JP2013077694A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ストリートに沿って裏面から所定厚さの改質層が形成されたウエーハを、分割装置を用いることなくストリートに沿って分割し、さらに改質層を除去するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数のデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハ2の表面に保護テープ3を貼着する工程と、ウエーハの保護テープ側をレーザ加工装置のチャックテーブル51の保持面上にウエーハを吸引保持し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿ってウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに至らない深さの改質層210を形成する工程と、ウエーハに空気圧を作用せしめることによりウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割する工程と、ウエーハの裏面を研削し改質層を除去する工程とを含む。
【選択図】図8

Description

本発明は、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のデバイスに分割するものである。(例えば、特許文献1参照。)
しかるに、上記特許文献1に記載された分割方法によって分割された個々のデバイスの側面には改質層が残存するため、デバイスの抗折強度が低下してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
このような問題を解消するために、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射することによりウエーハの裏面から所定厚さの改質層を形成し、ウエーハを改質層が形成されたストリートに沿って分割した後に、ウエーハの裏面を研削し改質層を除去するウエーハの加工方法が提案されている。(例えば、特許文献2参照。)
特許第3408805号公報 特開2005−86161号公報
上記特許文献2に開示されたウエーハの加工方法においては、ストリートに沿って裏面から所定厚さの改質層が形成されたウエーハを、改質層が形成されたストリートに沿って分割するための分割装置を別途用意する必要がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、分割装置を用いることなくストリートに沿って裏面から所定厚さの改質層が形成されたウエーハを改質層が形成されたストリートに沿って分割し、分割されたウエーハの裏面を研削し改質層を除去するウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハを保持する保持面を有し該保持面に負圧と空気圧を作用可能に構成されたチャックテーブルを備えたレーザー加工装置を用い、該チャックテーブルの該保持面にウエーハの保護テープ側を載置して該保持面に負圧を作用させることにより該保持面上にウエーハを吸引保持し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿ってウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに至らない深さの改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程が実施されたウエーハを吸引保持している該チャックテーブルによる吸引保持を解除するとともに、該保持面に載置されたウエーハの水平面内での移動を規制しつつウエーハに空気圧を作用せしめることによりウエーハを改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割行程と、
該ウエーハ分割行程が実施されたウエーハの裏面を研削し、ウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成することにより改質層を除去する改質層除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
また、本発明によれば、表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿ってウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに至らない深さの改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハを保持する保持面を有し該保持面に負圧と空気圧を作用可能に構成されたチャックテーブルを備えた研削装置を用い、該チャックテーブルの該保持面に該改質層形成工程が実施されたウエーハの保護テープ側を載置し、該保持面に載置されたウエーハの水平面内での移動を規制しつつ空気圧を作用せしめることによりウエーハを改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割行程と、
該分割行程を実施した後に、該研削装置の該チャックテーブルの該保持面に負圧を作用させることにより該保持面上にウエーハを吸引保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成することにより改質層を除去する改質層除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
上記保護テープ貼着工程を実施した後で上記改質層形成工程を実施する前にウエーハの裏面を研削して、ウエーハを改質層形成工程において適正な改質層が形成できる所定の厚みに形成する予備研削工程を実施することが望ましい。
本発明においては、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿ってウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに至らない深さの改質層を形成する改質層形成工程を実施した後、該改質層形成工程を実施したレーザー加工装置のチャックテーブル上、または改質層除去工程を実施する研削装置のチャックテーブル上においてウエーハの水平面内での移動を規制しつつ空気圧を作用せしめることによりウエーハを改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割行程を実施するので、別途分割装置を用いることなくストリートに沿って裏面から所定厚さの改質層が形成されたウエーハを改質層が形成されたストリートに沿って確実に分割することができる。
本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における保護テープ貼着工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における予備研削工程を実施するための研削装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における予備研削工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図および断面図。 本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成行程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を実施する際に用いる搬送手段の要部断面図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における改質層除去工程を実施するための研削装置の要部斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法における改質層除去工程を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の他の実施形態を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ移し替え工程の一実施形態を示す説明図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるピックアップ工程を実施するためのピックアップ装置の斜視図。 本発明によるウエーハの加工方法におけるピックアップ工程を示す説明図。
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、厚みが例えば600μmのシリコンウエーハからなっており、表面2aに複数のストリート21が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート21によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス22が形成されている。以下、この半導体ウエーハ2をストリート21に沿って個々のデバイス22に分割するウエーハの加工方法について説明する。
先ず、半導体ウエーハ2の表面2aに形成されたデバイス22を保護するために、半導体ウエーハ2の表面2aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図2に示すように半導体ウエーハ2の表面2aに保護部材としての保護テープ3を貼着する。なお、保護テープ3は、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ5μm程度塗布されている。
半導体ウエーハ2の表面2aに保護部材としての保護テープ3を貼着したならば、半導体ウエーハ2の保護部材側を研削装置のチャックテーブルに保持し、半導体ウエーハ2の裏面を研削して後述する改質層形成工程において適正な改質層が形成できる所定の厚みに研削する予備研削工程を実施する。この予備研削工程は、図3に示す研削装置4を用いて実施する。図3に示す研削装置4は、被加工物を保持するチャックテーブル41と、該チャックテーブル41に保持された被加工物を研削する研削手段42を具備している。チャックテーブル41は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図3において矢印41aで示す方向に回転せしめられる。研削手段42は、スピンドルハウジング421と、該スピンドルハウジング421に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル422と、該回転スピンドル422の下端に装着されたマウンター423と、該マウンター423の下面に取り付けられた研削ホイール424とを具備している。この研削ホイール424は、円環状の基台425と、該基台425の下面に環状に装着された研削砥石426とからなっており、基台425がマウンター423の下面に締結ボルト427によって取り付けられている。
上述した研削装置4を用いて上記研削工程を実施するには、図3に示すようにチャックテーブル41の上面(保持面)に上記保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル41上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸引保持したならば、チャックテーブル41を図3において矢印41aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段42の研削ホイール424を図3において矢印424aで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて、図4に示すように研削砥石426を被加工面である半導体ウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、研削ホイール424を図3および図4において矢印424bで示すように例えば1μm/秒の研削送り速度で下方(チャックテーブル41の保持面に対し垂直な方向)に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ2の裏面2bが研削されて半導体ウエーハ2は所定の厚み(例えば100μm)に形成される。
次に、所定の厚みに研削された半導体ウエーハ2の保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、半導体ウエーハ2の裏面側から半導体ウエーハ2に対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射し、半導体ウエーハ2の内部にストリートに沿ってウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに至らない深さの改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図5の(a)および(b)に示すレーザー加工装置5を用いて実施する。図5に示すレーザー加工装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52と、チャックテーブル51上に保持された被加工物を撮像する撮像手段53を具備している。
チャックテーブル51は、図5の(b)に示すように円柱状の本体511と、該本体511の上面に配設された通気性を有するポーラスなセラミック部材からなる吸着チャック512とからなっている。本体511はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、その上面には円形の嵌合凹部511aが設けられている。この嵌合凹部511aには、底面の外周部に吸着チャック512が載置される環状の載置棚511bが設けられている。また、本体511には嵌合凹部511aに開口する通路511cが設けられている。このように構成されたチャックテーブル51は、通路511cが吸引手段513および圧縮空気供給手段514に接続されている。吸引手段513は、吸引源513aと、該吸引源513aと通路511cとを接続する配管513bに配設された電磁開閉弁513cとからなっている。この電磁開閉弁513cは、除勢(OFF)している状態では閉路しており、附勢(ON)すると開路するようになっている。従って、電磁開閉弁613cが附勢(ON)されると、配管513b、通路511c、嵌合凹部511aを介して吸着チャック512の上面である保持面に負圧が作用し、吸着チャック512の上面である保持面に載置された被加工物が吸引保持される。また、圧縮空気供給手段514は、圧縮空気源514aと、該圧縮空気源514aと通路511cとを接続する配管514bに配設された電磁開閉弁514cとからなっている。この電磁開閉弁514cは、除勢(OFF)している状態では閉路しており、附勢(ON)すると開路するようになっている。従って、電磁開閉弁514cが附勢(ON)されると、配管514b、通路511c、嵌合凹部511aを介して吸着チャック512の上面である保持面に空気圧が作用し、吸着チャック512の上面である保持面に載置された被加工物に空気圧が作用せしめられる。このように構成されたチャックテーブル51は、図示しない移動機構によって図5の(a)において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521の先端に装着された集光器522からパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の先端部に装着された撮像手段53は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置5を用いて実施する改質層形成工程について、図5および図6を参照して説明する。
この改質層形成工程は、先ず上述した図5に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上に上記予備研削工程が実施された半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。そして、吸引手段513の電磁開閉弁513cを附勢(ON)して開路することにより、吸着チャック512の上面である保持面に負圧を作用し、吸着チャック512の上面である保持面に保護テープ3を介して半導体ウエーハ2を吸引保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル51上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない加工送り手段によって撮像手段53の直下に位置付けられる。
チャックテーブル51が撮像手段53の直下に位置付けられると、撮像手段53および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段53および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されているストリート21と、ストリート21に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ2に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート21に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ2のストリート21が形成されている表面2aは下側に位置しているが、撮像手段53が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面2bから透かしてストリート21を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル51上に保持されている半導体ウエーハ2に形成されているストリート21を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図6の(a)で示すようにチャックテーブル51をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート21の一端(図6の(a)において左端)をレーザー光線照射手段52の集光器522の直下に位置付ける。次に、集光器522から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ2の表面2a(下面)からデバイスの仕上がり厚さSに相当する位置より裏面2b(上面)側に合わせる。即ち、デバイスの仕上がり厚さ(t)が50μmの場合には、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ2の表面2a(下面)から例えば75μm上方の位置に合わせる。そして、集光器522からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル51即ち半導体ウエーハ2を図6の(a)において矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図6の(b)で示すようにレーザー光線照射手段52の集光器522の照射位置がストリート21の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51即ち半導体ウエーハ2の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ2の内部には、ストリート21に沿って表面2a(下面)から例えば50μm上方の位置より裏面2b(上面)側に厚みが例えば50μmの改質層210が形成される。この改質層210は、溶融再固化層として形成される。なお、上記改質層形成工程を実施し半導体ウエーハ2の内部にストリート21に沿って改質層210を形成すると、図6の(c)に示すように改質層210の上端から半導体ウエーハ2の裏面2b(上面)側にクラック211が容易に発生するが、改質層210の下端から半導体ウエーハ2の表面2a(下面)側にはクラックを発生させることは困難である。
上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :1W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
上述したように所定のストリート21に沿って上記改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル51を矢印Yで示す方向に半導体ウエーハ2に形成されたストリート21の間隔だけ割り出し移動し(割り出し工程)、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全てのストリート21に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル51を90度回動せしめて、上記所定方向に形成されたストリート21に対して直交する方向に延びるストリート21に沿って上記改質層形成工程を実行する。
次に、改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ2を吸引保持しているチャックテーブル51による吸引保持を解除するとともに、保持面に載置された半導体ウエーハ2に空気圧を作用せしめることにより半導体ウエーハ2を改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割行程を実施する。この分割行程は、チャックテーブル51の保持面に載置された半導体ウエーハ2の外周縁を、図7に示す搬送手段6によってガイドしつつ実施する。図7に示す搬送手段6は、吸引保持パッド61と、該吸引保持パッド61を支持する作動アーム62を具備している。吸引保持パッド61は、円盤状の基台611とパッド612とからなっている。基台611は適宜の金属材によって構成され、その上面中央部には支持軸部611aが突出して形成されており、この支持軸部611aが作動アーム62の先端部に装着される。支持軸部611aの上端には係止部611bが設けられており、この係止部611bが作動アーム62に形成された係合部622aと係合するようになっている。なお、基台611の上面と作動アーム62との間には圧縮コイルばね63が配設され、基台611を下方に向けて付勢している。
吸引保持パッド61を構成する基台611は、下方が開放された円形状の凹部611cを備えている。この凹部611cにポーラスなセラミックス部材によって円盤状に形成されたパッド612が嵌合されている。このようにして基台611の凹部611cに嵌合されたパッド612の下面は、被加工物を吸引保持する吸着面として機能する。吸引保持パッド61を構成する基台611に形成された円形状の凹部611cは、支持軸部611aに設けられた連通路611dを介して作動アーム62内に配設されたフレキシブルパイプ等の配管64に接続されている。なお、配管64は図示しない吸引手段に接続されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、配管64、連通路611d、基台611の凹部611cを介してパッド612の下面(吸着面)に負圧が作用せしめられ、該パッド612の下面(吸着面)に被加工物を吸引保持することができる。
上記吸引保持パッド61を構成する基台611の外周部には、上下方向に貫通する3個の移動規制棒案内穴611eが互いに120度の角度差をもって設けられている。この3個の移動規制棒案内穴611eには、それぞれ移動規制棒65が摺動可能に挿入されている。
上述した搬送手段6を用いてチャックテーブル51の保持面に載置された半導体ウエーハ2の外周縁を移動規制しつつ分割行程を実施するには、図8の(a)に示すようにチャックテーブル51上において吸引保持が解除された改質層形成工程が実施されている半導体ウエーハ2の外周縁の外側に位置付けた3個の移動規制棒65の下端をチャックテーブル51の上面に載置する。このようにして、3個の移動規制棒65によってチャックテーブル51上に載置されている半導体ウエーハ2の水平方向の移動を規制した状態で、図8の(b)に示すように圧縮空気供給手段514の電磁開閉弁514cを附勢(ON)して開路する。従って、配管514b、通路511c、嵌合凹部511aを介して吸着チャック512の上面である保持面に空気圧が作用し、吸着チャック512の上面である保持面に載置された半導体ウエーハ2に空気圧が作用せしめられる。この結果、半導体ウエーハ2には上述したように改質層210の上端から裏面2b(上面)側にクラック211が発生しているので、表面2a(下面)に貼着された保護テープ3に作用する空気圧によって上側に凸状に容易に湾曲するため、図8の(c)に示すように改質層210の下端から表面2a(下面)側にはクラック212が発生し、半導体ウエーハ2は改質層210が形成されたストリート21に沿って個々のデバイス22に分割される。
上述した分割工程を実施したならば、圧縮空気供給手段514の電磁開閉弁514cを除勢(OFF)して閉路する。この結果、個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2は、チャックテーブル51上に載置された状態となる。次に、搬送手段6の吸引保持パッド61を下降させパッド612の下面(吸着面)を個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2の裏面2b(上面)に接触させ図示しない吸引手段を作動することにより、パッド612の下面(吸着面)に個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2を吸引保持する。このようにパッド612の下面(吸着面)に半導体ウエーハ2を吸引保持した搬送手段6は、個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2を次工程に搬送する。
上述したように分割工程を実施したならば、ウエーハ分割行程が実施された半導体ウエーハ2の裏面を研削し、半導体ウエーハ2をデバイスの仕上がり厚みに形成することにより改質層を除去する改質層除去工程を実施する。この改質層除去工程は、図9に示す研削装置40を用いて実施する。なお、図9に示す研削装置40は上記図3に示す研削装置4と実質的に同様の構成であるため、同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。
上述した研削装置40を用いて上記改質層除去工程を実施するには、図9に示すようにチャックテーブル41の上面(保持面)に上記分割工程が実施された半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル41上に個々のデバイス22に分割されている半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル41上に保持された個々のデバイス22に分割されている半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル41上に個々のデバイス22に分割されている半導体ウエーハ2を吸引保持したならば、チャックテーブル41を図9において矢印41aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段42の研削ホイール424を図9において矢印424aで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて、図10に示すように研削砥石426を被加工面である個々のデバイス22に分割されている半導体ウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、研削ホイール424を図9および図10において矢印424bで示すように例えば0.5μm/秒の研削送り速度で下方(チャックテーブル41の保持面に対し垂直な方向)に所定量研削送りする。この結果、個々のデバイス22に分割されている半導体ウエーハ2の裏面2bが研削されて半導体ウエーハ2は仕上がり厚み(例えば50μm)に形成される。この改質層除去工程においては、半導体ウエーハ2を仕上がり厚みである50μmまで研削することにより改質層210を除去する。なお、個々のデバイス22に分割された複数のデバイス22は、その表面に保護テープ3が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ2の形態が維持されている。
ここで、本発明の他の実施形態について説明する。
上述した実施形態においては、上記分割工程を改質層形成工程を実施したレーザー加工装置5のチャックテーブル51上において実施した例を示したが、他の実施形態においては上記改質層除去工程を実施する研削装置40のチャックテーブル41上で実施する。このため、研削装置40のチャックテーブル41は、上記レーザー加工装置5のチャックテーブル51と同様に構成されている。即ち、チャックテーブル41は、図11の (a)に示すように円柱状の本体411と、該本体411の上面に配設された通気性を有するポーラスなセラミック部材からなる吸着チャック412とからなっている。本体411はステンレス鋼等の金属材によって形成されており、その上面には円形の嵌合凹部411aが設けられている。この嵌合凹部411aには、底面の外周部に吸着チャック412が載置される環状の載置棚411bが設けられている。また、本体411には嵌合凹部411aに開口する通路411cが設けられている。このように構成されたチャックテーブル41は、通路411cが吸引手段413および圧縮空気供給手段414に接続されている。吸引手段413は、吸引源413aと、該吸引源413aと通路411cとを接続する配管413bに配設された電磁開閉弁413cとからなっている。この電磁開閉弁413cは、除勢(OFF)している状態では閉路しており、附勢(ON)すると開路するようになっている。従って、電磁開閉弁413cが附勢(ON)されると、配管413b、通路411c、嵌合凹部411aを介して吸着チャック412の上面である保持面に負圧が作用し、吸着チャック412の上面である保持面に載置された被加工物が吸引保持される。また、圧縮空気供給手段414は、圧縮空気源414aと、該圧縮空気源414aと通路411cとを接続する配管414bに配設された電磁開閉弁414cとからなっている。この電磁開閉弁414cは、除勢(OFF)している状態では閉路しており、附勢(ON)すると開路するようになっている。従って、電磁開閉弁414cが附勢(ON)されると、配管414b、通路411c、嵌合凹部411aを介して吸着チャック412の上面である保持面に空気圧が作用し、吸着チャック412の上面である保持面に載置された被加工物に空気圧が作用せしめられる。
上述した研削装置40のチャックテーブル41上で分割工程を実施するには、搬送手段6の吸引保持パッド61の下面(吸着面)に上記改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ2を吸引保持し、チャックテーブル41上に搬送する。そして、吸引保持パッド61による半導体ウエーハ2の吸引保持を解除するとともに、吸引保持パッド61を図11の (b)に示すように所定距離上昇せしめる。この結果、チャックテーブル41上の半導体ウエーハ2は、3個の移動規制棒65によって水平方向の移動を規制した状態となる。次に、圧縮空気供給手段414の電磁開閉弁414cを附勢(ON)して開路する。従って、配管414b、通路411c、嵌合凹部411aを介して吸着チャック412の上面である保持面に空気圧が作用し、吸着チャック412の上面である保持面に載置された半導体ウエーハ2に空気圧が作用せしめられる。この結果、図11の(c)に示すように半導体ウエーハ2には上述したように改質層210の上端から裏面2b(上面)側にクラック211が発生しているので、表面2a(下面)に貼着された保護テープ3に作用する空気圧によって上側に凸状に容易に湾曲するため、図11の(c)に示すように改質層210の下端から表面2a(下面)側にはクラック212が発生し、半導体ウエーハ2は改質層210が形成されたストリート21に沿って個々のデバイス22に分割される。
上述した分割工程を実施したならば、圧縮空気供給手段414の電磁開閉弁414cを除勢(OFF)して閉路する。この結果、個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2は、チャックテーブル41上に載置された状態となる。次に、吸引手段413の電磁開閉弁413cを附勢(ON)して開路することにより、配管413b、通路411c、嵌合凹部411aを介して吸着チャック412の上面である保持面に負圧が作用し、吸着チャック412の上面である保持面に載置された個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2を吸引保持する。そして、研削装置40による上記改質層除去工程を実施する。
次に、上記改質層除去工程を実施することにより仕上がり厚みに形成された半導体ウエーハ2の裏面を環状のフレームに装着された伸張可能な粘着テープの表面に貼着するとともに半導体ウエーハ2の表面に貼着されている保護テープ3を剥離するウエーハ移し替え工程を実施する。即ち、図12に示すように個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2の裏面2(b)側を環状のフレーム7に装着された伸張可能な粘着テープ70に貼着する。従って、半導体ウエーハ2の表面に貼着されている保護テープ3は上側となる。そして、半導体ウエーハ2の表面2aに貼着されている保護テープ3を剥離する。
上記ウエーハ移し替え工程を実施したならば、環状のフレーム7に装着された伸張可能な粘着テープ70に貼着された半導体ウエーハ2が個々に分割されているデバイス22をピックアップするピックアップ工程を実施する。このピックアップ工程は、図13に示すピックアップ装置8を用いて実施する。図13に示すピックアップ装置8は、上記環状のフレーム7を保持するフレーム保持手段81と、該フレーム保持手段81に保持された環状のフレーム7に装着された粘着テープ70を拡張するテープ拡張手段82と、ピックアップコレット83を具備している。フレーム保持手段81は、環状のフレーム保持部材811と、該フレーム保持部材811の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ812とからなっている。フレーム保持部材811の上面は環状のフレーム7を載置する載置面811aを形成しており、この載置面811a上に環状のフレーム7が載置される。そして、載置面811a上に載置された環状のフレーム7は、クランプ812によってフレーム保持部材811に固定される。このように構成されたフレーム保持手段81は、テープ拡張手段82によって上下方向に進退可能に支持されている。
テープ拡張手段82は、上記環状のフレーム保持部材811の内側に配設される拡張ドラム821を具備している。この拡張ドラム821は、環状のフレーム7の内径より小さく該環状のフレーム7に装着された粘着テープ70に貼着される半導体ウエーハ2の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム821は、下端に支持フランジ822を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段82は、上記環状のフレーム保持部材811を上下方向に進退可能な支持手段823を具備している。この支持手段823は、上記支持フランジ822上に配設された複数のエアシリンダ823aからなっており、そのピストンロッド823bが上記環状のフレーム保持部材811の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ823aからなる支持手段823は、図14の(a)に示すように環状のフレーム保持部材811を載置面811aが拡張ドラム821の上端と略同一高さとなる基準位置と、図14の(b)に示すように拡張ドラム821の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
以上のように構成されたピックアップ装置8を用いて実施するピックアップ工程について図14を参照して説明する。即ち、個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2が貼着されている粘着テープ70が装着された環状のフレーム7を、図14の(a)に示すようにフレーム保持手段81を構成するフレーム保持部材811の載置面811a上に載置し、クランプ812によってフレーム保持部材811に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材811は図14の(a)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段82を構成する支持手段823としての複数のエアシリンダ823aを作動して、環状のフレーム保持部材811を図14の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材811の載置面811a上に固定されている環状のフレーム7も下降するため、図14の(b)に示すように環状のフレーム7に装着された粘着テープ70は拡張ドラム821の上端縁に接して拡張せしめられる(テープ拡張工程)。この結果、粘着テープ70に貼着されている半導体ウエーハ2はストリート21に沿って個々のデバイス22に分割されているので、個々のデバイス22間が広がり、間隔Sが形成される。この状態で、ピックアップコレット83を作動してデバイス22の表面(上面)を吸着保持し、粘着テープ70から剥離してピックアップする。このとき、図14の(b)に示すように粘着テープ70の下側から突き上げ針84によってデバイス22を突き上げることにより、デバイス22を粘着テープ70から容易に剥離することができる。この突き上げ針84はデバイス22の裏面に作用して突き上げるので、デバイス22の表面を損傷させることはない。なお、ピックアップ工程においては、上述したように個々のデバイス22間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス22と接触することなく容易にピックアップすることができる。このようにピックアップコレット83によってピックアップされるデバイス22は表面(上面)が吸着保持されるので、その後デバイス22の表裏を反転する必要がない。このようにして製造されたデバイス22は、側面に改質層が存在しないので、抗折強度が1.5倍以上向上する。
2:半導体ウエーハ
21:ストリート
22:デバイス
210:改質層
3:保護テープ
4:研削装置
40:研削装置
41:チャックテーブル
413:吸引手段
414:圧縮空気供給手段
42:研削手段
424:研削ホイール
426:研削砥石
5:レーザー加工装置
51:チャックテーブル
513:吸引手段
514:圧縮空気供給手段
52:レーザー光線照射手段
522:集光器
6:搬送手段
7:環状のフレーム
70:粘着テープ
8:ピックアップ装置
81:フレーム保持手段
82:テープ拡張手段
83:ピックアップコレット

Claims (4)

  1. 表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
    ウエーハを保持する保持面を有し該保持面に負圧と空気圧を作用可能に構成されたチャックテーブルを備えたレーザー加工装置を用い、該チャックテーブルの該保持面にウエーハの保護テープ側を載置して該保持面に負圧を作用させることにより該保持面上にウエーハを吸引保持し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿ってウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに至らない深さの改質層を形成する改質層形成工程と、
    該改質層形成工程が実施されたウエーハを吸引保持している該チャックテーブルによる吸引保持を解除するとともに、該保持面に載置されたウエーハの水平面内での移動を規制しつつウエーハに空気圧を作用せしめることによりウエーハを改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割行程と、
    該ウエーハ分割行程が実施されたウエーハの裏面を研削し、ウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成することにより改質層を除去する改質層除去工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの加工方法。
  2. 該保護テープ貼着工程を実施した後で該改質層形成工程を実施する前にウエーハの裏面を研削して、ウエーハを該改質層形成工程において適正な改質層が形成できる所定の厚みに形成する予備研削工程を実施する、請求項1記載のウエーハの加工方法。
  3. 表面に格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
    ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿ってウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに至らない深さの改質層を形成する改質層形成工程と、
    ウエーハを保持する保持面を有し該保持面に負圧と空気圧を作用可能に構成されたチャックテーブルを備えた研削装置を用い、該チャックテーブルの該保持面に該改質層形成工程が実施されたウエーハの保護テープ側を載置し、該保持面に載置されたウエーハの水平面内での移動を規制しつつ空気圧を作用せしめることによりウエーハを改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハ分割行程と、
    該分割行程を実施した後に、該研削装置の該チャックテーブルの該保持面に負圧を作用させることにより該保持面上にウエーハを吸引保持し、ウエーハの裏面を研削してウエーハをデバイスの仕上がり厚みに形成することにより改質層を除去する改質層除去工程と、を含む、
    ことを特徴とするウエーハの加工方法。
  4. 該保護テープ貼着工程を実施した後で該改質層形成工程を実施する前にウエーハの裏面を研削して、ウエーハを該改質層形成工程において適正な改質層が形成できる所定の厚みに形成する予備研削工程を実施する、請求項3記載のウエーハの加工方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015046480A (ja) * 2013-08-28 2015-03-12 株式会社ディスコ 基板の分割方法
KR102242829B1 (ko) 2016-04-27 2021-04-20 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104259725B (zh) * 2014-10-28 2016-05-04 无锡汉神电气有限公司 平板直缝焊接真空吸盘装置
KR20170016547A (ko) * 2015-08-03 2017-02-14 삼성전자주식회사 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치
DE102017201151A1 (de) * 2016-02-01 2017-08-03 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6664986B2 (ja) * 2016-02-17 2020-03-13 株式会社ディスコ 加工装置
JP6633447B2 (ja) * 2016-04-27 2020-01-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6633446B2 (ja) 2016-04-27 2020-01-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN107403755A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 胡川 芯片制作方法
JP6814613B2 (ja) * 2016-11-28 2021-01-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019061986A (ja) * 2017-09-22 2019-04-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN107749407B (zh) * 2017-09-22 2020-08-28 沈阳拓荆科技有限公司 晶圆承载盘及其支撑结构
CN111195852A (zh) * 2018-11-19 2020-05-26 江苏鲁汶仪器有限公司 平行于器件侧壁方向抛光密集器件侧壁的装置及方法
CN109454542A (zh) * 2018-11-23 2019-03-12 湖南航天环宇通信科技股份有限公司 一种红外多晶薄壁零件的表面加工方法及其加工设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0574933A (ja) * 1991-09-17 1993-03-26 Seiko Epson Corp ダイシング装置
JP2000195828A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Denso Corp ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
JP2006012902A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011151070A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0252705A (en) * 1988-08-17 1990-02-22 Nec Kyushu Ltd Dividing method for semiconductor wafer
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4669162B2 (ja) 2001-06-28 2011-04-13 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割システム及び分割方法
JP4398686B2 (ja) 2003-09-11 2010-01-13 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2008294191A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
TWI463580B (zh) * 2007-06-19 2014-12-01 Renesas Electronics Corp Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP5307384B2 (ja) * 2007-12-03 2013-10-02 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2009272421A (ja) * 2008-05-07 2009-11-19 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0574933A (ja) * 1991-09-17 1993-03-26 Seiko Epson Corp ダイシング装置
JP2000195828A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Denso Corp ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
JP2006012902A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011151070A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015046480A (ja) * 2013-08-28 2015-03-12 株式会社ディスコ 基板の分割方法
KR102242829B1 (ko) 2016-04-27 2021-04-20 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법

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