JP2013022720A - Composite chamfering device of workpiece and composite chamfering method using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、サファイア、単結晶シリコン等の円柱状インゴットブロック(ワーク)の円筒外周面を円筒研削した後にオリフラをワーク外周面の結晶方位に研削加工する複合面取り加工方法に関する。 The present invention relates to a composite chamfering method for grinding an orientation flat in a crystal orientation of a work outer peripheral surface after cylindrical grinding of a cylindrical outer surface of a cylindrical ingot block (work) such as sapphire or single crystal silicon.
LED基板用のサファイア基板の原材料の円柱状サファイア・インゴットブロック(ワーク)は、チョクラルスキー法(CZ法)あるいはベルニューイ法で育成したインゴットを適当な長さ(例えば、250mm、500mm、1,000mm)に結晶方向に切断してインゴットブロックとなしている。サファイア・インゴットの結晶方位は、a面、r面、m面およびc面配向を有する。円柱状サファイア・インゴットブロックの直径は、2インチ、4インチ、および6インチのものが、単結晶シリコンインゴットブロックの直径は、8インチ、10インチ、12インチ、20インチのものが市場より入手できる。 The columnar sapphire ingot block (work), which is the raw material for the sapphire substrate for LED substrates, is an ingot grown by the Czochralski method (CZ method) or the Bernoulli method (for example, 250 mm, 500 mm, 1,000 mm). ) Cut in the crystal direction to form an ingot block. The crystal orientation of the sapphire ingot has an a-plane, r-plane, m-plane and c-plane orientation. The diameter of cylindrical sapphire ingot blocks is 2 inches, 4 inches, and 6 inches, and the diameter of single crystal silicon ingot blocks is 8 inches, 10 inches, 12 inches, and 20 inches. .
特開2009−298676号公報(特許文献1)の0008段落は、「円柱状インゴットブロックは、その外周面をカップホイール型砥石により円筒研削され、さらに、オリエンテーションフラット(通称「オリフラ」と言う)またはインデックスフラット(通称「インフラ」と言う)が研削または切削された後、インゴットブロックのワイヤーカットソウによる厚み200〜900μmの厚みにスライス加工されウエハを製造している。」と記載する。さらに、段落0020−0023は、「オリフラとは、円形の半導体基板の外周の一部を結晶方位と平行な方向にきり欠いて結晶方位を特定されるものであり、インフラとはオリフラと共に円形の半導体基板の外周に形成され、表裏を判別するためのものである。ただし、半導体基板の表裏を判別するためには、オリフラとインフラが半導体基板の中心に対して非対称となる位置に形成される必要がある。サファイア基板のオリフラは、結晶方位(11−20方向)を特定する。」と記載する。 Paragraph 0008 of JP-A-2009-298676 (Patent Document 1) states that "the cylindrical ingot block has its outer peripheral surface cylindrically ground with a cup wheel type grindstone, and is further oriented flat (commonly referred to as" orientation flat ") or An index flat (commonly called “infrastructure”) is ground or cut, and then sliced into a thickness of 200 to 900 μm by a wire cut saw of an ingot block to manufacture a wafer. ". Further, paragraphs 0020-0023 states that “the orientation flat is that the crystal orientation is specified by cutting out a part of the outer periphery of the circular semiconductor substrate in the direction parallel to the crystal orientation. Formed on the outer periphery of the semiconductor substrate for discriminating the front and back sides, however, in order to discriminate the front and back of the semiconductor substrate, the orientation flat and the infrastructure are formed at positions that are asymmetric with respect to the center of the semiconductor substrate "The orientation flat of the sapphire substrate specifies the crystal orientation (11-20 direction)."
また、特開2008−207992号公報(特許文献2)は、段落0002から0004において、「サファイアは、六方晶の結晶構造を有する酸化アルミニウムの単結晶(融点:約2050℃)である。サファイア単結晶は、例えば、青色LED用のGaN成膜基板などの基板材料として使用される。サファイア単結晶は異方性を有する材料であり、サファイア単結晶のインゴットからGaN成膜用のウエハを切り出す場合、ウエハの主面がサファイア単結晶のc軸<0001>に垂直な面(c面)となるように切り出すことが一般的である。また、サファイアは光学的に一軸性の透明材料であることから液晶プロジェクタ用フィルムなどの光学材料としても使用される。光学材料として使用する場合、着色がなく透明であることが要求される。また、サファイア単結晶の偏光特性から、上記の基板材料の場合と同様、c軸に垂直な面を主面とするc面基板が主に使用される。 JP 2008-207992 A (Patent Document 2) states, in paragraphs 0002 to 0004, “Sapphire is a single crystal of aluminum oxide having a hexagonal crystal structure (melting point: about 2050 ° C.). The crystal is used as, for example, a substrate material such as a GaN film formation substrate for a blue LED, etc. A sapphire single crystal is an anisotropic material, and a GaN film formation wafer is cut out from an ingot of a sapphire single crystal. In general, the main surface of the wafer is cut so as to be a plane (c-plane) perpendicular to the c-axis <0001> of the sapphire single crystal, and sapphire is an optically uniaxial transparent material. It is also used as an optical material for liquid crystal projector films, etc. When used as an optical material, it must be transparent without coloring. That. Also, the polarization properties of the sapphire single crystal, as in the case of the substrate material, c plane substrate whose principal surface perpendicular to the c-axis is mainly used.
サファイア単結晶のインゴットからc面基板を切り出す場合、材料をなるべく無駄にしないためには、c軸方向に結晶を育成して略円柱状のインゴットを得るとともに、このインゴットをc軸方向(インゴットの軸方向)に対して垂直に切断することが望ましい。しかしながら、c軸方向に結晶を育成した場合、泡欠陥が生じやすいことが知られている。インゴット内に泡欠陥があると、加工時に割れが生じやすく、また、基板材料や光学材料として使用した場合にそれらの特性が不十分となりやすい。泡欠陥の発生を低減する方法として、サファイア単結晶の育成方向をc軸から所定角度ずらした方向としたり、c軸に垂直なa軸又はm軸方向とすることが知られている(例えば、特開2004−83316号公報参照)。」と記載する。 When cutting a c-plane substrate from a sapphire single crystal ingot, in order to avoid wasting material as much as possible, the crystal is grown in the c-axis direction to obtain a substantially cylindrical ingot, and this ingot is formed in the c-axis direction (ingot direction). It is desirable to cut perpendicularly to (axial direction). However, it is known that bubble defects tend to occur when crystals are grown in the c-axis direction. If there are bubble defects in the ingot, cracks are likely to occur during processing, and when used as a substrate material or an optical material, their characteristics are likely to be insufficient. As a method for reducing the occurrence of bubble defects, it is known that the growth direction of the sapphire single crystal is shifted by a predetermined angle from the c-axis, or the a-axis or m-axis direction perpendicular to the c-axis (for example, JP, 2004-83316, A). ".
また、サファイア・インゴットブロックは、特開2008−971号公報(特許文献3)に開示されるように、大きな厚い板状のサファイア結晶からボーリングコアビット(刃物)で型抜き切り出しして製造されているのもある。 The sapphire ingot block is manufactured by punching out a large thick plate-like sapphire crystal with a boring core bit (blade) as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-971 (Patent Document 3). There is also.
さらに、特表2010−514581号公報(特許文献4)は、インゴットブロックをスライス加工されたサファイア基板の表面加工方法を開示し、a面、r面、m面、及びc面配向からなる群から選択される結晶配向を有し且つ約0.037μm/cm2以下のn
TTVを有する概ね平坦な表面を含むサファイア基板であって、nTTVが該概ね0平坦な表面の表面積で規格化された総厚みばらつきであり、該基板は約9.0cm以上の直径を有するサファイア基板を得ると開示する。その実施態様として、段落0005から0009において、「第1の固定研磨材を用いてサファイア基板の第1表面を研削加工すること、及び第1の固定研磨材よりも小さい平均粒径を有する第2の固定研磨材を用いてサファイア基板の第1表面を研削加工することを含むサファイア基板の機械加工方法を対象とする。他の実施態様は、第1表面がc面配向を有するように研磨材を用いてそれぞれのサファイア基板の第1表面を研削加工することを含む複数のサファイア基板を含むサファイア基板ロットを提供する方法を対象とし、サファイア基板ロットは少なくとも20個のサファイア基板を含む。それぞれのサファイア基板は(i)c面配向、(ii)結晶のm面ミスオリエンテーション角度(θm)、及び(iii)結晶のa面ミスオリエンテーショ
ン角度(θa)を有する第1表面を有し、ここでは、(a)ミスオリエンテーション角度
θmの標準偏差σmが約0.0130以下、及び(b)ミスオリエンテーション角度θaの
標準偏差σaが約0.0325以下のうち少なくとも1つが成り立つ。他の実施態様は、
少なくとも20個のサファイア基板を含むサファイア基板ロットを対象とする。それぞれのサファイア基板は(i)c面配向、(ii)結晶のm面ミスオリエンテーション角度(θm)、及び(iii)結晶のa面ミスオリエンテーション角度(θa)を有する第1表面を有し、ここでは、(a)ミスオリエンテーション角度θmの標準偏差σmが約0.0130以下、及び(b)ミスオリエンテーション角度θaの標準偏差σaが約0.0325以下のうち少なくとも1つが成り立つ。」と記載する。
Furthermore, Japanese translations of PCT publication No. 2010-514581 (patent document 4) discloses the surface processing method of the sapphire substrate by which the ingot block was sliced, from the group consisting of a-plane, r-plane, m-plane, and c-plane orientation. N having a selected crystal orientation and not more than about 0.037 μm / cm 2
A sapphire substrate including a generally flat surface having a TTV, wherein the nTTV is a total thickness variation normalized by the surface area of the substantially zero flat surface, the substrate having a diameter of about 9.0 cm or more And disclosed. As an embodiment thereof, in paragraphs 0005 to 0009, "the first fixed abrasive is used to grind the first surface of the sapphire substrate, and the second particle having an average particle size smaller than that of the first fixed abrasive. A method for machining a sapphire substrate that includes grinding a first surface of a sapphire substrate using a fixed abrasive of: Another embodiment is an abrasive such that the first surface has c-plane orientation. Is used to provide a sapphire substrate lot comprising a plurality of sapphire substrates comprising grinding a first surface of each sapphire substrate, the sapphire substrate lot comprising at least 20 sapphire substrates. the sapphire substrate (i) c plane orientation, (ii) m plane misorientation angle of the crystal (θ m), and (iii) a surface Misuo crystals Having a first surface having a ene station angle (theta a), where, (a) misorientation angle theta standard deviation sigma m of m is about 0.0130 or less, and (b) misorientation angle theta a standard The deviation σ a is at least one of about 0.0325 or less.
A sapphire substrate lot including at least 20 sapphire substrates is targeted. Each sapphire substrate has a first surface having (i) c-plane orientation, (ii) m-plane misorientation angle (θ m ) of the crystal, and (iii) a-plane misorientation angle (θ a ) of the crystal. , where, (a) a standard deviation sigma m of misorientation angle theta m of about 0.0130 or less, and (b) misorientation angle theta a standard deviation sigma a of at least one of about 0.0325 or less true . ".
特開2009−186181号公報(特許文献5)は、図2に円柱状インゴットの結晶方位を測定するX線回析結晶方位測定装置を、および図6においてX線回析結晶方位測定装置を備えた円柱状インゴットの円筒研削装置を示し、段落0070から0077および段落0085から0089記載で円柱状インゴットの結晶方位hを測定した後に、第一搬送ロボットでインゴットを図3に示すカット面取り機に移動させ、そこで、軸方向結晶方位hに対し垂直に第一カット面Wa1を研削して新たな第一カット面Wa3とし、反対方向の第二カット面Wa2を研削して新たな第二カット面Wa4とし、ついで、第一搬送ロボットで垂直カット面W3,W4を有するインゴットを円筒研削装置のクランプ装置に移送し、円柱状砥石を用いて円柱状インゴットの外周面を円筒研削する方法が記載されている。さらに、特許文献5の図10および段落0090記載において、前記円筒研削加工されたインゴットの半径方向結晶方位kを前記X線回析結晶方位測定装置で測定し、前記円筒研削装置でインゴットの半径方向結晶方位kを基準としてオリフラ面を加工形成させることを開示する。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-186181 (Patent Document 5) includes an X-ray diffraction crystal orientation measuring apparatus that measures the crystal orientation of a cylindrical ingot in FIG. 2, and an X-ray diffraction crystal orientation measurement apparatus in FIG. 3 shows a cylindrical grinding apparatus for a cylindrical ingot, and after measuring the crystal orientation h of the cylindrical ingot according to paragraphs 0070 to 0077 and paragraphs 0085 to 0089, the ingot is moved to the cut chamfering machine shown in FIG. Therefore, the first cut surface Wa 1 is ground perpendicularly to the axial crystal orientation h to obtain a new first cut surface Wa 3, and the second cut surface Wa 2 in the opposite direction is ground to obtain a new second cut surface Wa 2 . a cut surface Wa 4, then an ingot having a vertical cutting plane W 3, W 4 in the first transfer robot and transferred to the clamping device of the cylindrical grinding apparatus with a cylindrical grinding wheel A method of cylindrical grinding of the outer peripheral surface of a cylindrical ingot is described. Furthermore, in FIG. 10 and paragraph 0090 described in
一方、半導体基板にノッチやレーザー加工できるX線回析結晶方位測定器付きレーザー装置(XRD機)も基板やインゴットの結晶方位を測定するのに利用されている。例えば、JST−CRESTの田中 義人は、「放射光時間分解X線回折測定による光記録媒体の相変化構造計測」先端磁性材料研究会100316@東工大発表論文(非特許文献1)でXRD機の構造およびその利用方法を開示する。 On the other hand, a laser device (XRD machine) with an X-ray diffraction crystal orientation measuring device capable of notching or laser processing a semiconductor substrate is also used to measure the crystal orientation of the substrate or ingot. For example, Yoshito Tanaka, JST-CREST, published an XRD machine in the “Advanced Phase Measurement of Optical Recording Media by Synchrotron Radiation Time-Resolved X-ray Diffraction Measurement”, Advanced Magnetic Materials Research Group 100316 @ Tokyo Institute of Technology (non-patent document 1). The structure and its use are disclosed.
また、成蹊大学院の菊田 進作らは、「XRD結晶方位データベースを応用したレーザー加工材のスプリングバック量の推定」成蹊大学および株式会社アマダ共同発表論文(非
特許文献2)でXRD機の構造およびその利用方法を開示する。
In addition, Shinsaku Kikuta et al. Of Seikei Graduate School have published the XRD machine structure and its results in a joint paper published by Seikei University and Amada Co., Ltd. (Non-Patent Document 2). The usage method is disclosed.
さらに、XRD機で単結晶インゴットの結晶方位を測定する方法は、特開平10−160688号公報(特許文献6)、特開2000−2672号公報(特許文献7)、特開2001−13092号公報(特許文献8)、特開2001−272359号公報(特許文献9)等で開示されるように、半導体基板メーカーでは行われていることである。 Furthermore, methods for measuring the crystal orientation of a single crystal ingot with an XRD machine are disclosed in JP-A-10-160688 (Patent Document 6), JP-A 2000-2672 (Patent Document 7), and JP-A-2001-13092. (Patent Document 8), Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-272359 (Patent Document 9), and the like.
一方、特開2005−255463号公報(特許文献10)は、図1において、インゴットの円筒研削加工(101)後にインゴットのオリフラ加工(102)を行い、次いで、インゴットをワイヤーソウでウエハースライス加工(103)し、その後にウエハー外周研削加工(104)を行う工程図を開示する。 On the other hand, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-255463 (Patent Document 10), the ingot orientation flat processing (102) is performed after the ingot cylindrical grinding processing (101) in FIG. 1, and then the ingot is subjected to wafer slicing processing (see FIG. 1). 103), and then, a process diagram for performing wafer peripheral grinding (104) is disclosed.
また、特開2011−136382号公報(特許文献11)は、
a)機枠(ベース)上に左右方向に設けられた案内レール上を左右方向に往復移動できるように設けられたワークテーブル、
b)このワークテーブル上に左右に分離して搭載された主軸台と心押台の一対よりなるクランプ機構、
c)前記クランプ機構に支架されたワーク(角柱状インゴット)を載せた前記ワークテーブルを左右方向に往復移動させる駆動機構、
d)前記ワークテーブルを正面側から直角に見る方向であって、かつ、左側方向より右側方向へ向かって、
e)前後移動可能な砥石軸の一対に軸承されたカップホイール型砥石またはリング状砥石の一対をその砥石面が相対向するようにワークテーブルを挟んでワークテーブル前後に設けられた第一研削ステージ、
f)前記第一研削ステージの右横側に平行に設けた、前後移動可能な砥石軸の一対に軸承されたカップホイール型砥石またはリング状砥石の一対をその砥石面が相対向するようにワークテーブルを挟んでワークテーブル前後に設けられた第二研削ステージ、
g)上記第二研削ステージの右横側であって前記ワークテーブルの前側に位置するハウジング材にワークを前記クランプ機構への移出入を可能とする開口部を備えるロードポート、
および、
h)上記ロードポートに対向する前記ワークテーブルの後側に、砥石車を有する砥石軸をワークテーブルの左右方向に平行であって、この砥石軸をその軸芯が前後方向に移動可能にツールテーブル上に設けたRコーナー部研削ステージ、
を設けたことを特徴とする面取り加工装置を開示する。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-136382 (Patent Document 11)
a) a work table provided so as to be able to reciprocate in the left-right direction on a guide rail provided in the left-right direction on the machine frame (base);
b) A clamping mechanism comprising a pair of headstock and tailstock mounted separately on the work table on the left and right,
c) A drive mechanism for reciprocating the work table on which a work (rectangular prism-shaped ingot) supported by the clamp mechanism is mounted in a horizontal direction;
d) The work table is viewed from the front side at a right angle, and from the left side to the right side,
e) A first grinding stage provided in front of and behind the work table with a pair of cup wheel type grindstones or ring-shaped grindstones supported by a pair of grindstone shafts movable back and forth, with the grindstone surfaces facing each other. ,
f) A pair of cup wheel type grindstones or ring-shaped grindstones, which are mounted parallel to the right side of the first grinding stage and are supported by a pair of grindstone shafts that can move back and forth, so that their grindstone surfaces face each other. A second grinding stage provided before and after the work table across the table,
g) a load port provided with an opening that allows a workpiece to be transferred to and from the clamp mechanism in a housing material located on the right side of the second grinding stage and on the front side of the work table;
and,
h) On the rear side of the work table facing the load port, a grinding wheel shaft having a grinding wheel is parallel to the horizontal direction of the work table, and the grinding wheel shaft is movable in the front-rear direction. R corner grinding stage provided above,
Disclosed is a chamfering apparatus characterized by comprising
さらに、特開2000−158123号公報(特許文献12)は、インゴット搬送用ロボットおよびインゴットの搬送方法を開示する。 Furthermore, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-158123 (Patent Document 12) discloses an ingot transfer robot and an ingot transfer method.
上記特許文献5記載のXDR機付複合面取り研削装置においては、3,000万円前後の価格のXDR機1台にワークのC軸端面研削加工およびオリフラ研削加工用の面取り機1台、ならびに、インゴットの外周の円筒研削装置1台を配置している。ワークの円筒研削工程は、律速工程であり、ワークのC軸端面研削加工およびオリフラ研削加工の工程の3〜4倍の時間を要する。
In the compound chamfering grinding apparatus with an XDR machine described in
よって、円筒研削装置を利用する半導体基板メーカーからは、円筒研削装置を複数配置した複合面取り加工装置とすれば、XDR機1台当たりの面取り加工されたインゴットブロックの単位時間当たりの生産量が向上するので、そのような複合面取り研削装置の提供を要望された。 Therefore, from a semiconductor substrate manufacturer that uses a cylindrical grinding machine, a combined chamfering machine with multiple cylindrical grinding machines will improve the production per unit time of chamfered ingot blocks per XDR machine. Therefore, there has been a demand for providing such a composite chamfering grinding apparatus.
本願発明者らは、前記特許文献11記載の複合面取り加工装置は、円柱状インゴットブロックの円筒研削加工およびオリフラ加工の両方の加工ができることを見出し、上記複合面取り加工装置を改造して、円柱状インゴットブロックを円筒研削加工およびオリフラ研削加工する装置およびその装置を用いて円柱状インゴットブロックの円筒研削加工およびオリフラ研削加工をなす方法の提供を目的とする。
The inventors of the present application have found that the composite chamfering apparatus described in
本発明の請求項1は、
左右方向に延びた第一案内レール(100)上を滑走できる搬送ロボット(200)、
上記第一案内レールの右端に設けられた円柱状インゴットブロック(ワーク)の第一貯蔵棚(300)、
上記第一案内レールの左端に設けられたオリフラ加工されたワーク(最終加工製品)の第二貯蔵棚(400)、
前記搬送ロボットの滑走用第一案内レール(100)に対し、後ろ側に平行に設けられた右端より左端側に向かって、第一円筒粗研削装置(500a)、第二円筒粗研削装置(500b)、X線回析結晶方位測定器付きレーザー装置(600)、第一円筒仕上げ研削装置(700a)、および、第二円筒仕上げ研削装置(700b)を間隔空けて併設した面取り加工装置群、
より構成されるワークの複合面取り加工装置(1)であって、
上記第一、第二円筒粗研削装置(500a、500b)、および第一、第二円筒仕上げ研削装置(700a、700b)は、取り付けられるカップホイール型砥石(10g,10g、または11g,11g)が異なる点を除いては同一種の円筒研削装置であって、前後方向に延びる第二案内レール(3,3)上を滑走できる芯出し機能を備えた主軸台(7
a)と心押台(7b)よりなるクランプ装置(7)を載置する移動テーブル(4)を設けとともに、前記クランプ装置の支持軸(7a1,7b1)に支架されるワークのC軸に対し直角方向に、かつ、C軸を挟んで一対の円筒研削用カップホイール型砥石(10g,10g、または11g,11g)を軸承する砥石軸を前進後退可能に設けるとともに、オートローダー機器(13)およびワークストッカー(14)を備え、前記ワークストッカー(14)と前記オートローダー機器(13)と前記クランプ装置(7)とでワークローディング/アンローディングステージを構成し、前記クランプ装置(7)と前記一対の円筒研削用カップホイール型砥石(10g,10g、または11g,11g)を軸承する砥石軸とでワークの円筒研削ステージおよびオリフラ研削加工ステージを構成する、
ことを特徴とする複合面取り加工装置(1)を提供するものである。
Claim 1 of the present invention provides
A transfer robot (200) capable of sliding on the first guide rail (100) extending in the left-right direction;
A first storage shelf (300) of a cylindrical ingot block (work) provided at the right end of the first guide rail,
A second storage shelf (400) of a workpiece (finally processed product) subjected to orientation flat processing provided at the left end of the first guide rail,
The first cylindrical rough grinding device (500a) and the second cylindrical rough grinding device (500b) from the right end provided parallel to the rear side toward the left end side with respect to the first guide rail (100) for sliding of the transfer robot. ), A chamfering device group in which a laser device (600) with an X-ray diffraction crystal orientation measuring device, a first cylindrical finish grinding device (700a), and a second cylindrical finish grinding device (700b) are provided with an interval,
A workpiece chamfering processing apparatus (1) comprising:
The first and second cylindrical rough grinding devices (500a, 500b) and the first and second cylindrical finish grinding devices (700a, 700b) have cup wheel grindstones (10g, 10g, or 11g, 11g) to be attached. Except for different points, it is the same kind of cylindrical grinding machine, and a headstock (7) having a centering function capable of sliding on the second guide rails (3, 3) extending in the front-rear direction.
a moving table (4) on which a clamping device (7) comprising a) and a tailstock (7b) is placed, and a C-axis of a work supported on the supporting shafts (7a 1 , 7b 1 ) of the clamping device A grindstone shaft that supports a pair of cylindrical grinding cup wheel grindstones (10 g, 10 g, or 11 g, 11 g) across the C axis is provided so as to be capable of moving forward and backward, and an autoloader device (13 ) And a work stocker (14), and the work stocker (14), the autoloader device (13), and the clamp device (7) constitute a work loading / unloading stage, and the clamp device (7) Cylindrical grinding of a workpiece with a pair of grinding wheel shafts that support the pair of cylindrical grinding cup wheel type grinding wheels (10 g, 10 g, or 11 g, 11 g) Configure stage and orientation flat grinding stage,
The composite chamfering apparatus (1) characterized by this is provided.
本発明の請求項2は、請求項1記載の複合面取り加工装置(1)を用い、次ぎの工程を経て円柱状インゴットブロック(ワーク)を円筒研削加工およびオリフラ形成加工する製造方法を提供するものである。
1).第一貯蔵棚(300)に保管されているワーク(w)をブロック搬送ロボット(200)で把持し、ついで把持されたワークを前記X線回析結晶方位測定器付きレーザー装置(600)前に移送し、X線回析結晶方位測定器付きレーザー装置(600)でワークの両端のC軸方位を検出し、レーザー光でマーキングするとともに、オリフラ結晶方位を検出し、レーザー光でマーキングする、結晶方位測定工程。
2).ブロック搬送ロボット(200)に把持されたC軸マーキングされたワーク(w)を、円筒研削装置(500)のワークストッカー(14)に移送し、ついで、オートローダー機器(13)のハンド爪にワークを抱かえ込み、クランプ装置の主軸台の支持軸(7a1)と心押台の支持軸(7b1)間にワークのマーキングされたC軸心がこのクラン
プ装置の主軸台の支持軸と心押台の支持軸を結ぶC軸心一致するようにワークを支架させる、ワークのローディング工程。
3).前記クランプ装置(7)に支架されているワークを主軸台(7a)のサーボモータによりクランプ装置のC軸廻りに回転させ、前記カップホイール型砥石軸を回転させ、回転するこのカップホイール型砥石(10g,10g)を前記C軸廻りに回転しているワークの円周面に当接するよう前進(左方向移動)させて円筒研削加工を開始し、前記カップホイール型砥石(10g,10g)を円筒粗研削取り代(tgr)が得られる距離まで前進(左方向移動)させる切込み加工を行った後、前記クランプ装置(7)を前記カップホイール型砥石(10g,10g)側へさらに前進させ、通過させて前記クランプ装置に支架されているワークの外周面を円筒粗研削加工する、円筒粗研削加工する工程。
4).前記クランプ装置(7)に支架された円筒粗研削加工されたワークをオートローダー機器(13)のハンド爪に抱き、ついで、円筒研削装置のワークストッカー(13)に円筒研削加工されたワーク(w)を移送する、ワークのアンローディング工程。
5).円筒粗研削加工されたワーク(w)を前記ブロック搬送ロボット(200)で受け取り、ついで、受け取ったワーク(w)を前記円筒研削加工装置(700)のワークストッカー(14)に移送し、ついで、オートローダー機器(13)のハンド爪にワークを抱かえ込み、前記クランプ装置(7)の主軸台の支持軸と心押台の支持軸間にワークのマーキングされたC軸心がこの第二クランプ装置の主軸台の支持軸と心押台の支持軸を結ぶC軸心と一致するようにワークを支架させる、ワークの受け渡しローディング工程。
6).前記クランプ装置(7)に支架されているワーク(w)を主軸台(7a)のサーボモータによりクランプ装置のC軸廻りに回転させ、前記円筒研削装置(700)のカップホイール型砥石軸を回転させ、回転するこのカップホイール型砥石(11g,11g)を前記C軸廻りに回転しているワークの円周面に当接するよう前進(左方向移動)させて円筒仕上げ研削加工を開始し、前記カップホイール型砥石(11g,11g)を円筒仕上げ研削取り代(tgf)が得られる距離まで前進(左方向移動)させる切込み加工を行った後、前記クランプ装置(7)を前記カップホイール型砥石(11g,11g)側へさらに前進させ、通過させて前記クランプ装置(7)に支架されているワークの外周面を円筒
仕上げ研削加工する、円筒仕上げ研削加工する工程。
7).前記クランプ装置(7)の主軸台の支持軸(7a1)を回転させてオリフラ加工される結晶方位に前記円筒仕上げ研削加工されたワーク(w)を芯出しする、オリフラ芯出し工程。
8).前記円筒研削装置(700)の一対のカップホイール型砥石軸の内のワークがオリフラ加工される位置に近い側にあるカップホイール型砥石(11g)を軸承する砥石軸を回転させ、回転するカップホイール型砥石(11g)を前記オリフラ加工される結晶方位に芯出しされたワーク(w)の円周面に当接するよう前進(左方向移動)させてオリフラ研削加工を開始し、さらに前記カップホイール型砥石(11g)を前進させてオリフラ研削取り代(tof)を研削する距離まで前進(左方向移動)させる切込み加工を行った後、前記クランプ装置を前記カップホイール型砥石側へ移動させて円柱状インゴットブロックの外周面にオリフラを形成する、オリフラ研削加工工程。
および、
9).前記クランプ装置(7)に支架されたオリフラ研削加工されたワーク(w)を前記オートローダー機器のロボット爪で把持し、前記ワークロッカーに移送した後、前記搬送ロボットがワークを受け取って第二貯蔵棚(400)に移送する、アンローディング工程。
1). The workpiece (w) stored in the first storage shelf (300) is gripped by the block transport robot (200), and then the gripped workpiece is placed in front of the laser device (600) with the X-ray diffraction crystal orientation measuring device. Transfer, detect C-axis orientation at both ends of workpiece with laser device (600) with X-ray diffraction crystal orientation measuring instrument, mark with laser light, detect orientation flat crystal orientation, and mark with laser light, crystal Orientation measurement process.
2). The C-marked workpiece (w) held by the block transfer robot (200) is transferred to the workpiece stocker (14) of the cylindrical grinding machine (500), and then the workpiece is transferred to the hand claw of the autoloader device (13). the embrace e inclusive, headstock support shaft of the clamping device (7a 1) and the support shaft of the tailstock (7b 1) C axis which is marking the workpiece between the headstock of the support shaft and the mind of the clamping device A workpiece loading process in which the workpiece is supported so as to coincide with the C-axis center connecting the support shafts of the pedestal.
3). The cup wheel grindstone that rotates by rotating the cup wheel grindstone shaft by rotating the work supported by the clamp device (7) around the C axis of the clamp device by the servo motor of the headstock (7a). 10g, 10g) is moved forward (moved in the left direction) so as to come into contact with the circumferential surface of the workpiece rotating around the C axis to start cylindrical grinding, and the cup wheel grindstone (10g, 10g) is cylindrical After performing a cutting process that advances (moves in the left direction) to a distance at which a rough grinding allowance (t gr ) is obtained, the clamp device (7) is further advanced toward the cup wheel grindstone (10g, 10g) side, A process of roughing the cylinder, wherein the outer peripheral surface of the work supported by the clamping device is subjected to a roughing grinding process.
4). The cylindrically ground workpiece supported by the clamping device (7) is held by the hand claw of the autoloader device (13), and then the cylindrical workpiece (w) is cylindrically ground by the workpiece stocker (13) of the cylindrical grinding device. The workpiece unloading process.
5). The workpiece (w) that has been subjected to cylindrical rough grinding is received by the block transfer robot (200), and then the received workpiece (w) is transferred to the workpiece stocker (14) of the cylindrical grinding device (700). The workpiece is held in the hand claw of the autoloader device (13), and the C axis with the workpiece marked between the support shaft of the headstock and the support shaft of the tailstock is the second clamp. A workpiece delivery loading process in which the workpiece is supported so as to coincide with the C-axis center connecting the support shaft of the headstock of the apparatus and the support shaft of the tailstock.
6). The workpiece (w) supported on the clamping device (7) is rotated around the C axis of the clamping device by the servo motor of the headstock (7a), and the cup wheel type grinding wheel shaft of the cylindrical grinding device (700) is rotated. Then, the rotating cup wheel type grindstone (11g, 11g) is moved forward (moved in the left direction) so as to come into contact with the circumferential surface of the workpiece rotating around the C axis to start cylindrical finish grinding, After performing a cutting process for moving the cup wheel type grindstone (11g, 11g) forward (moving in the left direction) to a distance where a cylindrical finishing grinding allowance (t gf ) is obtained, the clamp device (7) is moved to the cup wheel type grindstone. (11g, 11g) A cylinder finishing grinding machine that further advances to the side and passes the outer peripheral surface of the work supported on the clamping device (7) by cylindrical finishing grinding. Step of processing.
7). To center headstock support shaft said (7a 1) a by rotating the crystal orientation is the orientation flat machined cylindrical finish grinding machined workpiece (w) of the clamping device (7), the orientation flat centering process.
8). A cup wheel that rotates by rotating a grindstone shaft that supports a cupwheel grindstone (11g) on the side close to a position where a workpiece of the pair of cupwheel grindstone shafts of the cylindrical grinding apparatus (700) is subjected to orientation flat machining. The mold grindstone (11g) is moved forward (moved in the left direction) so as to come into contact with the circumferential surface of the workpiece (w) centered in the crystal orientation to be subjected to the orientation flat processing, and the orientation flat grinding processing is started. After performing a cutting process to advance the grindstone (11g) to advance to the distance where the orientation flat grinding allowance (t of ) is ground (moving leftward), the clamp device is moved to the cup wheel grindstone side to make a circle. An orientation flat grinding process that forms orientation flats on the outer peripheral surface of a columnar ingot block.
and,
9). The orientation flat ground workpiece (w) supported by the clamp device (7) is gripped by the robot claw of the autoloader device and transferred to the workpiece locker. An unloading process of transferring to the shelf (400).
本発明の複合面取り加工装置は、1台のXRD機の使用であって、4台の円筒研削装置の内の2台の円筒粗研削装置(500a,500b)で円柱状インゴットブロックの円筒粗研削加工を、残りの2台の円筒仕上げ研削装置(700a,700b)でワークの円筒仕上げ研削加工およびオリフラ研削加工できるので、XRD機1台の利用に対する面取り加工ワークの生産高が4倍に向上できる。 The composite chamfering apparatus of the present invention is the use of one XRD machine, and cylindrical rough grinding of a cylindrical ingot block by two of the four cylindrical grinding machines (500a, 500b). Since the remaining two cylindrical finish grinding devices (700a, 700b) can perform machining, cylindrical finish grinding and orientation flat grinding of workpieces, the production of chamfered workpieces for the use of one XRD machine can be increased fourfold. .
カップホイール型砥石一対(10g,10g、または、11g,11g)を同時に用いてワークを円筒研削加工できるので、円筒研削加工時間を特許文献5記載の複合面取り装置の円筒研削装置より1/2短縮できる。
Since a workpiece can be cylindrically ground using a pair of cup wheel type grindstones (10 g, 10 g, or 11 g, 11 g) at the same time, the cylindrical grinding time is reduced by half compared to the cylindrical grinding device of the composite chamfering device described in
よって、4台の円筒研削装置(500a,500b,700a,700b)のそれぞれ1台の円筒研削装置にブロック搬送ロボット(200)によりローディングされるワークの搬入時期をずらして行うことにより、4台の円筒研削装置(500a,500b,700a,700b)を同時間帯に稼動させていることができる。円筒粗研削取り代(tgr)を1〜2mm厚み、円筒仕上げ研削取り代(tgf)を5〜50μm厚みと設定することにより、全工程の中で前記第3工程の粗円筒研削加工工程が律速となり、その加工時間は、前記第6、第7、第8および第9工程に要する合計時間より長い。 Therefore, by shifting the loading timing of the work loaded by the block transfer robot (200) to one cylindrical grinding device of each of the four cylindrical grinding devices (500a, 500b, 700a, 700b), Cylindrical grinding devices (500a, 500b, 700a, 700b) can be operated in the same time zone. By setting the cylindrical rough grinding allowance (t gr ) to 1 to 2 mm thickness and the cylindrical finish grinding allowance (t gf ) to 5 to 50 μm thickness, the rough cylindrical grinding step of the third step in all steps Becomes the rate limiting, and the processing time is longer than the total time required for the sixth, seventh, eighth and ninth steps.
図1に示される本発明の複合面取り加工装置1は、左右方向に延びた第一案内レール100上を滑走できる搬送ロボット200、第一案内レールの右端に設けられたワークの第
一貯蔵棚300、前記第一案内レール100の左端に設けられたオリフラ加工されたワークの第二貯蔵棚400、前記搬送ロボットの滑走用第一案内レール100に対し、後ろ側に平行に設けられた右端より左端側に向かって、円筒粗研削装置の2台500a,500b、XRD機600、および、円筒仕上げ研削装置の2台700a,700bの5機が間隔を以って併設した複合面取り加工装置1である。
A composite chamfering apparatus 1 of the present invention shown in FIG. 1 includes a
円筒粗研削装置500a、500b、および、円筒仕上げ研削装置700a,700bは、同一型の円筒研削装置であり、第一円筒研削装置500a,500bにはカップホイール型粗研削砥石10g,10gが、第二円筒研削装置700a,700bにはカップホイール型仕上げ研削砥石11g,11gが取り付けられている。
The cylindrical
図1に示す円筒粗研削装置500a,500bおよび円筒仕上げ研削装置700a,700bの代りに図2、図3に示すカップホイール型粗研削砥石10g,10gおよびカップホイール型仕上げ研削砥石11g,11gを同一機械に備える円筒研削装置500,700を用いてもよい。
The cup wheel type
図2、図3および図5に示すように、円筒研削装置500,700は、機枠(ベース)2に左右方向に延びて敷設された一対の案内レール3,3上を左右方向に往復移動できるように設けられたワークテーブル4を設けてある。このワークテーブル4の左右往復移動は、サーボモータ5による回転駆動をボールネジ6が受けて回転し、このボールネジに螺合された固定台(図示されていない)が左方向または右方向に前進することにより、この固定台表面にワークテーブル4の裏面が固定されているワークテーブル4が左方向または右方向に前進する。ワークテーブル4の左方向または右方向の前進は、サーボモータ5の回転軸が時計廻り方向か、逆時計廻り方向かに依存する。
As shown in FIGS. 2, 3, and 5, the
このワークテーブル4上に前後に分離して搭載された主軸台7aと心押台7bの一対よりなるクランプ装置7が搭載されている。よって、ワークテーブル4の前方向または後ろ方向の移動に付随してこのクランプ装置7も前方向または後ろ方向に移動し、クランプ装置7の主軸台センター支持軸7a1と心押台センター支持軸7b1により支架(挟持)されて宙吊り状態となったワークwは、第一円筒研削ステージ10、第二円筒研削ステージ11、またはロードポート8位置へと移動することが可能となっている。
On the work table 4 is mounted a
クランプ装置7は公知のチャック機構であり、シリコンインゴットの円筒研削盤でよく使用されている。主軸台7aは主軸台センター支持軸7a1をサーボモータ7amで回転させることによりワークwを360度回転させる機能を有する。心押台7bは空気シリンダー7e駆動でガイドレール上を左右に移動できる移動台7bt上に設けられ、ワークをクランプ機構7で支架したのち、レバーを押し下げることにより固定し、ワークテーブル4の移動により心押台7bを搭載する移動台7btが移動するのを防ぐ。
The
前記第一円筒研削ステージ10、第二円筒研削ステージ11、およびロードポート8の位置関係は、前記ワークテーブル4を側面側から直角に見る方向であって、かつ、前側方向より後ろ側方向へ向かって、第一円筒研削ステージ10、第二研削ステージ11、ロードポート8を設ける。第一円筒研削ステージ10および第二円筒研削ステージ11は密閉カバー12で覆われている。また、ロードポート8は片手横スライド扉12aにより閉じられる。密閉カバー12で覆われた各研削10,11の空間には排気ダクト18が接続され、この空間内に浮遊するミストや研削屑を外部へ排出する。
The positional relationship between the first cylindrical grinding stage 10, the second
第一円筒研削ステージ10は、サーボモータ10m,10mの回転駆動により前後移動可能なツールテーブル10t,10t上に設けられた砥石軸の一対10a,10aに軸承されたカップホイール型砥石の一対10g,10gをその研削砥石面10gs,10gs
が相対向するようにワークテーブル4を挟んでワークテーブル4前後に対称にかつ砥石軸芯10o,10oが同一線上となる位置に設け、これら砥石軸10a,10aはサーボモータ10M,10Mの回転駆動により回転される構造となっている。
The first cylindrical grinding stage 10 is composed of a pair of grinding
Are provided symmetrically before and after the work table 4 with the work table 4 sandwiched therebetween and at positions where the grindstone shaft cores 10 o and 10 o are on the same line, and the
サーボモータ10m,10mによる回転駆動をボールネジが受けて回転し、このボールネジに螺合された固定台が前方向または後方向に前進または後退することにより、この固定台表面にツールテーブル10t,10tの裏面が固定されているツールテーブル10t,10tが前進移動または後退移動する。このツールテーブルの前進または後退の移動方向は、サーボモータ10m,10mの回転軸が時計廻り方向か、逆時計廻り方向かに依存する。
When the ball screw receives rotation by the
第二円筒研削ステージ11は、サーボモータ11m,11mの回転駆動により前後移動可能なツールテーブル11t,11t上に設けられた砥石軸の一対11a,11aに軸承されたカップホイール型砥石の一対11g,11gをその研削砥石面11gs,11gsが相対向するようにワークテーブル4を挟んでワークテーブル4前後に対称にかつ砥石軸芯11o,11oが同一線上となる位置に設け、これら砥石軸11a,11aはサーボモータ11M,11Mの回転駆動により回転される構造となっている。
The second
サーボモータ11m,11mによる回転駆動をボールネジが受けて回転し、このボール
ネジに螺合された固定台が前方向または後方向に前進移動または後退移動することにより、この固定台表面にツールテーブル11t,11tの裏面が固定されているツールテーブル11t,11tが前進または後退する。このツールテーブルの前進または後退の移動方向は、サーボモータ11m,11mの回転軸が時計廻り方向か、逆時計廻り方向かに依存する。
When the ball screw receives the rotation drive by the
第二円筒研削ステージ11は、前記第一円筒研削ステージ10の後ろ側に平行に設けられる。即ち、両ステージ10,11の砥石軸芯10o,11oが平行である。
The second
カップホイール型研削砥石10g,10g,11g,11gおよびオリフラ研削加工用カップホイール型研削砥石のカップホイール型研削砥石の直径は、ワークが2〜6インチのサファイア基板用円柱状インゴットブロックであるときは、100〜240mmである。カップホイール型砥石片の幅は3〜10mm、リング状砥石幅は5〜15mmであるのがワークの研削焼け防止の観点から好ましい。
The cup wheel
カップホイール型砥石10g,11gの砥粒は、ダイヤモンド砥粒、CBN砥粒が好ましく、結合剤(ボンド)はメタルボンド、ビトリファイドボンド、エポキシレジンボンドがよい。例えば、カップホイール型砥石は特開平9−38866号公報、特開2000―94342号公報や特開2004−167617号公報等に開示される有底筒状砥石台金の下部環状輪に砥石刃の多数を研削液が散逸する隙間間隔で環状に配置したカップホイール型砥石で、台金の内側に供給された研削液が前記隙間から散逸する構造のものが好ましい。このカップホイール型砥石の環状砥石刃の直径は、ワーク直径の1.2〜1.5倍の直径であることが好ましい。前記カップホイール型粗研削砥石10gの環状砥石刃は、砥番100〜280番のダイヤモンドレジンボンド砥石、またはダイヤモンドビトリファイドボンド砥石が好ましい。また、カップホイール型仕上げ研削砥石11gの環状砥石刃は、砥番300〜1,200番のダイヤモンドレジンボンド砥石、ダイヤモンドビトリファイドボンド砥石、またはダイヤモンドメタルボンド砥石が好ましい。
The abrasive grains of the cup
研削液としては、純水、コロイダルシリカ水分散液、セリア水分散液、SC−1液、SC−2液、あるいは、これら水分散液に有機リン化合物を配合した水分散液を利用するのが好ましい。 As the grinding liquid, pure water, colloidal silica aqueous dispersion, ceria aqueous dispersion, SC-1 liquid, SC-2 liquid, or an aqueous dispersion in which an organic phosphorus compound is mixed with these aqueous dispersions may be used. preferable.
ロードポート8は、第二円筒研削ステージ11の後ろ側であってワークテーブル4の前側に位置するハウジング材にワークwを前記クランプ装置7への移出入を可能とする開口部を設けることにより形成される。
The
円筒仕上げ研削装置700におけるワークのオリフラ研削加工時には、前記第二円筒研削ステージ11は、円筒仕上げ研削加工ステージおよびオリフラ研削加工ステージと呼び変えられる。
At the time of orientation flat grinding of the workpiece in the cylindrical
図2において符号20は制御装置を、符号21は操作盤を示す。また、図3において、符号9cは研削液供給管を示す。
In FIG. 2,
図1、図2、図3および図4に示すように、円筒研削装置500,700は、前記ワークテーブル4の前側であって前記ロードポート8と前記第二研削ステージ11との空間部にオートローダー(ワークローディング/アンローディング装置)13およびインゴットブロク3本を貯えるワークストッカー14を機枠2上に並設している。符号15は、脚立車を備えた運搬台車16のテーブル上に載置された予備のワークストッカー(保管棚)である。この予備のワークストッカー15は、第一案内レールの両端に備え付けられる既述の貯蔵棚300,400として利用してもよい。
As shown in FIGS. 1, 2, 3, and 4, the cylindrical grinding
ワークストッカー(保管棚)14,15は、ワーク3本w,w,wを45度傾斜して収納できる断面が逆2等辺三角形状のV字棚段を備え、機枠から突き出した位置決めピン16上に載置されている。 The work stockers (storage shelves) 14 and 15 are provided with V-shaped shelves having an inverted isosceles triangle shape capable of storing three workpieces w, w, and w inclined at 45 degrees, and positioning pins 16 protruding from the machine frame. It is placed on top.
前記オートローダー機器(ワークローディング/アンローディング装置)13は、ワークストッカー14V字棚段に保管されているワーク1本を1対の爪13a,13bで挟持し、両爪を上昇させることによりワークを吊り上げ、ついで、後退、右方向への移動、下降してロードポート8前に位置させ、さらに後退させることによりこのロードポート8からワークをクランプ装置7の主軸台7aと心押台7b間へと搬送する。ワークの一端を主軸台7aのセンター支持軸7a1に当接させた後、心押台7bを空気シリンダー7eで右方向に移動させてセンター支持軸7b1に他端を当接させワークを45度V傾斜させかつ4面を宙吊り状態に支架する。ついで、前記爪13a,13bを離間させてワークの把持を開放し、ついで、両爪13a,13bを支持する固定台13fを上昇させ、左方向に移動させ、さらに、前方向に後退させ両爪13a,13bを待機位置へと戻る。
The autoloader device (work loading / unloading device) 13 holds a workpiece stored on a work stocker 14V-shaped shelf with a pair of
また、前記クランプ装置7に宙吊り状態に支架されている面取り加工および洗浄・風乾されたワークを両爪13a,13bで把持し、ついで、両爪13a,13bを支持する固定台13fを上昇させ、左方向に移動させ、さらに、前方向に後退させ両爪13a,13bをワークストッカー14,15の空棚上方へ移動したのち、下降させてワークを前記空棚に載置下後、両爪13a,13bを離間してワークを開放したのち、前記待機位置へと両爪13a,13bを戻す。
Further, the chamfering process and the cleaned and air-dried work supported in a suspended state in the
両爪13a,13bを支持する固定台13fの前後方向の移動は、サーボモータ13mにより回転駆動されたボールネジ13kに裏面を螺合させた固定台13fの滑走面13sをコラム13c側面に設けられた案内レール13g上を滑走させることにより行われる。両爪13a,13bを支持する固定台13fの上下方向の移動は、エアーシリンダー13pにより行われる。両爪13a,13bの離間は、図4の円内に示されるマイクロウイークエアシリンダ13eを用いて両爪13a,13bを離間させる。両爪13a,13bの僅かな昇降の微調整は、マイクロウイークエアシリンダ13lを用いて行う。両爪13a,13bの僅かな前後移動の微調整は、マイクロウイークエアシリンダ13Rを用いて行
う。
The fixed
上記円筒研削装置500,700に設置されたワークストッカー14,15に保管されたワークwをオートローダー機器13のロボット爪13a,13bを用い、クランプ装置7の支持軸7a1,7b1に自動挟持(支架)する工程は次ぎのように行われる。
The workpiece w stored in the
オートローダー機器13のロボット爪13a,13bで直径がRmm、研削取り代(t)設定がtgmm厚みの円筒状インゴットブロック(ワーク)の中央部を把持する。S01
前記ロボット爪に把持されたワークを主軸台7aの支持軸7a1と心押台7bの支持軸7b1間へ搬入し、前記心押台7bを前進させて前記ワークwの長手方向(C軸方向)の両端を前記クランプ装置7の支持軸7a1,7b1で支架させる。なお、支持軸7a1,7b1の両軸心を結ぶ線をクランプ装置7のC軸心と呼ぶ。S02
Wherein the gripped workpiece to the robot claws and carried into between the
オートローダー機器13のロボット爪13a,13bをワークwより遠ざける。S03
The
図1に戻って、第一案内レール100上を滑走する搬送ロボット200は、ワークロッカー14、貯蔵棚300,400、円筒粗研削装置500a,500b、XDR機600、円筒仕上げ研削装置700a,700b間においてワークwを受け渡すのに使用される。
Returning to FIG. 1, the
X線回析結晶方位測定器付きレーザー装置(X-ray diffraction)600は、X線照射
器、X線回析器、レーザー光照射器、CCDカメラ、ワーク台、時間回路を有するコントローラ等を備える。ワークの撮像、ワークの結晶方位測定、ワークへのレーザーマーキングなどが可能である。
A laser device (X-ray diffraction) 600 with an X-ray diffraction crystal orientation measuring device includes an X-ray irradiator, an X-ray diffractor, a laser light irradiator, a CCD camera, a work table, a controller having a time circuit, and the like. . Workpiece imaging, workpiece crystal orientation measurement, laser marking on workpieces, etc. are possible.
本発明の複合面取り加工装置1を用い、円柱状サファイア・インゴットブロック(ワーク)に円筒研削加工およびオリフラ形成加工する工程は、次の工程を経て実施される。 The process of performing cylindrical grinding and orientation flat forming on a cylindrical sapphire ingot block (work) using the composite chamfering apparatus 1 of the present invention is performed through the following steps.
1).第一貯蔵棚300に保管されているワークwをブロック搬送ロボット200で把持し、ついで把持されたワークを前記XRD機600前に移送し、XRD機でワーク両端のC軸方位を検出し、レーザー光でワークにC軸方位をマーキングするとともに、オリフラ方位を検出し、レーザー光でワークにオリフラ方位をマーキング。(C軸方位およびオリフラ方位検出工程。)
1). The workpiece w stored in the
2).ブロック搬送ロボット200に把持されたC軸マーキングされたワークwを、円筒粗研削装置500のワークストッカー14に移送し、ついで、オートローダー機器13のハンド爪にワークを抱かえ込み、クランプ装置7の主軸台7aの支持軸と心押台7bの支持軸間にワークのマーキングされたC軸心がこのクランプ装置7の主軸台の支持軸と心押台の支持軸を結ぶC軸心一致するようにワークを支架させる。(ワークのローディング工程。)
2). The workpiece w marked with the C-axis gripped by the
3).前記円筒粗研削装置500のクランプ装置7に支架されているワークを主軸台7aのサーボモータ10M,11Mによりクランプ装置7のC軸廻りにセンター支持軸7a1を10〜300rpmの回転速度で回転さ、前記カップホイール型砥石軸10o,10oを800〜3,000rpmの回転速度で回転させ、回転するこのカップホイール型砥石10g,10gを前記C軸廻りに回転しているワークの円周面に当接するよう前進(左方向移動)させて円筒研削加工を開始し、前記カップホイール型砥石10g,10gを円筒粗研削取り代(tgr)が得られる距離まで前進(左方向移動)させる切込み加工を行
った後、前記クランプ装置7を前記カップホイール型砥石10g,10g側へさらに1〜15mm/分速度で前進させ、通過させて前記クランプ装置7に支架されているワークの外周面を円筒粗研削加工する、円筒粗研削加工する工程(図6a参照)。
3). The workpiece supported by the
なお、円筒研削加工中、5〜100cc/分の量の研削液が研削作業点に供給される。また、円筒粗研削装置500が更に一対のカップホイール型仕上げ研削砥石11g,11gを備えているときは、さらに前記クランプ装置7を一対の回転しているカップホイール型砥石11g,11g間に通過させてワークの外周面を円筒仕上げ研削加工して、後工程での円筒仕上げ研削装置700によるワークの仕上げ円筒研削加工時間を低減させてもよい。
Note that during the cylindrical grinding process, an amount of 5 to 100 cc / min of grinding fluid is supplied to the grinding work point. Further, when the cylindrical rough
4).前記クランプ装置7に支架された円筒粗研削加工されたワークwをオートローダー機器13のハンド爪に抱き、ついで、円筒粗研削装置500のワークストッカー14に円筒粗研削加工されたワークを移送する。(円筒粗研削加工されたワークのアンローディング工程)。
4). The cylindrical rough-grinded workpiece w supported on the
5).円筒粗研削加工されたワークwを前記ブロック搬送ロボット200で受け取り、ついで、受け取ったワークwを前記円筒仕上げ研削加工装置700のワークストッカー14に移送し、ついで、オートローダー機器13のハンド爪にワークを抱かえ込み、前記クランプ装置7の主軸台7aの支持軸7a1と心押台7bの支持軸7b1間にワークのマーキングされたC軸心がこの第二クランプ装置の主軸台の支持軸7a1と心押台の支持軸7b1を結ぶC軸心と一致するようにワークを支架させる、ワークの受け渡しローディング工程。
5). The workpiece w subjected to cylindrical rough grinding is received by the
6).前記円筒仕上げ研削加工装置700のクランプ装置7に支架されているワークwを主軸台7aのサーボモータによりクランプ装置のC軸廻りに10〜200rpmの回転速度で回転させ、前記円筒研削装置700のカップホイール型砥石軸を回転させ、回転するカップホイール型砥石11g,11gを前記C軸廻りに回転しているワークwの円周面に当接するよう前進(左方向移動)させて円筒仕上げ研削加工を開始し、前記カップホイール型砥石11g,11gを円筒仕上げ研削取り代(tgf)が得られる距離まで5〜50μm前進させる切込み加工を行った後、前記クランプ装置7を前記カップホイール型砥石11g,11g側へさらに1〜15mm/分速度で前進させ、前記カップホイール型砥石11g,11g間を通過させて前記クランプ装置7に支架されているワークの外周面を円筒仕上げ研削加工する、円筒仕上げ研削加工する工程(図6b参照)。
6). The workpiece w supported by the
なお、円筒仕上げ研削加工中、5〜100cc/分の量の研削液が研削作業点に供給される。また、円筒仕上げ研削加工終了後、カップホイール型砥石軸はワークwより後退されたのち、ワークテーブル4に搭載されているクランプ装置7はカップホイール型砥石11g,11gより後退され、円筒仕上げ研削開始点位置まで戻される。
Note that during the cylindrical finish grinding process, a grinding liquid of 5 to 100 cc / min is supplied to the grinding work point. Further, after the cylindrical finish grinding is completed, the cup wheel type grindstone shaft is retracted from the workpiece w, and then the
7).前記クランプ装置(7)の主軸台の支持軸(7a1)を回転させてオリフラ加工される結晶方位に前記円筒仕上げ研削加工されたワークwを芯出しする、オリフラ芯出し工程。 7). An orientation flat centering step in which the support w (7a 1 ) of the headstock of the clamping device (7) is rotated to center the workpiece w subjected to the cylindrical finish grinding in a crystal orientation to be orientation flat processed.
8).前記円筒仕上げ研削装置700の一対のカップホイール型砥石軸の内のワークがオリフラ加工される位置に近い側にあるカップホイール型砥石11gを軸承する砥石軸を10〜200rpmの回転速度で回転させ、回転するカップホイール型砥石11gを前記オリフラ加工される結晶方位に芯出しされたワークwの円周面に当接するよう前進(左方向移動)させてオリフラ研削加工を開始し、さらに前記カップホイール型砥石11gを前進させてオリフラ研削取り代(tof)を研削する距離まで前進(左方向移動)させる切込
み加工を行った後、前記クランプ装置7を前記カップホイール型砥石側へ1〜15mm/分速度で移動させて円柱状インゴットブロックの外周面にオリフラを形成する、オリフラ研削加工工程(図6c参照)。
8). The grindstone shaft that supports the
および、 and,
9).前記クランプ装置(7)に支架されたオリフラ研削加工されたワークwを前記オートローダー機器のロボット爪で把持し、前記ワークロッカー14に移送した後、前記搬送ロボット200がワークwを受け取って第二貯蔵棚400に移送する、アンローディング工程。
9). After the orientation flat grinding work w supported by the clamping device (7) is gripped by the robot claw of the autoloader device and transferred to the
本発明の複合面取り加工装置1は、1台のXRD機600でワークの結晶方位の測定、レーザーによるマーキングを、並びに、2台の円筒粗研削装置500で円柱状インゴットブロックの円筒粗研削加工を、および、2台の円筒仕上げ研削装置700で円柱状インゴットブロックの円筒仕上げ研削加工およびオリフラ研削加工を為すことができるので、1台のXRD機600当たりの1時間当たりの面取り加工ワークの生産量を約4倍以上向上させることができる。特に、一対のカップホイール型砥石(10g,10gまたは11g,11g)でワークの円筒研削加工を行うので、特許文献5記載の円筒研削装置1台当たりのワークの円筒研削加工時間を1/2に短縮できる。
The compound chamfering apparatus 1 of the present invention measures the crystal orientation of a workpiece with one
1 複合面取り加工装置
w ワーク(円柱状サファイア・インゴットブロック)
100 第一案内レール
200 搬送ロボット
300,400 貯蔵棚
500 円筒粗研削装置
4 ワークテーブル
6 第二案内レール
7 クランプ機構
7a 主軸台
7b 心押台
8 ロードポート
10 第一研削ステージ
10g カップホイール型粗研削砥石
11 第二研削ステージ
11g カップホイール型仕上げ研削砥石
13 オートローダー機器
14 ワークストッカー
600 XRD機
700 円筒仕上げ研削装置
1 Compound chamfering machine w Workpiece (Cylindrical sapphire ingot block)
DESCRIPTION OF
Claims (2)
上記第一案内レールの右端に設けられた円柱状インゴットブロック(ワーク)の第一貯蔵棚(300)、
上記第一案内レールの左端に設けられたオリフラ加工されたワークの第二貯蔵棚(400)、
前記搬送ロボットの滑走用第一案内レール(100)に対し、後ろ側に平行に設けられた右端より左端側に向かって、第一円筒粗研削装置(500a)、第二円筒粗研削装置(500b)、X線回析結晶方位測定器付きレーザー装置(600)、第一円筒仕上げ研削装置(700a)、および、第二円筒仕上げ研削装置(700b)を間隔空けて併設した面取り加工装置群、
より構成されるワークの複合面取り加工装置(1)であって、
上記第一、第二円筒粗研削装置(500a、500b)、および第一、第二円筒仕上げ研削装置(700a、700b)は、取り付けられるカップホイール型砥石(10g,10g、または11g,11g)が異なる点を除いては同一種の円筒研削装置であって、前後方向に延びる第二案内レール(3,3)上を滑走できる芯出し機能を備えた主軸台(7a)と心押台(7b)よりなるクランプ装置(7)を載置する移動テーブル(4)を設けとともに、前記クランプ装置の支持軸(7a1,7b1)に支架されるワークのC軸に対し直角方向に、かつ、C軸を挟んで一対の円筒研削用カップホイール型砥石(10g,10g、または11g,11g)を軸承する砥石軸を前進後退可能に設けるとともに、オートローダー機器(13)およびワークストッカー(14)を備え、前記ワークストッカー(14)と前記オートローダー機器(13)と前記クランプ装置(7)とでワークローディング/アンローディングステージを構成し、前記クランプ装置(7)と前記一対の円筒研削用カップホイール型砥石(10g,10g、または11g,11g)を軸承する砥石軸とでワークの円筒研削ステージおよびオリフラ研削加工ステージを構成する、
ことを特徴とする複合面取り加工装置(1)。 A transfer robot (200) capable of sliding on the first guide rail (100) extending in the left-right direction;
A first storage shelf (300) of a cylindrical ingot block (work) provided at the right end of the first guide rail,
A second storage shelf (400) of the workpiece subjected to orientation flat processing provided at the left end of the first guide rail,
The first cylindrical rough grinding device (500a) and the second cylindrical rough grinding device (500b) from the right end provided parallel to the rear side toward the left end side with respect to the first guide rail (100) for sliding of the transfer robot. ), A chamfering device group in which a laser device (600) with an X-ray diffraction crystal orientation measuring device, a first cylindrical finish grinding device (700a), and a second cylindrical finish grinding device (700b) are provided with an interval,
A workpiece chamfering processing apparatus (1) comprising:
The first and second cylindrical rough grinding devices (500a, 500b) and the first and second cylindrical finish grinding devices (700a, 700b) have cup wheel grindstones (10g, 10g, or 11g, 11g) to be attached. Except for different points, they are the same kind of cylindrical grinding device, and the headstock (7a) and tailstock (7b) having a centering function capable of sliding on the second guide rails (3, 3) extending in the front-rear direction. And a moving table (4) on which a clamping device (7) is formed, and a direction perpendicular to the C-axis of the workpiece supported on the supporting shafts (7a 1 , 7b 1 ) of the clamping device, and A grindstone shaft for supporting a pair of cylindrical grinding cup wheel grindstones (10 g, 10 g, or 11 g, 11 g) with a C axis interposed therebetween is provided so as to be capable of moving forward and backward, and an autoloader device (13) and And the work stocker (14), the work stocker (14), the autoloader device (13), and the clamp device (7) constitute a work loading / unloading stage, and the clamp device (7) A cylindrical grinding stage and an orientation flat grinding stage of a workpiece are constituted by a grinding wheel shaft that supports a pair of cylindrical grinding cup wheel grinding wheels (10 g, 10 g, or 11 g, 11 g).
A composite chamfering apparatus (1) characterized by the above.
1).第一貯蔵棚(300)に保管されているワーク(w)をブロック搬送ロボット(200)で把持し、ついで把持されたワークを前記X線回析結晶方位測定器付きレーザー装置(600)前に移送し、X線回析結晶方位測定器付きレーザー装置(600)でワークの両端のC軸方位を検出し、レーザー光でマーキングするとともに、オリフラ結晶方位を検出し、レーザー光でマーキングする、結晶方位測定工程。
2).ブロック搬送ロボット(200)に把持されたC軸マーキングされたワーク(w)を、円筒研削装置(500)のワークストッカー(14)に移送し、ついで、オートローダー機器(13)のハンド爪にワークを抱かえ込み、クランプ装置の主軸台の支持軸(7a1)と心押台の支持軸(7b1)間にワークのマーキングされたC軸心がこのクラン
プ装置の主軸台の支持軸と心押台の支持軸を結ぶC軸心一致するようにワークを支架させる、ワークのローディング工程。
3).前記クランプ装置(7)に支架されているワークを主軸台(7a)のサーボモータによりクランプ装置のC軸廻りに回転させ、前記カップホイール型砥石軸を回転させ、回転するこのカップホイール型砥石(10g,10g)を前記C軸廻りに回転しているワークの円周面に当接するよう前進させて円筒研削加工を開始し、前記カップホイール型砥石(10g,10g)を円筒粗研削取り代(tgr)が得られる距離まで前進させる切込み加工を行った後、前記クランプ装置(7)を前記カップホイール型砥石(10g,10g)側へさらに前進させ、通過させて前記クランプ装置に支架されているワークの外周面を円筒粗研削加工する、円筒粗研削加工する工程。
4).前記クランプ装置(7)に支架された円筒粗研削加工されたワークをオートロー
ダー機器(13)のハンド爪に抱き、ついで、円筒研削装置のワークストッカー(13)に円筒研削加工されたワーク(w)を移送する、ワークのアンローディング工程。
5).円筒粗研削加工されたワーク(w)を前記ブロック搬送ロボット(200)で受け取り、ついで、受け取ったワーク(w)を前記円筒研削加工装置(700)のワークストッカー(14)に移送し、ついで、オートローダー機器(13)のハンド爪にワークを抱かえ込み、前記クランプ装置(7)の主軸台の支持軸と心押台の支持軸間にワークのマーキングされたC軸心がこの第二クランプ装置の主軸台の支持軸と心押台の支持軸を結ぶC軸心と一致するようにワークを支架させる、ワークの受け渡しローディング工程。
6).前記クランプ装置(7)に支架されているワーク(w)を主軸台(7a)のサーボモータによりクランプ装置のC軸廻りに回転させ、前記円筒研削装置(700)のカップホイール型砥石軸を回転させ、回転するこのカップホイール型砥石(11g,11g)を前記C軸廻りに回転しているワークの円周面に当接するよう前進させて円筒仕上げ研削加工を開始し、前記カップホイール型砥石(11g,11g)を円筒仕上げ研削取り代(tgf)が得られる距離まで前進させる切込み加工を行った後、前記クランプ装置(7)を前記カップホイール型砥石(11g,11g)側へさらに前進させ、通過させて前記クランプ装置(7)に支架されているワークの外周面を円筒仕上げ研削加工する、円筒仕上げ研削加工する工程。
7).前記クランプ装置(7)の主軸台の支持軸(7a1)を回転させてオリフラ加工される結晶方位に前記円筒仕上げ研削加工されたワーク(w)を芯出しする、オリフラ芯出し工程。
8).前記円筒研削装置(700)の一対のカップホイール型砥石軸の内のワークがオリフラ加工される位置に近い側にあるカップホイール型砥石(11g)を軸承する砥石軸を回転させ、回転するカップホイール型砥石(11g)を前記オリフラ加工される結晶方位に芯出しされたワーク(w)の円周面に当接するよう前進させてオリフラ研削加工を開始し、さらに前記カップホイール型砥石(11g)を前進させてオリフラ研削取り代(tof)を研削する距離まで前進させる切込み加工を行った後、前記クランプ装置を前記カップホイール型砥石側へ移動させて円柱状インゴットブロックの外周面にオリフラを形成する、オリフラ研削加工工程。
および、
9).前記クランプ装置(7)に支架されたオリフラ研削加工されたワーク(w)を前記オートローダー機器のロボット爪で把持し、前記ワークロッカーに移送した後、前記搬送ロボットがワークを受け取って第二貯蔵棚(400)に移送する、アンローディング工程。 A manufacturing method in which a cylindrical ingot block (workpiece) is subjected to cylindrical grinding and orientation flat forming processing using the composite chamfering apparatus (1) according to claim 1 through the following steps.
1). The workpiece (w) stored in the first storage shelf (300) is gripped by the block transport robot (200), and then the gripped workpiece is placed in front of the laser device (600) with the X-ray diffraction crystal orientation measuring device. Transfer, detect C-axis orientation at both ends of workpiece with laser device (600) with X-ray diffraction crystal orientation measuring instrument, mark with laser light, detect orientation flat crystal orientation, and mark with laser light, crystal Orientation measurement process.
2). The C-marked workpiece (w) held by the block transfer robot (200) is transferred to the workpiece stocker (14) of the cylindrical grinding machine (500), and then the workpiece is transferred to the hand claw of the autoloader device (13). the embrace e inclusive, headstock support shaft of the clamping device (7a 1) and the support shaft of the tailstock (7b 1) C axis which is marking the workpiece between the headstock of the support shaft and the mind of the clamping device A workpiece loading process in which the workpiece is supported so as to coincide with the C-axis center connecting the support shafts of the pedestal.
3). The cup wheel grindstone that rotates by rotating the cup wheel grindstone shaft by rotating the work supported by the clamp device (7) around the C axis of the clamp device by the servo motor of the headstock (7a). 10 g, 10 g) is advanced so as to contact the circumferential surface of the workpiece rotating around the C axis to start cylindrical grinding, and the cup wheel type grindstone (10 g, 10 g) is subjected to cylindrical rough grinding allowance ( t gr ) is advanced to a distance that can be obtained, and then the clamp device (7) is further advanced to the cup wheel type grindstone (10g, 10g) side, passed through and supported by the clamp device. A process of roughing cylindrical grinding on the outer peripheral surface of a workpiece.
4). The cylindrically ground workpiece supported by the clamping device (7) is held by the hand claw of the autoloader device (13), and then the cylindrical workpiece (w) is cylindrically ground by the workpiece stocker (13) of the cylindrical grinding device. The workpiece unloading process.
5). The workpiece (w) that has been subjected to cylindrical rough grinding is received by the block transfer robot (200), and then the received workpiece (w) is transferred to the workpiece stocker (14) of the cylindrical grinding device (700). The workpiece is held in the hand claw of the autoloader device (13), and the C axis with the workpiece marked between the support shaft of the headstock and the support shaft of the tailstock is the second clamp. A workpiece delivery loading process in which the workpiece is supported so as to coincide with the C-axis center connecting the support shaft of the headstock of the apparatus and the support shaft of the tailstock.
6). The workpiece (w) supported on the clamping device (7) is rotated around the C axis of the clamping device by the servo motor of the headstock (7a), and the cup wheel type grinding wheel shaft of the cylindrical grinding device (700) is rotated. Then, the rotating cup wheel type grindstone (11g, 11g) is advanced to come into contact with the circumferential surface of the workpiece rotating around the C axis to start cylindrical finish grinding, and the cup wheel type grindstone ( 11g, 11g) is advanced to a distance at which a cylindrical finish grinding allowance (t gf ) is obtained, and then the clamp device (7) is further advanced toward the cup wheel grindstone (11g, 11g). A step of cylindrical finishing grinding, wherein the outer peripheral surface of the work supported by the clamping device (7) is subjected to cylindrical finishing grinding.
7). To center headstock support shaft said (7a 1) a by rotating the crystal orientation is the orientation flat machined cylindrical finish grinding machined workpiece (w) of the clamping device (7), the orientation flat centering process.
8). A cup wheel that rotates by rotating a grindstone shaft that supports a cupwheel grindstone (11g) on the side close to a position where a workpiece of the pair of cupwheel grindstone shafts of the cylindrical grinding apparatus (700) is subjected to orientation flat machining. The mold grindstone (11g) is advanced to contact the circumferential surface of the workpiece (w) centered in the crystal orientation to be subjected to the orientation flat processing to start the orientation flat grinding, and further the cup wheel type grinding stone (11g) After advancing and cutting to advance the grinding flat grinding allowance (t of ) to the grinding distance, the clamping device is moved to the cup wheel grinding wheel side to form an orientation flat on the outer peripheral surface of the cylindrical ingot block The orientation flat grinding process.
and,
9). The orientation flat ground workpiece (w) supported by the clamp device (7) is gripped by the robot claw of the autoloader device and transferred to the workpiece locker. An unloading process of transferring to the shelf (400).
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Cited By (4)
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CN103286647A (en) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 吴江市美晟机械设备有限公司 | Paper tube grinding machine |
CN105290895A (en) * | 2015-11-11 | 2016-02-03 | 江苏兴海特钢有限公司 | Four-wire grinding machine automatically controlling feeding and discharging |
WO2018041084A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 中车青岛四方机车车辆股份有限公司 | Automated brushing system for side wall of railway vehicle, and brushing process |
CN110405603A (en) * | 2019-08-19 | 2019-11-05 | 安吉圆磨机械科技有限公司 | A dedicated shaping machine for silicon carbide crystals |
-
2011
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103286647A (en) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 吴江市美晟机械设备有限公司 | Paper tube grinding machine |
CN105290895A (en) * | 2015-11-11 | 2016-02-03 | 江苏兴海特钢有限公司 | Four-wire grinding machine automatically controlling feeding and discharging |
CN105290895B (en) * | 2015-11-11 | 2017-09-15 | 江苏兴海特钢有限公司 | One kind automatically controls the line grinding machine of loading and unloading four |
WO2018041084A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 中车青岛四方机车车辆股份有限公司 | Automated brushing system for side wall of railway vehicle, and brushing process |
CN110405603A (en) * | 2019-08-19 | 2019-11-05 | 安吉圆磨机械科技有限公司 | A dedicated shaping machine for silicon carbide crystals |
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