JP2013175263A - 低い外部電源電圧に適した電圧発生部 - Google Patents
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 22
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000002789 length control Methods 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 102100035606 Beta-casein Human genes 0.000 description 1
- 101000947120 Homo sapiens Beta-casein Proteins 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
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- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
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- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4099—Dummy cell treatment; Reference voltage generators
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
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- G—PHYSICS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【解決手段】低い外部電源電圧に対しても高い目標電圧レベルを発生させる電圧発生部について開示され、該基準電圧発生部は、外部から印加される第1電源電圧によって駆動され、第1電圧を受信してクランプ電圧を発生させるクランプ調節部と、第1電源電圧より高い第2電源電圧によって駆動され、クランプ電圧を受信して基準電圧を発生させるレベル増幅部と、を含む。該クランプ電圧は、DRAM内メモリセルデータのリストア動作を保証する最小限の電圧レベルを有するように設定される。
【選択図】図1
Description
110,410,510 クランプ調節部
112 第1比較部
114,1010 第1スイッチング部
115 第1レベル調節部
116,326,801,906 第1抵抗
118,328,802,908 第2抵抗
120,420,520,620 レベル増幅部
122 第2比較部
124,1020 第2スイッチング部
125 第2レベル調節部
126,807 第3抵抗
128 第4抵抗
322,902,1002 比較部
324,904 スイッチング部
325,905 レベル調節部
415 チャージ・ポンピング部
515 電圧降下部
610 電圧分配部
700,1100 DRAM
701 コアブロック
702,1201 メモリセル・アレイ
703,1230 センスアンプ部
704 周辺回路部
705 出力バッファ部
706 第1基準電圧発生部
707 第1内部電圧発生部
708 第2基準電圧発生部
709 第2内部電圧発生部
709’ 内部電圧発生部
803 第1 NMOSトランジスタ
804 第2 NMOSトランジスタ
805 第3 NMOSトランジスタ
806 PMOSトランジスタ
808 第4 NMOSトランジスタ
809 第5 NMOSトランジスタ
810 バイアス部
820 制御部
830,1004 駆動部
1030 センシング部
1040 等化部
1200 DDR−SDRAM
1202 タイミング・レジスタ
1204 プログラミング・レジスタ
1206 レイテンシ/バースト長制御部
1208 カRAMバッファ
1210 カRAMデコーダ
1212 出力バッファ
1220 アドレス・レジスタ
1222 ロウアドレスバッファ
1224 ロウデコーダ
1226 バンク選択部
1232 データ入力レジスタ
1234 入出力コントローラ
1300 メモリシステム
1310 メモリモジュール
1320 メモリ・コントローラ
1400 コンピュータ・システム
1410 CPU
1420 RAM
1430 ユーザ・インターフェース
1440 不揮発性メモリ
1450 バス
Claims (23)
- 外部から印加される第1電源電圧によって駆動され、第1電圧を受信してクランプ電圧を発生させるクランプ調節部と、
前記第1電源電圧より高い第2電源電圧によって駆動され、前記クランプ電圧を受信して基準電圧を発生させるレベル増幅部と、を具備することを特徴とする基準電圧発生部。 - 前記基準電圧発生部は、DRAMに含まれ、
前記クランプ電圧は、前記DRAM内メモリセルデータのリストア動作を保証する最小限の電圧レベルを有するように設定されることを特徴とする請求項1に記載の基準電圧発生部。 - 前記クランプ調節部は、
前記第1電源電圧によって駆動され、前記第1電圧と第1ノード電圧とを比較し、第2ノード電圧を出力する第1比較部と、
前記第1電源電圧によって駆動され、前記第2ノード電圧に応答し、前記クランプ電圧を出力する第1スイッチング部と、
前記第1電圧のレベルと同一である前記第1ノード電圧を出力し、前記クランプ電圧のレベルを調節する第1レベル調節部と、を具備することを特徴とする請求項1に記載の基準電圧発生部。 - 前記第1スイッチング部は、
前記第1電源電圧がそのソースに連結され、前記第2ノードがそのゲートに連結され、前記クランプ電圧がそのドレインに連結されるPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項3に記載の基準電圧発生部。 - 前記第1レベル調節部は、
前記クランプ電圧と前記第2ノードとの間に連結される第1抵抗と、
前記第2ノードと接地電圧との間に連結される前記第2抵抗と、を具備することを特徴とする請求項3に記載の基準電圧発生部。 - 前記レベル増幅部は、
前記第2電源電圧によって駆動され、クランプ電圧と第3ノード電圧とを比較し、第4ノード電圧を出力する第2比較部と、
前記第2電源電圧によって駆動され、前記第4ノード電圧に応答し、前記基準電圧を出力する第2スイッチング部と、
前記クランプ電圧のレベルと同一である前記第3ノード電圧を出力し、前記基準電圧のレベルを調節する第2レベル調節部と、を具備することを特徴とする請求項1に記載の基準電圧発生部。 - 前記第2スイッチング部は、
前記第2電源電圧がそのソースに連結され、前記第4ノードがそのゲートに連結され、前記基準電圧がそのドレインに連結されるPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項6に記載の基準電圧発生部。 - 前記第2レベル調節部は、
前記基準電圧と前記第3ノードとの間に連結される第3抵抗と、
前記第3ノードと接地電圧との間に連結される前記第4抵抗と、を具備することを特徴とする請求項6に記載の基準電圧発生部。 - 前記基準電圧発生部は、
前記第1電源電圧を入力され、チャージ・ポンピング動作を介して、前記第2電源電圧を出力するチャージ・ポンピング部をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の基準電圧発生部。 - 前記基準電圧発生部は、
前記第1電源電圧より高い第3電源電圧を入力され、前記第3電源電圧を電圧降下させ、前記第2電源電圧を出力する電圧降下部をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の基準電圧発生部。 - 外部から第1外部電源電圧が印加されるDRAMにおいて、
前記第1外部電源電圧より高い第2電源電圧によって駆動され、第1電圧と第1ノード電圧とを比較し、第2ノード電圧を発生させる比較部と、
前記第2電源電圧によって駆動され、前記第2ノード電圧に応答し、基準電圧を出力するスイッチング部と、
前記第1電圧のレベルと同一である前記第1ノード電圧を出力し、前記基準電圧のレベルを調節するレベル調整部と、を具備することを特徴とするDRAM。 - 前記第1電圧は、前記DRAM内メモリセルデータのリストア動作を保証する最小限の電圧レベルを有するように設定されることを特徴とする請求項11に記載のDRAM。
- 前記スイッチング部は、
前記第2電源電圧がそのソースに連結され、前記第2ノードがそのゲートに連結され、前記基準電圧がそのドレインに連結されるPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項11に記載のDRAM。 - 前記レベル調整部は、
前記基準電圧と前記第1ノードとの間に連結される第1抵抗と、
前記第1ノードと接地電圧との間に連結される前記第2抵抗と、を具備することを特徴とする請求項11に記載のDRAM。 - 外部から第1外部電源電圧が印加されるDRAMにおいて、
前記第1外部電源電圧と接地電圧とを電圧分配してクランプ電圧を発生させる電圧分配部と、
前記第1電源電圧より高い第2電源電圧によって駆動され、前記クランプ電圧を受信して基準電圧を発生させるレベル増幅部と、を具備し、
前記クランプ電圧は、前記DRAM内メモリセルデータのリストア動作を保証する最小限の電圧レベルを有するように設定されることを特徴とするDRAM。 - 電圧分配部は、
前記第1電源電圧と前記クランプ電圧との間に連結される第1抵抗と、
前記クランプ電圧と前記接地電圧との間に連結される第2抵抗と、を具備することを特徴とする請求項15に記載のDRAM。 - 前記レベル増幅部は、
前記第2電源電圧によって駆動され、クランプ電圧と第1ノード電圧とを比較し、第2ノード電圧を出力する比較部と、
前記第2電源電圧によって駆動され、前記第2ノード電圧に応答し、前記基準電圧を出力するスイッチング部と、
前記クランプ電圧のレベルと同一である前記第1ノード電圧を出力し、前記基準電圧のレベルを調節するレベル調整部と、を具備することを特徴とする請求項15に記載の基準電圧発生部。 - 前記スイッチング部は、
前記第2電源電圧がそのソースに連結され、前記第2ノードがそのゲートに連結され、前記基準電圧がそのドレインに連結されるPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項17に記載のDRAM。 - 前記レベル調整部は、
前記基準電圧と前記第1ノードとの間に連結される第1抵抗と、
前記第1ノードと接地電圧との間に連結される前記第2抵抗と、を具備することを特徴とする請求項17に記載のDRAM。 - 外部電圧源と基準電圧源とに連結され、前記外部電圧源から入力される外部電圧と、前記基準電圧源から入力される基準電圧とを基に決定される調節された電圧を出力する電圧調節部と、
前記電圧調節部と第2電圧源とに連結され、前記電圧調節部から出力される前記調節された電圧と、前記第2電圧源に入力される電圧とを基に決定される増幅された調節基準電圧を出力する増幅部と、を具備し、
前記外部電圧源から前記電圧調節部に入力される電圧は、前記第2電圧源から前記増幅部に入力される前記電圧より低いことを特徴とする基準電圧発生部。 - 前記第2電圧源は、外部電圧源であることを特徴とする請求項20に記載の基準電圧発生部。
- 前記基準電圧発生部は、
前記増幅された調節基準電圧が、前記電圧調節部から出力される前記調節された電圧より高く、前記基準電圧と同一であることを特徴とする請求項20に記載の基準電圧発生部。 - 前記電圧調節部は、
前記外部電源電圧によって駆動され、前記基準電圧と第1ノード電圧とを比較し、第2ノード電圧を出力する第1比較部と、
前記外部電源電圧によって駆動され、前記第2ノード電圧に応答し、前記調節された電圧を出力する第1スイッチング部と、
前記基準電圧のレベルに収斂するレベルを有する前記第1ノード電圧を出力する第1レベル調節部と、を具備することを特徴とする請求項20に記載の基準電圧発生部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0019832 | 2012-02-27 | ||
KR1020120019832A KR20130098041A (ko) | 2012-02-27 | 2012-02-27 | 낮은 외부 전원 전압에 적합한 전압 발생부들 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013175263A true JP2013175263A (ja) | 2013-09-05 |
JP2013175263A5 JP2013175263A5 (ja) | 2015-12-10 |
JP5911437B2 JP5911437B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=48950719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013003386A Active JP5911437B2 (ja) | 2012-02-27 | 2013-01-11 | 低い外部電源電圧に適した電圧発生部 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9053814B2 (ja) |
JP (1) | JP5911437B2 (ja) |
KR (1) | KR20130098041A (ja) |
CN (1) | CN103295623B (ja) |
DE (1) | DE102012111282A1 (ja) |
TW (1) | TWI620189B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9036369B2 (en) * | 2012-10-12 | 2015-05-19 | Power Integrations, Inc. | Programming of an integrated circuit on a multi-function terminal |
US9496007B2 (en) * | 2013-10-25 | 2016-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for generating piece-wise linear regulated supply |
CN104699153B (zh) * | 2013-12-10 | 2017-02-08 | 展讯通信(上海)有限公司 | 低压差线性稳压器 |
KR102171261B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2020-10-28 | 삼성전자 주식회사 | 다수의 전압 발생부들을 갖는 메모리 장치 |
CN105206297B (zh) * | 2014-06-25 | 2018-12-18 | 华邦电子股份有限公司 | 内部电压产生装置 |
JP2016170303A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | シナプティクス・ジャパン合同会社 | 半導体装置及び電子機器 |
KR102374228B1 (ko) * | 2015-08-27 | 2022-03-15 | 삼성전자주식회사 | 저항성 메모리 장치의 부스트 전압 생성기, 이를 포함하는 전압 생성기 및 이를 포함하는 저항성 메모리 장치 |
CN107276553B (zh) * | 2016-04-06 | 2019-01-11 | 综合器件技术公司 | 具有宽输入电压范围的单端信号限幅器 |
JP2017224978A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
KR102665270B1 (ko) * | 2016-11-09 | 2024-05-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
JP2018147533A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体記憶装置、情報処理装置及びリファレンス電位設定方法 |
JP7020798B2 (ja) | 2017-05-01 | 2022-02-16 | 株式会社トーキン | 固体電解コンデンサ |
US10496115B2 (en) | 2017-07-03 | 2019-12-03 | Macronix International Co., Ltd. | Fast transient response voltage regulator with predictive loading |
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- 2012-11-22 DE DE102012111282A patent/DE102012111282A1/de active Pending
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- 2013-01-09 TW TW102100761A patent/TWI620189B/zh active
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DE102012111282A1 (de) | 2013-08-29 |
CN103295623A (zh) | 2013-09-11 |
KR20130098041A (ko) | 2013-09-04 |
TWI620189B (zh) | 2018-04-01 |
CN103295623B (zh) | 2018-02-13 |
US9053814B2 (en) | 2015-06-09 |
JP5911437B2 (ja) | 2016-04-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20141226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A975 | Report on accelerated examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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