JP2013050561A - テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5〜10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10%以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法において、基板上にZnTe下地層を10〜200オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ZnTe下地層上にZnTe層を5〜10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有する。
【選択図】なし
Description
一方、ZnTeは等軸結晶のため、通常、常光と異常光に屈折率差はないが、結晶中に「ひずみ」があると常光と異常光に屈折率差が生じるので、上述したGaSeと同様にテラヘルツ波が差周波として発生することとなる。例えば、ヘムト秒レーザをZnTe単結晶基板に照射することによりテラヘルツ波を発生させることができる。
この厚さ50μm以下の極薄ZnTe基板は取り扱いが困難であることから、従来は、例えば接着剤等で石英ガラス基板上に貼り付けて機械的強度を補強した状態で使用されている。
このような極薄ZnTe基板は、例えば、石英ガラス基板上に鏡面研磨したZnTe基板の片面を接着剤等で貼り付けた後、所望の厚さとなるまでさらに他方の表面を鏡面研磨することによって製造されている。
さらに、接着剤や石英ガラス基板によって、発生したテラヘルツ波が吸収され、信号強度が低下する虞があった。
また、一般に、サファイア基板等の異種基板にZnTeを成長させても、通常は単結晶が得られ難いことが知られている。
本実施形態のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜は、気相成長法によって基板上にZnTeを気相成長させることによって製造された薄膜であり、厚さが5〜10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10%以内である。
また、本実施形態では、気相成長法として分子線エピタキシー法(MBE法)を用いるが、気相成長法はMBE法に限ることはなく、適宜任意に変更可能である。
以下、具体的な実施例によって本発明を説明するが、発明はこれらに限定されるものではない。
次いで、ZnTe層の成長温度(本実施例の場合、350℃)よりも低い温度(本実施例の場合、100℃程度)で、Zn及びTeの原料セル温度を調整しながら分子ビームをサファイアC面基板に照射して、サファイアC面基板上に数十オングストロームの厚さのZnTe下地層を堆積させた。この際、膜厚(ZnTe下地層の厚さ)の制御を的確に行うことができるよう、成長速度を毎秒1オングストローム未満とした。
なお、ZnTe層の厚さは、“成長速度×成長時間”で規定することができる。具体的には、例えば、成長速度を毎時0.5μmとし、成長時間を10時間とすれば、5μmのZnTe層を再現性よく得ることができる。
また、MBE法では、ビームの照射面積が、基板(本実施例の場合、サファイアC面基板)の面積よりも十分に大きければ、製造したZnTe薄膜の厚さのばらつきの範囲を、当該製造したZnTe薄膜の厚さの10%以内にすることができる。
また、ZnTe層の成長温度(350℃)におけるサファイアC面基板とZnTe(111)との格子不整合度は25%程度であるが、初期の成長温度をZnTe層の成長温度(350℃)よりも低い温度(100℃程度)として数層のZnTeを堆積させ、その後、サファイアC面基板の温度をZnTe層の成長温度(350℃)まで上げて、当該数層のZnTe上にZnTe層を成長させることによって、単一ドメインの(111)ZnTe薄膜を得ることができた。
なお、実施例では、サファイア基板のC面上に単一ドメインの(111)ZnTe薄膜を形成することとしたが、面方位や基板面はこれに限定されるものではない。
Claims (6)
- 気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5〜10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10%以内であることを特徴とするテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜。
- 前記基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜。
- 前記気相成長法が分子線エピタキシー法であることを特徴とする請求項1または2に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜。
- 基板上にZnTe下地層を10〜200オングストロームの厚さで形成する工程と、
前記ZnTe下地層上にZnTe層を5〜10μmの厚さで気相成長させる工程と、
を有することを特徴とするテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法。 - 前記基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項4に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法。
- 前記気相成長法が分子線エピタキシー法であることを特徴とする請求項4または5に記載のテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法。
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