JP2013105858A - Support member, support structure and method for processing tabular object - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a support member, a support structure and a method for processing a tabular object for suppressing a break, a crack resulting from a curve of the tabular object, and reducing breakage of the tabular object when the tabular object is peeled off from the top of the support member.SOLUTION: A support member 11 is a support member for holding one surface of a wafer W via a resin layer 12, formed of a film with an outer diameter larger than an outer diameter of the wafer W, and having a recess 14 at the center, the recess 14 is formed with an inner diameter having a gap 15 with the outer edge of the wafer W when the center of the wafer W is positioned to the center of the recess 14, the gap 15 is constituted by being set so that a part of the wafer W is buried in ultraviolet hardening resin of the recess 14 and the ultraviolet hardening resin bulges over the whole circumference of the wafer W when the ultraviolet hardening resin is applied to the recess 14 of the support member 11, and the center of the wafer W is positioned, loaded, and depressed to the center of the recess 14.

Description

本発明は、板状物の裏面を研削して所定厚みへと薄化するために用いる支持部材、支持構造及び板状物の加工方法に関する。   The present invention relates to a support member, a support structure, and a plate-like material processing method used for grinding a back surface of a plate-like material to thin the plate-like material to a predetermined thickness.

通常、板状物の研削時には、板状物の表面を保護するため、板状物の表面に保護テープが貼着される(例えば、特許文献1参照)。ところが、板状物を研削して厚みを所定厚さ(例えば、90μm)以下にする場合、加工中に板状物の反りを抑制できずに反動で板状物自身の反りの力で破損してしまう。さらには、加工中のナイフエッジ化により欠け(クラック)や割れが発生してしまう。   Usually, when grinding a plate-like object, a protective tape is attached to the surface of the plate-like object in order to protect the surface of the plate-like object (see, for example, Patent Document 1). However, when the plate is ground to a predetermined thickness (for example, 90 μm) or less, the warpage of the plate cannot be suppressed during processing and the plate is damaged by the warping force of the plate itself. End up. Furthermore, chipping (cracking) and cracking occur due to the knife edge during processing.

そこで、従来では、剛体からなる支持部材上に板状物を貼着した後、板状物を研削する方法が採用されている(例えば、特許文献2参照)。また、通常、板状物はワックスや紫外線硬化樹脂等で支持部材上に貼着される。   Therefore, conventionally, a method of grinding a plate-like object after sticking the plate-like object on a support member made of a rigid body is employed (for example, see Patent Document 2). In general, the plate-like material is stuck on the support member with wax, ultraviolet curable resin, or the like.

特開平05−198542号公報JP 05-198542 A 特開2004−207606号公報JP 2004-207606 A

しかしながら、支持部材を剛体にすれば板状物の反りが抑制できるので薄加工は可能だが剥離が困難になり剥離時に破損してしまう。   However, if the support member is a rigid body, the warpage of the plate-like object can be suppressed, so that thin processing is possible, but peeling becomes difficult and breaks at the time of peeling.

本発明は、前記問題に鑑み、板状物の反りに起因した割れ、クラックを抑制し、支持部材上から板状物を剥離する際に板状物が破損するのを低減することができる支持部材、支持構造及び板状物の加工方法を提供することを目的とする。   In view of the above problems, the present invention suppresses cracks and cracks caused by warpage of a plate-like material, and can reduce damage to the plate-like material when the plate-like material is peeled from the support member. It aims at providing the processing method of a member, a support structure, and a plate-shaped object.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明者らは支持部材、支持構造及び板状物の加工方法について鋭意研究をした。その結果、板状物を保持するために用いる支持部材をフィルムで形成し、その形状を所定形状とすることにより、板状物を研削加工する際に、板状物の割れ、欠け(クラック)の発生を生じることなく、安定して研削加工を行うことができることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。すなわち、板状物の外径よりも大きい外径で且つ中央に凹部を有し、凹部はその凹部の中心に板状物の中心を位置づけた際に板状物の外縁と隙間を有する内径で形成され、支持部材の凹部に樹脂を塗布し凹部の中心に板状物の中心を位置づけて載置して押圧した際に、凹部の樹脂に板状物の一部が埋没して板状物の外周全周に渡って板状物の外縁と凹部の内径との間の隙間に樹脂が隆起するように形成されることにより、板状物の反りに起因した割れ、クラックを抑制し、支持部材上から板状物を剥離する際に板状物が破損するのを低減することができることを見出した。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present inventors have intensively studied a support member, a support structure, and a plate-like material processing method. As a result, the support member used to hold the plate-like material is formed of a film, and the shape is set to a predetermined shape, so that when the plate-like material is ground, the plate-like material is cracked or chipped (crack). It has been found that grinding can be performed stably without causing the occurrence of. The present invention has been completed based on such findings. That is, the outer diameter is larger than the outer diameter of the plate-like object and has a concave portion at the center, and the concave portion has an inner diameter having a gap and an outer edge of the plate-like object when the center of the plate-like object is positioned at the center of the concave portion. When the resin is applied to the concave portion of the support member and the center of the plate-like material is placed and pressed at the center of the concave portion and pressed, the plate-like material is partially buried in the resin of the concave portion. By forming the resin so that it rises in the gap between the outer edge of the plate-like object and the inner diameter of the recess over the entire outer periphery of the plate, cracks caused by warpage of the plate-like object are suppressed and supported. It has been found that the plate-like material can be prevented from being damaged when the plate-like material is peeled from the member.

そこで、本発明に係る支持部材は、板状物の一方の面を樹脂を介して保持するための支持部材であって、該板状物の外径よりも大きい外径で且つ中央に凹部を有するフィルムで形成されており、該凹部は、該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけた際に該板状物の外縁と隙間を有する内径で形成され、該隙間は、該支持部材の該凹部に樹脂を塗布し該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけて載置して押圧した際に、該凹部の該樹脂に該板状物の一部が埋没し該板状物の外周全周に渡って該樹脂が隆起するように設定されていることを特徴とする。   Therefore, the support member according to the present invention is a support member for holding one surface of the plate-like object via the resin, and has an outer diameter larger than the outer diameter of the plate-like object and a recess in the center. The concave portion is formed with an inner diameter having a gap with an outer edge of the plate-like material when the center of the plate-like material is positioned at the center of the concave portion, and the gap is formed by the support member. When the resin is applied to the concave portion and the center of the plate-like object is positioned and placed at the center of the concave portion and pressed, a part of the plate-like substance is buried in the resin of the concave portion and the plate-like The resin is set so as to protrude over the entire outer periphery of the object.

本発明に係る支持構造は、板状物の一方の面を樹脂を介して保持するための支持構造であって、該板状物の外径よりも大きい外径で且つ中央に凹部を有するフィルムで形成されており、該凹部は、該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけた際に該板状物の外縁と隙間を有する内径で形成され、該隙間は、該支持部材の該凹部に樹脂を塗布し該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけて載置して押圧した際に、該凹部の該樹脂に該板状物の一部が埋没し該板状物の外周全周に渡って該樹脂が隆起するように設定されている支持部材と、該凹部に設けられ、前記樹脂を硬化させて形成される樹脂層と、該凹部の該樹脂層の表面に設けられる板状物と、を有し、該板状物の一部は該凹部内の該樹脂層に埋没し、該樹脂層は該板状物の外周全周に渡って該隙間から隆起して形成されてなることを特徴とする。   The support structure according to the present invention is a support structure for holding one surface of a plate-like material via a resin, and has an outer diameter larger than the outer diameter of the plate-like material and a recess in the center. The recess is formed with an inner diameter having a gap with an outer edge of the plate-like object when the center of the plate-like object is positioned at the center of the recess. When a resin is applied to the recess and the center of the plate-like object is placed and pressed at the center of the recess, a part of the plate-like object is buried in the resin of the recess so that the plate-like object A support member that is set so that the resin protrudes over the entire outer periphery, a resin layer that is provided in the recess and is formed by curing the resin, and provided on the surface of the resin layer in the recess And a part of the plate is buried in the resin layer in the recess, and the resin layer extends over the entire outer periphery of the plate. Characterized by comprising formed by raised from the gap Te.

本発明に係る板状物の加工方法は、支持部材上に配設された板状物の裏面を研削して所定厚みへ薄化する板状物の加工方法であって、該支持部材と該板状物との少なくとも一方が紫外線を透過する物質からなり、上記の支持部材を準備する支持部材準備工程と、準備された該支持部材の該凹部に紫外線硬化樹脂を塗布し、該板状物の表面を該紫外線硬化樹脂と対面させ、該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけて、該板状物を該凹部の該紫外線硬化樹脂に埋没させて該板状物の外周全周に渡って該隙間から該紫外線硬化樹脂が隆起するまで前記板状物を押圧して載置する板状物載置工程と、該板状物載置工程を実施した後、該紫外線硬化樹脂に該支持部材又は板状物を介して紫外線を照射して該紫外線硬化樹脂を硬化させて該支持部材上に板状物を固定する板状物固定工程と、該板状物固定工程を実施した後、該支持部材側を保持テーブルで保持して板状物の裏面を研削し該所定厚みに薄化する薄化工程と、該薄化工程を実施した後、該紫外線硬化樹脂を加熱又は加水して軟化させ、該板状物から該支持部材及び紫外線硬化樹脂を剥離する除去工程と、を備えることを特徴とする。   A processing method of a plate-like object according to the present invention is a processing method of a plate-like object in which a back surface of a plate-like object disposed on a support member is ground and thinned to a predetermined thickness, the support member and the At least one of the plate-like material is made of a substance that transmits ultraviolet rays, and a support member preparing step for preparing the above-mentioned support member, and an ultraviolet curable resin is applied to the concave portion of the prepared support member, and the plate-like material is prepared. The surface of the plate is opposed to the ultraviolet curable resin, the center of the plate is positioned at the center of the recess, and the plate is buried in the UV curable resin of the recess to make the entire circumference of the plate After the plate-like object placing step of pressing and placing the plate-like object until the ultraviolet-curing resin rises from the gap, and the plate-like object placing step, The ultraviolet curable resin is cured by irradiating with ultraviolet rays through the support member or the plate-like material, and then on the support member. After the plate-like object fixing step for fixing the object and the plate-like object fixing step, the supporting member side is held by a holding table, and the back surface of the plate-like object is ground and thinned to the predetermined thickness. And a step of removing the support member and the ultraviolet curable resin from the plate-like material by softening by heating or adding water after the thinning step is performed. And

また、本発明においては、前記薄化工程を実施した後、前記除去工程を実施する前に、前記板状物側に粘着シートを貼着するとともに該粘着シートを介して環状フレームに装着する転写工程を更に備えることが好ましい。   Further, in the present invention, after performing the thinning step and before performing the removing step, the adhesive sheet is attached to the plate-like object side and attached to the annular frame via the adhesive sheet. It is preferable to further include a step.

本発明の支持部材によれば、板状物の反りに起因した割れ、クラックを抑制し、支持部材上から板状物を剥離する際に板状物が破損するのを低減することができる。
また、本発明の板状物の加工方法によれば、支持部材をフィルムで形成しても板状物は樹脂を介して支持部材の凹部に保持されているため、接地体積が広くなり板状物の反りが抑制でき板状物の割れ及びクラックの発生を抑制することができる。更に、支持部材はフィルムで形成されているため樹脂は熱又は加水等の外的刺激によって容易に軟化するため、板状物を破損させることなく板状物から支持部材及び樹脂を容易に除去することができる。
According to the support member of the present invention, it is possible to suppress cracks and cracks due to warpage of the plate-like object, and to reduce the damage of the plate-like object when the plate-like object is peeled from the support member.
Moreover, according to the processing method of the plate-shaped object of the present invention, even if the support member is formed of a film, the plate-shaped object is held in the recess of the support member through the resin, so that the grounding volume is increased and the plate The warpage of the object can be suppressed, and the occurrence of cracks and cracks in the plate-like object can be suppressed. Furthermore, since the support member is formed of a film, the resin is easily softened by an external stimulus such as heat or water, so that the support member and the resin can be easily removed from the plate without damaging the plate. be able to.

図1は、支持構造の構成を簡略に示す図である。FIG. 1 is a diagram simply showing the configuration of the support structure. 図2は、支持部材の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the support member. 図3は、ウエーハの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the wafer. 図4は、ウエーハの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the wafer. 図5は、本実施形態に係る板状物の加工方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a plate-like material processing method according to the present embodiment. 図6は、貼着装置の構成の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the configuration of the sticking device. 図7は、樹脂供給手段の操作の状態を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a state of operation of the resin supply means. 図8は、熱硬化性樹脂を滴下する様子を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a state in which a thermosetting resin is dropped. 図9は、支持部材上に熱硬化性樹脂が滴下された状態を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which a thermosetting resin is dropped on the support member. 図10は、支持部材上にウエーハを降下させる様子を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a state where the wafer is lowered onto the support member. 図11は、支持部材上にウエーハを降下させた状態を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a state where the wafer is lowered on the support member. 図12は、UVを照射する状態を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a state of irradiating UV. 図13は、研削装置の構成の一例を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing an example of the configuration of the grinding apparatus. 図14は、ウエーハを薄化する工程を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a process of thinning the wafer. 図15は、ウエーハを薄化した後の状態を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a state after the wafer is thinned. 図16は、ウエーハから支持部材及び樹脂層を剥離する様子を示す図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a state where the support member and the resin layer are peeled from the wafer. 図17は、ウエーハから支持部材及び樹脂層を剥離した状態を示す図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a state where the support member and the resin layer are peeled from the wafer. 図18は、ウエーハから支持部材及び樹脂層を剥離する他の一例を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing another example of peeling the support member and the resin layer from the wafer. 図19は、ウエーハから支持部材及び樹脂層を剥離する他の一例を示す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating another example of peeling the support member and the resin layer from the wafer. 図20は、本実施形態に係る板状物の加工方法の他の一例を示すフローチャートである。FIG. 20 is a flowchart showing another example of the plate-like material processing method according to the present embodiment. 図21は、ウエーハの裏面側に粘着シートを貼着する様子を示す図である。FIG. 21 is a diagram illustrating a state in which an adhesive sheet is attached to the back side of the wafer. 図22は、ウエーハから支持部材及び樹脂層を剥離する様子を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a state where the support member and the resin layer are peeled from the wafer.

以下、この発明について詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための形態(以下、実施形態という)により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。   The present invention will be described in detail below. The present invention is not limited by the following modes for carrying out the invention (hereinafter referred to as embodiments). In addition, constituent elements in the following embodiments include those that can be easily assumed by those skilled in the art, those that are substantially the same, and those in a so-called equivalent range. Furthermore, the constituent elements disclosed in the following embodiments can be appropriately combined.

<支持構造>
図1は、支持構造の構成を簡略に示す図である。図1に示すように、本実施形態に係る支持構造10は、支持部材11と、樹脂層12と、板状物(ウエーハ)Wとを有するものである。
<Support structure>
FIG. 1 is a diagram simply showing the configuration of the support structure. As shown in FIG. 1, the support structure 10 according to the present embodiment includes a support member 11, a resin layer 12, and a plate-like object (wafer) W.

(支持部材)
支持部材11は、紫外線硬化樹脂を硬化させて形成される樹脂層12を介してウエーハWの一方の面を保持するための部材である。支持部材11は、ウエーハWの外径よりも大きい外径で且つ中央に凹部14を有するフィルムで形成されている。
(Support member)
The support member 11 is a member for holding one surface of the wafer W via a resin layer 12 formed by curing an ultraviolet curable resin. The support member 11 is formed of a film having an outer diameter larger than the outer diameter of the wafer W and having a recess 14 in the center.

凹部14は、その中心にウエーハWの中心を位置付けた際にウエーハWの外縁(端面)Waと隙間15を有する内径で形成されている。ウエーハWが円形の場合には凹部14は円形に形成される。   The recess 14 is formed with an inner diameter having a gap 15 and an outer edge (end surface) Wa of the wafer W when the center of the wafer W is positioned at the center thereof. When the wafer W is circular, the recess 14 is formed in a circular shape.

支持部材11を形成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(Polyethylene terephthalate、PET)、ポリプロピレン(polypropylene、PP)、ポリエチレン(polyethylene、PE)、ポリカーボネート(Polycarbonate、PC)、ポリ塩化ビニル(polyvinyl chloride、PVC)、ポリエステル(Polyester)等が挙げられる。   Examples of the material for forming the support member 11 include polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (polypropylene, PP), polyethylene (polyethylene, PE), polycarbonate (Polycarbonate, PC), and polyvinyl chloride (PVC). ) And polyester (Polyester).

ウエーハWは、紫外線硬化樹脂に紫外線(UV)を照射して硬化させて形成される樹脂層12を介して保持されるようにしている。そのため、支持部材11側からUVを照射する際には、支持部材11はUVを透過させることのできる材料によって形成されたフィルムで形成されていることが好ましいが、特にこれに限定されるものではない。UVをウエーハW側から照射する際には、支持部材11はUVの透過性が低い材料によって形成されたフィルムで形成されていてもよい。   The wafer W is held via a resin layer 12 formed by irradiating an ultraviolet curable resin with ultraviolet rays (UV) and curing it. Therefore, when irradiating UV from the support member 11 side, the support member 11 is preferably formed of a film formed of a material that can transmit UV, but is not particularly limited to this. Absent. When irradiating UV from the wafer W side, the support member 11 may be formed of a film formed of a material having low UV transmittance.

支持部材11の斜視図を図2に示す。図2に示すように、支持部材11は円形としているが、これに限定されるものではなく、ウエーハWの形状に応じて任意の形状としてもよい。   A perspective view of the support member 11 is shown in FIG. As shown in FIG. 2, the support member 11 has a circular shape, but is not limited thereto, and may have an arbitrary shape according to the shape of the wafer W.

隙間15は、支持部材11の凹部14に紫外線硬化樹脂を塗布し、凹部14の中心にウエーハWの中心を位置付けて載置して押圧した際に、凹部14の紫外線硬化樹脂にウエーハWの一部が埋没しウエーハWの外周全周に渡って紫外線硬化樹脂が隆起するように設計されている。そのため、支持部材11は、支持部材11をフィルムで形成してもウエーハWは樹脂層12を介して凹部14に保持することができるため、支持部材11と、ウエーハWの樹脂層12とが接触する体積は大きくなる。その結果、ウエーハWの反りに起因した割れ及びクラックを抑制し、支持部材11上からウエーハWを剥離する際にウエーハWが破損するおそれを低減することができる。   The gap 15 is formed by applying an ultraviolet curable resin to the concave portion 14 of the support member 11, placing the center of the wafer W at the center of the concave portion 14, and pressing and placing the wafer W on the ultraviolet curable resin of the concave portion 14. The part is buried and the ultraviolet curable resin is designed to protrude over the entire outer periphery of the wafer W. Therefore, since the wafer W can be held in the recess 14 through the resin layer 12 even if the support member 11 is formed of a film, the support member 11 and the resin layer 12 of the wafer W are in contact with each other. The volume to be increased. As a result, it is possible to suppress cracks and cracks due to the warpage of the wafer W, and to reduce the possibility of the wafer W being damaged when the wafer W is peeled off from the support member 11.

(接着剤)
樹脂層12は、支持部材11の凹部14に設けられる。樹脂層12は、紫外線硬化性樹脂を用いて形成されるものである。紫外線硬化性樹脂は、紫外線により三次元架橋し硬化する樹脂である。また、紫外線硬化樹脂には、水分を吸収すると膨潤して軟化し、保持力が低下する樹脂も含まれる。紫外線硬化性樹脂は、紫外線により三次元架橋し硬化する樹脂であればよく、紫外線硬化性樹脂としては、例えば、(1)ポリエステルジ(メタ)アクリレート、ポリウレタンジ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレートから選ばれる、少なくとも分子鎖両端末に(メタ)アクリル基を有する(メタ)アクリル化合物、(2)少なくとも分子中に2個の(メタ)アクリル基を有する親水性(メタ)アクリル化合物等が挙げられる。具体的には、例えば、ディスコ株式会社製の「レジロック」等が好適に用いられる。これら樹脂は、単独で用いても2種以上を併用してもよい。
(adhesive)
The resin layer 12 is provided in the concave portion 14 of the support member 11. The resin layer 12 is formed using an ultraviolet curable resin. The ultraviolet curable resin is a resin that is three-dimensionally crosslinked and cured by ultraviolet rays. In addition, the ultraviolet curable resin includes a resin that swells and softens when moisture is absorbed and whose holding power decreases. The ultraviolet curable resin may be a resin that is three-dimensionally crosslinked and cured by ultraviolet rays. Examples of the ultraviolet curable resin include (1) polyester di (meth) acrylate, polyurethane di (meth) acrylate, and epoxy (meth). (Meth) acrylic compounds having (meth) acrylic groups at least at both molecular chain terminals selected from acrylates, (2) hydrophilic (meth) acrylic compounds having at least two (meth) acrylic groups in the molecule, and the like Can be mentioned. Specifically, for example, “REGILOCK” manufactured by DISCO Corporation is preferably used. These resins may be used alone or in combination of two or more.

紫外線硬化性樹脂としては、未硬化時には粘度が1000mPa・s以上50000mPa・s、好ましくは3000mPa・s以上50000mPa・sであり、紫外線照射により硬化するとショア硬度Dタイプで30以上90以下、好ましくは40以上90以下の硬度になるものであることが好ましい。また、紫外線硬化性樹脂は40℃以上90℃以下、好ましくは60℃以上80℃以下の温水を吸収すると膨潤して保持力が低下する任意の樹脂組成物を使用することができる。   The UV curable resin has a viscosity of 1000 mPa · s or more and 50000 mPa · s, preferably 3000 mPa · s or more and 50000 mPa · s when uncured, and has a Shore hardness D type of 30 or more and 90 or less, preferably 40 when cured by ultraviolet irradiation. It is preferable that the hardness is 90 or less. As the ultraviolet curable resin, any resin composition that swells and lowers its holding power when absorbing hot water of 40 ° C. or higher and 90 ° C. or lower, preferably 60 ° C. or higher and 80 ° C. or lower can be used.

なお、紫外線硬化性樹脂は、一般に電子線の照射又は単なる加熱によっても硬化するため、紫外線硬化性樹脂を硬化させる手段としては、UV照射、電子線照射、加熱のいずれかあるいはこれらの併用としてもよい。   In addition, since the ultraviolet curable resin is generally cured by electron beam irradiation or simple heating, the means for curing the ultraviolet curable resin may be either UV irradiation, electron beam irradiation, heating, or a combination thereof. Good.

紫外線硬化性樹脂は、透明であることが望ましい。そのとき使用される透明の紫外線硬化性樹脂とは、完全硬化したときでも可視光線の透過性が高い樹脂をいう。樹脂層12の透明性は、例えば、厚さが50μm〜100μmのシート状に成形した際の550nmでの光線透過率が80%以上のものが好ましく、より好ましくは85%以上、最も好ましくは90%以上であるものを指す。樹脂層12を表示素子用基板等に用いる場合には、樹脂層12の透明性は85%以上であることが好ましい。   The ultraviolet curable resin is desirably transparent. The transparent ultraviolet curable resin used at that time refers to a resin having a high visible light transmittance even when completely cured. The transparency of the resin layer 12 is preferably such that the light transmittance at 550 nm when molded into a sheet having a thickness of 50 μm to 100 μm is 80% or more, more preferably 85% or more, and most preferably 90%. % Or more. When the resin layer 12 is used for a display element substrate or the like, the transparency of the resin layer 12 is preferably 85% or more.

なお、紫外線硬化性樹脂は、支持部材11とウエーハWを接着させるものであるため、樹脂層12として従来から用いられているホットメルトタイプのワックスを使用することもできるが、後にウエーハWを研削加工した後、剥離する際にウエーハWに割れやクラックが生じる虞がある。これに対し、樹脂層12は紫外線硬化性樹脂を硬化させて得られるものであるため、水分を含むと膨潤して保持力が低下するので、ウエーハWを樹脂層12から容易に剥離することができるため、好ましい。   In addition, since the ultraviolet curable resin adheres the support member 11 and the wafer W, a conventionally used hot-melt type wax can be used as the resin layer 12, but the wafer W is ground later. There is a possibility that the wafer W may be cracked or cracked when it is peeled after being processed. On the other hand, since the resin layer 12 is obtained by curing an ultraviolet curable resin, if it contains moisture, the resin layer 12 swells and its holding power decreases, so that the wafer W can be easily peeled from the resin layer 12. This is preferable because it is possible.

(ウエーハW)
ウエーハWを形成する材料としては、例えば、シリコン(Si)、サファイア、炭化珪素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)等が挙げられる。図3は、ウエーハWの断面図であり、図4は、ウエーハWの斜視図である。図3、4に示すように、ウエーハWは、硬質の円盤形状の部材であり、欠け及び割れが生じるのを抑制するために、端面Waが断面半円状に面取りされている。ウエーハWの表面W1には回路が形成されている。
(Wafer W)
Examples of the material for forming the wafer W include silicon (Si), sapphire, silicon carbide (SiC), and gallium nitride (GaN). 3 is a cross-sectional view of the wafer W, and FIG. 4 is a perspective view of the wafer W. As shown in FIGS. 3 and 4, the wafer W is a hard disk-shaped member, and the end face Wa is chamfered into a semicircular cross section in order to suppress the occurrence of chipping and cracking. A circuit is formed on the surface W1 of the wafer W.

なお、ウエーハWは、UVを透過させることのできる材料によって形成されていることが好ましいが、特にこれに限定されるものではない。   The wafer W is preferably formed of a material that can transmit UV, but is not particularly limited thereto.

本実施形態に係る支持構造10によれば、支持部材11がフィルムで形成されていてもウエーハWは樹脂層12を介して凹部14に保持することができ、ウエーハWの樹脂層12との接地体積は広くなるため、ウエーハWの反りに起因した割れ、クラックを抑制し、支持部材11上からウエーハWを剥離する際にウエーハWが破損するのを低減することができる。   According to the support structure 10 according to the present embodiment, the wafer W can be held in the recess 14 via the resin layer 12 even if the support member 11 is formed of a film, and the wafer W is grounded to the resin layer 12. Since the volume is widened, it is possible to suppress cracks caused by warpage of the wafer W, and to prevent the wafer W from being damaged when the wafer W is peeled off from the support member 11.

<板状物の加工方法>
次に、支持部材11を用いて作製した支持構造10を用いてウエーハWを研削する方法について、以下に説明する。
<Processing method for plate-like material>
Next, a method for grinding the wafer W using the support structure 10 manufactured using the support member 11 will be described below.

図5は、本実施形態に係る板状物の加工方法の一例を示すフローチャートである。図5に示すように、板状物の加工方法は、支持部材11上に配設されたウエーハWの裏面W2を研削して所定厚みへ薄化する方法であり、以下の工程を含む。
(a) 支持部材11を準備する支持部材準備工程(ステップS11)
(b) 準備された支持部材11の凹部14に紫外線硬化樹脂を塗布し、ウエーハWの表面W1を紫外線硬化樹脂と対面させ、凹部14の中心にウエーハWの中心を位置付けて、ウエーハWを凹部14の紫外線硬化樹脂に埋没させてウエーハWの外周全周に渡って隙間15から紫外線硬化樹脂が隆起するまでウエーハWを押圧して載置する板状物載置工程(ステップS12)
(c) 板状物載置工程(ステップS12)を実行した後、支持部材11を介して紫外線硬化樹脂にUVを照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて支持部材11上にウエーハWを固定する板状物固定工程(ステップS13)
(d) 板状物固定工程(ステップS13)を実行した後、支持部材11側を保持テーブルで保持してウエーハWの裏面W2を研削し所定厚みに薄化する薄化工程(ステップS14)
(e) 薄化工程(ステップS14)を実施した後、紫外線硬化樹脂を加熱又は加水して軟化させ、ウエーハWから支持部材11及び樹脂層12を剥離する除去工程(ステップS15)
FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a plate-like material processing method according to the present embodiment. As shown in FIG. 5, the plate-like material processing method is a method of grinding the back surface W <b> 2 of the wafer W disposed on the support member 11 to a predetermined thickness, and includes the following steps.
(A) Support member preparation step for preparing the support member 11 (step S11)
(B) An ultraviolet curable resin is applied to the recess 14 of the prepared support member 11, the surface W 1 of the wafer W is opposed to the ultraviolet curable resin, the center of the wafer W is positioned at the center of the recess 14, and the wafer W is recessed. 14 is a plate-like object placing step in which the wafer W is pressed and placed until the ultraviolet curable resin rises from the gap 15 over the entire outer circumference of the wafer W by being buried in the ultraviolet curable resin 14 (step S12).
(C) After executing the plate-like object placing step (step S12), the ultraviolet curable resin is irradiated with UV through the support member 11 to cure the ultraviolet curable resin, and the wafer W is fixed on the support member 11. Plate-shaped object fixing step (step S13)
(D) After executing the plate-like object fixing step (step S13), the thinning step (step S14) in which the support member 11 side is held by the holding table and the back surface W2 of the wafer W is ground to a predetermined thickness.
(E) After performing the thinning process (step S14), the UV curable resin is heated or hydrolyzed to be softened, and the removing process of peeling the support member 11 and the resin layer 12 from the wafer W (step S15).

なお、本実施形態においては、支持部材11側からUVを照射するため、支持部材11の材料としてUVの透過性が高い材料を用いているが、これに限定されるものではない。例えば、ウエーハW側からUVを照射する際には、UVの透過性が高い材料を用いてウエーハWを形成するようにする。また、支持部材11及びウエーハWの両方をUVの透過性が高い材料を用いて形成するようにしてもよい。   In this embodiment, since UV is irradiated from the support member 11 side, a material having high UV transmittance is used as the material of the support member 11, but the present invention is not limited to this. For example, when UV irradiation is performed from the wafer W side, the wafer W is formed using a material having high UV transmittance. Further, both the support member 11 and the wafer W may be formed using a material having high UV transmittance.

支持構造10の形成には、従来から一般に用いられている貼着装置が用いられる。貼着装置の構成の一例を図6に示す。本実施形態では、貼着装置20を使用して、樹脂層12を介してウエーハWを支持部材11で保持し、支持構造10を形成する方法について説明する。   For forming the support structure 10, a pasting apparatus that has been conventionally used is used. An example of the configuration of the sticking device is shown in FIG. In the present embodiment, a method for forming the support structure 10 by holding the wafer W with the support member 11 via the resin layer 12 using the sticking device 20 will be described.

図6に示すように、貼着装置20は、支持部材11を保持する定盤21と、支持部材11上に紫外線硬化性樹脂を供給する樹脂供給手段22と、定盤21の上方に定盤21と対向して配設されるウエーハWの片面を下方に露出させた状態で露出面と反対側の他面を保持する保持パッド23と、紫外光(UV)照射手段24とを有する。また、支持部材11及び保持パッド23は貼着室25の内部に設けられ、樹脂供給手段22は貼着室25の内部と外部との間を移動可能に設けられている。   As shown in FIG. 6, the sticking device 20 includes a surface plate 21 that holds the support member 11, a resin supply means 22 that supplies an ultraviolet curable resin onto the support member 11, and a surface plate above the surface plate 21. 21, a holding pad 23 that holds the other surface opposite to the exposed surface in a state where one surface of the wafer W arranged facing the surface 21 is exposed downward, and an ultraviolet light (UV) irradiation means 24. Further, the support member 11 and the holding pad 23 are provided inside the sticking chamber 25, and the resin supply means 22 is provided so as to be movable between the inside and the outside of the sticking chamber 25.

定盤21は、支持部材11が載置される水平上面21aを有している。定盤21は、UVを透過させるために、石英ガラス等の透明又は半透明な硬質材料により形成されている。   The surface plate 21 has a horizontal upper surface 21a on which the support member 11 is placed. The surface plate 21 is formed of a transparent or translucent hard material such as quartz glass in order to transmit UV.

樹脂供給手段22は、アーム部31の先端に樹脂滴下部32が配設されて構成され、アーム部31の旋回動又は水平移動により、樹脂滴下部32を、定盤21に保持された支持部材11の中央部の上方(作用位置)と、定盤21の上方から退避した位置(非作用位置)とに選択的に位置付けることができる。   The resin supply means 22 is configured by a resin dropping portion 32 being disposed at the tip of the arm portion 31, and the support member that holds the resin dropping portion 32 on the surface plate 21 by the pivoting or horizontal movement of the arm portion 31. 11 can be selectively positioned above the central portion (operation position) of 11 and a position retracted from above the surface plate 21 (non-operation position).

UV照射手段24は、定盤21の下方に設けられ、定盤21を透過して水平上面21aに載置された支持部材11の下方からUVを照射する。紫外光照射手段24としては、例えばキセノンフラッシュ型のUVランプを使用することができる。   The UV irradiation means 24 is provided below the surface plate 21, and irradiates UV from below the support member 11 that is transmitted through the surface plate 21 and placed on the horizontal upper surface 21a. As the ultraviolet light irradiation means 24, for example, a xenon flash type UV lamp can be used.

保持パッド23は、多孔質材料により形成され、図示しない吸引源に連通している。保持パッド23は、ステンレス等の金属によって構成される基台35に設置されている。保持パッド23及び基台35は、昇降動手段40によって昇降可能に支持されている。保持パッド23は、保持するウエーハWの形状に対応させた形状に形成され、ウエーハWが円形である場合は円盤形状に形成される。   The holding pad 23 is made of a porous material and communicates with a suction source (not shown). The holding pad 23 is installed on a base 35 made of a metal such as stainless steel. The holding pad 23 and the base 35 are supported by the lifting / lowering means 40 so as to be lifted and lowered. The holding pad 23 is formed in a shape corresponding to the shape of the wafer W to be held, and is formed in a disk shape when the wafer W is circular.

昇降動手段40は、鉛直方向に起立する複数のガイドロッド41と、上方から鉛直方向に垂下する昇降ロッド42と、ガイドロッド41に対して摺動可能であるとともに上部が昇降ロッド42の下端に固定され下部が基台35を保持する基台保持部43と、昇降ロッド42を昇降させるモータ44とを備えている。昇降動手段40は、モータ44によって駆動されて昇降ロッド42が昇降するのに伴い、基台保持部43がガイドロッド41に案内されて昇降し、基台保持部43とともに保持パッド23及び基台35が昇降するように構成されている。また、昇降動手段40には、昇降ロッド42の鉛直方向位置の認識を介して保持パッド23の鉛直方向位置を検出する昇降位置検出手段であるエンコーダ45を備え、エンコーダ45によって認識された昇降位置情報は、制御手段46において認識され、認識した情報に基づいて制御手段46がモータ44を制御し、保持パッド23の昇降位置を制御することができる。   The elevating and lowering means 40 includes a plurality of guide rods 41 standing in the vertical direction, an elevating rod 42 depending on the vertical direction from above, and is slidable with respect to the guide rod 41 and has an upper portion at the lower end of the elevating rod 42. A base holding portion 43 that is fixed and holds the base 35 is provided at the lower portion, and a motor 44 that raises and lowers the lifting rod 42. The raising / lowering means 40 is driven by the motor 44 to raise and lower the raising / lowering rod 42, so that the base holder 43 is guided by the guide rod 41, and the holding pad 23 and the base together with the base holder 43. 35 is configured to move up and down. Further, the lifting / lowering means 40 includes an encoder 45 which is a lifting / lowering position detecting means for detecting the vertical position of the holding pad 23 through recognition of the vertical position of the lifting / lowering rod 42, and the lifting position recognized by the encoder 45. The information is recognized by the control means 46, and the control means 46 can control the motor 44 based on the recognized information, and can control the elevation position of the holding pad 23.

昇降ロッド42の下端には、圧力検出手段47が連結されている。圧力検出手段47は、保持パッド23にかかる圧力を検出する荷重検出器であり、制御手段46は、圧力値に基づき保持パッド23の昇降を制御することができる。   A pressure detection means 47 is connected to the lower end of the lifting rod 42. The pressure detection means 47 is a load detector that detects the pressure applied to the holding pad 23, and the control means 46 can control the raising and lowering of the holding pad 23 based on the pressure value.

貼着装置20は、貼着室25の内外を移動可能に配設された液体滴下手段50を有している。液体滴下手段50は、定盤21の水平上面21a上に液体を供給する機能を有し、アーム部51の先端に滴下ヘッド52が配設されて構成されている。アーム部51の旋回動又は水平移動により、液体滴下手段50は、滴下ヘッド52が定盤21の水平上面21aの中央部上方に位置して液体を滴下する位置(作用位置)と、滴下ヘッド52が定盤21の上方から退避した位置(非作用位置)とに位置させることができる。   The sticking device 20 has a liquid dripping means 50 that is movably arranged inside and outside the sticking chamber 25. The liquid dripping means 50 has a function of supplying a liquid onto the horizontal upper surface 21 a of the surface plate 21, and is configured with a dripping head 52 disposed at the tip of the arm portion 51. By the pivoting or horizontal movement of the arm portion 51, the liquid dropping means 50 causes the dropping head 52 to be positioned above the central portion of the horizontal upper surface 21 a of the surface plate 21 (dropping position) and the dropping head 52. Can be positioned at a position retracted from above the surface plate 21 (non-acting position).

貼着室25の側部には、支持部材11が貼着されるウエーハWの搬出入口となる開閉自在な開閉扉25aが設けられている。開閉扉25aが開いた状態を検知する開閉センサ25bが設けられ、開閉扉25aが開いた状態ではそのことを制御手段46が検知し、貼着室25の内部において支持部材11の貼着作業が行われないようにする。貼着室25は、UVカットガラスで覆われ、内部を視認できるとともに、紫外線が外部に漏れるのを抑制する構成となっている。   An openable / closable door 25a serving as a carry-in / out port for the wafer W to which the support member 11 is adhered is provided at the side of the adhesion chamber 25. An open / close sensor 25b is provided for detecting the open state of the open / close door 25a. When the open / close door 25a is open, the control means 46 detects this, and the attaching operation of the support member 11 is performed inside the attaching chamber 25. Avoid it. The sticking chamber 25 is covered with UV cut glass so that the inside can be visually recognized and ultraviolet rays are prevented from leaking to the outside.

次に、図5〜図22を参照して本実施形態に係る板状物の加工方法の各工程を説明する。まず、支持部材11を準備する(支持部材準備工程:ステップS11)。支持部材11は、上述の通り、UVを透過する物質で形成されている。支持部材11は、その中心部分に凹部14を有する(図1、2参照)。   Next, each process of the processing method of the plate-shaped object which concerns on this embodiment with reference to FIGS. 5-22 is demonstrated. First, the support member 11 is prepared (support member preparation process: step S11). As described above, the support member 11 is formed of a material that transmits UV. The support member 11 has a recess 14 at the center thereof (see FIGS. 1 and 2).

準備した支持部材11を定盤21の水平上面21a上に設置する。   The prepared support member 11 is installed on the horizontal upper surface 21 a of the surface plate 21.

ウエーハWを保持パッド23に接触させ、保持パッド23において負圧を作用させてウエーハWを吸引保持する。ウエーハWは保持パッド23の所定の位置に位置決めして保持する。   The wafer W is brought into contact with the holding pad 23, and a negative pressure is applied to the holding pad 23 to suck and hold the wafer W. The wafer W is positioned and held at a predetermined position of the holding pad 23.

準備された支持部材11の凹部14に紫外線硬化樹脂を塗布し、ウエーハWの表面W1を凹部14と対面させ、凹部14の中心にウエーハWの中心を位置づけて、ウエーハWを凹部14の紫外線硬化樹脂に埋没させてウエーハWの外周全周に渡って隙間15から紫外線硬化樹脂が隆起するまでウエーハWを押圧して載置する(板状物載置工程:ステップS12)。   An ultraviolet curable resin is applied to the prepared concave portion 14 of the support member 11 so that the surface W1 of the wafer W faces the concave portion 14, the center of the wafer W is positioned at the center of the concave portion 14, and the wafer W is cured by the ultraviolet rays of the concave portion 14. The wafer W is pressed and placed until it is buried in the resin and the ultraviolet curable resin rises from the gap 15 over the entire outer periphery of the wafer W (plate-like object placing step: step S12).

図7に示すように、樹脂供給手段22が、水平方向であって貼着室25に進入していく方向(X軸方向)に移動し、必要に応じてX軸方向と水平方向に直交するY軸方向にも移動する。そして、図8に示すように、樹脂滴下部32を支持部材11の中央部上方に位置させ、樹脂滴下部32から所定量の紫外線硬化樹脂55aを滴下する。図9に示すように、支持部材11の中央部の上に山状の塊の紫外線硬化樹脂55bが堆積される。なお、紫外線硬化性の樹脂55aの所定量は、所望厚みの樹脂層12がウエーハWの片面全面に渡って形成される量である。   As shown in FIG. 7, the resin supply means 22 moves in the horizontal direction (X-axis direction) entering the adhering chamber 25 and is orthogonal to the X-axis direction and the horizontal direction as necessary. It also moves in the Y-axis direction. Then, as shown in FIG. 8, the resin dropping portion 32 is positioned above the central portion of the support member 11, and a predetermined amount of the ultraviolet curable resin 55 a is dropped from the resin dropping portion 32. As illustrated in FIG. 9, a mountain-shaped lump of ultraviolet curable resin 55 b is deposited on the central portion of the support member 11. The predetermined amount of the ultraviolet curable resin 55a is an amount by which the resin layer 12 having a desired thickness is formed over the entire surface of one side of the wafer W.

次に、制御手段46が昇降動手段40の駆動を開始し、ウエーハWを吸引保持した保持パッド23を基台35とともに降下させていき、図10に示すように、ウエーハWの露出した面で紫外線硬化樹脂55bを押圧する。保持パッド23の位置は、昇降位置検出手段45によって検出されており、保持パッド23を所定位置まで下降させると、そのことが昇降位置検出手段45によって検出され、制御手段46が昇降動手段40の駆動を停止する。保持パッド23が所定位置まで下降することにより、紫外線硬化樹脂55bの上にウエーハWの表面W1側を押圧し、紫外線硬化樹脂55bはウエーハWの全面にわたって広がり、図11に示すように、端面Waの一部及び表面W1の全面に紫外線硬化樹脂55cが塗布される。一方、裏面W2には紫外線硬化樹脂55cが塗布されないようにして、裏面W2を上方に露出させる。また、昇降動手段40の駆動開始とともに圧力検出手段47による圧力の検出も開始する。保持パッド23の下降による紫外線硬化樹脂55bの押圧によって圧力値は上昇し、昇降動手段40の駆動停止による保持パッド23の下降停止後は徐々に圧力が低下する。そして、保持パッド23が停止した状態で圧力検出手段47における計測値がゼロになるまでその位置で待機させる。   Next, the control means 46 starts driving the raising / lowering means 40, and lowers the holding pad 23 that sucks and holds the wafer W together with the base 35. As shown in FIG. 10, on the surface where the wafer W is exposed. The ultraviolet curable resin 55b is pressed. The position of the holding pad 23 is detected by the raising / lowering position detecting means 45. When the holding pad 23 is lowered to a predetermined position, this is detected by the raising / lowering position detecting means 45, and the control means 46 Stop driving. When the holding pad 23 is lowered to a predetermined position, the surface W1 side of the wafer W is pressed onto the ultraviolet curable resin 55b, and the ultraviolet curable resin 55b spreads over the entire surface of the wafer W. As shown in FIG. UV curable resin 55c is applied to a part of the surface and the entire surface W1. On the other hand, the back surface W2 is exposed upward so that the ultraviolet curable resin 55c is not applied to the back surface W2. Moreover, the detection of the pressure by the pressure detection means 47 is started simultaneously with the start of the driving of the lifting and lowering means 40. The pressure value increases due to the pressing of the ultraviolet curable resin 55b due to the lowering of the holding pad 23, and the pressure gradually decreases after the lowering of the holding pad 23 due to the stop of driving of the lifting and lowering means 40. And it waits in the position until the measured value in the pressure detection means 47 becomes zero in the state which the holding pad 23 stopped.

板状物載置工程(ステップS12)を実行した後、紫外線硬化樹脂55cに支持部材11側から支持部材11を介してUVを照射して紫外線硬化樹脂55cを硬化させて形成される樹脂層12により支持部材11上にウエーハWを固定する(ステップS13:板状物固定工程)。   After executing the plate-like object placing step (step S12), the resin layer 12 formed by irradiating the ultraviolet curable resin 55c with UV from the support member 11 side through the support member 11 to cure the ultraviolet curable resin 55c. Thus, the wafer W is fixed on the support member 11 (step S13: plate-like object fixing step).

具体的には、圧力の計測値がゼロになると、図12に示すように、UV照射装置24をオンにして、支持部材11の下方に配置されたUV照射装置24から支持部材11側に向けてUVを照射する。UVは定盤21及び支持部材11を透過して紫外線硬化樹脂55cに照射される。これにより、ウエーハWと支持部材11との間に均一な厚さで応力が均一化された樹脂層12が形成される。UVの照射を受けた紫外線硬化樹脂55cが硬化することで、ウエーハWは樹脂層12を介して支持部材11に強固に固定され、支持された状態となる。   Specifically, when the measured pressure value becomes zero, as shown in FIG. 12, the UV irradiation device 24 is turned on, and the UV irradiation device 24 disposed below the support member 11 is directed toward the support member 11. UV irradiation. UV passes through the surface plate 21 and the support member 11 and is irradiated to the ultraviolet curable resin 55c. As a result, a resin layer 12 having a uniform thickness and a uniform thickness is formed between the wafer W and the support member 11. When the ultraviolet curable resin 55c that has been irradiated with UV is cured, the wafer W is firmly fixed to and supported by the support member 11 via the resin layer 12.

なお、本実施形態においては、紫外線硬化樹脂55cに支持部材11側から支持部材11を介してUVを照射するようにしているが、これに限定されるものではなく、ウエーハWがUVの透過性が高い材料で形成されている場合には、紫外線硬化樹脂55cにウエーハW側からウエーハWを介してUVを照射するようにしてもよい。   In this embodiment, the UV curable resin 55c is irradiated with UV from the support member 11 side through the support member 11. However, the present invention is not limited to this, and the wafer W is UV transmissive. In the case where it is made of a high material, the UV curable resin 55c may be irradiated with UV from the wafer W side through the wafer W.

板状物固定工程(ステップS13)を実行した後、支持部材11側を保持テーブルで保持してウエーハWの裏面W2を研削し所定厚みに薄化する(ステップS14:薄化工程)。すなわち、ウエーハWは支持部材11に支持された状態で、ウエーハWの裏面W2の研削を行う。ウエーハWの研削には、従来から一般に用いられている研削装置を用いて行われる。次に、研削装置の一例を説明する。   After executing the plate-like object fixing step (step S13), the support member 11 side is held by the holding table, and the back surface W2 of the wafer W is ground and thinned to a predetermined thickness (step S14: thinning step). That is, the wafer W is ground on the back surface W2 of the wafer W while being supported by the support member 11. The grinding of the wafer W is performed using a grinding apparatus that has been conventionally used. Next, an example of a grinding apparatus will be described.

研削装置60の構成の一例を示す斜視図を図13に示す。図13に示すように、研削装置60は、装置ハウジング61を具備している。装置ハウジング61は、細長く延在する直方体形状の主部62と、該主部62の後端部(図13において右上端)に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁63とを有している。直立壁63の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール64が設けられている。この一対の案内レール64に研削手段としての研削ユニット65が上下方向に移動可能に装着されている。   A perspective view showing an example of the configuration of the grinding device 60 is shown in FIG. As shown in FIG. 13, the grinding device 60 includes a device housing 61. The apparatus housing 61 has a rectangular parallelepiped main portion 62 that extends elongated and an upright wall 63 that is provided at a rear end portion (upper right end in FIG. 13) of the main portion 62 and extends substantially vertically upward. Yes. A pair of guide rails 64 extending in the vertical direction is provided on the front surface of the upright wall 63. A grinding unit 65 as a grinding means is mounted on the pair of guide rails 64 so as to be movable in the vertical direction.

研削ユニット65は、移動基台67と該移動基台67に装着されたスピンドルユニット68を具備している。移動基台67は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部69が設けられており、この一対の脚部69に上記一対の案内レール64と摺動可能に係合する被案内溝70が形成されている。このように直立壁63に設けられた一対の案内レール64に摺動可能に装着された移動基台67の前面には前方に突出した支持部72が設けられている。この支持部72にスピンドルユニット68が取り付けられる。   The grinding unit 65 includes a moving base 67 and a spindle unit 68 attached to the moving base 67. The movable base 67 is provided with a pair of leg portions 69 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface, and a guided groove 70 is slidably engaged with the pair of guide rails 64 on the pair of leg portions 69. Is formed. Thus, a support portion 72 protruding forward is provided on the front surface of the movable base 67 slidably mounted on the pair of guide rails 64 provided on the upright wall 63. A spindle unit 68 is attached to the support portion 72.

スピンドルユニット68は、支持部72に装着されたスピンドルハウジング73と、スピンドルハウジング73に回転自在に配設された回転スピンドル74とを具備している。スピンドルユニット68を構成するスピンドルハウジング73は略円筒状に形成され、軸方向に貫通する軸穴を備えている。スピンドルハウジング73に形成された軸穴に挿通して配設される回転スピンドル74は、その中央部には径方向に突出して形成されたスラスト軸受フランジが設けられており、軸穴の内壁との間に供給される高圧エアーによって回転自在に支持される。スピンドルハウジング73に回転可能に支持された回転スピンドル74は、一端部(図13中、下端部)がスピンドルハウジング73の下端から突出して設けられており、その一端(図13中、下端)にホイールマウント75が設けられている。そして、このホイールマウント75の下面に研削ホイール76が取り付けられる。ホイールマウント75に設けた複数のボルト挿通孔に複数の締結ボルト77を挿通して、ボルト挿通孔に対応して設けられている研削ホイール76のネジ穴に各々螺着することにより、ホイールマウント75と研削ホイール76とは着脱可能に装着されている。また、この研削ホイール76の下面に複数の研削砥石78が設けられている。   The spindle unit 68 includes a spindle housing 73 attached to the support portion 72 and a rotating spindle 74 that is rotatably disposed on the spindle housing 73. The spindle housing 73 constituting the spindle unit 68 is formed in a substantially cylindrical shape, and includes a shaft hole penetrating in the axial direction. A rotary spindle 74 that is inserted through a shaft hole formed in the spindle housing 73 is provided with a thrust bearing flange that is formed to project in the radial direction at the center thereof. It is rotatably supported by high-pressure air supplied between them. A rotating spindle 74 rotatably supported by the spindle housing 73 has one end portion (lower end portion in FIG. 13) protruding from the lower end of the spindle housing 73, and a wheel at one end (lower end portion in FIG. 13). A mount 75 is provided. A grinding wheel 76 is attached to the lower surface of the wheel mount 75. A plurality of fastening bolts 77 are inserted into a plurality of bolt insertion holes provided in the wheel mount 75 and are respectively screwed into screw holes of a grinding wheel 76 provided corresponding to the bolt insertion holes. The grinding wheel 76 is detachably mounted. A plurality of grinding wheels 78 are provided on the lower surface of the grinding wheel 76.

研削装置60は、研削ユニット65を上記一対の案内レール64に沿って上下方向(チャックテーブルの保持面に対して垂直な方向)に移動せしめる研削ユニット送り機構80を備えている。この研削ユニット送り機構80は、直立壁63の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ネジロッド81を具備している。この雄ネジロッド81は、その上端部及び下端部が直立壁63に取り付けられた軸受部材82、83によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材82には雄ネジロッド81を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ84が配設されており、このパルスモータ84の出力軸が雄ネジロッド81に伝動連結されている。移動基台67の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)が形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ネジ穴(図示していない)が形成されており、この雌ネジ穴に上記雄ネジロッド81が螺合せしめられている。よって、パルスモータ84が正転すると移動基台67、即ち研削ユニット65が下降、即ち前進せしめられ、パルスモータ84が逆転すると移動基台67、即ち研削ユニット65が上昇、即ち後退せしめられる。   The grinding device 60 includes a grinding unit feed mechanism 80 that moves the grinding unit 65 in the vertical direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table) along the pair of guide rails 64. The grinding unit feed mechanism 80 includes a male screw rod 81 disposed on the front side of the upright wall 63 and extending substantially vertically. The male screw rod 81 is rotatably supported at its upper end and lower end by bearing members 82 and 83 attached to the upright wall 63. The upper bearing member 82 is provided with a pulse motor 84 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 81, and an output shaft of the pulse motor 84 is connected to the male screw rod 81 by transmission. A connecting portion (not shown) that protrudes rearward from the center portion in the width direction is formed on the rear surface of the movable base 67, and a through female screw hole (not shown) extending in the vertical direction is formed in this connecting portion. ) And the male screw rod 81 is screwed into the female screw hole. Therefore, when the pulse motor 84 is rotated forward, the moving base 67, that is, the grinding unit 65 is lowered, that is, moved forward, and when the pulse motor 84 is reversed, the moving base 67, that is, the grinding unit 65 is raised, that is, moved backward.

装置ハウジング61の主部62にはチャックテーブル機構85が配設されている。チャックテーブル機構85は、保持テーブル(チャックテーブル)86と、該チャックテーブル86の周囲を覆うカバー部材87と、該カバー部材87の前後に配設された蛇腹手段88a、88bとを備えている。チャックテーブル86は、図示しない回転駆動手段によって回転せしめられるようになっており、その上面にウエーハWを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するように構成されている。また、チャックテーブル86は、図示しないチャックテーブル移動手段によって被加工物載置域89とスピンドルユニット68を構成する研削ホイール76と対向する研削域Aとの間で移動せしめられる。蛇腹手段88a、88bはキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段88aの前端は主部62の前面壁に固定され、後端はカバー部材87の前端面に固定されている。蛇腹手段88bの前端はカバー部材87の後端面に固定され、後端は装置ハウジング61の直立壁63の前面に固定されている。チャックテーブル86が矢印Xで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段88aが伸張されて蛇腹手段88bが収縮され、チャックテーブル86が矢印Yで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段88aが収縮されて蛇腹手段88bが伸張せしめられる。次に、研削装置60を用いたウエーハWの薄化方法について説明する。   A chuck table mechanism 85 is disposed in the main portion 62 of the apparatus housing 61. The chuck table mechanism 85 includes a holding table (chuck table) 86, a cover member 87 that covers the periphery of the chuck table 86, and bellows means 88 a and 88 b disposed before and after the cover member 87. The chuck table 86 is configured to be rotated by a rotation driving unit (not shown), and is configured to suck and hold the wafer W on its upper surface by operating a suction unit (not shown). Further, the chuck table 86 is moved between a workpiece placing area 89 and a grinding area A facing the grinding wheel 76 constituting the spindle unit 68 by a chuck table moving means (not shown). The bellows means 88a, 88b can be formed of an appropriate material such as a campus cloth. The front end of the bellows means 88 a is fixed to the front wall of the main portion 62, and the rear end is fixed to the front end surface of the cover member 87. The front end of the bellows means 88 b is fixed to the rear end surface of the cover member 87, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 63 of the device housing 61. When the chuck table 86 is moved in the direction indicated by the arrow X, the bellows means 88a is expanded and the bellows means 88b is contracted, and when the chuck table 86 is moved in the direction indicated by the arrow Y, the bellows means 88a is By being contracted, the bellows means 88b is extended. Next, a method for thinning the wafer W using the grinding device 60 will be described.

図14に示すように、チャックテーブル86をA方向に回転させながら、B方向に回転する研削砥石78の回転軌道の最外周がウエーハWの中心を通るように研削砥石78とウエーハWの裏面W2とを接触させることにより、裏面W2を一様に研削する。そして、ウエーハWが所定厚みに薄化(例えば、30μm〜80μm)されたところで、図15に示すように、研削ユニット65を上昇させて研削を終了する。このようにすることで、所定厚さに薄化されたウエーハW’が得られる。   As shown in FIG. 14, while rotating the chuck table 86 in the A direction, the grinding wheel 78 and the back surface W2 of the wafer W so that the outermost circumference of the rotation track of the grinding wheel 78 rotating in the B direction passes through the center of the wafer W. Are brought into contact with each other to uniformly grind the back surface W2. Then, when the wafer W is thinned to a predetermined thickness (for example, 30 μm to 80 μm), the grinding unit 65 is raised as shown in FIG. 15 to finish the grinding. By doing in this way, wafer W 'thinned to the predetermined thickness is obtained.

この薄化工程(ステップS14)において、ウエーハW’の外周全周に渡り形成された端面Waは、硬化した樹脂層12によって支持部材11に貼着され、樹脂層12によって外周側及び端面Waの上方側から押さえつけられるように保持される。このようにウエーハW’が保持された状態でウエーハW’の研削を行うことにより、端面WaがなければウエーハW’に反りが発生してしまうほど薄化した場合でも、樹脂層12からウエーハW’の外周が剥離することがないため、ウエーハW’の割れや欠け(クラック)が発生するのを抑制することができる。   In this thinning step (step S14), the end surface Wa formed over the entire outer periphery of the wafer W ′ is adhered to the support member 11 by the cured resin layer 12, and the outer peripheral side and the end surface Wa of the end surface Wa are bonded by the resin layer 12. It is held so as to be pressed from above. By grinding the wafer W ′ while the wafer W ′ is held in this manner, even if the wafer W ′ is thin enough to warp without the end face Wa, the wafer W is removed from the resin layer 12. Since the outer periphery of 'does not peel off, it is possible to suppress the occurrence of cracks or chips (cracks) in the wafer W'.

薄化工程(ステップS14)を実施した後、樹脂層12を加熱又は加水して軟化させウエーハW’から支持部材11及び樹脂層12を剥離する(ステップS15:除去工程)。   After performing the thinning step (step S14), the resin layer 12 is heated or hydrolyzed to be softened, and the support member 11 and the resin layer 12 are peeled from the wafer W '(step S15: removal step).

樹脂層12を加熱して軟化させる場合には、図16に示すように、ウエーハW’及び支持部材11の表裏を反転させてから、ウエーハW’の裏面W2を図6の貼着装置20の定盤21に設置する。   When the resin layer 12 is heated and softened, as shown in FIG. 16, the wafer W ′ and the support member 11 are turned upside down, and then the back surface W2 of the wafer W ′ is attached to the bonding device 20 of FIG. Install on the surface plate 21.

ウエーハW’を定盤21に吸引して保持した状態で支持部材11及び樹脂層12をウエーハW’の表面W1から剥離し、図17に示すように、支持部材11及び樹脂層12を完全に取り去ってウエーハW’の表面W1が露出した状態とする。支持部材11と樹脂層12とを剥離する場合には、樹脂層12と支持部材11との間に鋭利な剥離治具を差し込む等して、剥離を容易化することが望ましい。   The support member 11 and the resin layer 12 are peeled off from the surface W1 of the wafer W ′ while the wafer W ′ is sucked and held by the surface plate 21, and the support member 11 and the resin layer 12 are completely removed as shown in FIG. The surface W1 of the wafer W ′ is exposed and removed. When the support member 11 and the resin layer 12 are peeled off, it is desirable to facilitate peeling by inserting a sharp peeling jig between the resin layer 12 and the support member 11.

このようにして、ウエーハW’が形成される。このようにして形成されたウエーハW'は、樹脂層12によってしっかりと保持された状態で研削されたものであるため、割れや欠けのないものとなる。   In this way, the wafer W ′ is formed. The wafer W ′ formed in this way is ground without being cracked or chipped because it is ground while being firmly held by the resin layer 12.

次に、樹脂層12に加水して軟化させる方法を説明する。樹脂層12に加水して軟化させる場合には、図18に示すように、温水(例えば、温度が90℃)91を入れた水槽92を用意する。この水槽92の底部の中心位置には支持台93が設けられている。樹脂層12を軟化させる場合、ウエーハW’及び樹脂層12が付いている支持部材11を温水91に浸漬するとともに、支持台93の上にウエーハW’及び樹脂層12が付いている支持部材11を設置してウエーハW’が支持台93によって支持されるようにする。このようにすることで、樹脂層12は含水して膨潤し、樹脂層12の保持力は低下し、ウエーハW’から容易に剥離可能な状態となる。   Next, a method for adding the resin layer 12 to soften it will be described. When the resin layer 12 is hydrated and softened, as shown in FIG. 18, a water tank 92 containing warm water (for example, the temperature is 90 ° C.) 91 is prepared. A support base 93 is provided at the center position of the bottom of the water tank 92. When softening the resin layer 12, the support member 11 having the wafer W ′ and the resin layer 12 is immersed in the hot water 91 and the support member 11 having the wafer W ′ and the resin layer 12 on the support base 93. So that the wafer W ′ is supported by the support base 93. By doing so, the resin layer 12 hydrates and swells, the holding power of the resin layer 12 decreases, and the resin layer 12 can be easily peeled from the wafer W ′.

ウエーハW’及び樹脂層12が付いている支持部材11を温水91に所定時間(樹脂層12が膨潤して粘着力が低下するのに必要な時間)浸漬した後、ウエーハW’を温水91に浸漬させたままの状態で、図19に示すように、支持部材11及び樹脂層12をウエーハW’から剥離して温水91の外部に取り出す。温水91に浸漬したことによって樹脂層12の粘着力は低下しているため、ウエーハW’からの剥離を容易に行うことができる。   After immersing the support member 11 with the wafer W ′ and the resin layer 12 in the warm water 91 for a predetermined time (the time required for the resin layer 12 to swell and decrease the adhesive force), the wafer W ′ is immersed in the warm water 91. In the state of being immersed, as shown in FIG. 19, the support member 11 and the resin layer 12 are peeled off from the wafer W ′ and taken out of the hot water 91. Since the adhesive strength of the resin layer 12 is reduced by being immersed in the hot water 91, the peeling from the wafer W 'can be easily performed.

本実施形態においては、樹脂層12を加熱又は加水して軟化させ、ウエーハW’から支持部材11及び樹脂層12を剥離するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、樹脂層12を軟化させてウエーハW’から支持部材11及び樹脂層12を剥離するようにできる手段であれば用いることができる。   In the present embodiment, the resin layer 12 is heated or hydrolyzed to be softened, and the support member 11 and the resin layer 12 are peeled off from the wafer W ′. However, the present invention is not limited to this. For example, any means that can soften the resin layer 12 and peel the support member 11 and the resin layer 12 from the wafer W ′ can be used.

このように、本実施形態に係る板状物の加工方法によれば、支持部材11をフィルムで形成してもウエーハWは樹脂層12を介して支持部材11の凹部14に保持されているため、接地体積が広くなりウエーハWの反りが抑制できウエーハWの割れ及びクラックの発生を抑制することができる。更に、支持部材11はフィルムで形成されているため樹脂層12は熱又は加水等の外的刺激によって容易に軟化するため、ウエーハW’を破損させることなくウエーハW’から支持部材11及び樹脂層12を容易に除去することができる。   Thus, according to the processing method of the plate-shaped object which concerns on this embodiment, since the wafer W is hold | maintained at the recessed part 14 of the supporting member 11 via the resin layer 12, even if the supporting member 11 is formed with a film. Further, the grounding volume is increased, and the warpage of the wafer W can be suppressed, so that cracking of the wafer W and occurrence of cracks can be suppressed. Further, since the support member 11 is formed of a film, the resin layer 12 is easily softened by an external stimulus such as heat or water, so that the support member 11 and the resin layer are separated from the wafer W ′ without damaging the wafer W ′. 12 can be easily removed.

したがって、本実施形態に係る板状物の加工方法は、ウエーハWを、例えば厚さが10μm以上80μm以下に研削して所定厚みへ薄化する場合でもウエーハWの反りやウエーハWの割れ及びクラックの発生を抑制することができる。   Therefore, in the processing method of the plate-like object according to the present embodiment, even when the wafer W is ground to a predetermined thickness by grinding the wafer W to a thickness of 10 μm or more and 80 μm or less, for example, the wafer W is warped or the wafer W is cracked or cracked. Can be suppressed.

また、本実施形態に係る板状物の加工方法は、これに限定されるものではない。図20は、本実施形態に係る板状物の加工方法の他の一例を示すフローチャートである。図20に示すように、本実施形態に係る板状物の加工方法は、薄化工程(ステップS14)を実施した後、紫外線硬化樹脂の除去工程(ステップS15)を実施する前に、ウエーハW’側に粘着シートを貼着するとともに該粘着シートを介して環状フレームに装着する転写工程(ステップS21)を更に備える。   Moreover, the processing method of the plate-shaped object which concerns on this embodiment is not limited to this. FIG. 20 is a flowchart showing another example of the plate-like material processing method according to the present embodiment. As shown in FIG. 20, the plate-like material processing method according to the present embodiment is performed after the thinning process (step S14) and before the UV curable resin removal process (step S15). A transfer step (step S21) of attaching the adhesive sheet to the 'side and attaching the adhesive sheet to the annular frame via the adhesive sheet is further provided.

すなわち、図21に示すように、ウエーハW’及び支持部材11の表裏を反転させ、ウエーハW’の裏面W2側に粘着シート95を貼着するとともに粘着シート95を介して環状フレーム96に装着する(ステップS21:転写工程)。粘着シート95は、例えば厚さが90μm程度のポリ塩化ビニル、ポリオレフィンなどからなるシート基材と、シート基材の一方の面に厚さが10μm程度塗布された粘着層とを備えたものが用いられる。粘着シート95の粘着層にウエーハW’の裏面W2が貼着される。粘着シート95の粘着層の周縁部には、リング状に形成された金属製の環状フレーム96が貼着され、ウエーハW’は粘着シート95を介して環状フレーム96と一体となって支持された状態となる。   That is, as shown in FIG. 21, the front and back of the wafer W ′ and the support member 11 are reversed, and the adhesive sheet 95 is attached to the back surface W2 side of the wafer W ′ and attached to the annular frame 96 through the adhesive sheet 95. (Step S21: Transfer process). For example, the pressure-sensitive adhesive sheet 95 includes a sheet base material made of polyvinyl chloride or polyolefin having a thickness of about 90 μm, and a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 10 μm applied to one surface of the sheet base material. It is done. The back surface W <b> 2 of the wafer W ′ is attached to the adhesive layer of the adhesive sheet 95. A ring-shaped metal annular frame 96 is attached to the periphery of the adhesive layer of the adhesive sheet 95, and the wafer W ′ is supported integrally with the annular frame 96 via the adhesive sheet 95. It becomes a state.

ウエーハW’の裏面W2側を粘着シート95に貼着した後、上述のように、樹脂層12を加熱又は加水して軟化させ、ウエーハW’から支持部材11及び樹脂層12を剥離する(ステップS15:除去工程)。ウエーハW’から支持部材11及び樹脂層12を剥離する際には、図22に示すように、樹脂層12とウエーハW’との間に鋭利な剥離治具を差し込む等して、支持部材11及び樹脂層12を完全に取り去ってウエーハW’の表面W1が露出した状態とする。これによりウエーハW'が得られる。   After sticking the back surface W2 side of the wafer W ′ to the pressure-sensitive adhesive sheet 95, the resin layer 12 is softened by heating or adding water as described above, and the support member 11 and the resin layer 12 are peeled from the wafer W ′ (step). S15: Removal step). When the support member 11 and the resin layer 12 are peeled from the wafer W ′, as shown in FIG. 22, a sharp peeling jig is inserted between the resin layer 12 and the wafer W ′, etc. Then, the resin layer 12 is completely removed and the surface W1 of the wafer W ′ is exposed. Thereby, the wafer W ′ is obtained.

よって、粘着シート95にウエーハW'を貼着した場合でも、粘着シート95に貼着されたウエーハW’から支持部材11及び樹脂層12を容易に剥離することができ、ウエーハW’から支持部材11及び樹脂層12を剥離しても割れや欠けのないウエーハW’が容易に得られる。   Therefore, even when the wafer W ′ is attached to the adhesive sheet 95, the support member 11 and the resin layer 12 can be easily peeled from the wafer W ′ attached to the adhesive sheet 95, and the support member can be removed from the wafer W ′. Even if the 11 and the resin layer 12 are peeled off, a wafer W ′ free from cracks and chips can be easily obtained.

以下、本実施形態の支持構造を実施例により具体的に説明する。ただし、本実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the support structure of the present embodiment will be specifically described by way of examples. However, the present embodiment is not limited to these examples.

(実施例1〜5(Run No.1〜5):中央に凹部を有するPETフィルムを用いて固定)
直径が20.32cm、厚さが300μmで、凹部(直径:17.272cm、深さ:200μm)が施された支持部材であるPETフィルムに、固定剤として紫外線硬化型樹脂(「レジロック」、ディスコ社製)を使用した。まず、PETフィルムの凹部の中央に紫外線硬化型樹脂を塗布し、回路が形成される前のサファイアウエーハ(直径:15.24cm)を紫外線硬化型樹脂上に設置した後、サファイアウエーハを溶剤紫外線硬化型樹脂の樹脂厚さが120μmとなるように精密プレス機で加圧(100N)した。そして、PETフィルム側からUVを照射して溶剤紫外線硬化型樹脂を硬化させ、サファイアウエーハを接着剤によってPETフィルムに貼り付けた。そして、ビトリファイド砥石を用いてサファイアウエーハの露出面を仕上げ厚みが80μmとなるように研削した。その後、目視及び光学顕微鏡にて接着剤の剥がれ、サファイアウエーハの割れ、クラックの有無及びサファイアウエーハと接着剤との剥離の有無の観察を行った。この観察は、各サファイアウエーハについて5枚ずつを対象とした。各々の各観察結果を表1に示す。
(Examples 1 to 5 (Run Nos. 1 to 5): fixed using a PET film having a recess in the center)
A PET film, which is a support member having a diameter of 20.32 cm, a thickness of 300 μm, and a recess (diameter: 17.272 cm, depth: 200 μm), is coated with an ultraviolet curable resin (“Resilock”) as a fixing agent. Disco) was used. First, an ultraviolet curable resin is applied to the center of the concave portion of the PET film, and a sapphire wafer (diameter: 15.24 cm) before the circuit is formed is placed on the ultraviolet curable resin, and then the sapphire wafer is cured with a solvent. The mold resin was pressurized (100 N) with a precision press so that the resin thickness was 120 μm. Then, UV irradiation was applied from the PET film side to cure the solvent ultraviolet curable resin, and the sapphire wafer was attached to the PET film with an adhesive. Then, the exposed surface of the sapphire wafer was ground using a vitrified grindstone so that the finished thickness was 80 μm. Thereafter, the adhesive was peeled off by visual observation and an optical microscope, the sapphire wafer was cracked, the presence or absence of cracks, and the presence or absence of peeling between the sapphire wafer and the adhesive were observed. This observation was conducted on five sapphire wafers. Each observation result is shown in Table 1.

(比較例1〜5(Run No.6〜10):平滑な平面のPETフィルムを用いて固定)
実施例1において、支持部材として、凹部が形成されていない平滑な平面のPETフィルムを用いたこと以外は、実施例1と同様にして行った。接着剤の剥がれ、サファイアウエーハの割れ、クラックの有無及びサファイアウエーハと接着剤との剥離の有無の各観察結果を表1に示す。
(Comparative Examples 1 to 5 (Run Nos. 6 to 10): fixed using a smooth flat PET film)
In Example 1, it carried out like Example 1 except having used the smooth flat PET film in which the recessed part was not formed as a supporting member. Table 1 shows the results of observation of the peeling of the adhesive, the cracking of the sapphire wafer, the presence or absence of cracks, and the presence or absence of peeling between the sapphire wafer and the adhesive.

Figure 2013105858
Figure 2013105858

表1に示すように、比較例2(Run No.7)で、研削加工において、接着剤の剥がれが観察され、比較例1〜5(Run No.6〜10)の全てで、サファイアウエーハの割れ、クラックが発生したことが確認された。詳しくは、サファイアウエーハの外周部分に塗布された接着剤が剥がれ、その剥がれた部分からウエーハの割れ及びクラックが発生したことが確認された。これに対し、実施例1〜5(Run No.1〜5)では、研削加工において、接着剤の剥がれ、サファイアウエーハの割れ、クラック及びサファイアウエーハと接着剤との剥離は確認されず、いずれも優れていることが確認された。よって、サファイアウエーハと接着剤との剥離はないが、サファイアウエーハを研削加工する際にサファイアウエーハを固定するPETフィルムの表面の凹部の有無により、サファイアウエーハの割れ、クラックの発生への影響の違いが生じることが確認された。   As shown in Table 1, in Comparative Example 2 (Run No. 7), peeling of the adhesive was observed in the grinding process, and in all of Comparative Examples 1 to 5 (Run No. 6 to 10), the sapphire wafer It was confirmed that cracks and cracks occurred. Specifically, it was confirmed that the adhesive applied to the outer peripheral portion of the sapphire wafer was peeled off, and the wafer was cracked and cracked from the peeled portion. On the other hand, in Examples 1 to 5 (Run Nos. 1 to 5), in the grinding process, peeling of the adhesive, cracking of the sapphire wafer, cracks, and peeling of the sapphire wafer and the adhesive were not confirmed. It was confirmed to be excellent. Therefore, there is no peeling between the sapphire wafer and the adhesive, but the difference in the influence on the cracking of the sapphire wafer and the occurrence of cracks depending on the presence or absence of a recess on the surface of the PET film that fixes the sapphire wafer when grinding the sapphire wafer Was confirmed to occur.

以上の試験結果から明らかなように、サファイアウエーハを接着剤を介して支持部材として表面の中央部に凹部を有するPETフィルムに固定することで、サファイアウエーハを80μm以下と更に薄膜化した場合においてもファイアウエーハの割れ、クラックの発生を生じることなく、研削加工を安定して行うことができることが確認された。   As is clear from the above test results, even when the sapphire wafer is further thinned to 80 μm or less by fixing the sapphire wafer to a PET film having a concave portion at the center of the surface as a support member via an adhesive. It was confirmed that the grinding process could be performed stably without causing cracks and cracks in the fire wafer.

10 支持構造
11 支持部材
12 樹脂層
14 凹部
15 隙間
20 貼着装置
21 定盤
21a 水平上面
22 樹脂供給手段
23 保持パッド
24 紫外光照射手段(UV照射装置)
25 貼着室
25a 開閉扉
25b 開閉センサ
31 アーム部
32 樹脂滴下部
35 基台
40 昇降動手段
41 ガイドロッド
42 昇降ロッド
43 基台保持部
44 モータ
45 エンコーダ(昇降位置検出手段)
46 制御手段
47 圧力検出手段
50 液体滴下手段
51 アーム部
52 滴下ヘッド
55a〜55c 紫外線硬化樹脂
60 研削装置
61 装置ハウジング
62 主部
63 直立壁
64 案内レール
65 研削ユニット
67 移動基台
68 スピンドルユニット
69 脚部
70 被案内溝
72 支持部
73 スピンドルハウジング
74 回転スピンドル
75 ホイールマウント
76 研削ホイール
77 締結ボルト
78 研削砥石
80 研削ユニット送り機構
81 雄ネジロッド
82、83 軸受部材
84 パルスモータ
85 チャックテーブル機構
86 保持テーブル(チャックテーブル)
87 カバー部材
88a、88b 蛇腹手段
89 被加工物載置域
91 温水
92 水槽
93 支持台
95 粘着シート
96 環状フレーム
A 研削域
W、W' ウエーハ
W1 表面
W2 裏面
Wa 端面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Support structure 11 Support member 12 Resin layer 14 Recess 15 Clearance 20 Adhering device 21 Surface plate 21a Horizontal upper surface 22 Resin supply means 23 Holding pad 24 Ultraviolet light irradiation means (UV irradiation apparatus)
Reference Signs List 25 Adhering chamber 25a Open / close door 25b Open / close sensor 31 Arm part 32 Resin dripping part 35 Base 40 Lifting means 41 Guide rod 42 Lifting rod 43 Base holder 44 Motor 45 Encoder (lifting position detection means)
46 Control means 47 Pressure detection means 50 Liquid dropping means 51 Arm part 52 Dropping head 55a to 55c UV curable resin 60 Grinding device 61 Equipment housing 62 Main part 63 Upright wall 64 Guide rail 65 Grinding unit 67 Moving base 68 Spindle unit 69 Leg Part 70 Guided groove 72 Support part 73 Spindle housing 74 Rotating spindle 75 Wheel mount 76 Grinding wheel 77 Fastening bolt 78 Grinding wheel 80 Grinding unit feed mechanism 81 Male thread rod 82 and 83 Bearing member 84 Pulse motor 85 Chuck table mechanism 86 Holding table ( Chuck table)
87 Cover members 88a, 88b Bellows means 89 Workpiece placement area 91 Hot water 92 Water tank 93 Support base 95 Adhesive sheet 96 Annular frame A Grinding area W, W 'Wafer W1 Surface W2 Back surface Wa End face

Claims (4)

板状物の一方の面を樹脂を介して保持するための支持部材であって、
該板状物の外径よりも大きい外径で且つ中央に凹部を有するフィルムで形成されており、
該凹部は、該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけた際に該板状物の外縁と隙間を有する内径で形成され、
該隙間は、該支持部材の該凹部に樹脂を塗布し該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけて載置して押圧した際に、該凹部の該樹脂に該板状物の一部が埋没し該板状物の外周全周に渡って該樹脂が隆起するように設定されていることを特徴とする支持部材。
A support member for holding one surface of the plate-like material via a resin,
It is formed of a film having an outer diameter larger than the outer diameter of the plate-like object and having a recess in the center,
The recess is formed with an inner diameter having a gap with an outer edge of the plate-like object when the center of the plate-like object is positioned at the center of the recess,
The gap is formed by applying a resin to the recess of the support member, placing the center of the plate-like material at the center of the recess and placing and pressing the resin on the resin in the recess. The support member is characterized in that the resin is set so that the portion is buried and the resin protrudes over the entire outer periphery of the plate-like object.
板状物の一方の面を樹脂を介して保持するための支持構造であって、
該板状物の外径よりも大きい外径で且つ中央に凹部を有するフィルムで形成されており、
該凹部は、該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけた際に該板状物の外縁と隙間を有する内径で形成され、
該隙間は、該支持部材の該凹部に樹脂を塗布し該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけて載置して押圧した際に、該凹部の該樹脂に該板状物の一部が埋没し該板状物の外周全周に渡って該樹脂が隆起するように設定されている支持部材と、
該凹部に設けられ、前記樹脂を硬化させて形成される樹脂層と、
該凹部の該樹脂層の表面に設けられる板状物と、
を有し、
該板状物の一部は該凹部内の該樹脂層に埋没し、
該樹脂層は該板状物の外周全周に渡って該隙間から隆起して形成されてなることを特徴とする支持構造。
A support structure for holding one surface of a plate-like material via a resin,
It is formed of a film having an outer diameter larger than the outer diameter of the plate-like object and having a recess in the center,
The recess is formed with an inner diameter having a gap with an outer edge of the plate-like object when the center of the plate-like object is positioned at the center of the recess,
The gap is formed by applying a resin to the recess of the support member, placing the center of the plate-like material at the center of the recess and placing and pressing the resin on the resin in the recess. A support member that is set so that the resin bulges and the resin bulges over the entire outer periphery of the plate-like object,
A resin layer provided in the recess and formed by curing the resin;
A plate-like object provided on the surface of the resin layer of the recess;
Have
A part of the plate is buried in the resin layer in the recess,
The support structure, wherein the resin layer is formed to protrude from the gap over the entire outer periphery of the plate-like object.
支持部材上に配設された板状物の裏面を研削して所定厚みへ薄化する板状物の加工方法であって、
該支持部材と該板状物との少なくとも一方が紫外線を透過する物質からなり、請求項1に記載された支持部材を準備する支持部材準備工程と、
準備された該支持部材の該凹部に紫外線硬化樹脂を塗布し、該板状物の表面を該紫外線硬化樹脂と対面させ、該凹部の中心に該板状物の中心を位置づけて、該板状物を該凹部の該紫外線硬化樹脂に埋没させて該板状物の外周全周に渡って該隙間から該紫外線硬化樹脂が隆起するまで前記板状物を押圧して載置する板状物載置工程と、
該板状物載置工程を実施した後、該紫外線硬化樹脂に該支持部材又は板状物を介して紫外線を照射して該紫外線硬化樹脂を硬化させて該支持部材上に板状物を固定する板状物固定工程と、
該板状物固定工程を実施した後、該支持部材側を保持テーブルで保持して板状物の裏面を研削し該所定厚みに薄化する薄化工程と、
該薄化工程を実施した後、該紫外線硬化樹脂を加熱又は加水して軟化させ、該板状物から該支持部材及び紫外線硬化樹脂を剥離する除去工程と、
を備えることを特徴とする板状物の加工方法。
A processing method for a plate-like object, in which the back surface of the plate-like object disposed on the support member is ground and thinned to a predetermined thickness,
A support member preparing step for preparing the support member according to claim 1, wherein at least one of the support member and the plate-like material is made of a substance that transmits ultraviolet rays;
An ultraviolet curable resin is applied to the concave portion of the prepared support member, the surface of the plate-like material is opposed to the ultraviolet curable resin, and the center of the plate-like material is positioned at the center of the concave portion. A plate-like object mounting in which an object is buried in the ultraviolet curable resin in the recess and the plate-like object is pressed and placed over the entire outer periphery of the plate-like object until the ultraviolet curable resin rises from the gap. Placing process;
After carrying out the plate-like object placing step, the ultraviolet curable resin is irradiated with ultraviolet rays through the support member or the plate-like material to cure the ultraviolet curable resin, and the plate-like material is fixed on the support member. A plate-shaped object fixing step,
After carrying out the plate-like object fixing step, a thinning step of holding the support member side with a holding table and grinding the back surface of the plate-like object to thin the predetermined thickness;
After carrying out the thinning step, the ultraviolet curable resin is heated or hydrolyzed and softened, and the removing step of peeling the support member and the ultraviolet curable resin from the plate-like material,
A method for processing a plate-like object comprising:
前記薄化工程を実施した後、前記除去工程を実施する前に、前記板状物側に粘着シートを貼着するとともに該粘着シートを介して環状フレームに装着する転写工程を更に備える請求項3に記載の板状物の加工方法。   The transfer process of attaching the pressure sensitive adhesive sheet to the plate-like object side and attaching it to the annular frame via the pressure sensitive adhesive sheet after performing the thinning process and before performing the removing process. The processing method of the plate-shaped object of description.
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