JP2013135264A - Elastic wave device, electronic component, and manufacturing method of elastic wave device - Google Patents

Elastic wave device, electronic component, and manufacturing method of elastic wave device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an elastic wave device having an excitation electrode that is insusceptible to electromagnetic waves from the exterior.SOLUTION: An elastic wave device includes: an element substrate 3; an excitation electrode 5 positioned on an upper surface 3a of the element substrate 3; multiple electrode pads 7 positioned on the upper surface 3a of the element substrate 3 and electrically connected with the excitation electrode 5; multiple support members 2, which are positioned on the element substrate so as to enclose the excitation electrode 5 all together and be spaced apart from each other, are connected with the electrode pads 7, and are formed by a conductive material; a lid 4 which is overlapped with the multiple support members 2 so as to cover the excitation electrode 5, has through holes 4h exposing parts of the support members 2, and is made of an insulation material; and a sealing member 10 closing a gap between the adjacent support members 2 and made of an insulation material.

Description

本発明は、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)装置や圧電薄膜共振器(F
BAR:Film Bulk Acoustic Resonator)などの弾性波装置およびそれを用いた電子部品ならびに弾性波装置の製造方法に関する。
The present invention relates to a surface acoustic wave (SAW) device or a piezoelectric thin film resonator (F).
The present invention relates to an elastic wave device such as a BAR (Film Bulk Acoustic Resonator), an electronic component using the elastic wave device, and a method of manufacturing the elastic wave device.

小型化などを目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージ(WLP:Wafer Level Package)型の弾性波装置が知られている。このWLP型の弾性波装置は、圧電基板と、圧
電基板に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーとを有する(例えば、特許文献1参照)。
A so-called wafer level package (WLP: Wafer Level Package) type acoustic wave device for the purpose of downsizing is known. This WLP type acoustic wave device has a piezoelectric substrate, an excitation electrode provided on the piezoelectric substrate, and a cover for sealing the excitation electrode (see, for example, Patent Document 1).

カバーは励振電極を取り囲むようにして圧電基板の上面に配置された枠体と枠体の開口部を塞ぐ蓋体とを有する。枠体および蓋体は樹脂によって形成されている。   The cover includes a frame body disposed on the upper surface of the piezoelectric substrate so as to surround the excitation electrode and a lid body that closes the opening of the frame body. The frame and the lid are made of resin.

特開2008−227748号公報JP 2008-227748 A

上述した従来のWLP型の弾性波装置においては、カバーが樹脂からなる枠体および蓋体によって構成されているため、励振電極が外部からの電磁波の影響を受けやすくフィルタ特性等の電気的な特性が劣化しやすい。   In the above-described conventional WLP type acoustic wave device, since the cover is composed of a frame body and a lid body made of resin, the excitation electrode is easily affected by electromagnetic waves from the outside and has electrical characteristics such as filter characteristics. Tends to deteriorate.

弾性波装置の電気特性が劣化すると、それを搭載した電子部品の電気特性も劣化することとなる。   When the electrical characteristics of the acoustic wave device are degraded, the electrical characteristics of the electronic component on which the acoustic wave device is mounted are also degraded.

したがって励振電極が外部からの電磁波の影響を受けにくい弾性波装置の提供が望まれている。   Therefore, it is desired to provide an elastic wave device in which the excitation electrode is hardly affected by external electromagnetic waves.

本発明の一態様としての弾性波装置は、素子基板と、該素子基板の上面に位置している励振電極と、前記素子基板の上面に位置して前記励振電極に電気的に接続されている複数の電極パッドと、前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で位置して前記電極パッドに接続されている、導電性材料からなる複数の支持部材と、前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に重なっており、該支持部材の一部を露出させる貫通孔を有している絶縁性材料からなる蓋体と、隣接する前記支持部材間の隙間を塞いでいる、絶縁性材料からなる封止部材とを備えたものである。   An elastic wave device as one embodiment of the present invention includes an element substrate, an excitation electrode located on the upper surface of the element substrate, and an electrical connection to the excitation electrode located on the upper surface of the element substrate. A plurality of electrode pads, and a plurality of support members made of a conductive material, which are connected to the electrode pads so as to surround the excitation electrode as a whole and have a gap therebetween on the element substrate; Covering the plurality of support members so as to cover the excitation electrode, a cover made of an insulating material having a through hole exposing a part of the support member, and a gap between the adjacent support members And a sealing member made of an insulating material.

本発明の一態様としての電子部品は、上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記蓋体の前記貫通孔から露出している前記支持部材とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されているものである。   An electronic component according to an aspect of the present invention includes a mounting substrate having a plurality of mounting pads on an upper surface, and the acoustic wave device is in a state where the upper surfaces face each other on the upper surface of the mounting substrate. It is mounted by bonding the support member exposed from the through hole of the lid with a conductive bonding material, and is covered with an exterior resin.

本発明の一態様としての弾性波装置の製造方法は、素子基板の上面に励振電極および該励振電極に電気的に接続された複数の電極パッドを形成する工程と、前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で配置されて前記電極パッ
ドに接続された、導電性材料からなる複数の支持部材を形成する工程と、前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に感光性の絶縁性材料からなるフィルムを重ねた後、該フィルムを露光および現像することによって、前記支持部材の一部を露出させる貫通孔を有した蓋体を形成する工程と、隣接する前記支持部材間の隙間を塞ぐように絶縁性材料からなる封止部材を形成する工程とを含むものである。
According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an acoustic wave device comprising: forming an excitation electrode on an upper surface of an element substrate and a plurality of electrode pads electrically connected to the excitation electrode; Forming a plurality of support members made of a conductive material, which are disposed in a state of being spaced apart from each other while surrounding the excitation electrode and connected to the electrode pad; and a plurality of the plurality of support members so as to cover the excitation electrode A step of forming a cover having a through-hole exposing a part of the support member by exposing and developing the film after a film made of a photosensitive insulating material is stacked on the support member; Forming a sealing member made of an insulating material so as to close a gap between the supporting members.

上記の構成からなる弾性波装置は、これまで樹脂によって形成していた枠体に相当する部分を導電性材料で形成することによって励振電極が外部からの電磁波の影響を受けにくくなりフィルタ特性等の電気的な特性が向上する。   The acoustic wave device having the above-described configuration is such that the excitation electrode is not easily affected by electromagnetic waves from the outside by forming a portion corresponding to the frame that has been formed from a resin, using a conductive material. Electrical characteristics are improved.

(a)は本発明の実施形態に係るSAW装置の平面図であり、(b)は図1(a)のSAW装置の蓋体等を外した状態の平面図である。(A) is a top view of the SAW device concerning the embodiment of the present invention, and (b) is a top view in the state where the cover etc. of the SAW device of Drawing 1 (a) were removed. (a)は図1(a)のA−A’線における断面図であり、(b)は図1(a)B−B’線における断面図であり、(c)は図1(a)のC−C’線における断面図である。(A) is sectional drawing in the AA 'line of Fig.1 (a), (b) is sectional drawing in Fig.1 (a) BB' line, (c) is Fig.1 (a). It is sectional drawing in CC 'line. 素子基板の上面に支持部材が配置された状態のSAW装置の斜視図である。It is a perspective view of a SAW device in the state where a support member is arranged on the upper surface of an element substrate. (a)は封止部材が設けられていない状態におけるSAW装置の斜視図、(b)は封止部材を設けた状態におけるSAW装置の斜視図である。(A) is a perspective view of a SAW device in a state where a sealing member is not provided, and (b) is a perspective view of the SAW device in a state where a sealing member is provided. 本発明の実施形態に係る電子部品の断面図である。It is sectional drawing of the electronic component which concerns on embodiment of this invention. (a)から(c)は、図1に示すSAW装置の製造方法を説明する断面図である。(A) to (c) are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device shown in FIG. (a)から(c)は、図1に示すSAW装置の製造方法を説明する断面図であり、図6(c)の続きを示すものである。(A) to (c) is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the SAW device shown in FIG. 1, and shows a continuation of FIG. 6 (c). (a)から(c)は、図1に示すSAW装置の製造方法を説明する断面図であり、図7(c)の続きを示すものである。(A) to (c) are cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the SAW device shown in FIG. 1, and show a continuation of FIG. 7 (c).

以下、本発明の実施形態に係るSAW装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。   Hereinafter, a SAW device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones.

(SAW装置の構成)
図1(a)は、本発明の実施形態に係るSAW装置1の平面図であり、図1(b)は図1(a)におけるSAW装置1の蓋体4等を取り除いた状態の平面図(素子基板3の平面図)である。また、図2(a)は図1(a)のA−A’線における断面図、図2(b)は図1のB−B’線における断面図、図2(c)は図1のC−C’線における断面図である。
(Configuration of SAW device)
FIG. 1A is a plan view of a SAW device 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view of a state in which the cover 4 and the like of the SAW device 1 in FIG. FIG. 6 is a plan view of the element substrate 3. 2A is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 1A, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 1, and FIG. It is sectional drawing in CC 'line.

SAW装置1は、素子基板3と、素子基板3の上面3a上に設けられた励振電極5と、励振電極5に接続された電極パッド7と、電極パッド7に接続され、全体として励振電極5を取り込むようにして素子基板3の上面3aに配置された複数の支持部材2と、励振電極5を覆うようにして支持部材2に重ねられた蓋体4と、隣接する支持部材2の間の隙間を塞いでいる封止部材10と、蓋体4の上面に形成された仕切部材16とを主な構成部材とする。なお、図1(a)では、構成部材の位置をわかりやすくするため、仕切部材16に図2の断面図において付した斜線と同じ種類の斜線を付すとともに、支持部材2の位置を点線で示している。   The SAW device 1 includes an element substrate 3, an excitation electrode 5 provided on the upper surface 3a of the element substrate 3, an electrode pad 7 connected to the excitation electrode 5, an electrode pad 7, and the excitation electrode 5 as a whole. Between the adjacent support members 2 and the plurality of support members 2 arranged on the upper surface 3a of the element substrate 3 so as to cover the excitation electrodes 5, The sealing member 10 that closes the gap and the partition member 16 formed on the upper surface of the lid body 4 are main constituent members. In FIG. 1 (a), in order to make the positions of the constituent members easier to understand, the partition member 16 is given the same type of oblique lines as the oblique lines attached in the sectional view of FIG. 2, and the position of the support member 2 is indicated by a dotted line. ing.

SAW装置1には、端子として機能する複数の貫通導体9のいずれかを介して信号の入
力がなされる。入力された信号は、励振電極5等によってフィルタリングされる。そして、SAW装置1は、フィルタリングした信号を複数の貫通導体9のいずれかを介して出力する。すなわちSAW装置1は、特定の周波数の信号のみを通過させるフィルタとして機能する。
Signals are input to the SAW device 1 through any of the plurality of through conductors 9 functioning as terminals. The input signal is filtered by the excitation electrode 5 or the like. Then, the SAW device 1 outputs the filtered signal through any of the plurality of through conductors 9. That is, the SAW device 1 functions as a filter that allows only a signal having a specific frequency to pass therethrough.

素子基板3は、圧電基板によって構成されている。具体的には、素子基板3は、タンタル酸リチウム単結晶,ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。素子基板3は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な上面3aおよび下面3bを有している。素子基板3の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ(Z方向)は0.2mm〜0.5mmであり、1辺の長さ(X方向またはY方向)は0.5mm〜3mmである。   The element substrate 3 is constituted by a piezoelectric substrate. Specifically, the element substrate 3 is composed of a single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal. The element substrate 3 is formed in a rectangular parallelepiped shape, for example, and has an upper surface 3a and a lower surface 3b that are rectangular and parallel to each other and are flat. The size of the element substrate 3 may be set as appropriate. For example, the thickness (Z direction) is 0.2 mm to 0.5 mm, and the length of one side (X direction or Y direction) is 0.5 mm. ~ 3mm.

図1(b)に示すように素子基板3の上面3aには励振電極5が配置されている。励振電極5は、いわゆるIDT(Interdigital Transducer)であり、一対の櫛歯状電極を有
している。各櫛歯状電極は、素子基板3におけるSAWの伝搬方向に延びるバスバーと、バスバーから弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に伸びる複数の電極指とを有している。2つの櫛歯状電極同士は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように設けられている。
As shown in FIG. 1B, the excitation electrode 5 is disposed on the upper surface 3 a of the element substrate 3. The excitation electrode 5 is a so-called IDT (Interdigital Transducer) and has a pair of comb-like electrodes. Each comb-like electrode has a bus bar extending in the SAW propagation direction on the element substrate 3 and a plurality of electrode fingers extending from the bus bar in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave. The two comb-like electrodes are provided so that their electrode fingers mesh with each other.

なお、図1等は模式図であることから、数本の電極指を有する1対の櫛歯状電極を示しているが、実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数の励振電極5が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型SAWフィルタが構成されてもよいし、複数の励振電極5が弾性表面波の伝搬方向に配列された2重モードSAW共振器フィルタが構成されてもよい。   Since FIG. 1 and the like are schematic diagrams, a pair of comb-like electrodes having several electrode fingers is shown, but in practice, a plurality of pairs of combs having a larger number of electrode fingers are shown. Toothed electrodes may be provided. Further, a ladder-type SAW filter in which a plurality of excitation electrodes 5 are connected by a system such as series connection or parallel connection may be configured, or a plurality of excitation electrodes 5 are arranged in the propagation direction of a surface acoustic wave. A mode SAW resonator filter may be configured.

電極パッド7は、上面3aに形成されている。電極パッド7の平面形状は適宜に設定されてよく、例えば、その平面形状は円形である。電極パッド7の数および配置位置は、励振電極5によって構成されるフィルタの構成等に応じて適宜に設定される。SAW装置1では、6つの電極パッド7が上面3aの外周に沿って配列されている場合を例示している。6つの電極パッド7のうち、紙面上側の中央に配置された電極パッド7は、信号入力用のパッドであり、例えば、この電極パッド7から不平衡信号が励振電極5に入力される。また紙面下側の両端に配置された2つの電極パッド7は、信号出力用のパッドであり、例えば、励振電極5からの平衡信号がこれら2つの電極パッド7から出力される。残りの3つの電極パッド7は、例えば、基準電位用のパッドである。   The electrode pad 7 is formed on the upper surface 3a. The planar shape of the electrode pad 7 may be set as appropriate. For example, the planar shape is circular. The number and arrangement position of the electrode pads 7 are appropriately set according to the configuration of the filter constituted by the excitation electrodes 5. In the SAW device 1, the case where six electrode pads 7 are arranged along the outer periphery of the upper surface 3a is illustrated. Of the six electrode pads 7, the electrode pad 7 disposed at the center on the upper side of the drawing is a signal input pad. For example, an unbalanced signal is input from the electrode pad 7 to the excitation electrode 5. Further, the two electrode pads 7 arranged at both ends on the lower side of the drawing are signal output pads. For example, a balanced signal from the excitation electrode 5 is output from these two electrode pads 7. The remaining three electrode pads 7 are, for example, reference potential pads.

励振電極5と電極パッド7とは互いに配線15によって接続されている。配線15は素子基板3の上面3aに形成され、励振電極5のバスバーと電極パッド7とを接続している。なお、配線15は、上面3aに形成された部分だけでなく、異なる信号が流れる2つの配線15同士を間に絶縁体を介在させた状態で立体交差させるようにしてもよい。   Excitation electrode 5 and electrode pad 7 are connected to each other by wiring 15. The wiring 15 is formed on the upper surface 3 a of the element substrate 3 and connects the bus bar of the excitation electrode 5 and the electrode pad 7. In addition, the wiring 15 may be three-dimensionally crossed with not only a portion formed on the upper surface 3a but also two wirings 15 through which different signals flow with an insulator interposed therebetween.

励振電極5、電極パッド7および配線15は、例えば、互いに同一の導電性材料によって形成されている。導電性材料は、例えば、AlまたはAl−Cu合金等のAl合金である。また、励振電極5、電極パッド7および配線15は、例えば、互いに同一の厚さで形成されており、これらの厚さは、例えば、100〜500nmである。また配線15同士を立体交差させる場合は、上面3a側の配線15を例えばAl−Cu合金で形成し、その上に絶縁体を介して配置される配線15を例えば下から順にCr/Ni/Au、あるいはCr/Alとした多層構造の配線によって形成する。   The excitation electrode 5, the electrode pad 7, and the wiring 15 are made of the same conductive material, for example. The conductive material is, for example, an Al alloy such as Al or an Al—Cu alloy. Moreover, the excitation electrode 5, the electrode pad 7, and the wiring 15 are formed with the same thickness, for example, and these thicknesses are 100-500 nm, for example. Further, when the wirings 15 are three-dimensionally crossed, the wiring 15 on the upper surface 3a side is formed of, for example, an Al—Cu alloy, and the wirings 15 disposed thereon via an insulator are, for example, Cr / Ni / Au in order from the bottom. Alternatively, it is formed by wiring having a multilayer structure made of Cr / Al.

電極パッド7の上面には、電極パッド7とその上に配置される支持部材2との接続を強化することを主な目的とする接続強化層6が設けられている。接続強化層6は、例えば、電極パッド7に重ねられたニッケルの層と、ニッケルの層に重ねられた金の層とからなる
On the upper surface of the electrode pad 7, there is provided a connection reinforcing layer 6 whose main purpose is to reinforce the connection between the electrode pad 7 and the support member 2 disposed thereon. The connection reinforcing layer 6 includes, for example, a nickel layer superimposed on the electrode pad 7 and a gold layer superimposed on the nickel layer.

素子基板3の上面3aには、図2に示すように励振電極5を覆う保護膜8が形成されている。保護膜8は素子基板3の上面3aのほぼ全体にわたって形成されているが、電極パッド7上には開口部が設けられており、その開口部から電極パッド7および接続強化層6が露出している。接続強化層6を露出させるための保護膜8の開口部は、接続強化層6と同一の形状および面積としてもよいし、接続強化層6よりも大きくてもよい。また、保護膜8の開口を接続強化層6より小さくてもよく、この場合は、保護膜8の開口周囲の部分が接続強化層6の外周部を覆うこととなる。   As shown in FIG. 2, a protective film 8 that covers the excitation electrode 5 is formed on the upper surface 3 a of the element substrate 3. The protective film 8 is formed over substantially the entire upper surface 3a of the element substrate 3, but an opening is provided on the electrode pad 7, and the electrode pad 7 and the connection reinforcing layer 6 are exposed from the opening. Yes. The opening of the protective film 8 for exposing the connection reinforcing layer 6 may have the same shape and area as the connection reinforcing layer 6 or may be larger than the connection reinforcing layer 6. Further, the opening of the protective film 8 may be smaller than the connection reinforcing layer 6, and in this case, the portion around the opening of the protective film 8 covers the outer peripheral portion of the connection reinforcing layer 6.

保護膜8は、励振電極5を覆うことによって励振電極5の酸化防止等に寄与するものである。保護膜8は、例えば、SiO等の酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、または、シリコン等からなる。保護膜8の厚さは、例えば、励振電極5の厚さの1/10程度(10〜30nm)、または励振電極5よりも厚く、200nm〜1500nmである。 The protective film 8 contributes to the oxidation prevention of the excitation electrode 5 by covering the excitation electrode 5. The protective film 8 is made of, for example, silicon oxide such as SiO 2 , aluminum oxide, zinc oxide, titanium oxide, silicon nitride, or silicon. The thickness of the protective film 8 is, for example, about 1/10 (10 to 30 nm) of the thickness of the excitation electrode 5 or 200 nm to 1500 nm, which is thicker than the excitation electrode 5.

保護膜8から露出している電極パッド7あるいは接続強化層6の上には支持部材2が配置されている。支持部材2は、導電性高分子材料、金属粒子を含有した導電性の樹脂材料、金属材料等の導電性を有する材料からなる。   The support member 2 is disposed on the electrode pad 7 or the connection reinforcing layer 6 exposed from the protective film 8. The support member 2 is made of a conductive material such as a conductive polymer material, a conductive resin material containing metal particles, or a metal material.

図3に素子基板3の上面3aに支持部材2を配置した状態の斜視図を示す。支持部材2は、電極パッド7の上に1つずつ合計6個設けられている。これら6個の支持部材2は全体として励振電極5を取り囲むような形状および配置とされている。   FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the support member 2 is disposed on the upper surface 3 a of the element substrate 3. A total of six support members 2 are provided on the electrode pads 7 one by one. These six support members 2 are shaped and arranged so as to surround the excitation electrode 5 as a whole.

したがって励振電極5は導電性材料からなる支持部材2によって囲まれた状態となる。これにより、励振電極5が外部からの電磁波の影響を受けにくくなり、SAW装置1の電気的な特性が向上する。   Accordingly, the excitation electrode 5 is surrounded by the support member 2 made of a conductive material. As a result, the excitation electrode 5 is not easily affected by electromagnetic waves from the outside, and the electrical characteristics of the SAW device 1 are improved.

また支持部材2は、電極パッド7と接続されることによって、励振電極5への電気信号の入出力用の配線または基準電位用の配線としても機能する。そのため異なる種類の電気信号が流れる支持部材2同士、あるいは電気信号が流れる支持部材2と基準電位用の支持部材2とは絶縁されている必要がある。SAW装置1では、隣接する支持部材2同士を所定の隙間を有した状態で配置することによって、隣接する支持部材2を絶縁している。隣接する支持部材2の間の間隔は、例えば、50μm〜250μmである。また、支持部材2の厚さは、例えば、数μm〜30μmである。   Further, the support member 2 functions as a wiring for inputting / outputting an electric signal to / from the excitation electrode 5 or a wiring for a reference potential by being connected to the electrode pad 7. Therefore, the support members 2 through which different types of electrical signals flow, or the support members 2 through which the electrical signals flow and the reference potential support members 2 need to be insulated. In the SAW device 1, the adjacent support members 2 are insulated by arranging the adjacent support members 2 with a predetermined gap therebetween. The interval between the adjacent support members 2 is, for example, 50 μm to 250 μm. Moreover, the thickness of the supporting member 2 is several micrometers-30 micrometers, for example.

これら支持部材2には、図4(a)に示すように励振電極5を覆うようにして蓋体4が重なっている。蓋体4は、概ね一定の厚さの層により構成されており、その厚さは、例えば、数μm〜30μmである。蓋体4の平面形状は、例えば、概ね矩形状である。蓋体4の平面視における大きさは6個の支持部材2をひとまとまりにみたときの大きさとほぼ同じであり、蓋体4の側面と各支持部材2の側面とは同一面内に位置している。   As shown in FIG. 4A, the support member 2 is covered with a lid 4 so as to cover the excitation electrode 5. The lid 4 is composed of a layer having a substantially constant thickness, and the thickness is, for example, several μm to 30 μm. The planar shape of the lid 4 is, for example, a generally rectangular shape. The size of the lid 4 in plan view is substantially the same as the size of the six support members 2 viewed together, and the side surface of the lid 4 and the side surface of each support member 2 are located in the same plane. ing.

蓋体4は、例えば、絶縁性を有する感光性の樹脂材料などからなる。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。その他、ポリイミド系の樹脂なども用いることができる。   The lid 4 is made of, for example, a photosensitive resin material having insulating properties. The photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate-based, polyester acrylate-based, or epoxy acrylate-based resin that is cured by radical polymerization of an acryl group or a methacryl group. In addition, a polyimide resin or the like can also be used.

蓋体4には、図2(a)に示すように蓋体4を厚み方向に貫く貫通孔4hが形成されている。この貫通孔4hは蓋体4のうち各支持部材2の上に6個形成されている。すなわち、貫通孔4hの底面は、貫通孔4hから露出する支持部材2の上面である。SAW装置1
ではこの貫通孔4を埋めるようにして貫通導体9が設けられている。
As shown in FIG. 2A, a through hole 4h that penetrates the lid 4 in the thickness direction is formed in the lid 4. Six through holes 4 h are formed on each support member 2 in the lid 4. That is, the bottom surface of the through hole 4h is the upper surface of the support member 2 exposed from the through hole 4h. SAW device 1
Then, a through conductor 9 is provided so as to fill the through hole 4.

貫通導体9の上端は蓋体4の上面に露出している。貫通導体9は例えば円柱状であるが、形状はこれに限らず、四角柱状などでもよい。また貫通導体9の形状として、貫通導体9の上端側に向かうほど径が狭くなるように側面が傾斜していてもよいし、逆に貫通導体9の下端側に向かうほど径が狭くなるように側面が傾斜している形状であってもよい。   The upper end of the through conductor 9 is exposed on the upper surface of the lid 4. The through conductor 9 has a cylindrical shape, for example, but the shape is not limited to this, and may be a quadrangular prism shape. Further, as the shape of the through conductor 9, the side surface may be inclined so that the diameter becomes narrower toward the upper end side of the through conductor 9, or conversely, the diameter becomes narrower toward the lower end side of the through conductor 9. The side surface may be inclined.

貫通孔4は支持部材2の上に形成されているため、その貫通孔4を埋めるようにして形成された貫通導体9はその下の支持部材2と接続されることとなる。したがって貫通導体9は励振電極5と電気的に接続されている。この貫通導体9は、SAW装置1を他の基板に実装する際に端子として機能する。すなわち、他の基板の実装パッドと半田等の接合材を介して接続される。   Since the through hole 4 is formed on the support member 2, the through conductor 9 formed so as to fill the through hole 4 is connected to the support member 2 therebelow. Accordingly, the through conductor 9 is electrically connected to the excitation electrode 5. The through conductor 9 functions as a terminal when the SAW device 1 is mounted on another substrate. That is, it is connected to a mounting pad of another substrate via a bonding material such as solder.

貫通導体9は、金属を主成分とする材料からなる。SAW装置1では貫通導体9は、銅めっきによって形成されている。なお、SAW装置1では、スパッタリング法などによって貫通孔4hの内面にめっき下地層を形成した後、電解めっき法によってめっきを成長させている。めっき下地層は、例えば、チタンや銅等からなる。   The through conductor 9 is made of a material mainly composed of metal. In the SAW device 1, the through conductor 9 is formed by copper plating. In the SAW device 1, after forming a plating base layer on the inner surface of the through hole 4h by sputtering or the like, plating is grown by electrolytic plating. The plating base layer is made of, for example, titanium or copper.

蓋体4には貫通孔4hの他にも図2(a)および図2(b)に示すように凹部4cが形成されている。そして凹部4cには、凹部4cを埋める補強層17が設けられている。この補強層17は、蓋体4の強度を補強するためのものである。例えば、SAW装置1を外部の実装基板などに実装した後、SAW装置1全体を樹脂モールドすることがあるが、樹脂モールドの方法によってはその際に大きな圧力がSAW装置1に印加される。このような場合であっても、補強層17を設けておくことによって、蓋体4が変形するのを抑制することができる。これによって封止空間6の形状が大きく歪むのを防ぐことができるため、SAW装置1の信頼性向上に供することができる。   In addition to the through hole 4h, the lid 4 is formed with a recess 4c as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). The recess 4c is provided with a reinforcing layer 17 that fills the recess 4c. The reinforcing layer 17 is for reinforcing the strength of the lid body 4. For example, after the SAW device 1 is mounted on an external mounting substrate or the like, the entire SAW device 1 may be resin-molded. Depending on the resin molding method, a large pressure is applied to the SAW device 1 at that time. Even in such a case, the lid 4 can be prevented from being deformed by providing the reinforcing layer 17. As a result, the shape of the sealing space 6 can be prevented from being greatly distorted, so that the reliability of the SAW device 1 can be improved.

補強層17は、蓋体4を構成する材料よりもヤング率が高い材料により形成されている。例えば、蓋体4のヤング率が0.5〜1.0GPaであるのに対し、補強層17のヤング率は100〜250GPaである。具体的には、補強層17は銅などの金属を主成分とする材料からなる。   The reinforcing layer 17 is formed of a material having a higher Young's modulus than the material constituting the lid body 4. For example, the Young's modulus of the lid 4 is 0.5 to 1.0 GPa, whereas the Young's modulus of the reinforcing layer 17 is 100 to 250 GPa. Specifically, the reinforcing layer 17 is made of a material whose main component is a metal such as copper.

補強層17は蓋体4の上面に形成した凹部4cに埋め込まれているため、凹部4cを設けずに補強層17を蓋体4の上面に形成した場合に比べて、SAW装置1の低背化に供することができる。   Since the reinforcing layer 17 is embedded in the concave portion 4 c formed on the upper surface of the lid body 4, compared with the case where the reinforcing layer 17 is formed on the upper surface of the lid body 4 without providing the concave portion 4 c, the SAW device 1 has a low profile. Can be used for conversion.

補強層17の厚さ(凹部4cの深さ)は、例えば、1μm〜50μmである。補強層17は、蓋体4の比較的広い範囲に亘って矩形状に形成されている。図1(a)において点線で示した支持部材2と凹部4cの内周面との位置関係からわかるように、凹部4cの内周面が全ての支持部材2にわたって重なるようにして凹部4cは形成されている。したがってこの凹部4cを埋めている補強層17は、その外周縁が全ての支持部材2にわたって重なるようにして形成されることとなる。このように補強層17を形成することによって補強層17が支持部材2に支えられる状態となり、蓋体4がより変形しにくくなる。   The thickness of the reinforcing layer 17 (depth of the recess 4c) is, for example, 1 μm to 50 μm. The reinforcing layer 17 is formed in a rectangular shape over a relatively wide range of the lid body 4. As can be seen from the positional relationship between the support member 2 indicated by the dotted line in FIG. 1A and the inner peripheral surface of the recess 4c, the recess 4c is formed so that the inner peripheral surface of the recess 4c overlaps all the support members 2. Has been. Therefore, the reinforcing layer 17 filling the concave portion 4c is formed so that the outer peripheral edge thereof overlaps all the supporting members 2. By forming the reinforcing layer 17 in this manner, the reinforcing layer 17 is supported by the support member 2 and the lid body 4 is more difficult to deform.

図1(a)に示すように、蓋体4の上面には全体にわたって仕切部材16が形成されている。仕切部材16は絶縁性の材料からなる。絶縁性の材料としては、例えば、感光性の樹脂を使用することができる。   As shown in FIG. 1A, a partition member 16 is formed on the entire top surface of the lid 4. The partition member 16 is made of an insulating material. As the insulating material, for example, a photosensitive resin can be used.

このような絶縁性材料からなる仕切部材16が貫通孔4hと凹部4cとの間の領域に形成されていることによって、端子として機能する貫通導体9と補強層17とが短絡するの
を抑制することができる。
The partition member 16 made of such an insulating material is formed in the region between the through hole 4h and the recess 4c, thereby preventing the through conductor 9 functioning as a terminal and the reinforcing layer 17 from being short-circuited. be able to.

仕切部材16は、蓋体4の上面のうち少なくとも貫通孔4hと凹部4cとの間の領域に形成されていればよいが、SAW装置1のように蓋体4の上面全体にわたって形成しておけば、仕切部材16が蓋体4の上面から剥がれるのを抑制できるとともに隣接する貫通導体間における短絡の発生も抑制することができる。仕切部材16の厚みは、例えば、5μm〜20μmである。   The partition member 16 may be formed at least in the region between the through hole 4h and the recess 4c on the upper surface of the lid body 4, but may be formed over the entire upper surface of the lid body 4 like the SAW device 1. For example, the partition member 16 can be prevented from being peeled off from the upper surface of the lid body 4, and the occurrence of a short circuit between adjacent through conductors can be suppressed. The thickness of the partition member 16 is, for example, 5 μm to 20 μm.

支持部材2および蓋体4が設けられていることによって、図2(a)および図2(b)に示すように、支持部材2の励振電極5に面している面、蓋体4の下面および素子基板3の上面3aによって囲まれた空間である振動空間21が形成されることとなる。そして振動空間21に励振電極5が配置されていることにより励振電極5で励起されたSAWの振動が他の部材によって妨げられるのを抑制することができる。振動空間21の平面形状は、適宜に設定されてよいが、SAW装置1では、概ね矩形状である。   By providing the support member 2 and the lid body 4, as shown in FIGS. 2A and 2B, the surface of the support member 2 facing the excitation electrode 5 and the bottom surface of the lid body 4. In addition, a vibration space 21 that is a space surrounded by the upper surface 3a of the element substrate 3 is formed. Since the excitation electrode 5 is disposed in the vibration space 21, it is possible to prevent the SAW vibration excited by the excitation electrode 5 from being hindered by other members. The planar shape of the vibration space 21 may be set as appropriate, but the SAW device 1 has a substantially rectangular shape.

また振動空間21の中に外部の水分等が浸入すると、励振電極5の腐食要因となる。そのため振動空間21は出来る限り気密に封止されている必要がある。SAW装置1では、隣接する支持部材2の間に隙間があいているため、そのままでは振動空間21が隙間を介して外気と直接繋がった状態となり振動空間21の気密性が保たれない。そこでSAW装置1では、支持部材2の間の隙間を塞ぐ封止部材10が設けられている。隣接する支持部材2の間の隙間を封止部材10で塞ぐことによって振動空間21が外部と遮断された状態となり振動空間21の気密性を長期にわたって保持することができる。   Further, when external moisture or the like enters the vibration space 21, it causes corrosion of the excitation electrode 5. Therefore, the vibration space 21 needs to be sealed as tightly as possible. In the SAW device 1, since there is a gap between the adjacent support members 2, the vibration space 21 is directly connected to the outside air through the gap as it is, and the airtightness of the vibration space 21 is not maintained. Therefore, in the SAW device 1, a sealing member 10 that closes the gap between the support members 2 is provided. By closing the gap between the adjacent support members 2 with the sealing member 10, the vibration space 21 is blocked from the outside, and the airtightness of the vibration space 21 can be maintained for a long time.

封止部材10は、絶縁性の材料からなる。絶縁性の材料としては、例えば、感光性の樹脂材料を使用することができる。SAW装置1では、封止部材10は仕切部材16と同一の材料からなり、同一の製造工程によって一体的に形成されている。封止部材10の水平方向における厚みt(図2(a))は、例えば、20μm〜100μmである。   The sealing member 10 is made of an insulating material. As the insulating material, for example, a photosensitive resin material can be used. In the SAW device 1, the sealing member 10 is made of the same material as that of the partition member 16, and is integrally formed by the same manufacturing process. A thickness t (FIG. 2A) in the horizontal direction of the sealing member 10 is, for example, 20 μm to 100 μm.

図4(a)に封止部材10が設けられていない状態におけるSAW装置1の斜視図、図4(b)に封止部材10を設けた状態におけるSAW装置1の斜視図をそれぞれ示す。なお、図4では封止部材10等をわかりやすくするため、封止部材10、貫通導体9、仕切部材16、補強層17のそれぞれに図2の断面図においてそれらの部材に付したのと同じ種類の斜線を付している。   FIG. 4A shows a perspective view of the SAW device 1 in a state where the sealing member 10 is not provided, and FIG. 4B shows a perspective view of the SAW device 1 in a state where the sealing member 10 is provided. In FIG. 4, in order to make the sealing member 10 and the like easier to understand, the sealing member 10, the penetrating conductor 9, the partition member 16, and the reinforcing layer 17 are the same as those attached to those members in the cross-sectional view of FIG. 2. The type is shaded.

封止部材10は隣接する支持部材2の間の隙間を塞ぐ態様であればどのような形状でもよいが、図4(b)に示すように、SAW装置1では支持部材2および蓋体4の側面全体を覆うことによって隣接する支持部材2の間の隙間を塞いでいる。すなわち、SAW装置1における封止部材10は、支持部材2および蓋体4の側面に沿って一続きの枠状に形成されている。封止部材10をこのような形状とすることによって封止部材10が支持部材2および蓋体4の側面から剥がれにくくなり、振動空間21の気密性をより長期にわたって保持することができる。   The sealing member 10 may have any shape as long as it closes the gap between the adjacent support members 2, but as shown in FIG. 4B, in the SAW device 1, the support member 2 and the lid 4 The gap between the adjacent support members 2 is closed by covering the entire side surface. That is, the sealing member 10 in the SAW device 1 is formed in a continuous frame shape along the side surfaces of the support member 2 and the lid body 4. By making the sealing member 10 into such a shape, it becomes difficult for the sealing member 10 to be peeled off from the side surfaces of the support member 2 and the lid body 4, and the airtightness of the vibration space 21 can be maintained for a longer period.

なお、封止部材10の形状は図4(b)に示したもの以外にも、例えば、隣接する支持部材2の隙間の部分にだけ、部分的に設けてもよい。また、隙間の中に封止部材10の一部が入りこむようにしてもよい。   In addition to the shape shown in FIG. 4B, the shape of the sealing member 10 may be partially provided only in the gap portion between the adjacent support members 2, for example. Moreover, you may make it a part of sealing member 10 enter in a clearance gap.

素子基板3の下面3bには図2に示すように裏面部11が設けられている。裏面部11は、例えば、素子基板3の下面3bの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。温度変化等により素子基板3表面には電荷がチャージされることがあるが、裏面電極が設けられていることによってチャージされた電荷を放電すること
ができ、励振電極5の静電気による破壊等を抑制することができる。また、保護層は素子基板3の損傷を抑制する。
On the lower surface 3b of the element substrate 3, a back surface portion 11 is provided as shown in FIG. The back surface portion 11 includes, for example, a back electrode that covers substantially the entire lower surface 3b of the element substrate 3 and an insulating protective layer that covers the back electrode. Charges may be charged on the surface of the element substrate 3 due to temperature changes, etc., but the charged charges can be discharged by providing the back electrode, and the breakdown of the excitation electrode 5 due to static electricity is suppressed. can do. Further, the protective layer suppresses damage to the element substrate 3.

図5は、SAW装置1が実装された電子部品51の一部を示す断面図である。なお、図5のSAW装置1の断面図は、図1のA−A’線で切断したときの断面に相当する。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing a part of the electronic component 51 on which the SAW device 1 is mounted. Note that the cross-sectional view of the SAW device 1 in FIG. 5 corresponds to a cross section taken along line A-A ′ in FIG. 1.

電子部品51は、実装基板53と、実装基板53に実装されたSAW装置1と、SAW装置1を被覆する外装樹脂59とを備えている。   The electronic component 51 includes a mounting substrate 53, a SAW device 1 mounted on the mounting substrate 53, and an exterior resin 59 that covers the SAW device 1.

SAW装置1は、実装基板53の上面53a上に設けられた実装パッド55とSAW装置1の貫通導体9とを、導電性の接合材57を介して接合することにより実装基板53に実装されている。   The SAW device 1 is mounted on the mounting substrate 53 by bonding a mounting pad 55 provided on the upper surface 53 a of the mounting substrate 53 and the through conductor 9 of the SAW device 1 via a conductive bonding material 57. Yes.

電子部品51は、この他に実装基板53に実装され外装樹脂59によってSAW装置1とともに封止されたICなどの能動部品やコンデンサなどの受動部品を有し、モジュールを構成している。   In addition to this, the electronic component 51 includes an active component such as an IC mounted on the mounting substrate 53 and sealed together with the SAW device 1 by the exterior resin 59 and a passive component such as a capacitor to constitute a module.

実装基板53は、例えば、プリント配線板により構成されている。プリント配線板は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。また、プリント配線板は、1層板であってもよいし、2層板であってもよいし、2層以上の多層板であってもよい。また、プリント配線板の基材、絶縁材料および導電材料は適宜な材料から選択されてよい。   The mounting board 53 is configured by, for example, a printed wiring board. The printed wiring board may be a rigid board or a flexible board. The printed wiring board may be a single-layer board, a two-layer board, or a multilayer board having two or more layers. Moreover, the base material, insulating material, and conductive material of the printed wiring board may be selected from appropriate materials.

接合材57は、SAW装置1の貫通導体9および実装基板53の実装パッド55の両方に当接している。接合材57は、加熱によって溶融して貫通導体9に接着される金属によって形成されている。接合材57は、例えば、はんだからなる。はんだは、Pb−Sn合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Au−Sn合金はんだ、Au−Ge合金はんだ、Sn−Ag合金はんだ、Sn−Cu合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。   The bonding material 57 is in contact with both the through conductor 9 of the SAW device 1 and the mounting pad 55 of the mounting substrate 53. The bonding material 57 is formed of a metal that is melted by heating and bonded to the through conductor 9. The bonding material 57 is made of, for example, solder. The solder may be a solder using lead such as Pb—Sn alloy solder, or lead-free solder such as Au—Sn alloy solder, Au—Ge alloy solder, Sn—Ag alloy solder, Sn—Cu alloy solder, etc. It may be.

外装樹脂59は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。外装樹脂59は、SAW装置1を裏面部11側および側方から覆うだけでなく、SAW装置1と実装基板53との間にも充填されている。具体的には、外装樹脂59は、蓋体4の上面と実装基板53の上面53aとの間および接合材57の周囲にも充填されている。   The exterior resin 59 includes, for example, an epoxy resin, a curing material, and a filler as main components. The exterior resin 59 not only covers the SAW device 1 from the side of the back surface 11 and from the side, but is also filled between the SAW device 1 and the mounting substrate 53. Specifically, the exterior resin 59 is filled between the upper surface of the lid 4 and the upper surface 53 a of the mounting substrate 53 and around the bonding material 57.

(SAW装置の製造方法)
図6(a)〜図8(c)は、SAW装置1の製造方法を説明する断面図(図1のA−A’線に対応)である。製造工程は、図6(a)から図8(c)まで順に進んでいく。
(Method for manufacturing SAW device)
FIG. 6A to FIG. 8C are cross-sectional views (corresponding to the line AA ′ in FIG. 1) for explaining the method for manufacturing the SAW device 1. The manufacturing process proceeds in order from FIG. 6 (a) to FIG. 8 (c).

SAW装置1の製造方法に対応する図6(a)〜図8(b)の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって素子基板3となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、複数個のSAW装置1が並行して形成される。ただし、図6(a)〜図8(c)では、1つのSAW装置1に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。   The steps of FIG. 6A to FIG. 8B corresponding to the method for manufacturing the SAW device 1 are realized in a so-called wafer process. That is, a thin film formation, a photolithography method, or the like is performed on the mother substrate that becomes the element substrate 3 by being divided, and then a plurality of SAW devices 1 are formed in parallel by dicing. . However, in FIG. 6A to FIG. 8C, only a portion corresponding to one SAW device 1 is illustrated. In addition, although the shape of the conductive layer and the insulating layer changes with the progress of the process, a common code may be used before and after the change.

図6(a)に示すように、まず、素子基板3の上面3aに励振電極5を形成する。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはCVD(Chemical Vapor Deposition)
法等の薄膜形成法によって、上面3a上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、
縮小投影露光機(ステッパー)とRIE(Reactive Ion Etching)装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。金属層をパターニングすることによって励振電極5が形成される。なお、励振電極5と同時に配線15および電極パッド7が形成される。なお、素子基板3の下面3bには裏面部11が形成されている。
As shown in FIG. 6A, first, the excitation electrode 5 is formed on the upper surface 3 a of the element substrate 3. Specifically, first, sputtering, vapor deposition, or CVD (Chemical Vapor Deposition)
A metal layer is formed on the upper surface 3a by a thin film forming method such as a method. Next, for the metal layer,
Patterning is performed by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus. The excitation electrode 5 is formed by patterning the metal layer. The wiring 15 and the electrode pad 7 are formed simultaneously with the excitation electrode 5. Note that a back surface portion 11 is formed on the lower surface 3 b of the element substrate 3.

励振電極5等が形成されると、図6(b)に示すように、保護膜8が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護膜8となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはCVDである。次に、電極パッド7および接続強化層6が露出するように、RIE等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護膜8が形成される。   When the excitation electrode 5 and the like are formed, a protective film 8 is formed as shown in FIG. Specifically, first, a thin film to be the protective film 8 is formed by an appropriate thin film forming method. The thin film forming method is, for example, a sputtering method or CVD. Next, a part of the thin film is removed by RIE or the like so that the electrode pad 7 and the connection reinforcing layer 6 are exposed. Thereby, the protective film 8 is formed.

保護膜8が形成されると、図6(c)に示すように支持部材2が形成される。支持部材2は例えばフォトリソグラフィ法によってパターニングすることが可能な導電性高分子材料からなる。具体的には、塗布等の方法によって素子基板3上に導電性高分子材料等からなる層(導電層)を形成した後、導電層上にフォトマスクを配置し、露光、現像を行うことによって図3に示したような複数の支持部材2が得られる。   When the protective film 8 is formed, the support member 2 is formed as shown in FIG. The support member 2 is made of a conductive polymer material that can be patterned by, for example, photolithography. Specifically, by forming a layer (conductive layer) made of a conductive polymer material or the like on the element substrate 3 by a method such as coating, a photomask is placed on the conductive layer, and exposure and development are performed. A plurality of support members 2 as shown in FIG. 3 are obtained.

なお、導電層がフォトリソグラフィ法が適用でないような導電性樹脂材料等からなる場合は、まず導電層上に所定の形状にパターニングされたレジスト層を形成する。その後、導電層のうちレジスト層から露出する部分をウェットエッチング等の方法によって除去し、レジスト層を除去することによって支持部材2を形成することができる。   Note that in the case where the conductive layer is made of a conductive resin material or the like to which the photolithography method is not applied, a resist layer patterned into a predetermined shape is first formed on the conductive layer. Thereafter, a portion of the conductive layer exposed from the resist layer is removed by a method such as wet etching, and the support member 2 can be formed by removing the resist layer.

次に蓋体4を形成する。具体的には、まず、図7(a)に示すように蓋体4となるフィルム状の第1レジスト層25を支持部材2の上に載置し、この第1レジスト層25に対し、第1フォトマスク30を介して紫外線などの光L1を照射する。第1レジスト層25は、例えば、ネガ型のフォトレジストからなる。第1フォトマスク30は、第1透明基板28に第1遮光部29が形成されることにより構成されている。第1遮光部29は、第1フォトマスク30を素子基板3上にセットしたときに、第1レジスト層25を除去すべき部分に対応する位置に形成されている。すなわち、SAW装置1の製造方法においては、貫通孔4hおよびダイシングラインに対応する位置に第1遮光部29が形成されている。   Next, the lid 4 is formed. Specifically, first, as shown in FIG. 7A, a film-like first resist layer 25 to be the lid 4 is placed on the support member 2, and the first resist layer 25 is Irradiate light L 1 such as ultraviolet rays through one photomask 30. The first resist layer 25 is made of, for example, a negative photoresist. The first photomask 30 is configured by forming a first light shielding portion 29 on a first transparent substrate 28. The first light shielding portion 29 is formed at a position corresponding to a portion where the first resist layer 25 is to be removed when the first photomask 30 is set on the element substrate 3. That is, in the method for manufacturing the SAW device 1, the first light shielding portion 29 is formed at a position corresponding to the through hole 4h and the dicing line.

その後、図7(b)に示すように現像処理を行い、第1レジスト層25のうち、光L1が照射された部分を残し、光L1が照射されなかった部分を除去する。これにより、貫通孔4hを有する蓋体4が完成する。また支持部材2の開口が蓋体4によって閉じられることにより振動空間21も同時に形成される。ただし、この状態においては隣接する支持部材2の間の隙間が塞がれていないため、振動空間21は密閉されていない。   Thereafter, development processing is performed as shown in FIG. 7B, and the portion of the first resist layer 25 irradiated with the light L1 is left, and the portion not irradiated with the light L1 is removed. Thereby, the lid body 4 having the through hole 4h is completed. Further, the opening of the support member 2 is closed by the lid 4, so that the vibration space 21 is simultaneously formed. However, in this state, since the gap between the adjacent support members 2 is not closed, the vibration space 21 is not sealed.

次に封止部材10および仕切部材16を形成する。具体的には、まず、図7(c)に示すように封止部材10および仕切部材16となる第2レジスト層26を素子基板3の上面側全体にわたって塗布し、この第2レジスト層26に対し、第2フォトマスク33を介して紫外線などの光L2を照射する。第2レジスト層26は、例えば、ネガ型のフォトレジストからなる。第2フォトマスク33は、第2透明基板31に第2遮光部32が形成されることにより構成されている。第2遮光部32は、第2フォトマスク33を素子基板3上にセットしたときに、第2レジスト層26を除去すべき部分に対応する位置に形成されている。すなわち、SAW装置1の製造方法においては、貫通孔4h、凹部4cとなる部分およびダイシングラインに対応する位置に第2遮光部32が形成されている。   Next, the sealing member 10 and the partition member 16 are formed. Specifically, first, as shown in FIG. 7C, a second resist layer 26 to be the sealing member 10 and the partition member 16 is applied over the entire upper surface side of the element substrate 3, and the second resist layer 26 is applied to the second resist layer 26. On the other hand, light L2 such as ultraviolet rays is irradiated through the second photomask 33. The second resist layer 26 is made of, for example, a negative photoresist. The second photomask 33 is configured by forming the second light shielding part 32 on the second transparent substrate 31. The second light shielding portion 32 is formed at a position corresponding to a portion where the second resist layer 26 is to be removed when the second photomask 33 is set on the element substrate 3. That is, in the method for manufacturing the SAW device 1, the second light shielding portion 32 is formed at a position corresponding to the through hole 4h, the concave portion 4c, and the dicing line.

その後、図8(a)に示すように現像処理を行い、第2レジスト層26のうち、光L2が照射された部分を残し、光L2が照射されなかった部分を除去し、150℃程度の温度で加熱硬化する。これにより、図4(b)に示したような封止部材10および仕切部材1
6が得られる。すなわちSAW装置1の製造方法においては、封止部材10と仕切部材16とが同時に一体形成されることとなる。
Thereafter, development processing is performed as shown in FIG. 8A, and the portion of the second resist layer 26 that has been irradiated with the light L2 is left and the portion that has not been irradiated with the light L2 is removed. Heat cure at temperature. Thereby, the sealing member 10 and the partition member 1 as shown in FIG.
6 is obtained. That is, in the method for manufacturing the SAW device 1, the sealing member 10 and the partition member 16 are integrally formed at the same time.

次に図8(b)に示すようにドライエッチングなどのエッチング法により蓋体4の上面に凹部4cを形成する。   Next, as shown in FIG. 8B, a recess 4c is formed on the upper surface of the lid 4 by an etching method such as dry etching.

その後、貫通孔4hを埋める貫通導体9および凹部4cを埋める補強層17を形成する。貫通導体9および補強層17は、例えば、めっき法によって形成される。めっき法のうち電解めっき法によって貫通導体9および補強層17を形成する場合は、予め貫通孔4hの内面および凹部4cの内面にスパッタリング法などによってめっき下地層を形成しておき、このめっき下地層を起点としてめっきを成長させる。   Thereafter, the through conductor 9 filling the through hole 4h and the reinforcing layer 17 filling the recess 4c are formed. The through conductor 9 and the reinforcing layer 17 are formed by, for example, a plating method. When the through conductor 9 and the reinforcing layer 17 are formed by electrolytic plating among plating methods, a plating base layer is formed in advance on the inner surface of the through-hole 4h and the inner surface of the recess 4c by a sputtering method or the like. The plating is grown from the starting point.

従来のWLP型のSAW装置のように貫通導体が蓋体および枠体を貫通するものである場合、貫通導体を形成するための貫通孔は枠体の分だけ深くなるが、このように深い貫通孔にめっきを成長させるとボイドが形成されやすい。これに対しSAW装置1の製造方法によれば、貫通孔4hの深さは蓋体4の厚み分だけであり、比較的浅いものである。よってこの貫通孔4hにめっきを成長させてもボイドが形成されにくく、SAW装置1を他の基板に実装したときの接続信頼性を高めることができる。   When the through conductor penetrates the lid and the frame as in the conventional WLP type SAW device, the through hole for forming the through conductor is deepened by the amount of the frame, but such a deep penetration Voids are easily formed when plating is grown in the holes. On the other hand, according to the manufacturing method of the SAW device 1, the depth of the through hole 4h is only the thickness of the lid 4 and is relatively shallow. Therefore, even if plating is grown on the through-hole 4h, voids are hardly formed, and connection reliability when the SAW device 1 is mounted on another substrate can be improved.

その後、必要に応じて仕切部材16の上面をCMP法などによって研磨することによって、SAW装置1が完成する。   Thereafter, the SAW device 1 is completed by polishing the upper surface of the partition member 16 by CMP or the like as necessary.

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various aspects.

弾性波装置は、SAW装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。   The elastic wave device is not limited to the SAW device. For example, the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator.

また、SAW装置において、貫通導体9、接続強化層6、保護膜8、裏面部11、補強層17などは必須の要件ではなく、省略されてもよい。   In the SAW device, the through conductor 9, the connection reinforcing layer 6, the protective film 8, the back surface portion 11, the reinforcing layer 17 and the like are not essential requirements and may be omitted.

また上述した実施形態では、蓋体4の平面視における大きさは複数の支持部材2をひとまとまりにみたときの大きさとほぼ同じであり、蓋体4の側面と各支持部材2の側面とは同一面内に位置しているSAW装置について説明したが、蓋体4の大きさはこれに限らず、例えば、複数の支持部材2をひとまとまりにみたときの大きさよりも一回り小さくなるように蓋体4を形成してもよい。この場合、蓋体4の側面と支持部材2の側面との間に支持部材2の上面によって形成される段差部ができるが、この段差部を被覆するように封止部材10を形成すれば、封止部材10の支持部材2または蓋体4からの剥がれを抑制することができる。   In the above-described embodiment, the size of the lid body 4 in plan view is substantially the same as the size when the plurality of support members 2 are viewed together, and the side surface of the lid body 4 and the side surface of each support member 2 are the same. Although the SAW device located in the same plane has been described, the size of the lid 4 is not limited to this, and for example, the size of the lid 4 is slightly smaller than the size when the plurality of support members 2 are viewed together. The lid 4 may be formed. In this case, a step portion formed by the upper surface of the support member 2 is formed between the side surface of the lid 4 and the side surface of the support member 2, but if the sealing member 10 is formed so as to cover the step portion, The peeling of the sealing member 10 from the support member 2 or the lid 4 can be suppressed.

また上述した実施形態に係る電子部品は、SAW装置1の貫通導体9と実装基板53の実装パッド55とを接合材57を介して接続するようにしたが、貫通導体9を設けずに貫通孔4hから露出する支持部材2の上面と実装基板53の実装パッド55とを接合材57を介して接続するようにしてもよい。   Further, in the electronic component according to the above-described embodiment, the through conductor 9 of the SAW device 1 and the mounting pad 55 of the mounting substrate 53 are connected via the bonding material 57, but the through conductor 9 is not provided. The upper surface of the support member 2 exposed from 4h and the mounting pad 55 of the mounting substrate 53 may be connected via a bonding material 57.

1・・・SAW装置
2・・・支持部材
3・・・素子基板
4・・・蓋体
5・・・励振電極
6・・・接続強化層
7・・・電極パッド
8・・・保護膜
10・・・封止部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... SAW apparatus 2 ... Support member 3 ... Element board | substrate 4 ... Cover body 5 ... Excitation electrode 6 ... Connection reinforcement | strengthening layer 7 ... Electrode pad 8 ... Protective film 10 ... Sealing members

Claims (8)

素子基板と、
該素子基板の上面に位置している励振電極と、
前記素子基板の上面に位置して前記励振電極に電気的に接続されている複数の電極パッドと、
前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で位置して前記電極パッドに接続されている、導電性材料からなる複数の支持部材と、
前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に重なっており、該支持部材の一部を露出させる貫通孔を有している絶縁性材料からなる蓋体と、
隣接する前記支持部材間の隙間を塞いでいる、絶縁性材料からなる封止部材とを備えた弾性波装置。
An element substrate;
An excitation electrode located on the upper surface of the element substrate;
A plurality of electrode pads located on the upper surface of the element substrate and electrically connected to the excitation electrode;
A plurality of support members made of a conductive material, which are located on the element substrate as a whole so as to surround the excitation electrode and are spaced from each other and connected to the electrode pad;
A lid made of an insulating material that covers the excitation electrode and overlaps the plurality of support members, and has a through hole that exposes a part of the support member;
An elastic wave device comprising: a sealing member made of an insulating material that closes a gap between adjacent support members.
前記貫通孔を埋めている貫通導体をさらに備えた請求項1に記載の弾性波装置。   The acoustic wave device according to claim 1, further comprising a through conductor filling the through hole. 前記蓋体は、平面透視したときに内周面が全ての前記支持部材に渡って重なっている凹部を上面側に有しており、
該凹部を埋めている、金属材料からなる補強層をさらに備えた請求項2に記載の弾性波装置。
The lid body has a concave portion on the upper surface side whose inner peripheral surface overlaps over all the support members when seen through a plane.
The elastic wave device according to claim 2, further comprising a reinforcing layer made of a metal material filling the concave portion.
前記蓋体の上面のうち少なくとも前記貫通孔と前記凹部との間の領域に位置している、絶縁性材料からなる仕切部材をさらに備えた請求項3に記載の弾性波装置。   The acoustic wave device according to claim 3, further comprising a partition member made of an insulating material, which is located at least in a region between the through hole and the concave portion on the upper surface of the lid. 請求項1に記載の弾性波装置と、
上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、
前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記蓋体の前記貫通孔から露出している前記支持部材とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されている電子部品。
The elastic wave device according to claim 1;
A mounting substrate having a plurality of mounting pads on the upper surface;
The elastic wave device joins the mounting pad and the support member exposed from the through hole of the lid with a conductive bonding material in a state where the upper surfaces of the mounting substrate face each other. An electronic component that is mounted and coated with an exterior resin.
請求項2〜4のいずれか1項に記載の弾性波装置と、
上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、
前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記貫通導体とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されている電子部品。
The elastic wave device according to any one of claims 2 to 4,
A mounting substrate having a plurality of mounting pads on the upper surface;
The elastic wave device is mounted by bonding the mounting pad and the through conductor with a conductive bonding material in a state where the upper surfaces of the mounting substrate face each other, and is covered with an exterior resin. Electronic components.
素子基板の上面に励振電極および該励振電極に電気的に接続された複数の電極パッドを形成する工程と、
前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で配置されて前記電極パッドに接続された、導電性材料からなる複数の支持部材を形成する工程と、
前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に感光性の絶縁性材料からなるフィルムを重ねた後、該フィルムを露光および現像することによって、前記支持部材の一部を露出させる貫通孔を有した蓋体を形成する工程と、
隣接する前記支持部材間の隙間を塞ぐように絶縁性材料からなる封止部材を形成する工程とを含む弾性波装置の製造方法。
Forming an excitation electrode and a plurality of electrode pads electrically connected to the excitation electrode on an upper surface of the element substrate;
Forming a plurality of support members made of a conductive material disposed on the element substrate as a whole so as to surround the excitation electrode and connected to the electrode pad in a state having a gap;
After a film made of a photosensitive insulating material is overlaid on the plurality of support members so as to cover the excitation electrode, a through hole exposing a part of the support member is formed by exposing and developing the film. Forming a lid with
Forming a sealing member made of an insulating material so as to close a gap between the adjacent supporting members.
前記貫通孔を埋める貫通導体をめっき法によって形成する工程をさらに含む請求項7に記載の弾性波装置の製造方法。
The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 7, further comprising a step of forming a through conductor filling the through hole by a plating method.
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