JP2013093385A - 受光素子、およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical group [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の受光素子10は、半導体基板1上に画素が形成された受光素子であって、光を受光するための受光層3と、受光層内に位置するpn接合15と、画素と該画素の周囲とを溝によって隔てるメサ構造とを備え、メサ構造の溝7の壁面にわたって、pn接合の端が該メサ構造の壁面に露出しないように不純物壁面層8が形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
一方、プレーナ型フォトダイオードと対比されるメサ型フォトダイオードは、次の2つの利点を有する。一つはフィルファクタをプレーナ型フォトダイオードよりも大きく向上することができる点である。もう一つの利点はpn接合をエピタキシャル成長において作り込むのでpn接合位置の制御性に優れていることである。pn接合位置がずれると、感度や応答速度のバイアス電圧依存性が変化するため製品の特性の安定性に影響を及ぼす。逆にメサ型フォトダイオードの欠点は、pn接合がメサ構造の溝の壁面に露出することからリーク電流が増大する傾向がある。
概念的には、上記のようにメサ構造の溝の壁面を保護膜で覆うことで、リーク電流の抑制をはかることは可能かもしれない。
また、メサ構造は、上述のように、pn接合をエピタキシャル成長において作り込むのでpn接合位置の制御性に優れている。pn接合位置がずれると、感度や応答速度のバイアス電圧依存性が変化するため製品の特性の安定性に影響を及ぼすので、pn接合位置を精度よく配置できることは製品のレベルアップに直結する。
なお、上記のpn接合は、次のように、広く解釈されるべきである。受光層内において、画素電極が設けられる不純物領域と接してpn接合を形成する反対導電型領域では、真性半導体とみなせるほど低い不純物領域(i領域と呼ばれる)であってもよい。したがって、画素電極が設けられる領域がp型領域の場合は、pn接合もしくはpi接合でもよく、また画素電極が設けられる領域がn型領域の場合はnp接合もしくはni接合でもよい。すなわち上記のpn接合は、pi接合またはni接合などであってもよく、さらに、これらpi接合またはni接合におけるp濃度またはn濃度が、その接合の位置において非常に低い場合も含むものである。
これによって、画素電極がオーミック接触する領域に大きな影響を及ぼすことなく不純物層を容易に形成することができる。
これによって、pn接合の端の露出を防止しながら、溝の壁面における結晶性の低下を防止し、かつ、たとえばバッファ層に画素電極と対をなすグランド電極を設けるときにそのグランド電極の導電性を阻害しないようにできる。
受光層が、(InGaAs/GaAsSb)、(InAs/GaSb)などの多重量子井戸構造を有する場合、5e17cm−3よりも高い不純物濃度では、多重量子井戸が崩れて結晶性が劣化して、逆にリーク電流が増える。
バッファ層には画素電極と対をなす電極(グランド電極)を形成する場合がある。グランド電極なので画素ごとに設ける必要はなく、すべての画素に共通に1つのグランド電極を設ける。少なくともこのグランド電極を形成する位置は、第2導電型を維持しておく必要がある。この場合、半導体基板は、第2導電型でも半絶縁性でも、どちらでもよい。
また、第2導電型とした半導体基板の裏面にグランド電極を設ける場合もあるが、この場合もバッファ層は第2導電型を維持しておかないと、pn接合に逆バイアス電圧をかけにくくなる。
上記の構成は、溝の壁面に画素領域と同じ導電型の不純物を導入してpn接合を保護する。しかし、pn接合の保護のためには、溝の壁面に、画素領域と反対導電型の不純物を導入してもよい。これによって、不純物層を形成する上での選択肢を増やすことができる。
不純物層を被覆する被覆層をさらに設けることで、保護の程度を高めることができる。
これによって、InP基板等を用いて、近赤外〜赤外域を受光対象として、電流リークが少なく感度が高い受光素子を得ることができる。
これによって、使用実績が豊富で、多くの関連データが蓄積されているZnを用いて、高精度で能率良く、電流リークが少なく感度が高い受光素子を得ることができる。
多重量子井戸構造ではメサエッチングによって形成された溝の壁面に微細な凹凸が顕著に生じやすい。半導体膜や保護膜などによって、壁面を被覆しようとしても微細な凹凸を完全に覆い切れるものではない。一方、本発明の不純物を壁面に導入して不純物壁面層を形成する場合、不純物は凹凸表面に侵入して、凹凸表面を被覆し、かつ、間違いなくpn接合の端の露出を防止することができる。このため、本発明の受光素子は、多重量子井戸構造の受光層を備える場合に非常に好適である。InGaAs/GaAsSbのタイプ2多重量子井戸構造の受光層は、水、生体、食品等の重要な吸収スペクトルが位置する近赤外域〜赤外域に良好な感度をもつ。要は、近赤外域〜赤外域に良好な感度をもち、かつ電流リークが小さい受光素子を得ることができる。また、上記の波長域は宇宙光などの波長域にも該当するので、夜間の視界支援装置にも有用である。
これによって、不純物壁面層を簡単にメサ構造の溝壁面に形成することができる。上記したように、不純物をメサ構造の壁面に導入するプロセスは、隙間などを生じる余地はなく、また、この不純物導入プロセス自体、半導体層や保護膜を溝の壁面に形成するプロセスよりも、非常に容易である。これにより、簡単なプロセスによって確実にpn接合の露出を防止して電流リークを抑制することができる。
上述のように、この受光素子は単一の画素からなる受光素子でもよいし、複数の画素がアレイ化された受光素子でもよい。メサ構造の溝の配置については、上記したとおりである。
これによってメサ構造および不純物壁面層を効率的に設けることができる。マスクパターンはSiNなどで形成されるのがよい。
図1は、本発明の実施の形態1における受光素子を示す図であり、複数の画素がアレイ化された受光素子10である。ただし本発明は、図1に示すような複数の画素がアレイ化された受光素子だけでなく、単一の画素(単一の受光素子部)からなる受光素子も含む。
図1によれば、受光素子10は次のIII−V族半導体積層構造を備える。
(InP基板1/InPバッファ層2/InGaAsとGaAsSbとのタイプ2MQW受光層3/InGaAs濃度分布調整層4/InP窓層5)
上記のエピタキシャル積層体を形成するとき、図1に示すような分布に合わせて不純物をドーピングしてpn接合15を受光層3に形成する。InP窓層5には、画素電極またはp側電極11をオーミック接触させるため1e18cm−3程度の高濃度(p+)のZnを導入するのがよい。また、MQW受光層3にとって高濃度のp型不純物は結晶性劣化の原因になるので、5e16cm−3以下に低く抑えるのが望ましい。エピタキシャル成長中のドーピングにおいて、不純物はエピタキシャル成長中にもMQW受光層3内へ熱拡散して結晶性を低下させる。このため、低濃度不純物のMQW受光層3からその上のエピタキシャル層へと急峻に不純物濃度を高めることは好ましくない。ただし、エピタキシャル成長温度が500℃より低温では熱拡散を抑えることができるので、その場合には濃度分布調整層4は無しで済ますこともできる。
バッファ層2は、画素電極11と対をなすグランド電極を設けるためにn+型領域とする。
画素Pの独立性を得るために、画素Pの間に溝7を設けたメサ構造を有する。その上で、溝7の壁面にわたってZnを導入したp型壁面層8を形成する。p型壁面層8における不純物は、言うまでもなく、画素電極11がオーミック接触するInP窓層5の導電型と同じである。しかも、上述のようにpn接合15は、低濃度のp−型領域3aとi型領域3bとで形成される。このi型領域3bでは、不純物を導入しないにも関わらず、n型キャリアが2e15cm−3程度分布するのが普通である。p型壁面層8は、このi型領域3bのn型キャリア2e15cm−3程度を相殺してp型領域とするのに必要なp型不純物濃度を持たなければならない。このために、p型壁面層8は、たとえば5e15cm−3以上、またより確実には1e16cm−3程度以上のp型不純物濃度とするのがよい。一方、p型壁面層8のp型不純物濃度が5e17cm−3を超えると多重量子井戸構造の結晶性が劣化してかえって電流リークが増大するおそれを生じる。このため、p型壁面層8のp型不純物濃度は5e15cm−3以上もしくは1e16cm−3程度以上で、5e17cm−3以下とするのがよい。また、p型壁面層8は、厚みは0.1μm〜1μm程度とすることで、確実に、pn接合15の端が溝の壁面に露出することを防止することができる。
p型不純物を溝7の壁面に導入するだけなので、別の半導体膜や保護膜などで被覆しようとする場合に比べて、隙間などを生じる余地はない。これによって、メサ構造によってフィルファクタを向上させながら、電流リークを簡単な構造によって確実に抑制することができる。フィルファクタは、たとえば画素ピッチ30μmの場合、従来のプレーナ型では半径9μm程度の円(面積254μm2)でフィルファクタ28%であったのに対して、メサ構造では24μm×24μmの正方形(面積576μm2)でフィルファクタ64%と画期的に向上させることができる。
なお、図1に示すように、InPバッファ層2はn導電型であり、n型キャリア濃度が1e18cm−3程度とされている。このため、上記のp型壁面層8のp型不純物濃度5e17cm−3以上もしくは1e16cm−3程度以上で、5e17cm−3以下が導入されても、バッファ層2の導電型が反転したり、導電性に大きな変化が生じることはない。
本実施の形態における受光素子10では、画素電極11が配置される窓層5の領域はp導電型であり、不純物壁面層8はp導電型であり、両者が同じ導電型の場合である。
しかし、微細な凹凸があっても、不純物の導入では、図2(b)に示すように凹凸の凹状角部や凹壁面からも不純物が拡散してMQW受光層3内に侵入する。このため不純物侵入のフロントラインは、凸部と凹部とがあっても平均化されて滑らかになり、どこの表面からも必ず所定深さ侵入することになる。このため、凹凸があっても不純物壁面層8は問題なく所定深さ形成することができ、隙間が発生する余地はない。
図5は、本発明の実施の形態2における受光素子を示す図であり、複数の画素がアレイ化された受光素子10である。本実施の形態は、受光層3は単一のIII−V族化合物半導体で形成される。受光層3が単一の半導体層であっても、メサ構造の壁面に、別の半導体膜等を被覆しても完全に覆うことは難しい。それは、溝7という狭隘な箇所なので、被覆膜となる物質の流れにおいて死角となる場所が生じるのは避けられず、また物質流自体が干渉等を生じるからである。これは、半導体膜が形成され厚みを増すほど深刻な問題となる。このため、隙間等は避けられない。この点、上記のように不純物の導入は隙間など生じる余地はなく、p型不純物の導入が進行しても溝7の空間は変化しない。このため容易にp型壁面層8を形成することができ、pn接合またはpi接合15の端の露出を防止することができる。p型壁面層8のp型不純物濃度および厚みについては、実施の形態1と同じである。ただし、受光層3においてMQWに起因する凹凸がないので、深さまたは厚みは少し小さくしてもよい。また、濃度分布調整層4についても、受光層3がMQWではないので必要性は小さくなる。製造方法については、受光層3以外は実施の形態1と同じである。
図6は、本発明の実施の形態3における受光素子を示す図であり、複数の画素がアレイ化された受光素子10である。本実施の形態における積層構造は次のとおりである。
(p+型GaSb基板1/p+GaSbバッファ層2/InAsとGaSbとのタイプ2MQW受光層3/n+型InAs窓層5)
タイプ2(InAs/GaSb)MQW受光層3は、カットオフ波長3μm以上であり、近赤外〜中赤外(たとえば波長3μm〜12μm)の光に受光感度をもつ。このMQWは、たとえば単一の(InAs/GaSb)を1ペアとして、100〜300ペア程度形成されるのがよい。InAsおよびGaSbの厚みは、1nm〜10nmの範囲、たとえば3nm程度とするのがよい。全体のMQW3のうち、InAs窓層5側の数十ペア3aをn−型層とするためにSiなどのn型不純物をInAsにドープするのがよい。また、GaSb基板1側の数十ペア3cのGaSbにはp型不純物たとえばBeをドープするのがよい。両方の中間の層3bは、i(intrinsic)型とするために不純物をドープしない。すなわちMQW受光層3を、上から順にn−型3a/i型3b/p−型3cとする。このようなMQW中の導電型分布の形成によって、nipフォトダイオードを得ることができる。pn接合またはni接合は、上記の不純物ドープまたはアンドープにより、MQW3内に形成される。すなわち上記のpn接合またはni接合は、成膜中の不純物ドープの有無または不純物種の切り換え、の界面により形成される。
また、窓層5にはInAs層を用い、n型不純物濃度は、上記の画素電極11がオーミック接触するように1e18cm−3程度の高濃度にするのがよい。
光は、GaSb基板1の裏面から入射される。GaSb基板1は赤外光を吸収しやすいので、吸収を減らすためにGaSb基板1を数十μm程度の厚みになるように研磨等で薄くする。次いで入射光の反射を防止するためにAR(Anti-reflection)膜35で研磨したGaSb基板1の裏面を被覆する。
本実施の形態における特徴は、実施の形態において示した<本実施の形態におけるポイント>がそのまま当てはまる。図2(a)および(b)で説明したことも適用される。
図7は、本発明の実施の形態4における受光素子を示す図であり、複数の画素がアレイ化された受光素子10である。この受光素子10では、実施の形態1と、導電型も含めて同じエピタキシャル積層構造を有した上で、壁面層の導電型が画素領域のp導電型と逆のn型である点で相違する。すなわち、エピタキシャル積層構造は次のとおりである。
(InP基板1/InPバッファ層2/InGaAsとGaAsSbとのタイプ2MQW受光層3/InGaAs濃度分布調整層4/InP窓層5)
電極などの配置および材料についても実施の形態1と同じである。
図8(a)および(b)は、本発明のポイントを説明するための図である。(a)はマスクパターン36の配置下でn型不純物を導入した状態を示す図であり、(b)はpn接合またはpi接合15の端の部分の拡大図である。本実施の形態では、メサ構造の溝7の壁面にわたって、画素領域またはInP窓層5のp導電型と逆のシリコン(Si)などのn型不純物を導入して、n型壁面層8を形成する。
上述のようにpn接合15は、低濃度のp−型領域3aとi型領域3bとの界面に形成される。このp−型領域3aでは、p型不純物濃度は5e16cm−3以下、通常1e16cm−3以下とする。これは、InGaAs/GaAsSbタイプ2MQWの結晶性を良好に保つために必要である。n型壁面層8は、このp−型領域3aのp型不純物濃度5e16cm−3程度を相殺してn型領域とするのに必要なn型不純物濃度を持たなければならない。このために、n型壁面層8は、たとえば5e16cm−3程度以上のn型不純物濃度とするのがよい。また、n型壁面層8のn型不純物濃度が5e17cm−3を超えると結晶性が劣化してかえって電流リークが増大するおそれを生じる。このため、n型壁面層8のn型不純物濃度は5e16cm−3以上5e17cm−3以下とするのがよい。そしてn型壁面層8は、厚みは0.1μm〜1μm程度とすることで、確実に、pn接合15の端が溝の壁面に露出することを防止することができる。
図7および図8(a)に示すように、InPバッファ層2はn導電型であり、溝7に露出している部分にn型不純物が導入されても、まったく影響はない。
実施の形態1と実施の形態4とは、不純物壁面層8の導電型が相違するだけで、その他の部分はまったく同じである。本実施の形態によって、不純物壁面層8の導電型の選択肢を広げることができる。
図9は、本発明の実施の形態5における受光素子を示す図であり、複数の画素がアレイ化された受光素子10である。この受光素子10では、実施の形態2と保護膜9がプラスされている点でのみ相違する。実施の形態2において説明した不純物壁面層8による保護に加えて、プラスされた保護膜9によって、より手厚い保護を得ることができる。保護膜9は、半導体膜でもSiN、SiOxなどの絶縁膜であってもよい。厚みは0.1μm〜0.5μm程度とするのがよい。
Claims (12)
- 半導体基板上に画素が形成された受光素子であって、
光を受光するための受光層と、
前記受光層内に位置するpn接合と、
前記画素と該画素の周囲とを溝によって隔てるメサ構造とを備え、
前記メサ構造の溝の壁面にわたって、前記pn接合の端が該溝の壁面に露出しないように不純物壁面層が形成されていることを特徴とする、受光素子。 - 前記画素は、前記pn接合に対して前記半導体基板と反対側に第1導電型領域を含み、該第1導電型領域に第1導電側電極がオーミック接触しており、前記メサ構造の溝の壁面に、第1導電型の不純物が導入された第1導電型壁面層が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の受光素子。
- 前記pn接合から前記半導体基板側の受光層の範囲における前記第1導電型壁面層の第1導電型不純物の濃度が、前記第1導電側電極がオーミック接触している領域の第1導電型不純物の濃度よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載の受光素子。
- 前記pn接合から前記半導体基板側の受光層の範囲における前記第1導電型壁面層の第1導電型不純物の濃度が5e17cm−3以下であることを特徴とする、請求項3に記載の受光素子。
- 前記半導体基板に接して第2導電型のバッファ層を備え、該バッファ層は前記メサ構造の溝に露出する部分を有し、該溝に露出する表面に前記第1導電型壁面層と同じ第1導電型不純物が導入されながら、前記第2導電型を維持することを特徴とする、請求項2〜4のいずれか1項に記載の受光素子。
- 前記画素は、前記pn接合に対して前記半導体基板と反対側に第1導電型領域を含み、該第1導電型領域に第1導電側電極がオーミック接触しており、前記メサ構造の溝の壁面に、第2導電型の不純物が導入された第2導電型壁面層が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の受光素子。
- さらに、前記メサ構造の溝の不純物壁面層を覆うように被覆層が形成されていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の受光素子。
- 前記受光素子はIII−V族半導体基板上における前記受光層を含むIII−V族半導体積層体によって形成されることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の受光素子。
- 前記第1導電型不純物が亜鉛(Zn)であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の受光素子。
- 前記受光層が、InGaAs/GaAsSbのタイプ2多重量子井戸構造を有することを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の受光素子。
- 画素を有する受光素子の製造方法であって、
半導体基板上に、光を受光するための受光層を含む半導体積層体を形成する工程と、
前記画素となる領域を周囲から隔てるように溝を設けてメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造の溝の壁面に不純物を導入して不純物壁面層を形成する工程とを備えることを特徴とする、受光素子の製造方法。 - 前記メサ構造の形成工程において、前記溝の部分に開口を有するマスクパターンを設けてドライエッチングにより該溝を設け、次いで、前記不純物壁面層の形成工程において、前記マスクパターンをそのままにして前記溝が設けられた中間品を不純物を導入するための炉に入れて、前記マスクパターンをマスクとして前記不純物壁面層を形成することを特徴とする、請求項11に記載の受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011233261A JP6176585B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 受光素子、およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013093385A true JP2013093385A (ja) | 2013-05-16 |
JP6176585B2 JP6176585B2 (ja) | 2017-08-09 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011233261A Active JP6176585B2 (ja) | 2011-10-24 | 2011-10-24 | 受光素子、およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6176585B2 (ja) |
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