JP2013016576A - Semiconductor package - Google Patents
Semiconductor package Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013016576A JP2013016576A JP2011147203A JP2011147203A JP2013016576A JP 2013016576 A JP2013016576 A JP 2013016576A JP 2011147203 A JP2011147203 A JP 2011147203A JP 2011147203 A JP2011147203 A JP 2011147203A JP 2013016576 A JP2013016576 A JP 2013016576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting member
- high thermal
- insulating material
- led element
- thermal conductivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/24227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
- H01L2224/7615—Means for depositing
- H01L2224/76151—Means for direct writing
- H01L2224/76155—Jetting means, e.g. ink jet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
- H01L2224/821—Forming a build-up interconnect
- H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
- H01L2224/82102—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing using jetting, e.g. ink jet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、搭載部材にLED素子等の半導体素子を搭載してその上側から封止材料で封止した半導体パッケージに関する発明である。 The present invention relates to a semiconductor package in which a semiconductor element such as an LED element is mounted on a mounting member and sealed from above with a sealing material.
例えば、LEDパッケージでは、リードフレーム(搭載部材)にLED素子をダイボンディングして、該LED素子上面の電極部とリードフレーム側の電極部とをワイヤボンディングで配線した後、これら全体を透明な封止樹脂で封止した構成となっている。LED素子の発光中(通電中)は、LED素子が発熱して封止樹脂の温度が上昇するため、封止樹脂が経時的に黄変したり、LED素子の特性が劣化する等の問題が発生することがある。 For example, in an LED package, an LED element is die-bonded to a lead frame (mounting member), an electrode part on the upper surface of the LED element and an electrode part on the lead frame side are wired by wire bonding, and then the whole is transparently sealed. The structure is sealed with a stop resin. During the light emission of the LED element (during energization), the LED element generates heat and the temperature of the sealing resin rises, so that there are problems such as yellowing of the sealing resin over time and deterioration of the characteristics of the LED element. May occur.
この対策として、特許文献1(特開2010−103525号公報)に記載のLEDパッケージは、パッケージ本体の下面に炭素ナノチューブからなる放熱フィンを形成して、パッケージ本体の下面側の放熱を促進させるようにしている。 As a countermeasure, in the LED package described in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2010-103525), heat radiation fins made of carbon nanotubes are formed on the lower surface of the package body so as to promote heat radiation on the lower surface side of the package body. I have to.
また、特許文献2(特開2007−266246号公報)に記載のLEDパッケージは、素子搭載凹部内にLED素子を搭載した基台と封止部材との接触面の外形を素子搭載凹部の底面(素子搭載面)の外形よりも大きくすることで放熱性を向上させるようにしている。 Moreover, the LED package described in Patent Document 2 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-266246) has an outer shape of a contact surface between a base on which an LED element is mounted in an element mounting recess and a sealing member, and a bottom surface of the element mounting recess ( Heat dissipation is improved by making it larger than the outer shape of the element mounting surface.
ところで、LED素子をダイボンディングしたリードフレーム(搭載部材)は、導電性金属で形成されているため、封止樹脂やパッケージのモールド樹脂と比較して、熱伝導率が遥かに高いため、リードフレーム(搭載部材)の高熱伝導性を有効に活用して放熱性能を高めることが望ましい。しかし、上記特許文献1,2の放熱構造は、リードフレーム(搭載部材)の高熱伝導性を有効に活用していないため、結果的に、LEDパッケージが大型化したり、製造コストが高くなる欠点がある。
By the way, the lead frame (mounting member) in which the LED element is die-bonded is formed of a conductive metal, and therefore has a much higher thermal conductivity than the sealing resin or the package molding resin. It is desirable to improve the heat dissipation performance by effectively utilizing the high thermal conductivity of the (mounting member). However, the heat dissipating structures of
そこで、本発明が解決しようとする課題は、放熱性能の向上を小型化や低コスト化と両立させながら実現する半導体パッケージを提供することである。 Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide a semiconductor package that realizes improvement in heat dissipation performance while reducing both size and cost.
上記課題を解決するために、請求項1に係る発明は、搭載部材に半導体素子を搭載してその上側から封止材料で封止した半導体パッケージにおいて、前記封止材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導性絶縁材料を前記半導体素子の側面と前記搭載部材とに密着させるように設けることで、前記半導体素子の側面から熱を前記搭載部材へ伝達する放熱経路を構成したものである。この構成では、半導体素子の側面と封止材料との間に高熱伝導性絶縁材料が介在されているため、半導体素子の側面から封止材料への直接的な熱伝達は高熱伝導性絶縁材料で妨げられるが、高熱伝導性絶縁材料は封止材料よりも熱伝導率が高いため、半導体素子の側面から熱を高熱伝導性絶縁材料を介して搭載部材へ効率良く伝達して放熱させることが可能となり、高熱伝導性絶縁材料と搭載部材の高熱伝導性を有効に活用して放熱性能を高めることができる。
In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to
例えば、半導体素子を封止する封止材料全体を高熱伝導性絶縁材料で形成することが考えられるが、高熱伝導性絶縁材料は、一般的な封止樹脂と比較してコストが高いため、封止材料全体を高熱伝導性絶縁材料で形成すると、製造コストが高くなる。 For example, it is conceivable that the entire sealing material for sealing the semiconductor element is formed of a high thermal conductive insulating material. However, since the high thermal conductive insulating material is more expensive than a general sealing resin, the sealing material is sealed. If the entire stopper material is formed of a highly thermally conductive insulating material, the manufacturing cost increases.
これに対し、本発明では、半導体素子の側面と封止材料との間の放熱経路を構成するのに必要な部分のみを高熱伝導性絶縁材料で形成するだけであるため、コストアップ幅を少なくできると共に、高熱伝導性絶縁材料と搭載部材の高熱伝導性を有効に活用して放熱性能を高めることができるため、半導体パッケージ全体の小型化も可能となる。これにより、半導体パッケージの放熱性能の向上を小型化や低コスト化と両立させながら実現することができる。 本発明は、半導体素子の側面の一部に高熱伝導性絶縁材料が設けられていない箇所が存在しても良いが、請求項2のように、高熱伝導性絶縁材料を半導体素子の全周を取り囲むように設けることが望ましい。このようにすれば、半導体素子全周の側面から熱が効率良く搭載部材に伝達されて放熱されるようになり、熱伝達性能を向上させることができる。 また、半導体素子を搭載する搭載部材は、どのような形状であっても良く、例えば、請求項3のように、搭載部材に形成した素子搭載凹部内に半導体素子を搭載し、該素子搭載凹部内のうちの該半導体素子の周囲に高熱伝導性絶縁材料を充填するようにしても良い。このようにすれば、半導体素子の周囲に高熱伝導性絶縁材料を容易に設けることができ、該高熱伝導性絶縁材料を半導体素子全周の側面と搭載部材とに確実に密着させることができる。 On the other hand, in the present invention, since only the portion necessary for configuring the heat radiation path between the side surface of the semiconductor element and the sealing material is formed of the high thermal conductive insulating material, the cost increase range is reduced. In addition, since the heat dissipation performance can be enhanced by effectively utilizing the high thermal conductivity of the high thermal conductivity insulating material and the mounting member, the entire semiconductor package can be downsized. As a result, the improvement of the heat dissipation performance of the semiconductor package can be realized while achieving both downsizing and cost reduction. In the present invention, there may be a portion where the highly thermally conductive insulating material is not provided on a part of the side surface of the semiconductor element. However, as in claim 2, the highly thermally conductive insulating material is spread over the entire circumference of the semiconductor element. It is desirable to provide it so as to surround it. If it does in this way, heat will be efficiently transmitted to the mounting member from the side surface of the entire circumference of the semiconductor element to be dissipated, and the heat transfer performance can be improved. Further, the mounting member for mounting the semiconductor element may have any shape. For example, as in claim 3, the semiconductor element is mounted in the element mounting recess formed in the mounting member, and the element mounting recess A high thermal conductivity insulating material may be filled around the semiconductor element. In this way, the high thermal conductivity insulating material can be easily provided around the semiconductor element, and the high thermal conductive insulating material can be reliably adhered to the side surface of the entire circumference of the semiconductor element and the mounting member.
上述した請求項1〜3において、高熱伝導性絶縁材料は、放熱経路を形成するためだけに用いても良いし、或は、請求項4のように、高熱伝導性絶縁材料の上面に、半導体素子の上面の電極部と前記搭載部材の電極部とを接続する配線を形成するようにしても良い。このようにすれば、放熱経路の構成材として用いる高熱伝導性絶縁材料を配線の下地材としても機能させることができる。 In the first to third aspects described above, the high thermal conductive insulating material may be used only for forming a heat dissipation path, or, as in the fourth aspect, a semiconductor is formed on the upper surface of the high thermal conductive insulating material. You may make it form the wiring which connects the electrode part of the upper surface of an element, and the electrode part of the said mounting member. In this way, the high thermal conductive insulating material used as the constituent material of the heat dissipation path can function as the wiring base material.
高熱伝導性絶縁材料の上面に配線を形成する場合は、請求項5のように、液滴吐出法又は印刷法により配線を形成するようにすると良い。例えば、搭載部材の素子搭載凹部内に半導体素子を搭載する場合は、搭載部材の素子搭載凹部内のうちの半導体素子の周囲のスペースに高熱伝導性絶縁材料を充填することで、半導体素子の上面の電極部と搭載部材の電極部との間の配線経路を高熱伝導性絶縁材料で平坦化することができ、高熱伝導性絶縁材料の上面にインクジェット等の液滴吐出法又はスクリーン印刷等の印刷法により配線を容易に形成することができる。また、半導体素子の上面の電極部と搭載部材の電極部との間に高低差がある場合には、高熱伝導性絶縁材料を半導体素子の上面の電極部側から搭載部材の電極部側に向けて傾斜するスロープ状に形成することで、該高熱伝導性絶縁材料の上面にインクジェット等の液滴吐出法により配線を容易に形成することができる。 When the wiring is formed on the upper surface of the high thermal conductive insulating material, it is preferable that the wiring is formed by a droplet discharge method or a printing method as in claim 5. For example, when a semiconductor element is mounted in the element mounting recess of the mounting member, the upper surface of the semiconductor element is filled by filling a space around the semiconductor element in the element mounting recess of the mounting member with a high thermal conductive insulating material. The wiring path between the electrode part of the mounting member and the electrode part of the mounting member can be flattened with a high thermal conductive insulating material, and a droplet discharge method such as inkjet or printing such as screen printing is performed on the upper surface of the high thermal conductive insulating material Wiring can be easily formed by this method. Further, when there is a height difference between the electrode portion on the upper surface of the semiconductor element and the electrode portion on the mounting member, the high thermal conductive insulating material is directed from the electrode portion side on the upper surface of the semiconductor element toward the electrode portion side of the mounting member. In this way, the wiring can be easily formed on the upper surface of the high thermal conductive insulating material by a droplet discharge method such as inkjet.
以下、本発明を実施するための形態をLEDパッケージに適用して具体化した2つの実施例1,2を説明する。 Hereinafter, two Examples 1 and 2 which embodied the form for implementing this invention to an LED package are demonstrated.
本発明の実施例1のLEDパッケージの構成を図1乃至図3に基づいて説明する。
搭載部材11は、リードフレーム等の高熱伝導性材料により形成され、その素子搭載部に半導体素子であるLED素子12がダイボンディング(接合)されている。このLED素子12の上面の両側には、2つの電極部13が形成されている。
The configuration of the LED package of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.
The
このLED素子12の全周を取り囲むように高熱伝導性絶縁材料14がインクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により設けられている。この高熱伝導性絶縁材料14は、LED素子12全周の側面と搭載部材11とに密着して、LED素子12全周の側面から熱を搭載部材11へ効率良く伝達する放熱経路の構成材として機能すると共に、LED素子12の側面上端から搭載部材1の上面に向けて傾斜するスロープ状に形成され、後述する配線17の下地材としても機能する。
A high thermal conductive
この高熱伝導性絶縁材料14は、後述する封止材料18よりも熱伝導率が高い絶縁材料で形成され、例えば、エポキシ系樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂に高熱伝導性フィラーを混入させた高熱伝導性絶縁樹脂を用いても良いし、或は、高熱伝導性無機材料(例えば二酸化ケイ素等のガラス、窒化アルミニウム等)を用いても良い。更に、高熱伝導性絶縁材料14は、LED素子12や搭載部材11に対する密着性や耐熱性に優れた材料が望ましく、また、LED素子12や搭載部材11との間の熱膨張率の差が小さい材料が望ましい。搭載部材11に搭載する半導体素子がLED素子12等の発光素子の場合は、透明な高熱伝導性絶縁材料14を用いると良い。
The high thermal
LED素子12の上面の電極部13と搭載部材11の電極部16との間の配線経路は、高熱伝導性絶縁材料14で傾斜面に形成され、該高熱伝導性絶縁材料14の上面に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により導電性インクを吐出して配線17が形成され、この配線17によってLED素子12の電極部13と搭載部材11の電極部16とが接続されている。
The wiring path between the
搭載部材11に搭載したLED素子12及び配線17は、それらの上側から透明な封止材料18によって封止されている。この封止材料18は、高熱伝導性絶縁材料14よりも熱伝導率が低い透明な絶縁性樹脂等を用いれば良い。
The
以上説明した本実施例1のLEDパッケージは、封止材料18よりも熱伝導率が高い高熱伝導性絶縁材料14をLED素子12の側面と搭載部材11とに密着させるように設けることで、LED素子12の側面から熱を搭載部材11へ伝達する放熱経路を構成している。この構成では、LED素子12の側面と封止材料18との間に高熱伝導性絶縁材料14が介在されているため、LED素子12の側面から封止材料18への直接的な熱伝達は高熱伝導性絶縁材料14で妨げられるが、高熱伝導性絶縁材料14は封止材料18よりも熱伝導率が高いため、LED素子12の側面から熱を高熱伝導性絶縁材料14を介して搭載部材11へ効率良く伝達して放熱させることが可能となり、高熱伝導性絶縁材料14と搭載部材11の高熱伝導性を有効に活用して放熱性能を高めることができる。
In the LED package of the first embodiment described above, the high thermal
例えば、LED素子12を封止する封止材料全体を高熱伝導性絶縁材料で形成することが考えられるが、高熱伝導性絶縁材料は、一般的な封止樹脂と比較してコストが高いため、封止材料全体を高熱伝導性絶縁材料で形成すると、製造コストが高くなる。
For example, it is conceivable to form the entire sealing material for sealing the
これに対し、本実施例1では、LED素子12の側面と封止材料18との間の放熱経路を構成するのに必要な部分のみを高熱伝導性絶縁材料14で形成するだけであるため、コストアップ幅を少なくできると共に、高熱伝導性絶縁材料14と搭載部材11の高熱伝導性を有効に活用して放熱性能を高めることができるため、LEDパッケージ全体の小型化も可能となる。これにより、LEDパッケージの放熱性能の向上を小型化や低コスト化と両立させながら実現することができる。
On the other hand, in the present Example 1, only the portion necessary for configuring the heat dissipation path between the side surface of the
しかも、本実施例1では、高熱伝導性絶縁材料14の上面に、LED素子12の上面の電極部13と搭載部材11の電極部16とを接続する配線17を形成するようにしたので、放熱経路の構成材として用いる高熱伝導性絶縁材料14を、配線17の下地材としても機能させることができると共に、配線17をインクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により能率良く形成することができて、LEDパッケージの低コスト化及び小型化に貢献できる。
In addition, in the first embodiment, the
尚、本発明は、LED素子12の側面の一部に高熱伝導性絶縁材料14が設けられていない箇所が存在しても良いが、本実施例1のように、高熱伝導性絶縁材料14をLED素子12の全周を取り囲むように設けた構成とすれば、LED素子12全周の側面から熱が効率良く搭載部材11に伝達されて放熱されるようになり、熱伝達性能を向上させることができる。
In the present invention, there may be a portion where the high thermal
次に、図4乃至図6を用いて本発明の実施例2のLEDパッケージの構成を説明する。 搭載部材21は、リードフレーム等の高熱伝導性材料により形成され、その所定位置に素子搭載凹部22が形成されている。この搭載部材21の素子搭載凹部22の底面中央部には、半導体素子であるLED素子23がダイボンディング(接合)されている。素子搭載凹部22の深さ寸法(高さ寸法)は、LED素子23の高さ寸法とほぼ同一に設定され、素子搭載凹部22内に搭載したLED素子23上面の電極部24が搭載部材21上面の電極部25とほぼ同一高さとなっている。
Next, the configuration of the LED package of Example 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. The mounting
搭載部材21の素子搭載凹部22内のうちのLED素子23の周囲に、封止材料28よりも熱伝導率が高い高熱伝導性絶縁材料26がインクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により充填されている。この高熱伝導性絶縁材料26は、前記実施例1の高熱伝導性絶縁材料14と同様の材料で形成され、LED素子23全周の側面と搭載部材21とに密着して、LED素子23全周の側面から熱を搭載部材21へ効率良く伝達する放熱経路の構成材として機能すると共に、後述する配線27の下地材としても機能する。
The high thermal
LED素子23の上面の電極部24と搭載部材21の電極部25との間の配線経路は、高熱伝導性絶縁材料26で平坦化され、該高熱伝導性絶縁材料26の上面に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又はスクリーン印刷等の印刷法により導電性インクを吐出して配線27が形成され、この配線27によってLED素子23の電極部25と搭載部材21の電極部25とが接続されている。
The wiring path between the
搭載部材21の素子搭載凹部22内に搭載したLED素子23及び配線27は、透明な封止材料28によって封止されている。この封止材料28は、高熱伝導性絶縁材料26よりも熱伝導率が低い透明な樹脂等を用いれば良い。
The
以上説明した本実施例2のLEDパッケージは、搭載部材21の素子搭載凹部22内にLED素子12を搭載して、該素子搭載凹部22内のうちのLED素子23の周囲に、封止材料28よりも熱伝導率が高い高熱伝導性絶縁材料26を充填するようにしているため、LED素子23の周囲に高熱伝導性絶縁材料26を容易に設けることができ、該高熱伝導性絶縁材料26をLED素子12全周の側面と搭載部材21とに確実に密着させることができて、LED素子23全周の側面から熱を高熱伝導性絶縁材料26を介して搭載部材21へ効率良く伝達して放熱させることが可能となり、高熱伝導性絶縁材料26と搭載部材21の高熱伝導性を有効に活用して放熱性能を高めることができ、前記実施例1と同様の効果を得ることができる。
In the LED package of the second embodiment described above, the
しかも、本実施例2では、LED素子23の上面の電極部24と搭載部材21の電極部25との間の配線経路を高熱伝導性絶縁材料26で平坦化して、該高熱伝導性絶縁材料26の上面にインクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により配線27を形成するようにしているため、放熱経路の構成材として用いる高熱伝導性絶縁材料26を、配線27の下地材としても機能させることができると共に、配線27をインクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又はスクリーン印刷等の印刷法により能率良く形成することができて、LEDパッケージの低コスト化及び小型化に貢献できる。
Moreover, in the second embodiment, the wiring path between the
尚、上記実施例1,2では、LED素子の上面の電極部と搭載部材の電極部との間を接続する配線を液滴吐出法又は印刷法により形成するようにしたが、本発明は、電極部間をボンディングワイヤで接続する構成としても良い。 In Examples 1 and 2, the wiring connecting the electrode portion on the upper surface of the LED element and the electrode portion of the mounting member is formed by the droplet discharge method or the printing method. It is good also as a structure which connects between electrode parts with a bonding wire.
その他、本発明は、LED素子以外の半導体素子を搭載部材に搭載した半導体パッケージにも適用して実施できる等、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できることは言うまでもない。 In addition, it goes without saying that the present invention can be implemented with various modifications without departing from the gist, such as being applicable to a semiconductor package in which a semiconductor element other than an LED element is mounted on a mounting member.
11…搭載部材、12…LED素子(半導体素子)、13…電極部、14…高熱伝導性絶縁材料、16…電極部、17…配線、18…封止材料、21…搭載部材、22…素子搭載凹部、23…LED素子(半導体素子)、24,25…電極部、26…高熱伝導性絶縁材料、27…配線、28…封止材料
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記封止材料よりも熱伝導率が高い高熱伝導性絶縁材料を前記半導体素子の側面と前記搭載部材とに密着させるように設けることで、前記半導体素子の側面から熱を前記搭載部材へ伝達する放熱経路を構成したことを特徴とする半導体パッケージ。 In a semiconductor package in which a semiconductor element is mounted on a mounting member and sealed with a sealing material from above,
Heat is transmitted from the side surface of the semiconductor element to the mounting member by providing a high thermal conductivity insulating material having a higher thermal conductivity than the sealing material so as to be in close contact with the side surface of the semiconductor element and the mounting member. A semiconductor package comprising a heat dissipation path.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011147203A JP2013016576A (en) | 2011-07-01 | 2011-07-01 | Semiconductor package |
CN2012203170180U CN202772121U (en) | 2011-07-01 | 2012-06-29 | Semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011147203A JP2013016576A (en) | 2011-07-01 | 2011-07-01 | Semiconductor package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013016576A true JP2013016576A (en) | 2013-01-24 |
Family
ID=47688981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011147203A Pending JP2013016576A (en) | 2011-07-01 | 2011-07-01 | Semiconductor package |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013016576A (en) |
CN (1) | CN202772121U (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016531425A (en) * | 2013-07-25 | 2016-10-06 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | Optoelectronic semiconductor chip, semiconductor component, and method of manufacturing optoelectronic semiconductor chip |
US9905741B2 (en) | 2013-02-28 | 2018-02-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6475198B2 (en) * | 2016-06-29 | 2019-02-27 | 太陽誘電株式会社 | Variable capacitance device and antenna device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093672A (en) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
JP2006278511A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
JP2006278766A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | Mount structure and mount method of light-emitting element |
JP2009033081A (en) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | Light emitting diode device |
JP2011243709A (en) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | Light-emitting module and lighting apparatus equipped with the same |
-
2011
- 2011-07-01 JP JP2011147203A patent/JP2013016576A/en active Pending
-
2012
- 2012-06-29 CN CN2012203170180U patent/CN202772121U/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093672A (en) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
JP2006278511A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
JP2006278766A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | Mount structure and mount method of light-emitting element |
JP2009033081A (en) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | Light emitting diode device |
JP2011243709A (en) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Panasonic Corp | Light-emitting module and lighting apparatus equipped with the same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9905741B2 (en) | 2013-02-28 | 2018-02-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2016531425A (en) * | 2013-07-25 | 2016-10-06 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | Optoelectronic semiconductor chip, semiconductor component, and method of manufacturing optoelectronic semiconductor chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN202772121U (en) | 2013-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10573579B2 (en) | Semiconductor package with improved heat dissipation | |
JP4571679B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5528900B2 (en) | Light emitting element module | |
CN109637983B (en) | Chip package | |
JP2005117041A (en) | High-power light emitting diode device | |
US7777246B2 (en) | Light emitting diode with inorganic bonding material formed within | |
JP2007305761A (en) | Semiconductor device | |
US20120025215A1 (en) | Semiconductor package with heat dissipating structure | |
WO2015104834A1 (en) | Power semiconductor device | |
US20130146912A1 (en) | Electronic device | |
TWI464929B (en) | Light source module with enhanced heat dissipation efficiency and embedded package structure thereof | |
KR100986397B1 (en) | Light emitting apparatus | |
JP2013016576A (en) | Semiconductor package | |
JP2015095588A (en) | Led package | |
JP2017195677A (en) | Semiconductor device | |
JP5073973B2 (en) | Light emitting diode package | |
JP5623463B2 (en) | Semiconductor module | |
TW201340406A (en) | LED package and method of manufacturing the same | |
JP5601282B2 (en) | Semiconductor device | |
US9875996B2 (en) | Composite substrate for light emitting device and LED module with the same | |
TW201916279A (en) | Chip package | |
JP3191112U (en) | Semiconductor device and case for semiconductor device | |
KR101640126B1 (en) | Semiconductor package manufacturing method | |
US9147809B1 (en) | Flip chip light emitting diode packaging structure | |
JP2014236101A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140603 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150427 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150604 |