place, and a second positioning member having a fitting groove into which the first positioning member is fitted. And a substrate processing apparatus in which the second positioning member is interposed between the protective tube and the reaction tube in a state where the first positioning member is fitted in the fitting groove.
又本発明は、前記保護管を囲繞する凹部を有する傾き制限部材を更に具備し、前記凹部が前記保護管の傾きを制限する基板処理装置に係るものである。 The present invention further relates to a substrate processing apparatus further comprising an inclination limiting member having a concave portion surrounding the protective tube, wherein the concave portion limits the inclination of the protective tube.
本発明によれば、ヒータと、基板保持具に保持された基板を処理する処理室を画成する反応管と、該反応管の内面に沿って上方に延出し、内部に熱電対が挿入されると共に、少なくとも1ヶ所に前記反応管の内壁に向って突出する第1位置決め部材が設けられた保護管を有する温度センサと、前記第1位置決め部材が嵌合する嵌合溝を有する第2位置決め部材とを具備し、前記第1位置決め部材が前記嵌合溝に嵌合した状態で前記保護管と前記反応管との間に前記第2位置決め部材が介設されるので、該第2位置決め部材の厚みにより前記処理室の面内での前記温度センサの位置再現性を容易に確保でき、又前記第1位置決め部材に対する前記第2位置決め部材の高さ方向の位置再現性を確保することができる。 According to the present invention, a heater, a reaction tube that defines a processing chamber for processing a substrate held by a substrate holder, and an upward extending along the inner surface of the reaction tube, a thermocouple is inserted therein. And a temperature sensor having a protective tube provided with a first positioning member protruding toward the inner wall of the reaction tube at at least one location, and a second positioning having a fitting groove into which the first positioning member is fitted. And the second positioning member is interposed between the protective tube and the reaction tube in a state in which the first positioning member is fitted in the fitting groove. The position reproducibility of the temperature sensor in the surface of the processing chamber can be easily ensured by the thickness of the processing chamber, and the position reproducibility of the second positioning member in the height direction relative to the first positioning member can be ensured. .
又本発明によれば、前記保護管を囲繞する凹部を有する傾き制限部材を更に具備し、前記凹部が前記保護管の傾きを制限するので、前記温度センサが傾くことで前記保護管と前記基板保持具とが接触し、パーティクルが発生するのを防止することができるという優れた効果を発揮する。 According to the present invention, there is further provided an inclination limiting member having a recess surrounding the protection tube, and the recess limits the inclination of the protection tube, so that the temperature sensor is inclined to incline the protection tube and the substrate. An excellent effect of preventing the generation of particles due to contact with the holder is exhibited.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
先ず、図1に於いて、本発明の実施例に係る基板処理装置に具備される処理炉の一例を説明する。 First, referring to FIG. 1, an example of a processing furnace provided in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
処理炉11は予備室12の上方に立設され、該予備室12の内部と前記処理炉11の内部(処理室13)とは連通され、前記処理炉11は下端に形成される炉口部が炉口シャッタ(図示せず)、或はシール蓋14によって気密に閉塞される様になっている。
The
前記処理室13には基板保持具であるボート15が収納され、該ボート15には被処理基板であるウェーハ16が水平姿勢で多段に保持される。前記予備室12の内部には、該予備室12と前記処理室13間での基板保持具搬送装置であるボートエレベータ17が設けられ、該ボートエレベータ17からは基板保持具の支持体である昇降アーム18が水平方向に延出している。前記ボート15は前記シール蓋14を介して前記昇降アーム18に支持され、前記ボートエレベータ17により前記昇降アーム18が昇降されることで、前記ボート15が前記処理炉11に装脱される様になっている。
A
前記処理炉11は、加熱機構としてのヒータ19を有する。該ヒータ19は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース21に支持されることにより垂直に据付けられている。
The
前記ヒータ19の内側には、該ヒータ19と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ22が配設されている。該プロセスチューブ22は内部反応管としてのインナチューブ23と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウタチューブ24とから構成されている。前記インナチューブ23は、例えば石英(SiO2 )又は炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状である。前記インナチューブ23の内側には前記処理室13が画成されており、該処理室13に前記ボート15が装入される。
Inside the
前記アウタチューブ24は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径が前記インナチューブ23の外径よりも大きく上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状に形成されており、前記インナチューブ23と同心円状に設けられている。該インナチューブ23と前記アウタチューブ24との間には筒状空間25が形成される。
The
前記アウタチューブ24の下方には、該アウタチューブ24と同心円状にマニホールド26が配設されている。該マニホールド26は、例えばステンレス等からなり、上端に前記アウタチューブ24が立設され、前記マニホールド26の中途部より内側に形成された内フランジ26aに前記インナチューブ23が立設されている。
A
尚、前記マニホールド26と前記アウタチューブ24との間にはシール部材としてのOリング27が設けられている。前記マニホールド26が前記ヒータベース21に支持されることにより、前記プロセスチューブ22は垂直に据付けられた状態となっている。該プロセスチューブ22と前記マニホールド26により反応容器が形成され、該マニホールド26の下端開口部は炉口部を形成し、該炉口部は前記シール蓋14によって気密に閉塞される様になっている。
An O-ring 27 as a seal member is provided between the
該シール蓋14にはガス導入部としてのノズル28が前記処理室13内に連通する様に接続されており、前記ノズル28にはガス供給管29が接続されている。該ガス供給管29の上流側には、ガス流量調整器(マスフローコントローラ)31を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ガス流量調整器31にはガス流量制御部32が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
A
前記マニホールド26には、前記処理室13内の雰囲気を排気する排気管33が連通されている。該排気管33は、前記筒状空間25の下端部に連通している。
An
前記排気管33には下流側に向って圧力検出器としての圧力センサ34及び弁装置35が設けられ、前記排気管33は真空ポンプ等の真空排気装置36に接続されている。
The
前記圧力センサ34及び前記弁装置35には、圧力制御部37が電気的に接続されており、該圧力制御部37は前記圧力センサ34により検出された圧力に基づいて前記弁装置35により前記処理室13内の圧力が所望の圧力(真空度)となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
A
前記炉口部を開閉する前記シール蓋14は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記シール蓋14の上面には前記マニホールド26の下端と当接するシール部材としてのOリング38が設けられる。
The
前記シール蓋14の下側には前記ボート15を回転させる回転機構39が設置されている。該回転機構39の回転軸41は前記シール蓋14を貫通して、前記ボート15に接続されており、該ボート15を回転可能となっている。
A
前記シール蓋14は前記昇降アーム18により支持され、又該昇降アーム18は前記ボートエレベータ17に昇降可能に支持され、該ボートエレベータ17により前記昇降アーム18が昇降されることで、前記ボート15は前記処理室13に装入、装脱可能となっている。前記回転機構39及び前記ボートエレベータ17には駆動制御部42が電気的に接続されており、所望の動作をする様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。ここで、前記回転軸41、前記シール蓋14、前記昇降アーム18等はボート支持部を構成する。
The
前記ボート15は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ16を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート15の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板43が水平姿勢で多段に複数枚配置された断熱部44を構成し、前記ヒータ19からの熱が前記マニホールド26側に伝わり難くなる様になっている。
The
前記プロセスチューブ22内には、温度センサ45が設置され、該温度センサ45及び前記ヒータ19には、温度制御部46が電気的に接続されており、前記温度センサ45により検出された温度情報に基づき前記ヒータ19への通電具合を調整することにより前記処理室13の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
A
前記ガス流量制御部32、前記圧力制御部37、前記駆動制御部42、前記温度制御部46は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部47に電気的に接続されている。これら前記ガス流量制御部32、前記圧力制御部37、前記駆動制御部42、前記温度制御部46、前記主制御部47はコントローラ48として構成されている。
The gas flow
図2、図3に於いて、前記温度センサ45及びその周辺構成について説明する。
2 and 3, the
図2は、前記処理室13下部に於ける前記温度センサ45及びその周辺構成を示している。該温度センサ45は、石英等により形成された保護管49と、該保護管49内に挿入された複数の熱電対(図示せず)から構成されている。
FIG. 2 shows the
前記保護管49は、前記マニホールド26の周面に穿設された温度センサ挿入孔51より前記処理室13内に挿入された後、該処理室13内で垂直方向に屈曲し、前記アウタチューブ24の壁面に沿って該アウタチューブ24と前記インナチューブ23との間を上方に延出している(図1参照)。
The
前記保護管49の屈曲部49aの下方には、前記マニホールド26より突出する重量支持部材52が配設され、該重量支持部材52によって前記保護管49の自重が支持されている。又、前記屈曲部49aの側方には、前記マニホールド26より突出する変位防止部材53,53が配設されており、該変位防止部材53,53により、前記保護管49の水平方向への動きが拘束される。
A
又、前記保護管49の垂直部49bには、前記アウタチューブ24の壁面に向って突出する石英製の第1位置決め部材54が溶接されており、該第1位置決め部材54は少なくとも上端に曲面を有している。
A
前記垂直部49bと前記アウタチューブ24との間の前記第1位置決め部材54が形成された部分には、所定の厚みを有し、4隅が上下方向に全長に亘って面取りされた第2位置決め部材55が介設されている。該第2位置決め部材55には、中途部から下端に至り下端が開放され、所定の深さを有する嵌合溝56が形成され、該嵌合溝56に前記第1位置決め部材54が下側から挿入される様になっている。尚、前記第2位置決め部材55の材質としては、PTFE(Polytetrafluoroethylene)、PEEK(Polyetheretherketone:登録商標)、PVC(Polyvinyl chloride)、MCナイロン(登録商標)等の樹脂材料が用いられる。
The portion where the
前記垂直部49bと前記アウタチューブ24との間に前記第2位置決め部材55が介設された際には、前記嵌合溝56に挿入された前記第1位置決め部材54の上端が前記嵌合溝56の上端に突当ることで、前記第2位置決め部材55の加重が支持されると共に、該第2位置決め部材55の位置決めがされる様になっており、前記垂直部49bに対する前記第2位置決め部材55の位置が常に一定となる。又、前記第2位置決め部材55は面取りされることで、該第2位置決め部材55が介設された際に角部のみが前記アウタチューブ24の内壁と接触し、荷重が集中しない様になっている。
When the
又、前記垂直部49bと前記アウタチューブ24との間に前記第2位置決め部材55が介設され、該第2位置決め部材55に前記アウタチューブ24と前記垂直部49bとが接触する様にすることで、前記アウタチューブ24と前記垂直部49bとの距離が常に一定となる。
Further, the
尚、前記嵌合溝56の深さは、前記第1位置決め部材54の厚みよりも深くなっている。即ち、前記第2位置決め部材55の厚みが、前記第1位置決め部材54の厚みよりも厚くなっており、該第1位置決め部材54が前記アウタチューブ24に接触しない様になっている。
The depth of the
図3は、前記処理室13上部に於ける前記温度センサ45及びその周辺構成を示している。
FIG. 3 shows the
前記内フランジ26aには支持柱57が立設されている。前記処理室13の上部には、前記支持柱57によって支持される傾き制限部材58が設けられている。該傾き制限部材58は前記アウタチューブ24に向って延出する2つの直方体を組合わせた形状の部材であり、後端の2隅が面取りされると共に、先端側の直方体はU字状の凹部59が形成された囲繞部61となっている。
A
該凹部59は前記保護管49の垂直部49bよりも大径であり、前記凹部59に前記垂直部49bが収納される様になっており、該垂直部49bが前記ボート15に対して平行であり、直立している状態では、前記垂直部49bが前記凹部59の中心に位置する様に設定される。
The
前記垂直部49bと前記凹部59の余裕分だけ前記垂直部49bが傾斜可能となっており、該垂直部49bが前記凹部59の内面に当接した状態が前記垂直部49bが許容する最大の傾きである。又、作業者は前記凹部59を前記垂直部49bの傾斜の基準とすることができ、該垂直部49bが前記凹部59に当接している場合には、前記垂直部49bが傾いていることを示し、作業者は該垂直部49bが前記ボート15に対して傾斜しているかどうかを視覚的に判断することができる。
The
次に、図1に示された構成に係る前記処理炉11を用いて、半導体デバイスの製造工程の1工程として、CVD法によりウェーハ16上に薄膜を生成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は前記コントローラ48により制御される。
Next, a method of forming a thin film on the
所定枚数のウェーハ16が前記ボート15に装填されると、該ボート15は、前記ボートエレベータ17によって前記処理室13に装入(ボートローディング)される。この状態では、前記シール蓋14は前記Oリング38を介して前記炉口部を気密に閉塞する。
When a predetermined number of
前記処理室13が所望の圧力(真空度)となる様に前記真空排気装置36によって真空排気される。この際、前記処理室13の圧力は、前記圧力センサ34で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力制御部37が、前記弁装置35をフィードバック制御する。
The
又、前記処理室13が所望の温度となる様に前記ヒータ19によって加熱される。この際、前記処理室13が所望の温度分布となる様に前記温度センサ45が検出した温度情報に基づき前記ヒータ19への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構39により、前記ボート15が回転され、同時にウェーハ16が回転される。
The
次いで、図示しない処理ガス供給源から処理ガスが供給され、前記ガス流量調整器31にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管29を流通して前記ノズル28から前記処理室13に導入される。導入されたガスは前記処理室13を上昇し、前記インナチューブ23の上端開口を折返し、前記筒状空間25を流下して前記排気管33から排気される。ガスは前記処理室13を通過する際にウェーハ16の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウェーハ16の表面上に薄膜が堆積される。
Subsequently, a processing gas is supplied from a processing gas supply source (not shown), and the gas controlled to have a desired flow rate by the gas
予め設定された処理時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室13が不活性ガスに置換されると、前記弁装置35が閉塞され、前記処理室13の圧力が常圧に復帰される。
When a processing time set in advance elapses, an inert gas is supplied from an inert gas supply source (not shown). When the
その後、前記ボートエレベータ17により前記シール蓋14が降下され、炉口部が開口されると共に、処理済ウェーハ16が前記ボート15に保持された状態で前記処理室13から引出される。その後、処理済ウェーハ16は図示しない基板移載装置によって前記ボート15から払出される。
Thereafter, the
基板処理を繰返し実行した後には、堆積物除去の為に、前記温度センサ45等を前記処理室13内から取外した後、前記アウタチューブ24、前記インナチューブ23、前記ボート15等に付着生成した堆積物の清浄作業が行われる。
After repeatedly performing the substrate processing, the
取外した前記温度センサ45を再度取付ける際には、前記アウタチューブ24と前記保護管49の前記垂直部49bとの間に前記第2位置決め部材55を介在させつつ、前記嵌合溝56内に前記第1位置決め部材54が挿入される様前記第2位置決め部材55を落し込み、前記嵌合溝56の上端に前記第1位置決め部材54の上端を突当てる。
When the removed
又、前記アウタチューブ24と前記保護管49の間に介在する第2位置決め部材55が、前記アウタチューブ24と前記保護管49とにそれぞれ接触する様にすることで、前記第1位置決め部材54に対する前記第2位置決め部材55の高さ位置、及び前記アウタチューブ24と前記垂直部49bとの距離がそれぞれ再現される。
Further, the
前記温度センサ45等を再度取付けた後には、基板処理が再度行われる。
After the
上述の様に、本実施例では、前記保護管49の前記垂直部49bと前記アウタチューブ24との間に前記第2位置決め部材55を介在させ、該第2位置決め部材55の厚みにより前記アウタチューブ24と前記垂直部49bとの距離、即ち該垂直部49bの前記処理室13内に於ける面内での位置を常に一定とすることができるので、前記温度センサ45を取外し、再度取付ける場合であっても容易に位置の再現性が確保できる。
As described above, in this embodiment, the
又、前記第1位置決め部材54の厚みは、前記第2位置決め部材55の厚みよりも薄くなっているので、前記第1位置決め部材54が直接前記アウタチューブ24の壁面と接触することによる、前記第1位置決め部材54の破損、及び該第1位置決め部材54の破損に伴う前記保護管49の破損を防止することができ、ロットアウトを防止し、ウェーハ16の歩留りを増加させることができる。
Further, since the thickness of the
又、本実施例では、前記保護管49の傾きを確認できる前記傾き制限部材58を設けているので、傾いて設けられた前記保護管49が前記ボート15と接触し、パーティクルが発生するのを防止することができる。
Further, in this embodiment, since the
尚、本実施例では、前記アウタチューブ24と前記垂直部49bとの間に第2位置決め部材55を介設し、該第2位置決め部材55に前記アウタチューブ24と前記垂直部49bとをそれぞれ接触させることで、前記保護管49の位置再現性を図っていたが、前記嵌合溝56の深さを前記第1位置決め部材54の厚みよりも浅くすることで、前記第2位置決め部材55を前記アウタチューブ24と前記第1位置決め部材54との間に介在させ、該第2位置決め部材に前記アウタチューブ24と前記第1位置決め部材54とをそれぞれ接触させることで前記保護管49の位置再現性を図ってもよい。
In the present embodiment, a
又、本実施例では、前記第2位置決め部材55の4隅を面取りすることで、前記アウタチューブ24との接触面積を増加させ、荷重の集中を防止しているが、前記第2位置決め部材55の前記アウタチューブ24との接触面を該アウタチューブ24の内壁と同じ曲率の曲面としてもよい。
Further, in this embodiment, the four corners of the
又、本実施例では、前記嵌合溝56の深さを前記第1位置決め部材54の厚みよりも深くしているが、前記嵌合溝56は前記第2位置決め部材55を厚み方向に貫通する様形成してもよい。
In this embodiment, the depth of the
又、本実施例では、前記第1位置決め部材54及び前記第2位置決め部材55をそれぞれ1ヶ所に設けているが、前記第1位置決め部材54及び前記第2位置決め部材55を2ヶ所以上に設けてもよい。
Further, in this embodiment, the
更に、本実施例では、前記保護管49の垂直部49bの傾きを制限する前記傾き制限部材58を1ヶ所にのみ設けているが、該傾き制限部材58は2ヶ所以上に設けてもよいのは言う迄もない。
Furthermore, in this embodiment, the
(付記)
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(Appendix)
The present invention includes the following embodiments.
(付記1)ヒータと、基板保持具に保持された基板を処理する処理室を画成する反応管と、該反応管の内面に沿って上方に延出し、内部に熱電対が挿入されると共に、少なくとも1ヶ所に前記反応管の内壁に向って突出する第1位置決め部材が設けられた保護管を有する温度センサと、前記第1位置決め部材が嵌合する嵌合溝を有する第2位置決め部材とを具備し、前記第1位置決め部材が前記嵌合溝に嵌合した状態で前記保護管と前記反応管との間に前記第2位置決め部材が介設されることを特徴とする基板処理装置。 (Supplementary note 1) A heater, a reaction tube that defines a processing chamber for processing a substrate held by a substrate holder, and extends upward along the inner surface of the reaction tube. A thermocouple is inserted therein. A temperature sensor having a protective tube provided with a first positioning member protruding toward the inner wall of the reaction tube in at least one place, and a second positioning member having a fitting groove into which the first positioning member is fitted. The substrate processing apparatus, wherein the second positioning member is interposed between the protective tube and the reaction tube in a state where the first positioning member is fitted in the fitting groove.
(付記2)前記第2位置決め部材の厚みは前記第1位置決め部材の厚みよりも厚い付記1の基板処理装置。
(Supplementary note 2) The substrate processing apparatus according to
(付記3)前記嵌合溝の深さは前記第1位置決め部材の厚みよりも深い付記1又は付記2の基板処理装置。
(Supplementary Note 3) The substrate processing apparatus according to
(付記4)前記嵌合溝は前記第2位置決め部材を厚み方向に貫通している付記1〜付記3のうちいずれかの基板処理装置。
(Supplementary Note 4) The substrate processing apparatus according to any one of
(付記5)前記嵌合溝の深さは前記第1位置決め部材の厚みよりも浅い付記1又は付記2の基板処理装置。
(Supplementary Note 5) The substrate processing apparatus according to
11 処理炉
13 処理室
15 ボート
16 ウェーハ
19 ヒータ
22 プロセスチューブ
23 インナチューブ
24 アウタチューブ
45 温度センサ
49 保護管
54 第1位置決め部材
55 第2位置決め部材
56 嵌合溝
58 傾き制限部材
DESCRIPTION OF
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-
2012
- 2012-03-13 JP JP2012056261A patent/JP2013191695A/en active Pending
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US11633753B2 (en) | 2020-02-14 | 2023-04-25 | Kokusai Electric Corporation | Nozzle installation jig |
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