JP2013098478A - Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium - Google Patents

Substrate processing system, substrate transfer method, program, and computer storage medium Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce loads of substrate transfer in a substrate processing system which includes a function for cleaning a rear surface of a substrate before exposure.SOLUTION: An interface station 5 of an application and development processing system includes: a wafer cleaning part 141 which cleans at least a rear surface of a wafer before the wafer is carried into an exposure device; a wafer inspection part 142 inspecting the rear surface of the wafer after the cleaning to determine whether or not exposure can be performed thereon before the wafer is carried into the exposure device; and transfer means 143 transferring a wafer W between the wafer cleaning part 141 and the wafer inspection part 142. The wafer cleaning part 141, the wafer inspection part 142, and the transfer means 143 are provided in a housing 140.

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理システム、基板処理システムにおける基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate processing system for processing a substrate, a substrate processing method in the substrate processing system, a program, and a computer storage medium.

例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理ユニットやウェハを搬送する搬送ユニットなどを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。   For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process for coating a resist solution on a wafer to form a resist film, an exposure process for exposing the resist film to a predetermined pattern, and developing the exposed resist film A series of processing such as development processing is sequentially performed, and a predetermined resist pattern is formed on the wafer. A series of these processes is performed by a coating and developing system that is a substrate processing system on which various processing units for processing a wafer, a transfer unit for transferring a wafer, and the like are mounted.

例えば図17に示すように塗布現像処理システム300は、従来、外部からカセットCを搬入出するためのカセットステーション301と、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理ユニットが正面と背面に設けられた処理ステーション302と、塗布現像処理システム300の外部に設けられた露光装置Aと処理ステーション302との間でウェハの受け渡しを行うインターフェイスステーション303を一体に備えている。   For example, as shown in FIG. 17, a coating and developing processing system 300 conventionally includes a cassette station 301 for loading and unloading the cassette C from the outside, and a plurality of processing units for performing various processing such as resist coating processing, development processing, and heat treatment. A processing station 302 provided on the front surface and the back surface, and an interface station 303 that transfers wafers between the exposure apparatus A and the processing station 302 provided outside the coating and developing processing system 300 are integrally provided.

ところで近年、ウェハ上に形成される回路パターンの微細化がますます進行し、露光処理時のデフォーカスマージンがより厳しくなっている。それに伴い、露光装置Aにはパーティクルを極力持ち込まないことが求められる。特に、ウェハ裏面のパーティクルが問題となってきている。そのため、露光装置Aに隣接するインターフェイスステーション303には、露光装置Aへのパーティクルの持ち込みを極力少なくするために、露光装置Aに搬送される前のウェハの裏面を洗浄してパーティクルを除去するウェハ洗浄ユニット310や、洗浄後のウェハを検査するウェハ検査ユニット311が設けられている。また、インターフェイスステーション303には、各ユニット310、311の間でウェハを受け渡すための受け渡しユニット312、これら各ユニット310、311、312の間でウェハを搬送するウェハ搬送装置313などが設けられている(特許文献1)。   Incidentally, in recent years, circuit patterns formed on a wafer have been increasingly miniaturized, and the defocus margin during exposure processing has become more severe. Accordingly, it is required that the exposure apparatus A does not bring particles as much as possible. In particular, particles on the backside of the wafer have become a problem. For this reason, in the interface station 303 adjacent to the exposure apparatus A, a wafer from which particles are removed by cleaning the back surface of the wafer before being transferred to the exposure apparatus A in order to minimize the amount of particles brought into the exposure apparatus A. A cleaning unit 310 and a wafer inspection unit 311 for inspecting the cleaned wafer are provided. The interface station 303 is provided with a delivery unit 312 for delivering a wafer between the units 310 and 311, a wafer transfer device 313 for transferring the wafer between the units 310, 311, and 312. (Patent Document 1).

特開2008−135583号公報JP 2008-135583 A

ところが、上述の塗布現像処理システム300のように、インターフェイスステーション303にウェハ洗浄ユニット310やウェハ検査ユニット311といった複数のユニットが設けられる場合、各ユニット間でのウェハの受け渡しが必要となるため、ウェハの搬送回数の増加が避けられない。   However, when a plurality of units such as the wafer cleaning unit 310 and the wafer inspection unit 311 are provided in the interface station 303 as in the above-described coating and developing processing system 300, it is necessary to transfer wafers between the units. An increase in the number of conveyances is inevitable.

その結果、ウェハ搬送装置の制御が複雑なものとなり、また、ウェハ搬送装置により搬送されるウェハの移動距離も長くなるので、ウェハ搬送装置の負荷も高くなってしまう。   As a result, the control of the wafer transfer apparatus becomes complicated, and the moving distance of the wafer transferred by the wafer transfer apparatus becomes longer, so that the load on the wafer transfer apparatus becomes higher.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板の裏面の清浄性を保ちつつ基板搬送の負荷を低減させることを目的としている。   The present invention has been made in view of the above points, and in a substrate processing system having a function of cleaning the back surface of a substrate before exposure, reducing the load of transporting the substrate while maintaining the cleanliness of the back surface of the substrate. It is an object.

前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムであって、前記インターフェイスステーションは、基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する基板洗浄部と、少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する基板検査部と、を有し、前記基板洗浄部と前記基板検査部は、同一の筐体の内部に配置され、前記筐体の内部には、前記基板洗浄部と前記基板検査部との間で基板を搬送する搬送手段が設けられていることを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention provides a processing station provided with a plurality of processing units for processing a substrate, and an interface station for transferring a substrate between the processing station and an exposure apparatus provided outside. The interface station includes a substrate cleaning unit that cleans at least the back surface of the substrate before carrying the substrate into the exposure apparatus, and at least the back surface of the substrate after the cleaning. A substrate inspection unit that inspects whether or not the substrate can be exposed before being carried into the exposure apparatus, and the substrate cleaning unit and the substrate inspection unit are disposed inside the same casing, Inside the body, a transfer means for transferring the substrate between the substrate cleaning unit and the substrate inspection unit is provided.

本発明によれば、基板の裏面を洗浄する基板洗浄部と、洗浄後の基板を検査する基板検査部が同一の筐体の内部に収容され、さらに、この基板洗浄部と基板検査部との間での基板搬送を、筐体の内部に設けられた搬送手段により行うことができる。このため、基板洗浄部と基板検査部との間で基板を搬送するにあたり、従来のように、例えば筐体の外部に設けられた搬送装置を用いる必要がなくなる。その結果、基板搬送の負荷を低減させることができる。   According to the present invention, the substrate cleaning unit for cleaning the back surface of the substrate and the substrate inspection unit for inspecting the cleaned substrate are accommodated in the same housing, and further, the substrate cleaning unit and the substrate inspection unit The board | substrate conveyance between can be performed by the conveyance means provided in the inside of a housing | casing. For this reason, when the substrate is transported between the substrate cleaning unit and the substrate inspection unit, it is not necessary to use a transport device provided outside the housing, for example, as in the past. As a result, the substrate transfer load can be reduced.

前記インターフェイスステーションには、前記基板洗浄部で洗浄した後の基板に付着した水分を除去する脱水ユニットが設けられてもよい。   The interface station may be provided with a dehydrating unit that removes moisture adhering to the substrate after being cleaned by the substrate cleaning unit.

前記基板検査部での検査の結果、基板の状態が、前記基板洗浄部での再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該基板を前記基板洗浄部に再度搬送するように、前記搬送手段を制御する基板搬送制御部を有していてもよい。   As a result of the inspection in the substrate inspection unit, if it is determined that the state of the substrate is ready to be exposed by re-cleaning in the substrate cleaning unit, the substrate is transferred to the substrate cleaning unit again. You may have the board | substrate conveyance control part which controls a conveyance means.

前記基板搬送制御部は、前記基板洗浄部に再度搬送されて洗浄された基板を再度基板検査部に搬送するように前記基板搬送機構を制御してもよい。   The substrate transport control unit may control the substrate transport mechanism so that the substrate transported and cleaned again by the substrate cleaning unit is transported to the substrate inspection unit again.

前記インターフェイスステーションには、前記基板検査部で検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の基板を所定の温度に調整する温度調整機構が設けられていてもよい。   The interface station may be provided with a temperature adjustment mechanism that adjusts the substrate after being inspected by the substrate inspection unit and before being carried into the exposure apparatus to a predetermined temperature.

前記温度調整機構は、前記筐体の内部に設けられていてもよい。   The temperature adjustment mechanism may be provided inside the housing.

前記インターフェイスステーションには、前記基板検査部で検査後の基板を一時的に待機させるバッファ待機部が設けられていてもよい。   The interface station may be provided with a buffer standby unit that temporarily waits for the substrate after inspection by the substrate inspection unit.

前記バッファ待機部は、前記筐体の内部に設けられていてもよい。   The buffer standby unit may be provided inside the housing.

前記バッファ待機部は、前記検査後の基板の検査結果が判明するまで当該検査後の基板を待機させてもよい。   The buffer standby unit may wait for the inspected substrate until the inspection result of the inspected substrate is found.

前記筐体の内部には、前記搬送手段を洗浄する搬送手段洗浄機構が設けられていてもよい。   A transport unit cleaning mechanism for cleaning the transport unit may be provided inside the casing.

前記搬送手段洗浄機構は、前記基板洗浄部が兼用していてもよい。   The substrate cleaning unit may also be used as the transport means cleaning mechanism.

別な観点による本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、前記インターフェイスステーションは、基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する基板洗浄部と、少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する基板検査部と、を有し、前記基板洗浄部と前記基板検査部は、同一の筐体の内部に配置され、前記基板洗浄部と前記基板検査部との間の基板の搬送を、前記筐体の内部に設けられた搬送手段により行うことを特徴としている。   According to another aspect, the present invention includes a processing station provided with a plurality of processing units for processing a substrate, and an interface station that transfers the substrate between the processing station and an exposure apparatus provided outside. A substrate transport method in the substrate processing system, wherein the interface station cleans at least the back surface of the substrate before carrying the substrate into the exposure apparatus, and at least the back surface of the substrate after cleaning, A substrate inspection unit that inspects whether or not the substrate can be exposed before being carried into the exposure apparatus, and the substrate cleaning unit and the substrate inspection unit are arranged in the same housing, The substrate is transferred between the substrate cleaning unit and the substrate inspection unit by a transfer unit provided in the housing. .

前記インターフェイスステーションには、基板に付着した水分を除去する脱水ユニットが設けられ、前記基板洗浄部で洗浄した後の基板は、前記脱水ユニットで脱水されてもよい。   The interface station may be provided with a dehydration unit that removes moisture adhering to the substrate, and the substrate after being cleaned by the substrate cleaning unit may be dehydrated by the dehydration unit.

前記基板検査部での検査の結果、基板の状態が、前記基板洗浄部での再洗浄により露光可能な状態になると判定された場合、当該基板を前記基板洗浄部に再度搬送して洗浄してもよい。   As a result of the inspection in the substrate inspection unit, when it is determined that the state of the substrate becomes ready for exposure by re-cleaning in the substrate cleaning unit, the substrate is again transported to the substrate cleaning unit and cleaned. Also good.

前記基板洗浄部に再度搬送されて洗浄された基板を、再度基板検査部に搬送してもよい。   The substrate transported and cleaned again by the substrate cleaning unit may be transported again to the substrate inspection unit.

前記基板検査部で検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の基板を所定の温度に調整してもよい。   The substrate after being inspected by the substrate inspection unit and before being carried into the exposure apparatus may be adjusted to a predetermined temperature.

前記基板の温度調整は、前記筐体の内部で行われてもよい。   The temperature adjustment of the substrate may be performed inside the housing.

前記基板検査部で検査後の基板を、前記インターフェイスステーションに設けられたバッファ待機部で一次的に待機させてもよい。   The substrate after being inspected by the substrate inspection unit may be temporarily waited by a buffer standby unit provided in the interface station.

前記バッファ待機部は、前記筐体の内部に設けられていてもよい。   The buffer standby unit may be provided inside the housing.

前記検査後の基板を、前記基板検査部での検査結果が判明するまで前記バッファ待機部にさせてもよい。   You may make the board | substrate after the said test | inspection use the said buffer standby | waiting part until the test result in the said board | substrate test | inspection part becomes clear.

前記筐体の内部には、前記搬送手段を洗浄する搬送手段洗浄機構が設けられていてもよい。   A transport unit cleaning mechanism for cleaning the transport unit may be provided inside the casing.

前記搬送手段洗浄機構は、前記基板洗浄部が兼用していてもよい。   The substrate cleaning unit may also be used as the transport means cleaning mechanism.

さらに別な観点による本発明によれば、前記基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that runs on a computer of a control device that controls the substrate processing system in order to cause the substrate processing system to execute the substrate transport method.

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させることができる。   According to the present invention, in a substrate processing system having a function of cleaning the back surface of a substrate before exposure, it is possible to reduce the load for transporting the substrate.

本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of the internal structure of the coating and developing treatment system concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの正面側の内部構成の概略を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline of the internal structure of the front side of the application | coating development system concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの背面側の内部構成の概略を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline of the internal structure by the side of the back surface of the application | coating development processing system concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるインターフェイスステーションの構成の概略を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline of a structure of the interface station concerning this Embodiment. 洗浄検査ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a washing | cleaning test | inspection unit. 洗浄検査ユニットのウェハ洗浄部近傍の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of the structure of the wafer cleaning part vicinity of a cleaning inspection unit. ウェハ洗浄部にウェハを受け渡す様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a wafer is delivered to a wafer cleaning part. ウェハ洗浄部にウェハが受け渡された状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state by which the wafer was delivered to the wafer cleaning part. ウェハ洗浄部内でウェハが水平方向に移動される様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a wafer is moved to a horizontal direction within a wafer cleaning part. ウェハ洗浄部内でウェハが水平方向に移動される様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that a wafer is moved to a horizontal direction within a wafer cleaning part. ウェハ洗浄部でウェハの周縁部が洗浄される様子を示した説明図である。It is explanatory drawing which showed a mode that the peripheral part of a wafer was wash | cleaned in a wafer cleaning part. 脱水ユニットの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a dehydration unit. 脱水ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a dehydration unit. 塗布現像処理装置で行われるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the main processes of the wafer process performed with a coating and developing treatment apparatus. 本実施の形態にかかる洗浄検査ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the washing | cleaning test | inspection unit concerning this Embodiment. 他の実施の形態にかかる洗浄検査ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the washing | cleaning test | inspection unit concerning other embodiment. 従来の塗布現像処理システムの構成の概略を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the outline of a structure of the conventional coating-development processing system.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム1の内部構成の概略を示す説明図である。図2及び図3は、各々塗布現像処理システム1の内部構成の概略を正面側及び背面側から示す説明図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of the internal configuration of a coating and developing treatment system 1 as a substrate processing system according to the present embodiment. 2 and 3 are explanatory views showing the outline of the internal configuration of the coating and developing treatment system 1 from the front side and the back side, respectively.

塗布現像処理システム1は、図1に示すように例えば外部との間で、複数枚のウェハWが収容されたカセットCが搬入出されるカセットステーション2と、フォトリソグラフィー処理の中でウェハWに所定の処理を施す処理ユニットを複数備えた処理ステーション3と、露光装置4との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。また、塗布現像処理システム1は、各種処理ユニットなどの制御を行う制御装置6を有している。   As shown in FIG. 1, the coating and developing processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 in which a cassette C containing a plurality of wafers W is carried in and out, and a predetermined number of wafers W in a photolithography process. The processing station 3 having a plurality of processing units for performing the above processing and the interface station 5 for transferring the wafer W between the exposure apparatus 4 are integrally connected. Further, the coating and developing treatment system 1 includes a control device 6 that controls various processing units.

カセットステーション2は、例えばカセット搬入出部10とウェハ搬送部11により構成されている。カセット搬入出部10は、例えば塗布現像処理システム1のY方向負方向(図1の左方向)側の端部に設けられている。カセット搬入出部10には、カセット載置台12が設けられている。カセット載置台12上には、カセット載置板13が例えば4つ設けられている。カセット載置板13は、水平方向のX方向(図1の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板13には、塗布現像処理システム1の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。   The cassette station 2 is composed of, for example, a cassette carry-in / out unit 10 and a wafer transfer unit 11. The cassette carry-in / out unit 10 is provided, for example, at the end of the coating and developing treatment system 1 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 1). The cassette loading / unloading unit 10 is provided with a cassette mounting table 12. For example, four cassette mounting plates 13 are provided on the cassette mounting table 12. The cassette mounting plates 13 are arranged in a row in the horizontal X direction (up and down direction in FIG. 1). The cassette C can be placed on these cassette placement plates 13 when the cassette C is carried in and out of the coating and developing treatment system 1.

ウェハ搬送部11には、図1に示すようにX方向に延びる搬送路20上を移動自在なウェハ搬送装置21が設けられている。ウェハ搬送装置21は、上下方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、各載置板13上のカセットCと、後述する処理ステーション3の第3のブロックG3の受け渡し装置との間でウェハWを搬送できる。   The wafer transfer unit 11 is provided with a wafer transfer device 21 that is movable on a transfer path 20 extending in the X direction as shown in FIG. The wafer transfer device 21 is also movable in the vertical direction and the vertical axis (θ direction), and is provided between a cassette C on each mounting plate 13 and a delivery device for a third block G3 of the processing station 3 to be described later. Wafers W can be transferred between them.

カセットステーション2に隣接する処理ステーション3には、各種ユニットを備えた複数、例えば4つのブロックG1、G2、G3、G4が設けられている。処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、第1のブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、第2のブロックG2が設けられている。また、処理ステーション3のカセットステーション2側(図1のY方向負方向側)には、第3のブロックG3が設けられ、処理ステーション3のインターフェイスステーション5側(図1のY方向正方向側)には、第4のブロックG4が設けられている。   A processing station 3 adjacent to the cassette station 2 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various units. A first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1), and on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1), the second block G1 is provided. A block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 2 side (Y direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 3, and the processing station 3 interface station 5 side (Y direction positive direction side in FIG. 1). Is provided with a fourth block G4.

例えば第1のブロックG1には、図2に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハWのレジスト膜の下層に反射防止膜(以下「下部反射防止膜」という)を形成する下部反射防止膜形成ユニット30、ウェハWにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット31、ウェハWのレジスト膜の上層に反射防止膜(以下「上部反射防止膜」という)を形成する上部反射防止膜形成ユニット32、ウェハWを現像処理する現像処理ユニット33が、下から順に4段に重ねられている。   For example, in the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing units, for example, a lower antireflection film that forms an antireflection film (hereinafter referred to as a “lower antireflection film”) below the resist film of the wafer W. Forming unit 30, resist coating unit 31 for applying a resist solution to wafer W to form a resist film, and upper antireflection film for forming an antireflection film (hereinafter referred to as "upper antireflection film") on the resist film of wafer W The film forming unit 32 and the development processing unit 33 for developing the wafer W are stacked in four stages in order from the bottom.

これら第1のブロックG1の各処理ユニット30〜33は、処理時にウェハWを収容するカップFを水平方向に複数有し、複数のウェハWを並行して処理することができる。   Each of the processing units 30 to 33 of the first block G1 has a plurality of cups F that accommodate the wafers W in the horizontal direction during processing, and can process the plurality of wafers W in parallel.

例えば第2のブロックG2には、図3に示すようにウェハWの熱処理を行う熱処理ユニット40や、ウェハWを疎水化処理する疎水化処理装置としてのアドヒージョンユニット41、ウェハWの外周部を露光する周辺露光ユニット42が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット40は、ウェハWを載置して加熱する熱板と、ウェハWを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット40、アドヒージョンユニット41及び周辺露光ユニット42の数や配置は、任意に選択できる。   For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, a heat treatment unit 40 for performing heat treatment of the wafer W, an adhesion unit 41 as a hydrophobizing apparatus for hydrophobizing the wafer W, and an outer peripheral portion of the wafer W The peripheral exposure unit 42 for exposing the light is arranged in the vertical direction and the horizontal direction. The heat treatment unit 40 has a hot plate for placing and heating the wafer W and a cooling plate for placing and cooling the wafer W, and can perform both heat treatment and cooling treatment. The number and arrangement of the heat treatment unit 40, the adhesion unit 41, and the peripheral exposure unit 42 can be arbitrarily selected.

例えば第3のブロックG3には、複数の受け渡しユニット50、51、52、53、54、55、56が下から順に多段に設けられている。また、第4のブロックG4には、複数の受け渡しユニット60、61、62が下から順に多段に設けられている。   For example, in the third block G3, a plurality of delivery units 50, 51, 52, 53, 54, 55, and 56 are provided in multiple stages in order from the bottom. In the fourth block G4, a plurality of delivery units 60, 61, 62 are provided in multiple stages in order from the bottom.

図1に示すように第1のブロックG1〜第4のブロックG4に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Dが形成されている。ウェハ搬送領域Dには、例えばウェハ搬送装置70が複数、例えば3台配置されている。各ウェハ搬送装置70はそれぞれ同じ構造である。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer region D is formed in a region surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. In the wafer transfer area D, for example, a plurality of, for example, three wafer transfer devices 70 are arranged. Each wafer transfer device 70 has the same structure.

ウェハ搬送装置70は、例えばY方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置70は、ウェハ搬送領域D内を移動し、周囲の第1のブロックG1、第2のブロックG2、第3のブロックG3及び第4のブロックG4内の所定のユニットにウェハWを搬送できる。各ウェハ搬送装置70、70、70は、例えば図3に示すように上下に配置され、例えば各ブロックG1〜G4の同程度の高さの所定のユニットにウェハWを搬送できる。   The wafer transfer device 70 is configured to be movable in the Y direction, the front-rear direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transfer device 70 moves in the wafer transfer area D and transfers the wafer W to a predetermined unit in the surrounding first block G1, second block G2, third block G3, and fourth block G4. it can. Each wafer transfer device 70, 70, 70 is arranged up and down as shown in FIG. 3, for example, and can transfer the wafer W to a predetermined unit having the same height of each of the blocks G1 to G4, for example.

また、図3に示すように、ウェハ搬送領域Dには、第3のブロックG3と第4のブロックG4との間で直線的にウェハWを搬送するシャトル搬送装置80が設けられている。   As shown in FIG. 3, in the wafer transfer region D, a shuttle transfer device 80 that transfers the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided.

シャトル搬送装置80は、例えば図3のY方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置80は、ウェハWを支持した状態でY方向に移動し、第3のブロックG3の受け渡しユニット52と第4のブロックG4の受け渡しユニット62との間でウェハWを搬送できる。   The shuttle conveyance device 80 is linearly movable in the Y direction of FIG. 3, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W between the transfer unit 52 of the third block G3 and the transfer unit 62 of the fourth block G4.

図1に示すように第3のブロックG3のX方向正方向側に隣接する領域には、ウェハ搬送装置90が設けられている。ウェハ搬送装置90は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置90は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、第3のブロックG3内の各受け渡しユニットに当該ウェハWを搬送できる。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer device 90 is provided in a region adjacent to the third block G3 on the positive side in the X direction. The wafer transfer device 90 is configured to be movable in the front-rear direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transfer device 90 can move up and down while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W to each delivery unit in the third block G3.

第4のブロックG4の例えばX方向正方向側には、ウェハ搬送装置85が設けられている。ウェハ搬送装置85は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。ウェハ搬送装置85は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、インターフェイスステーション5にウェハWを搬送できる。   A wafer transfer device 85 is provided on the fourth block G4, for example, on the positive side in the X direction. The wafer transfer device 85 is configured to be movable in the front-rear direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transfer device 85 moves up and down while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W to the interface station 5.

図4は、カセットステーション2側から見た、インターフェイスステーション5の内部構成の概略を示す説明図である。図4に示すように、インターフェイスステーション5には、各種ユニットを備えた3つのブロックG5、G6、G7が設けられている。第1のブロックG5は、インターフェイスステーション5の正面側(図1のX方向負方向側)に設けられている。第6のブロックG6は、例えばインターフェイスステーション5の背面側(図1のX方向正方向側)に設けられている。また、第7のブロックG7は、第5のブロックG5と第6のブロックG6の間の領域に設けられている。   FIG. 4 is an explanatory diagram showing an outline of the internal configuration of the interface station 5 as seen from the cassette station 2 side. As shown in FIG. 4, the interface station 5 is provided with three blocks G5, G6, and G7 each having various units. The first block G5 is provided on the front side of the interface station 5 (X direction negative direction side in FIG. 1). The sixth block G6 is provided, for example, on the back side of the interface station 5 (X direction positive direction side in FIG. 1). The seventh block G7 is provided in an area between the fifth block G5 and the sixth block G6.

例えば第5のブロックG5には、図4に示すように、露光装置4に搬入される前のウェハWを検査する検査ユニット100が、例えば上下方向に2台配置されている。検査ユニット100の具体的な構成については後述する。   For example, in the fifth block G5, as shown in FIG. 4, two inspection units 100 for inspecting the wafer W before being carried into the exposure apparatus 4 are arranged, for example, in the vertical direction. A specific configuration of the inspection unit 100 will be described later.

第6のブロックG6には、洗浄検査ユニット100で洗浄及び検査された後のウェハWに付着した水分を脱水して除去する脱水ユニット101が、例えば上下方向に3台配置されている。   In the sixth block G6, for example, three dehydration units 101 for dehydrating and removing moisture adhering to the wafer W after being cleaned and inspected by the cleaning inspection unit 100 are arranged in the vertical direction.

第7のブロックG7には、ウェハ搬送装置85を介して処理ステーション3との間でウェハWの受け渡しを行う受け渡しユニット110と、洗浄検査ユニット100で洗浄と検査を終えた後のウェハWを脱水ユニット101や露光装置4に受け渡すための受け渡しユニット111と、脱水後のウェハWを露光装置4に搬入する前に所定の温度に調整する温度調整機構としての温度調整ユニット112が上下方向に複数設けられている。具体的には、第7のブロックG7の上部には、受け渡しユニット110と受け渡しユニット111が上からこの順で交互に3段ずつ重ねて配置されている。第7のブロックG7の下部には、受け渡しユニット111と温度調整ユニット112が上からこの順で交互に2段ずつ重ねて配置されている。温度調整ユニット112は、ペルチェ素子などの温度調整部材を備えた温度調整板を有し、当該温度調整板に載置されたウェハWを所定の温度、例えば常温に温度調整できる。   In the seventh block G7, the transfer unit 110 that transfers the wafer W to and from the processing station 3 via the wafer transfer device 85, and the wafer W that has been cleaned and inspected by the cleaning inspection unit 100 are dehydrated. A plurality of delivery units 111 for delivery to the unit 101 and the exposure apparatus 4 and a plurality of temperature regulation units 112 as a temperature regulation mechanism for regulating the dehydrated wafer W to a predetermined temperature before carrying it into the exposure apparatus 4 in the vertical direction. Is provided. Specifically, on the upper part of the seventh block G7, the delivery unit 110 and the delivery unit 111 are alternately arranged in three stages in this order from above. In the lower part of the seventh block G7, the delivery unit 111 and the temperature adjustment unit 112 are alternately arranged in two layers in this order from above. The temperature adjustment unit 112 has a temperature adjustment plate provided with a temperature adjustment member such as a Peltier element, and can adjust the temperature of the wafer W placed on the temperature adjustment plate to a predetermined temperature, for example, room temperature.

第5のブロックG5と第7のブロックG7との間であって、第5のブロックG5に隣接した領域には、ウェハ搬送装置120が設けられている。ウェハ搬送装置120は複数、例えば2つの搬送アームとして、第1の搬送アーム121と第2の搬送アーム122を有している。各搬送アーム121、122は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。これにより各搬送アーム121、122は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、各ブロックG5、G7の各ユニットの間でウェハWを搬送できる。   A wafer transfer device 120 is provided in a region between the fifth block G5 and the seventh block G7 and adjacent to the fifth block G5. The wafer transfer apparatus 120 has a first transfer arm 121 and a second transfer arm 122 as a plurality of, for example, two transfer arms. Each of the transfer arms 121 and 122 is configured to be movable in the front-rear direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. Accordingly, the transfer arms 121 and 122 move up and down while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W between the units of the blocks G5 and G7.

第6のブロックG6と第7のブロックG7との間の領域には、ウェハ搬送装置130が設けられている。ウェハ搬送装置130は複数、例えば2つの搬送アームとして、第3の搬送アーム131と第4の搬送アーム132を有している。各搬送アーム131、132は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。これにより、各搬送アーム131、132は、ウェハWを支持した状態で上下に移動して、第6のブロックG6、第7のブロックG7及び露光装置4の間でウェハWを搬送できる。なお、図4では、ウェハ搬送機構120として、独立して移動する複数の搬送アーム121、122を描図しているが、例えば複数の搬送アームに代えて、1の搬送アームにウェハWを保持するピンセットを複数、例えば2本設けたものを用いてもよい。ウェハ搬送機構130についても同様である。   A wafer transfer device 130 is provided in a region between the sixth block G6 and the seventh block G7. The wafer transfer device 130 has a third transfer arm 131 and a fourth transfer arm 132 as a plurality of, for example, two transfer arms. Each of the transfer arms 131 and 132 is configured to be movable in the front-rear direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. Accordingly, the transfer arms 131 and 132 move up and down while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W between the sixth block G6, the seventh block G7, and the exposure apparatus 4. In FIG. 4, a plurality of transfer arms 121 and 122 that move independently are illustrated as the wafer transfer mechanism 120, but the wafer W is held on one transfer arm instead of the plurality of transfer arms, for example. A plurality of tweezers, for example, two tweezers may be used. The same applies to the wafer transfer mechanism 130.

ウェハ搬送装置120、130によるウェハWの搬送は、図1に示した制御装置6の基板搬送制御部としてのウェハ搬送制御部135により制御される。ウェハ搬送制御部135は、ウェハ搬送装置120の例えば第1の搬送アーム121により処理ステーション3から受け渡しユニット110に搬送されたウェハWを洗浄検査ユニット100へ搬送し、第2の搬送アーム122によりウェハ洗浄検査部100で洗浄及び検査を終えたウェハWを第7のブロックG7の受け渡しユニット111に搬送するようにウェハ搬送装置120を制御する。また、ウェハ搬送制御部135は、ウェハ搬送装置130の第3の搬送アーム131により、洗浄検査ユニット100で洗浄した後のウェハWの、受け渡しユニット111から脱水ユニット101への搬送、及び脱水ユニッ101トから温度調整ユニット112への搬送を行い、第4の搬送アーム132により、温度調整ユニット112と受け渡しユニット111と露光装置4との間でウェハWを搬送するようにウェハ搬送装置130を制御する。なお、ウェハ搬送制御部135は、塗布現像処理システム1内の他のウェハ搬送装置や、後述する搬送手段143の動作の制御も行っている。   The transfer of the wafer W by the wafer transfer devices 120 and 130 is controlled by a wafer transfer control unit 135 as a substrate transfer control unit of the control device 6 shown in FIG. The wafer transfer control unit 135 transfers, for example, the wafer W transferred from the processing station 3 to the delivery unit 110 by the first transfer arm 121 of the wafer transfer apparatus 120 to the cleaning inspection unit 100, and the second transfer arm 122 transfers the wafer. The wafer transfer device 120 is controlled so that the wafer W that has been cleaned and inspected by the cleaning inspection unit 100 is transferred to the delivery unit 111 of the seventh block G7. The wafer transfer control unit 135 transfers the wafer W after being cleaned by the cleaning inspection unit 100 from the transfer unit 111 to the dehydration unit 101 and the dehydration unit 101 by the third transfer arm 131 of the wafer transfer apparatus 130. The wafer transfer device 130 to the temperature adjustment unit 112, and the fourth transfer arm 132 controls the wafer transfer device 130 to transfer the wafer W among the temperature adjustment unit 112, the transfer unit 111, and the exposure device 4. . The wafer transfer control unit 135 also controls operations of other wafer transfer apparatuses in the coating and developing treatment system 1 and transfer means 143 described later.

次に、洗浄検査ユニット100の構成について説明する。図5は洗浄検査ユニット100の構成の概略を示す縦断面図である。   Next, the configuration of the cleaning inspection unit 100 will be described. FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing an outline of the configuration of the cleaning inspection unit 100.

洗浄検査ユニット100は、筐体140と、ウェハWの裏面を洗浄する基板洗浄部としてのウェハ洗浄部141と、ウェハ洗浄部141で洗浄された後のウェハW裏面が露光装置4で露光可能な状態かどうかを露光装置4に搬入する前に検査する、基板検査部としてのウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。   The cleaning inspection unit 100 can expose the back surface of the wafer W after being cleaned by the housing 140, the wafer cleaning unit 141 as a substrate cleaning unit for cleaning the back surface of the wafer W, and the exposure apparatus 4. A wafer inspection unit 142 serving as a substrate inspection unit that inspects whether the wafer is in a state before being carried into the exposure apparatus 4, and a transfer unit 143 that transfers the wafer W between the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142. ing.

ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142は、筐体140内に下から上にこの順で配置されている。また、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間の領域、即ち、ウェハ洗浄部141の上方であってウェハ検査部142の下方には、ウェハ検査部142で検査後のウェハWを一時的に待機させる、バッファ待機部としての、待機載置台144が配置されている。   Wafer cleaning unit 141 and wafer inspection unit 142 are arranged in this order from bottom to top in housing 140. Further, the wafer W after the inspection by the wafer inspection unit 142 is temporarily placed in a region between the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142, that is, above the wafer cleaning unit 141 and below the wafer inspection unit 142. A stand-by table 144 is arranged as a buffer stand-by unit.

ウェハ洗浄部141は、図6に示すように、ウェハWを水平に吸着保持する2つの吸着パッド150、150と、この吸着パッド150、150から受け取ったウェハWを水平に吸着保持するスピンチャック151と、ウェハWの裏面を洗浄するブラシ152を有している。   As shown in FIG. 6, the wafer cleaning unit 141 includes two suction pads 150 and 150 for horizontally holding and holding the wafer W, and a spin chuck 151 for horizontally holding and holding the wafer W received from the suction pads 150 and 150. And a brush 152 for cleaning the back surface of the wafer W.

図6に示されるように、2つの吸着パッド150、150は、ウェハW裏面の周縁部を保持できるように、平面視においてスピンチャック151を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド150、150は、駆動機構(図示せず)により水平方向及び上下方向に移動自在な枠体153によりその両端部を支持されている。   As shown in FIG. 6, the two suction pads 150 and 150 are provided substantially in parallel with the spin chuck 151 interposed therebetween in a plan view so that the peripheral edge of the back surface of the wafer W can be held. Each suction pad 150, 150 is supported at its both ends by a frame body 153 that is movable in the horizontal and vertical directions by a drive mechanism (not shown).

枠体153の上面には、上部カップ154が設けられている。上部カップ154の上面には、ウェハWの直径より大きな径の開口部154aが形成されている。開口部154aは、吸着パッド150と例えば第1の搬送アーム121との間でウェハWの受け渡しを行う際に、当該ウェハWがこの開口部154aを通過できる大きさに形成されている。   An upper cup 154 is provided on the upper surface of the frame 153. An opening 154 a having a diameter larger than the diameter of the wafer W is formed on the upper surface of the upper cup 154. The opening 154a is formed in such a size that the wafer W can pass through the opening 154a when the wafer W is transferred between the suction pad 150 and the first transfer arm 121, for example.

図5に示すように、スピンチャック151はシャフト160を介して駆動機構161に接続されており、スピンチャック151は、この駆動機構161により回転及び昇降自在に構成されている。   As shown in FIG. 5, the spin chuck 151 is connected to a drive mechanism 161 via a shaft 160, and the spin chuck 151 is configured to be rotatable and raised and lowered by the drive mechanism 161.

スピンチャック151の周囲には昇降機構(図示せず)により昇降自在な昇降ピン162が複数設けられている。   Around the spin chuck 151, a plurality of lifting pins 162 that can be lifted and lowered by a lifting mechanism (not shown) are provided.

ブラシ152は、例えば多数のプラスチック繊維を円柱状に束ねて構成されており、支持体163により支持されている。支持体163におけるブラシ152と反対側の端部には、駆動機構164が接続されている。駆動機構164は、図6に示すように、X方向に延伸するレール165に沿って水平方向に移動自在である。したがって、駆動機構164をレールに沿ってX方向に移動させることで、支持体163を介してブラシ152をX方向に移動させることができる。ブラシ152は、支持体163に内蔵された駆動機構(図示せず)により回転自在に構成されている。したがって、その上面をウェハWの裏面に押し付けた状態で回転させて当該ブラシ152をウェハWの裏面で摺動させることにより、ウェハWの裏面に付着したパーティクルを除去することができる。   The brush 152 is configured by, for example, bundling a large number of plastic fibers in a cylindrical shape, and is supported by a support body 163. A drive mechanism 164 is connected to the end of the support 163 opposite to the brush 152. As shown in FIG. 6, the drive mechanism 164 is movable in the horizontal direction along a rail 165 extending in the X direction. Therefore, the brush 152 can be moved in the X direction via the support body 163 by moving the drive mechanism 164 in the X direction along the rail. The brush 152 is configured to be rotatable by a drive mechanism (not shown) built in the support body 163. Therefore, by rotating the brush 152 on the back surface of the wafer W while rotating the top surface pressed against the back surface of the wafer W, particles adhering to the back surface of the wafer W can be removed.

また、支持体163の先端にはブラシで除去されたパーティクルを洗い流す洗浄液を供給する洗浄液ノズル163aと、洗浄後にウェハWの裏面に付着している洗浄液を乾燥させるための、例えば窒素等の気体を供給するパージノズル163bが設けられている。   Further, a cleaning liquid nozzle 163a for supplying a cleaning liquid for washing away the particles removed by the brush, and a gas such as nitrogen for drying the cleaning liquid adhering to the back surface of the wafer W after cleaning are provided at the tip of the support 163. A purge nozzle 163b for supplying is provided.

筐体140の底部には、洗浄液を排出するドレン管170と、筐体140内部を排気して、ウェハ洗浄部141に向けて下方向の気流を形成する排気管171が設けられている。   A drain pipe 170 that discharges the cleaning liquid and an exhaust pipe 171 that exhausts the inside of the casing 140 and forms a downward airflow toward the wafer cleaning unit 141 are provided at the bottom of the casing 140.

次に、ウェハ検査部142の構成について説明する。   Next, the configuration of the wafer inspection unit 142 will be described.

ウェハ検査部142は、図5に示すように、ウェハ洗浄部141の上方に設けられた保持アーム180と、ウェハWの裏面に対してライン状の平行光線を照射する光源181と、照射された光を撮像するカメラ182を有している。保持アーム180は、駆動機構(図示せず)により水平方向に移動自在に構成されている。   As shown in FIG. 5, the wafer inspection unit 142 is irradiated with a holding arm 180 provided above the wafer cleaning unit 141, a light source 181 that irradiates the back surface of the wafer W with linear parallel rays. A camera 182 that captures light is included. The holding arm 180 is configured to be movable in the horizontal direction by a drive mechanism (not shown).

保持アーム180の先端部には、下方に突出した係止部180aが形成されている。また、保持アーム180の下面には、図示しない駆動機構によりウェハWの直径方向に移動自在な可動保持部180bが設けられている。保持アーム180は、この係止部180aと可動保持部180bによりウェハWを挟み込み、当該ウェハWをその裏面が下方を向いた状態で保持することができる。   A locking portion 180 a that protrudes downward is formed at the tip of the holding arm 180. In addition, on the lower surface of the holding arm 180, a movable holding portion 180b that is movable in the diameter direction of the wafer W by a driving mechanism (not shown) is provided. The holding arm 180 can sandwich the wafer W between the locking portion 180a and the movable holding portion 180b, and can hold the wafer W with its back surface facing downward.

光源181は保持アーム180の下方に、ウェハWの裏面に対して所定の角度θで光線を照射するように配置されている。カメラ182は、ウェハWの裏面に照射された光線の画像を撮像するように、保持アーム180の下方に、ウェハWの裏面に対して光源181と同様所定の角度θ傾けた状態で配置されている。   The light source 181 is arranged below the holding arm 180 so as to irradiate light with a predetermined angle θ with respect to the back surface of the wafer W. The camera 182 is arranged below the holding arm 180 in a state inclined at a predetermined angle θ with respect to the back surface of the wafer W in the same manner as the light source 181 so as to capture an image of the light beam irradiated on the back surface of the wafer W. Yes.

光源181、カメラ182は図示しない回動機構により照射角度及び撮像角度が調整可能となっている。これにより、ある角度で照射した光線では観察できなかったパーティクルに対して、異なる角度で光線を照射して観察することができる。   The light source 181 and the camera 182 can adjust the irradiation angle and the imaging angle by a rotation mechanism (not shown). Thereby, it is possible to observe a particle that cannot be observed with a light beam irradiated at a certain angle by irradiating the light beam at a different angle.

ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWの搬送を行う搬送手段143は、例えば図5に示すように、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142のY方向正方向側に隣接する領域に設けられている。   For example, as shown in FIG. 5, the transfer unit 143 that transfers the wafer W between the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142 is adjacent to the positive side in the Y direction of the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142. It is provided in the area.

搬送手段143は、例えば図6に示すように、その先端が2本に分岐した略U字形状の搬送アーム143aを備えている。搬送アーム143aの端部には、当該搬送アーム143aを前後方向に移動させるアーム駆動機構143bが設けられている。アーム駆動機構143bは、基台143cにより支持されている。   For example, as shown in FIG. 6, the transport unit 143 includes a substantially U-shaped transport arm 143 a whose tip is branched into two. An arm driving mechanism 143b that moves the transfer arm 143a in the front-rear direction is provided at the end of the transfer arm 143a. The arm drive mechanism 143b is supported by the base 143c.

基台143cには、鉛直方向に延伸して設けられた昇降レール143dに沿って当該基台143cをθ方向及び上下方向に自在に移動させる駆動機構(図示せず)が内蔵されている。これにより、搬送アーム143aは、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成され、ウェハWを保持した状態で上下に移動して、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142の間でウェハWを搬送できる。   The base 143c incorporates a drive mechanism (not shown) that freely moves the base 143c in the θ direction and the vertical direction along an elevating rail 143d provided extending in the vertical direction. Accordingly, the transfer arm 143a is configured to be movable in the front-rear direction, the θ-direction, and the vertical direction, and moves up and down while holding the wafer W, so that the wafer W is moved between the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142. Can be transported.

待機載置台144には、昇降ピン(図示せず)が内蔵され、この昇降ピンを介して搬送アーム143aや、例えば第2の搬送アーム122との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。   The standby mounting table 144 incorporates lifting pins (not shown), and the wafer W can be transferred between the transport arm 143a and, for example, the second transport arm 122 via the lift pins.

次に、ウェハ洗浄検査部100で行われるウェハWの洗浄と検査について説明する。   Next, cleaning and inspection of the wafer W performed by the wafer cleaning inspection unit 100 will be described.

ウェハWの洗浄にあたっては、先ず図7に示すように、例えば搬送アーム121によりウェハWが上部カップ154の上方に搬送される。次いで、昇降ピン162が上昇して、ウェハWが昇降ピン162に受け渡される。この際、吸着パッド150はその上面がブラシ152の上面よりも高い位置で待機し、スピンチャック151はブラシ152の上面より低い位置まで退避している。その後、昇降ピン162が下降して、図8に示されるように、ウェハWが吸着パッド150に受け渡されて保持される。   In cleaning the wafer W, first, as shown in FIG. 7, for example, the wafer W is transferred above the upper cup 154 by the transfer arm 121. Next, the lift pins 162 are raised and the wafer W is transferred to the lift pins 162. At this time, the suction pad 150 stands by at a position where the upper surface thereof is higher than the upper surface of the brush 152, and the spin chuck 151 is retracted to a position lower than the upper surface of the brush 152. Thereafter, the raising and lowering pins 162 are lowered, and the wafer W is delivered to and held by the suction pad 150 as shown in FIG.

次いで、図9に示されるように、吸着パッド150でウェハWを吸着保持した状態で、例えばブラシ152がウェハW裏面の中央部に対応する領域に位置するように枠体153を水平方向に移動させる。その後、吸着パッド150を下降させることで、ウェハWの裏面がブラシ152の上面に押し当てられる。   Next, as shown in FIG. 9, in a state where the wafer W is sucked and held by the suction pad 150, the frame body 153 is moved in the horizontal direction so that, for example, the brush 152 is located in an area corresponding to the central portion of the back surface of the wafer W. Let Thereafter, by lowering the suction pad 150, the back surface of the wafer W is pressed against the upper surface of the brush 152.

次いで、洗浄液ノズル163aから洗浄液を供給すると共にブラシ152を回転させて、ウェハW裏面の中央部が洗浄される。この際、支持体163が図6のX方向に往復動し、枠体153がY方向に往復動することで、ウェハW裏面の中央部が万遍なく洗浄される。   Next, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle 163a and the brush 152 is rotated to clean the central portion of the back surface of the wafer W. At this time, the support 163 reciprocates in the X direction in FIG. 6 and the frame 153 reciprocates in the Y direction, so that the central portion of the back surface of the wafer W is uniformly cleaned.

ウェハW裏面の中央部の洗浄が終わると、図10に示すように、ウェハWを吸着パッド150で保持した状態で、ウェハWの中心とスピンチャック151の中心とが平面視において一致するように枠体153を水平方向に移動させる。次いで、枠体153を下降させると共にスピンチャック151を上昇させ、ウェハWを吸着パッド150からスピンチャック151に受け渡す。   When the cleaning of the central portion of the back surface of the wafer W is completed, as shown in FIG. 10, the center of the wafer W and the center of the spin chuck 151 coincide with each other in a plan view while the wafer W is held by the suction pad 150. The frame body 153 is moved in the horizontal direction. Next, the frame body 153 is lowered and the spin chuck 151 is raised, and the wafer W is transferred from the suction pad 150 to the spin chuck 151.

その後、図11に示すように、ウェハWの裏面にブラシ152を押し当てた状態でウェハWを回転させると共に、支持体163を介してブラシを図6のX方向に摺動させることで、ウェハW裏面の周縁部が洗浄される。これにより、ウェハWの裏面全体のパーティクルが除去される。   Thereafter, as shown in FIG. 11, the wafer W is rotated with the brush 152 pressed against the back surface of the wafer W, and the brush is slid in the X direction of FIG. The peripheral edge of the W back surface is cleaned. Thereby, particles on the entire back surface of the wafer W are removed.

ウェハW裏面の洗浄が完了すると、ブラシ152の回転や洗浄液ノズル163aから洗浄液の供給が停止される。次いで、スピンチャック151を高速で回転させることで、ウェハW裏面に付着している洗浄液が振り切り乾燥される。この際、パージノズル163bによるパージも並行して行われる。   When the cleaning of the rear surface of the wafer W is completed, the rotation of the brush 152 and the supply of the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzle 163a are stopped. Next, by rotating the spin chuck 151 at a high speed, the cleaning liquid adhering to the back surface of the wafer W is shaken off and dried. At this time, purging by the purge nozzle 163b is also performed in parallel.

そして、振り切り乾燥が終了すると、ウェハWは、ウェハ洗浄部141に搬送された際とは逆の順序で、今度は搬送手段143の搬送アーム143aに受け渡される。   When the swing-off drying is completed, the wafer W is transferred to the transfer arm 143a of the transfer unit 143 in the reverse order to that when the wafer W is transferred to the wafer cleaning unit 141.

次いで、搬送アーム143aがウェハWを保持した状態でウェハ検査部142まで上昇して保持アーム180の下方に移動し、次いで保持アーム180の係止部180aと可動保持部180bによりウェハWが挟み込まれ、当該ウェハWが保持アーム180に受け渡される。   Next, while the transfer arm 143a holds the wafer W, the transfer arm 143a moves up to the wafer inspection unit 142 and moves below the holding arm 180. Next, the wafer W is sandwiched between the locking portion 180a and the movable holding portion 180b of the holding arm 180. The wafer W is transferred to the holding arm 180.

保持アーム180にウェハWが受け渡されると、保持アーム180はウェハWを保持した状態で水平方向に移動する。保持アーム180が水平移動する間に、光源181によりウェハWの裏面にライン状の平行光線が照射され、裏面に照射された光線はカメラ182により連続的に撮像される。カメラ182で撮像された画像は、制御装置6に順次入力される。そして、ウェハWの一端部から他端部にわたって撮像が完了すると、ウェハ検査部142での検査が終了する。   When the wafer W is delivered to the holding arm 180, the holding arm 180 moves in the horizontal direction while holding the wafer W. While the holding arm 180 moves horizontally, the light source 181 irradiates the back surface of the wafer W with a line-shaped parallel light beam, and the light beam irradiated on the back surface is continuously imaged by the camera 182. Images captured by the camera 182 are sequentially input to the control device 6. Then, when imaging is completed from one end of the wafer W to the other end, the inspection in the wafer inspection unit 142 is completed.

検査が終了すると、ウェハWは再び搬送手段143に受け渡され、その後、バッファ待機部としての待機載置台144に受け渡される。
バッファ待機部は洗浄検査ユニット100の外部、例えば第7のブロックG7に設けられていてもよい。
When the inspection is completed, the wafer W is again transferred to the transfer means 143, and then transferred to the standby stage 144 as a buffer standby unit.
The buffer standby unit may be provided outside the cleaning inspection unit 100, for example, in the seventh block G7.

それと並行して、制御装置6では、カメラ182で撮像された画情報像に基づいて、撮像されたウェハWが露光可能な状態かどうかを判定する。より具体的には、制御装置6では、例えば撮像された画情報像から算出された、例えばウェハWの裏面に付着したパーティクルの数や付着した範囲、あるいはパーティクルの高さや大きさなどの情報に基づいて、ウェハWの状態を、露光装置4で露光が可能な状態、露光装置4で露光が不可な状態、あるいは現状では露光装置4での露光はできないが、ウェハ洗浄部141で再度洗浄すれば露光装置4での露光が可能となる状態、の3種類のいずれかに属するかを判定する。   Concurrently, the control device 6 determines whether or not the imaged wafer W is in a state where exposure is possible based on the image information image captured by the camera 182. More specifically, the control device 6 uses information such as the number of particles attached to the back surface of the wafer W, the attached range, or the height and size of the particles, for example, calculated from the captured image information image. Based on this, the state of the wafer W can be exposed by the exposure apparatus 4, cannot be exposed by the exposure apparatus 4, or currently cannot be exposed by the exposure apparatus 4, but is again cleaned by the wafer cleaning unit 141. For example, it is determined whether the exposure apparatus 4 belongs to one of the three types in which exposure is possible.

ウェハ検査部142での検査結果が判明すると、ウェハ搬送制御部135は所定のルールに基づきウェハWの搬送を制御する。即ち、ウェハ検査部142での検査の結果、ウェハWの状態が露光装置4で露光可能と判定されれば、待機載置部144のウェハWは、第2の搬送アーム122により第7のブロックG7の受け渡しユニット111に搬送される。また、検査の結果、ウェハWの状態が、露光装置4で露光不可と判定されれば、当該ウェハWの以後の処理を中止し、第1の搬送アーム121により受け渡しユニット110に搬送され。なお、露光装置4で露光不可と判定されたウェハWを第1の搬送アーム121により搬送するのは、露光可能と判定されたウェハW、換言すれば裏面が清浄な状態のウェハWを搬送する第2の搬送アーム122が、露光不可と判定されたウェハWを保持することで、パーティクルにより汚染されることを防止するためである。   When the inspection result in the wafer inspection unit 142 is found, the wafer transfer control unit 135 controls the transfer of the wafer W based on a predetermined rule. That is, as a result of the inspection by the wafer inspection unit 142, if it is determined that the state of the wafer W can be exposed by the exposure apparatus 4, the wafer W of the standby mounting unit 144 is moved to the seventh block by the second transfer arm 122. It is conveyed to the delivery unit 111 of G7. If the exposure apparatus 4 determines that the exposure is not possible as a result of the inspection, the subsequent processing of the wafer W is stopped and transferred to the delivery unit 110 by the first transfer arm 121. The wafer W determined to be unexposure by the exposure apparatus 4 is transferred by the first transfer arm 121 to transfer the wafer W determined to be exposureable, in other words, the wafer W having a clean back surface. This is to prevent the second transfer arm 122 from being contaminated by particles by holding the wafer W that has been determined to be unexposure.

また、検査の結果、ウェハWの状態が、現状では露光できないものの、ウェハ洗浄部141で再度洗浄することで露光装置4での露光が可能なものであると判定されれば、待機載置台144のウェハWは搬送手段143により再びウェハ洗浄部141に搬送される。ウェハ洗浄部141に再度搬送されたウェハWには、上述の洗浄及び検査が再び行われ、再洗浄及び再検査後のウェハWは、第2の搬送アーム122により受け渡しユニット111に搬送される。   As a result of the inspection, if it is determined that the state of the wafer W cannot be exposed at present but can be exposed by the exposure apparatus 4 by cleaning again with the wafer cleaning unit 141, the standby mounting table 144 The wafer W is again transferred to the wafer cleaning unit 141 by the transfer means 143. The wafer W transported again to the wafer cleaning unit 141 is subjected to the above-described cleaning and inspection again, and the wafer W after the re-cleaning and re-inspection is transported to the delivery unit 111 by the second transport arm 122.

次に、脱水ユニット101の構成について説明する。図12は、脱水ユニット101の構成の概略を示す平面図であり、図13は、脱水ユニット101の構成の概略を示す縦断面図である。   Next, the configuration of the dehydrating unit 101 will be described. FIG. 12 is a plan view illustrating the outline of the configuration of the dehydration unit 101, and FIG. 13 is a longitudinal sectional view illustrating the outline of the configuration of the dehydration unit 101.

脱水ユニット101は、内部でウェハWを脱水処理する処理容器190と、ウェハW裏面の外周部を保持する保持部材191と、保持部材191をシャフト192を介して上下方向に昇降させる昇降機構193を有している。   The dehydrating unit 101 includes a processing container 190 that dehydrates the wafer W therein, a holding member 191 that holds the outer peripheral portion of the back surface of the wafer W, and an elevating mechanism 193 that moves the holding member 191 up and down via a shaft 192. Have.

保持部材191は、例えば図12に示すように、平面視において略円弧状に形成され、同心円状に複数、本実施の形態では同心円状に4つ設けられている。保持部材191は、図13に示すように、外周側の上端部191aが内周側の上端部191bより高くなった略U字形状の断面形状を有している。これにより、保持部材191の外周側は、内周側の上端部191bでウェハWを保持した際にウェハWが脱落するのを防止するガイドとして機能する。   For example, as shown in FIG. 12, the holding members 191 are formed in a substantially arc shape in a plan view, and a plurality of holding members 191 are provided concentrically, and four concentric in this embodiment. As shown in FIG. 13, the holding member 191 has a substantially U-shaped cross-sectional shape in which the upper end 191a on the outer peripheral side is higher than the upper end 191b on the inner peripheral side. Thereby, the outer peripheral side of the holding member 191 functions as a guide for preventing the wafer W from dropping off when the wafer W is held by the upper end 191b on the inner peripheral side.

各保持部材191と、ウェハ搬送装置130との間のウェハWの受け渡しにあたっては、例えば図12に示すように、処理容器190のシャッタ190aから例えば第3の搬送アーム131を進入させる。次いで、当該第3の搬送アーム131で保持するウェハWの中心部と複数の保持部材191の円弧の中心とが一致するように第3の搬送アーム131を移動させる。次いで、その状態で、昇降機構193により保持部材191を上昇させる。これにより、第3の搬送アーム131から保持部材191にウェハWが受け渡される。その後、搬送アーム131は、処理容器190の外部に退避する。なお、搬送アーム131と保持部材191との間のウェハWの受け渡しは、保持部材191の昇降動に代えて、例えば第3の搬送アーム131を昇降動させて行ってもよい。   When the wafer W is transferred between each holding member 191 and the wafer transfer device 130, for example, the third transfer arm 131 is caused to enter from the shutter 190a of the processing container 190 as shown in FIG. Next, the third transfer arm 131 is moved so that the center of the wafer W held by the third transfer arm 131 coincides with the center of the arc of the plurality of holding members 191. Next, in this state, the holding member 191 is raised by the lifting mechanism 193. As a result, the wafer W is delivered from the third transfer arm 131 to the holding member 191. Thereafter, the transfer arm 131 is retracted to the outside of the processing container 190. The transfer of the wafer W between the transfer arm 131 and the holding member 191 may be performed by moving the third transfer arm 131 up and down, for example, instead of the up and down movement of the holding member 191.

処理容器190の底部には、排気機構194に接続された排気管195と、処理容器190内に例えば窒素ガスを送りこんで処理容器190内をパージするパージ管196が設けられている。パージ管196には、窒素ガスを供給するガス供給源197が接続されている。   An exhaust pipe 195 connected to an exhaust mechanism 194 and a purge pipe 196 that purges the inside of the processing container 190 by sending, for example, nitrogen gas into the processing container 190 are provided at the bottom of the processing container 190. A gas supply source 197 that supplies nitrogen gas is connected to the purge pipe 196.

脱水ユニット101でウェハWの脱水処理を行うにあたっては、先ず、第3の搬送アーム131により処理容器190内にウェハWが搬入され、次いでこのウェハWが保持部材191に受け渡される。その後、第3の搬送アーム131が処理容器190外に退避してシャッタ190aが閉止される。次いで、排気機構194により処理容器190内が減圧される。これによりウェハWに付着した水分が蒸発し、ウェハWの脱水処理が行われる。   In performing the dehydration process of the wafer W by the dehydration unit 101, first, the wafer W is loaded into the processing container 190 by the third transfer arm 131, and then the wafer W is transferred to the holding member 191. Thereafter, the third transfer arm 131 is retracted out of the processing container 190 and the shutter 190a is closed. Next, the inside of the processing container 190 is depressurized by the exhaust mechanism 194. As a result, the water adhering to the wafer W evaporates and the wafer W is dehydrated.

ウェハWの脱水処理が終了すると、パージ管196により処理容器190内のパージと昇圧が行われる。その後、シャッタ190aを開放し、第3の搬送アーム131によりウェハWが脱水ユニット101から搬出される。   When the dehydration process of the wafer W is completed, the purge in the processing container 190 and the pressure increase are performed by the purge pipe 196. Thereafter, the shutter 190 a is opened, and the wafer W is unloaded from the dehydration unit 101 by the third transfer arm 131.

制御装置6は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。この制御装置6には、例えば塗布現像処理システム1の各種処理ユニットでのウェハ処理の内容や各ウェハWの搬送ルートを定めた処理レシピが、プログラムとして例えばメモリに記憶されている。このプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム1の各種処理ユニットの制御や、上述したウェハ搬送制御部135による各ウェハ搬送装置や洗浄検査ユニット100の搬送手段143の動作を制御し、塗布現像処理システム1におけるウェハWの各種処理や搬送制御を行う。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御装置6にインストールされたものであってもよい。   The control device 6 is configured by a computer including a CPU, a memory, and the like, for example. In the control device 6, for example, processing recipes that determine the contents of wafer processing in various processing units of the coating and developing processing system 1 and the transfer route of each wafer W are stored in a memory, for example, as a program. By executing this program, the control of various processing units of the coating and developing processing system 1 and the operation of the transfer means 143 of each wafer transfer device and the cleaning inspection unit 100 by the wafer transfer control unit 135 are controlled. Various processing and transfer control of the wafer W in the processing system 1 are performed. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control device 6 from the storage medium H.

以上のように構成された塗布現像処理システム1では、例えば次のようなウェハ処理が行われる。図14は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフロー図である。   In the coating and developing treatment system 1 configured as described above, for example, the following wafer processing is performed. FIG. 14 is a flowchart showing an example of main steps of such wafer processing.

ウェハWの処理にあたっては、先ず、複数枚のウェハWを収容したカセットCがカセット搬入出部10の所定のカセット載置板13に載置される。その後、ウェハ搬送装置21によりカセットC内の各ウェハWが順次取り出され、処理ステーション3の第3のブロックG3の例えば受け渡しユニット53に搬送される。   In processing the wafer W, first, the cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette placement plate 13 of the cassette carry-in / out section 10. Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21 and transferred to, for example, the delivery unit 53 of the third block G3 of the processing station 3.

次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2の熱処理ユニット40に搬送され、温度調節される(図14の工程S1)。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって例えば第1のブロックG1の下部反射防止膜形成ユニット30に搬送され、ウェハW上に下部反射防止膜が形成される(図14の工程S2)。その後ウェハWは、第2のブロックG2の熱処理ユニット40に搬送され、加熱処理が行われる。その後第3のブロックG3の受け渡しユニット53に戻される。   Next, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 of the second block G2 by the wafer transfer device 70, and the temperature is adjusted (step S1 in FIG. 14). Thereafter, the wafer W is transferred to the lower antireflection film forming unit 30 of the first block G1, for example, by the wafer transfer device 70, and a lower antireflection film is formed on the wafer W (step S2 in FIG. 14). Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 of the second block G2, and heat treatment is performed. Thereafter, it is returned to the delivery unit 53 of the third block G3.

次にウェハWは、ウェハ搬送装置90によって同じ第3のブロックG3の受け渡しユニット54に搬送される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第2のブロックG2のアドヒージョンユニット41に搬送され、アドヒージョン処理される(図14の工程S3)。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によってレジスト塗布ユニット31に搬送され、ウェハW上にレジスト膜が形成される。(図14の工程S4)。   Next, the wafer W is transferred to the delivery unit 54 of the same third block G3 by the wafer transfer device 90. Thereafter, the wafer W is transferred to the adhesion unit 41 of the second block G2 by the wafer transfer device 70 and subjected to an adhesion process (step S3 in FIG. 14). Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating unit 31 by the wafer transfer device 70, and a resist film is formed on the wafer W. (Step S4 in FIG. 14).

その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送されて、プリベーク処理される(図14の工程S5)。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット55に搬送される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70 and pre-baked (step S5 in FIG. 14). Thereafter, the wafer W is transferred by the wafer transfer apparatus 70 to the delivery unit 55 of the third block G3.

次にウェハWは、ウェハ搬送装置70によって上部反射防止膜形成ユニット32に搬送され、ウェハW上に上部反射防止膜が形成される(図14の工程S6)。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハWは、周辺露光ユニット42に搬送され、周辺露光処理される(図14の工程S7)。   Next, the wafer W is transferred to the upper antireflection film forming unit 32 by the wafer transfer device 70, and an upper antireflection film is formed on the wafer W (step S6 in FIG. 14). Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70, heated, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure unit 42 and subjected to peripheral exposure processing (step S7 in FIG. 14).

その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット56に搬送される。   Thereafter, the wafer W is transferred to the delivery unit 56 of the third block G3 by the wafer transfer device 70.

次にウェハWは、ウェハ搬送装置90によって受け渡しユニット52に搬送され、シャトル搬送装置80によって第4のブロックG4の受け渡しユニット62に搬送される。   Next, the wafer W is transferred to the transfer unit 52 by the wafer transfer device 90 and transferred to the transfer unit 62 of the fourth block G4 by the shuttle transfer device 80.

その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置85によって第7のブロックG7の受け渡しユニット110に搬送される。次にウェハWは、ウェハ搬送装置120の第1の搬送アーム121によりウェハ洗浄検査ユニット100のウェハ洗浄部141に搬送され、ウェハWの裏面が洗浄される(図14の工程S8)。   Thereafter, the wafer W is transferred to the delivery unit 110 of the seventh block G7 by the wafer transfer device 85. Next, the wafer W is transferred to the wafer cleaning unit 141 of the wafer cleaning inspection unit 100 by the first transfer arm 121 of the wafer transfer apparatus 120, and the back surface of the wafer W is cleaned (step S8 in FIG. 14).

裏面が洗浄されたウェハWは、搬送手段143によりウェハ検査部142に搬送され、ウェハWの裏面が検査される(図14の工程S9)。次にウェハWは搬送手段143により待機載置台144に搬送され、ウェハ検査部142でのウェハWの検査結果が判明するまで一時的に当該待機載置台144に載置される。   The wafer W whose back surface has been cleaned is transported to the wafer inspection unit 142 by the transport means 143, and the back surface of the wafer W is inspected (step S9 in FIG. 14). Next, the wafer W is transferred to the standby mounting table 144 by the transfer means 143 and is temporarily mounted on the standby mounting table 144 until the inspection result of the wafer W in the wafer inspection unit 142 becomes clear.

ウェハ検査部142での検査結果が判明すると、ウェハ搬送制御部135は検査結果に基づきウェハWの搬送を行う。即ち、ウェハ検査部142での検査の結果、ウェハWの状態が、露光装置4で露光可能と判定されれば、待機載置台144上のウェハWは、第2の搬送アーム122により第7のブロックG7の受け渡しユニット111に搬送され、次いでウェハ搬送装置130の搬送アーム131により、脱水ユニット101に搬送される。   When the inspection result in the wafer inspection unit 142 is found, the wafer transfer control unit 135 transfers the wafer W based on the inspection result. That is, if the wafer inspection unit 142 determines that the state of the wafer W can be exposed by the exposure apparatus 4 as a result of the inspection, the wafer W on the standby mounting table 144 is moved by the second transfer arm 122 to the seventh state. The wafer is transferred to the delivery unit 111 of the block G7, and then transferred to the dehydration unit 101 by the transfer arm 131 of the wafer transfer device 130.

また、検査の結果、ウェハWの状態が、露光装置4で露光不可と判定されれば、当該ウェハWにおける以後の処理を中止し、第1の搬送アーム121により受け渡しユニット110に搬送する。その後、以後の処理が中止されたウェハWは、ウェハ搬送装置85により処理ステーション3へ搬送されて、次いで所定のカセット載置板13のカセットCに回収される(図14の工程S10)。なお、露光不可と判定されたウェハWを回収する際のルートとしては、例えばシャトル搬送装置80を用いるルートであってもよいし、第1のブロックG1における現像処理ユニット33の段を介して回収するルートであってもよい。現像処理ユニット33の段を用いるのは、当該現像処理ユニット33の段における露光後のウェハWの搬送方向が、露光不可と判定されたウェハWの搬送方向と同じく、露光装置4からカセットステーション2側向きであり、通常のウェハW搬送と干渉することなく露光不可なウェハWを搬送できるためである。   If the exposure apparatus 4 determines that the exposure is not possible as a result of the inspection, the subsequent processing on the wafer W is stopped and transferred to the delivery unit 110 by the first transfer arm 121. Thereafter, the wafer W for which the subsequent processing has been stopped is transferred to the processing station 3 by the wafer transfer device 85, and then collected in the cassette C of the predetermined cassette mounting plate 13 (step S10 in FIG. 14). Note that the route for collecting the wafers W determined to be unexposure may be, for example, a route using the shuttle transfer device 80 or may be collected via the stage of the development processing unit 33 in the first block G1. It may be a route to do. The stage of the development processing unit 33 is used because the transfer direction of the wafer W after exposure in the stage of the development processing unit 33 is the same as the transfer direction of the wafer W determined to be unexposure from the exposure apparatus 4 to the cassette station 2. This is because the wafer W that is facing sideways and cannot be exposed without interfering with the normal wafer W conveyance can be conveyed.

また、検査の結果、ウェハWの状態が、現状では露光できないものの、ウェハ洗浄部141で再洗浄することで露光装置4での露光が可能なものであると判定されれば、搬送手段143により当該ウェハWを再度ウェハ洗浄部141に搬送する。そして、ウェハ洗浄部141で再度洗浄されたウェハWは、搬送手段143により再度ウェハ検査部142に搬送される。そして、ウェハ検査部142での検査の結果、露光可能と判定されると、当該ウェハWは第2の搬送アーム122により第7のブロックG7の受け渡しユニット111に搬送される。次いでウェハ搬送装置130の第3搬送アーム131により、脱水ユニット101に搬送される。   As a result of the inspection, if it is determined that the state of the wafer W cannot be exposed at present, but is re-cleaned by the wafer cleaning unit 141, exposure by the exposure apparatus 4 is possible. The wafer W is transferred again to the wafer cleaning unit 141. Then, the wafer W cleaned again by the wafer cleaning unit 141 is transferred again to the wafer inspection unit 142 by the transfer unit 143. Then, when it is determined that exposure is possible as a result of the inspection by the wafer inspection unit 142, the wafer W is transferred to the delivery unit 111 of the seventh block G7 by the second transfer arm 122. Next, the wafer is transferred to the dehydration unit 101 by the third transfer arm 131 of the wafer transfer apparatus 130.

受け渡しユニット111に搬送されたウェハWは、次いでウェハ搬送装置130の第3搬送アーム131により、脱水ユニット101に搬送される。脱水ユニット101に搬送されたウェハWは、脱水ユニット101で脱水処理される(図14の工程S11)。   The wafer W transferred to the delivery unit 111 is then transferred to the dehydration unit 101 by the third transfer arm 131 of the wafer transfer device 130. The wafer W transferred to the dehydration unit 101 is dehydrated by the dehydration unit 101 (step S11 in FIG. 14).

その後、ウェハWは、第3の搬送アーム131により温度調整ユニット112に搬送され、次いで第4の搬送アーム132により露光装置4に搬送されて露光処理される(図14の工程S12)。   Thereafter, the wafer W is transferred to the temperature adjustment unit 112 by the third transfer arm 131, and then transferred to the exposure apparatus 4 by the fourth transfer arm 132 and subjected to exposure processing (step S12 in FIG. 14).

露光処理されたウェハWは第4の搬送アーム132により第7のブロックG7の受け渡しユニット110に搬送される。その後、ウェハWはウェハ搬送装置85によって第4のブロックG4の受け渡しユニット40に搬送される。   The exposed wafer W is transferred to the delivery unit 110 of the seventh block G7 by the fourth transfer arm 132. Thereafter, the wafer W is transferred to the delivery unit 40 of the fourth block G4 by the wafer transfer device 85.

次いで、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送され、露光後ベーク処理される(図14の工程S13)。その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって現像処理ユニット33に搬送され、現像処理される(図14の工程S14)。現像終了後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって熱処理ユニット40に搬送され、ポストベーク処理される(図14の工程S15)。   Next, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer apparatus 70 and subjected to post-exposure baking (step S13 in FIG. 14). Thereafter, the wafer W is transferred to the development processing unit 33 by the wafer transfer device 70 and subjected to development processing (step S14 in FIG. 14). After the development is completed, the wafer W is transferred to the heat treatment unit 40 by the wafer transfer device 70 and subjected to a post-bake process (step S15 in FIG. 14).

その後、ウェハWは、ウェハ搬送装置70によって第3のブロックG3の受け渡しユニット50に搬送され、その後カセットステーション2のウェハ搬送装置21によって所定のカセット載置板13のカセットCに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。   Thereafter, the wafer W is transferred to the delivery unit 50 of the third block G3 by the wafer transfer device 70, and then transferred to the cassette C of the predetermined cassette mounting plate 13 by the wafer transfer device 21 of the cassette station 2. Thus, a series of photolithography steps is completed.

以上の実施の形態によれば、ウェハWの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハWを検査するウェハ検査部142が同一の筐体140の内部に収容され、さらに、このウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でのウェハの搬送を、筐体140の内部に設けられた搬送手段143により行うことができる。このため、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハを搬送するにあたり、従来のように、例えば筐体140の外部に設けられたウェハ搬送装置120を用いる必要がなくなる。その結果、塗布現像処理システム1におけるウェハ搬送の負荷を低減させることができる。   According to the above embodiment, the wafer cleaning unit 141 that cleans the back surface of the wafer W and the wafer inspection unit 142 that inspects the cleaned wafer W are accommodated in the same housing 140. Wafer transfer between the cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142 can be performed by a transfer unit 143 provided in the housing 140. For this reason, when transferring a wafer between the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142, it is not necessary to use the wafer transfer device 120 provided outside the housing 140, for example, as in the related art. As a result, the wafer conveyance load in the coating and developing treatment system 1 can be reduced.

以上の実施の形態では、ウェハ検査部142で洗浄後のウェハWを検査した結果、当該ウェハWの状態が、現状では露光不可であるもののウェハ洗浄部141での再洗浄により露光が可能なものであると判定された場合、当該ウェハWを再度ウェハ洗浄部141に搬送する。この場合、露光不可と判断された全てのウェハWについて以後の処理を中止してカセットCに回収していた従来の塗布現像処理システム300と比較して、以後の処理を中止してカセットCに回収するウェハWの数を低減できる。その結果、塗布現像処理システム1によるウェハW処理の歩留まりを向上させることができる。   In the above embodiment, as a result of inspecting the wafer W after cleaning by the wafer inspection unit 142, the state of the wafer W is not currently exposed but can be exposed by re-cleaning by the wafer cleaning unit 141. If it is determined that the wafer W is, the wafer W is transferred to the wafer cleaning unit 141 again. In this case, the subsequent processing is stopped for all the wafers W determined not to be exposed and the subsequent processing is stopped and collected in the cassette C as compared with the conventional coating and developing processing system 300 which is recovered in the cassette C. The number of wafers W to be collected can be reduced. As a result, the yield of wafer W processing by the coating and developing processing system 1 can be improved.

また、ウェハ洗浄部141での再洗浄に伴うウェハWの搬送は、搬送手段143により行われる。したがって、洗浄検査ユニット100でウェハWの再洗浄を行うにあたり、筐体140外部のウェハ搬送装置の負荷が増加することがない。   In addition, the transfer of the wafer W accompanying the recleaning in the wafer cleaning unit 141 is performed by the transfer means 143. Therefore, when the wafer W is re-cleaned by the cleaning inspection unit 100, the load on the wafer transfer device outside the housing 140 does not increase.

また、筐体140内に、検査後のウェハWを一時的に待機させる待機載置台144が設けられているので、当該検査後のウェハWを、検査結果が判明するまで当該待機載置台144に待機させることができる。仮に、検査の結果が判明していない状態でウェハWを洗浄検査ユニット100から搬出すると、その後に判明する検査結果により搬送中のウェハWの搬送先を変更する必要が生じ、ウェハWの搬送に大きな影響をあたえるおそれがある。これに対して、本実施の形態のように、検査後のウェハWを検査結果が判明するまで待機載置台144に待機させることで、洗浄検査ユニット100から搬出された後にウェハWの搬送先が変更されることがない。したがって、この点からも、ウェハWの搬送の負荷が増加することを防止できる。   Further, since the standby mounting table 144 for temporarily waiting for the wafer W after the inspection is provided in the housing 140, the wafer W after the inspection is placed on the standby mounting table 144 until the inspection result becomes clear. Can wait. If the wafer W is unloaded from the cleaning / inspection unit 100 in a state where the inspection result is not known, it is necessary to change the transfer destination of the wafer W being transferred according to the inspection result determined thereafter. May have a significant impact. On the other hand, as in the present embodiment, the wafer W after the inspection is caused to wait on the standby mounting table 144 until the inspection result becomes clear, so that the transfer destination of the wafer W after being unloaded from the cleaning inspection unit 100 can be changed. It will not be changed. Therefore, also from this point, it is possible to prevent an increase in the load of transporting the wafer W.

なお、ウェハ検査部142で検査した後のウェハWを待機載置台144に待機させる時間は、必ずしも当該ウェハWの検査結果が判明するまでとする必要はなく、それ以上の時間待機させてもよい。例えば、第5のブロックG5の最上部の洗浄検査ユニット100から最下部の洗浄検査ユニット100に対してこの順で、処理ステーション3から搬送されたウェハWが順次搬入されるとすると、例えば最先に検査結果が判明する最上部の洗浄検査ユニット100での検査結果が上述の「再洗浄」であった場合、このウェハWがウェハ洗浄部141で再度洗浄されている最中に、最上部より下方に配置された他の洗浄検査ユニット100における検査結果が判明する場合がある。かかる場合に、先に検査結果が判明した当該ウェハWを露光装置4側に搬送すると、このウェハWは、再洗浄されているウェハWを追い越して露光装置4に搬送されることとなる。その場合、例えばロット単位で処理レシピに設定されているウェハWの搬送スケジュールと異なった順序でウェハWが露光装置4に搬送されるので、露光装置4がこのウェハWを認識できず、搬送エラーが発生する可能性がある。   The time for waiting the wafer W after being inspected by the wafer inspection unit 142 in the standby mounting table 144 is not necessarily required until the inspection result of the wafer W becomes clear, and may be kept waiting for a longer time. . For example, if the wafers W transferred from the processing station 3 are sequentially loaded in this order from the uppermost cleaning inspection unit 100 to the lowermost cleaning inspection unit 100 of the fifth block G5, for example, the earliest If the inspection result in the uppermost cleaning inspection unit 100 for which the inspection result is found is the above-mentioned “recleaning”, the wafer W is being cleaned again by the wafer cleaning unit 141 from the uppermost part. An inspection result in another cleaning inspection unit 100 disposed below may be found. In such a case, when the wafer W whose inspection result has been found is transferred to the exposure apparatus 4 side, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 by overtaking the wafer W that has been cleaned again. In that case, for example, since the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 in an order different from the transfer schedule of the wafer W set in the processing recipe for each lot, the exposure apparatus 4 cannot recognize the wafer W and a transfer error occurs. May occur.

したがって、上述のように任意のウェハWが「再洗浄」と判定された場合には、当該ウェハWの再洗浄後に再度ウェハ検査部142で検査し、再度待機載置台144に載置後に再検査の検査結果が判明するまで、他の洗浄検査ユニット100においては検査後のウェハWを待機載置台144で待機させておくことが好ましい。このように、待機載置台144でウェハWを待機させる時間を調整することで、「再洗浄」となった場合でもウェハWを予め定められた所定の順序で搬送できる。なお、待機載置台144を、例えば上下方向に多段に設け、洗浄検査ユニット100内に複数のウェハを待機させることができる構成であってもよい。かかる場合、例えば待機載置台144上のウェハWが露光不可と判定された際に、ウェハ搬送機構120や搬送手段143によるウェハ搬送のスケジュールに影響を与えないタイミングとなるまで当該ウェハWを待機載置台144上に載置しておくことで、搬送スケジュールに影響を与えることなくウェハWを回収することが可能となる。また、例えば待機載置台144に、露光可能と判定されたウェハWを例えば複数枚待機させておくようにしてもよい。かかる場合、例えば「再洗浄」と判定されたウェハWを再度洗浄する間に、待機させていた露光可能なウェハWを露光装置4に搬送するようにすれば、常に露光装置4に搬送するウェハWを確保できるので、露光装置4が待ち状態になることを防止できる。   Therefore, when an arbitrary wafer W is determined to be “re-cleaning” as described above, the wafer inspection unit 142 inspects again after the wafer W is re-cleaned, and is re-inspected after being mounted on the standby mounting table 144 again. In other cleaning inspection units 100, it is preferable to wait for the wafer W after the inspection on the standby mounting table 144 until the inspection result of this is found. In this way, by adjusting the time for waiting the wafer W on the standby mounting table 144, the wafer W can be transferred in a predetermined order even when “re-cleaning” is performed. Note that the standby mounting table 144 may be provided in multiple stages in the vertical direction, for example, so that a plurality of wafers can be in standby in the cleaning inspection unit 100. In this case, for example, when it is determined that the wafer W on the standby mounting table 144 cannot be exposed, the wafer W is placed on the standby stage until the timing at which the wafer transfer schedule by the wafer transfer mechanism 120 and the transfer unit 143 is not affected. By placing on the mounting table 144, the wafer W can be recovered without affecting the transfer schedule. Further, for example, a plurality of wafers W determined to be capable of exposure may be made to wait on the standby mounting table 144, for example. In such a case, for example, if the wafer W that has been put on standby is transported to the exposure apparatus 4 while the wafer W determined to be “re-cleaning” is cleaned again, the wafer always transported to the exposure apparatus 4 Since W can be ensured, the exposure apparatus 4 can be prevented from entering a waiting state.

なお、以上の実施の形態では、ウェハ洗浄部141の上方にウェハ検査部142を配置していたが、その反対に、ウェハ洗浄部141をウェハ検査部142上方に配置してもよい。   In the above embodiment, the wafer inspection unit 142 is disposed above the wafer cleaning unit 141. However, the wafer cleaning unit 141 may be disposed above the wafer inspection unit 142.

以上の実施の形態では、洗浄及び検査を終えたウェハWのうち、露光装置4で露光不可と判定されたウェハWを第1の搬送アーム121により搬送し、露光可能と判定されたウェハWを第2の搬送アーム122により搬送するので、露光不可と判定されたウェハWに付着したパーティクルにより第2の搬送アーム122が汚染されることを防止できる。その結果、下流の工程で用いられる各搬送アーム122、131、132や各ユニットを清浄に保つことができる。   In the above embodiment, among the wafers W that have been cleaned and inspected, the wafer W that has been determined to be non-exposure by the exposure apparatus 4 is transferred by the first transfer arm 121, and the wafer W that has been determined to be capable of exposure is transferred. Since the transfer is performed by the second transfer arm 122, it is possible to prevent the second transfer arm 122 from being contaminated by particles adhering to the wafer W determined to be unexposure. As a result, each transfer arm 122, 131, 132 and each unit used in the downstream process can be kept clean.

また、ウェハ搬送装置120、130に複数の搬送アーム121、122、131、132を設けたことにより、各搬送アーム121、122、131、132による搬送工程数を均等化することができる。これにより、ウェハWの搬送時間管理が容易となる。   Further, by providing a plurality of transfer arms 121, 122, 131, 132 on the wafer transfer devices 120, 130, the number of transfer steps by the transfer arms 121, 122, 131, 132 can be equalized. Thereby, the conveyance time management of the wafer W becomes easy.

なお、ウェハ検査部142による検査の結果、ウェハWの状態が、例えば露光装置4での露光が不可と判定された場合、搬送手段143は、例えば裏面にパーティクルが付着した状態のウェハWを搬送していたことになる。そうすると、ウェハWに付着したパーティクルが当該搬送手段143に付着してしまい、次に搬送するウェハWの裏面を汚染してしまうおそれがある。したがって、ウェハ検査部142での検査の結果、ウェハWの状態が露光装置4での露光不可、または再洗浄により露光可能であると判定された場合、当該ウェハWを搬送した後に、搬送手段143を洗浄するようにしてもよい。   Note that, as a result of the inspection by the wafer inspection unit 142, when it is determined that the exposure of the wafer W is not possible, for example, by the exposure apparatus 4, the transfer unit 143 transfers the wafer W with particles attached to the back surface, for example. It would have been. As a result, the particles adhering to the wafer W may adhere to the transfer means 143 and contaminate the back surface of the wafer W to be transferred next. Therefore, as a result of the inspection by the wafer inspection unit 142, when it is determined that the state of the wafer W is not exposed by the exposure apparatus 4 or can be exposed by re-cleaning, the transfer unit 143 is transferred after the wafer W is transferred. You may make it wash | clean.

かかる搬送手段143の洗浄は、例えばウェハ洗浄部141で行ってもよい。かかる場合、例えば搬送手段143を上下に反転自在に構成しておき、当該搬送手段143のウェハWを保持する面を下面に向けた状態で、ブラシ152により洗浄してもよい。また、ブラシ152を上下に反転自在に構成し、搬送手段143洗浄時に当該ブラシ152を反転させてもよい。   Such cleaning of the transfer means 143 may be performed by the wafer cleaning unit 141, for example. In such a case, for example, the transfer unit 143 may be configured to be turned upside down and cleaned with the brush 152 with the surface of the transfer unit 143 holding the wafer W facing the lower surface. Further, the brush 152 may be configured to be reversible up and down, and the brush 152 may be reversed at the time of cleaning the conveying unit 143.

以上の実施の形態では、インターフェイスステーション5に脱水ユニット101を設け、洗浄の際にウェハWに付着した水分を脱水するので、露光装置4への水分の持込を最小限に抑えることができる。なお、脱水ユニット102は必ずしも設ける必要はなく、その設置の有無については、任意に選択できる。   In the above embodiment, since the dehydration unit 101 is provided in the interface station 5 and the water adhering to the wafer W is dehydrated during cleaning, it is possible to minimize the amount of moisture brought into the exposure apparatus 4. Note that the dehydration unit 102 is not necessarily provided, and whether or not the dehydration unit 102 is installed can be arbitrarily selected.

また、第6のブロックG6に脱水ユニット101のみを設けるようにしたので、例えば脱水ユニット101に付随して設けられる処理容器190や排気機構194といった大型で重量の大きい機器の設置場所を、背面側に確保することができる。   In addition, since only the dehydration unit 101 is provided in the sixth block G6, for example, the installation location of a large and heavy device such as the processing container 190 or the exhaust mechanism 194 provided accompanying the dehydration unit 101 is arranged on the rear side. Can be secured.

なお、脱水ユニット101を、第6のブロックG6に代えて、例えば第5のブロックG5に配置してもよい。かかる場合、例えば、洗浄検査ユニット100と脱水ユニット101を、上から下にこの順で交互に設けることが好ましい。
そうすることで、洗浄及び検査を終えたウェハWを、第7のブロックG7を経由することなく、例えば第2の搬送アーム122により直接脱水ユニット101に搬送できる。これにより、ウェハWと各搬送アームとが接触する回数を最小限に抑えることができるので、ウェハWの裏面がパーティクルにより汚染される可能性を、従来よりも低減できる。
Note that the dehydration unit 101 may be arranged in, for example, the fifth block G5 instead of the sixth block G6. In such a case, for example, it is preferable to alternately provide the cleaning inspection unit 100 and the dehydration unit 101 in this order from top to bottom.
By doing so, the wafer W that has been cleaned and inspected can be directly transferred to the dehydration unit 101 by the second transfer arm 122, for example, without going through the seventh block G7. Thereby, since the frequency | count that the wafer W and each conveyance arm contact can be suppressed to the minimum, possibility that the back surface of the wafer W will be contaminated with a particle can be reduced rather than before.

また、脱水ユニット101を、洗浄検査ユニット100の内部に設けてもよい。かかる場合、例えば待機載置台144に代えて脱水ユニット101を筐体140の内部に配置し、ウェハ検査部142で検査を行った後、ウェハWを脱水ユニット101に搬送して脱水処理を行うようにすることが好ましい。そうすることで、ウェハWの検査結果を待っている間に平行して脱水処理を行うことができるので、ウェハ処理のスループットが向上する。   Further, the dehydration unit 101 may be provided inside the cleaning inspection unit 100. In such a case, for example, the dehydration unit 101 is arranged inside the housing 140 instead of the standby mounting table 144, and after the inspection by the wafer inspection unit 142, the wafer W is transferred to the dehydration unit 101 to perform the dehydration process. It is preferable to make it. By doing so, the dehydration process can be performed in parallel while waiting for the inspection result of the wafer W, so that the throughput of the wafer process is improved.

以上の実施の形態では、露光装置4に搬送する前のウェハWの温度調整を温度調整ユニット112により行ったが、ウェハWの温度調整を例えば洗浄検査ユニット100の内部で行ってもよい。かかる場合、例えば図15に示すように、洗浄検査ユニット100の筐体140の天井部に、例えば筐体140内の空気を冷却する冷却機構200を設け、この冷却機構200により筐体140内の雰囲気を所定の温度に調整することで、ウェハWの温度調整が行われる。冷却機構200には、例えば内部に所定の温度の冷媒を通水したラジエータなどを用いることができる。こうすることで、例えばウェハWの検査を終了し、待機載置台144でウェハWを待機させている間に当該ウェハWの温度調整を行うことができる。その結果、ウェハWの温度調整に要する時間を短縮できると共に、温度調整ユニット112への搬送が不要となるので、塗布現像処理システム1のスループットを向上させることができる。また、温度調整ユニット112そのものも不要となるので、インターフェイスステーション5を小型化することができる。   In the above embodiment, the temperature adjustment of the wafer W before being transferred to the exposure apparatus 4 is performed by the temperature adjustment unit 112. However, the temperature adjustment of the wafer W may be performed inside the cleaning inspection unit 100, for example. In such a case, for example, as shown in FIG. 15, a cooling mechanism 200 that cools the air in the housing 140 is provided on the ceiling of the housing 140 of the cleaning inspection unit 100, for example. The temperature of the wafer W is adjusted by adjusting the atmosphere to a predetermined temperature. For the cooling mechanism 200, for example, a radiator or the like in which a coolant having a predetermined temperature is passed can be used. In this way, for example, the inspection of the wafer W is finished, and the temperature of the wafer W can be adjusted while the wafer W is waiting on the standby mounting table 144. As a result, the time required for adjusting the temperature of the wafer W can be shortened, and the conveyance to the temperature adjusting unit 112 is not required, so that the throughput of the coating and developing treatment system 1 can be improved. Further, since the temperature adjustment unit 112 itself is not required, the interface station 5 can be reduced in size.

なお、以上の実施の形態では、搬送手段143の搬送アーム143aとして略U字形状のものを用いた場合について説明したが、搬送アーム143aの形状や種類はかかる実施の形態に限定されず、例えば、搬送アーム143aとして、ウェハWを非接触で保持するベルヌーイチャックなどを用いてもよい。   In the above embodiment, the case where a substantially U-shaped transfer arm 143a is used as the transfer arm 143a of the transfer unit 143 has been described. However, the shape and type of the transfer arm 143a are not limited to this embodiment, and for example, As the transfer arm 143a, a Bernoulli chuck that holds the wafer W in a non-contact manner may be used.

また、例えばウェハ検査部142そのものを上下反転させた状態、即ち検査部142においてウェハWの裏面が上方を向くように当該検査部142を配置してもよい。その場合、例えば搬送アーム143aを水平軸中心に上下方向に反転自在とするように、搬送手段143に回動機構(図示せず)を設けてもよい。いずれの場合においても、筐体140内における機器配置やウェハWの搬送については、当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   Further, for example, the inspection unit 142 may be arranged in a state where the wafer inspection unit 142 itself is turned upside down, that is, in the inspection unit 142 such that the back surface of the wafer W faces upward. In this case, for example, a rotation mechanism (not shown) may be provided in the transport unit 143 so that the transport arm 143a can be turned up and down about the horizontal axis. In any case, with regard to the arrangement of the equipment in the housing 140 and the transfer of the wafer W, those skilled in the art will be able to conceive various changes or modifications within the scope of the idea described in the claims. Obviously, it is obvious that these are also within the technical scope of the present invention.

なお、以上の実施の形態では、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142は、洗浄検査ユニット100の筐体140内に、上下方向に配置されていたが、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142の配置についても本実施の形態に限定されるものではない。例えば図16に示すように、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142を筐体140内に水平方向に配置してもよい。その場合、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間のウェハWの搬送は、例えばウェハ洗浄部141の吸着パッド150にウェハWを保持した状態で枠体153を移動させることにより行ってもよい。そして、吸着パッド150に保持されたウェハWの裏面が、光源181及びカメラ182により検査される。   In the above embodiment, the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142 are arranged in the vertical direction in the housing 140 of the cleaning inspection unit 100. However, the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142 The arrangement is not limited to the present embodiment. For example, as shown in FIG. 16, the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142 may be disposed in the housing 140 in the horizontal direction. In this case, the transfer of the wafer W between the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142 may be performed, for example, by moving the frame 153 while holding the wafer W on the suction pad 150 of the wafer cleaning unit 141. Good. Then, the back surface of the wafer W held on the suction pad 150 is inspected by the light source 181 and the camera 182.

また、例えばウェハWの裏面の検査結果が判明するまで、ウェハWを吸着パッド150により保持するようにしてもよい。そうすると、ウェハWを待機載置部144に搬送する必要がないため、待機載置部144のみならず、搬送手段143も不要となる。そして、再洗浄の際には、吸着パッド150に保持した状態でウェハWをウェハ洗浄部141まで移動させ、洗浄後は吸着パッド150に保持した状態で再びウェハ検査部142に移動させる。また、露光可能あるいは露光不可と判断された場合は、ウェハ洗浄部141の昇降ピン162にウェハWを受け渡し、ウェハ搬送装置120により洗浄検査ユニット100から搬出する。かかる場合、枠体153に支持された吸着パッド150が本実施の形態の搬送手段として機能する。   Further, for example, the wafer W may be held by the suction pad 150 until the inspection result of the back surface of the wafer W is determined. In this case, since it is not necessary to transfer the wafer W to the standby mounting unit 144, not only the standby mounting unit 144 but also the transfer unit 143 becomes unnecessary. When re-cleaning, the wafer W is moved to the wafer cleaning unit 141 while being held on the suction pad 150, and is moved again to the wafer inspection unit 142 while being held on the suction pad 150 after cleaning. When it is determined that exposure is possible or exposure is not possible, the wafer W is delivered to the lift pins 162 of the wafer cleaning unit 141 and is carried out of the cleaning inspection unit 100 by the wafer transfer device 120. In such a case, the suction pad 150 supported by the frame body 153 functions as the conveying means of the present embodiment.

なお、図5に示すように、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142とを上下方向に配置した場合においても、例えば保持アーム180にウェハWを保持した状態で、ウェハWの検査結果が判明するまで当該ウェハWを待機させてもよい。   As shown in FIG. 5, even when the wafer cleaning unit 141 and the wafer inspection unit 142 are arranged in the vertical direction, for example, the inspection result of the wafer W can be found with the wafer W held by the holding arm 180. The wafer W may be kept on standby.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して洗浄処理を行う際に有用である。   The present invention is useful when performing a cleaning process on a substrate such as a semiconductor wafer.

1 塗布現像処理システム
2 カセットステーション
3 処理ステーション
4 露光装置
5 インターフェイスステーション
6 制御装置
10 カセット搬入出部
11 ウェハ搬送部
12 カセット載置台
13 カセット載置板
20 搬送路
21 ウェハ搬送装置
30 下部反射防止膜形成ユニット
31 レジスト塗布ユニット
32 上部反射防止膜形成ユニット
33 現像処理ユニット
40 熱処理ユニット
41 アドヒージョンユニット
42 周辺露光ユニット
50〜56 受け渡しユニット
60〜62 受け渡しユニット
70 ウェハ搬送装置
85 ウェハ搬送装置
90 ウェハ搬送装置
100 洗浄検査ユニット
101 脱水ユニット
110 受け渡しユニット
111 受け渡しユニット
112 温度調整ユニット
120 ウェハ搬送機構
121 第1の搬送アーム
122 第2の搬送アーム
130 ウェハ搬送装置
131 第3の搬送アーム
132 第4の搬送アーム
135 ウェハ搬送制御部
140 筐体
141 ウェハ洗浄部
142 ウェハ検査部
143 搬送手段
144 待機載置台
150 吸着パッド
151 スピンチャック
152 ブラシ
153 枠体
154 上部カップ
154a 開口部
160 シャフト
161 駆動機構
162 昇降ピン
163 支持体
163a 洗浄液ノズル
163b パージノズル
164 駆動機構
170 ドレン管
171 排気管
180 保持アーム
181 光源
182 カメラ
190 処理容器
191 保持部材
192 シャフト
193 昇降機構
194 排気機構
195 排気管
196 パージ管
200 冷却機構
C カセット
D ウェハ搬送領域
F カップ
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating / development processing system 2 Cassette station 3 Processing station 4 Exposure apparatus 5 Interface station 6 Control apparatus 10 Cassette carrying in / out part 11 Wafer conveyance part 12 Cassette mounting stage 13 Cassette mounting plate 20 Conveyance path 21 Wafer conveyance apparatus 30 Lower antireflection film Formation unit 31 Resist coating unit 32 Upper antireflection film forming unit 33 Development processing unit 40 Heat treatment unit 41 Adhesion unit 42 Peripheral exposure unit 50 to 56 Delivery unit 60 to 62 Delivery unit 70 Wafer conveyance device 85 Wafer conveyance device 90 Wafer conveyance Apparatus 100 Cleaning inspection unit 101 Dehydration unit 110 Delivery unit 111 Delivery unit 112 Temperature adjustment unit 120 Wafer transfer mechanism 121 First transfer Feed arm 122 Second transfer arm 130 Wafer transfer device 131 Third transfer arm 132 Fourth transfer arm 135 Wafer transfer control unit 140 Housing 141 Wafer cleaning unit 142 Wafer inspection unit 143 Transfer means 144 Standby mounting table 150 Suction pad 151 Spin Chuck 152 Brush 153 Frame 154 Upper Cup 154a Opening 160 Shaft 161 Drive Mechanism 162 Lifting Pin 163 Support 163a Cleaning Liquid Nozzle 163b Purge Nozzle 164 Drive Mechanism 170 Drain Pipe 171 Exhaust Pipe 180 Holding Arm 181 190 Light Source Container 181 190 Holding member 192 Shaft 193 Lifting mechanism 194 Exhaust mechanism 195 Exhaust pipe 196 Purge pipe 200 Cooling mechanism C Cassette D Wafer transfer area F Cup W Wafer

Claims (24)

基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムであって、
前記インターフェイスステーションは、
基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する基板洗浄部と、
少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する基板検査部と、を有し、
前記基板洗浄部と前記基板検査部は、同一の筐体の内部に配置され、
前記筐体の内部には、前記基板洗浄部と前記基板検査部との間で基板を搬送する搬送手段が設けられていることを特徴とする、基板処理システム。
A substrate processing system comprising: a processing station provided with a plurality of processing units for processing a substrate; and an interface station for transferring the substrate between the processing station and an exposure apparatus provided outside,
The interface station is
A substrate cleaning section for cleaning at least the back surface of the substrate before carrying the substrate into the exposure apparatus;
A substrate inspection unit that inspects at least about the back surface of the substrate after cleaning before inspecting whether the substrate can be exposed to the exposure apparatus;
The substrate cleaning unit and the substrate inspection unit are arranged in the same housing,
The substrate processing system according to claim 1, further comprising a transfer unit configured to transfer a substrate between the substrate cleaning unit and the substrate inspection unit.
前記インターフェイスステーションには、前記基板洗浄部で洗浄した後の基板に付着した水分を除去する脱水ユニットが設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1, wherein the interface station is provided with a dehydrating unit that removes moisture adhering to the substrate after being cleaned by the substrate cleaning unit. 前記基板検査部での検査の結果、基板の状態が、前記基板洗浄部での再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該基板を前記基板洗浄部に再度搬送するように、前記搬送手段を制御する基板搬送制御部を有していることを特徴とする、請求項1〜2のいずれかに記載の基板処理システム。 As a result of the inspection in the substrate inspection unit, if it is determined that the state of the substrate is ready to be exposed by re-cleaning in the substrate cleaning unit, the substrate is transferred to the substrate cleaning unit again. The substrate processing system according to claim 1, further comprising a substrate transfer control unit that controls the transfer means. 前記基板搬送制御部は、前記基板洗浄部に再度搬送されて洗浄された基板を再度基板検査部に搬送するように前記基板搬送機構を制御することを特徴とする、請求項3に記載の基板処理システム。 4. The substrate according to claim 3, wherein the substrate transport control unit controls the substrate transport mechanism to transport the substrate transported and cleaned again to the substrate cleaning unit to the substrate inspection unit. 5. Processing system. 前記インターフェイスステーションには、前記基板検査部で検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の基板を所定の温度に調整する温度調整機構が設けられていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理システム。 The interface station is provided with a temperature adjustment mechanism for adjusting a substrate after being inspected by the substrate inspection unit and before being carried into the exposure apparatus to a predetermined temperature. The substrate processing system in any one of 1-4. 前記温度調整機構は、前記筐体の内部に設けられていることを特徴とする、請求項5に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 5, wherein the temperature adjustment mechanism is provided inside the casing. 前記インターフェイスステーションには、前記基板検査部で検査後の基板を一時的に待機させるバッファ待機部が設けられていることを特徴とする、請求項1〜6に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1, wherein the interface station is provided with a buffer standby unit that temporarily waits for a substrate after inspection by the substrate inspection unit. 前記バッファ待機部は、前記筐体の内部に設けられていることを特徴とする、請求項7に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 7, wherein the buffer standby unit is provided inside the housing. 前記バッファ待機部は、前記検査後の基板の検査結果が判明するまで当該検査後の基板を待機させることを特徴とする、請求項7または8のいずれかに記載の基板処理システム。 9. The substrate processing system according to claim 7, wherein the buffer standby unit waits for the inspected substrate until an inspection result of the inspected substrate is found. 前記筐体の内部には、前記搬送手段を洗浄する搬送手段洗浄機構が設けられていること特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 1, wherein a transport unit cleaning mechanism that cleans the transport unit is provided inside the casing. 前記搬送手段洗浄機構は、前記基板洗浄部が兼用していることを特徴とする、請求項10に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 10, wherein the transport unit cleaning mechanism is also used by the substrate cleaning unit. 基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、
前記インターフェイスステーションは、
基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する基板洗浄部と、
少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する基板検査部と、を有し、
前記基板洗浄部と前記基板検査部は、同一の筐体の内部に配置され、
前記基板洗浄部と前記基板検査部との間の基板の搬送を、前記筐体の内部に設けられた搬送手段により行うことを特徴とする、基板搬送方法。
Substrate transport in a substrate processing system comprising: a processing station provided with a plurality of processing units for processing a substrate; and an interface station for transferring the substrate between the processing station and an exposure apparatus provided outside. A method,
The interface station is
A substrate cleaning section for cleaning at least the back surface of the substrate before carrying the substrate into the exposure apparatus;
A substrate inspection unit that inspects at least about the back surface of the substrate after cleaning before inspecting whether the substrate can be exposed to the exposure apparatus;
The substrate cleaning unit and the substrate inspection unit are arranged in the same housing,
A substrate transfer method, wherein transfer of a substrate between the substrate cleaning unit and the substrate inspection unit is performed by a transfer unit provided inside the housing.
前記インターフェイスステーションには、基板に付着した水分を除去する脱水ユニットが設けられ、
前記基板洗浄部で洗浄した後の基板は、前記脱水ユニットで脱水されることを特徴とする、請求項12に記載の基板搬送方法。
The interface station is provided with a dehydration unit that removes moisture adhering to the substrate,
The substrate transport method according to claim 12, wherein the substrate after being cleaned by the substrate cleaning unit is dehydrated by the dehydration unit.
前記基板検査部での検査の結果、基板の状態が、前記基板洗浄部での再洗浄により露光可能な状態になると判定された場合、当該基板を前記基板洗浄部に再度搬送して洗浄することを特徴とする、請求項12または13のいずれかに記載の基板搬送方法。 As a result of the inspection by the substrate inspection unit, when it is determined that the state of the substrate is ready for exposure by re-cleaning by the substrate cleaning unit, the substrate is again transported to the substrate cleaning unit and cleaned. The substrate transfer method according to claim 12, wherein: 前記基板洗浄部に再度搬送されて洗浄された基板を、再度基板検査部に搬送することを特徴とする、請求項14に記載の基板搬送方法。 The substrate transport method according to claim 14, wherein the substrate transported and cleaned again by the substrate cleaning unit is transported to the substrate inspection unit again. 前記基板検査部で検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の基板を所定の温度に調整することを特徴とする、請求項12〜15のいずれかに記載の基板搬送方法。 The substrate transport method according to claim 12, wherein a substrate after being inspected by the substrate inspection unit and before being carried into the exposure apparatus is adjusted to a predetermined temperature. 前記基板の温度調整は、前記筐体の内部で行われることを特徴とする、請求項16に記載の基板搬送方法。 The substrate transfer method according to claim 16, wherein the temperature adjustment of the substrate is performed inside the housing. 前記基板検査部で検査後の基板を、前記インターフェイスステーションに設けられたバッファ待機部で一次的に待機させることを特徴とする、請求項12〜17に記載の基板搬送方法。 18. The substrate transfer method according to claim 12, wherein the substrate after being inspected by the substrate inspection unit is temporarily held by a buffer standby unit provided in the interface station. 前記バッファ待機部は、前記筐体の内部に設けられていることを特徴とする、請求項18に記載の基板搬送方法。 The substrate transfer method according to claim 18, wherein the buffer standby unit is provided inside the housing. 前記検査後の基板を、前記基板検査部での検査結果が判明するまで前記バッファ待機部にさせることを特徴とする、請求項18または19のいずれかに記載の基板搬送方法。 20. The substrate transfer method according to claim 18, wherein the inspected substrate is caused to be in the buffer standby unit until an inspection result in the substrate inspection unit is determined. 前記筐体の内部には、前記搬送手段を洗浄する搬送手段洗浄機構が設けられていること特徴とする、請求項12〜20のいずれかに記載の基板搬送方法。 21. The substrate transfer method according to claim 12, wherein a transfer means cleaning mechanism for cleaning the transfer means is provided inside the casing. 前記搬送手段洗浄機構は、前記基板洗浄部が兼用していることを特徴とする、請求項21に記載の基板搬送方法。 The substrate transport method according to claim 21, wherein the transport unit cleaning mechanism is also used by the substrate cleaning unit. 請求項12〜22のいずれかに記載の基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるために、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control device that controls the substrate processing system in order to cause the substrate processing system to execute the substrate transport method according to any one of claims 12 to 22. 請求項23に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 23.
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