JP2013168510A - Photodetection device and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、可視光の光を検出する光検出デバイス及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light detection device that detects visible light and a method for manufacturing the same.
フォトダイオードを用いた光検出デバイスが実用化されている。例えば、照明装置の自動点灯制御、液晶ディスプレイのバックライトの明るさの制御、携帯電話のキーパッドのバックライト制御、監視カメラの暗視野切り替え制御等の分野で光検知の手段とし使用されている。また、発光素子と組み合わせて近接センサを構成し、物体の有無や距離の測定にも使用されている。 Photodetection devices using photodiodes have been put into practical use. For example, it is used as a light detection means in fields such as automatic lighting control of lighting devices, backlight brightness control of liquid crystal displays, backlight control of mobile phone keypads, and dark field switching control of surveillance cameras. . In addition, a proximity sensor is configured in combination with a light emitting element, and it is also used for measuring the presence or absence of an object and a distance.
光検出デバイスは多様な方式が実用化されている。その内で、人間が検知する光の視感度特性に近い視感度特性で光を検出する光検出デバイスが求められている。人間の感知することができる光の波長は380nm〜780nmであり、このうち440nm〜700nmが主な感知波長領域である。光の波長によって同じ強度を持つ光でも、人間は明るく感じたり暗く感じたりする。波長ごとに人間が強く感じる明るさが異なり、これを相対的に示したものが標準視感度特性であり、波長が500nm〜600nmの緑色付近にピークを持っている。従って、光検出デバイスで検出する光がこの標準視感度特性と近ければ、人間が感じるのと同じ感度で光を検出することができる。 Various methods of photodetection devices have been put into practical use. Among them, there is a need for a light detection device that detects light with a visibility characteristic close to that of light detected by humans. The wavelength of light that can be sensed by humans is 380 nm to 780 nm, of which 440 nm to 700 nm is the main sensing wavelength region. Even with light having the same intensity depending on the wavelength of light, humans feel light or dark. The brightness that humans feel strongly varies from wavelength to wavelength, and the relative brightness of this is the standard visual sensitivity characteristic, which has a peak in the vicinity of green having a wavelength of 500 nm to 600 nm. Therefore, if the light detected by the light detection device is close to the standard visual sensitivity characteristic, the light can be detected with the same sensitivity as that felt by humans.
特許文献1及び特許文献2には、検出感度の最も高い光の波長が可視光領域であるフォトダイオードと赤外光領域であるフォトダイオードの特性の異なる2つのフォトダイオードを用い、可視光で検出した検出値から赤外光で検出した検出値を減算処理し、標準視感度特性に変換する光検出器が記載されている。
In Patent Literature 1 and
また、特許文献3及び特許文献4には、光学フィルターを用いて波長特性を補正した入射光をフォトセンサーに入射して、標準視感度特性の光を検出する照度センサが記載されている。これは、屈折率の異なる多層膜からなる光干渉型のフィルターを用いているため、斜め方向から入射する光に対してフィルターの波長特性が変化する。そこで、フォトセンサーに入射する光の入射角が略一定となるように入射窓を設置している。
図4は、特許文献4に記載される半導体照度センサの構造を表す一部断面斜視図である(特許文献4の図1)。照度センサ100は、基板108の上に半導体チップ107が設置され、半導体チップ107は周囲が光を通さない遮光層104により覆われている。半導体チップ107にはフォトダイオード等により構成される光検出素子102が設置される。光検出素子102の光検知面は光干渉型のフィルター101により覆われている。光検出素子102は可視光から赤外光の波長に感度を有している。光検出素子102により検出された出力電流は増幅器103により増幅され、ワイヤボンド110の配線を介して背面側に形成される電極109に伝達される。
FIG. 4 is a partial cross-sectional perspective view showing the structure of the semiconductor illuminance sensor described in Patent Document 4 (FIG. 1 of Patent Document 4). In the
光干渉型のフィルターは光の入射角度に応じてフィルター特性が変化し標準視感度特性からずれる。そこで、入射光の角度を限定してフィルター特性の変化を制限するために、遮光層104の中に入射導光路105を形成している。光は、光入射開口106から入射し、入射導光路105を通って光干渉型のフィルター101に入射し、標準視感度特性に補正された光が光検出素子102に到達する。これにより、人間が知覚する光に近い照度センサ100を構成することができる、というものである。
The optical interference type filter changes its filter characteristics according to the incident angle of light and deviates from the standard visual sensitivity characteristics. Therefore, the incident
しかしながら、特許文献1及び特許文献2に記載の光検出器では、光の波長に対する検出特性の異なる2つのフォトダイオードを使用し、その2つのフォトダイオードの検出電流の減算処理等を行うための演算回路を形成する必要がある。そのため、部品点数や組立て工数が増加してコストアップとなることが避けられない。また、特許文献3及び特許文献4の照度センサでは、屈折率の異なる多層膜からなる光干渉型のフィルターを使用する。光干渉型のフィルターは高価であるからコストアップとなることが避けられない。加えて、入射光の入射角が限定的であることから、広視角が求められる光検出器には向かない。
However, in the photodetectors described in Patent Document 1 and
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、人間の標準視感度特性に近い分光特性を持ち、検出精度が高く、しかも低コストで作製可能な光検出デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a photodetection device having spectral characteristics close to human standard visibility characteristics, high detection accuracy, and capable of being manufactured at low cost. .
本発明の光検出デバイスは、電極が形成される基板と、受光面を有し、前記基板に実装される光学チップと、リン酸塩ガラスを含み、前記受光面を覆う封止材と、を備えることとした。 The light detection device of the present invention includes a substrate on which an electrode is formed, an optical chip having a light receiving surface, mounted on the substrate, and a sealing material that includes phosphate glass and covers the light receiving surface. I decided to prepare.
また、前記基板はその表面に凹部を備え、前記電極は前記凹部の底面に露出し、前記光学チップは前記凹部の底面に実装され、前記封止材は前記凹部に充填されることとした。 Further, the substrate has a recess on its surface, the electrode is exposed on the bottom surface of the recess, the optical chip is mounted on the bottom surface of the recess, and the sealing material is filled in the recess.
また、前記封止材は、透光性の樹脂100の重量に対して前記リン酸塩ガラス80〜120の重量を有することとした。
Further, the sealing material has the weight of the
また、前記リン酸塩ガラスは、五酸化燐、アルミナ、ホウ酸、アルカリ土類酸化物、酸化鉄を含むこととした。 The phosphate glass contains phosphorus pentoxide, alumina, boric acid, alkaline earth oxide, and iron oxide.
また、前記透光性の樹脂は、透光性のエポキシ樹脂、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂のいずれかであることとした。 The translucent resin is any one of translucent epoxy resin, acrylic resin, and silicone resin.
また、前記リン酸塩ガラスは、前記透光性樹脂の中に粒子状に分散していることとした。 The phosphate glass is dispersed in the form of particles in the translucent resin.
また、前記リン酸塩ガラスは、平均粒径が1μm〜3μmであることとした。 The phosphate glass has an average particle size of 1 μm to 3 μm.
また、前記基板はガラスであることとした。 The substrate is made of glass.
本発明の光検出デバイスの製造方法は、基板に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の底面に光学チップを実装する実装工程と、リン酸塩ガラスの粒子が透光性の封止材料に分散する封止材を前記凹部に充填して固化する封止工程と、を備えることとした。 The manufacturing method of the photodetection device of the present invention includes a recess forming step for forming a recess in a substrate, a mounting step for mounting an optical chip on the bottom surface of the recess, and a sealing material in which phosphate glass particles are translucent And a sealing step of filling the concave portion with a sealing material dispersed in the recess and solidifying it.
また、前記粒子の平均粒径が1μm〜3μmであることとした。 The average particle size of the particles is 1 μm to 3 μm.
また、前記封止材は、透光性の樹脂100重量に対して前記リン酸塩ガラスが80〜120重量を有することとした。 Moreover, the said sealing material decided that the said phosphate glass had 80 to 120 weight with respect to 100 weight of translucent resin.
本発明の光検出デバイスは、電極が形成される基板と、受光面を有し、基板に実装される光学チップと、リン酸塩ガラスを含み、前記受光面を覆う封止材と、を備える。これにより、人間の標準視感度特性に近い分光特性を持ち、高精度の光検出デバイスを低コストで製造することができる。 An optical detection device of the present invention includes a substrate on which an electrode is formed, an optical chip having a light receiving surface and mounted on the substrate, and a sealing material that includes phosphate glass and covers the light receiving surface. . As a result, it is possible to manufacture a high-precision photodetection device at a low cost, which has spectral characteristics close to human standard visibility characteristics.
(基本構成)
図1は、本発明に係る光検出デバイス1の基本構成を表す断面模式図である。図1に示すように、光検出デバイス1は、電極3が形成される基板2と、光を入射する受光面5を有し、基板2に実装される光学チップ4と、リン酸塩ガラスの粒子6を含み、受光面5を覆う封止材7とを備える。光学チップ4はフォトダイオードやその他の光検知機能を有する半導体チップから構成される。封止材7は、例えば透光性の封止材料からなり、リン酸塩ガラスの粒子6が分散している。光学チップ4は、基板2とは反対側の上面に受光面5が形成され、同じ表面に図示しない駆動用及び検出信号出力用の電極が形成される。基板2には電極3が形成され、光学チップ4の図示しない電極とワイヤー9により電気的に接続される。
(Basic configuration)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the basic configuration of a light detection device 1 according to the present invention. As shown in FIG. 1, a light detection device 1 includes a
リン酸塩ガラスは、波長が500nm〜600nmの領域で透過光量が最大となり、標準視感度特性に近い分光特性を有する。封止材7は、このリン酸塩ガラスを透光性の封止材料中に分散して形成するので、封止材7には標準視感度特性に近い分光特性が付与され、光学フィルターとして機能する。また、リン酸塩ガラスは水分を吸収しやすく、水分を吸収すると白濁する。このリン酸塩ガラスを粉末状に粉砕して粒子6として封止材料に分散させることにより、リン酸塩ガラスを水分から保護している。
Phosphate glass has a maximum amount of transmitted light in a wavelength range of 500 nm to 600 nm, and has spectral characteristics close to standard visual sensitivity characteristics. Since the
その結果、複数の光検出素子や標準視感度特性に合わせこむための演算回路等を必要とせず、また多層膜からなる高価な光干渉フィルターを使用することなく、標準視感度特性に近い光検出特性を有する光検出デバイスを低コストで形成することができる。以下、具体的に説明する。 As a result, light detection close to the standard visibility characteristics is possible without the need for multiple light detection elements or arithmetic circuits to match the standard visibility characteristics, and without using expensive optical interference filters consisting of multilayers. A photodetection device having characteristics can be formed at low cost. This will be specifically described below.
透光性の封止材料として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などを使用することができる。粒子6は、五酸化燐(P2O5)が65wt%〜75wt%、アルミナ(Al2O3)が5wt%〜15wt%、ホウ酸(B2O3)が5wt%〜10wt%、アルカリ土類酸化物が5wt%〜15wt%及び酸化鉄(Fe2O5)が1wt%〜10wt%の組成を有する。封止材7は、透明性の封止材料100の重量に対してリン酸塩ガラスが80〜120の重量とする。リン酸塩ガラスが80重量を下回ると標準視感度特性を備える光学フィルターとしての機能が低下し、120重量を超えると封止材7の中に粒子6を均質に分散させることが難しくなる。粒子6の平均粒径を0.1μmから10μm、好ましくは1μm〜3μmとする。
An epoxy resin, an acrylic resin, a silicone resin, or the like can be used as the light-transmitting sealing material.
図2は本発明の光検出デバイス1に使用する封止材7の分光特性を表すグラフである。横軸が光の波長であり縦軸が透過光の相対強度である。実線が封止材7の分光特性を表すグラフであり、破線が標準視感度特性を表すグラフである。封止材7は、相対強度のピーク波長が標準視感度特性のピーク波長よりも概ね50nm長波長側にシフトしており、全体として長波長側に引き伸ばされる特性となっている。また、封止材7の分光特性は封止材7に入射する光の入射角にほとんど依存しない。
FIG. 2 is a graph showing the spectral characteristics of the sealing
(第一実施形態)
図3は、本発明の第一実施形態に係る光検出デバイス1の説明図であり、図3(a)が光検出デバイス1の断面模式図であり、図3(b)が封止材7を除いた光検出デバイス1の平面模式図である。図3(a)は図3(b)の部分XXの断面に相当する。
(First embodiment)
FIG. 3 is an explanatory view of the light detection device 1 according to the first embodiment of the present invention, FIG. 3A is a schematic cross-sectional view of the light detection device 1, and FIG. It is a plane schematic diagram of the photodetection device 1 except for. FIG. 3A corresponds to a cross section of the portion XX in FIG.
図3に示すように、光検出デバイス1は、第一基板2aと、その上に接着され、中央にすり鉢状の円形開口を有する第二基板2bと、第一基板2aの上面に実装され、第一基板2aとは反対側に受光面5を有する光学チップ4と、第二基板2bの開口に充填される封止材7とを備える。封止材7にはリン酸塩ガラスの粒子6が分散され、標準視感度特性に近い分光特性を有する光学フィルターとして機能する。
As shown in FIG. 3, the light detection device 1 is mounted on the
第一基板2aの光学チップ4が実装される上面には各辺の端面から光学チップ4が実装される周辺まで延設される4つの上面電極3aが形成され、光学チップ4の受光面5に形成される図示しない電極とワイヤー9により電気的に接続される。第一基板2aの光学チップ4が実装される上面とは反対側の下面BPには4つの下面電極3bが形成され、4つの下面電極3bは4つの端面の配線を介して4つの上面電極3aにそれぞれ電気的に接続される。第二基板2bの開口は上方に末広状に開口する凹部8を構成する。封止材7はその上面が凹部8の上端面TPを超えないように充填される。
Four
第一基板2a及び第二基板2bは黒色顔料が混入され、光を吸収する。例えば、第一及び第二基板2a、2bに黒色顔料を20wt%以上添加すれば、基板の厚さを0.2mmとしたときの光透過率を5%以下とすることができる。また、封止材7はその上面が上端面TPよりも低くなるように充填される。そのため、光学チップ4の受光面5に対して背面方向や水平方向から入射する光は遮蔽され、上方から入射する光を検出する。上方から入射する光の入射角は、第二基板2bの開口径と凹部8の深さと封止材7の屈折率により決定される。
The
封止材7及び封止材7に分散させるリン酸塩ガラスの粒子6については図1の基本構成においてすでに説明したものと同様であり、説明を省略する。なお、本実施形態において粒子6は平均粒径が1μm〜3μmである。第一及び第二基板2a、2bは、合成樹脂、ガラス、セラミックス等を使用することができる。第一及び第二基板2a、2bとして同じ合成樹脂を使用し、上面電極3a及び下面電極3bとして金属リードを使用し、この金属リードを合成樹脂に埋め込むように形成することができる。また、第一及び第二基板2a、2bとして同じガラスを使用し、同様に金属リードをガラスに埋め込むように形成することができる。第一及び第二基板2a、2bとして合成樹脂を使用すれば、低コストで光検出デバイス1を形成することができる。第一及び第二基板2a、2bとしてガラスを使用すれば、信頼性の高い光検出デバイスを形成することができる。
The sealing
なお、本実施形態において光学チップ4の図示しない電極と第一基板2aの上面電極3aとをワイヤー9により電気的に接続したが、本発明はこの構成に限定されない。第一基板2aの上面に光学チップ4を実装することに代えて、第一基板2aに貫通孔を設け、第一基板2aの裏面BPに光学チップ4を平面実装することができる。この場合、第二基板2bを除去してもよい。封止材7は第一基板2aの上面側から光学チップ4の受光面5を覆うように充填することができる。これにより、光学チップ4と基板上の電極とをワイヤーを用いて電気的に接続する必要がなく、光検出デバイス1を低背化、小型化することができる。
In the present embodiment, the electrode (not shown) of the
このように、光学チップ4の受光面5を、リン酸塩ガラスの粒子6を含む封止材7により覆う構造としたことにより、複数の光検出素子や標準視感度特性に合わせこむための演算回路等を必要とせず、また多層膜からなる高価な光干渉型のフィルターを使用することなく、標準視感度特性に近い分光特性を有する光検出デバイスを低コストで形成することができる。
As described above, the
(第二実施形態)
本発明の第二実施形態に係る光検出デバイス1の製造方法を説明する。以下の説明において各構成要素に付す符号は図1又は図3に示す符号に対応する。まず、凹部形成工程において、基板2に凹部8を形成する。凹部8は、合成樹脂やガラスを使用する第一基板2aと同じ合成樹脂やガラスを使用し、中央部に開口を形成した第二基板2bとを接着して形成することができる。また、合成樹脂やガラスを使用し、型成型により凹部8を形成することができる。これらの場合、あらかじめ電極となるリードを形成し、第一基板2aと第二基板2bの接合の際に埋め込む、或いは型成型の際に埋め込むことができる。第一及び第二基板2a、2bには黒色顔料を混入して遮光性の基板とする。
(Second embodiment)
A method for manufacturing the photodetection device 1 according to the second embodiment of the present invention will be described. In the following description, the reference numerals given to the components correspond to the reference numerals shown in FIG. 1 or FIG. First, in the recess forming step, the
次に、実装工程において、凹部8の底面に光学チップ4を実装する。まず、凹部8の底面に接着剤により光学チップ4を接着し、次にワイヤーボンディングにより光学チップ4上の電極と凹部8の底面に露出する電極3とをワイヤー9により接続する。
Next, in the mounting process, the
次に、封止工程において、粒状のリン酸塩ガラスを透光性の封止材料に混入して攪拌し、リン酸塩ガラスの粒子6が分散する封止材7を作成し、この封止材7を凹部8に充填して固化する。封止材料として光透光性が高いエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などを使用することができる。リン酸塩ガラスは、主原料として液体燐酸(H3PO4)を使用し、他の原料粉末とともに攪拌し、その後乾燥、焼成した後に粉砕してリン酸塩ガラスの粒子を生成する。リン酸塩ガラスは、P2O5が65wt%〜75wt%、Al2O3が5wt%〜15wt%、B2O3が5wt%〜10wt%、アルカリ土類酸化物が5wt%〜15wt%及びFe2O5が1wt%〜10wt%の組成を有する。これを封止材7として凹部8に空気を巻き込まないようにしてディスペンサを用いて充填する。その後、真空脱泡を行い加熱して硬化させる。なお、封止材7を凹部8に充填する際に、封止材7の上端面が凹部8の上端面TPよりも低くなるようにする。これにより、入射光の角度を制限することができる。
Next, in the sealing step, the granular phosphate glass is mixed in the translucent sealing material and stirred to create a sealing
以上のとおり、人間の標準視感度特性に近い分光特性を有し、信頼性の高い光検出デバイスを簡単でかつ安価に製造することができる。 As described above, a highly reliable photodetection device having spectral characteristics close to human standard visibility characteristics can be manufactured easily and inexpensively.
1 光検出デバイス
2 基板、2a 第一基板,2b 第二基板
3 電極、3a 上面電極、3b 下面電極
4 光学チップ
5 受光面
6 粒子
7 封止材
8 凹部
9 ワイヤー
TP 上端面、BP 裏面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (11)
受光面を有し、前記基板に実装される光学チップと、
リン酸塩ガラスを含み、前記受光面を覆う封止材と、を備える光検出デバイス。 A substrate on which an electrode is formed;
An optical chip having a light receiving surface and mounted on the substrate;
And a sealing material that includes phosphate glass and covers the light receiving surface.
前記電極は前記凹部の底面に露出し、
前記光学チップは前記凹部の底面に実装され、
前記封止材は前記凹部に充填される請求項1に記載の光検出デバイス。 The substrate has a recess on its surface,
The electrode is exposed on the bottom surface of the recess,
The optical chip is mounted on the bottom surface of the recess,
The photodetecting device according to claim 1, wherein the sealing material is filled in the concave portion.
前記凹部の底面に光学チップを実装する実装工程と、
リン酸塩ガラスの粒子が透光性の封止材料に分散する封止材を前記凹部に充填して固化する封止工程と、を備える光検出デバイスの製造方法。 A recess forming step for forming a recess in the substrate;
A mounting step of mounting an optical chip on the bottom surface of the recess;
A sealing step of filling the recess with a sealing material in which phosphate glass particles are dispersed in a light-transmitting sealing material and solidifying the recess.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015125564A1 (en) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | Light sensor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57186376A (en) * | 1981-05-04 | 1982-11-16 | Licentia Gmbh | Light emitting semiconductor element |
JPS611068A (en) * | 1984-06-12 | 1986-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | Photosemiconductor device |
JPH01242439A (en) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Toshiba Glass Co Ltd | Cut-off filter glass for near infrared rays |
JPH01266751A (en) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo semiconductor device |
JPH10330132A (en) * | 1997-04-04 | 1998-12-15 | Hoya Corp | Production of glass product and filter |
-
2012
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57186376A (en) * | 1981-05-04 | 1982-11-16 | Licentia Gmbh | Light emitting semiconductor element |
JPS611068A (en) * | 1984-06-12 | 1986-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | Photosemiconductor device |
JPH01242439A (en) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Toshiba Glass Co Ltd | Cut-off filter glass for near infrared rays |
JPH01266751A (en) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | Photo semiconductor device |
JPH10330132A (en) * | 1997-04-04 | 1998-12-15 | Hoya Corp | Production of glass product and filter |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6015050379; 栄西俊彦: '「りん酸塩ガラスを使用した光学部品」' New Glass Vol.22 No.2 (2007), pp.27-32 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015125564A1 (en) * | 2014-02-18 | 2015-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | Light sensor |
JP2015173254A (en) * | 2014-02-18 | 2015-10-01 | セイコーインスツル株式会社 | Optical sensor device |
KR20160122136A (en) * | 2014-02-18 | 2016-10-21 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | Light sensor |
CN106062969A (en) * | 2014-02-18 | 2016-10-26 | 精工半导体有限公司 | Light sensor |
US9773926B2 (en) | 2014-02-18 | 2017-09-26 | Sii Semiconductor Corporation | Optical sensor device |
CN106062969B (en) * | 2014-02-18 | 2017-12-08 | 精工半导体有限公司 | Light sensor arrangement |
TWI642198B (en) * | 2014-02-18 | 2018-11-21 | 日商艾普凌科有限公司 | Optical sensor device |
KR102313269B1 (en) * | 2014-02-18 | 2021-10-15 | 에이블릭 가부시키가이샤 | Light sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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