JP2013114805A - 有機el装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1有機化合物層の上にマスク層および剥離層を所定のパターンに形成し、マスク層および剥離層を用いて第1有機化合物層をパターニングした後に第2有機化合物層を形成し、剥離層を溶解させる剥離液に接触させて剥離層の上に形成された第2有機化合物層を剥離層と共に除去する工程を有する有機EL装置の製造方法において、各有機化合物層のパターニングが完了するまで、第1有機化合物層および第2有機化合物層を犠牲層で覆って保護する。
【選択図】 図1
Description
前記第1電極が形成された基板の上に第1有機化合物層と第1犠牲層と剥離層を順次形成する工程と、
前記剥離層の上に所定のパターンにマスク層を形成する工程と、
前記マスク層が形成されていない領域の前記剥離層、前記犠牲層および前記第1有機化合物層を除去する工程と、
前記第1有機化合物層が除去された領域および残存する前記剥離層の上に、第2有機化合物層と第2犠牲層を順次を形成する工程と、
前記剥離層を剥離液に接触させて溶解させ、前記剥離層およびその上に形成された層を除去する工程と、
前記第1犠牲層および前記第2犠牲層を溶剤に接触させて溶解させ、前記第1犠牲層および前記第2犠牲層を除去する工程と、
前記基板の上に残存する前記第1有機化合物層および前記第2有機化合物層の上に第2電極を形成する工程と、
を有し、
前記剥離層およびその上に形成された層を除去する工程において、
前記剥離液に対する前記剥離層のエッチングレートは、前記剥離液に対する前記第1犠牲層および前記第2犠牲層のエッチングレートよりも大きく、かつ、
前記第1犠牲層および前記第2犠牲層を除去する工程において、前記溶剤に対する前記第1犠牲層および前記第2犠牲層のエッチングレートは、前記溶剤に対する前記有機化合物層のエッチングレートよりも大きいことを特徴とする。
(A)第1電極が形成された基板の上に第1有機化合物層を形成する工程
(B)前記第1有機化合物層上に第1犠牲層を形成する工程
(C)前記第1犠牲層上に剥離層を形成する工程
(D)前記剥離層の上に所定のパターンにマスク層を形成する工程、
(E)前記マスク層に覆われていない領域の前記剥離層、前記第1犠牲層および前記第1有機化合物層を除去する工程
(F)前記第1有機化合物層が除去された領域および残存する前記剥離層の上に第2有機化合物層および第2犠牲層を形成する工程
(G)前記第1剥離層を剥離液に接触させて溶解させ、前記剥離層およびその上に形成された層を除去する工程
(H)前記第1犠牲層および前記第2犠牲層を溶解液に接触させて溶解させ、前記第1犠牲層および前記第2犠牲層を除去する工程
(I)前記第1有機化合物層および前記第2有機化合物層の上に第2電極を形成する工程
本実施形態では、第1有機化合物層3を備え、第1色を発光する第1有機EL素子と、第2有機化合物層7を備え、第2色を発光する第2有機EL素子と、が配置された多色表示の有機EL装置を製造する方法について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態にかかる有機EL装置の製造方法の各工程を示す図である。図2は、図1の製造方法により製造された有機EL装置の一例を示している。素子基板1には表示領域10と外部接続端子11が設けられている。表示領域10には第1有機化合物層を3備える第1有機EL素子と、第2有機化合物層7を備える第2有機EL素子が二次元に配置されており、外部接続端子11は不図示の配線によって不図示の回路に電気的に接続されている。
図3は、本発明の第2の実施形態である有機EL発光装置の製造方法の各工程を示す図である。本実施形態では、素子基板1の上に、第1有機EL素子、第2有機EL素子、第3有機EL素子を備える多色表示の有機EL装置の製造方法について説明する。第1有機EL素子、第2有機EL素子、第3有機EL素子は、互いに異なる発光層を含んでおり、互いに異なる色を発光する。図3では、図面の簡略化のため、第1有機EL素子と第2有機EL素子と第3有機EL素子からなる画素を1つしか表示していないが、実際には、図2と同様に、素子基板1の上に複数の画素が二次元的に配置されている。
図3の工程に従って、有機EL発光装置を作製した。まず、素子基板1上全体に、スパッタリング法によりAlNd膜(反射電極)を形成した後、さらにスパッタリング法によりITO膜を成膜した。AlNd膜の膜厚を100nm、ITO膜の膜厚を10nmとした。AlNd膜とITO膜とからなる積層体は、第1電極として機能する。次に、公知のフォトリソグラフィを用いてAlNd膜とITO膜の積層膜をパターニングし、第1有機EL素子、第2有機EL素子、第3有機EL素子をそれぞれ構成する第1電極2a、2b、2cを、複数個ずつ形成した(図3(a))。なお、素子基板1には、ガラス基板の上に各有機EL素子を駆動するための回路(不図示)を設け、絶縁層で覆ったものを用いた。図3には表れていないが、各第1電極は絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して回路と電気的に接続されている。
2a〜2c 第1電極
3 第1有機化合物層
4a 第1犠牲層
4b 第2犠牲層
4c 第3犠牲層
5a 第1剥離層
5b 第2剥離層
6a、6b フォトレジスト層(マスク層)
7 第2有機化合物層
8 第3有機化合物層
9 第2電極
Claims (5)
- 基板の上に、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置されている有機化合物層とからなる有機EL素子を有し、前記有機化合物層がパターニングされている有機EL装置の製造方法であって、
前記第1電極が形成された基板の上に第1有機化合物層と第1犠牲層と剥離層を順次形成する工程と、
前記剥離層の上に所定のパターンにマスク層を形成する工程と、
前記マスク層が形成されていない領域の前記剥離層、前記犠牲層および前記第1有機化合物層を除去する工程と、
前記第1有機化合物層が除去された領域および残存する前記剥離層の上に、第2有機化合物層と第2犠牲層を順次を形成する工程と、
前記剥離層を剥離液に接触させて溶解させ、前記剥離層およびその上に形成された層を除去する工程と、
前記第1犠牲層および前記第2犠牲層を溶剤に接触させて溶解させ、前記第1犠牲層および前記第2犠牲層を除去する工程と、
前記基板の上に残存する前記第1有機化合物層および前記第2有機化合物層の上に第2電極を形成する工程と、
を有し、
前記剥離層およびその上に形成された層を除去する工程において、
前記剥離液に対する前記剥離層のエッチングレートは、前記剥離液に対する前記第1犠牲層および前記第2犠牲層のエッチングレートよりも大きく、かつ、
前記第1犠牲層および前記第2犠牲層を除去する工程において、前記溶剤に対する前記第1犠牲層および前記第2犠牲層のエッチングレートは、前記溶剤に対する前記有機化合物層のエッチングレートよりも大きいことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記第1犠牲層および前記第2犠牲層として、キャリア輸送材料を形成することを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置の製造方法。
- 第1有機化合物層と第1犠牲層と剥離層を順次形成する工程と、前記マスク層を形成する工程との間に、
前記剥離層の上に保護層を形成する工程を有しており、
前記マスク層を形成する工程と、前記マスク層が形成されていない領域の前記剥離層、前記犠牲層および前記第1有機化合物層を除去する工程との間に、
前記マスク層の形成されていない領域の前記保護層をパターニングする工程と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記剥離層は水溶性高分子材料であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の有機EL装置の製造方法。
- 基板の上に、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置されている有機化合物層とからなる有機EL素子を有し、前記有機化合物層がパターニングされている有機EL装置の製造方法であって、
前記第1電極が形成された基板の上に第1有機化合物層と第1犠牲層と第1剥離層を順次形成する工程と、
前記第1剥離層の上にマスク層を所定のパターンに形成する工程と、
前記マスク層が形成されていない領域の前記第1剥離層、前記第1犠牲層および前記第1有機化合物層を除去する工程と、
前記第1有機化合物層が除去された領域および前記第1剥離層の上に第2有機化合物層と第2犠牲層を順次形成する工程と、
前記第1剥離層を第1剥離液に接触させて溶解させ、前記第1剥離層およびその上に形成された層を除去する工程と、
前記第1犠牲層および前記第2犠牲層の上に第2剥離層を形成する工程と、
前記第2剥離層の上に新たにマスク層を所定のパターンに形成する工程と、
前記マスク層が形成されていない領域の前記第2剥離層、前記第2犠牲層および前記第2有機化合物層を除去する工程と、
前記第2有機化合物層が除去された領域および前記第2剥離層の上に第3有機化合物層と第3犠牲層を順次形成する工程と、
前記第2剥離層を第2剥離液に接触させて溶解させ、前記第2剥離層およびその上に形成された層を除去する工程と、
前記第1乃至第3犠牲層を溶剤に接触させて溶解させ、前記第1乃至第3犠牲層を除去する工程と、前記第1乃至第3有機化合物層の上に第2電極を形成する工程と、を有し、
前記第1剥離層およびその上に形成された層を除去する工程において、前記第1剥離液に対する前記第1剥離層のエッチングレートは、前記第1剥離液に対する前記第1犠牲層および第2犠牲層のエッチングレートよりも大きく、
前記第2剥離層およびその上に形成された層を除去する工程において、前記第2剥離液に対する前記第2剥離層のエッチングレートは、前記第2剥離液に対する前記第1乃至第3犠牲層のエッチングレートよりも大きく、かつ、
前記第1乃至第3犠牲層を除去する工程において、前記溶剤に対する前記第1乃至第3犠牲層のエッチングレートは、前記溶剤に対する前記第1乃至第3有機化合物層のいずれのエッチングレートよりも大きいことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
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